DE102016119597B4 - Doppelseitig kühlbares elektronikmodul und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

Doppelseitig kühlbares elektronikmodul und verfahren zu dessen herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE102016119597B4
DE102016119597B4 DE102016119597.9A DE102016119597A DE102016119597B4 DE 102016119597 B4 DE102016119597 B4 DE 102016119597B4 DE 102016119597 A DE102016119597 A DE 102016119597A DE 102016119597 B4 DE102016119597 B4 DE 102016119597B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
metallization layer
section
circuit board
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102016119597.9A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102016119597A1 (de
Inventor
Alexander Schwarz
Christoph Koch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102016119597.9A priority Critical patent/DE102016119597B4/de
Publication of DE102016119597A1 publication Critical patent/DE102016119597A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102016119597B4 publication Critical patent/DE102016119597B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49531—Additional leads the additional leads being a wiring board
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads

Abstract

Elektronikmodul, das aufweist:eine erste Leiterplatte (1) mit einer ersten Metallisierungsschicht (11);eine zweite Leiterplatte (2) mit einer zweiten Metallisierungsschicht (21);ein elektrisches Anschlusselement (4), das einen ersten Abschnitt (41) aufweist, der zumindest teilweise zwischen der ersten Metallisierungsschicht (11) und der zweiten Metallisierungsschicht (21) angeordnet ist;eine elektrisch leitende erste Verbindungsschicht (31), die sich durchgehend zwischen dem ersten Abschnitt (41) und der ersten Metallisierungsschicht (11) erstreckt; undeine elektrisch leitende zweite Verbindungsschicht (32), die sich durchgehend zwischen dem ersten Abschnitt (41) und der zweiten Metallisierungsschicht (21) erstreckt;wobei von der ersten Verbindungsschicht (31) und der zweiten Verbindungsschicht (32) eine als Schicht mit einem gesinterten Metallpulver ausgebildet ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft Elektronikmodule. Viele herkömmliche Elektronikmodule weisen eine mit einem oder mehr Halbleiterchips bestückte Leiterplatte auf, wobei die Halbleiterchips an ihrer der Leiterplatte abgewandten Seite durch Bonddrähte, aufgelötete Metallbügel oder dergleichen elektrisch angeschlossen sind. Um die in den Halbleiterchips anfallende Abwärme abzuführen, kann die den Halbleiterchips abgewandte Seite der Leiterplatte thermisch mit einem Kühlkörper gekoppelt werden. Aufgrund ständig steigender Leistungsdichten der Halbleiterchips stellt eine ausreichende Entwärmung der Halbleiterchips eine große Herausforderung dar.
  • Da die oben genannten Bonddrähte oder Metallbügel allenfalls einen geringen Beitrag zur Entwärmung der betreffenden Halbleiterchips leisten, wurden Konzepte entwickelt, bei denen die Halbleiterchips zwischen zwei Leiterplatten angeordnet sind, so dass die den Halbleiterchips abgewandte Seite einer jeden der beiden Leiterplatten thermisch mit einem eigenen Kühlkörper gekoppelt werden kann. Bei derartigen Lösungen werden seitlich neben den Halbleiterchips häufig Abstandhalter angeordnet, die punktuell elektrische Verbindungen zwischen den Leiterplatten herstellen. Zur elektrischen Kontaktierung eines zwei Leiterplatten aufweisenden Elektronikmoduls werden mehrere elektrische Anschlüsse verwendet, von denen jeder an einer der beiden Leiterplatten angebracht ist. Die Herstellung solcher Elektronikmodule ist jedoch kompliziert, da mit den Abstandhaltern und den elektrischen Anschlüssen zusätzlich zu den Halbleiterchips eine große Anzahl einzelner Teile - beispielsweise durch Löten - miteinander verbunden werden muss.
  • Ein weiteres Problem, das bei Elektronikmodulen häufig auftritt, sind unvermeidliche parasitäre Induktivitäten, die das Schaltverhalten des Moduls beeinflussen können. Außerdem können solche parasitären Induktivitäten zu hohen induktiven Spannungen führen, die die Halbleiterchips oder andere Komponenten des Elektronikmoduls belasten oder zerstören können.
  • Aus JP 2012 146 760 A ist ein Leistungshalbleitermodul bekannt, das zwei metallisierte Keramiksubstrate aufweist, die parallel zueinander angeordnet sind. Das Leistungshalbleitermodul weist stufig gebogene elektrische Anschlüsse auf, die jeweils seitlich aus dem Zwischenraum zwischen den Keramiksubstraten hervorragen, an einem ersten horizontalen Abschnitt an eine Metallisierung des einen Keramiksubstrats und an einem zweiten horizontalen Abschnitt an eine Metallisierung des anderen Keramiksubstrats gelötet sind.
  • In JP 2004 311 685 A ist eine Leistungshalbleitereinrichtung beschrieben, die zwei metallisierte Isoliersubstrate aufweist, die parallel zueinander angeordnet sind. Zwischen den Isoliersubstraten ist ein u-förmiger Leiterrahmen angeordnet, der sowohl an eine Metallisierung des einen Isoliersubstrats als auch an eine Metallisierung des anderen Isoliersubstrats gelötet ist.
  • Die US 2003 / 0213 979 A1 zeigt eine Anordnung mit mehreren Metallblöcken und zwei Leiterrahmen auf. Auf jedem der Metallblöcke ist ein Halbleiterbauelement angeordnet ist. Ein jedes der Halbleiterbauelemente weist eine Hauptelektrode auf, an die mittels eines elektrisch leitenden Klebers ein individuell dieser Hauptelektrode zugeordneter Endabschnitt eines der Leiterrahmen angeschlossen ist. Ferner ist jeder der Metallblöcke mittels eines elektrisch leitenden Klebers an einen dem betreffenden Metallblock individuell zugeordneten Endabschnitt des anderen der Leiterrahmen angeschlossen.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Elektronikmodul bereitzustellen, das eine Verbesserung zumindest eines der vorangehend genannten Probleme mit sich bringt. Diese Aufgabe wird durch ein Elektronikmodul gemäß Patentanspruch 1 bzw. durch ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls gemäß Patentanspruch 10 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
  • Ein Aspekt betrifft ein Elektronikmodul. Das Elektronikmodul weist eine erste Leiterplatte mit einer ersten Metallisierungsschicht, eine zweite Leiterplatte mit einer zweiten Metallisierungsschicht, sowie ein elektrisches Anschlusselement auf. Ein erster Abschnitt des elektrischen Anschlusselements ist zumindest teilweise zwischen der ersten Metallisierungsschicht und der zweiten Metallisierungsschicht angeordnet. Eine elektrisch leitende erste Verbindungsschicht erstreckt sich durchgehend zwischen dem ersten Abschnitt und der ersten Metallisierungsschicht, und eine elektrisch leitende zweite Verbindungsschicht erstreckt sich durchgehend zwischen dem ersten Abschnitt und der zweiten Metallisierungsschicht. Von der ersten Verbindungsschicht und der zweiten Verbindungsschicht ist eine als Schicht mit einem gesinterten Metallpulver ausgebildet.
