DE102010003557A1 - Gleichrichter für Wechselstromgeneratoren - Google Patents
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Abstract
Gleichrichter (23) für Wechselstromgeneratoren, mit Diodenbauteilen (35) und einer Verschaltungseinrichtung (26), wobei die Verschaltungseinrichtung (26) Leiter (32) aufweist, die mit den Diodenbauteilen (35) elektrisch leitfähig verschaltet sind, um eine Gleichrichterschaltung zu verwirklichen, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Leiter (32) der Verschaltungseinrichtung (26) mindestens einen Leiterbereich (47) aufweist, der einen gegenüber einem benachbarten Leiterbereich (50) des Leiters (32) verringerten Biegewiderstand aufweist.
Description
- Stand der Technik
- Aus der
DE 19705228A1 ist ein Gleichrichter bekannt der als Leiter zur Verschaltung von Diodenbauteilen mit Ständeranschlussdrähten Runddraht aufweist. Ein Vorteil des Gegenstandes des Anspruchs 1 besteht in der Reduzierung von statischen und/oder dynamischen Kräften auf die Anschlussdrähte der Diodenbauteilen. Infolgedessen sind die Risiken von Brüchen der Anschlussdrähte von Diodenbauteilen verringert. - Offenbarung der Erfindung
- Der Leiter zur Verschaltung von Diodenbauteilen kann dabei so ausgelegt werden, dass die geschweißte oder gelötete Verbindungsstelle zwischen Diodenbauteilen und Leiter gegenüber der Verschaltungseinrichtung flexibler ist.
- Die größere Flexibilität bzw. Nachgiebigkeit ist mit der Einführung einer Prägung und ggf. zusätzlicher Biegung erreichbar. Durch die Prägung weist der Leiter einen kleineren Durchmesser bzw. eine kleinere Dicke auf und damit in der Region bzw. Nähe eines Diodenkopfdrahts bzw. Anschlussdrahts des Diodenbauteils einen geringeren Biegewiderstand. Die Prägung, Biegung, der kleinere Durchmesser oder die kleinere Dicke kann in unterschiedliche Richtungen orientiert sein.
- Eine Biegung verlängert die Gesamtlänge des Drahts bzw. Leiter zur Verschaltung von Diodenbauteilen, deshalb wird der Anschlussplattendraht flexibler.
- Die Ausführungen sind sowohl bei einfachem als auch doppeltem (Schlaufe) Anschlussplattendraht bzw. Leiter zur Verschaltung von Diodenbauteilen möglich.
- Die Anschlussplattendrähte können unterschiedlich und nicht nur wie in den Zeichnungen gezeigt ausgeführt werden. Merkmal aller Ausführungen ist, dass es im Leiter zur Verschaltung von Diodenbauteilen zu einer lokalen Schwächung der Steifigkeit kommt. Die einzelnen Formen können in einer Anschlussplatte, die eine Ausführungsform einer Verschaltungseinrichtung ist, beliebig kombiniert werden.
- Die Prägungen und ggf. zusätzliche Biegungen oder ähnliche Merkmale können in einen gefertigten Anschlussplattendraht ohne zusätzliche Materialkosten eingefügt werden, oder Bestandteil während ihrer Fertigung sein. Das Prägen oder Biegen kann auch erhöhter Temperatur (oberhalb Raumtemperatur) vorgenommen werden. Um den Durchmesser des Drahtes bzw. Leiters zur Verschaltung von Diodenbauteilen zu verkleinern, kann der dieser Anschlussplattendraht anstatt geprägt auch maschinell nachgearbeitet bzw. gestanzt werden.
- Der Leiter zur Verschaltung von Diodenbauteilen bzw. Anschlussplattendraht kann rund bzw. flach oder irgendeinen beliebigen Querschnitt haben. Dieser kann einen größeren oder kleineren Durchmesser als der Diodenkopfdraht bzw. Anschlussdraht des Diodenbauteils haben. Dimensionen von Prägung/Biegung können abhängig vom Modell zu Modell Abweichend sein. Alle Anschlussplattendrähte müssen in einem Gleichrichter nicht immer gleich aussehen. Das Material des Leiters zur Verschaltung von Diodenbauteilen und/oder des Anschlussdrahts des Diodenbauteils (Diodenkopfdraht) kann im besten Fall Kupfer sein, muss es aber nicht. Das Kupfer kann mit einem anderen Material beschichtet sein, bspw. Nickel.
