DE102010001407A1 - Integrated antennas at wafer level - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul zur Erzeugung und/oder zum Empfang elektromagnetischer Strahlung. Es weist eine erste Gehäusemoldmassenschicht (126) auf, sowie ein IC-Bauelement (102, 202) mit einem integrierten Schaltkreis, das in die erste Gehäusemoldmassenschicht (126, 204) eingebettet ist, eine Zwischenschicht (117, 206) mit einer Umverdrahtungsschicht (121, 208), die an dem IC-Bauelement (102, 202) angeschlossen ist und die dazu dient, das IC-Bauelement (102, 202) extern anzuschließen. Außerdem ist wenigstens eine integrierte Antennenstruktur (106, 108, 210) vorgesehen, die innerhalb der Zwischenschicht (117, 206) angeordnet und an dem IC-Bauelement (102, 202) angeschlossen ist. Weiterhin ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleitermoduls vorgesehen.The invention relates to a semiconductor module for generating and / or receiving electromagnetic radiation. It has a first housing gold mass layer (126) and an integrated circuit (IC) device (102, 202) embedded in the first housing gold mass layer (126, 204), an intermediate layer (117, 206) having a redistribution layer (121 , 208) which is connected to the IC device (102, 202) and which serves to externally connect the IC device (102, 202). In addition, at least one integrated antenna structure (106, 108, 210) is provided, which is arranged within the intermediate layer (117, 206) and connected to the IC component (102, 202). Furthermore, a method for producing such a semiconductor module is provided.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Verfahren und Systeme, die im Zusammenhang mit Hochfrequenz (RF)-Kommunikationseinrichtungen stehen.The The present invention relates generally to methods and systems, related to radio frequency (RF) communication equipment.

Bei Radarsystemen mit Wellenlängen im Millimeterbereich, wie sie beispielweise in Fahrzeugsystemen und Komfortanwendungen eingesetzt werden, werden Antennenstrukturen auf hochfrequenztauglichen Substraten oder auf hochfrequenztauglichen gedruckten Leiterplatten (”HF PCBs”) angeordnet, was aufgrund der besonders hohen Kosten derartiger hochfrequenztauglicher Substrate die Gesamtkosten der Konstruktion erhöht. Antennen wie beispielsweise Mikrostrip-Antennen (z. B. sogenannte Patch-Antennen) werden oft auf solchen speziellen hochfrequenztauglichen Substraten aufgebaut. Die genannten HF PCBs beruhen konstruktiv oftmals auf Rogers®, Taconic® oder anderen PTFE-Materialien (PTFE = Poly Tetra Fluor Ethylen).In millimeter wavelength radar systems, such as those used in vehicle systems and comfort applications, antenna structures are placed on high frequency substrates or on high frequency suitable printed circuit boards ("HF PCBs"), which increases the overall design cost due to the particularly high cost of such high frequency substrates. Antennas such as microstrip antennas (eg, so-called patch antennas) are often constructed on such special high frequency substrates. Said RF PCBs based on constructive often Rogers ®, Taconic ® or other PTFE materials (PTFE = poly tetrafluoroethylene).

Die Ausgangsleistung von Millimeterwellen kann mit einem monolithisch integrierten Mikrowellenhalbleiterschaltkreis (MMIC = monolithic microwave integrated circuit) erzeugt werden, der ebenfalls auf einem HF PCB angeordnet sein kann. MMIC Bauelemente verrichten typischerweise Funktionen wie z. B. das Mischen von Mikrowellen, Leistungsverstärkung, rauscharme Verstärkung, sowie das Schalten von Hochfrequenzen. Eingänge und Ausgänge von MMIC Bauelementen sind häufig auf eine charakteristische Impedanz (z. B. 50 Ohm) abgestimmt und mit einer Antenne verbunden. Diese Verbindungen zwischen MMIC Bauelementen und einer Antenne verursachen generell ein verlustbehaftetes Chip-/Leiterplatteninterface (z. B. Bonddrähte).The Output power of millimeter waves can be monolithic with one integrated microwave semiconductor circuit (MMIC = monolithic Microwave integrated circuit) are generated, which also on an RF PCB can be arranged. MMIC components typically perform Functions such. As the mixing of microwaves, power amplification, low noise gain as well as the switching of high frequencies. Inputs and outputs of MMIC components are common tuned to a characteristic impedance (eg 50 ohms) and connected to an antenna. These connections between MMIC devices and an antenna generally cause a lossy chip / PCB interface (eg, bonding wires).

Immer wenn eine Energiequelle wie beispielsweise ein MMIC Bauelement Energie an eine Last abgibt, wird die Energie dann am effizientesten übertragen, wenn die Impedanz der Last gleich der komplex Konjugierten der Impedanz der Quelle ist oder an diese angepasst ist (Impedanzanpassung). Wenn zwei Impedanzen zueinander komplex konjugiert sind, sind ihre Widerstände gleich und ihre Recktanzen haben dieselben Beträge, allerdings unterschiedliche Vorzeichen. Eine derartige Impedanzabstimmung zwischen Antennen und Chipausgang kann durch große Herstellungstoleranzen beim Bondprozess und bei der Verdrahtung der Leiterplatte (PCB) beeinträchtigt sein.always if an energy source such as an MMIC device is energy on a load, the energy is then transferred most efficiently, when the impedance of the load equals the complex conjugate of the impedance the source is or is adapted to it (impedance matching). If When two impedances are complexed to one another, their resistances are the same and their reactances have the same amounts, but different ones Sign. Such impedance matching between antennas and chip output can be through big Manufacturing tolerances in the bonding process and in the wiring the printed circuit board (PCB) is impaired be.

Wegen des großen Bedarfs an einem effizienten, preisgünstigeren und wirkungsvollen Radarempfang sind die Hersteller mit der Herausforderung konfrontiert, Antennenbaugruppen bereitzustellen, bei denen in demselben Radarsystem der mögliche Arbeitsbereich, die Datenrate und die integrierte Leistung maximal sind.Because of of the big one Demand for an efficient, less expensive and effective Radar reception, manufacturers are faced with the challenge To provide antenna assemblies in which in the same radar system the possible workspace, the data rate and the integrated performance are maximum.

Die nachfolgende Erläuterung stellt eine vereinfachte Zusammenfassung dar, um ein grundsätzliches Verständnis von einem oder mehreren Aspekten der Erfindung zu ermöglichen. Diese Zusammenfassung stellt keinen umfassenden Überblick über die Erfindung dar und ist sie weder dazu gedacht, Schlüsselelemente oder kritische Elemente der Erfindung herauszustellen, noch dazu, deren Schutzbereich abzugrenzen. Vielmehr besteht der wichtigste Zweck der Zusammenfassung darin, einige Konzepte der Erfindung in vereinfachter Form als Hinführung auf die später dargelegte, detaillierte Beschreibung vorzustellen.The following explanation represents a simplified summary to a fundamental understanding to enable one or more aspects of the invention. This summary is not a comprehensive overview of the invention and is they are neither meant to be key elements or to highlight critical elements of the invention, delimit their scope of protection. Rather, the most important purpose In summary, some concepts of the invention are simplified in the summary Form as an introduction to The later presented detailed description.

Die Integration von Elektronik in einer Baugruppe einschließlich Antennen kann die Kosten verringern und die Effizienz erhöhen. Dies kann mittels einer Waferbaugruppe erfolgen, wie dies beispielsweise bei einem eingebetteten (”embedded”) Gitter Array auf Waferebene der Fall ist, bei dem die Baugruppe in einem Verfahren auf Waferebene hergestellt wird. Bei dem Wafer-Herstellungsprozess kann ein ”Moldwafer” bereitgestellt werden, bei dem eine Metallisierungsschicht (d. h. eine Leiterbahnschicht) und dreidimensionale Verbindungen. (z. B. Lotkugeln) verwendet werden. Das Verfahren ist präzise und des halb für die Konfektionierung im Hochfrequenzbereich geeignet. Der konfektionierte Chipsatz und die Antenne sind auf der Konfektionierungsebene integriert und können in einem Frequenzbereich von beispielsweise 77 GHz betrieben werden.The Integration of electronics in an assembly including antennas can reduce costs and increase efficiency. This can be done by means of a Wafer assembly done, as for example in an embedded ("Embedded") grid array At the wafer level, the case is where the assembly is in a process produced at the wafer level. In the wafer manufacturing process a "Mold Wafer" may be provided in which a metallization layer (i.e., a wiring layer) and three-dimensional connections. (For example, solder balls) are used. The process is precise and of half for the assembly in the high frequency range suitable. The ready-made Chipset and the antenna are integrated on the packaging level and can be operated in a frequency range of for example 77 GHz.