  • Ein weiterer Aspekt betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls. Bei diesem Verfahren wird eine erste Metallisierungsschicht einer ersten Leiterplatte mittels einer elektrisch leitenden ersten Verbindungsschicht stoffschlüssig mit einem Leiterrahmen verbunden, so dass sich die erste Verbindungsschicht durchgehend zwischen der ersten Metallisierungsschicht und einem ersten Abschnitt des Leiterrahmens erstreckt, und es wird eine zweite Metallisierungsschicht einer zweiten Leiterplatte mittels einer elektrisch leitenden zweiten Verbindungsschicht stoffschlüssig mit dem Leiterrahmen verbunden, so dass sich die zweite Verbindungsschicht durchgehend zwischen der zweiten Metallisierungsschicht und dem ersten Abschnitt des Leiterrahmens erstreckt. Im Ergebnis ist der erste Abschnitt zwischen der ersten Metallisierungsschicht und der zweiten Metallisierungsschicht angeordnet. Nachfolgend wird der Leiterrahmen zu wenigstens zwei Segmenten vereinzelt, so dass eines der Segmente ein elektrisches Anschlusselement des Elektronikmoduls bildet, wobei das elektrische Anschlusselement den ersten Abschnitt enthält. Von der ersten Verbindungsschicht und der zweiten Verbindungsschicht wird zumindest eine durch Sintern eines Metallpulvers erzeugt.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Beispielen und Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert. Dabei bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente. Die Darstellung in den Figuren ist nicht maßstäblich.
    • 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Abschnitt eines Elektronikmoduls gemäß einem ersten Beispiel;
    • 2 zeigt eine perspektivische Ansicht eines elektrischen Anschlusses eines Elektronikmoduls, der aus einem Zwischenraum zwischen zwei Leiterplatten des Elektronikmoduls heraus ragt;
    • 3 zeigt einen Querschnitt durch einen Abschnitt eines Elektronikmoduls gemäß einem zweiten Beispiel;
    • 4 zeigt einen Querschnitt durch einen Abschnitt eines Elektronikmoduls gemäß einem vierten Beispiel;
    • 5 zeigt einen weiteren Querschnitt durch den Abschnitt des Elektronikmoduls gemäß dem vierten Beispiel;
    • 6 zeigt einen elektrischen Anschluss des Elektronikmoduls gemäß dem vierten Beispiel;
    • 7 zeigt eine Draufsicht auf ein Elektronikmodul, bei dem die erste Leiterplatte und die erste Verbindungsschicht entfernt wurden;
    • 8-11 veranschaulichen verschiedene Schritte bei der Herstellung eines Elektronikmoduls;
    • 12 zeigt einen Querschnitt durch ein vergossenes Elektronikmodul; und
    • 13 zeigt einen Querschnitt durch ein Elektronikmodul mit einem Halbleiterchip, an den ein Bonddraht gebondet ist; und
    • 14 zeigt einen Querschnitt durch ein zweiseitig gekühltes Elektronikmodul.
  • In der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung wird anhand konkreter Beispiele veranschaulicht, wie die Erfindung realisiert werden kann. Es versteht sich, dass die Merkmale der verschiedenen hierin beschriebenen Beispiele, sofern nicht anderweitig erwähnt, miteinander kombiniert werden können. Sofern bestimmte Elemente als „erstes Element“, „zweites Element“,... oder dergleichen bezeichnet werden, dient die Angabe „erstes“, „zweites“,... lediglich dazu, verschiedene Elemente voneinander zu unterscheiden. Eine Reihenfolge oder Aufzählung ist mit dieser Angabe nicht verbunden. Das bedeutet, dass beispielsweise ein „zweites Element“ auch dann vorhanden sein kann, wenn kein „erstes Element“ vorhanden ist.
  • 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Abschnitt eines Elektronikmoduls 100. Das Elektronikmodul 100 weist zumindest einen Halbleiterchip 5 auf, der zwischen einer ersten Leiterplatte 1 und einer zweiten Leiterplatte 2 angeordnet ist. Die erste Leiterplatte 1 weist eine erste Metallisierungsschicht 11 auf, die auf einen dielektrischen ersten Isolationsträger 10 aufgebracht ist. Die zweite Leiterplatte 2 weist eine zweite Metallisierungsschicht 21 auf, die auf einen dielektrischen zweiten Isolationsträger 20 aufgebracht ist. Optional kann die erste Metallisierungsschicht 11 zu Leiterbahnen strukturiert sein, was in der Querschnittsansicht gemäß 1 nicht zu erkennen ist. Ebenfalls optional kann die zweite Metallisierungsschicht 21 zu Leiterbahnen strukturiert sein, was in der Querschnittsansicht gemäß 1 ebenfalls nicht zu erkennen ist.
  • Ferner kann die erste Leiterplatte 1 optional eine dritte Metallisierungsschicht 12 aufweisen, die auf die der ersten Metallisierungsschicht 11 abgewandte Seite des ersten Isolationsträgers 10 aufgebracht ist, so dass der erste Isolationsträger 10 zwischen der ersten Metallisierungsschicht 11 und der dritten Metallisierungsschicht 12 angeordnet ist. Eine solche dritte Metallisierungsschicht 12 kann zu Leiterbahnen strukturiert sein, oder sie kann unstrukturiert sein. Ebenfalls optional kann die zweite Leiterplatte 2 eine vierte Metallisierungsschicht 22 aufweisen, die auf die der zweiten Metallisierungsschicht 21 abgewandte Seite des zweiten Isolationsträgers 20 aufgebracht ist, so dass der zweite Isolationsträger 20 zwischen der zweiten Metallisierungsschicht 21 und der vierten Metallisierungsschicht 22 angeordnet ist. Eine solche vierte Metallisierungsschicht 22 kann zu Leiterbahnen strukturiert sein, oder sie kann unstrukturiert sein.
  • Der Halbleiterchip 5 kann einen Halbleiterkörper enthalten, in den ein Leistungshalbleiterbauelement integriert ist. Bei dem Leistungshalbleiterbauelement kann es sich beispielsweise um eine Diode handeln, oder um einen steuerbaren Halbleiterschalter wie z.B. einen IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), einen MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), einen Thyristor (z.B. einen GTO-Thyristor; GTO = Gate Turn-Off), einen Sperrschicht-Feldeffekttransistor (JFET = Junction Field Effect Transistor), oder um einen HEMT (High Electron Mobility Transistor). Bei Leistungshalbleiterbauelement kann es sich um ein vertikales oder um ein laterales Leistungshalbleiterbauelement handeln. Allerdings ist das Halbleiterbauelement nicht auf die genannten Beispiele beschränkt.
  • Der Halbleiterchip 5 ist sowohl mit der ersten Metallisierungsschicht 11 als auch mit der zweiten Metallisierungsschicht 21 stoffschlüssig verbunden, so dass der Halbleiterchip 5 sowohl über die erste Leiterplatte 1 als auch über die zweite Leiterplatte 2 entwärmt werden kann. Optional kann der Halbleiterchip 5 mit der ersten Metallisierungsschicht 11 und/oder mit der zweiten Metallisierungsschicht 21 auch elektrisch leitend verbunden sein.
  • Um eine externe elektrische Kontaktierung das Elektronikmoduls 100 zu ermöglichen, ist zumindest ein elektrisches Anschlusselement 4 vorhanden. Grundsätzlich kann das Elektronikmodul 100 mehrere solche Anschlusselemente 4 aufweisen, wobei im Folgenden ein solches Anschlusselement 4 beispielhaft beschrieben wird.
