DE102010035598A1

DE102010035598A1 - Verfahren und Lesegerät zum Zugriff auf einen RFID-Transponder und System

Info

Publication number: DE102010035598A1
Application number: DE102010035598A
Authority: DE
Inventors: Dr. Langenkamp Winfried
Original assignee: Schreiner Group GmbH and Co KG
Current assignee: Schreiner Group GmbH and Co KG
Priority date: 2010-08-27
Filing date: 2010-08-27
Publication date: 2012-03-01
Also published as: WO2012025441A1

Abstract

Ein Verfahren zum Zugriff auf einen RFID-Transponder (100), umfasst ein Einbringen des RFID-Transponders (100), der eine Dipolantenne (103) und einen ersten (125) und einen zweiten (127) Halbleiterchip umfasst, in ein von einem Lesegerät erzeugtes elektromagnetisches Feld (108). Ein Parameter des elektromagnetischen Feldes (108) wird nach einem vorgegebenen Muster (117) verändert. Jeweils ein Wert (115, 116) einer Kenngröße des ersten (125) und des zweiten (127) Halbleiterchips, die abhängig ist von dem Parameter, wird ermittelt. Die ermittelten Werte (115, 116) der Kenngröße des ersten Halbleiterchips (125) und des zweiten Halbleiterchips (127) werden mit einem vorgegebenen Referenzwert verglichen, um einen vorgegebenen Zustand des RFID-Transponders (100) zu ermitteln. Ein Lesegerät ist eingerichtet, ein solches Verfahren auszuführen. Ein System umfasst das Lesegerät.

Description

Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Zugriff auf einen RFID-Transponder. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Lesegerät zum Zugriff auf einen RFID-Transponder sowie ein System, das ein solches Lesegerät sowie einen RFID-Transponder umfasst.
Hintergrund der Erfindung
Anhänger, die an einen Körper angebracht werden, sind als Gepäckanhänger zur Kennzeichnung in Logistikprozessen, beispielsweise bei der Abfertigung von Reisegepäck in einem Flughafen, gebräuchlich. Die Anhänger werden als langgestreckte Banderolen geliefert, vom Abfertigungspersonal um den Tragegriff eines Gepäckstücks geführt und an beiden freien Enden miteinander verklebt. Die Logistikinformation wird optisch in Form von alphanumerischen Zeichen und/oder einem Barcode vor Ort auf die Banderole aufgedruckt. Darüber hinaus sind auch Banderolen mit RFID-Transpondern in Verwendung, deren Information elektronisch berührungslos lesbar ist. Problematisch ist, dass Banderolen sich unabsichtlich vom Gepäckstück lösen können oder missbräuchlich vom Gepäckstück gelöst und an ein anderes Gepäckstück angebracht werden können. Eine Fehlfunktion oder ein Missbrauch soll feststellbar sein. Beispielsweise kann der Missbrauch oder die Fehlfunktion über eine Veränderung der Ausleseeigenschaften des RFID-Transponders festgestellt werden. Beispielsweise ist die Lesereichweite des RFID-Chips verringert. Die Lesereichweite des RFID-Transponders kann aber auch durch eine ungünstige Positionierung des RFID-Transponders in Bezug auf das Lesegerät beeinflusst werden.
Wünschenswert ist daher ein Verfahren zum Zugriff auf einen RFID-Transponder, bei dem zwischen einer ungünstigen Positionierung des RFID-Transponders zu einem Lesegerät und einer Beschädigung beziehungsweise einem Manipulationsversuch unterschieden werden kann. Weiterhin ist es wünschenswert, ein Lesegerät sowie ein System mit einem solchen Lesegerät anzugeben, das eingerichtet ist, zumindest einen Teil der Schritte des Verfahrens auszuführen.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das Verfahren zum Zugriff auf einen RFID-Transponder ein Einbringen des RFID-Transponders in ein von einem Lesegerät erzeugtes elektromagnetisches Feld. Der RFID-Transponder umfasst insbesondere eine Dipolantenne und einen ersten und einen zweiten Halbleiterchip. Ein Parameter des elektromagnetischen Feldes wird nach einem vorgegebenen Muster verändert. Ein Wert einer Kenngröße des ersten Halbleiterchips wird ermittelt. Ein Wert der Kenngröße des zweiten Halbleiterchips wird ermittelt. Dabei ist die Kenngröße abhängig von dem Parameter. Die ermittelten Werte der Kenngröße des ersten Halbleiterchips und des zweiten Halbleiterchips werden mit einem vorgegebenen Referenzwert verglichen, um einen vorgegeben Zustand des RFID-Transponders zu ermitteln.
Gemäß der Ausführungsform wird der Referenzwert so vorgegeben, dass durch den Vergleich der ermittelten Werte der Kenngröße mit dem vorgegebenen Referenzwert zwischen einer Beschädigung des RFID-Transponders, beispielsweise einer Manipulation oder einem Missbrauch, und einer ungünstigen Positionierung des RFID-Transponders zum Lesegerät unterscheidbar ist. Der vorgegeben Zustand des RFID-Transponders ist in Ausführungsformen ein beschädigter Zustand des RFID-Transponders. Die ermittelten Werte der Kenngröße des ersten Halbleiterchips und des zweiten Halbleiterchips werden in diesen Ausführungsformen mit dem vorgegebenen Referenzwert verglichen, um eine Beschädigung des RFID-Transponders zu ermitteln. Dabei wird in Ausführungsformen ermittelt, ob der RFID-Transponder in einem Wertebereich der Kenngröße betreibbar ist, der charakteristisch ist für einen unbeschädigten Zustand des RFID-Transponders.
Gemäß weiteren Ausführungsformen betrifft der Parameter des elektromagnetischen Feldes die Feldstärke des elektromagnetischen Feldes, so dass die Feldstärke des elektromagnetischen Feldes verändert wird. Alternativ oder zusätzlich betrifft der Parameter eine Frequenz des elektromagnetischen Feldes, so dass die Frequenz des elektromagnetischen Feldes verändert wird. Ist der Parameter des elektromagnetischen Feldes, der verändert wird, die Feldstärke, ist die Kenngrößen beispielsweise eine Ansprechfeldstärke des ersten und des zweiten Halbleiterchips, also die Feldstärke, die erforderlich ist, damit der Halbleiterchip auf das einwirkende elektromagnetische Feld antwortet. In weiteren Ausführungsformen, in denen als Parameter die Feldstärke verändert wird, ist die Kennzahl beispielsweise die Anzahl von Meldungen des ersten und des zweiten Halbleiterchips in einem vorgegebenen Zeitintervall. Das Zeitintervall wird in Ausführungsformen je Veränderung der Feldstärke gleich lang vorgegeben. Das Zeitintervall wird in weiteren Ausführungsformen je Veränderung der Feldstärke unterschiedlich lang vorgegeben. In Ausführungsformen ist die Kenngröße ein Vektor und umfasst mehr als eine Komponente. In Ausführungsformen, in denen die Frequenz des elektromagnetischen Feldes verändert wird, umfasst die Kenngröße jeweils eine Startfrequenz, bei der der erste und der zweite Halbleiterchip ein Antwortsignal zu übertragen beginnen, und eine Endfrequenz, bei der jeweils der erste und der zweite Halbleiterchip ein Antwortsignal zu übertragen beenden. Die Kenngröße umfasst in einer weiteren Ausführungsform einen Frequenzbereich, zwischen den Frequenzen bei Beginn und Ende des Antwortsignals. Insbesondere kann die Resonanzfrequenz der Antenne zumindest näherungsweise bestimmt werden.
