DE102010064573B3 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Halbleitervorrichtung (100), umfassend:einen Zellenbereich (105) und einen Randabschlussbereich (110) an einer ersten Seite (115) einer eine Driftzone bildenden Halbleiterzone (120) eines ersten Leitfähigkeitstyps;wenigstens ein erstes Gebiet (125) eines zweiten Leitfähigkeitstyps an einer zweiten Seite (130) der Halbleiterzone, wobei das wenigstens eine erste Gebiet (125) dem Zellenbereich (105) gegenüber liegt; undwenigstens ein zweites Gebiet (135) vom zweiten Leitfähigkeitstyp an der zweiten Seite (130) der Halbleiterzone (120), wobei das wenigstens eine zweite Gebiet (135) gegenüber dem Zellenbereich (105) und durch die Halbleiterzone (120) getrennt vom ersten Gebiet (125) angeordnet ist, eine laterale Abmessung (d) aufweist, die kleiner ist als die laterale Abmessung (d) des wenigstens einen ersten Gebiets (125), und derart gestaltet ist, dass es Ladungsträger in die Driftzone injiziert, und wobei ein an der zweiten Seite (130) zwischen dem ersten Gebiet (125) und dem wenigstens einen zweiten Gebiet (135) angeordnetes Halbleitergebiet eine geringere maximale Dotierstoffkonzentration aufweist als das erste Gebiet (125).

Description

  • In Halbleitervorrichtungen wie IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) oder SCRs (Silicon-Controlled Rectifiers) geht das Umschalten zwischen verschiedenen Betriebsmodi mit einer Änderung in der Ladungsträgerverteilung innerhalb der Vorrichtung einher. Diese Änderung in der Ladungsträgerverteilung kann von einer solchen Änderung in der elektrischen Feldverteilung innerhalb der Vorrichtung begleitet sein, dass ein Stromfluss im Kurzschlussbetrieb zerstörend wirkt.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Halbleitervorrichtung mit verbesserter Kurzschlussfestigkeit anzugeben. Die Offenlegungsschrift DE 10 2005 019 178 A1 offenbart in der 1B einen rückwärtsleitenden IGBT, bei dem n-leitende Emittergebiete nahezu über die gesamte Rückseite des Halbleiterbauelements verteilt sind, durch die ein hoher Stromfluss im Diodenbetrieb erreicht wird. Ein weiteres Beispiel für einen IGBT mit einem soften Diodenverhalten findet sich in der 4B der DE 10 2006 050 338 A1 .
  • Die Aufgabe wird gelöst durch die Lehre der unabhängigen Patentansprüche. Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren näher beschrieben. Die Figuren sind nicht maßstabsgerecht. Die Merkmale der verschiedenen Ausführungsformen können miteinander kombiniert werden, sofern sie einander nicht ausschließen. Ähnliche oder übereinstimmende Bezugskennzeichen können zur Bezeichnung ähnlicher oder übereinstimmender Teile verwendet werden.
    • 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Bereichs einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
    • 2A zeigt gemäß einer Ausführungsform eine schematische Draufsicht auf eine Schnittebene A-A' der 1 mit einem kreisförmigen zweiten Gebiet.
    • 2B zeigt gemäß einer Ausführungsform eine schematische Draufsicht auf die Schnittebene A-A' der 1 mit einem zweiten Gebiet elliptischer Form.
    • 2C zeigt gemäß einer Ausführungsform eine schematische Draufsicht auf die Schnittebene A-A' der 1 mit einem ringförmigen zweiten Gebiet.
    • 2D zeigt gemäß einer Ausführungsform eine schematische Draufsicht auf die Schnittebene A-A' der 1 mit einem zweiten Gebiet oktagonaler Ringform.
    • 2E zeigt gemäß einer Ausführungsform eine schematische Draufsicht auf die Schnittebene A-A' der 1 mit einem zweiten Gebiet, das rechteckförmig ist und abgeschrägte bzw. abgerundete Ecken aufweist.