- Für den Fall, dass der Anschlussplattendraht wie eine Schlaufe ausgeführt ist, brauchen die beiden Drähte bzw. Drahtschenkel der Schlaufe nicht gleiche tief geprägt oder gebogen sein.
- Außerdem kann der Anschlussplattendraht durch aneinander anlegen der Drahtschenkel von U-förmigen Schlaufen noch nachgiebiger bzw. flexibler werden.
- Weist der Leiter eine U-Form mit einem Scheitelbereich auf und umgreift einen Anschlussdraht, wobei sich auf einer inneren Seite des Scheitelbereichs eine Kerbe befindet, wird der Verbindungsprozess zwischen Anschlussdraht und Verschaltungsdraht unterstützt, da sich die beiden Drahtschenkel leichter zusammenpressen lassen.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen.
- Die Erfindung wird anhand mehrer Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf Zeichnungen näher erläutert:
-
1 zeigt schematisch einen Wechselstromgenerator mit einem Gleichrichter, -
2 bis12 verschiedene Ausführungsbeispiele von Leitern einer Verschaltungseinrichtung, die mit den Diodenbauteilen elektrisch leitfähig verschaltet sind. - Ausführungsformen der Erfindung
-
1 zeigt schematisch einen Wechselstromgenerator20 mit einem Gleichrichter23 . Der Gleichrichter23 ist in2 ausschnittweise gezeigt und hat eine Verschaltungseinrichtung26 , die in einem Isolierstoff29 eingebettet einige Leiter32 trägt. Der Leiter32 ist mit einem Diodenbauteil35 an einer Verbindungsstelle38 stoffschlüssig bspw. durch Schweißen oder Löten elektrisch leitfähig verschaltet, um eine Gleichrichterschaltung zu verwirklichen. Das Diodenbauteil35 ist als Einpressdiode ausgeführt und sitzt in einer Aussparung41 eines Kühlkörpers44 . Der Leiter32 der Verschaltungseinrichtung26 weist mindestens einen Leiterbereich47 auf, der einen gegenüber einem benachbarten Leiterbereich50 des Leiters32 einen verringerten Biegewiderstand aufweist. - Gemäß der in
2 dargestellten Ausführung weist der Leiterbereich47 mit verringertem Biegewiderstand hierzu mindestens eine Stanzstelle53 auf. Hier sind zwei Stanzstellen53 ausgeführt, siehe auch die Draufsicht in3 . Hier ist deutlich die Ausführung des Leiters32 als Schlaufe dargestellt, die einen Anschlussdraht56 des Diodenbauteiles35 umgreift bzw. umschlingt. - In
4 ist an Stelle einer Stanzstelle eine Prägestelle59 ausgeführt, die hier einander gegenüberliegend am Leiter32 eingearbeitet sind. Hier ist gezeigt, dass die Prägestelle59 einen Querschnitt65 aufweist, dessen kürzeste Länge Lk in Richtung einer Längserstreckung R eines Anschlussdrahtes56 eines Diodenbauteiles35 orientiert ist. - In
5 ist gezeigt, dass der Leiterbereich47 mit verringertem Biegewiderstand hierzu an dieser Stelle nicht nur eine Prägestelle59 , sondern zusätzlich eine Biegung62 aufweist. - In
6 und7 ist gezeigt, dass die Prägestelle59 einen Querschnitt65 aufweist, dessen kürzeste Länge Lk quer zur Richtung einer Längserstreckung R eines Anschlussdrahtes56 eines Diodenbauteiles35 orientiert ist. - Gemäß
8 ist vorgesehen, dass der Leiter32 eine U-Form mit einem Scheitelbereich68 aufweist und einen Anschlussdraht56 umgreift, wobei sich auf einer inneren Seite71 des Scheitelbereichs68 eine Kerbe74 befindet. Durch Zusammenpressen zweier Schweißzangenbacken75 und dadurch Zusammendrücken der U-Form an den Anschlussdraht56 bei gleichzeitigen Schweißen, ist ein Verbinden des Anschlussdrahts56 mit dem Leiter32 möglich, was durch die Kerbe74 vereinfacht wird. Die Schweißzangenbacken75 überragen den Anschlussdraht56 in etwa um a = 1,5 mm. Der Abstand zwischen der Stelle mit verringertem Biegewiderstand (Leiterbereich47 ) und den Schweißzangenbacken75 soll in etwa b = 1,0 mm betragen. - In
9a und9b ist ein U-förmiger Leiter32 (Anschlussplattendraht) in einer Drauf- und einer Seitenansicht dargestellt. Durch aneinander Anlegen oder nahezu aneinander Anlegen der Drahtschenkel von U-förmigen Schlaufen werden diese noch nachgiebiger bzw. flexibler. In10a sind die Schenkel77 durch den elastischen Anteil der Biegung nur nahezu aneinander gelegt. In den Bereichen80 ist vorgesehen, die Stelle mit verringertem Biegewiderstand vorzusehen (Stanzung, Prägung mit ggf. zusätzlicher Biegung). - In