Bei einem unbeschädigten RFID-Transponder sind die Werte für die Ansprechfeldstärke und die Anzahl von Meldungen in dem vorgegebenen Zeitintervall für beide Halbleiterchips innerhalb eines Toleranzbereichs, von dem der Referenzwert abhängt, gleich und die Resonanzfrequenz bekannt. Unterscheiden sich die Ansprechfeldstärken beziehungsweise die Anzahl der Meldungen des ersten und des zweiten Halbleiterchips voneinander um mehr als der Referenzwert vorgibt, kann eine Beschädigung festgestellt werden. Entsprechend kann eine Beschädigung festgestellt werden, wenn die Resonanzfrequenzen der Meldungen des ersten und des zweiten Halbleiterchips um mehr als der Referenzwert vorgibt von der bekannten Resonanzfrequenz abweichen. So kann unterschieden werden, ob der RFID-Transponder lediglich ungünstig zu dem Lesegerät positioniert wird und daher eine verringerte Lesereichweite vorliegt oder ob eine Manipulation des RFID-Transponders stattgefunden hat. Beispielsweise wird bei einer Manipulation die Dipolantenne des RFID-Transponders durchtrennt.
In einer Ausführungsform ist das Lesegerät eingerichtet zum Ausbilden eines elektromagnetischen Feldes zum Betreiben des RFID-Transponders, der eine Dipolantenne und einen ersten und einen zweiten Halbleiterchip umfasst. Das Lesegerät ist weiterhin eingerichtet zum Verändern eines Parameters des elektromagnetischen Feldes nach einem vorgegebenen Verlaufsmuster. Das Lesegerät ist weiterhin eingerichtet zum Ermitteln eines Werts einer Kenngröße des ersten Halbleiterchips, der abhängig ist von dem Parameter. Das Lesegerät ist eingerichtet zum Ermitteln eines Werts der Kenngröße des zweiten Halbleiterchips, der abhängig ist von dem Parameter. Das Lesegerät ist eingerichtet zum Vergleichen der ermittelten Werte der Kenngröße des ersten Halbleiterchips und des zweiten Halbleiterchips und einem vorgegebenen Referenzwert, um einen vorgegebenen Zustand, beispielsweise eine Beschädigung, des RFID-Transponders zu ermitteln.
In einer Ausführungsform umfasst ein System zum Betreiben eines RFID-Transponders ein solches Lesegerät sowie mindestens einen RFID-Transponder, der eine Dipolantenne und einen ersten und einen zweiten Halbleiterchip umfasst.
Wenn der RFID-Transponder beschädigt ist, ist es für das Lesegerät möglich, dies von dem Zustand einer ungünstigen Positionierung von RFID-Transponder und Lesegerät zu einander zu unterschieden.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Nachfolgend werden die vorgenannten Ausführungsformen und die Erfindung anhand der in den Zeichnungen dargestellten Figuren näher erläutert. Gleiche, gleichartige und gleich wirkende Elemente können in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse zueinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente wie beispielsweise Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein.
Es zeigen:
1 eine schematische Darstellung eines RFID-Transponders gemäß einer Ausführungsform,
2A und 2B Diagramme des Verlaufs des elektromagnetischen Felds und der Antworten der Halbleiterchips des RFID-Transponders der 1,
3 eine schematische Darstellung eines RFID-Transponders gemäß einer Ausführungsform mit einer Beschädigung,
4A und 4B Diagramme des Verlaufs des elektromagnetischen Felds und der Antworten der Halbleiterchips des RFID-Transponders der 3,
5 eine schematische Darstellung eines RFID-Transponders gemäß einer Ausführungsform mit einer Beschädigung,
6A und 6B Diagramme des Verlaufs des elektromagnetischen Felds und der Antworten der Halbleiterchips des RFID-Transponders der 5,
7A und 7B Diagramme des Verlaufs des elektromagnetischen Felds und der Antworten der Halbleiterchips des RFID-Transponders der 1,
8A und 8B Diagramme des Verlaufs des elektromagnetischen Felds und der Antworten der Halbleiterchips des RFID-Transponders der 3,
9A und 9B Diagramme des Verlaufs des elektromagnetischen Felds und der Antworten der Halbleiterchips des RFID-Transponders der 1,
10A und 10B Diagramme des Verlaufs des elektromagnetischen Felds und der Antworten der Halbleiterchips des RFID-Transponders der 3,
11A und 11B Diagramme des Verlaufs des elektromagnetischen Felds und der Antworten der Halbleiterchips des RFID-Transponders der 1 gemäß einer weiteren Ausführungsform,
12A und 12B Diagramme des Verlaufs des elektromagnetischen Felds und der Antworten der Halbleiterchips des RFID-Transponders der 3 gemäß einer weiteren Ausführungsform,
13 eine schematische Darstellung eines Systems zum Betreiben eines RFID-Transponders gemäß einer Ausführungsform,
14 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Zugriff auf einen RFID-Transponder gemäß einer Ausführungsform,
15A und 15B Ablaufdiagramme eines Verfahrens zum Betreiben eines RFID-Transponders gemäß einer weiteren Ausführungsform, und
16A und 16F Diagramme des Verlaufs des elektromagnetischen Felds und der Antworten der Halbleiterchips des RFID-Transponders gemäß Ausführungsformen.
Detaillierte Beschreibung von Ausführungsformen
1 zeigt eine schematische Darstellung eines RFID-Transponders 100. Der RFID-Transponder 100 ist beispielsweise Teil einer Banderole 114 (12) und ist in der 1 in Aufsicht gezeigt, bevor er um einen Körper 110 (12) gewickelt ist.