  • Das Anschlusselement 4 weist einen ersten Abschnitt 41 und einen zweiten Abschnitt 42 auf. Der erste Abschnitt 41 ist vollständig oder zumindest teilweise zwischen der ersten Metallisierungsschicht 11 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 und damit auch vollständig oder zumindest teilweise zwischen der ersten Leiterplatte 1 und der zweiten Leiterplatte 2 angeordnet. Der erste Abschnitt 41 befindet sich somit vollständig oder zumindest teilweise in dem Zwischenraum 7 zwischen der ersten Leiterplatte 1 und der zweiten Leiterplatte 2. Der Zwischenraum 7 umfasst sämtliche Punkte sämtlicher gerader Verbindungsstrecken h, die sich zwischen einem Punkt der ersten Leiterplatte 1 und einem Punkt der zweiten Leiterplatte 2 ziehen lassen, soweit die geraden Verbindungsstrecken h nicht Bestandteil zumindest einer der Leiterplatten 1, 2 sind. An dem zweiten Abschnitt 42 ragt das Anschlusselement 4 (seitlich) aus dem Zwischenraum 7 heraus. Der zweite Abschnitt 42 befindet sich also außerhalb des Zwischenraums 7, wodurch das Anschlusselement 4 und damit das Elektronikmodul 100 an dem zweiten Abschnitt 42 sehr einfach elektrisch kontaktiert werden kann. Ein solches Anschlusselement 4 kann beispielsweise dazu verwendet werden, das Elektronikmodul 100 an ein elektrisches Versorgungspotential zur Versorgung des Elektronikmoduls 100 anzuschließen, oder um dem Elektronikmodul 100 ein beliebiges Signal (z.B. ein Steuersignal) zuzuführen, oder um einer modulexternen Last ein von dem Elektronikmodul 100 bereitgestelltes Versorgungspotential zur Versorgung der Last zuzuführen, oder von dem Elektronikmodul 100 ein beliebiges Signal (z.B. ein Signal, das eine Temperatur des Elektronikmoduls 100 repräsentiert), abzugreifen. Allgemein kann der zweite Abschnitt 42 des Anschlusselements 4 dazu verwendet werden, dem Elektronikmodul 100 ein modulexternes (konstantes oder zeitlich veränderliches) elektrisches Potential zuzuführen oder ein solches Potential von dem Elektronikmodul 100 abzugreifen. Daher liegt der zweite Abschnitt 42 zumindest so weit frei, dass er von außerhalb des Elektronikmoduls 100 elektrisch kontaktiert werden kann.
  • Das Elektronikmodul 100 enthält außerdem eine elektrisch leitende erste Verbindungsschicht 31 und eine elektrisch leitende zweite Verbindungsschicht 32. Ein Abschnitt 311 der ersten Verbindungsschicht 31 und damit die erste Verbindungsschicht 31 erstreckt sich durchgehend zwischen dem ersten Abschnitt 41 des Anschlusselements 4 und der ersten Metallisierungsschicht 11 und verbindet die erste Leiterplatte 1 und das Anschlusselement 4 stoffschlüssig miteinander, und die ein Abschnitt 321 der zweite Verbindungsschicht 32 und damit die zweite Verbindungsschicht 32 erstreckt sich durchgehend zwischen dem ersten Abschnitt 41 des Anschlusselements 4 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 und verbindet die zweite Leiterplatte 2 und das Anschlusselement 4 stoffschlüssig miteinander.
  • Von der ersten Verbindungsschicht 31 und der zweiten Verbindungsschicht 32 kann jede als eine der folgenden Schichten ausgebildet sein: als Lotschicht; als (elektrisch leitende) Klebeschicht; als Schicht mit einem gesinterten Metallpulver (z.B. einem gesinterten Silberpulver). Dabei ist von den beiden Verbindungsschichten 31 und 32 zumindest eine als Schicht mit einem gesinterten Metallpulver ausgebildet. Beispielsweise können beide Verbindungsschichten 31 und 32 als Schichten mit einem gesinterten Metallpulver ausgebildet sein. Abgesehen davon, dass von der ersten Verbindungsschicht 31 und der zweiten Verbindungsschicht 32 zumindest eine als Schicht mit einem gesinterten Metallpulver ausgebildet ist, sind beliebige Kombinationen der genannten Schichtarten möglich. Beispielsweise kann die erste Verbindungsschicht 31 als Lotschicht ausgebildet sein und die zweite Verbindungsschicht 32 als Schicht mit einem gesinterten Metallpulver, oder die zweite Verbindungsschicht 32 kann als Lotschicht ausgebildet sein und die erste Verbindungsschicht 31 als Schicht mit einem gesinterten Metallpulver.
  • Optional kann die erste Verbindungsschicht 31 einen Schmelzpunkt aufweisen, der geringer ist als ein Schmelzpunkt der ersten Metallisierungsschicht 11 und geringer als ein Schmelzpunkt des elektrischen Anschlusselements 4. Ebenfalls optional und unabhängig vom Schmelzpunkt der ersten Verbindungsschicht 31 kann die zweite Verbindungsschicht 32 einen Schmelzpunkt aufweisen, der geringer ist als ein Schmelzpunkt der zweiten Metallisierungsschicht 21 und geringer als ein Schmelzpunkt des elektrischen Anschlusselements 4. Hierdurch kann beim Löten oder Sintern (vor allem, wenn eine Verbindungsschicht 31, 32 durch Flüssigphasensintern hergestellt wird), erreicht werden, dass die Metallisierungsschichten 11, 21 und das Anschlusselement 4 nicht aufschmelzen. Außerdem kann der Verbund mit den Leiterplatten 1, 2 und dem Anschlusselement 4 durch Aufschmelzen der Verbindungsschichten 31, 32 wieder demontiert werden, ohne dass die erste Metallisierungsschicht 11, die zweite Metallisierungsschicht 21 und das Anschlusselement 4 aufschmelzen. Beispielsweise können die erste Verbindungsschicht 31 und/oder die zweite Verbindungsschicht 32 einen Schmelzpunkt von kleiner oder gleich 970°C aufweisen.
  • Wie 1 zu entnehmen ist, weist die erste Verbindungsschicht 31 zumindest den Abschnitt 311 auf, und sie kann optional einen oder mehr weitere Abschnitte 312, 313 usw. aufweisen. Entsprechend weist die zweite Verbindungsschicht 32 zumindest den Abschnitt 312 auf, und sie kann optional einen oder mehr weitere Abschnitte 322, 323 usw. aufweisen.
  • Abgesehen von den (im Vergleich zur Dicke des ersten Abschnitts 41 dünnen) Verbindungsschichten 31, 32 erstreckt sich das Anschlusselement 4 im Bereich des ersten Abschnitts 41 durchgehend von der ersten Metallisierungsschicht 11 zu der zweiten Metallisierungsschicht 21. Anders als bei herkömmlichen Elektronikmodulen übernimmt das Anschlusselement 4 ergänzend zu seiner Funktion als elektrischer Anschluss auch noch die Funktion eines Abstandhalters zwischen der ersten Leiterplatte 1 und der zweiten Leiterplatte 2. Somit können bei dem Elektronikmodul 100 punktuell zwischen die erste Leiterplatte 1 und die zweite Leiterplatte 2 eingebrachte Abstandhalter entfallen. Selbstverständlich können solche punktuell eingebrachten Abstandhalter ergänzend zu einem (oder mehreren) als Abstandhalter dienenden Anschlusselement(en) 4 verwendet werden.
  • Ein Anschlusselement 4 stellt also - zusammen mit der ersten und zweiten Verbindungsschicht 31, 32 - sowohl eine elektrisch leitende als auch eine stoffschlüssige Verbindung zwischen der ersten Metallisierungsschicht 11 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 her. Die stoffschlüssige Verbindung zwischen der ersten Metallisierungsschicht 11 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 bewirkt auch eine stoffschlüssige Verbindung zwischen der ersten Leiterplatte 1 und der zweiten Leiterplatte 2, wodurch ein mechanisch stabiler Verbund zwischen den Leiterplatten 1, 2 und dem Anschlusselement 4 (bzw. weiteren Anschlusselementen 4) entsteht.