    • 3A zeigt gemäß einer Ausführungsform ein Diagramm mit übereinstimmenden Dotierstoffprofilen erster und zweiter Gebiete entlang Schnittlinien B-B' und C-C' der 1.
    • 3B zeigt gemäß einer Ausführungsform ein Diagramm mit verschiedenen Dotierstoffprofilen erster und zweiter Gebiete entlang der Schnittlinien B-B' und C-C' der 1.
    • 4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung mit zweiten Gebieten an einer zweiten Seite eines Driftgebiets, wobei die zweiten Gebiete tiefer in das Driftgebiet reichen als ein drittes Gebiet, das vom selben Leitfähigkeitstyp wie die zweiten Gebiete ist.
    • 5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung mit dem dritten Gebiet an der zweiten Seite des Driftgebiets, wobei das dritte Gebiet tiefer in das Driftgebiet reicht als die zweiten Gebiete, die vom selben Leitfähigkeitstyp wie das dritte Gebiet sind.
    • 6 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung mit zweiten Gebieten an der zweiten Seite des Driftgebiets, wobei die zweiten Gebiete tiefer in das Driftgebiet reichen als ein fünftes Gebiet, das einen von den zweiten Gebieten verschiedenen Leitfähigkeitstyp aufweist.
    • 7 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung mit zweiten Gebieten an der zweiten Seite des Driftgebiets, die tiefer in das Driftgebiet reichen als das dritte Gebiet vom selben Leitfähigkeitstyp wie die zweiten Gebiete, sowie mit einem vierten Gebiet, dessen Leitfähigkeitstyp verschieden ist von dem der zweiten Gebiete.
    • 8A zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung mit mehreren ersten und zweiten Gebieten an einer zweiten Seite des Driftgebiets.
    • 8B zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Bereich des IGBTs von 8A.
  • 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Bereichs einer Halbleitervorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die Halbleitervorrichtung 100 weist einen Zellenbereich 105 und einen Randabschlussbereich 110 an einer ersten Seite 115 einer Halbleiterzone 120 eines ersten Leitfähigkeitstyps auf. Ein erstes Gebiet 125 eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist an einer zweiten Seite 130 der Halbleiterzone 120 ausgebildet, wobei das erste Gebiet 125 gegenüber dem Zellenbereich 105 angeordnet ist. Ein zweites Gebiet 135 vom zweiten Leitfähigkeitstyp ist an der zweiten Seite 130 der Halbleiterzone 120 angeordnet, wobei das zweite Gebiet 135 gegenüber dem Zellenbereich 105 angeordnet ist und eine laterale Abmessung d2 aufweist, die kleiner ist als die laterale Abmessung d1 des ersten Gebiets 125.
  • Eine laterale Richtung 140 kennzeichnet eine Richtung entlang einer Oberflächenebene der ersten Seite 115 oder der zweiten Seite 130. Eine vertikale Richtung 145 kennzeichnet eine Richtung senkrecht zur Oberflächenebene 115 oder zur zweiten Seite 130.
  • Der erste Leitfähigkeitstyp ist verschieden vom zweiten Leitfähigkeitstyp. Beispielsweise entspricht der erste Leitfähigkeitstyp dem n-Typ und der zweite Leitfähigkeitstyp dem p-Typ. Ebenso kann der erste Leitfähigkeitstyp der p-Typ sein und der zweite Leitfähigkeitstyp der n-Typ.
  • Die Halbleitervorrichtung 100 kann weitere Halbleitergebiete aufweisen, die nicht in der 1 dargestellt sind. Beispielsweise kann die Halbleitervorrichtung 100 ein IGBT sein. Gemäß einer anderen Ausführungsform kann die Halbleitervorrichtung 100 ein asymmetrischer SCR sein.