Der RFID-Transponder 100 (RFID: Radio Frequency Identification) weist ein erstes Transponder-Inlay 101 und ein zweites Transponder-Inlay 102 auf. Weiterhin weist der RFID-Transponder 100 eine Dipolantenne 103 auf. Die Transponder-Inlays 101 und 102 sind jeweils mit der Dipolantenne 103 gekoppelt.
Die Transponder-Inlays 101 und 102 umfassen jeweils im Speziellen einen Halbleiterchip 125 beziehungsweise 127, der beispielsweise im Zentrum einer Primärschleifenantenne 126 beziehungsweise 128, die als kreisabschnittsförmige Spule ausgebildet ist, angeordnet ist und der elektrisch an diese Primärschleifenantenne 126 beziehungsweise 128 gekoppelt ist. Die Primärschleifenantenne 126 beziehungsweise 128 ist beispielsweise durch Ätzen oder Stanzen aus einer leitfähigen Schicht oder drucktechnisch aus einer leitfähigen druckbaren Paste oder einer leitfähigen Druckfarbe hergestellt. Die kreisabschnittsförmigen Primärschleifenantennen 126 beziehungsweise 128 tauschen in Betrieb mittels elektromagnetischer, im Wesentlichen magnetischer Kopplung ein Wirkfeld mit der Dipolantenne 103 aus.
In weiteren Ausführungsbeispielen sind Halbleiterchips 125 beziehungsweise 127 nicht mittels Schleifenantenne, sondern über je eine elektrische Leitung mit der Dipolantenne gekoppelt. Hierzu ist der jeweilige Halbleiterchip 125, 127 an ein Anpassungsnetzwerk angeschlossen. Das Anpassungsnetzwerk ist als eine U-förmig verlaufende Leiterbahn, an die der Halbleiterchip kontaktiert ist, ausgebildet. Die jeweiligen Enden der U-förmigen Leiterbahnen sind an die Dipolantenne angeschlossen.
In den rechts und links in der 1 dargestellten Bereichen verläuft die Dipolantenne 103 jeweils außerhalb der Mitte der Banderole in der Nähe und parallel zum Längsrand beziehungsweise zur Längserstreckungsrichtung des Transponders. Etwa in dem auf die Länge des Transponders gesehenen mittleren Bereich des Transponders wechselt die Dipolantenne die Seitenlage, so dass dann, wenn die Banderole an einem Körper befestigt wird, in dem das rechte und linke Ende der Banderole miteinander verklebt werden, von den beiden Abschnitten der Dipolantenne eine Fläche eingeschlossen wird, um elektromagnetischen Empfang und Abstrahlung zu ermöglichen (vergleiche 12). Dazu wird der Transponder an einer Faltlinie 105 umgebogen.
Gemäß der üblichen Funktion eines Transponderschwingkreises wird im Betrieb elektromagnetische Energie aus einem externen elektromagnetischen Feld 108 eines Lesegeräts 109 (12) von der Dipolantenne 103 aufgenommen, so dass diese mit einer Resonanzfrequenz schwingt. Die in der Dipolantenne angeregte Schwingung wird auf die Transponder-Inlays 101 und 102 übertragen. Beispielsweise wird die Schwingung der Dipolantenne 103 über eine magnetische Kopplung übertragen. Die Halbleiterchips 125 und 127 beziehen jeweils aus der Schwingung durch Gleichrichtung ihre Betriebsspannung und Erkennen im externen Wechselfeld 108 auch modulierte Signale. In umgekehrter Richtung kann auch eine Datenübertragung von den Halbleiterchips 125 und 127 an die Umgebung abgegeben werden, in der diese von den in der Nähe befindlichen Lesegerät 109 detektiert wird. Damit die Halbleiterchips aus der Schwingung genügend Energie für den Betrieb beziehen können, muss das elektromagnetische Feld 108 einen bestimmten Mindestwert für die Feldstärke aufweisen. Der Wert der Feldstärke, der erforderlich ist, damit ein Halbleiterchip genügend Energie für seinen Betrieb umwandeln kann (Mindestwert für die Feldstärke), wird auch Ansprechfeldstärke des Halbleiterchips genannt.
In weiteren Ausführungsformen umfasst der RFID-Transponder mehr als zwei Halbleiterchips, beispielsweise drei oder mehr Halbleiterchips, die mit der Antenne 103 gekoppelt sind. Die Antenne weist in weiteren Ausführungsformen andere Verläufe entlang der Längserstreckungsrichtung des RFID-Transponders auf, beispielsweise in dem mittleren Bereich eine Art S-Form.
2A und 2B zeigen schematisch einen Verlauf einer zeitlichen Änderung des elektromagnetischen Feldes 108 sowie Antworten der Halbleiterchips 125 und 127 des RFID-Transponders 100 der 1 auf das elektromagnetische Feld 108. Die dargestellten Antworten der Halbleiterchips 125 und 127 sind charakteristisch für einen unbeschädigten Zustand des RFID-Transponders 100.
In den Diagrammen der 2A und 2B ist die Änderung der Feldstärke (y-Achse) über die Zeit (x-Achse) dargestellt. Das elektromagnetische Feld 108 verändert sich nach einem vorgegebenen Verlaufsmuster 117, beispielsweise sägezahnförmig. Die elektromagnetische Feldstärke des elektromagnetischen Feldes 108 wird periodisch verändert und innerhalb einer Periode 118 entlang einer Rampe 119 stufenförmig erhöht. Die Periode 118 weist in Ausführungsformen eine Dauer im Bereich von einigen Sekunden auf, beispielsweise 2 Sekunden. In weiteren Ausführungsformen ist die Periode 118 kürzer, insbesondere 0,5 Sekunden, oder länger, beispielsweise 5 Sekunden.
Die Feldstärke des elektromagnetischen Feldes 108 wird innerhalb der Periode 118 beginnend bei einem kleinen Wert gesteigert bis zu einem größten Wert innerhalb der Periode 118. Die Feldstärke kann erhöht werden, indem die Sendeleistung der Antenne schrittweise verändert wird. Alternativ kann eine gegebene Sendeleistung reduziert werden, beispielsweise indem ein elektronisches Dämpfungsglied zwischen Readerelektronik und Antenne variiert wird oder indem ein dämpfendes Material vor der Antenne bewegt wird. Weitere Ausführungsformen der vorgegebenen Verlaufsmuster für die Veränderung des elektromagnetischen Feldes 108 sind in den 16A bis 16F gezeigt.