Die folgende Beschreibung und die beigefügten Zeichnungen legen bestimmte anschauliche Aspekte und Ausgestaltungen der Erfindung dar. Sie zeigen nur einige von verschiedenen Möglichkeiten auf, wie die Prinzipien der Erfindung umgesetzt werden können.The The following description and the accompanying drawings disclose certain vivid aspects and embodiments of the invention. They show just a few of different ways how the principles of the invention can be implemented.

1a zeigt eine Draufsicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung; 1a shows a plan view of a semiconductor module according to an embodiment of the present invention;

1b–1d zeigen Querschnitte verschiedener Ausgestaltungen eines Halbleitermoduls, die einige Aspekte der vorliegenden Erfindung aufzeigen; 1b - 1d show cross-sections of various embodiments of a semiconductor module, showing some aspects of the present invention;

2a–2c zeigen Querschnitte verschiedener Ausgestaltungen eines Halbleitermoduls, die einige Aspekte der vorliegenden Erfindung aufzeigen; 2a - 2c show cross-sections of various embodiments of a semiconductor module, showing some aspects of the present invention;

3a–3f zeigen verschiedene Ausgestaltungen von Antennenstrukturen bei der vorliegenden Erfindung; 3a - 3f show various embodiments of antenna structures in the present invention;

4a zeigt ein Beispiel einer Dipol-Antennenstruktur gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung; 4a shows an example of a dipole antenna structure according to one aspect of the present invention;

4b zeigt ein Beispiel eines Halbleitermoduls entsprechend einem Aspekt der vorliegenden Erfindung; und 4b shows an example of a semiconductor module according to one aspect of the present invention; and

5 zeigt ein Flussdiagramm, welches ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls gemäß einem Aspekt der Erfindung veranschaulicht. 5 FIG. 12 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a semiconductor module according to one aspect of the invention. FIG.

Nachfolgend werden eine oder mehrere Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung in Bezug auf die beigefügten Zeichnungen erläutert, wobei für gleichartige Elemente durchgängig dieselben Bezugszeichen verwendet werden.following become one or more embodiments of the present invention in relation to the attached Drawings explained, being for like Elements throughout the same reference numerals are used.

Integrierte Waferbaugruppen können mit Antennenstrukturen, die mittels einer mit dem Chip verbundenen Einspeisestruktur, welche direkt und ohne gebondete Interfacestruktur, die sich außerhalb von Bondpad-Verbindungen des IC-Bauteils befindet, integriert werden. Beispielsweise kann wenigstens eine Antenne mit dem Chip mittels einer Interfaceschicht, welche eine Metallisierungsschicht (z. B. eine Umverdrahtungsschicht) aufweist, mit einer Gehäusevergussmasse mit dem darin eingebetteten Chip gekoppelt sein. Die Interfaceschicht integriert die Komponenten der Antenne direkt in derselben Baugruppe und kann außerdem dreidimensionale Verbindungsstrukturen (z. B. Lotkugeln) aufweisen, die dazu ausgebildet sind, den Chip extern anzuschließen. Teure hochfrequenztaugliche Substrate und verlustreiche Interfaces können dadurch bei Hochfrequenzanwendungen (z. B. beim Empfang von Radarwellen im Millimeterbereich) bei der Integration von Antennen in ein Gehäuse eliminiert werden.integrated Wafer assemblies can with antenna structures connected by means of a chip Feed structure, which directly and without a bonded interface structure, who are outside from bondpad connections of the integrated circuit component. For example, at least one antenna can be connected to the chip by means of an interface layer comprising a metallization layer (eg a Redistribution layer), with a housing casting compound having therein be coupled embedded chip. The interface layer integrates the Components of the antenna directly in the same assembly and can also have three-dimensional connection structures (For example, solder balls), which are adapted to the chip connect externally. Expensive high-frequency substrates and lossy interfaces can thereby at high frequency applications (eg when receiving radar waves in the millimeter range) in the integration of antennas in a housing eliminated become.

1a zeigt eine Draufsicht auf ein Halbleitermodul 100 mit einer integrierten Antennenstruktur die gemäß einer beispielhaften Ausgestaltung der Erfindung, die mit einem Chip 102 und einem integrierten Schaltkreis integral gehäust ist, um eine drahtlose Übertragung zu ermöglichen. Beispielsweise kann das Modul 100 darin eingebaute integrierte Antennenstrukturen 106 und 108 aufweisen, die außerdem mit dem IC-Chip 102 integriert sind. Obwohl vorliegend zwei Antennenstrukturen 106 und 108 gezeigt sind, ist die vorliegende Erfindung nicht auf irgendeine bestimmte Anzahl von Antennenstrukturen beschränkt. Das Modul 100 weist deshalb wenigstens eine integrierte Antennenstruktur für das Senden/Empfangen von Datensignalen (z. B. Ausgangssignale im Millimeterlängenbereich) auf. 1a shows a plan view of a semiconductor module 100 with an integrated antenna structure according to an exemplary embodiment of the invention, with a chip 102 and an integrated circuit is integrally housed to enable wireless transmission. For example, the module 100 built-in integrated antenna structures 106 and 108 which, in addition, with the IC chip 102 are integrated. Although in the present case two antenna structures 106 and 108 are shown, the present invention is not limited to any particular number of antenna structures. The module 100 Therefore, it has at least one integrated antenna structure for transmitting / receiving data signals (eg output signals in the millimeter length range).

Das Halbleitermodul 100 kann eine Wafereinheit 104 aufweisen, beispielsweise eine Einheit 104 mit einer eingebetteten Ball Grid Array Einheit 104 auf Waferebene (eWLB = embedded Wafer Level Ball Grid Array), welche einen Chip 102 mit einem integrierten Schaltkreis IC aufweist. Bei dem Chip 102 mit dem integrierten Schaltkreis IC kann es sich um jeden beliebigen Schaltkreis wie beispielsweise einen beliebigen Siliziumchip handeln, der in die Einheit 104 eingebettet ist. Beispielsweise kann es sich bei dem Chip 102 um einen integrierten Schaltkreis handeln, der als monolithisch integrierter Mikrowellenschaltkreis (MMIC = Monolithic Microwafe Integrated Circuit) für mikrowellentechnische Prozesse ausgebildet ist. MMIC Baugruppen führen typischerweise Funktionen wie das Mischen von Mikrowellen, Leistungsverstärkung, rauscharme Verstärker und Hochfrequenzschalten durch. MMICs weisen kleine Abmessungen (von etwa 1 mm2 bis 10 mm2) auf und können in Massenfertigung hergestellt werden, was die Verbreitung von Hochfrequenzgeräten wie beispielsweise Mobiltelefonen ermöglicht hat. MMICs besitzen grundsätzlich Vorteile, nämlich die Geschwindigkeit von Transistorbauteilen sowie ein halb isolierendes Substrat. Beide Faktoren können beim Entwurf von Hochfrequenzschaltkreisfunktionen hilfreich sein.The semiconductor module 100 can be a wafer unit 104 have, for example, a unit 104 with an embedded ball grid array unit 104 at the wafer level (eWLB = embedded wafer level ball grid array), which is a chip 102 having an integrated circuit IC. At the chip 102 The integrated circuit IC may be any circuit, such as any silicon chip, incorporated into the unit 104 is embedded. For example, the chip may be 102 to an integrated circuit, which is designed as a monolithic microwave integrated circuit (MMIC = Monolithic Microwafe Integrated Circuit) for microwave processes. MMIC packages typically perform such functions as microwave mixing, power amplification, low noise amplifiers and high frequency switching. MMICs are small in size (from about 1 mm 2 to 10 mm 2 ) and can be mass produced, which has allowed the proliferation of high frequency devices such as cell phones. In principle, MMICs have advantages, namely the speed of transistor components and a semi-insulating substrate. Both factors can be helpful in designing high frequency circuit functions.