10a und10b ist ein stabförmiger Leiter32 (Anschlussplattendraht) in einer Drauf- und einer Seitenansicht dargestellt. - In
11a und11b ist ein schlaufenförmiger Leiter32 (Anschlussplattendraht) in einer Drauf- und einer Seitenansicht dargestellt. Der Leiter32 ist dabei aus einer Ebene herausgebogen, so dass sich die Schlaufe mit einem Teil ihrer Schenkel77 zumindest in etwa parallel zu dem Anschlussdraht56 (Diodenkopfdraht) befindet. - In allen Ausführungsbeispielen befindet oder befinden sich die Bereiche
80 mit den Stellen mit verringertem Biegewiderstand (Stanzung, Prägung mit ggf. zusätzlicher Biegung) zwischen dem Isolierstoff29 und dem Anschlussdraht56 (Diodenkopfdraht). Gemäß11a und11b können die Bereiche80 sowohl nahe dem Isolierstoff29 oder/und nahe der Verbindungsstelle38 sein. - Insgesamt ist vorgesehen, dass der Leiter
32 ein Runddraht ist, dessen Materialstärke in etwa halbiert oder weniger als halbiert wird. In Abhängigkeit vom Ort des Bereiches80 und dem Unterschied des Durchmessers des Anschlussdrahts56 (Diodenkopfdraht) und des Leiters32 kann die Materialstärke auch mehr als nur halbiert werden. - Gemäß
12 kann der Leiter32 zuerst geprägt und/oder gebogen sein. Dieser Leiter32 bzw. dessen Leiterbereich47 weist einen verringerten Biegewiderstand auf. Dieser Leiterbereich47 kann teilweise von Kunststoff (Isolierstoff29 ) der Verschaltungseinrichtung26 durch umspritzen umgeben sein. So hat man den Vorteil, dass man Platz spart und gleichzeitig Flexibilität durch den Leiterbereich47 . Der Leiterbereich47 mit Prägung weist eine ganz glatte Transformation von größeren Durchmessern zu kleinerer materialreduzierter Prägung auf. Durch diese Prägung erhält man somit keine Kerbe. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 19705228 A1 [0001]
Claims (8)
- Gleichrichter (
23 ) für Wechselstromgeneratoren, mit Diodenbauteilen (35 ) und einer Verschaltungseinrichtung (26 ), wobei die Verschaltungseinrichtung (26 ) Leiter (32 ) aufweist, die mit den Diodenbauteilen (35 ) elektrisch leitfähig verschaltet sind, um eine Gleichrichterschaltung zu verwirklichen, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Leiter (32 ) der Verschaltungseinrichtung (26 ) mindestens einen Leiterbereich (47 ) aufweist, der einen gegenüber einem benachbarten Leiterbereich (50 ) des Leiters (32 ) verringerten Biegewiderstand aufweist. - Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Leiterbereich (
47 ) mit verringertem Biegewiderstand hierzu eine Prägestelle (59 ) aufweist. - Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Leiterbereich (
47 ) mit verringertem Biegewiderstand hierzu mindestens eine Stanzstelle (53 ) aufweist. - Gleichrichter nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Leiterbereich (
47 ) mit verringertem Biegewiderstand hierzu an dieser Stelle zusätzlich eine Biegung (62 ) aufweist. - Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Prägestelle (
59 ) einen Querschnitt (65 ) aufweist, dessen kürzeste Länge (Lk) quer zu oder in Richtung einer Längserstreckung (R) eines Anschlussdrahtes (56 ) eines Diodenbauteiles (35 ) orientiert ist. - Gleichrichter nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Leiter (
32 ) eine U-Form mit einem Scheitelbereich (68 ) aufweist und einen Anschlussdraht (56 ) umgreift, wobei sich auf einer inneren Seite (71 ) des Scheitelbereichs (68 ) eine Kerbe (74 ) befindet. - Gleichrichter nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verschaltungseinrichtung (
26 ) als Anschlussplatte ausgeführt ist. - Wechselstromgenerator mit einem Gleichrichter nach einem der vorstehenden Ansprüche.
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WO2011120830A3 (de) | 2012-06-21 |
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