  • In dem Zellenbereich 105 sind mehrere Transistorzellen, z. B. Zellen mit FETs (Feldeffekttransistoren, Field Effect Transistors) einschließlich Gatestrukturen, ausgebildet. In dem Randabschlussbereich 110 können etwa Feldplatten und/oder Halbleitergebiete wie Feldringe und/oder Variationen lateraler Dotierstoffgebiete ausgebildet sein, um eine Krümmung der Äquipotentiallinien in einem Sperrbetrieb der Vorrichtung 100 einzustellen.
  • Die Halbleiterzone 120 kann eine Driftzone sein und die Sperrfähigkeit der Vorrichtung 100 bestimmen, z. B. über ihre Dicke und über ihr Dotierstoffprofil.
  • Das erste Gebiet 125 an der zweiten Seite 130 kann ein Emittergebiet an einer Kollektorseite eines IGBTs sein. Im Kurzschlussbetrieb der Vorrichtung 100 kann das zweite Gebiet 135 Ladungsträger in die Driftzone 120 injizieren, die einen Stromfluss von Ladungsträgern aus der Driftzone 120 zu einem Anschluss an der zweiten Seite 130 kompensieren. Somit lässt sich eine Verschiebung eines maximalen elektrischen Feldes innerhalb der Driftzone 120 von der ersten Seite 115 zur zweiten Seite 130 und zerstörerische Ströme wie Stromfilamente im Bereich des maximalen elektrischen Feldes an der zweiten Seite 130 verhindern. Dadurch lässt sich die Kurzschlussstromfestigkeit der Halbleitervorrichtung 100 durch ein geeignetes Dotierstoffniveau im ersten Gebiet 125 verbessern.
  • Zwischen dem ersten Gebiet 125 und dem Randabschlussbereich 110 können mehrere zweite Gebiete 135 angeordnet sein. Beispielsweise können diese zweiten Gebiete 135 aufeinander folgend entlang der lateralen Richtung 140 positioniert sein (nicht in 1 gezeigt). Eine laterale Abmessung der mehreren zweiten Gebiete 135, die aufeinander folgend entlang der lateralen Richtung 140 angeordnet sind, kann übereinstimmen (nicht in 1 gezeigt). Gemäß einer Ausführungsform kann eine laterale Abmessung der mehreren zweiten Gebiete 135, die entlang der lateralen Richtung 140 aufeinander folgend angeordnet sind, vom ersten Gebiet 125 zum Randabschlussbereich 110 abnehmen (nicht in 1 gezeigt).
  • Eine laterale Abmessung des zweiten Gebiets 135 entlang der lateralen Richtung 140 kann in einem Bereich von 1 µm bis 200 µm liegen, insbesondere zwischen 2 µm bis 100 µm oder auch zwischen 5 µm bis 50 µm. Wenigstens eines dieser zweiten Gebiete 135 kann gegenüber dem Randabschlussbereich 110 angeordnet sein (nicht in 1 gezeigt).
  • 2A zeigt gemäß einer Ausführungsform eine schematische Draufsicht auf die Schnittebene A-A' der 1 und stellt ein kreisförmiges zweites Gebiet 135 dar.
  • In der in 2B gezeigten schematischen Draufsicht auf die Schnittebene A-A' der 1 ist das zweite Gebiet 135 gemäß einer weiteren Ausführungsform elliptisch geformt.
  • In der in 2C gezeigten schematischen Draufsicht auf die Schnittebene A-A' der 1 ist das zweite Gebiet 135 gemäß einer anderen Ausführungsform ringförmig.
  • In der in 2D gezeigten schematischen Draufsicht auf die Schnittebene A-A' der 1 ist das zweite Gebiet 135 gemäß einer weiteren Ausführungsform von einer hexagonalen Ringform.
  • In der in 2E gezeigten schematischen Draufsicht auf die Schnittebene A-A' der 1 ist das zweite Gebiet 135 rechteckförmig oder quadratisch mit abgerundeten bzw. abgeschrägten Ecken.
