DE102010006393B4 - Vorrichtung und Verfahren zur Inertgasaushärtung für Leiterrahmen- oder Substratstreifen - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zur Inertgasaushärtung für Leiterrahmen- oder Substratstreifen Download PDF

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Abstract

System umfassend einen Aushärteofen (14) und mehrere Behälter (18), wobei ein jeder der Behälter (18) jeweils eine Abdeckung umfasst, wobei die Abdeckung so ausgeführt ist, dass sie ein Innenvolumen einer Aufbewahrungskassette (10) luftdicht umschließt, wobei die Aufbewahrungskassette (10) derart ist, dass mehrere Leiterrahmen- oder Substratstreifen (12) mit einem auszuhärtenden Chipüberzug aufnehmbar sind, wobei der Behälter (18) in der Abdeckung eine erste Öffnung (20) für die Zuführung eines Inertgases zur Aufbewahrungskassette (10) und eine zweite Öffnung (32), um das Inertgas ausströmen zu lassen, aufweist, wobei das Volumen des Behälters (18) im Vergleich zum Innenvolumen des Aushärteofens (14) klein ist, sodass die mehreren Behälter (18) gleichzeitig in dem Aushärteofen (14) angeordnet sind, wobei die erste Öffnung (20) eines jeden Behälters (18) so ausgeführt ist, dass sie im Aushärteofen (14) über eine erste Leitung (22) an eine Inertgasversorgung gekoppelt ist, und wobei die zweite Öffnung (32) so ausgeführt ist, dass sie im Aushärteofen (14) über eine zweite Leitung an die erste Öffnung (20) eines weiteren Behälters (18) gekoppelt ist, um eine Kette zu bilden, oder an ein Auslassleitungssystem (24) gekoppelt ist, um das Inertgas ausströmen zu lassen, sodass die Aufbewahrungskassetten (10) luftdicht gegenüber einer inneren Gasumgebung des Aushärteofens (14) abgedichtet sind, und eine Inertgasatmosphäre lediglich innerhalb der Aufbewahrungskassetten (10) und nicht innerhalb des gesamten Aushärteofens (14) bereitgestellt werden muss.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Inertgasaushärtung für Leiterrahmen- oder Substratstreifen.
  • HINTERGRUND
  • Leiterrahmen- oder Substratstreifen mit Polyimid (PI) auf gebondeten Chips werden in Aufbewahrungskassetten, die meistens aus Metall bestehen, transportiert und gelagert. Die Aufbewahrungskassetten werden in einem Temperaturaushärteofen für einen Hochtemperatur-Aushärtungsprozess angeordnet, um das flüssige PI auszuhärten. Mit dem Aushärtungsprozess wird das flüssige PI in einen robusten und festen Zustand umgewandelt, um die druckempfindliche Chipoberfläche von Hochgenauigkeitsteilen der Chips zu schützen. Analoge Teile mit hoher Genauigkeit werden beispielsweise mit dieser Art Chipüberzug geschützt, der in den Montagestellen nach dem Anbringen und Bonden der Chips auf den Leiterrahmen oder Substraten aufgebracht wird. Substrate, möglicherweise auf Polyimidbasis, mit Kupferleitungen werden beispielsweise für Kugelgitteranordnungen (engl. Ball Grid Array) verwendet und können auch eine Aushärtung des Chipüberzugs erfordern. Ein weiteres technisches Problem, welches während des Aushärtens von Chipüberzügen auftritt, ist eine Ausbildung eines Temperaturprofils innerhalb des Aushärteofens, welches eine unkontrollierte Wärmebehandlung mit den entsprechenden Nachteilen bezüglich des Aushärteprozesses nach sich zieht. Zu diesem Zweck schlägt die EP 0 597 053 B1 vor, im Innenraum eines Aushärteofens Ventilatoren anzuordnen, welche sich in einem in den Innenraum des Ofens eingeleiteten Gasstroms befinden. Durch eine solche Anordnung wird die Gefahr von Temperaturschichtungen innerhalb des Aushärteofens vermieden, da das erwärmte Gas von dem Ventilator verwirbelt und somit sehr gut vermischt wird. Der Chipüberzug muss bei etwa 300 °C in einer Inertgasatmosphäre ausgehärtet werden, z. B. in einem stickstoffgespülten Ofen. 1 zeigt eine herkömmliche Anordnung gemäß dem Stand der Technik, gemäß der mehrere Kassetten 10 mit Leiterrahmen- oder Substratstreifen 12 in einem Aushärteofen 14 angeordnet sind. Eine Leitung 16 ist vorgesehen und an den Aushärteofen 14 gekoppelt, um Stickstoff (N2) zum Ofen zu leiten. Der Stickstoff dient dazu, eine sauerstofffreie Atmosphäre während des Aushärtungsprozesses herzustellen. Andernfalls würde während des Aushärtungsprozesses eine Oxidation der Leiterrahmen- oder Substratkontaktflächen stattfinden, die zu Komponentenanschlüssen mit einer geringeren Lötbarkeit führen würde. Auch geringe Mengen von verbleibendem Sauerstoff können die Lötbarkeit verschlechtern.
