DE102012214442A1

DE102012214442A1 - Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE102012214442A1
Application number: DE201210214442
Authority: DE
Inventors: Tim Boescke
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2012-08-14
Filing date: 2012-08-14
Publication date: 2014-02-20

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung, insbesondere Solarzelle auf Silizium-Basis, mit einem mindestens abschnittsweise an der Oberfläche p-dotierten Halbleitersubstrat (10) und einer mindestens auf dem p-dotierten Abschnitt des Halbleitersubstrats angeordneten Passivierungsschicht (12; 21; 22; 31). Sie betrifft des Weiteren ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitereinrichtung.

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung, insbesondere Solarzelle auf Silizium-Basis, mit einem mindestens abschnittsweise an der Oberfläche p-dotierten Halbleitersubstrat und einer mindestens auf dem p-dotierten Abschnitt des Halbleitersubstrats angeordneten Passivierungsschicht. Sie betrifft des Weiteren ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitereinrichtung.
Stand der Technik
Solarzellen auf der Basis von kristallinem Halbleitermaterial, insbesondere mono- oder polykristallinem Silizium, sind in der Effizienz der photovoltaischen Energiewandlung nach wie vor unerreicht und dominieren daher die Stromerzeugung aus Sonnenenergie. Um ihre führende Position gegenüber jüngeren Konzepten, speziell Dünnschicht-Solarzellen, zu behaupten, werden umfangreiche Entwicklungen zur weiteren Steigerung der Effizienz sowie zur Verringerung der Herstellungskosten unternommen.
Bei industrieüblichen Solarzellen wird allgemein ein n-dotierter Vorderseitenemitter eingesetzt, welcher mit Siliziumnitrid (SiN) passiviert wird. Insbesondere wenn SiN per PECVD direkt auf Silizium abgeschieden wird, enthält das entstehende Schichtsystem eine hohe Dichte an positiven Ladungen, welche auf der Siliziumoberfläche einen Akkumulationsbereich erzeugen. Dieser Feldeffekt hat positive Auswirkungen auf die Oberflächenpassivierung, da durch ihn Minoritätsladungsträger vom Interface „abgestoßen” werden.
Für neuartige Hocheffizienzsolarzellen ist es notwendig, auch p-dotierte Oberflächen zu passivieren. Hier wirken sich die positiven Ladungen des SiN nachteilig aus, da in diesem Fall Minoritätsladungsträger (Elektronen) zur Siliziumoberfläche gezogen werden. Aus diesem Grunde ist es notwendig, dielektrische Schichten mit negativen Ladungen zur Passivierung zu nutzen. Dies ist sowohl bei Bor-dotierten Emittern als auch bei der Rückseitenpassivierung bei sogenannten PERC-Zellen der Fall.
Es wurde gezeigt, dass durch Verwendung eines Stapels von SiO/SiN die Passivierung von p-Oberflächen gegenüber reinem SiN deutlich verbessert werden kann. Dabei kann sowohl thermisches als auch chemisches Oxid verwendet werden, vgl. V. D. Mihailetchi et al, Nitric acid pretreatment for the passivation of boron emitters for n-type base silicon solar cells, Appl. Phys. Lett. 92, 063510 (2008). Der Vorteil dieses Schichtsystems gegenüber SiN ist in der Reduktion von Oberflächenzuständen (Dit) und einer Reduktion der positiven Ladungen begründet. Da selbst gutes thermisches Oxid eine positive Festladung besitzt, ist diese Lösung aber immer noch suboptimal.