Die Antworten der Halbleiterchips 125 und 127 sind durch Balken 121, 122 in den Diagrammen dargestellt. Die Ansprechfeldstärke des Halbleiterchips 125 entspricht einem Wert 115, bei dem die erforderliche Feldstärke erreicht ist, dass der erste Halbleiterchip 125 betriebsfähig ist und auf das einwirkende elektromagnetische Feld antwortet. Die Ansprechfeldstärke des Halbleiterchips 127 entspricht einem Wert 116, bei dem die erforderliche Feldstärke erreicht ist, dass der erste Halbleiterchip 127 betriebsfähig ist und auf das einwirkende elektromagnetische Feld antwortet. Die Halbleiterchips 125 und 127 antworten auf das elektromagnetische Feld, wenn die Feldstärke des elektromagnetischen Feldes größer ist als die entsprechende Ansprechfeldstärke, wie durch die Balken 121 und 122 dargestellt ist.
Bei einem unbeschädigten RFID-Transponder wie in 1 dargestellt sind die Werte 115 und 116 für die Ansprechfeldstärke des Halbleiterchips 125 beziehungsweise des Halbleiterchips 127 innerhalb einer vorgegebenen Toleranz nahezu gleich. Beispielsweise ist eine Differenz 120 des Werts 115 und des Werts 116 weniger als 5% des Werts 116, vorzugsweise weniger als 3%, insbesondere weniger als 1%.
In 2A sind die Antworten der Halbleiterchips 125 und 127 für relativ gute Lesebedingungen dargestellt, so dass die Halbleiterchips 125 beziehungsweise 127 bereits bei einer relativ niedrigen einwirkenden Feldstärke 108 antworten. Im Vergleich dazu sind in 2B die Antworten der Halbleiterchips 125 und 127 für schlechtere Lesebedingungen dargestellt, beispielsweise bei einem großen Abstand zwischen RFID-Transponder 100 und Lesegerät 109 oder einem ungünstigen Winkel zwischen RFID-Transponder 100 und Lesegerät. Sowohl in 2A als auch in 2B ist jedoch die Differenz 120 zwischen dem Wert 115 und dem Wert 116 innerhalb der vorgegebenen Toleranz, so dass unabhängig von den Lesebedingungen ermittelt werden kann, dass ein unbeschädigter RFID-Transponder ausgelesen wird.
3 zeigt eine schematische Darstellung eines RFID-Transponders 100 wie in 1 dargestellt. Im Unterschied zu der Darstellung in 1 weist der RFID-Transponder 100 gemäß 3 eine Beschädigung 107 in der Antenne 103 auf. Die Antenne 103 ist durch die Beschädigung 107, beispielsweise ein Schnitt oder ein Riss, in zwei Teile getrennt, wobei ein Teil 106, der durch die Beschädigung von der Antenne 103 abgetrennt ist, nicht mit den Halbleiterchips 125 und 127 verbunden ist. Die Beschädigung 107 befindet sich an einer Stelle der Antenne, so dass der Chip 125 nahe der Mitte der gekürzten Antenne 103 sitzt während der Halbleiterchip 127 eher am Rand in der Nähe der Beschädigung 107 angeordnet ist.
4A und 4B zeigen vergleichbar zu den 2A und 2B das Antwortverhalten des beschädigten RFID-Transponders der 3. Dadurch, dass der Halbleiterchip 125 in der Mitte der Antenne 103 angeordnet ist und der Halbleiterchip 127 am Rand, weichen die Werte 115 und 116 der jeweiligen Ansprechfeldstärke weiter von einander ab als bei einem unbeschädigten RFID-Transponder. Die Differenz 120 ist größer, als der vorgegebene Toleranzbereich. Dies gilt auch für die in 4B dargestellten ungünstigen Lesebedingungen, bei denen sich die Absolutwerte 115 und 116 in Richtung höherer Feldstärken des elektromagnetischen Feldes 108 verschieben und die Differenz 120 weiterhin größer ist als bei einem unbeschädigten RFID-Transponder. So wird durch einen Vergleich der Differenz 120 mit einem vorgegebenen Referenzwert, der abhängig ist von dem Toleranzbereich, eine Beschädigung des RFID-Transponders, insbesondere eine Beschädigung der Antenne, ermittelt. Beispielsweise wird eine Beschädigung festgestellt, wenn die Werte 115 und 116 mehr als 1% voneinander abweichen, vorzugsweise mehr als 3%, insbesondere mehr als 5%.
5 zeigt den RFID-Transponder 100 der 3, der im Unterschied zu der 3, die Beschädigung 107 zwischen den Kopplungsstellen der Schleifenantennen 126 und 128 auf der Dipolantenne 103 aufweist. Der Halbleiterchip 125 ist mit der verkürzten Antenne 103 gekoppelt und der Halbleiterchip 127 mit dem übrigen Teil 106 der ursprünglichen Antenne gekoppelt ist. Somit sind beide Halbleiterchips am Rand der jeweiligen Antenne angeordnet und die jeweiligen Antennen 103 und 106 sind im Vergleich zu der ursprünglichen Antenne 103 der 1 verkürzt.
6A und 6B zeigen vergleichbar zu den 4A und 4B das Antwortverhalten der Halbleiterchips 125 und 127 bei dem sich ändernden elektromagnetischen Feld 108. Dadurch dass beide Halbleiterchips 125 und 127 jeweils am Rand einer vergleichsweise kurzen Antenne angeordnet sind, sind die Werte 115 und 116 im Vergleich zu dem unbeschädigten Zustand der 1 beziehungsweise 2A und 2B höher. Die Ansprechfeldstärken, die notwendig sind, damit die Halbleiterchips 125 und 127 auf das elektromagnetische Feld 108 reagieren, liegen bei höheren Feldstärken des elektromagnetischen Feldes 108. Die Differenz 120 ist ähnlich der Differenz bei einem unbeschädigten RFID-Transponder, da beide Halbleiterchips an etwa gleich langen Antennen angeordnet sind. Insbesondere kann die Differenz 120 innerhalb der vorgegebenen Toleranzen liegen. Da die absoluten Werte 115 beziehungsweise 116 der Ansprechfeldstärken jedoch unterhalb eines weiteren vorgegebenen Wertes 121 liegen, wird so eine Beschädigung beziehungsweise Manipulation ermittelt. Insbesondere bei ungünstigen Lesebedingungen wie in 6B dargestellt antworten die Halbleiterchips bei einer Beschädigung wie in 5 dargestellt bei den verwendeten Feldstärken überhaupt nicht mehr, woraus eine Manipulation ermittelt werden kann.
Wird als Parameter des elektromagnetischen Feldes 108 die Feldstärke verändert, um eine Beschädigung des in das elektromagnetische Feld 108 eingebrachten RFID-Transponders 100 zu ermitteln, wird eine Beschädigung festgestellt, wenn die absoluten Werte 115 und 116 der Ansprechfeldstärke über dem vorgegebenen Referenzwert 121 liegen und/oder wenn die Differenz 120 zwischen dem Wert 115 und dem Wert 116 größer ist als eine vorgegebene Differenz.