  • Aufgrund des Volumens eines Aushärteofens ist hinsichtlich der Durchflussrate und der Stickstoffmenge ein hoher Aufwand erforderlich, um den Sauerstoff vollständig aus dem Aushärteofen zu entfernen. Darüber hinaus sind nicht alle erhältlichen Aushärteöfen vollständig gasdicht, was zu einem verbleibenden Sauerstoffpegel innerhalb der Ofenatmosphäre führt.
  • EP 0597053 B1 zeigt einen Aushärteofen, der zum Aushärten von Chipüberzügen auf elektronischen Bauelementen unter einer Schutzgasatmosphäre geeignet ist. Zum Zweck der Inertgaszirkulation werden Lüfter und Gasleitbleche innerhalb des Aushärteofens genutzt. Dadurch ist der Inertgasstrom nicht wohldefiniert entlang der elektronischen Bauelemente ausgerichtet. Des Weiteren können die zusätzlichen Bauteile, die im Volumen des Ofens und damit auch im Volumen des Inertgases positioniert sind, die Reinheit des Inertgases negativ beeinflussen. Das schmälert die Qualität des Aushärteprozesses des Chipüberzugs und wirkt sich negativ auf die elektronischen Bauelemente aus.
  • KURZZUSAMMENFASSUNG
  • Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum verbesserten Aushärten von Leiterrahmen oder Substraten bereitzustellen.
  • Bei einem Aspekt der Erfindung wird eine Abdeckung zur Verwendung in einem Aushärteofen bereitgestellt. Die Abdeckung ist so ausgeführt, dass sie ein Innenvolumen einer Aufbewahrungskassette luftdicht umschließt. Die Aufbewahrungskassette ist derart, dass sie mehrere Leiterrahmen- oder Substratstreifen mit einem auszuhärtenden Chipüberzug aufnimmt. Diese Aufbewahrungskassette kann vorteilhafterweise die gleiche Kassette sein, die im Stand der Technik verwendet wird und in der die gebondeten Chips transportiert und gelagert werden. Die Abdeckung ist mit einer ersten Öffnung für die Zuführung eines Inertgases zur Aufbewahrungskassette und mit einer zweiten Öffnung, um das Inertgas ausströmen zu lassen, versehen.
  • Bei einem Aspekt der Erfindung umschließt die Abdeckung die Aufbewahrungskassette vollständig. Es sind keine Änderungen der Aufbewahrungskassetten erforderlich. Die Abdeckung kann durch zwei Deckel gebildet sein, wobei die beiden Deckel luftdicht aneinander befestigt werden können.