Eine sehr vielversprechende Option ist die Verwendung von Al₂O₃, welches vorzugsweise per ALD (Atomic-Layer-Deposition) abgeschieden wurde; vgl. dazu B. Hoex, J. Schmidt, R. Bock, P. P. Altermatt, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, Excellent passivation of highly doped p-type Si surfaces by the negative-charge-dielectric Al₂O₃ Appl. Phys. Lett. 91, 112107 (2007), DOI:10.1063/1.2784168. Aluminiumoxid induziert feste negative Ladungen und ist so in der Lage, die Anreicherung von Minoritätsladungsträgern an der Oberfläche zu verhindern. Während der Abscheidung von Al₂O₃ bildet sich üblicherweise eine dünne SiO₂-Schicht zwischen Al₂O₃ und Si-Substrat. Diese ist notwendig, um die Dichte der Oberflächenzustände zu reduzieren.
Es ist auch bekannt, zu dem genannten Zweck einen Stack aus dünnem ALD-Al₂O₃/PECVD-SiN einzusetzen. Die SiN-Schicht verbessert die Feuerstabilität der Passivierung.
Bekannte Passivierungs-Schichtanordnungen sind in den 1 und 2 schematisch dargestellt. Während 1 als einfachste Konfiguration eine Al₂O₃-Passivierungsschicht 11 auf einem p-dotierten Siliziumsubstrat 10 zeigt, zeigt 2 einen Schichtstapel (Stack) aus einer Al₂O₃-Schicht 11 und einer darüber liegenden SiN-Schicht 12.
Es wurde bereits in der Literatur gezeigt, dass auch mit sehr dünnen ALD-Al₂O₃ Schichten hinreichend gute Passivierung erreicht werden kann; vgl. N. M. Terlinden et al, Role of field-effect an c-Si surface passivation by ultrathin (2–20 nm) atomic layer deposited Al₂O₃, Appl. Phys. Lett. 96, 112101 (2010). Für die Abscheidung von sehr dünnen Schichten kommt ein Gasphasenprozess üblicherweise ALD (Atomic-Layer-Deposition) zum Einsatz, da es mit diesem Verfahren möglich ist, sehr dünne geschlossene Filme abzuscheiden.
Offenbarung der Erfindung
Mit der Erfindung wird eine Halbleitereinrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bereitgestellt. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitereinrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 7 vorgeschlagen. Zweckmäßige Fortbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand der jeweiligen abhängigen Ansprüche.
Es ist experimentell ermittelt worden, dass eine Al₂O₃-Schicht nur dann eine hohe negative Ladung ausbildet, wenn sie im Kontakt zu einer SiO₂ Schicht steht. Dieses deutet auf einen Ursprung der negativen Ladungen am Al₂O₃/SiO₂ Interface hin. Es ist also nicht das Al₂O₃ alleine, sondern die Interaktion, bzw. Durchmischung von Al₂O₃ und SiO₂ für die Ausbildung der Ladung verantwortlich.
Der geringe Ionenradius von Al³⁺ erlaubt es diesem, mit Sauerstoff eine tetrahedrale Konfiguration anzunehmen. In diesem Fall kann Al₃ in ein tetrahedrales Si⁴⁺-O^2– Netzwerk (bei den meisten SiO₂-Phasen der Fall) substituiert werden, ohne die Kristallstruktur zu ändern. Durch die unterschiedliche Ionenladung entsteht so ein Überschuss negativer Ladung. Da sich aufgrund der großen Bandlücke in SiO₂ bei Raumtemperatur keine beweglichen Ladungsträger befinden, kann diese Ladung nicht direkt durch ein Loch abgesättigt werden, und es entsteht eine effektiv negativ geladene Struktur. Dieser Mechanismus ist als isomorphe Substitution bekannt und spielt eine grundlegende Rolle in der Silikatchemie.
Durch diesen Ansatz lässt sich eine negative Ladung in Al₃ dotiertem SiO₂ erklären. Es ist anzunehmen, dass ein analoger Mechanismus beim Kontakt von Al₂O₃ zu SiO₂ eine Rolle spielt – Al³⁺ liegt am Interface zu SiO₂ teilweise in tetrahedraler Konfiguration vor.
Auf Basis dieses Modells lassen sich weitere Materialien vorhersagen, welche eine negative Ladung in SiO₂ oder im Kontakt zu SiO₂ ausbilden. Ein für die Passivierung von p-Oberflächen geeignetes Metalloxid sollte folgende Eigenschaften aufweisen:

1. Das Metall muss in ein tetrahedrales Si⁴⁺-O^2–Netzwerk substituiert werden können.
2. Das Metallion muss eine geringere Valenz als Si⁴⁺ besitzen, damit die Effektivladung des Materials negativ wird.
3. Das Metalloxid sollte möglichst nicht durch Si reduziert werden können, da es sonst im Kontakt zu Silizium nicht temperaturstabil ist.
4. Das Metalloxid sollte möglich keine elektronischen Defekte, wie Traps im Bulk oder Interfacetraps, hervorrufen.

Bedingungen 1) und 2) lassen sich aus Grundregeln der anorganischen Strukturchemie herleiten – den Pauling Regeln. Die erste Pauling-Regel besagt, dass die Koordinationszahl von Kationen durch den Quotienten der Ionenradien von Kation und Anion bestimmt wird. Für eine Koordinationszahl von 4 muss ein Verhältnis von r_kation zu r_anion zwischen 0.255 und 0.414 vorliegen. Eine negative Effektivladung entsteht, wenn der Dotant eine Valenz kleiner als 4 besitzt. Diese Bedingung ist für Be²⁺ erfüllt. Al³⁺, Ga³⁺ und Fe³⁺ liegen nahe des Toleranzbereichs, so dass ebenso eine statistisch signifikante Substitution in SiO₂ zu erwarten ist.
Bedingung 3) erfordert, dass die Bildungsenthalpie des Metalloxids des Dotanden höher als die von SiO₂ ist. Von den vorher genannten Kandidaten wird dieses von Al₂O₃ und BeO erfüllt. Ga₂O₃ und Fe₂O₃ würden bei Mangel an Sauerstoff durch Si reduziert, könnten aber trotzdem teilweise zu einer negativen Effektivladung beisteuern.
Bedingung 4) lässt sich nur durch detaillierte Experimente nachweisen. In einer aktuellen Veröffentlichung wurde gezeigt, dass BeO eine im Vergleich zu Al₂O₃ geringere Dichte an elektronischen Defekten aufweist. Für Ga und Fe ist die Situation unklar.
Mit diesem Hintergrund lässt sich vorhersagen, dass BeO mit sehr hoher Wahrscheinlichkeit in einer p-typ Passivierschicht in Solarzellen eingesetzt werden kann. Ein Vorteil gegenüber Al₂O₃ besteht, da pro Dotieratom zweimal so viel negative Ladung erzeugt wird. Aus diesem Grunde sind nur sehr geringe Mengen an Beryllium in der Passivierschicht erforderlich. Des Weiteren sind auch Gallium- und Eisenoxid im oben betrachteten Sinne für Passivierschichten vom p-Typ in Solarzellen (und, wo erforderlich, weiteren Halbleitereinrichtungen) grundsätzlich einsetzbar.
Folgende Konfigurationen einer Be-, Ga-, Fe-haltigen Passivierschicht sind Gegenstand von Ausführungsformen der Erfindung:

– Eine Be-, Ga-, Fe-Oxidschicht wird direkt auf die zu passivierende Si-Oberfläche abgeschieden. Am Interface zu Si befindet sich eine dünne SiO₂-Schicht, an welcher negative Ladung entsteht.
– Eine Be-, Ga- oder Fe-Oxidschicht wird direkt auf die zu passivierende Si-Oberfläche abgeschieden. Auf der Oxidschicht wird ein Cap aus SiN abgeschieden. Dieses liefert im Falle von Hochtemperaturschritten („Feuern”) Wasserstoff und sättigt so zusätzlich Defekte am Interface zu Silizium ab.
– Eine Be-, Ga- oder Fe-dotierte SiO₂-Schicht wird abgeschieden. Durch die Substitution von Si durch ein Kation mit niedrigerer Valenz entsteht eine negative Effektivladung.
– Eine Be-, Ga- oder Fe-dotierte SiO₂-Schicht wird abgeschieden. Auf der Oxidschicht wird ein Cap aus SiNx abgeschieden. Dieses liefert im Falle von Hochtemperaturschritten („Feuern”) Wasserstoff und sättigt, so zusätzlich Defekte am Interface zu Silizium ab.
– Eine Be-, Ga- oder Fe-dotierte Si₃N₄-Schicht wird abgeschieden. Durch die Substitution von Si durch ein Kation mit niedrigerer Valenz entsteht eine negative Effektivladung.
– Eine Be-, Ga- oder Fe-dotierte Si₃N₄-Schicht wird abgeschieden. Auf der ersten Schicht wird ein Cap aus SiNx abgeschieden. Dieses liefert im Falle von Hochtemperaturschritten („Feuern”) Wasserstoff und sättigt so zusätzlich Defekte am Interface zu Silizium ab.

Folgende Verfahren zur Abscheidung einer Be-, Ga- oder Fe-Oxidschicht, einer Be-, Ga- oder Fe-dotierten SiO₂ Schicht oder einer Be-, Ga- oder Fe-dotierten SiNx Schicht sind Gegenstand von Ausführungen des erfindungsgemäßen Verfahrens:

– Die Abscheidung mit einer PVD-Methode, z. B. reaktives-Sputtern. Dabei wäre ein Compound-Target oder das Sputtern von mehreren Targets in einer Sauerstoff- oder Stickstoffhaltigen Atmosphäre erforderlich.
– Die Abscheidung per ALD, insbesondere für Oxide. Durch Kombination von unterschiedlichen Precursoren lässt sich die gewünschte Schichtzusammensetzung erreichen.
– Die Abscheidung der genannten Schichtsysteme per PECVD.
– Die Abscheidung einer Be-, Ga-, Fe-Oxidschicht aus einer wässrigen Lösung.