Die Wafereinheit 104 kann dreidimensionale (3D) Verbindungs-/Interfacestrukturen 110, wie beispielsweise Lotkugeln, aufweisen, die oberflächenmontierbar sein können. Die 3D-Bondverbindungsstrukturen 110 können als externe Kontakte, als mechanische Abstützung und/oder als Abstandhalter zwischen der Wafereinheit 104 und externen Kontakten (z. B. Anschlüsse auf einer Leiterplatte) dienen. Beispielsweise können die 3D-Verbindungsstrukturen 110 elektrische Verbindungen zwischen aktiven Komponenten des Chips 102 mit seinem integrierten Schaltkreis IC oder zwischen externen Komponenten bereitstellen. Die Verbindungsstrukturen können eine Vielzahl verschie dener Bondmaterialien wie beispielsweise Bondmetalle (z. B. Sn, Ag und/oder Cu) umfassen.The wafer unit 104 can create three-dimensional (3D) interconnect / interface structures 110 , such as solder balls, which may be surface mountable. The 3D bond structures 110 can be used as external contacts, as a mechanical support and / or as a spacer between the wafer unit 104 and external contacts (eg, connectors on a circuit board). For example, the 3D connection structures 110 electrical connections between active components of the chip 102 with its integrated circuit IC or between external components. The interconnect structures may include a variety of different bonding materials, such as bonding metals (eg, Sn, Ag, and / or Cu).

Die Wafereinheit 104 umfasst eine Gehäusemoldmasse 112, in die der IC-Chip 102 und Lotkugeln 110 integriert sein können und/oder auf wenigstens einer Seite durch die Moldmasse eingekapselt sein können. Der IC-Chip 102 umfasst auf einer Oberfläche des Chips Bondflächen oder Kontaktflächen 116, um elektrische Verbindungen vom Chip 102 zu Kontakten (z. B. über Bonddrähte 114) zu ermöglichen. Der Abstand der Kontaktflächen 116 und des Siliziums dazwischen kann etwa 0,1 mm betragen, weshalb die Verbindung zu einer Leiterplatte mit Bonddrähten 114 effizienter erfolgen kann als durch direkten Kontakt. Die Bonddrähte 114 können die Kontaktflächen 116 auf dem IC-Chip 102 mit den 3D-Interfacestrukturen 110 verbinden.The wafer unit 104 includes a housing gold mass 112 into which the IC chip 102 and solder balls 110 may be integrated and / or encapsulated on at least one side by the molding compound. The IC chip 102 comprises bonding surfaces or contact surfaces on a surface of the chip 116 to get electrical connections from the chip 102 to contacts (eg via bonding wires 114 ). The distance of the contact surfaces 116 and the silicon in between can be about 0.1 mm, which is why the connection to a printed circuit board with bonding wires 114 more efficient than through direct contact. The bonding wires 114 can the contact surfaces 116 on the IC chip 102 with the 3D interface structures 110 connect.

Die integrierte Antennenstruktur 106 und die integrierte Antennenstruktur 108 können dazu eingesetzt werden, drahtlose Kommunikationssignale daselbst zu senden und/oder zu empfangen, um eine Transceiverbaugruppe zu bilden. Obwohl die integrierten Antennenstrukturen 106 und 108 als zwei getrennte Antennenstrukturen gezeigt sind, können sie ebenso als eine Antennenstruktur ausgebildet sein, die daselbst als Transceiver zum Senden und/oder Empfangen fungiert. Außerdem können mehr als zwei Antennenstrukturen in die Einheit 104 integriert und in verschiedenen Winkeln zueinander positioniert werden, um eine optimale Wirkung und eine minimale transformatorische Kopplung zu erreichen.The integrated antenna structure 106 and the integrated antenna structure 108 can be used to provide wireless communication signals self-transmit and / or receive to form a transceiver assembly. Although the integrated antenna structures 106 and 108 As shown as two separate antenna structures, they may also be implemented as an antenna structure which functions as a transceiver for transmission and / or reception. In addition, more than two antenna structures in the unit 104 integrated and positioned at different angles to each other to achieve optimum effect and minimal transformer coupling.

Die integrierte(n) Antennenstruktur(en) kann/können ebenso jede beliebige Art verschiedener Planarantennen umfassen. Beispielsweise können die Antennenstrukturen 106 und/oder 108 Dipolantennen (3a), gefaltete Dipolantennen (3b), Ringantennen (3c), Rechteck-Rahmenantennen (3d), Patchantennen (3e), coplanare Patchantennen (3f), Slotantennen, Monopolantennen etc. aufweisen, und zwar zusätzlich zu einer oder mehreren verschiedenen Typen von Netz werken zur Antennenspeisung und/oder zur Impedanzanpassung wie beispielweise symmetrische Zuleitungen (balanced differential lines), koplanare Zuleitungen etc., wie sie der Fachmann bevorzugt.The integrated antenna structure (s) may also include any type of planar antenna. For example, the antenna structures 106 and or 108 Dipole antennas ( 3a ), folded dipole antennas ( 3b ), Ring antennas ( 3c ), Rectangular loop antennas ( 3d ), Patch antennas ( 3e ), coplanar patch antennas ( 3f ), Slot antennas, monopole antennas, etc., in addition to one or more different types of networks for antenna feeding and / or impedance matching, such as balanced differential lines, coplanar leads, etc., as preferred by those skilled in the art.

Gemäß einer Ausgestaltung kann die integrierte Antennenstruktur 106 und/oder 108 mit dem Chip 102 und der Gehäusemoldmasse 112 in die Einheit 104 integriert werden. Beispielsweise können die integrierte Antenne 106 und/oder 108 durch eine Zwischenschicht, die eine Umverdrahtung oder eine Metallisierungsschicht enthält, in die selbe Schicht integriert werden, wie die 3D-Verbindungsstrukturen 110 (z. B. Lotkugeln) (weiter unten erörtert). Hierdurch wird es möglich, dass die Antennen innerhalb der Einheit 104 mit dem Siliziumchip 102 kontaktiert werden können, ohne dass eine gebondete Interfacestruktur verwendet werden muss, die außerhalb der Bondflächenverbindungen 116 des IC-Bauelements angeordnet ist. Weil die Einheit 104 eine gemeinsame Oberfläche aufweist, an der die Gehäusemoldmasse 112 und der Chip 102 in einer Wafereinheit 104 kombiniert sind, kann die Verbindung zwischen den Antennenstrukturen 106, 108 und dem Siliziumchip 102 bei der Waferherstellung in einem Arbeitsablauf hergestellt werden. Dadurch können die Kosten für teure hochfrequenztaugliche Substrate, wie sie häufig bei Radarsystemen (z. B. Millimeterwellen-Radarsystemen, wie sie beispielsweise im Bereich der Fahrzeugsicherheit und bei Komfortanwendungen eingesetzt werden), vermieden werden. Außerdem leidet die Impedanzanpassung zwischen Antennen und Chipausgang nicht unter den großen Toleranzen des Bondprozesses und der Leiterplattenverdrahtung.According to one embodiment, the integrated antenna structure 106 and or 108 with the chip 102 and the housing gold mass 112 in the unit 104 to get integrated. For example, the integrated antenna 106 and or 108 through an intermediate layer containing a redistribution or a metallization layer, are integrated into the same layer as the 3D interconnect structures 110 (eg, solder balls) (discussed below). This will allow the antennas within the unit 104 with the silicon chip 102 can be contacted without having to use a bonded interface structure outside of the bond area interconnections 116 of the IC device is arranged. Because the unit 104 has a common surface on which the housing gold mass 112 and the chip 102 in a wafer unit 104 combined, the connection between the antenna structures 106 . 108 and the silicon chip 102 produced in wafer manufacturing in one operation. As a result, the cost of expensive high frequency substrates, as commonly used in radar systems (eg, millimeter-wave radar systems, such as those used in vehicle safety and comfort applications), can be avoided. In addition, the impedance matching between antennas and chip output does not suffer from the large tolerances of the bonding process and circuit board wiring.

1b veranschaulicht eine Ausgestaltung anhand eines Querschnitts durch das Halbleitermodul 100 entlang einer Linie 1b-1b. In dem veranschaulichten Beispiel gemäß 1b ist ein Substrat 116 aus einer Leiterplatte durch Lotkugeln 110 und Verbindungsleitungen 120 mit der Einheit 104 gekoppelt. Die (wie oben erläuterte) Einheit 104 kann eine Gehäusemoldmasseschicht 126 aufweisen, die die Gehäusemoldmasse 112 und den IC-Chip 102 umfasst, sowie eine Zwischenschicht 117, die eine Umverdrahtungsschicht 121 mit daran gekoppelten integrierten Strukturen und eine dielektrische Beschichtung 119 aufweist. 1b illustrates an embodiment based on a cross section through the semiconductor module 100 along a line 1b-1b. In the illustrated example according to FIG 1b is a substrate 116 from a printed circuit board by solder balls 110 and connecting cables 120 with the unit 104 coupled. The unit (as explained above) 104 can be a case gold mass layer 126 have the housing gold mass 112 and the IC chip 102 includes, as well as an intermediate layer 117 that has a redistribution layer 121 with integrated structures coupled thereto and a dielectric coating 119 having.