  • Bei einem weiteren Aspekt der Erfindung ist die Aufbewahrungskassette nur an zwei Seiten offen, und die Abdeckung ist in Form von zwei Deckeln ausgebildet, die luftdicht an der Aufbewahrungskassette befestigt werden können. Wenn die Aufbewahrungskassette selbst bereits mit luftdichten Wänden versehen ist, ist eine zusätzliche Abdeckung an diesen Seiten nicht erforderlich. Somit sind die beiden Deckel, die an der Aufbewahrungskassette befestigt sind, ausreichend, um die Leiterrahmen oder Substrate zu umschließen, und das umschlossene Volumen um die Leiterrahmen- oder Substratstreifen ist noch kleiner, wobei weniger Material für die Abdeckung benötigt wird.
  • Die Deckel können an die abzudeckende Aufbewahrungskassette angepasst sein, sodass sie sich ausreichend über die Aufbewahrungskassette erstrecken, um zusammen alle Öffnungen der Aufbewahrungskassette abzudecken.
  • Ein kleineres Volumen kann einfacher und schneller gespült werden. Die Wärmeübertragung zum umschlossenen Volumen und somit zu den Leiterrahmen- oder Substratstreifen wird weniger gehindert. Das für die Abdeckung und die Aufbewahrungskassette verwendete Material sollte eine gute Wärmeübertragung gestatten. Die Aufbewahrungskassetten bestehen üblicherweise aus Metall, und bei einem Aspekt der Erfindung kann die Abdeckung auch aus Metall bestehen.
  • Bei einem Aspekt der Erfindung wird die luftdichte Abdichtung des innerhalb der Aufbewahrungskassette eingeschlossenen Volumens zwischen dem Deckel und der Aufbewahrungskassette oder zwischen zwei Teilen der Abdeckungen durch ein Formstück oder eine Dichtung aus Gummi erreicht.
  • An der ersten Öffnung kann eine Leitung der Art, wie sie im Stand der Technik zum Anschließen an den Aushärteofen verwendet wird, direkt an die Abdeckung gekoppelt sein, um Inertgas, beispielsweise Stickstoff, zuzuführen. Die zweite Öffnung ermöglicht das Ausströmen des Inertgases. Die zweite Öffnung kann an eine Leitung gekoppelt sein, die entweder zu einer zweiten Aufbewahrungskassette oder zu einem Auslassleitungssystem führt. Da die Abdeckung die mehreren Leiterrahmen- oder Substratstreifen luftdicht umschließt, muss die Inertgasatmosphäre lediglich innerhalb der Aufbewahrungskassette und nicht innerhalb des gesamten Aushärteofens bereitgestellt werden.
  • Die Erfindung stellt ferner einen Behälter zur Verwendung in einem Aushärteofen bereit, wobei der Behälter eine Aufbewahrungskassette und eine Abdeckung gemäß der Erfindung aufweist. Die Abdeckung kann als eine vordere und eine hintere Abdeckung ausgebildet sein. Mit der Abdeckung wird die Aufbewahrungskassette luftdicht gegenüber der inneren Gasumgebung des Ofens abgedichtet.
  • Bei einem weiteren Aspekt der Erfindung ist die zweite Öffnung so ausgeführt, dass sie über eine zweite Leitung an die erste Öffnung eines zweiten Behälters gekoppelt sein kann, um eine Kette zu bilden. Wenn mehrere Behälter im Aushärteofen angeordnet werden, um gleichzeitig ausgehärtet zu werden, führt dies zu einem kontinuierlichen Stickstofffluss durch alle Behälter. Im Übrigen ist es natürlich auch möglich, mehrere Behälter parallel zu einer Gasversorgung zu koppeln.
  • Bei einem Aspekt der Erfindung weist der Behälter ein Volumen auf, das im Vergleich zum Innenvolumen des Aushärteofens klein ist. Je kleiner das Volumen, desto besser kann eine sauerstofffreie Atmosphäre erreicht werden.