  • Eine Form des zweiten Gebiets 135 in der Schnittebene A-A' der 1 kann ein regelmäßiges Polygon sein, z. B. ein Sechseck, Achteck, Zehneck, usw.
  • 3A zeigt gemäß einer Ausführungsform ein Diagramm mit übereinstimmenden Dotierstoffprofilen 126, 136 im ersten Gebiet 125 und zweiten Gebiet 135 der 1 entlang Schnittlinien B-B' und C-C' in vertikaler Richtung 145. Überein-stimmende Dotierstoffprofile 126, 136 für das erste Gebiet 125 und das zweite Gebiet 135 können beispielsweise durch Einsatz derselben Fotolithografie und Implantation von Ionen beim Ausbilden dieser Gebiete erzielt werden.
  • In der in 3B gezeigten Ausführungsform unterscheidet sich das Dotierstoffkonzentrationsprofil 126 des ersten Gebiets 125 entlang der vertikalen Richtung 145 in die Halbleiterzone 120 von dem Profil der Dotierstoffkonzentration 137 des zweiten Gebiets 135. Das Profil 137 der Dotierstoffkonzentration des zweiten Gebiets 135 weist eine maximale Dotierstoffkonzentration auf, die kleiner ist als die maximale Dotierstoffkonzentration des ersten Gebiets 125, und eine Tiefe des zweiten Gebiets 135 in der Halbleiterzone 120 ist größer als die entsprechende Tiefe des ersten Gebiets 125 in der Halbleiterzone 120.
  • Das Dotierstoffkonzentrationsprofil des ersten Gebiets 125 kann sich von dem entsprechenden Profil der Dotierstoffkonzentration des zweiten Gebiets 135 beispielsweise durch eine maximale Dotierstoffkonzentration und/oder eine Erstreckungstiefe in die Halbleiterzone 120, welche etwa durch Implantationsdosis und Implantationsenergie festgelegt sind, unterscheiden. Diese Profile können sich ebenso hinsichtlich eines Dotierstoffelements unterscheiden.
  • Als weiteres in 3B gezeigtes Beispiel eines Dotierstoffkonzentrationsprofils 138 des in 1 gezeigten zweiten Gebiets 135 können die maximale Dotierstoffkonzentration und die Erstreckungstiefe in die Halbleiterzone 120 entlang der vertikalen Richtung 145 geringer sein als die entsprechenden Größen im Profil 126 des ersten Gebiets 125. Unterschiedliche Dotierstoffkonzentrationsprofile für das erste Gebiet 125 und das zweite Gebiet 135 können etwa durch Verwenden verschiedener Fotolithografieprozesse zur Ausbildung des ersten Gebiets 125 und des zweiten Gebiets 135 erzielt werden, z. B. durch Einsatz verschiedener Implantationsdosen, Implantationsenergien und/oder Dotierstoffelemente.
  • 4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teils eines IGBTs 200 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Der IGBT 200 umfasst einen Transistorzellenbereich 205 und einen Randabschlussbereich 210 mit Halbleiterabschlussgebieten 211 an einer ersten Seite 215 einer Driftzone 220 eines ersten Leitfähigkeitstyps. Im Transistorzellenbereich 205 kann eine Emitterseite eines IGBTs 200 mit Source, Bodygebieten und Gates ausgebildet sein.