Die Gehäusevergussmasse 112 kann sehr geringe Verluste aufweisen und stellt ein sehr gutes Substrat für Anwendungen dar, die kleine Gehäuse erfordern, wie dies in Verbindung mit Chips für Hochfrequenzanwendungen (RF)- oder drahtlose Kommunikationsanwendungen (z. B. für Mikrowellenradarempfang) der Fall ist. Die Gehäusemoldmasse 112 kann ein organisches Polymer wie beispielsweise ein Epoxidmaterial umfassen, das ein anorganisches Füllmaterial (z. B. Siliziumdioxid) aufweist. Die Gehäusevergussmassenschicht 126 kann den in die Gehäusevergussmasse 112 eingebetteten IC-Chip 102 aufweisen, wobei eine im Wesentlichen ebene Oberfläche 124 daselbst und während des Waferhäusungsprozesses gebildet werden kann.The housing casting compound 112 can be very low loss and provides a very good substrate for applications requiring small packages, as is the case with high frequency radio frequency (RF) chips or wireless communication applications (eg microwave radar reception). The case gold mass 112 may comprise an organic polymer such as an epoxy material having an inorganic filler (eg, silica). The housing casting mass layer 126 can put that in the housing casting compound 112 embedded IC chip 102 having a substantially planar surface 124 can be formed there and during the wafer packaging process.

Die Einheit 104 umfasst weiterhin die Interfaceschicht 117 auf einer Oberfläche der Gehäusemoldmassenschicht 126, die in der dielektrischen Beschichtung 119 eine Metallschicht/-ebene oder die Umverdrahtungsschicht 121 umfasst, wobei der Inhalt des Chips 102 mit der Einheit 104 verbunden und in diese integriert ist. Die Einheit 104, welche die Umverdrahtungsschicht 121 und die Gehäusevergussmassenschicht 126 aufweist, kann eine Breite b von etwa 450 μm aufweisen.The unit 104 also includes the interface layer 117 on a surface of the housing gold mass layer 126 that are in the dielectric coating 119 a metal layer / layer or the redistribution layer 121 includes, the contents of the chip 102 with the unit 104 connected and integrated into it. The unit 104 which the redistribution layer 121 and the housing casting mass layer 126 may have a width b of about 450 microns.

Die Einheit 104 umfasst außerdem die 3D-Verbindungsstrukturen 110 (z. B. Lotkugeln), die die Einheit 104 weiter vergrößern. Die Kugeln 110 stellen die Schnittstelle des IC-Chips 102 zur Außenwelt (z. B. auf die Außenseite der Gehäusemoldmassenschicht 126) dar und können einen Durchmesser von mehr als 500 μm bis etwa 200 μm oder weniger aufweisen. Der Abstand zwischen den Kugeln, der durch einen Pitch p repräsentiert wird, kann 0,3 mm bis 1 mm, aber auch mehr oder weniger betragen. Eine typische Ausgestaltung kann Kugel durchmesser von 300 μm und einen Pitch von 0,5 mm aufweisen. Dies ist ein Abstand p, in dem die Kugeln 110 mit einer Leiterplatte 116 verbunden und kompakt in die Einheit 104 integriert werden können. Die 3D-Bondverbindungsstrukturen 110 können als externe Kontakte, als mechanische Unterstützung und/oder als Abstandhalter zwischen der Einheit 104 und den externen Kontakten 120 (z. B. Leiterbahnen auf einer gedruckten Leiterplatte) bereitstellen.The unit 104 also includes the 3D connection structures 110 (eg, solder balls), which is the unit 104 continue to enlarge. The balls 110 put the interface of the IC chip 102 to the outside world (eg on the outside of the housing gold mass layer 126 ) and may have a diameter of more than 500 μm to about 200 μm or less. The distance between the balls, which is represented by a pitch p, can be 0.3 mm to 1 mm, but also more or less. A typical embodiment may have a ball diameter of 300 microns and a pitch of 0.5 mm. This is a distance p in which the balls 110 with a circuit board 116 connected and compact in the unit 104 can be integrated. The 3D bond structures 110 Can be used as external contacts, as a mechanical support and / or as a spacer between the unit 104 and the external contacts 120 (eg traces on one printed circuit board).

Zwischen der Einheit 104 und der gedruckten Leiterplatte 116 kann sich ein Abstandsbereich 128 mit Luft befinden. Gemäß einer Ausgestaltung kann der Abstandsbereich 128 nur mit Luft gefüllt sein, und/oder mit einem Füllstoff 132 (wie in 1c gezeigt), wie z. B. einer Unterfüllung, die eine Epoxidmasse (nicht gezeigt) enthält. Die gedruckte Leiterplatte (PCB) 116 kann eine Grundplatte aufweisen und/oder einen Reflektor 122, der auf der PCB und innerhalb des Abstandsbereichs 128 angeordnet ist. Der Reflektor 122 kann gegenüberliegend der integrierten Antennenstruktur 106 und/oder 108 und davon beabstandet angeordnet sein, um eine gerichtete Abstrahlung 118 in einer Richtung der Einheit 104 und/oder der PCB 116 bereitzustellen. Ohne Grundplatte/Reflektor 122 könnte die Abstrahlung von Energie von der Antennenstruktur in beide Richtungen erfolgen, d. h. zur Oberseite hin und durch die Gehäusemoldmasse sowie durch die Rückseite der Einheit. Mit dem Reflektor 122 ist eine gerichtete Abstrahlung 118 im Wesentlichen senkrecht zu der PCB oder der Einheit auf die Außenwelt gerichtet. Gemäß einer Ausgestaltung können weitere Reflektorstrukturen (nicht gezeigt) oder zusätzliche Metallschichten wie z. B. Metallschienen (nicht gezeigt) innerhalb der Zwischenschicht 117 auf einer Seite der Antennenstruktur 108 angeordnet werden, um eine gerichtete Strahlung 118 weiter in eine bestimmte Richtung zu lenken.Between the unit 104 and the printed circuit board 116 can be a distance range 128 with air. According to one embodiment, the distance range 128 only be filled with air, and / or with a filler 132 (as in 1c shown), such. B. an underfill containing an epoxy material (not shown). The printed circuit board (PCB) 116 may have a base plate and / or a reflector 122 on the PCB and within the distance range 128 is arranged. The reflector 122 can be opposite the integrated antenna structure 106 and or 108 and spaced therefrom to provide directional radiation 118 in one direction of unity 104 and / or the PCB 116 provide. Without base plate / reflector 122 For example, the radiation of energy from the antenna structure could occur in both directions, ie toward the top and through the case gold ground and through the back of the unit. With the reflector 122 is a directional radiation 118 directed substantially perpendicular to the PCB or unit to the outside world. According to one embodiment, further reflector structures (not shown) or additional metal layers such. Metal rails (not shown) within the intermediate layer 117 on one side of the antenna structure 108 be arranged to receive a directed radiation 118 to steer further in a certain direction.

Gemäß einer Ausgestaltung ist die Antennenstruktur 108 mit der Gehäusemoldmassenschicht 126 und innerhalb der Zwischenschicht 117 durch die darin angeordnete Umverdrahtungsschicht 121 mit dem IC-Chip 102 integriert. Z. B. kann die Antennenstruktur 108 in derselben Umverdrahtungsschicht 121 gebildet sein wie die Bondinterfacestruktur, welche die Lotkugeln oder 3D-Verbindungsstrukturen 110 aufweist. Die integrierte Antennenstruktur 108 kann daher von der Umverdrahtungsschicht 121 über eine darin befindliche Metallisierungsschicht 130 an den IC-Chip 102 gekoppelt werden. Weil die Antennenschicht 108 direkt in die Einheit 104 integriert ist, ist kein für die Antennenstruktur 108 spezifisches Substrat erforderlich. Die Metallisierungsschicht 130 kann weiterhin metallische Verbindungen (z. B. Kupfer) für den Anschluss der 3D-Bondverbindungsstruktur 110 und/oder der integrierten Antennenstruktur 108 an die Bondflächenanschlüsse 116 des IC-Chips 102 aufweisen.According to one embodiment, the antenna structure 108 with the housing gold mass layer 126 and within the interlayer 117 through the redistribution layer disposed therein 121 with the IC chip 102 integrated. For example, the antenna structure 108 in the same redistribution layer 121 be formed as the Bondinterfacestruktur which the solder balls or 3D connection structures 110 having. The integrated antenna structure 108 can therefore from the redistribution layer 121 via a metallization layer located therein 130 to the IC chip 102 be coupled. Because the antenna layer 108 directly into the unit 104 is integrated, is not for the antenna structure 108 specific substrate required. The metallization layer 130 may also include metal interconnects (eg, copper) for the connection of the 3D bond structure 110 and / or the integrated antenna structure 108 to the bonding surface connections 116 of the IC chip 102 exhibit.