7A und 7B zeigen das Antwortverhalten der Halbleiterchips 125 und 127, für den Fall, dass als Parameter des elektromagnetischen Feldes 108 die Frequenz (y-Achse) des elektromagnetischen Feldes 108 über die Zeit (x-Achse) verändert wird. In den 7A und 7B ist dabei das Antwortverhalten des unbeschädigten RFID-Transponders 100 der 1 dargestellt.
Die Frequenz des elektromagnetischen Feldes 108 wird innerhalb der Periode 118 beginnend bei einem kleinen Wert gesteigert bis zu einem größten Wert innerhalb der Periode 118. In einem Teilbereich der Frequenzen antworten die Halbleiterchips 125 und 127 auf die Einwirkung des elektromagnetischen Feldes.
Die Werte 115 beziehungsweise 116 der Resonanzfrequenzen der Halbleiterchips 125 beziehungsweise 127 sind bei einem unbeschädigten RFID-Transponder innerhalb eines vorgegebenen Toleranzbereichs der bekannten Resonanzfrequenz. Der vorgegebene Toleranzbereich ist von dem Aufbau des RFID-Transponders abhängig und wird beispielsweise für die Antenne 103 im unbeschädigten Zustand bestimmt. Unabhängig von den Lesebedingungen, gute Lesebedingungen in 7A und ungünstige Lesebedingungen in 7B, ist der Mittelwert der Resonanzfrequenz der Halbleiterchips 125 und 127 gleich und insbesondere innerhalb des vorgegebenen Toleranzbereichs. Insbesondere ist jeweils der Mittelwert der Frequenzen der Antworten des ersten beziehungsweise des zweiten Halbleiterchips innerhalb des vorgegebenen Toleranzbereichs der bekannten Resonanzfrequenz.
8A und 8B zeigen das Antwortverhalten der Halbleiterchips 125 und 127 bei einer Beschädigung des RFID-Transponders, wie in 3 dargestellt. Dadurch, dass sich bei einer Beschädigung der Antenne 103 die Resonanzfrequenz des RFID-Transponders ändert, sind die Werte 115 und 116 für die Frequenzen der Antworten der Halbleiterchips 125 und 127 zu den Werten eines unbeschädigten Chips verschieden. Insbesondere liegen die Werte 115 und 116 bei einer Beschädigung wie in 3 dargestellt außerhalb des vorgegebenen Toleranzbereichs. Insbesondere ist jeweils der Mittelwert der Frequenzen der Antworten des ersten beziehungsweise des zweiten Halbleiterchips außerhalb des vorgegebenen Toleranzbereichs der bekannten Resonanzfrequenz.
Die Verschiebung der Antwortfrequenz tritt sowohl bei guten Lesebedingungen (8A) als auch bei ungünstigen Lesebedingungen (8B) auf. Beispielsweise wird eine Beschädigung, insbesondere eine Manipulation, des RFID-Transponders festgestellt, wenn die Werte 115 und 116 der mittleren Antwortfrequenz der Halbleiterchips um mehr als 20% von der vorgegebenen Resonanzfrequenz abweichen. In weiteren Ausführungsformen wird eine Beschädigung des RFID-Transponders festgestellt, wenn die Werte 115 und 116 der mittleren Antwortfrequenz der Halbleiterchips um mehr als 10% von der vorgegebenen Resonanzfrequenz abweichen. In wiederum weiteren Ausführungsformen wird eine Beschädigung des RFID-Transponders festgestellt, wenn die Werte 115 und 116 der mittleren Antwortfrequenz der Halbleiterchips um mehr als 5% von der vorgegebenen Resonanzfrequenz abweichen.
Wird als Parameter des elektromagnetischen Feldes 108 die Frequenz verändert, um eine Beschädigung des in das elektromagnetische Feld 108 eingebrachten RFID-Transponders 100 zu ermitteln, wird eine Beschädigung festgestellt, wenn die Werte 115 beziehungsweise 116 der Frequenz der Antworten der Halbleiterchips 125 und 127 außerhalb eines vorgegebenen Toleranzbereichs für die Antwortfrequenz liegen, die abhängig von dem Aufbau des RFID-Transponders bekannt ist. Alternativ oder zusätzlich wird eine Beschädigung festgestellt, wenn der Wert 115 der Resonanzfrequenz des Halbleiterchips 125 von dem Wert 116 der Resonanzfrequenz des Halbleiterchips 127 um mehr als eine vorgegebene Toleranz abweicht. Dies kann beispielsweise bei einer Beschädigung des RFID-Transponders auftreten, bei der die beiden Halbleiterchips an unterschiedlich lange Teilantennen gekoppelt sind.
9A und 9B zeigen vergleichbar zu den 2A und 2B das Antwortverhalten der Halbleiterchips 125 und 127 für einen weiteren. Fall, in dem als Parameter des elektromagnetischen Feldes 108 die Feldstärke verändert wird. Im Unterschied zu den Verfahren, das in Zusammenhang mit den 2A und 2B beschrieben ist, wird nun die Anzahl von Meldungen 112 der Antwort des ersten Halbleiterchips 125 und die Anzahl von Meldungen 113 der Antwort des zweiten Halbleiterchips 127 innerhalb eines vorgegebenen Zeitintervalls 111 ermittelt. Bei dem unbeschädigten RFID-Transponder 100 der 1 melden sich die Halbleiterchips 125 und 127 mit gleicher Anzahl beziehungsweise ist der Unterschied gering und innerhalb eines vorgegebenen Toleranzbereichs. Auch bei ungünstigen Lesebedingungen (9B) ist der Unterschied der Anzahl der Meldungen 112 und 113 gering und innerhalb des vorgegebenen Toleranzbereichs.
10A und 10B zeigen parallel zu den 4A und 4B das Antwortverhalten des beschädigten RFID-Transponders 100 der 3. Der Halbleiterchip 125, der im mittleren Bereich der Antenne 103 angeordnet ist, meldet sich deutlich öfter als der Halbleiterchip 127, der am Rand der Antenne 103 angeordnet ist. Insbesondere ist der Unterschied der Anzahl der Meldungen 112 zu der Anzahl der Meldungen 113 größer als der vorgegebene Toleranzbereich.