  • Da bei herkömmlichen Elektronikmodulen ein elektrisches Anschlusselement nur an einer von zwei Leiterplatten angebracht ist, muss es zu der anderen der Leiterplatten häufige einen Mindest-Isolationsabstand einhalten, um Spannungsüberschläge zwischen dem Anschlusselement und der anderen der Leiterplatten sicher zu vermeiden. Demgegenüber kann bei einem Elektronikmodul 100 gemäß der vorliegenden Erfindung eine erforderliche elektrische Isolation zwischen stark unterschiedlichen elektrischen Potentialen an anderer Stelle im Elektronikmodul 100 erfolgen, beispielsweise zwischen indem die erste Metallisierungsschicht 11 und/oder die zweite Metallisierungsschicht 21 zwei voneinander getrennte und ausreichend beabstandete Leiterbahnen aufweist. Somit kann bei dem Elektronikmodul 100 der Abstand d12 zwischen der ersten Metallisierungsschicht 11 und der zweiten Metallisierungsschicht 21, d.h. der Abstand d21 zwischen der ersten Leiterplatte 1 und der zweiten Leiterplatte 2, gegenüber einem herkömmlichen Elektronikmodul 100 reduziert werden. Hierdurch lässt sich erreichen, dass parasitäre Induktivitäten des Elektronikmoduls 100 und deren unerwünschte Folgen gering gehalten werden können. Beispielsweise kann der Abstand d21 kleiner oder gleich 1,5 mm gewählt werden. Ein Abstand d21 von mehr als 1,5 mm ist jedoch grundsätzlich möglich.
  • Damit ein Anschlusselement 4 eine gewisse mechanische Stabilität aufweist, kann es vorteilhaft sein, dessen Dicke nicht allzu gering zu wählen. Sofern die Dicke des Halbleiterchips 5 geringer als der gewünschte Abstand d12 (abzüglich der gewünschten Dicken der Verbindungsschichten 31 und 32), kann auf oder unter dem Halbleiterchip 5 ein Distanzstück 6 als Höhenausgleich platziert und mittels einer weiteren, elektrisch leitenden dritten Verbindungsschicht 33 stoffschlüssig mit dem Halbleiterchip 5 verbunden werden. Die dritte Verbindungsschicht 33 kann beispielsweise als Lotschicht, als Schicht aus gesintertem Metallpulver (z.B. Silberpulver) oder als (elektrisch leitende) Klebeschicht ausgebildet sein.
  • Bei dem Beispiel gemäß 1 ist das Distanzstück 6 zwischen dem Halbleiterchip 5 und der ersten Metallisierungsschicht 11 angeordnet und durch die erste Verbindungsschicht 31 (nämlich durch einen Abschnitt 312 oder 313 der ersten Verbindungsschicht 31) stoffschlüssig und elektrisch leitend mit der ersten Metallisierungsschicht 11 verbunden. Dabei kann sich die erste Verbindungsschicht 31 durchgehend zwischen dem Distanzstück 6 und der ersten Metallisierungsschicht 11 erstrecken. Alternativ (nicht gezeigt) könnte das Distanzstück 6 auch zwischen dem Halbleiterchip 5 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 angeordnet und durch die zweite Verbindungsschicht 32 (oder einen Abschnitt der zweiten Verbindungsschicht 32) stoffschlüssig und elektrisch leitend mit der zweiten Metallisierungsschicht 21 verbunden sein. In diesem Fall könnte sich die zweite Verbindungsschicht 32 (oder der Abschnitt der zweiten Verbindungsschicht 32) durchgehend zwischen dem Distanzstück 6 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 erstrecken. Allerdings ist ein Distanzstück 6 nicht bei allen Konfigurationen erforderlich. Beispielsweise kann ein geringer Höhenausgleich auch durch die Verbindungsschichten 31 und 32 erfolgen.
  • Das Distanzstück 6 besteht aus einem elektrisch gut leitenden Material. Optional kann das Distanzstück 6 einen linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, der sich nicht allzu sehr vom linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des betreffenden Halbleiterchips 5 unterscheidet. Zum Beispiel kann das Distanzstück 6, bezogen auf eine Temperatur von 20°C, einen linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von kleiner oder gleich 11 ppm/K oder gar von kleiner als 7 ppm/K aufweisen. Derart geringe lineare thermische Ausdehnungskoeffizienten lassen sich zum Beispiel mit einem Metall-Matrix-Kompositmaterial (z.B. Aluminium-Silizium-Karbid oder Kupfer-Silizium-Karbid) oder Molybdän erreichen.
  • Wie ebenfalls in 1 gezeigt ist, kann der Halbleiterchip 1 durch die zweite Verbindungsschicht 32 stoffschlüssig und elektrisch leitend mit der zweiten Metallisierungsschicht 21 verbunden sein. Dabei kann sich, sofern sich zwischen dem Halbleiterchip 1 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 kein Distanzstück 6 befindet, die zweite Verbindungsschicht 32 (oder ein Abschnitt 322 oder 323 der zweiten Verbindungsschicht 32) durchgehend zwischen dem Halbleiterchip 5 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 erstrecken. Ebenso kann der Halbleiterchip 1 durch die erste Verbindungsschicht 31 stoffschlüssig und elektrisch leitend mit der ersten Metallisierungsschicht 11 verbunden sein. Dabei kann sich, sofern sich zwischen dem Halbleiterchip 1 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 kein Distanzstück 6 befindet, die erste Verbindungsschicht 31 (oder ein Abschnitt 312 oder 313 der ersten Verbindungsschicht 31) durchgehend zwischen dem Halbleiterchip 5 und der ersten Metallisierungsschicht 11 erstrecken.
  • Optional können zur weiteren Erhöhung der mechanischen Stabilität des Verbunds zwischen den Leiterplatten 1, 2 und einem oder mehr Anschlusselementen 4 können bei einem Anschlusselement 4 die (kleinsten) Abstände d31 zwischen dem ersten Abschnitt 41 und der ersten Metallisierungsschicht 11 und/oder die (kleinsten) Abstände d32 zwischen dem ersten Abschnitt 41 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 im Vergleich zur (maximalen) Dicke d41 des ersten Abschnitts 41 gering gehalten werden. Beispielsweise kann der erste Abschnitt 41 von der ersten Metallisierungsschicht 11 einen (minimalen) ersten Abstand d31 von wenigstens 20 µm und von höchstens 200 µm aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann der erste Abschnitt 41 von der zweiten Metallisierungsschicht 21 einen (minimalen) zweiten Abstand d32 von wenigstens 20 µm und von höchstens 200 µm aufweisen. Die Abstände d31 und d32 können unabhängig voneinander gewählt werden, wobei es sein kann, dass keiner, einer oder beide der Abstände d31, d32 in dem jeweils genannten, optionalen Wertebereich liegt. Grundsätzlich können Abstände d31, d32, unabhängig voneinander, größer aber auch kleiner als der jeweils angegebene Wertebereich gewählt werden.
  • Als Materialien für die erste Metallisierungsschicht 11, die zweite Metallisierungsschicht 21, die (soweit vorhanden) dritte Metallisierungsschicht 12, die (soweit vorhanden) vierte Metallisierungsschicht 22 sowie das elektrische Anschlusselement 4 eignen sich elektrisch gut leitende Materialien wie beispielsweise Kupfer (Cu), Aluminium (Al), oder andere Metalle. Beispielsweise können von der ersten Metallisierungsschicht 11, der zweiten Metallisierungsschicht 21, der (soweit vorhanden) dritten Metallisierungsschicht 12, der (soweit vorhanden) vierten Metallisierungsschicht 22 und dem elektrischen Anschlusselement 4 eine(s), mehr als eine(s) oder alle - unabhängig voneinander und in beliebigen Kombinationen miteinander - aus Kupfer bestehen oder zumindest einen Kupferanteil von 90 Gewichtsprozent aufweisen.