  • Bei einem weiteren Aspekt der Erfindung ist die erste Öffnung für die Zuführung des Inertgases an einem Ende des Behälters angeordnet, das dem Ende gegenüberliegt, an dem die zweite Öffnung ausgeführt ist. Um eine sauerstofffreie Atmosphäre bereitzustellen, muss sichergestellt sein, dass das Inertgas das Volumen des Behälters vollständig füllt. Somit müssen die beiden Öffnungen am Behälter so angeordnet werden, dass sichergestellt ist, dass das Inertgas das komplette Volumen füllt.
  • Die Erfindung stellt auch ein Verfahren zum Aushärten eines Chipüberzugs auf einem Leiterrahmen oder einem Substrat bereit. Das Verfahren umfasst das Anordnen von mehreren Leiterrahmen- oder Substratstreifen mit einem auszuhärtenden Chipüberzug in einer Aufbewahrungskassette. Das Verfahren umfasst ferner das luftdichte Einschließen der Leiterrahmen- oder Substratstreifen in der Aufbewahrungskassette in einem Behälter mit einer ersten und einer zweiten Öffnung. Der Behälter wird in einem Aushärteofen angeordnet, und ein Inertgas wird über die erste Öffnung in den Behälter geleitet, um die Oxidation der Leiterrahmen- oder Substratstreifen zu verhindern. Der Aushärteofen wird erwärmt, um den Chipüberzug auszuhärten. Die Temperatur, die zum Aushärten erforderlich ist, beträgt gewöhnlich etwa 300 °C. Die Temperatur hängt natürlich von dem verwendeten Chipüberzug ab. Um zu gewährleisten, dass die Leiterrahmen oder Substrate ausreichend erwärmt werden, muss das für die Abdeckung und die Aufbewahrungskassette verwendete Material eine gute Wärmeübertragung ermöglichen. Die Aufbewahrungskassetten bestehen üblicherweise aus Metall, und bei einem Aspekt der Erfindung kann die Abdeckung auch aus Metall bestehen.
  • Bei einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst das Verfahren ferner das Vorwärmen des Inertgases, bevor es in den Behälter geleitet wird. Somit wird die Wärme nicht nur von der Abdeckung und den Wänden der Aufbewahrungskassette übertragen, sondern auch von dem Inertgas selbst. Das Vorwärmen des Inertgasflusses kann durch eine spulenartige Ausführung der Leitung, die an die erste, im Aushärteofen liegende Öffnung gekoppelt ist, erreicht werden.
  • Bei einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst das Verfahren den Schritt des Zuführens des Inertgases zu Beginn des Aushärtungsprozesses mit einer ersten Durchflussrate und das Zuführen des Inertgases während der Aushärtungsprozess-Temperaturrampe mit einer zweiten Durchflussrate, wobei die erste Durchflussrate höher ist als die zweite Durchflussrate. Somit wird in einer ersten Periode der Sauerstoff ausgespült, wobei anschließend der Druck ausreicht, um die Inertgas- oder Stickstoffatmosphäre beizubehalten.
  • Figurenliste
  • Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung einer beispielhaften Ausführungsform und den beigefügten Zeichnungen. Darin zeigen:
    • - 1 eine schematische Ansicht von Aufbewahrungskassetten, die in einem Aushärteofen gemäß dem Stand der Technik angeordnet sind;
    • - 2 eine schematische Ansicht einer Anordnung von Behältern in einem Aushärteofen gemäß der Erfindung;
    • - 3 schematisch in einer vereinfachten perspektivischen Ansicht einen erfindungsgemäßen Behälter mit zwei Deckeln;
    • - 4 schematisch einen Querschnitt des Behälters entlang der Linie A aus 3.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG EINER BEISPIELHAFTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • 2 zeigt schematisch einen Aushärteofen 14, in dem sechs Behälter 18 angeordnet sind. In jedem Behälter 18 weist eine Aufbewahrungskassette 10 Leiterrahmenstreifen 12 auf, die mit gestrichelten Linien angegeben sind. Die Ausführungsform wird für Leiterrahmenstreifen erläutert, wobei es natürlich möglich ist, Substratstreifen in der Aufbewahrungskassette anzuordnen. Jeder Behälter weist eine erste Öffnung 20 auf, mit der eine Leitung 22 verbunden ist. Bei der in 2 gezeigten Ausführungsform sind die Behälter 18 über die Leitung 22 parallel gekoppelt. Ein Inertgas, beispielsweise Stickstoff, wird zur Leitung 22 und somit zu den Behältern 18 geleitet. Jeder Behälter 18 weist ferner eine zweite Öffnung auf, die in 2 nicht sichtbar ist, gegenüber der ersten Öffnung 20 liegen kann und das Ausströmen von Gasen aus dem Inneren des Behälters ermöglicht. Der Aushärteofen 14 ist mit einem Auslass 24 versehen, der das Ausströmen von Gasen aus dem Inneren des Aushärteofens ermöglicht.