Wird als Parameter des elektromagnetischen Feldes 108 die Feldstärke verändert, um eine Beschädigung des in das elektromagnetische Feld 108 eingebrachten RFID-Transponders 100 zu ermitteln, wird eine Beschädigung festgestellt, wenn die Anzahl der Meldungen 112 und 113 unterhalb eines vorgegebenen Referenzwerts liegen und/oder wenn die Differenz der Anzahl der Meldungen 112 und 113 innerhalb des Zeitintervalls 111 größer ist als ein vorgegebener Toleranzbereich.
11A und 11B zeigen das Antwortverhalten der Halbleiterchips 125 und 127 für einen weiteren Fall, in dem als Parameter des elektromagnetischen Feldes 108 die Feldstärke verändert wird. Im Unterschied zu den Verfahren, das in Zusammenhang mit den 9A und 9B beschrieben ist, wird nun zur Ermittlung einer Beschädigung eine Kollisionsvermeidung genutzt, wenn sowohl der erste als auch der zweite Halbleiterchip 125, 127 auf das elektromagnetische Feld 108 antworten. Um Kollisionen und damit Störungen beim Auslesen des ersten als auch der zweiten Halbleiterchips 125, 127 möglichst zu vermeiden, ist das Lesegerät eingerichtet, die Häufigkeit der Meldungen zu verringern. Beispielsweise melden sich der erste und der zweiten Halbleiterchip 125, 127 jeweils 250-mal oder weniger, wenn beide Halbleiterchips auf das elektromagnetische Feld antworten. Dabei ist die Häufigkeit der Meldungen pro Zeitintervall bei guten Lesebedingungen (11A) und bei ungünstigen Lesebedingungen (11B) in gleich. Je nach verwendetem Antikollisionsverfahren kann die Abnahme der Meldungen verschieden groß sein.
12A und 12B zeigen das Antwortverhalten des beschädigten RFID-Transponders 100 der 3. Da sich in einem ersten Teilbereich 123 des Zeitintervalls nur der erste Halbleiterchips 125 meldet, kommt es nicht zu Kollisionen. Daher Antwortet der erste Halbleiterchip häufiger als wenn beide Halbleiterchips 125, 127 antworten. Beispielsweise antwortet der erste Halbleiterchip 125 im ersten Teilbereich 123 500-mal pro Sekunde, wenn nur der erste Halbleiterchip 125 auf das elektromagnetische Feld antwortet und der zweite Halbleiterchip nicht antwortet. Sowohl bei guten Lesebedingungen (12A) als auch bei ungünstigen Lesebedingungen (12B) antwortet der erste Halbleiterchips 125 häufiger, solange der zweite Halbleiterchip 127 sich nicht meldet, als wenn beide Halbleiterchips 125, 127 antworten. In einem zweiten Teilbereich 124 des Zeitintervalls antworten beide Halbleiterchips, so dass die Häufigkeit der Meldungen je Halbleiterchip im Vergleich zu dem Teilbereich 123 abnimmt. Eine Beschädigung des RFID-Transponders wird festgestellt, wenn die Häufigkeit der Meldungen 112 und 113 über einem vorgegebenen Referenzwert für die Häufigkeit liegen.
13 zeigt ein System zum Zugriff auf den RFID-Transponder 100, der in der Banderole 114 angeordnet ist. Die Banderole 114 ist um den Körper 110 gewickelt, in dem sie an der Faltlinie 105 (1) umgebogen wurde und das linke und das rechte Ende miteinander verklebt wurden. Beispielsweise wird das System in einem Logistikprozess, insbesondere bei der Gepäckbeförderung abgefertigten Gepäcks in einem Flughafen, verwendet und die Banderole ist Teil eines Gepäckanhängers. Das Lesegerät 109, das eingerichtet mindestens eines der in Zusammenhang mit den 1 bis 12 und im Folgenden mit den 14 und 15 beschriebenen Verfahren auszuführen, bildet das Magnetfeld 108 aus. Ermittelt das Lesegerät 109 anhand der vorgegebenen Referenzwerte eine Beschädigung kann das entsprechende Gepäckstück 110 aussortiert werden und manuell weiter untersucht werden.
In Ausführungsformen weist der Gepäckanhänger zusätzlich eine Void-Struktur auf, die mit der Antenne 103 verklebt ist. Die Haftkräfte der Void-Struktur auf die Antenne sowie die Haftkräfte zum Verkleben der Enden der Banderole sind so aufeinander abgestimmt, dass, wenn die Enden der Banderole miteinander verklebt sind und anschließend die Banderole aufgerissen wird, einerseits ein Teil der Void-Struktur an der Dipolantenne 103 haften bleibt und andererseits ein anderer Teil der Void-Struktur an der Banderole haften bleibt. Dadurch wird erreicht, dass einerseits die Dipolantenne 103 durchtrennt und die elektrische Funktion des RFID-Transponders beeinträchtigt wird und andererseits beispielsweise aufgrund von unterschiedlich verwendeten Druckfarben Farbkontraste entstehen. Selbst wenn dann die Banderole wieder lagegenau zusammengeklebt würde, wäre einerseits mit hoher Wahrscheinlichkeit die elektrische Leitfähigkeit innerhalb der Dipolantenne immer noch unterbrochen und andererseits würde es mit hoher Wahrscheinlichkeit kaum mehr gelingen, die an unterschiedlichen Enden der Banderole haftenden Teilbereiche der Void-Struktur so zusammenzusetzen, dass die Struktur wieder vollständig ursprüngliches Aussehen hätte.
12 zeigt ein Ablaufdiagramm des Verfahrens gemäß Ausführungsformen.
In Schritt 201 wird der RFID-Transponder 100 in das elektro-magnetische Feld 108 eingebracht.
In Schritt 202 werden die Werte der Kenngröße der Halbleiterchips 125 und 127 ermittelt, die abhängig ist von dem Parameter des elektromagnetischen Feldes 108, der verändert wird.
In Schritt 202 werden beispielsweise die Ansprechfeldstärken der Halbleiterchips 125 und 127 ermittelt. Alternativ oder zusätzlich wird die Anzahl der Meldungen 112 beziehungsweise 113 innerhalb des vorgegebenen Zeitintervalls 111 ermittelt. Alternativ oder zusätzlich werden die Frequenzen ermittelt, bei denen die Halbleiterchips 101 und 102 lesbar sind und daraus die Resonanzfrequenz angenähert. Insbesondere wird jeweils eine Startfrequenz ermittelt, bei der die Halbleiterchips 101, 102 beginnen auf das elektromagnetische Feld zu antworten. Weiterhin wird insbesondere jeweils eine Endfrequenz ermittelt, bei der die Halbleiterchips 101, 102 aufhören auf das elektromagnetische Feld zu antworten.