  • An einer zweiten Seite 230 der Driftzone 220 ist eine Kollektorseite des IGBTs 200 ausgebildet. An der zweiten Seite 230 ist ein Emittergebiet 225 eines zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet, wobei der zweite Leitfähigkeitstyp sich vom ersten Leitfähigkeitstyp der Driftzone 220 unterscheidet. Ein Abstand dE von einer lateralen Kante des Emittergebiets 225 zu einer lateralen Kante des Transistorzellenbereichs 205 entlang einer lateralen Richtung 240 kann in einem Bereich von mehreren 10 % bis mehreren 100 % einer Diffusionslänge von Minoritätsladungsträgern innerhalb der Driftzone 220 liegen. Zweite Gebiete 235 vom zweiten Leitfähigkeitstyp sind an der zweiten Seite 230 zwischen dem Emittergebiet 225 und dem Randabschlussbereich 210 ausgebildet. Die zweiten Gebiete 235 sind entlang der lateralen Richtung 240 hintereinander vom Emittergebiet 225 zum Randabschlussbereich 210 positioniert. Das Dotierstoffprofil der zweiten Gebiete 235 entlang der vertikalen Richtung 245 kann dem Dotierstoffprofil des Emittergebiets 225 entsprechen, d. h. diese Gebiete können in einem gemeinsamen Lithografieschritt über gemeinsame Implantation(en) hergestellt werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann jedes der zweiten Gebiete 235 eine übereinstimmende laterale Dimension d2 entlang der lateralen Richtung 240 aufweisen. Gemäß einer anderen Ausführungsform kann sich eine laterale Abmessung der mehreren zweiten Gebiete 235, die entlang der lateralen Richtung 240 aufeinander folgend angeordnet sind, vom Emittergebiet 225 zum Randabschlussbereich 210 hin verkleinern (nicht in 4 gezeigt). Ein drittes Gebiet 250 vom zweiten Leitfähigkeitstyp ist an der zweiten Seite 230 der Driftzone 220 gegenüber dem Transistorzellenbereich 205 und dem Randabschlussbereich 210 angeordnet. Die maximale Dotierstoffkonzentration im dritten Gebiet 250 kann kleiner sein als die maximale Dotierstoffkonzentration der zweiten Gebiete 235 als auch des Emittergebiets 225. Eine vertikale Erstreckung des dritten Gebiets 250 in die Driftzone 220 entlang der vertikalen Richtung 245 ist kleiner als die entsprechende vertikale Erstreckung jedes zweiten Gebiets 235 in die Driftzone 220.
  • Die zweiten Gebiete 235 können derart gestaltet sein, dass sie während eines leitenden Betriebsmodus des IGBTs 200 eine geringe Menge von Ladungsträgern in die Driftzone 220 injizieren, jedoch ausreichend Ladungsträger in einem Kurzschlussbetrieb injizieren, um ein Verschieben eines maximalen elektrischen Feldes entlang der vertikalen Richtung 245 von der ersten Seite 215 zur zweiten Seite 230 innerhalb der Driftzone 220 zu verhindern.
  • 5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Bereichs eines IGBTs 300 gemäß einer Ausführungsform. Ähnlich wie der in 4 gezeigte IGBT 200 enthält der IGBT 300 einen Transistorzellenbereich 305 und einen Randabschlussbereich 210 mit Halbleiterabschlussgebieten 311 an einer ersten Seite 315 einer Driftzone 320 vom ersten Leitfähigkeitstyp. An einer zweiten Seite 330 der Driftzone 320, die eine Kollektorseite des IGBTs 300 darstellt, sind ein Emittergebiet 325 eines zweiten Leitfähigkeitstyps und zweite Gebiete 335 vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. Ein drittes Gebiet 350 vom zweiten Leitfähigkeitstyp, das eine geringere maximale Dotierstoffkonzentration als jedes der zweiten Gebiete 335 aufweist, ist an der zweiten Seite 330 ausgebildet. Verschieden von dem dritten Gebiet 250 des in 4 gezeigten IGBTs 200 weist das dritte Gebiet 350 eine vertikale Ausdehnung entlang der vertikalen Richtung 345 in die Driftzone 320 auf, die größer ist als die vertikale Ausdehnung jedes zweiten Gebiets 335 in die Driftzone 320.