  • Im Betrieb werden die Leiterrahmenstreifen 12 mit einem Chipüberzug bedeckt, der auszuhärten ist. Die Behälter 18 sind luftdicht verschlossen. Das Inertgas wird zu Beginn des Aushärtungsprozesses mit einer ersten Durchflussrate über die Leitung 22 zu den Behältern 18 geleitet. Das Inertgas wird über die ersten Öffnungen 20 in die Behälter 18 geleitet. Somit wird die Luft in den Behältern 18 über die zweite, in jedem Behälter 18 vorgesehene Öffnung ausgestoßen. Das aus den Behältern 18 ausgestoßene Gas kann über den Auslass 24 aus dem Aushärteofen 14 austreten.
  • Nach einer ersten Zeitperiode, die für die Bereitstellung einer sauerstofffreien Atmosphäre in den Behältern 18 als ausreichend betrachtet wird, wird die Temperatur des Aushärteofens 14 mit einer Aushärtungsprozess-Temperaturrampe erhöht. Die Gaszuführung zu den Behältern 18 wird auf eine zweite Durchflussrate reduziert, die niedriger ist als die erste Durchflussrate. Mit dem mit der zweiten Durchflussrate strömenden Gas wird die sauerstofffreie Atmosphäre in den Behältern 18 beibehalten. Im Vergleich zu Durchflussraten, die angewendet werden, wenn das vollständige Ofenvolumen sauerstofffrei sein muss, sind niedrigere Durchflussraten erforderlich, wenn Behälter 18 verwendet werden.
  • Wenn es erforderlich ist, Sauerstoff daran zu hindern, über die zweite Öffnung einzutreten, was von dem Teildruck abhängig ist, kann die zweite Öffnung an ein Auslassleitungssystem gekoppelt sein. Somit ist es möglich, eine Leitung an die zweite Öffnung zu koppeln. Die Wärme in dem Ofen wird über die Wände der Behälter 18 und die Atmosphäre in den Behältern 18 zu den Leiterrahmenstreifen 12 übertragen, und der Chipüberzug wird ausgehärtet.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform, die in 2 nicht gezeigt ist, wird die Gasleitung 22 in einer Spule im Aushärteofen gebildet, bevor sie an die verschiedenen Behälter 18 angeschlossen wird. Bei einem Aspekt der Erfindung ist diese Leitungsspule nahe einem Heizelement des Aushärteofens 14 angeordnet. Somit wird das durch die Leitung 22 strömende Inertgas vorgewärmt, bevor es zu den Behältern 18 geleitet wird. Dies ermöglicht eine schnellere Erwärmung der Leiterrahmenstreifen, was die gesamte Aushärtungsprozesszeit verkürzt und die Kosten des Aushärtungsprozesses verringert.
  • 2 zeigt eine Ausführungsform, bei der die Behälter parallel zur Gasversorgung gekoppelt sind. Bei einer weiteren Ausführungsform können die Behälter in Reihe gekoppelt sein, wobei die zweite Öffnung eines Behälters über eine Leitung an eine erste Öffnung eines weiteren Behälters gekoppelt ist.