In Schritt 203 wird ermittelt, ob die Halbleiterchips 125 und 127 lesbar sind, also ob beispielsweise die Ansprechfeldstärken jeweils kleiner als der zugerhörige vorgegebene Referenzwert 121 sind und/oder ob die Anzahlen der Meldungen größer sind als der vorgegebene zugerhörige Referenzwert. Ist mindestens eine Bedingung nicht erfüllt, werden in Schritt 206 eine Beschädigung und insbesondere eine Manipulation des RFID-Transponders festgestellt. Alternativ oder zusätzlich kann in Schritt 203 die Abweichung der ermittelten Resonanzfrequenz der Antworten der Halbleiterchips von der vorgegebenen bekannten Resonanzfrequenz ermittelt werden.
Ist der Chip lesbar, also beispielsweise die Ansprechfeldstärken jeweils kleiner als der zugerhörige vorgegebene Referenzwert 121 und/oder die Anzahlen der Meldungen größer als der vorgegebene zugerhörige Referenzwert, werden in Schritt 204 die ermittelten Werte der Kenngrößen der Halbleiterchips 125 und 127 miteinander verglichen. Beispielsweise wird in Schritt 204 eine Differenz der Ansprechfeldstärken der Halbleiterchips 152 und 127 ermittelt. Alternativ oder zusätzlich wird eine Differenz der Anzahl der Meldungen 112 und 113 innerhalb des vorgegebenen Zeitintervalls 111 ermittelt. Alternativ oder zusätzlich wird ein Unterschied der Resonanzfrequenzen der jeweiligen Antworten des ersten Halbleiterchips 125 und des zweiten Halbleiterchips 127 ermittelt. Liegt eine dieser Differenzen oder liegen mehrere dieser Differenzen außerhalb des entsprechenden vorgegebenen Toleranzbereichs wird in Schritt 206 eine Beschädigung, insbesondere eine Manipulation, des RFID-Transponders 100 festgestellt.
Liegen die ermittelten Differenzen innerhalb der entsprechenden vorgegebenen Toleranzbereiche wird in Schritt 205 ein unbeschädigter Zustand des RFID-Transponders 100 festgestellt.
13A und 13B zeigen Ablaufdiagramme für Verfahren gemäß weiteren Ausführungsformen.
Bei dem Verfahren gemäß 13A wird in Schritt 210 der Sicherheitsanhänger mit der Banderole 214 an den Körper 110 angebracht.
In Schritt 211 wird jeweils für den Halbleiterchip 125 und den Halbleiterchip 127 ein Wert der Kenngröße ermittelt, der charakteristisch ist für einen unbeschädigten Zustand des RFID-Transponders 100. Der Schritt 211 folgt daher möglichst zeitnah an den Schritt 210.
In Schritt 212 werden die in Schritt 211 ermittelten Werte gespeichert. Diese Daten werden in Ausführungsformen in einer Datenbank gespeichert, auf die das Lesegerät zugreifen kann. Besonders vorteilhaft ist es, die Daten auf mindestens einem der Halbleiterchips 125 und 127 zu speichern. Höhere Sicherheit wird erreicht, wenn die Daten so gespeichert werden, dass sie anschließend nicht mehr veränderbar sind. Die Daten werden unveränderbar auf mindestens einem der Halbleiterchips 125, 127 beziehungsweise einem der Transponder-Inlays 101, 102 gespeichert. In Ausführungsformen wird eine aus den in Schritt 211 ermittelten Werten abgeleitete Größe gespeichert, beispielsweise ein Quotient aus dem Wert der Kenngröße des ersten Halbleiterchips und dem Wert der Kenngröße des zweiten Halbleiterchips, die jeweils charakteristisch sind für einen unbeschädigten Zustand des RFID-Transponders 100.
Bei der Gepäckbeförderung abgefertigten Gepäcks in einem Flughafen erfolgen die Schritte 211 und 212 möglichst bald nachdem das Abfertigungspersonal die Banderole 114 um den Tragegriff des Gepäckstücks geklebt hat und insbesondere innerhalb eines Zeitfensters, in dem eine Manipulation der Banderole mit sehr hoher Wahrscheinlichkeit ausgeschlossen werden kann.
Das Verfahren gemäß den Schritten 210 bis 212 der 13A wird einmalig je Banderole 214 durchgeführt. Anschließend kann eine derartig bearbeitete Banderole 214 und insbesondere der RFID-Transponder 100 der Banderole auf Beschädigungen überprüft werden, wie nachfolgen in Bezug auf 13B erläutert.
In Schritt 220 des Ablaufdiagramms der 13B wird ein gemäß des Verfahrens der 13A vorbehandelter RFID Transponder in das elektromagnetische Feld 108 eingebracht.
In Schritt 221 werden die Werte aus den Halbleiterchips 125 und 127 ausgelesen, die dort in Schritt 212 abgespeichert wurden. Zudem werden in Schritt 221 parallel zu Schritt 202 der 12 die aktuellen Werte 115 und 116 der Kenngröße der beiden Halbleiterchips 125 und 127 ermittelt. Die ausgelesenen Werte, die auf den Halbleiterchips abgespeichert sind, und die ermittelten Werte können von dem Lesegerät temporär gespeichert werden.
In Schritt 222 wird parallel zu Schritt 203 der 12 er mittelt, ob die Halbleiterchips 125 und 127 lesbar sind. Sind die Halbleiterchips 125 und 127 nicht lesbar, wird in Schritt 225 eine Beschädigung des RFID-Transponders, insbesondere eine Manipulation festgestellt.
Sind die Halbleiterchips 125 und 127 lesbar, wird in Schritt 223 eine vorgegebene Funktion auf die in Schritt 221 ausgelesenen Werte und die ermittelten Werte jeweils des Halbleiterchips 125 und 127 angewendet. Weiterhin werden in Schritt 223 die aus der Funktion erhaltenen Ergebnisse miteinander verglichen und insbesondere eine Differenz der aus der Funktion erhaltenen Ergebnisse des ersten und des zweiten Halbleiterchips 125 und 127 ermittelt. Parallel zu Schritt 204 der 12 wird eine Beschädigung des RFID-Transponders festgestellt, wenn die Differenz der aus der Funktion erhaltenen Ergebnisse größer ist als ein vorgegebener Toleranzbereich. Ist die Differenz kleiner als ein vorgegebener Toleranzbereich wird in Schritt 224 ein unbeschädigter Zustand des RFID-Transponders festgestellt.
Das Anwenden der vorgegebenen Funktion umfasst beispielsweise eine Bildung des Quotienten aus den in Schritt 221 ausgelesenen Werten und gemessenen Werten. Es können auch andere Funktionen angewendet werden, die einen Vergleich mit einem vorgegebenen Referenzwert ermöglichen, beispielsweise das Anwenden einer Logarithmusfunktion jeweils auf die in Schritt 221 ausgelesenen und ermittelten Werte.