Das letztgenannte Verfahren weist in Ausgestaltungen insbesondere folgende Aspekte auf:
In einer Ausführung wird zur Bildung der Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen enthaltenden Schicht ein Aluminiumionen enthaltendes Prozessbad eingesetzt. Speziell enthält hierbei das Prozessbad eine wässrige Lösung eines Aluminiumsalzes, insbesondere Aluminiumnitrat, Aluminiumchlorid oder Aluminiumsulfat oder ähnliches. Des Weiteren ist in Ausführungen der Erfindung vorgesehen, dass zur Bildung der Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen enthaltenden Schicht ein die Metallionen mit einer Konzentration zwischen 1 μmol/l und 0,1 mol/l, insbesondere zwischen 10 μmol/l und 10 mmol/l, enthaltendes Prozessbad eingesetzt wird.
In weiteren Ausführungen der Erfindung wird die Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen enthaltende Schicht in einem Temperaturbereich zwischen 0°C und 100°C, insbesondere zwischen 25°C und 60°C, und zwar bevorzugt mit einer Prozesszeit im Bereich zwischen 1 min und 60 min, insbesondere zwischen 2 min und 10 min, gebildet. Weiter bevorzugt wird die Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen enthaltende Schicht in einem Prozessbad bei einem pH-Wert zwischen 4 und 11, insbesondere zwischen 5 und 8, gebildet.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird die Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen enthaltende Schicht in einem Prozessbad gebildet, welches eine oxidierende Komponente zur Förderung der Bildung von Silanolgruppen auf der Substratoberfläche, insbesondere HNO₃, H₂O₂, ein Perchclorat, ein Permanganat und/oder gelöstes Ozon, enthält. Weitere Ausführungen der Erfindung sehen vor, dass die Bildung der Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen enthaltenden Schicht nach einer Vorreinigung, insbesondere mit SC₂, HNO₃, H₂O₂ oder einer O₃-haltigen Lösung, erfolgt.
Je nach vorgesehener Solarzellenkonfiguration bzw. -kontaktierung kann eine Bildung der Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen enthaltenden Schicht als Batch-Prozess in einem Tauchbad, insbesondere gleichzeitig auf beiden Hauptoberflächen eines Halbleiterwafers, oder aber im Durchlauf durch eine Benetzungsanlage, insbesondere einseitig auf einer Hauptoberfläche eines Halbleiterwafers, zweckmäßig sein.
Zeichnungen
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Gegenstände werden durch die Zeichnungen veranschaulicht und in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Dabei ist zu beachten, dass die Zeichnungen nur beschreibenden Charakter haben und nicht dazu gedacht sind, die Erfindung in irgendeiner Form einzuschränken. Es zeigen:
1 und 2 bekannte Passivierungs-Schichtanordnungen auf p-dotiertem Silizium und
3 bis 7 beispielhafte Passivierungsschichten bzw. -schichtanordnungen auf p-dotiertem Silizium.
3 zeigt schematisch in Art einer Querschnittsdarstellung einen Ausschnitt einer Solarzelle (als Beispiel eine Halbleitereinrichtung), bei der auf einem p-dotierten Siliziumsubstrat (oder p-dotierten Bereich 10) zur Oberflächen-Passivierung eine einzelne Berylliumoxidschicht 21 abgeschieden ist. An Stelle von Berylliumoxid kann auch Gallium- oder Eisenoxid vorgesehen sein.
4 zeigt eine Abwandlung dieser Anordnung, bei der auf die Berylliumoxidschicht 21 eine Siliziumnitridschicht 12 als Abdeckschicht („Cap”) abgeschieden ist. Die Beryllium-, Gallium- oder Eisenoxidschicht 21 kann durch eine mit Beryllium- Gallium oder Eisen dotierte Siliziumoxidschicht ersetzt sein.
5 zeigt eine weitere Halbleitereinrichtung, bei der auf dem p-dotierten Siliziumsubstrat 10 ein dreischichtiger Passivierungs-Stapel abgeschieden ist, der eine direkt auf dem Substrat 10 befindliche dünne SiO₂-Schicht 22, eine hierauf angeordnete Beryllium-, Gallium- oder Eisenoxidschicht 21 und schließlich eine Siliziumnitrid-Deckschicht 12 umfasst. Die Beryllium-, Gallium- oder Eisenoxidschicht 21 kann wieder durch eine mit Beryllium-, Gallium- oder Eisen-dotierte Siliziumoxidschicht ersetzt sein.
6 stellt schematisch eine weitere Halbleitereinrichtung dar, bei der auf dem p-dotierten Siliziumsubstrat 10 als Einzelschicht eine Beryllium-, Gallium- oder Eisen-dotierte Si(O)N:H-Schicht 31 zur Passivierung vorgesehen ist.
7 zeigt eine Modifikation dieser Ausführung, bei der zwischen dem p-dotierten Si-Substrat 10 und der Beryllium-, Gallium- oder Eisen-dotierten Nitridschicht eine dünne SiO₂-Schicht 22 vorgesehen ist.
Hinsichtlich der Funktionen/Wirkungen der einzelnen Schichten wird auf die Ausführungen weiter oben verwiesen.
Im Rahmen fachmännischen Handelns ergeben sich weitere Ausgestaltungen und Ausführungsformen des hier nur beispielhaft beschriebenen Verfahrens und der Vorrichtung.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur

V. D. Mihailetchi et al, Nitric acid pretreatment for the passivation of boron emitters for n-type base silicon solar cells, Appl. Phys. Lett. 92, 063510 (2008) [0005]
B. Hoex, J. Schmidt, R. Bock, P. P. Altermatt, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, Excellent passivation of highly doped p-type Si surfaces by the negative-charge-dielectric Al₂O₃ Appl. Phys. Lett. 91, 112107 (2007), DOI:10.1063/1.2784168 [0006]
N. M. Terlinden et al, Role of field-effect an c-Si surface passivation by ultrathin (2–20 nm) atomic layer deposited Al₂O₃, Appl. Phys. Lett. 96, 112101 (2010) [0009]

Claims

Halbleitereinrichtung, insbesondere Solarzelle auf Silizium-Basis, mit einem mindestens abschnittsweise an der Oberfläche p-dotierten Halbleitersubstrat (10) und einer mindestens auf dem p-dotierten Abschnitt des Halbleitersubstrats angeordneten Passivierungsschicht (12; 21; 22; 31), wobei die Passivierungsschicht Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen aufweist.
Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Passivierungsschicht eine Beryllium-, Gallium- oder Eisenoxidschicht (21) aufweist, die direkt auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats (10) abgeschieden ist.
Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Passivierungsschicht eine Beryllium-, Gallium- oder Eisen-dotierte Oxidschicht (21) des Materials des Halbleitersubstrats, insbesondere Siliziumoxidschicht, aufweist, die direkt auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats (10) abgeschieden ist.
Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Passivierungsschicht eine Beryllium-, Gallium- oder Eisen-dotierte Nitridschicht des Materials des Halbleitersubstrats, insbesondere Siliziumnitridschicht, aufweist, die direkt auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats abgeschieden ist.
Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei auf der Beryllium-, Gallium- oder Eisenoxidschicht (21) oder der Beryllium-, Gallium- oder Eisen-dotierten Oxidschicht (31) oder Nitridschicht eine Nitridschicht (12), insbesondere Siliziumnitridschicht, abgeschieden ist.
Halbleitereinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Passivierungsschicht (12; 21; 22; 31) eine Dicke im Bereich zwischen 0,1 und 10 Monolagen aufweist.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Abscheidung der Passivierungsschicht (12; 21; 22; 31) die Anwendung eines PVD-Verfahrens, insbesondere des reaktiven Sputterns, mit mehreren Targets oder einem Compound-Target in einer sauerstoff- bzw. stickstoffhaltigen Atmosphäre umfasst.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Abscheidung der Passivierungsschicht (12; 21; 22; 31) die Anwendung eines Atomic-Layer-Deposition-Verfahrens umfasst.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Abscheidung der Passivierungsschicht (12; 21; 22; 31) die Anwendung eines PECVD-Verfahrens umfasst.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Abscheidung der Passivierungsschicht (12; 21; 22; 31) aus einer wässrigen Lösung ausgeführt wird, wobei ein die Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen, insbesondere mit einer Konzentration zwischen 1 μmol/l und 0,1 mol/l, insbesondere zwischen 10 μmol/l und 10 mmol/l, enthaltendes Prozessbad eingesetzt wird.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen enthaltende Schicht (21; 31) in einem Temperaturbereich zwischen 0°C und 100°C, insbesondere zwischen 25°C und 60°C und/oder mit einer Prozesszeit im Bereich zwischen 1 min und 60 min, insbesondere zwischen 2 min und 10 min, und/oder in einem Prozessbad bei einem pH-Wert zwischen 4 und 11, insbesondere zwischen 5 und 8, gebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei die Bildung der Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen enthaltenden Schicht (21; 31) als Patch-Prozess in einem Tauchbad, insbesondere gleichzeitig auf beiden Hauptoberflächen eines Halbleiterwafers, ausgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei die Bildung der Beryllium-, Gallium- oder Eisenionen enthaltenden Schicht (21; 31) im Durchlauf durch eine Benetzungsanlage, insbesondere einseitig auf einer Hauptoberfläche eines Halbleiterwafers, ausgeführt wird.