  • In der schematischen Querschnittsansicht eines Bereichs eines IGBTs 400 in 6 sind ein Transistorzellenbereich 405, ein Randabschlussbereich 410 mit Halbleiterabschlussgebieten 411, ein Emittergebiet 425 an einer Kollektorseite einer Driftzone 420 und mehrere zweite Gebiete 435 ähnlich zu den entsprechenden Elementen 205, 210, 211, 225 und 235 der in 4 gezeigten Ausführungsform ausgebildet. Zusätzlich ist ein fünftes Gebiet 460 vom ersten Leitfähigkeitstyp, d. h. einem vom Leitfähigkeitstyp des Emittergebiets 425 verschiedenen Leitfähigkeitstyp, an der zweiten Seite 430 des IGBTs 400 ausgebildet, wobei das fünfte Gebiet 460 wenigstens teilweise dem Randabschlussbereich 410 an der ersten Seite 415 der Driftzone 425 gegenüberliegt. Eine vertikale Erstreckung des fünften Gebiets 460 in die Driftzone 420 entlang der vertikalen Richtung 445 ist kleiner als die Erstreckung des Emittergebiets 425 in die Driftzone 420. Eine maximale Dotierstoffkonzentration jedes der zweiten Gebiete 435 kann größer sein als die maximale Dotierstoffkonzentration des fünften Gebiets. Bei dem IGBT 400 kann es sich etwa um einen rückwärts leitenden IGBT handeln.
  • In der in 7 gezeigten schematischen Querschnittsansicht eines Bereichs eines IGBTs 500 sind ein Transistorzellenbereich 505, ein Randabschlussbereich 510 mit Halbleiterabschlussgebieten 511, ein Emittergebiet 525 an einer Kollektorseite einer Driftzone 520 und mehrere zweite Gebiete 535 sowie ein drittes Gebiet 550 ähnlich zu den entsprechenden Elementen 205, 210, 211, 225, 235 und 250 der in 4 gezeigten Ausführungsform dargestellt. Zusätzlich ist ein viertes Gebiet 570 vom ersten Leitfähigkeitstyp, d. h. einem von dem Leitfähigkeitstyp des Emittergebiets 525 verschiedenen Leitfähigkeitstyp, an einer zweiten Seite 530, d. h. einer Kollektorseite des IGBTs 500 ausgebildet. Das vierte Gebiet kann eine Feldstoppzone sein und sich tiefer in die Driftzone 520 erstrecken als das Emittergebiet 525. Die Feldstoppzone kann durch Implantation von H+-Ionen mit einer nachfolgenden Ausheilung bei Ausheilungstemperaturen innerhalb eines Bereichs von 350 °C bis 420 °C oder auch durch Diffusion von P oder Se ausgebildet sein.
  • 8A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Bereichs eines IGBTs 600 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Ein Transistorzellenbereich 605 ist an einer ersten Seite 615 einer Driftzone 620 vom ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. An einer zweiten Seite 630 der Driftzone 620 sind mehrere Emittergebiete 625 vom zweiten Leitfähigkeitstyp, der verschieden ist vom ersten Leitfähigkeitstyp, ausgebildet. Zusätzlich zu den Emittergebieten 625 sind mehrere zweite Gebiete 635 vom zweiten Leitfähigkeitstyp an der zweiten Seite 630 der Driftzone 620 ausgebildet. Eine laterale Abmessung d2 jedes zweiten Gebiets entlang der lateralen Richtung 640 ist kleiner als eine entsprechende laterale Abmessung d1 jedes Emittergebiets 625. Zusätzlich zu den Emittergebieten 625 und den zweiten Gebieten 635 ist ein drittes Gebiet 650 vom zweiten Leitfähigkeitstyp an der zweiten Seite 630 der Driftzone 620 ausgebildet. Eine maximale Dotierstoffkonzentration innerhalb des dritten Gebiets 650 ist kleiner als die maximale Dotierstoffkonzentration innerhalb jedes Emittergebiets 625. Weitere zweite Gebiete 635 können in einem Übergangsgebiet zwischen dem Transistorzellenbereich 605 und einem Randabschlussbereich positioniert sein (nicht in 8A dargestellt) .