  • Optional können die erste Metallisierungsschicht 11, die zweite Metallisierungsschicht 21 und das elektrische Anschlusselement 4 an ihrer Oberfläche zumindest an den Oberflächenabschnitten, an die die erste Verbindungsschicht 31 bzw. die zweite Verbindungsschicht 32 angrenzt, mit einer dünnen (z.B. galvanisch hergestellten) Beschichtung versehen sein, die (sofern die angrenzende Verbindungsschicht 31, 32 als Lotschicht ausgebildet ist) zur Verbesserung der Lötbarkeit dient, oder die (sofern die angrenzende Verbindungsschicht 31, 32 als Schicht mit einem gesinterten Metallpulver ausgebildet ist) zur Verbesserung der Sinterbarkeit dient. Zur Verbesserung der Lötbarkeit eignet sich beispielsweise eine dünne Nickel-Beschichtung, und zur Verbesserung der Sinterbarkeit eignet sich beispielsweise eine dünne Edelmetall-Beschichtung, beispielsweis aus Silber, Gold oder Platin.
  • Der erste Isolationsträger 10 und der zweite Isolationsträger 20 sind, wie bereits erläutert, elektrisch isolierend. Ein Isolationsträger 10 und/oder 20 kann beispielsweise Keramik aufweisen oder aus Keramik bestehen. Geeignete Keramiken sind z.B. Aluminiumoxid (Al2O3), Siliziumnitrid (Si3N4), Aluminiumnitrid (AIN), oder andere dielektrische Keramiken.
  • Optional kann es sich bei der ersten Leiterplatte 1 um ein DCB-Substrat (DCB = direct copper bonded) handeln, bei dem die erste Metallisierungsschicht 11 und, sofern vorhanden, die die dritte Metallisierungsschicht 12 hergestellt werden, indem jeweils eine vorgefertigte Kupferfolie, durch den DCB-Prozess (DCB = „direct copper bonding“) mit dem vorgefertigten, keramischen ersten Isolationsträger 10, beispielsweise aus Aluminiumoxid, verbunden wird. Ebenfalls optional kann es sich bei der zweiten Leiterplatte 2 um ein DCB-Substrat (DCB = direct copper bonded) handeln, bei dem die zweite Metallisierungsschicht 21 und, sofern vorhanden, die die vierte Metallisierungsschicht 22 hergestellt werden, indem jeweils eine vorgefertigte Kupferfolie, durch den DCB-Prozess (DCB = „direct copper bonding“) mit dem vorgefertigten, keramischen zweiten Isolationsträger 20, beispielsweise aus Aluminiumoxid, verbunden wird.
  • Allerdings muss ein Isolationsträger 10, 20 nicht notwendigerweise eine Keramik aufweisen oder aus einer Keramik bestehen. Vielmehr können als Isolationsträger 10 und/oder 20 auch nicht-keramische, elektrisch isolierende Materialien wie zum Beispiel Harze verwendet werden, die mit einem Füllstoff hoch gefüllt sind. Als Füllstoff eignen sich beispielsweise körnige dielektrische Füllstoffe mit einer kleinen relativen Dielektrizitätskonstante.
  • Vor oder nach dem Verbinden der Metallisierungsschichten 11, 12, 21, 22 mit dem jeweiligen Isolationsträger 10, 20 können einzelne, mehr oder alle Metallisierungsschichten 11, 12, 21, 22 (beispielsweise die erste Metallisierungsschicht 11 und die zweite Metallisierungsschicht 21), soweit dies gewünscht bzw. für die in dem Elektronikmodul 100 zu realisierende Schaltung erforderlich ist, zu Leiterbahnen strukturiert werden. Sofern eine Metallisierungsschicht 11, 12, 21, 22 strukturiert wird, bevor sie auf den betreffenden Isolationsträger 10, 20 aufgebracht wird, kann dies beispielsweise durch Stanzen oder strukturiertes Ätzen einer Metallfolie erfolgen. Sofern eine Metallisierungsschicht 11, 12, 21, 22 strukturiert wird, nachdem sie auf den betreffenden Isolationsträger 10, 20 aufgebracht wurde, kann dies beispielsweise durch strukturiertes Ätzen der aufgebrachten Metallisierungsschicht 11, 12, 21, 22 erfolgen.
  • 2 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Abschnitts eines Elektronikmoduls 100 mit Blick auf den als externer elektrischer Anschluss des Elektronikmoduls 100 dienenden zweiten Abschnitt 42 der des Anschlusselements 4. Wie anhand gestrichelter Linien angedeutet ist, kann das Anschlusselement 4 im Bereich des zweiten Abschnitts 42 optional eine Durchgangsöffnung 40 aufweisen, um das Elektronikmodul 100 mit einem modul-externen elektrischen Verbindungsleiter, beispielsweise durch Verschrauben, elektrisch leitend und mechanisch verbinden zu können.
  • Alle nachfolgend erläuterten Beispiele beziehen sich auf den unter Bezugnahme auf die 1 und 2 erläuterten Aufbau einschließlich der erläuterten Ausgestaltungen und Abwandlungen. Das heißt, sämtliche Ausgestaltungen und Abwandlungen, die unter Bezugnahme auf die 1 und 2 erläutert wurden, gelten, soweit nicht ausdrücklich anders erwähnt, gleichermaßen für die nachfolgenden Beispiele. Daher werden die nachfolgenden Beispiele nur insoweit erläutert, als sie sich von dem Beispiel gemäß den 1 und 2 unterscheiden.
  • Gemäß einem in 3 gezeigten Beispiel kann der zweite Abschnitt 42 des Anschlusselements 4 eine geringere Dicke aufweisen als der erste Abschnitt 41. Ein Anschlusselement 4 mit derart unterschiedlichen Dicken lässt sich beispielsweise dadurch erzeugen, dass ein kommerziell und damit kostengünstig verfügbarer Leadframe, dessen anfängliche Dicke geringer ist, als die Dicke des ersten Abschnitts 41, lokal aufgedickt wird, was z.B. durch plastisches Umformen erfolgen kann. Geeignete Umformtechniken sind beispielsweise Prägen oder Walzen. In dem lokal aufgedickten Bereich des Leadframes wird später der erste Abschnitt 41 erzeugt.
  • Während der erste Abschnitt 41 des Anschlusselements 4 bei den Beispielen gemäß den 1 bis 3 vollständig zwischen der ersten Metallisierungsschicht 11 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 angeordnet war, ist er bei einem weiteren, anhand der 4 bis 6 erläuterten Beispiel nur teilweise zwischen der ersten Metallisierungsschicht 11 und der zweiten Metallisierungsschicht 21 angeordnet. 4 zeigt ein elektrisches Anschlusselement 4, bei dem ein erster Abschnitt 41 einen ersten Unterabschnitt 411 und einen zweiten Unterabschnitt 412 aufweist. Die Unterabschnitte 411 und 412 sind zueinander versetzt, was sich beispielsweise durch Prägen erfolgen kann. Die 5 und 6 zeigen jeweils einen Vertikalschnitt durch einen Abschnitt des Elektronikmoduls 100, wobei die Schnittebene gemäß 5 durch den ersten Unterabschnitt 411 verläuft, während die Schnittebene gemäß 5 durch den zweiten Unterabschnitt 412 verläuft. Wie aus 5 hervorgeht, kann der erste Abschnitt 41 des Anschlusselements 4 an seinem ersten Unterabschnitt 411 stoffschlüssig und elektrisch leitend mit der ersten Metallisierungsschicht 11 verbunden sein (nämlich durch den Abschnitt 311 der ersten Verbindungsschicht 31), nicht aber mit der zweiten Metallisierungsschicht 21. Entsprechend umgekehrt kann, wie aus 6 hervorgeht, der erste Abschnitt 41 des Anschlusselements 4 an seinem zweiten Unterabschnitt 412 stoffschlüssig und elektrisch leitend mit der zweiten Metallisierungsschicht 21 verbunden sein (nämlich durch den Abschnitt 321 der zweiten Verbindungsschicht 32), nicht aber mit der ersten Metallisierungsschicht 11. Insgesamt ist das Anschlusselement 4 jedoch an seinem ersten Abschnitt 41 durch die erste Verbindungsschicht 31 mit der ersten Metallisierungsschicht 11 und durch die zweite Verbindungsschicht 32 mit der zweiten Metallisierungsschicht 21 stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden. Durch die in einer Richtung senkrecht zu den Leiterplatten 1 und 2 versetzten Unterabschnitte 411 und 412 lassen sich Toleranzen des Abstands d21 zwischen der ersten Leiterplatte 1 und der zweiten Leiterplatte 2 ausgleichen.