16A bis 16F zeigen Ausführungsformen der vorgegebenen Feldverläufe für die Veränderung des elektromagnetischen Feldes 108, mit denen die beschriebenen Verfahren zur Ermittlung der Beschädigung des RFID-Transponders durchführbar sind. Mit dem Balken 121 ist jeweils die Antwort des ersten Halbleiterchips 125 dargestellt und dadurch kenntlich gemacht, bei in welchen Teilbereichen eines Durchlaufs der Halbleiterchip arbeitet.
16A zeigt als vorgegebenes Verlaufsmuster 117 ein anwachsendes Sägezahnmuster. 16B zeigt als vorgegebenes Verlaufsmuster 117 ein abfallendes Sägezahnmuster. 16C zeigt als vorgegebenes Verlaufsmuster 117 eine Dreieckskurve. 16D zeigt als vorgegebenes Verlaufsmuster 117 ansteigende Stufen. 16E zeigt als vorgegebenes Verlaufsmuster 117 zufällig verteilte Stufen, also eine aperiodische Veränderung. Beispielsweise umfasst ein Durchlauf der Veränderung 256 verschiedene Werte der Feldstärke. Bei jedem Durchlauf wird die Reihenfolge der 256 verschiednen Werte neu festgelegt und unterscheidet sich insbesondere von den vorhergehenden Durchläufen. 16E zeigt als vorgegebenes Verlaufsmuster 117 eine Intervallschachtelung, um beispielsweise die Ansprechfeldstärke der Halbleiterchips zu ermitteln. Bei der Intervallschachtelung kann die Dauer, bis die Kenngröße ermittelt ist, im Vergleich zu den weiteren vorgegebenen Verlaufsmustern verringert werden.

Claims

Verfahren zum Zugriff auf einen RFID-Transponder (100), umfassend: – Einbringen des RFID-Transponders (100), der eine Dipolantenne (103) und einen ersten (125) und einen zweiten (127) Halbleiterchip umfasst, in ein von einem Lesegerät erzeugtes elektromagnetisches Feld (108), – Verändern eines Parameters des elektromagnetischen Feldes (108) nach einem vorgegebenen Verlaufsmuster (117), – Ermitteln eines Werts (115) einer Kenngröße des ersten Halbleiterchips (125), die abhängig ist von dem Parameter, – Ermitteln eines Werts (116) der Kenngröße des zweiten Halbleiterchips (127), – Vergleichen der ermittelten Werte (115, 116) der Kenngröße des ersten Halbleiterchips (125) und des zweiten Halbleiterchips (127) mit einem vorgegebenen Referenzwert, um einen vorgegebenen Zustand des RFID-Transponders (100) zu ermitteln.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Verändern des Parameters umfasst: – Verändern einer Feldstärke des elektromagnetischen Feldes (108).
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Verändern des Parameters umfasst: – Verändern einer Frequenz des elektromagnetischen Feldes (108).
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem – das elektromagnetische Feld (108) periodisch verändert wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem – das elektromagnetische Feld (108) aperiodisch verändert wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem – das elektromagnetische Feld (108) stufenförmig verändert wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche l bis 6, bei dem das Verändern des Parameters des elektromagnetischen Feldes (108) eine Intervallschachtelung umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die Kenngröße jeweils des ersten Halbleiterchips (125) und des zweiten Halbleiterchips (127) mindestens eines aus: – Ansprechfeldstärke, – Anzahl von Meldungen (112, 113) jeweils des ersten Halbleiterchips (125) und des zweiten Halbleiterchips (127) in einem vorgegebenen Zeitintervall (111), – jeweils eine Startfrequenz, bei der der erste (125) und der zweite (127) Halbleiterchip ein Antwortsignal zu übertragen beginnen, und jeweils eine Endfrequenz, bei der der erste (125) und der zweite (127) Halbleiterchip ein Antwortsignal zu übertragen beenden, – Resonanzfrequenz des RFID-Transponders (100) umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem das Vergleichen der ermittelten Werte (115, 116) der Kenngröße des ersten Halbleiterchips (125) und des zweiten Halbleiterchips (127) mit dem vorgegebenen Referenzwert umfasst: – Ermitteln einer Differenz (120) der jeweiligen Werte (115, 116) der Kenngröße des ersten (125) und des zweiten (127) Halbleiterchips.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, umfassend – Ermitteln eines weiteren Wertes der Kenngröße jeweils des ersten (125) und des zweiten (127) Halbleiterchips, der charakteristisch ist für einen unbeschädigten Zustand des RFID-Transponders (100); – Speichern mindestens eines der Werte und/oder einer daraus abgeleiteten Größe.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der mindestens eine der Werte und/oder die daraus abgeleitete Größe auf mindestens einem der Halbleiterchips (125, 127) gespeichert wird.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, umfassend – jeweils Anwenden einer vorgegebenen Funktion auf die ermittelten Werte (115, 116) und den gespeicherten weiteren Wert der Kenngröße des ersten (125) und des zweiten (127) Halbleiterchips.
Verfahren nach Anspruch 12, umfassend – Ermitteln einer Differenz der aus der Funktion erhaltenen Ergebnisse des ersten (125) und des zweiten (127) Halbleiterchips.
Lesegerät zum Zugriff auf einen RFID-Transponders (100), das eingerichtet ist zum: – Ausbilden eines elektromagnetischen Feldes (108) zum Betreiben des RFID-Transponders (100), – Einbringen des RFID-Transponders (100), der eine Dipolantenne (103) und einen ersten (125) und einen zweiten (127) Halbleiterchip umfasst, in das von dem Lesegerät erzeugtes elektromagnetisches Feld (108), – Verändern eines Parameters des elektromagnetischen Feldes (108) nach einem vorgegebenen Verlaufsmuster (117), – Ermitteln eines Werts (115) einer Kenngröße des ersten Halbleiterchips (125), die abhängig ist von dem Parameter, – Ermitteln eines Werts (116) der Kenngröße des zweiten Halbleiterchips (127), – Vergleichen der ermittelten Werte (115, 116) der Kenngröße des ersten Halbleiterchips (125) und des zweiten Halbleiterchips (127) mit einem vorgegebenen Referenzwert, um einen vorgegebenen Zustand des RFID-Transponders (100) zu ermitteln.
System, umfassend: – ein Lesegerät (109) nach Anspruch 11, – mindestens den RFID-Transponder (100), der eine Dipolantenne (103) und einen ersten (125) und einen zweiten (127) Halbleiterchip umfasst.