Claims (17)

  1. Halbleitervorrichtung (100), umfassend: einen Zellenbereich (105) und einen Randabschlussbereich (110) an einer ersten Seite (115) einer eine Driftzone bildenden Halbleiterzone (120) eines ersten Leitfähigkeitstyps; wenigstens ein erstes Gebiet (125) eines zweiten Leitfähigkeitstyps an einer zweiten Seite (130) der Halbleiterzone, wobei das wenigstens eine erste Gebiet (125) dem Zellenbereich (105) gegenüber liegt; und wenigstens ein zweites Gebiet (135) vom zweiten Leitfähigkeitstyp an der zweiten Seite (130) der Halbleiterzone (120), wobei das wenigstens eine zweite Gebiet (135) gegenüber dem Zellenbereich (105) und durch die Halbleiterzone (120) getrennt vom ersten Gebiet (125) angeordnet ist, eine laterale Abmessung (d2) aufweist, die kleiner ist als die laterale Abmessung (d1) des wenigstens einen ersten Gebiets (125), und derart gestaltet ist, dass es Ladungsträger in die Driftzone injiziert, und wobei ein an der zweiten Seite (130) zwischen dem ersten Gebiet (125) und dem wenigstens einen zweiten Gebiet (135) angeordnetes Halbleitergebiet eine geringere maximale Dotierstoffkonzentration aufweist als das erste Gebiet (125).
  2. Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei das wenigstens eine zweite Gebiet (135) zwischen dem wenigstens einen ersten Gebiet (125) und dem Randabschlussbereich (110) angeordnet ist.
  3. Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein Dotierstoffmaterial und ein Dotierstoffprofil im wenigstens einen zweiten Gebiet (135) dem Dotierstoffmaterial und dem Dotierstoffprofil im wenigstens einen ersten Gebiet (125) entsprechen.
  4. Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei sich das wenigstens eine zweite Gebiet (135) und das wenigstens eine erste Gebiet (125) hinsichtlich eines Dotierstoffmaterials und/oder eines Dotierstoffprofils unterscheiden.
  5. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Form des wenigstens einen zweiten Gebiets in einer Schnittebene parallel zur zweiten Seite kreisförmig, eckig mit abgerundeten Ecken, elliptisch oder ringförmig ist.
  6. Halbleitervorrichtung (200) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das wenigstens eine zweite Gebiet (235) mehrere zweite Gebiete umfasst, die aufeinander folgend in einer Richtung von dem wenigstens einen ersten Gebiet (225) zum Randabschlussbereich (210) angeordnet sind.
  7. Halbleitervorrichtung (200) nach Anspruch 6, wobei eine laterale Abmessung (d1) der mehreren zweiten Gebiete (235), die aufeinander folgend in der Richtung von dem wenigstens einen ersten Gebiet (225) zum Randabschlussbereich (210) angeordnet sind, gleich ist.
  8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, wobei eine laterale Abmessung der mehreren zweiten Gebiete, die aufeinander folgend in der Richtung von dem wenigstens einen ersten Gebiet zum Randabschlussbereich angeordnet sind, von dem wenigstens einen ersten Gebiet zum Randabschlussbereich (210) hin abnimmt.
  9. Halbleitervorrichtung (200) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei eine laterale Abmessung des wenigstens einen zweiten Gebiets (235) entlang einer Richtung von dem wenigstens einen ersten Gebiet (235) zum Randabschlussbereich (210) in einem Bereich von 2 µm bis 100 µm liegt.
  10. Halbleitervorrichtung (200) nach einem der vorherigen Ansprüche, zusätzlich umfassend ein drittes Gebiet (250) vom zweiten Leitfähigkeitstyp an der zweiten Seite (230) der Halbleiterzone (220), wobei das dritte Gebiet (250) in einem Bereich angeordnet ist, der wenigstens einen Teil sowohl des wenigstens einen ersten Gebiets (225) und des wenigstens einen zweiten Gebiets (235) umfasst, und wobei eine maximale Dotierstoffkonzentration im dritten Gebiet (250) kleiner ist als die maximale Dotierstoffkonzentration im wenigstens einen zweiten Gebiet (235).