Durch die direkte Integration der Antennenstrukturen mit dem IC-Chip 102 in die Gehäusemoldmassenschicht 126 werden für die Integration der Antennen keine zusätzlichen hochfrequenztauglichen Substrate oder verlustbehafteten Interfaces eingebaut. Daher können die Kostenstrukturen der Konstruktion verringert werden. Zusätzlich können verlustarme Verbindungen zwischen Antennen und einem Halbleiterbauelement mittels solcher hochpräzise auf Waferebene verarbeiteter Module, wie sie oben beschrieben wurden, erreicht werden. Folglich können Anwendungen (z. B. Sicherheit im Fahrzeugbereich, Totwinkelerkennung und/oder Einparkhilfen) letztlich ohne Hochfrequenzverbindungen auf der Leiterplatte implementiert werden.Due to the direct integration of the antenna structures with the IC chip 102 in the housing gold mass layer 126 For the integration of the antennas no additional high-frequency suitable substrates or lossy interfaces are installed. Therefore, the cost structures of the construction can be reduced. In addition, low loss interconnections between antennas and a semiconductor device can be achieved by means of such high precision wafer level processed modules as described above. As a result, applications (eg, vehicle safety, blind spot detection, and / or parking aids) can ultimately be implemented without high frequency interconnects on the circuit board.

1c zeigt einen Querschnitt durch eine Ausgestaltung eines Halbleitermoduls 100 entlang einer Linie 1b-1b ähnlich zu 1b. Der mit Luft gefüllte Abstandsbereich/Spalt 128 ist zwischen der Zwischenschicht 117 und Grundplatte/Reflektor 122 angeordnet. Gemäß einer Ausgestaltung wird ein zusätzliches Material, bei dem es sich um eine Füllung oder eine Unterfüllung 132 handelt, eingebracht, so dass sich wesentlich weniger oder keine Luft in dem Bereich 128 befindet. Hierdurch können die Abstrahleigenschaften der Antenne geändert werden. Beispielsweise kann die Füllung dazu verwendet werden, die thermischen Spannungen zwischen der gedruckten Leiterplatte 116 und dem IC-Chip 102 (z. B. ein Flip-Chip-Bauelement) zu verringern. Mit der Füllung 132 kann die Zuverlässigkeit in Bezug auf das Temperaturwechselverhalten verbessert werden. Bei der Füllung 132 kann es sich um ein Epoxid oder ein organisches Material handeln. Die Füllung 132 weist eine andere Dielektrizitätskonstante auf als Luft (etwa 1). Hierdurch kann der effektive elektrische Abstand zwischen der integrierten Antennenstruktur 108 und dem Reflektor 122 verbessert werden. Beispielsweise kann die effektive elektrische Entfernung etwa ein Viertel einer Wellenlänge der Antennenstrahlung betragen. 1c shows a cross section through an embodiment of a semiconductor module 100 along a line 1b-1b similar to 1b , The air gap distance / gap 128 is between the interlayer 117 and base plate / reflector 122 arranged. According to one embodiment, an additional material, which is a filling or an underfill 132 traded, so that there is substantially less or no air in the area 128 located. This can change the radiation characteristics of the antenna. For example, the filling can be used to control the thermal stresses between the printed circuit board 116 and the IC chip 102 (eg, a flip-chip device). With the filling 132 the reliability with regard to the thermal cycling can be improved. At the filling 132 it can be an epoxy or an organic material. The filling 132 has a different dielectric constant than air (about 1). This allows the effective electrical distance between the integrated antenna structure 108 and the reflector 122 be improved. For example, the effective electrical distance may be about one quarter of a wavelength of the antenna radiation.

1c zeigt einen Querschnitt einer weiteren Ausgestaltung eines Halbleitermoduls 100 entlang der Linie 1b-1b ähnlich zu 1b. 1d zeigt eine Ausgestaltung eines Moduls 100, das weiterhin eine Antennenstruktur 136 aufweist, die auf der Oberfläche 124 oder Rückseite des Moduls 100 angeordnet ist, um die Richtcharakteristik des Feldes der gerichteten Strahlung 118 der integrierten Antennenstruktur 108 modulieren zu können. Bei der Antennenstruktur 136 kann es sich um eine beliebige Metallschicht handeln, die z. B. auf der Oberfläche 124 oder Rückseite des Moduls 100 liegt und irgendeine beliebige Geometrie aufweisen, um die Abstrahlung auf der Vorderseite oder auf der gegenüberliegenden Seite des Moduls zu unterstützen. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Antennenstruktur 136 wenigstens ein parasitäres Element wie beispielsweise eine parasitäre Antennenstruktur aufweisen, das auf der Oberfläche 124 der Gehäusemoldmasse 126 angeordnet ist. Alternativ dazu kann die Antennenstruktur 136 andere Strukturen und eine andere gewünschte Geometrie, beispielsweise eine Slotantenne, aufweisen, die die Abstrahlcharakteristik der Antenne verbessern kann. 1c shows a cross section of another embodiment of a semiconductor module 100 along the line 1b-1b similar to 1b , 1d shows an embodiment of a module 100 that still has an antenna structure 136 that is on the surface 124 or back of the module 100 is arranged to the directional characteristic of the field of the directed radiation 118 the integrated antenna structure 108 to be able to modulate. In the antenna structure 136 it may be any metal layer, the z. B. on the surface 124 or back of the module 100 and have any geometry to support the radiation on the front or on the opposite side of the module. According to one embodiment, the antenna structure 136 have at least one parasitic element, such as a parasitic antenna structure, on the surface 124 the housing gold mass 126 is arranged. Alternatively, the antenna structure 136 have other structures and another desired geometry, such as a slot antenna, which can improve the radiation characteristics of the antenna.

Die Oberfläche 124 kann im Wesentlichen eben und gegenüberliegend einer anderen Oberfläche der Gehäusemoldmassenschicht 126 an die Zwischenschicht 117 gekoppelt sein. Die Antennenstruktur kann beispielsweise gegenüberliegend der integrierten Antennenstruktur 108 und parallel zu dieser angeordnet sein. Bei anderen Ausgestaltungen kann die Antennenstruktur an anderen als der in 1d gezeigten Stelle auf der Oberfläche 124 angeordnet sein. Beispielsweise kann die Antennenstruktur 136 ganz oder teilweise über den Silizium oder dem Chip 102 angeordnet sein und/oder ganz oder teilweise Oberhalb der Rückseite oder der Oberfläche 124 des Moduls 100. Wenn sich die Antennenstruktur oberhalb des Siliziums oder des Chips 102 befindet, kann die Antenne genauso gut geerdet werden und dadurch elektrisch an die integrierte Antennenstruktur 108 angeschlossen werden. Bei der Antennenstruktur 136 kann es sich beispielsweise um ein Radioantennenelement handeln, das keinen verdrahteten Eingang aufweist, sondern stattdessen Radiowellen, die von einem anderen in der Nähe befindlichen aktiven Antennenelement (z. B. der integrierten Antenne 108) abgestrahlt werden, absorbiert werden. Außerdem kann das Element 136 mit dem aktiven Element Radiowellen in Phase zurückstrahlen, so dass sich diese zu dem insgesamt übertragenen Signal addieren. Dies kann die Antennenstruktur und die Strahlweite verändern. Die Antennenstruktur 136 kann außerdem dazu verwendet werden, die Abstrahlparameter einer in der Nähe gelegenen aktiven Antenne zu ändern. Z. B. kann es sich bei der Antennenstruktur 136 um eine parasitäre Mikrostreifen-Patchantenne handeln, die über der integrierten Antennenstruktur 108, bei der es sich beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung ebenfalls um eine Patchantenne handeln kann, angeordnet ist. Diese Antennenkombination schwingt bei einer geringfügig geringeren Frequenz als das Originalelement und kann deshalb die Impedanzbandbreite der in der Zwischenschicht 117 eingebetteten integrierten Antennenstrukturen erhöhen.The surface 124 may be substantially planar and opposite another surface of the housing gold mass layer 126 to the intermediate layer 117 be coupled. The antenna structure may be, for example, opposite the integrated antenna structure 108 and be arranged parallel to this. In other embodiments, the antenna structure at other than in 1d shown spot on the surface 124 be arranged. For example, the antenna structure 136 all or part of the silicon or the chip 102 be arranged and / or in whole or in part above the back or the surface 124 of the module 100 , If the antenna structure is above the silicon or the chip 102 is located, the antenna can be grounded as well and thus electrically to the integrated antenna structure 108 be connected. In the antenna structure 136 For example, it may be a radio antenna element that does not have a wired input, but instead radio waves received from another nearby active antenna element (eg, the integrated antenna 108 ) are absorbed. In addition, the element can 136 with the active element radiating back radio waves in phase, so that they add up to the total transmitted signal. This can change the antenna structure and the beam width. The antenna structure 136 can also be used to change the radiation parameters of a nearby active antenna. For example, it may be in the antenna structure 136 to act on a parasitic microstrip patch antenna, over the integrated antenna structure 108 , which may also be a patch antenna according to one embodiment, is arranged. This antenna combination oscillates at a slightly lower frequency than the original element and therefore can match the impedance bandwidth of the intermediate layer 117 Increase embedded integrated antenna structures.