  • 3 zeigt eine vereinfachte schematische perspektivische Ansicht eines Behälters 18. Der Behälter 18 weist eine Aufbewahrungskassette 10 auf, in der gestrichelt die Anordnungsebenen für die Leiterrahmenstreifen 12 angegeben sind. Die Aufbewahrungskassette 10 weist vier luftdichte Wände 26 auf, die nicht abgedeckt werden müssen. Die Seiten der Aufbewahrungskassette 10, die offen sind und über die die Leiterrahmenstreifen 12 in die Aufbewahrungskassette eingeführt werden, sind durch zwei Deckel 28, 30 verschlossen. Die Deckel 28, 30 sind jeweils mit einer Öffnung versehen, wobei eine erste Öffnung 20 in 3 zu sehen ist, während eine zweite Öffnung am Deckel 30 nicht gezeigt ist. Die erste Öffnung 20 ist so ausgeführt, dass sie über eine erste Leitung an eine Inertgasversorgung gekoppelt ist. Die zweite Öffnung kann so ausgeführt sein, dass sie über eine zweite Leitung an die erste Öffnung eines zweiten Behälters gekoppelt werden kann. Die Deckel 28 und 30 sind luftdicht an der Aufbewahrungskassette 10 befestigt. Somit umschließen die Wände 26 und die Deckel 28 und 30 ein Volumen, in dem die Leiterrahmenstreifen in einer Inertgasatmosphäre ausgehärtet werden können.
  • 4 zeigt den Behälter 18 aus 3 in einer Querschnittansicht. Der Deckel 28 weist eine erste Öffnung 20 und der Deckel 30 weist eine zweite Öffnung 32 auf. Zwischen den Deckeln 28 und 30 und der Aufbewahrungskassette 10 sind Dichtungen 34 und 36 angeordnet. Die Dichtungen 34 und 36 sind so ausgeführt, dass sie das von dem Behälter 18 umschlossene Volumen luftdicht abschließen, d. h. dass sie jeglichen Spalt zwischen den Deckeln 28, 30 und den Aufbewahrungskassettenwänden 26 schließen. Es kann jede bekannte Art von Dichtung verwendet werden, wobei es sich in einer Ausführungsform um eine Gummidichtung handelt. Die Dichtung muss natürlich den Aushärtetemperaturen und dem Inertgas standhalten.
  • Die Erfindung wurde zwar im Vorhergehenden anhand einer besonderen Ausführungsform beschrieben, sie ist jedoch nicht auf diese Ausführungsform beschränkt, und der Fachmann wird zweifellos weitere Alternativen finden, die im Umfang der Erfindung, wie sie beansprucht ist, liegen.

Claims (10)

  1. System umfassend einen Aushärteofen (14) und mehrere Behälter (18), wobei ein jeder der Behälter (18) jeweils eine Abdeckung umfasst, wobei die Abdeckung so ausgeführt ist, dass sie ein Innenvolumen einer Aufbewahrungskassette (10) luftdicht umschließt, wobei die Aufbewahrungskassette (10) derart ist, dass mehrere Leiterrahmen- oder Substratstreifen (12) mit einem auszuhärtenden Chipüberzug aufnehmbar sind, wobei der Behälter (18) in der Abdeckung eine erste Öffnung (20) für die Zuführung eines Inertgases zur Aufbewahrungskassette (10) und eine zweite Öffnung (32), um das Inertgas ausströmen zu lassen, aufweist, wobei das Volumen des Behälters (18) im Vergleich zum Innenvolumen des Aushärteofens (14) klein ist, sodass die mehreren Behälter (18) gleichzeitig in dem Aushärteofen (14) angeordnet sind, wobei die erste Öffnung (20) eines jeden Behälters (18) so ausgeführt ist, dass sie im Aushärteofen (14) über eine erste Leitung (22) an eine Inertgasversorgung gekoppelt ist, und wobei die zweite Öffnung (32) so ausgeführt ist, dass sie im Aushärteofen (14) über eine zweite Leitung an die erste Öffnung (20) eines weiteren Behälters (18) gekoppelt ist, um eine Kette zu bilden, oder an ein Auslassleitungssystem (24) gekoppelt ist, um das Inertgas ausströmen zu lassen, sodass die Aufbewahrungskassetten (10) luftdicht gegenüber einer inneren Gasumgebung des Aushärteofens (14) abgedichtet sind, und eine Inertgasatmosphäre lediglich innerhalb der Aufbewahrungskassetten (10) und nicht innerhalb des gesamten Aushärteofens (14) bereitgestellt werden muss.