  11. Halbleitervorrichtung (300) nach Anspruch 10, wobei eine vertikale Ausdehnung des dritten Gebiets (350) in die Halbleiterzone (320) größer ist als die vertikale Ausdehnung des wenigstens einen zweiten Gebiets (335) in die Halbleiterzone (320) .
  12. Halbleitervorrichtung (200) nach Anspruch 10, wobei eine vertikale Ausdehnung des dritten Gebiets (250) in die Halbleiterzone (220) kleiner ist als die vertikale Ausdehnung des wenigstens einen zweiten Gebiets (235) in die Halbleiterzone (220) .
  13. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei das wenigstens eine zweite Gebiet mehrere zweite Gebiete aufweist, die wenigstens teilweise gegenüber dem Randabschlussbereich angeordnet sind.
  14. Halbleitervorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das wenigstens eine erste Gebiet mehrere erste Gebiete (625) und das wenigstens eine zweite Gebiet mehrere zweite Gebiete (635) umfasst und eine laterale Abmessung (d1) der ersten Gebiete (625) größer ist als die laterale Abmessung (d2)) der zweiten Gebiete (635).
  15. Halbleitervorrichtung (500) nach einem der vorherigen Ansprüche, zusätzlich umfassend ein viertes Gebiet (570) vom ersten Leitfähigkeitstyp an der zweiten Seite (530) der Halbleiterzone (520), wobei ein vertikaler Abstand des vierten Gebiets zur ersten Seite (515) kleiner ist als der vertikale Abstand des wenigstens einen ersten Gebiets (525) zur ersten Seite (515).
  16. Halbleitervorrichtung (400) nach einem der vorherigen Ansprüche, zusätzlich umfassend ein fünftes Gebiet (460) vom ersten Leitfähigkeitstyp an der zweiten Seite der Halbleiterzone (420), wobei das fünfte Gebiet (460) wenigstens teilweise gegenüber dem Randabschlussbereich (410) angeordnet ist.
  17. IGBT (500), umfassend: einen Zellenbereich (505) und einen Randabschlussbereich (510) an einer ersten Seite (515) einer eine Driftzone bildenden Halbleiterzone (520) eines ersten Leitfähigkeitstyps; wenigstens ein erstes Gebiet (525) eines zweiten Leitfähigkeitstyps an einer zweiten Seite (530) der Halbleiterzone (520), wobei das wenigstens eine erste Gebiet (525) gegenüber dem Zellenbereich (505) angeordnet ist; wenigstens ein zweites Gebiet (535) vom zweiten Leitfähigkeitstyp an der zweiten Seite (530) der Halbleiterzone (520), wobei das wenigstens eine zweite Gebiet (535) gegenüber dem Zellenbereich (505) und durch die Halbleiterzone (520) getrennt vom ersten Gebiet (525) angeordnet ist, eine laterale Abmessung aufweist, die kleiner ist als die laterale Abmessung des wenigstens einen ersten Gebiets (525), und derart gestaltet ist, dass es Ladungsträger in die Driftzone injiziert; ein viertes Gebiet (570) vom ersten Leitfähigkeitstyp an der zweiten Seite (530) der Halbleiterzone (520), wobei ein vertikaler Abstand des vierten Gebiets zur ersten Seite kleiner ist als der vertikale Abstand des wenigstens einen ersten Gebiets (525) zur ersten Seite (515); und wobei ein an der zweiten Seite (130) zwischen dem ersten Gebiet (125) und dem wenigstens einen zweiten Gebiet (135) angeordnetes Halbleitergebiet eine geringere maximale Dotierstoffkonzentration aufweist als das erste Gebiet (125).
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