2a bis 2c zeigen Querschnitte durch verschiedene Ausgestaltungen von Halbleitermodulen 200, welche integrierte Antennenstrukturen gemäß beispielhaften Ausgestaltungen der Er findung aufweisen, und die integral zusammen mit einem integrierten Schaltkreis-(IC)-Chip 202 zum Zweck der drahtlosen Übertragung gehäust sind. Beispielsweise kann das Modul 200 eine integrierte Antennenstruktur 210 aufweisen, die innerhalb einer Wafergehäuseschicht 204 angeordnet ist, die eine Zwischenschicht 206 aufweist, welche mit dem IC-Chip 202 gekoppelt ist. Unterhalb der integrierten Antennenstruktur 210 befindet sich ein(e) Grundplatte/Leiterrahmen oder Reflektorplatte 216 um die gerichtete Strahlung der Antenne zu lenken. 2a to 2c show cross sections through various embodiments of semiconductor modules 200 comprising integrated antenna structures in accordance with exemplary embodiments of the invention, and integral with an integrated circuit (IC) chip 202 are housed for the purpose of wireless transmission. For example, the module 200 an integrated antenna structure 210 which are within a wafer housing layer 204 is arranged, which is an intermediate layer 206 which, with the IC chip 202 is coupled. Below the integrated antenna structure 210 there is a base plate / ladder frame or reflector plate 216 to direct the directional radiation of the antenna.

Das Modul 200 kann eine Bondverbindungsstruktur 222 aufweisen. Die Bondverbindungsstruktur 222 kann weiterhin einen externen Kontakt zur Kontaktierung von modulexternen Oberflächen aufweisen, wenigstens einen Bonddraht 220, sowie wenigstens eine dreidimensionale (3D) Verbindung 212, die in die Zwischenschicht 206 integriert ist. Beispielsweise kann die 3D-Verbindung 212 oberflächenmontierbare Lotkugeln aufweisen, die externe Kontakte und eine mechanische Tragstruktur bilden.The module 200 can be a bond connection structure 222 exhibit. The bond connection structure 222 may further comprise an external contact for contacting external module surfaces, at least one bonding wire 220 , as well as at least a three-dimensional (3D) connection 212 in the interlayer 206 is integrated. For example, the 3D connection 212 having surface-mountable solder balls that form external contacts and a mechanical support structure.

Gemäß einer Ausgestaltung kann die 3D-Verbindungsstruktur 212 mit der integrierten Antennenstruktur 210 und dem IC-Chip 202 innerhalb der Zwischenschicht 206 integriert sein. Die Zwischenschicht 206 kann ein Dielektrikum und eine Umverdrahtungsschicht 208 aufweisen, die darin befindliche Komponenten wie beispielsweise eine integrierte Antennenstruktur 210 und 3D-Verbindungen 212 verbindet. Die Umverdrahtungsschicht 208 kann eine Metallebene (z. B. Kupfer) aufweisen, um eine Metallisierungsverbindung 214 bereitzustellen, die die Komponenten innerhalb der Zwischenschicht 206 mit dem IC-Chip 202 integriert.According to one embodiment, the 3D connection structure 212 with the integrated antenna structure 210 and the IC chip 202 within the interlayer 206 be integrated. The intermediate layer 206 may be a dielectric and a redistribution layer 208 have the components therein, such as an integrated antenna structure 210 and 3D connections 212 combines. The redistribution layer 208 may have a metal plane (eg, copper) to form a metallization compound 214 provide the components within the interlayer 206 with the IC chip 202 integrated.

Gemäß einer Ausgestaltung ist eine Reflektorplatte oder Grundebene 216 auf einer Oberfläche der Moldgehäuseschicht 204 mit dem darin eingebetteten Chip 202 vorgesehen. Die Grundplatte 216 kann als Reflektor für die Antenne verwendet werden und ein Metall (z. B. Kupfer) enthalten, bei dem es sich um jedes Metall handeln kann, das geeignet ist, Felder in einer Richtung 218 durch die Moldmasse innerhalb der Moldgehäuseschicht 204 zu lenken. Die Reflektorplatte 216 kann gegenüberliegend einer Seite der Gehäusemoldmassenschicht 204 von der damit gekoppelten Zwischenschicht 206 und parallel zu der innerhalb der Zwischenschicht 206 eingebetteten integrierten Antennenstruktur 210 angeordnet sein.According to one embodiment is a reflector plate or ground plane 216 on a surface of the mold housing layer 204 with the chip embedded in it 202 intended. The base plate 216 may be used as a reflector for the antenna and include a metal (eg, copper), which may be any metal that is suitable, fields in one direction 218 through the molding compound within the mold housing layer 204 to steer. The reflector plate 216 may be opposite one side of the housing gold mass layer 204 from the intermediate layer coupled thereto 206 and parallel to that within the interlayer 206 embedded integrated antenna structure 210 be arranged.

Gemäß einer Ausgestaltung kann eine zweite Gehäusemoldmassenschicht 224 aufgebracht werden. Die zweite Gehäusemoldmassenschicht 224 kann Oberflächen einschließlich der Zwischenschicht 206, der Moldmassengehäuseschicht 204, der Reflektorplatte (z. B. der Grundplatte) 216 und/oder dreidimensionaler Verbindungsstrukturen 212 einkapseln. Alternativ dazu kann gemäß einer Ausgestaltung ein Fenster 226 in der zweiten Gehäusemoldmassenschicht gebildet werden, wie dies in 2b gezeigt ist. Bei dem Fenster 226 kann es sich um eine Öffnung handeln, die die Zwischenschicht 206 dort umgibt, wo die zweite Gehäusemoldmassenschicht 224 fehlt.According to one embodiment, a second housing gold mass layer 224 be applied. The second housing gold mass layer 224 can surfaces including the interlayer 206 , the mold mass housing layer 204 , the reflector plate (eg the base plate) 216 and / or three-dimensional connection structures 212 encapsulate. Alternatively, according to an embodiment, a window 226 be formed in the second housing gold mass layer, as in 2 B is shown. At the window 226 it can be an opening that is the interlayer 206 surrounds where the second housing gold mass layer 224 is missing.

2c zeigt eine Ausgestaltung eines Moduls 200, das weiterhin wenigstens eine parasitäre Antennenstruktur 228 aufweist, die auf einer Oberfläche 230 der zweiten Gehäusemoldmassenschicht 204 angeordnet ist, um die Feldrichtcharakteristik 218 der integrierten Antennenstruktur 210 zu modulieren. Die Oberfläche 230 ist im Wesentlichen eben und die parasitäre Antennenstruktur 228 kann gegenüberliegend der integrierten Antennenstruktur 210 und parallel zu dieser angeordnet werden. 2c shows an embodiment of a module 200 further comprising at least one parasitic antenna structure 228 which is on a surface 230 the second housing gold mass layer 204 is arranged to the field directivity 218 the integrated antenna structure 210 to modulate. The surface 230 is essentially planar and the parasitic antenna structure 228 can be opposite the integrated antenna structure 210 and be arranged parallel to this.

Durch die Integration der Antennenstrukturen direkt auf dem IC-Chip 202 von innerhalb der Zwischenschicht 206 müssen keine zusätzlichen hochfrequenztauglichen Substrate oder verlustbehaftete Interfaces für die integrierten Antennen vorgesehen werden. Daher kann die Kostenstruktur für die Konstruk tion reduziert werden. Zusätzlich können verlustarme Verbindungen zwischen Antennen und einem Halbleiterbauelement mittels solch hochpräziser, auf Waferebene verarbeiteter Module wie oben erläutert erreicht werden. Somit könne Anwendungen ohne Hochfrequenzverbindungen auf der Leiterplatte implementiert werden.By integrating the antenna structures directly on the IC chip 202 from within the interlayer 206 There is no need to provide additional high frequency compatible substrates or lossy interfaces for the integrated antennas. Therefore, the cost structure for the construction can be reduced. In addition, low-loss connections between antennas and a semiconductor device can be achieved by means of such high-precision wafer-level processed modules as discussed above. Thus, applications without high frequency connections can be implemented on the PCB.