  • 7 zeigt noch eine Draufsicht auf ein Elektronikmodul 100, von dem die erste Leiterplatte 1 und die erste Verbindungsschicht 31 entfernt wurden, mit Blick auf die zweite Metallisierungsschicht 21 der zweiten Leiterplatte 2. In dieser Ansicht ist die Strukturierung der zweiten Metallisierungsschicht 21 zu Leiterbahnen gut zu erkennen. Ebenfalls gut zu erkennen ist, dass ein Elektronikmodul 100 je nach Bedarf mehrere, auch unterschiedlich ausgebildete elektrische Anschlusselemente 4 aufweisen kann, wobei jedes dieser Anschlusselemente gemäß einem der vorangehend erläuterten Prinzipien ausgebildet und mit der ersten und zweiten Leiterplatte 1, 2 jeweils stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden ein kann.
  • Unter Bezugnahme auf die 8 bis 11 wird nun eine einfache Möglichkeit zur Herstellung eines Elektronikmoduls 100, wie es vorangehend erläutert wurde, vorgestellt. Wie im Ergebnis in 8 gezeigt ist, kann die vorgefertigte zweite Leiterplatte 2 durch Löten, Sintern oder Kleben unter Ausbildung der zweiten Verbindungsschicht 32 (in 8 verdeckt) mit dem oder den Halbleiterchips 5 sowie mit einem metallischen Leiterrahmen 400 bestückt werden. In dem Leiterrahmen 400 sind sämtliche elektrische Anschlusselemente 4 des späteren Elektronikmoduls 100 (siehe 7) noch durch Verbindungsstege 401 miteinander verbunden, was die Handhabbarkeit (im Vergleich zum Bestücken der zweiten Leiterplatte 2 mit vielen einzelnen Anschlusselementen 4) signifikant verbessert. Durch die zweite Verbindungsschicht 32 sind der Leiterrahmen 400 sowie der oder die Halbleiterchips 5 mit der zweiten Metallisierungsschicht 21 stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden. Dies ist im unteren Bereich von 11 auch im Querschnitt gezeigt. Optional können bei diesem Prozess auch ein oder mehr Distanzstücke 6 durch Löten, Sintern oder Kleben unter Ausbildung der dritten Verbindungsschicht 33 (siehe 11) mit den betreffenden Halbleiterchips 5 verbunden werden.
  • Nachfolgend kann die vorgefertigte erste Leiterplatte 1 durch Löten, Sintern oder Kleben unter Ausbildung der zweiten Verbindungsschicht 32 auf den Verbund gemäß den 11 unten sowie 8 aufgebracht werden. Während des entsprechenden Verbindungsprozesses kann die bereits bestehende erste Verbindungsschicht 31 fest bleiben. Falls es sich sowohl bei der ersten Verbindungsschicht 31 als auch der zweiten Verbindungsschicht 32 um eine Lotschicht handelt, kann die erste Verbindungsschicht 31 während des Lötprozesses zur Erzeugung der zweiten Verbindungsschicht 32 vorübergehend wieder aufgeschmolzen werden. 11 zeigt schematisch, wie Abschnitte 311', 312', 313' eines Vorprodukt 31' (beispielsweise ein Lotplättchen, eine Lotpaste, eine ein Metallpulver enthaltene Sinterpaste oder ein noch nicht ausgehärteter Kleber) der ersten Verbindungsschicht 31 zwischen die erste Metallisierungsschicht 11 und den ersten Abschnitt 41 des Anschlusselements 4 bzw. die Halbleiterchips 5 oder die Distanzstücke 6 eingebracht wird.
  • 9 zeigt die Anordnung gemäß 8 nach dem Aufbringen der ersten Leiterplatte 1 unter Ausbildung der endgültigen ersten Verbindungsschicht 31. Wie zu erkennen ist, sind in dieser Phase die verschiedenen elektrischen Anschlusselemente 4 noch durch die Verbindungsstege 401 verbunden. Durch nachfolgendes Entfernen dieser Verbindungsstege 401 werden die verschiedenen elektrischen Anschlusselemente 4 zu wenigstens zwei Segmenten vereinzelt, so dass zumindest eines der Segmente ein elektrisches Anschlusselement 4 des Elektronikmoduls 100 bildet, wobei das elektrische Anschlusselement 4 den ersten Abschnitt 41 enthält, was im Ergebnis in 10 gezeigt ist. In den 9 und 10 sind die ersten Abschnitte 41 durch die erste Leiterplatte 1 verdeckt und deshalb nur gestrichelt dargestellt.
  • Wie weiterhin in 12 schematisch dargestellt ist, kann der fertige Verbund, bei dem zumindest die erste Leiterplatte 1, die zweite Leiterplatte 2, der oder die Halbleiterchips 5, das oder die elektrischen Anschlusselemente 4, und (sofern vorgesehen) das oder die Distanzstücke 6 durch die erste Verbindungsschicht 31, die zweite Verbindungsschicht 32, und (sofern vorgesehen) die dritte Verbindungsschicht 33 stoffschlüssig miteinander verbunden sind, (beispielsweise durch Umspritzen oder Vergießen) derart mit einer dielektrischen Einbettmasse 8 versehen werden, dass von dem oder den elektrischen Anschlusselementen 4 jeweils nur der zweite Abschnitt 42 aus der Einbettmasse 8 herausragt. Der oder die Halbleiterchips 5 sind zwischen der ersten Leiterplatte 1, der zweiten Leiterplatte 2 und der Einbettmasse 8 eingebettet und dadurch vor Umwelteinflüssen geschützt. Optional können die erste Leiterplatte 1 und/oder die zweite Leiterplatte 2 an ihrer der jeweils anderen Leiterplatte 2, 1 abgewandten Seite frei liegen, was die Kühlung des Elektronikmoduls 100 verbessert, da die Einbettmasse 8 dann die Wärmeabfuhr nicht behindert.
  • 13 zeigt eine weitere Option, die sich bei jedem der in der vorliegenden Beschreibung erläuterten Elektronikmodule 100 realisieren lässt. Gemäß dieser Option enthält das Elektronikmodul 100 einen Bonddraht 9. Sofern das Elektronikmodul 100 eine Einbettmasse 8 aufweist, kann der Bonddraht 9 in diese eingebettet sein. Der Bonddraht 9 weist einen ersten Abschnitt 91 auf, an dem er an eine Chipelektrode 53 des Halbleiterchips 5 gebondet ist. Der erste Abschnitt 91 ist zwischen einer Chipelektrode 53 des Halbleiterchips 5 und der ersten Leiterplatte 1 angeordnet. Wie gezeigt können sich der erste Abschnitt 91 und das Distanzstück 6 nebeneinander auf derselben - hier beispielsweise der der zweiten Leiterplatte 2 abgewandten - Seite des Halbleiterchips 5 befinden. Im Bereich der Bondstelle, an der der Bonddraht 9 in seinem ersten Abschnitt 91 an die Chipelektrode 53 gebondet ist, kann das Distanzstück 6 eine Aussparung aufweisen.