  2. System nach Anspruch 1, wobei die Abdeckung die Aufbewahrungskassette (10) komplett umschließt.
  3. System nach Anspruch 2, wobei die Abdeckung in Form von zwei Deckeln (28, 30) ausgebildet ist, wobei die beiden Deckel luftdicht aneinander befestigt werden können.
  4. System nach Anspruch 1, wobei die Abdeckung in Form von zwei Deckeln (28, 30) ausgebildet ist, die luftdicht an der Aufbewahrungskassette (10) befestigt werden können.
  5. System nach Anspruch 4, wobei die beiden Deckel (28, 30) an die abzudeckende Aufbewahrungskassette (10) angepasst sind, sodass sie zusammen alle Öffnungen der Aufbewahrungskassette (10) abdecken.
  6. System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die luftdichte Abdichtung (34) mit einem Formstück aus Gummi erreicht wird.
  7. System nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 6, wobei die erste Öffnung (20) für die Zuführung des Inertgases an einem Ende des Behälters (18) angeordnet ist, das dem Ende gegenüberliegt, an dem die zweite Öffnung (32) liegt.
  8. Verfahren zum Aushärten eines Chipüberzugs auf einem Leiterrahmen oder einem Substrat unter Verwendung eines Systems nach Anspruch 1, das Folgendes umfasst: a) Anordnen von mehreren Leiterrahmen- oder Substratstreifen (12) mit einem auszuhärtenden Chipüberzug in mehreren Aufbewahrungskassetten (10), b) luftdichtes Einschließen der Leiterrahmen- oder Substratstreifen (12) in den Aufbewahrungskassetten (10) in mehreren Behältern (18) mit jeweils einer ersten (20) und einer zweiten Öffnung (32), c) Anordnen der Behälter (18) in einem Aushärteofen (14), wobei die erste Öffnung (20) der Behälter (18) über eine erste Leitung mit einer Inertgasversorgung (22) gekoppelt wird, und wobei die zweite Öffnung (20) der Behälter (18) über eine zweite Leitung an die erste Öffnung (32) eines weiteren Behälters (18) gekoppelt wird, um eine Kette zu bilden, oder an ein Auslassleitungssystem (24) gekoppelt wird, sodass die Aufbewahrungskassetten (10) der Behälter (18) luftdicht gegenüber einer inneren Gasumgebung des Aushärteofens (14) abgedichtet sind, und eine Inertgasatmosphäre lediglich innerhalb der Aufbewahrungskassetten (10) und nicht innerhalb des gesamten Aushärteofens (14) bereitgestellt werden muss, d) Zuführen eines Inertgases in die Behälter (18) über jeweils die erste Öffnung (20), um eine Oxidation der Leiterrahmen- oder Substratstreifen (12) zu verhindern, e) Erwärmen des Aushärteofens (14) zum Aushärten des Chipüberzugs, f) Auslassen des Inertgases aus den Behältern (18) über jeweils die zweite Öffnung (32).
  9. Verfahren nach Anspruch 8, das ferner Folgendes umfasst: Vorwärmen des Inertgases, bevor es in die Behälter (18) geleitet wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, bei dem der Schritt des Zuführens eines Inertgases das Zuführen des Inertgases zu Beginn des Aushärtungsprozesses mit einer ersten Durchflussrate und das Zuführen des Inertgases während einer Aushärtungsprozess-Temperaturrampe mit einer zweiten Durchflussrate umfasst, wobei die erste Durchflussrate höher ist als die zweite Durchflussrate.
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