4a und 4b zeigen Ausgestaltungen einer Antennenstruktur mit einem Netzwerk zur Antennenspeisung, das innerhalb einer Zwischenschicht eines Wafergehäuses gebildet ist. Obwohl gefaltete Dipolantennen und deren Integration in integrierte Schaltkreisgehäuse beschrieben werden, ist die vorliegende Erfindung nicht auf irgendeinen bestimmten Antennentyp oder eine bestimmte Betriebsfrequenz beschränkt. Vielmehr lässt sich die Erfindung mit jedem Antennentyp realisieren, der für Anwendungen und verschiedene Betriebsfrequenzen geeignet ist. 4a and 4b show embodiments of an antenna structure with a network for antenna feed, which is formed within an intermediate layer of a wafer housing. Although folded dipole antennas and their integration into integrated circuit packages are described, the present invention is not limited to any particular type of antenna or operating frequency. Rather, the invention can be implemented with any type of antenna that is suitable for applications and different operating frequencies.

4a zeigt ein schematisches Diagramm, das beispielhaft eine Antenne veranschaulicht, die eine gefaltete Dipolantenne 402 und ein Speisenetzwerk 404 umfasst, welches einen symmetrischen oder asymmetrischen Anschluss aufweist. Das Speisenetzwerk 404 kann zusätzlich eine Anpassungsstruktur für verschiedene Wellenlängen aufweisen. Beispielsweise kann es sich bei der Anpassungsstruktur um eine Viertelwellenlängenanpassungsstruktur handeln. 4a FIG. 12 is a schematic diagram exemplifying an antenna including a folded dipole antenna. FIG 402 and a food network 404 comprises, which has a symmetrical or asymmetrical connection. The food network 404 may additionally have an adaptation structure for different wavelengths. For example, the matching structure may be a quarter wavelength adjusting structure.

4b zeigt ein Wafergehäuse 400 mit einem Siliziumchip 406, der in eine Moldmasse 408 eingebettet ist. Mit dem Chip ist eine als Dipolantenne ausgebildete Antennenstruktur 410 integriert. Obwohl vier Antennenstrukturen 410 gezeigt sind, handelt es sich hierbei nur um eine Ausgestaltung, während grundsätzlich jede Anzahl von Antennenstrukturen integriert werden kann. Z. B. kann wenigstens eine Antennenstruktur in das Gehäuse integriert und an den Chip 406 angeschlossen werden. 4b shows a wafer housing 400 with a silicon chip 406 which is in a molding compound 408 is embedded. With the chip is formed as a dipole antenna antenna structure 410 integrated. Although four antenna structures 410 are shown, this is only an embodiment, while basically any number of antenna structures can be integrated. For example, at least one antenna structure integrated into the housing and to the chip 406 be connected.

Gemäß einer Ausgestaltung weist die Antennenstruktur 410 wenigstens eine Metallschiene 412 auf, die in das Gehäuse 400 integriert ist. Die Metallschiene 412 kann dazu verwendet werden, den Effekt der Wellenausbreitung von der Antennenstruktur 410 zu begrenzen und eine gerichtete Verstärkung in der gewünschten Richtung bereitzustellen.According to one embodiment, the antenna structure 410 at least one metal rail 412 on that in the case 400 is integrated. The metal rail 412 can be used to measure the effect of wave propagation from the antenna structure 410 to limit and provide directional gain in the desired direction.

Nachdem nun einige Beispiele von Systemen hinsichtlich einiger Aspekte der Erfindung diskutiert wurden, wird nunmehr auf 5 Bezug genommen, welche ein Verfahren gemäß einigen Aspekten der Erfindung zeigt. Während dieses Verfahren nachfolgend anhand einer Reihe von Schritten oder Ereignissen veranschaulicht und beschrieben wird, ist die vorliegende Erfindung nicht auf die gezeigte Reihenfolge derartiger Schritte oder Ereignisse beschränkt. Beispielsweise können einige Schritte in verschiedenen Reihenfolgen und/oder zugleich mit anderen Schritten oder Ereignissen und damit anders als jene erfolgen, wie diejenigen, die hierin veranschaulicht und/oder beschrieben worden sind. Zusätzlich sind nicht notwendigerweise alle gezeigten Schritte erforderlich, um eine Methode in Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Erfindung zu implementieren. Weiterhin können ein oder mehrere hierin gezeigte Schritte in einem oder mehreren getrennten Schritten oder Phasen ausgeführt werden.Having now discussed a few examples of systems with respect to some aspects of the invention, it will now be 5 Reference is made, which shows a method according to some aspects of the invention. While this method will be illustrated and described below by means of a series of steps or events, the present invention is not limited to the shown order of such steps or events. For example, some steps may be in different orders and / or concurrent with other steps or events, other than those illustrated and / or described herein. Additionally, not all steps shown are necessarily required to implement a method in accordance with one or more aspects of the present invention. Furthermore, one or more steps shown herein may be performed in one or more separate steps or phases.

Das Verfahren 500 zur Herstellung eines Halbleitermoduls beginnt bei 502. Ein integrierter Schaltkreis(IC)-Chip wird bei 504 bereitgestellt und in eine Gehäusemoldmasse eingebettet. Die Moldmasse und der IC-Chip könne zusammen eine planare Oberfläche aufweisen.The procedure 500 for producing a semiconductor module starts at 502 , An integrated circuit (IC) chip is included 504 provided and embedded in a housing gold mass. The molding compound and the IC chip together could have a planar surface.

Bei 506 wird innerhalb desselben Gehäuses eine Zwischenschicht gebildet, um darin Komponenten mit dem Chip und der Moldmasse zu integrieren. Die Zwischenschicht ist auf einer Oberfläche gebildet und mit dem IC-Chip und der Gehäusemoldmasse gekoppelt. Das Verfahren zur Bildung einer Zwischenschicht beginnt bei 508 und umfasst das Ausbilden ei ner Umverdrahtungsschicht. Bei dieser Schicht kann es sich um eine Metallisierungsschicht handeln, die aus einer Metallebene, beispielsweise einer darin befindlichen Kupferplatte, gebildet wird. Diese Schicht stellt die Metallisierung bereit, welche Komponenten der Zwischenschicht mit dem IC-Chip verbindet. Beispielsweise ist bei 510 wenigstens eine Antennenstruktur mit dem IC-Chip innerhalb des Gehäuses durch die Umverdrahtungsschicht des Gehäuses integriert. Zusätzlich ist eine dreidimensionale (3D)-Verbindungsstruktur (z. B. Lotkugeln) ebenso gebildet und durch die Umverdrahtungsschicht mit dem IC-Chip integriert.at 506 an intermediate layer is formed within the same housing to integrate therein components with the chip and the molding compound. The intermediate layer is formed on a surface and coupled to the IC chip and the housing gold ground. The process for forming an intermediate layer begins at 508 and includes forming a redistribution layer. This layer may be a metallization layer formed from a metal plane, for example, a copper plate therein. This layer provides the metallization which connects components of the interlayer with the IC chip. For example, at 510 at least one antenna structure is integrated with the IC chip within the housing through the redistribution layer of the housing. In addition, a three-dimensional (3D) connection structure (eg, solder balls) is also formed and integrated with the IC chip through the redistribution layer.

Diese Prozessschritte müssen, wie oben erläutert, nicht unbedingt in der gezeigten Reihenfolge ausgeführt werden, d. h. das Flussdiagramm ist nur dazu gedacht, ein Beispiel für den Verfahrensverlauf 500 bereitzustellen. z. B. kann eine dielektrische Schicht bei 508 anstelle bei 512 hergestellt werden, und eine Antennenstruktur kann vor oder zur gleichen Zeit wie die 3D-Verbindungsstruktur erzeugt werden. Es ist keine bestimmte Reihenfolge erforderlich und jede beliebige Kombination kann durch den Fachmann realisiert werden.As explained above, these process steps do not necessarily have to be carried out in the order shown, ie the flowchart is intended only as an example of the course of the process 500 provide. z. B., a dielectric layer at 508 instead of 512 can be made, and an antenna structure can be before or to the same time as the 3D connection structure is generated. No particular order is required and any combination can be realized by those skilled in the art.