  • Wie anhand des vorliegenden Beispiels gezeigt ist, kann der Halbleiterchip 5 zusätzlich zu der Chipelektrode 53 optional eine weitere Chipelektrode 51 aufweisen, an der der Halbleiterchip 5 durch die dritte Verbindungsschicht 33 elektrisch leitend mit dem Distanzstück 6 verbunden ist. Hierzu kann sich die dritte Verbindungsschicht 33 durchgehend zwischen der Chipelektrode 51 und dem Distanzstück 6 erstrecken und mit diesen jeweils stoffschlüssig verbunden sein. Bei der Chipelektrode 53 kann es sich beispielsweise um eine Steuerelektrode eines in den Halbleiterchip 5 integrierten steuerbaren Halbleiterbauelements handeln, das eine Laststrecke (beispielsweise eine Anoden-Kathoden-Strecke, eine Source-Drain-Strecke oder eine Emitter-Kollektor-Strecke) aufweist, die in einen leitenden oder sperrenden Zustand versetzt werden kann, indem ein geeignetes Steuersignal (zum Beispiel ein elektrisches Ansteuerpotential) an die Steuerelektrode (beispielsweise eine Gate- oder Basis-Elektrode) angelegt wird. Die Laststrecke kann beispielsweise zwischen der weiteren Chipelektrode 51 und noch einer anderen Chipelektrode 52 ausgebildet sein. Demgemäß kann es sich bei den Chipelektroden 51 und 52 um Lastelektroden des Halbleiterchips 5 handeln. Beispielsweise kann es sich bei den Chipelektroden 51 und 52 um eine Anoden-Elektrode und eine Kathoden-Elektrode handeln, oder um eine Kathoden-Elektrode und eine Anoden-Elektrode, oder um eine Drain-Elektrode und eine Source-Elektrode, oder um eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, oder um eine Kollektor-Elektrode und eine Emitter-Elektrode, oder um eine Emitter-Elektrode und eine Kollektor-Elektrode. Bei einem in einen Halbleiterchip 5 integrierten Halbleiterbauelement kann es sich wie erwähnt um ein steuerbares Halbleiterbauelement wie z.B. einen MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), einen IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), einen JFET (Junction Field Effect Transistor), einen HEMT (High Electron Mobility Transistor), einen BIP (Bipolar Transistor), einen Thyristor oder ein beliebiges anderes steuerbares Halbleiterbauelement handeln, oder um ein Halbleiterbauelement ohne Steuerelektrode 53 wie z.B. eine Diode.
  • Entsprechend dem gezeigten Beispiel könnte die Chipelektrode 51 an der der zweiten Leiterplatte 2 abgewandten Seite des Halbleiterchips 5 ausgebildet sein, und die die Chipelektrode 52 könnte an der der ersten Leiterplatte 1 abgewandten Seite des Halbleiterchips 5 ausgebildet sein. Alternativ könnten die Chipelektroden 51 und 52 jedoch auch beide an der der zweiten Leiterplatte 2 abgewandten Seite des Halbleiterchips 5 angeordnet sein.
  • Der Bonddraht 9 weist außerdem noch einen zweiten Abschnitt 92 auf, an dem er an ein anderes elektrisch leitendes Element des Elektronikmoduls 100 gebondet ist. Entsprechend dem gezeigten Beispiel kann der Bonddraht 9 an dem zweiten Abschnitt 92 an einen Abschnitt der zweiten Metallisierungsschicht 21 gebondet sein.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass von den Halbleiterchips 5 der unter Bezugnahme auf die 1 bis 12 erläuterten Ausgestaltungen ein jeder ebenfalls zumindest eine Chipelektrode 51 und eine Chipelektrode 52 sowie optional eine Chipelektrode 53 wie erläutert aufweisen kann, auch wenn diese zur Vereinfachung der Darstellung nicht gezeigt sind. Unabhängig davon kann ein Bonddraht 9 vorhanden sein, der an einem ersten Abschnitt 91 an eine der Chipelektroden 51, 52 oder 53 des betreffenden Halbleiterchips 5 gebondet ist. In diesem Zusammenhang wird darauf hingewiesen, dass eine Chipelektrode 51, 52, 53, an die ein Bonddraht 9 an seinem ersten Abschnitt 91 gebondet ist, nicht zwingend um eine Steuerelektrode handeln muss, sondern dass es sich auch um eine Lastelektrode 51 oder 52 handeln kann.
  • Abschließend zeigt 14 am Beispiel des Elektronikmoduls gemäß 13, wie jede der ersten und zweiten Leiterplatte 1, 2 jeweils an ihrer der anderen Leiterplatte 2, 1 abgewandten Seite thermisch mit einer Kühlvorrichtung 201 bzw. 202, beispielsweise einem Kühlkörper, gekoppelt werden kann. Hierzu können die Kühlvorrichtungen 201, 202 unmittelbar gegen die betreffende Leiterplatte 1, 2 gepresst werden. Eine solche doppelseitige Kühlung lässt sich nicht nur mit einem Elektronikmodul 100 gemäß 13 sondern mit jedem der vorangehend erläuterten Elektronikmodule 100 realisieren. Optional kann aber auch zwischen die Leiterplatte 1, 2 und die betreffende Kühlvorrichtung 201 bzw. 202 jeweils eine Wärmeleitpaste oder eine Wärmeleitfolie eingebracht werden. Ebenso besteht die Möglichkeit, die Leiterplatte 1 und/oder 2, beispielsweise durch Löten, Sintern oder Kleben, stoffschlüssig mit der betreffenden Kühlvorrichtung 201 bzw. 202 zu verbinden.

Claims (10)

  1. Elektronikmodul, das aufweist: eine erste Leiterplatte (1) mit einer ersten Metallisierungsschicht (11); eine zweite Leiterplatte (2) mit einer zweiten Metallisierungsschicht (21); ein elektrisches Anschlusselement (4), das einen ersten Abschnitt (41) aufweist, der zumindest teilweise zwischen der ersten Metallisierungsschicht (11) und der zweiten Metallisierungsschicht (21) angeordnet ist; eine elektrisch leitende erste Verbindungsschicht (31), die sich durchgehend zwischen dem ersten Abschnitt (41) und der ersten Metallisierungsschicht (11) erstreckt; und eine elektrisch leitende zweite Verbindungsschicht (32), die sich durchgehend zwischen dem ersten Abschnitt (41) und der zweiten Metallisierungsschicht (21) erstreckt; wobei von der ersten Verbindungsschicht (31) und der zweiten Verbindungsschicht (32) eine als Schicht mit einem gesinterten Metallpulver ausgebildet ist.
  2. Elektronikmodul nach Anspruch 1, bei dem die andere von der ersten Verbindungsschicht (31) und der zweiten Verbindungsschicht (32) ausgebildet ist als Lotschicht oder als Klebeschicht oder als Schicht mit einem gesinterten Metallpulver.
  3. Elektronikmodul nach Anspruch 1 oder 2, bei dem zumindest eines von Folgendem gegeben ist: die erste Verbindungsschicht (31) weist einen Schmelzpunkt auf, der geringer ist als ein Schmelzpunkt der ersten Metallisierungsschicht (11) und geringer als ein Schmelzpunkt des elektrischen Anschlusselements (4); die zweite Verbindungsschicht (32) weist einen Schmelzpunkt auf, der geringer ist als ein Schmelzpunkt der zweiten Metallisierungsschicht (21) und geringer als ein Schmelzpunkt des elektrischen Anschlusselements (4).
  4. Elektronikmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem zumindest eines von Folgendem gegeben ist: der erste Abschnitt (41) weist von der ersten Metallisierungsschicht (11) einen Abstand (d31) von wenigstens 20 µm und von höchstens 200 µm auf; der erste Abschnitt (41) weist von der zweiten Metallisierungsschicht (21) einen Abstand (d32) von wenigstens 20 µm und von höchstens 200 µm auf.
  5. Elektronikmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das elektrische Anschlusselement (4) aus dem Zwischenraum (7) zwischen der ersten Leiterplatte (1) und der zweiten Leiterplatte (2) herausragt.
  6. Elektronikmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem zumindest eines von folgendem gilt: die erste Leiterplatte (1) weist einen ersten dielektrischen Isolationsträger (10) auf, auf den die erste Metallisierungsschicht (11) aufgebracht ist; die zweite Leiterplatte (2) weist einen zweiten dielektrischen Isolationsträger (20) auf, auf den die zweite Metallisierungsschicht (21) aufgebracht ist;
  7. Elektronikmodul nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einem zwischen der ersten Metallisierungsschicht (11) und der zweiten Metallisierungsschicht (21) angeordneten Halbleiterchip (5), der sowohl mit der ersten Metallisierungsschicht (11) als auch mit der zweiten Metallisierungsschicht (21) elektrisch leitend verbunden ist.
  8. Elektronikmodul nach Anspruch 7 mit einem elektrisch leitenden Distanzstück (6), das zwischen dem Halbleiterchip (5) und einer von der ersten oder zweiten Metallisierungsschicht (11, 21) angeordnet ist und den Halbleiterchip (5) mit der einen von der ersten oder zweiten Metallisierungsschicht (11, 21) elektrisch leitend verbindet.
  9. Elektronikmodul nach einem der Ansprüche 7 oder 8 mit einem Bonddraht (9), der einen ersten Abschnitt (91) aufweist, der zwischen einer Chipelektrode (53) des Halbleiterchips (5) und der ersten Leiterplatte (1) angeordnet ist und an dem der Bonddraht (9) an die Chipelektrode (53) gebondet ist.
  10. Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls, wobei das Verfahren aufweist: stoffschlüssiges Verbinden einer ersten Metallisierungsschicht (11) einer ersten Leiterplatte (1) mit einem Leiterrahmen (400) mittels einer elektrisch leitenden ersten Verbindungsschicht (31) und stoffschlüssiges Verbinden einer zweiten Metallisierungsschicht (21) einer zweiten Leiterplatte (2) mit dem Leiterrahmen (400) mittels einer elektrisch leitenden zweiten Verbindungsschicht (32), so dass - sich die erste Verbindungsschicht (31) durchgehend zwischen der ersten Metallisierungsschicht (11) und einem ersten Abschnitt (41) des Leiterrahmens (400) erstreckt; - sich die zweite Verbindungsschicht (32) durchgehend zwischen der zweiten Metallisierungsschicht (21) und dem ersten Abschnitt (41) erstreckt; und - der erste Abschnitt (41) zwischen der ersten Metallisierungsschicht (11) und der zweiten Metallisierungsschicht (21) angeordnet ist; und nachfolgend Vereinzeln des Leiterrahmens (400) zu wenigstens zwei Segmenten, so dass eines der Segmente ein elektrisches Anschlusselement (4) des Elektronikmoduls (100) bildet, wobei das elektrische Anschlusselement (4) den ersten Abschnitt (41) enthält; wobei von der ersten Verbindungsschicht (31) und der zweiten Verbindungsschicht (32) zumindest eine durch Sintern eines Metallpulvers erzeugt wird.
DE102016119597.9A 2016-10-14 2016-10-14 Doppelseitig kühlbares elektronikmodul und verfahren zu dessen herstellung Active DE102016119597B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016119597.9A DE102016119597B4 (de) 2016-10-14 2016-10-14 Doppelseitig kühlbares elektronikmodul und verfahren zu dessen herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016119597.9A DE102016119597B4 (de) 2016-10-14 2016-10-14 Doppelseitig kühlbares elektronikmodul und verfahren zu dessen herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102016119597A1 DE102016119597A1 (de) 2018-04-19
DE102016119597B4 true DE102016119597B4 (de) 2020-01-23

Family

ID=61765199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016119597.9A Active DE102016119597B4 (de) 2016-10-14 2016-10-14 Doppelseitig kühlbares elektronikmodul und verfahren zu dessen herstellung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102016119597B4 (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030213979A1 (en) * 2002-03-08 2003-11-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor device
JP2004311685A (ja) 2003-04-07 2004-11-04 Fuji Electric Holdings Co Ltd 電力用半導体装置
JP2012146760A (ja) 2011-01-11 2012-08-02 Calsonic Kansei Corp パワー半導体モジュール

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030213979A1 (en) * 2002-03-08 2003-11-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor device
JP2004311685A (ja) 2003-04-07 2004-11-04 Fuji Electric Holdings Co Ltd 電力用半導体装置
JP2012146760A (ja) 2011-01-11 2012-08-02 Calsonic Kansei Corp パワー半導体モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
DE102016119597A1 (de) 2018-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014116383B4 (de) Halbleitergehäuse umfassend ein transistor-chip-modul und ein treiber-chip-modul sowie verfahren zu dessen herstellung
DE102011083223B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit integrierter Dickschichtleiterplatte
EP0221399B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102013219833B4 (de) Halbleitermodul mit leiterplatte und vefahren zur hertellung eines halbleitermoduls mit einer leiterplatte
DE102014115847B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102014212376B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102006037118B3 (de) Halbleiterschaltmodul für Bordnetze mit mehreren Halbleiterchips, Verwendung eines solchen Halbleiterschaltmoduls und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102015210587B4 (de) Halbleitermodul, halbleitermodulanordnung und verfahren zum betrieb eines halbleitermoduls
DE102005047567B3 (de) Leistungshalbleitermodul mit Isolationszwischenlage und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102016104844B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Chipverbunds
DE102004021054B4 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014118080B4 (de) Elektronisches Modul mit einem Wärmespreizer und Verfahren zur Herstellung davon
DE102014114808B4 (de) Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls
DE102014110845A1 (de) Mehrchipbauelement mit einem Substrat
DE102014115815B4 (de) Verfahren zur herstellung eines schaltungsträgers, verfahren zur herstellung einer halbleiteranordung, verfahren zum betrieb einer halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung eines halbleitermoduls
WO2003001594A2 (de) Hochspannungsmodul und verfahren zu dessen herstellung
DE102013200526B4 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102016214607B4 (de) Elektronisches Modul und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102017120747A1 (de) SMD-Gehäuse mit Oberseitenkühlung
EP1316999A1 (de) Verfahren und Vorichtung zum Kontaktieren von Leistungselektronik-Bauelementen
DE102016103585B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Package mit lötbarem elektrischen Kontakt
DE102015115132B4 (de) Halbleitermodul mit integrierter Stift- oder Rippenkühlstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102020126647A1 (de) Leistungselektronikeinheit und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102016119597B4 (de) Doppelseitig kühlbares elektronikmodul und verfahren zu dessen herstellung
DE102016125657B4 (de) Verfahren zur herstellung einer elektronikbaugruppe und elektronikbaugruppe

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R082 Change of representative