Zusätzlich kann eine zweite Moldmassenschicht gebildet werden, die die Zwischenschicht mit der darin eingebetteten, integrierten Antennenstruktur, der Gehäusemoldmasse, der Bondverbindungsstruktur und einer hergestellten Grundplatte umgibt. Eine parasitäre Antenne kann auf der Oberfläche über der integrierten Antennenstruktur und parallel zu dieser angeordnet werden.In addition, can a second molding compound layer is formed, which is the intermediate layer with the integrated antenna structure embedded therein Gehäusemoldmasse, the bonding structure and a manufactured base plate surrounds. A parasitic Antenna can be on the surface above the integrated antenna structure and arranged parallel to this become.

Mit besonderem Blick auf die verschiedenen Funktionen, die durch die oben beschriebenen Komponenten oder Strukturen (Anordnungen, Bauelemente, Schaltkreise, Systeme etc.) ausgeführt werden, sind die zur Beschreibung solcher Begriffe (einschließlich einer Bezugnahme auf ein ”Mittel”), sofern nicht anders erwähnt ist, dazu gedacht, sich auf jede Komponente oder Struktur zu beziehen, die die spezifizierte Funk tion und die beschriebene Komponente (d. h. im Beispiel ein funktionelles Äquivalent) ausführt, auch wenn es strukturell nicht äquivalent ist zu der gezeigten Struktur, die die Funktion in der hierin gezeigten beispielhaften Implementierung der Erfindung ausführt. Außerdem kann, auch wenn ein bestimmtes Merkmal der Erfindung nur in Bezug auf eine von verschiedenen möglichen Implementierungen offenbart wurde, ein solches Merkmal mit einem oder mehreren anderen Merkmalen von anderen Implementierungen je nach Wunsch und Vorteil für eine gegebene oder bestimmte Anwendung kombiniert werden. Weiterhin sind Begriffe in dem Umfang, in dem Begriffe wie ”einschließlich”, ”umfasst”, ”aufweist”, ”hat”, ”mit”, oder Varianten hiervon sowohl in der ausführlichen Beschreibung oder in den Ansprüchen verwendet werden, im Sinne von ”inklusiv” zu verstehen auf eine Weise ähnlich zu dem Begriff ”aufweisen”.With particular view of the various functions that are due to the components or structures described above (arrangements, components, Circuits, systems, etc.) are executed, are the description such terms (including a reference to a "means"), if not mentioned differently is intended to refer to any component or structure the specified function and component (i.e. H. in the example performs a functional equivalent), too if structurally not equivalent to the structure shown, which has the function shown in FIG exemplary implementation of the invention. In addition, even if a particular feature of the invention only in relation to a of different possible ones Implementations has been disclosed, such a feature with one or several other features of other implementations depending on Wish and advantage for a given or specific application can be combined. Farther are terms to the extent that terms such as "including", "comprising", "having", "having", "having", or Variants of this both in the detailed description or in the claims used in the sense of "inclusive" in a similar way to the term "exhibit".

Claims (22)

Halbleitermodul zur Erzeugung und/oder zum Empfang elektromagnetischer Strahlung umfassend: eine erste Gehäusemoldmassenschicht (126), sowie ein IC-Bauelement (102, 202) mit einem integrierten Schaltkreis, das in die erste Gehäusemoldmassenschicht (126, 204) eingebettet ist; eine Zwischenschicht (117, 206) mit einer Umverdrahtungsschicht (121, 208), die an dem IC-Bauelement (102, 202) angeschlossen ist und die dazu dient, das IC-Bauelement (102, 202) extern anzuschließen; wenigstens eine integrierte Antennenstruktur (106, 108, 210), die innerhalb der Zwischenschicht (117, 206) angeordnet und an dem IC-Bauelement (102, 202) angeschlossen ist.Semiconductor module for generating and / or receiving electromagnetic radiation comprising: a first housing gold mass layer ( 126 ), as well as an IC component ( 102 . 202 ) with an integrated circuit which is inserted into the first housing gold mass layer ( 126 . 204 ) is embedded; an intermediate layer ( 117 . 206 ) with a redistribution layer ( 121 . 208 ) attached to the IC device ( 102 . 202 ) and which serves to connect the IC component ( 102 . 202 ) connect externally; at least one integrated antenna structure ( 106 . 108 . 210 ) within the intermediate layer ( 117 . 206 ) and on the IC device ( 102 . 202 ) connected. Halbleitermodul gemäß Anspruch 1, bei dem die Zwischenschicht (117, 206) eine Anschlussstruktur mit dreidimensionalen Verbindungsstrukturen (110, 212) aufweist, mit der das IC-Bauelement (102, 202) außerhalb der ersten Gehäusemoldmassenschicht (126, 204) anschließbar ist, sowie eine dielektrische Beschichtung (119), wobei die integrierte Antennenstruktur (106, 108, 210) zusammen mit dem IC-Bauelement (102, 202) in der Zwischenschicht (117, 206) angeordnet ist und Bondflächenanschlüsse des IC-Bauelements (102, 202) mittels einer Zuleitungsstruktur kontaktiert.Semiconductor module according to Claim 1, in which the intermediate layer ( 117 . 206 ) a connection structure with three-dimensional connection structures ( 110 . 212 ), with which the IC component ( 102 . 202 ) outside the first housing gold mass layer ( 126 . 204 ), and a dielectric coating ( 119 ), the integrated antenna structure ( 106 . 108 . 210 ) together with the IC component ( 102 . 202 ) in the intermediate layer ( 117 . 206 ) and bonding surface terminals of the IC device ( 102 . 202 ) contacted by means of a lead structure. Halbleitermodul gemäß Anspruch 2, bei dem die dreidimensionalen Verbindungsstrukturen (110, 212) als Lotkugeln zur Oberflächenmontage ausgebildet sind, welche als externe Kontakte und als mechanische Trägerstruktur dienen.Semiconductor module according to Claim 2, in which the three-dimensional connection structures ( 110 . 212 ) are formed as solder balls for surface mounting, which serve as external contacts and as a mechanical support structure. Halbleitermodul gemäß einem der vorangehenden Ansprüche mit einer Schaltkreisplatine (116); einem zwischen der Schaltkreisplatine (116) und der Zwischenschicht (117) befindlichen Abstandsbereich (128); einer Reflektorplatte (122), die auf der oberen Oberfläche der Schaltkreisplatine (116) und innerhalb des Abstandsbereichs (128) angeordnet ist.Semiconductor module according to one of the preceding claims with a circuit board ( 116 ); one between the circuit board ( 116 ) and the intermediate layer ( 117 ) distance range ( 128 ); a reflector plate ( 122 ) located on the top surface of the circuit board ( 116 ) and within the distance range ( 128 ) is arranged. Halbleitermodul gemäß Anspruch 4, bei dem die Reflektorplatte (122) gegenüberliegend der Antennenstruktur (106, 108) angeordnet ist.Semiconductor module according to Claim 4, in which the reflector plate ( 122 ) opposite the antenna structure ( 106 . 108 ) is arranged. Halbleitermodul gemäß Anspruch 4 oder 5, bei dem der Abstandsbereich (128) mit einem Füllmaterial (132) gefüllt ist, der ein Epoxid umfasst.Semiconductor module according to Claim 4 or 5, in which the spacing region ( 128 ) with a filling material ( 132 ), which comprises an epoxy. Halbleitermodul gemäß einem der vorangehenden Ansprüche mit einer Metallisierungsschicht (136), die auf einer Oberfläche (124) der ersten Gehäusemoldmassenschicht (126) angeordnet ist und die dazu dient, die Richtcharakteristik der integrierten Antennenstruktur (106, 108) zu modulieren.Semiconductor module according to one of the preceding claims with a metallization layer ( 136 ) on a surface ( 124 ) of the first housing gold mass layer ( 126 ) and which serves to increase the directivity of the integrated antenna structure ( 106 . 108 ) to modulate. Halbleitermodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 mit einer zweiten Gehäusemoldmassenschicht (224).Semiconductor module according to one of Claims 1 to 3, having a second housing gold mass layer ( 224 ). Halbleitermodul gemäß Anspruch 8, bei dem die zweite Gehäusemoldmassenschicht (224) die Einheit mit dem in die erste Gehäusemoldmassenschicht (126, 204) eingebetteten IC-Bauelement (102, 202) und der Zwischenschicht (206) zumindest seitlich umschließt.Semiconductor module according to Claim 8, in which the second housing gold mass layer ( 224 ) the unit with the in the first housing gold mass layer ( 126 . 204 ) embedded IC device ( 102 . 202 ) and the intermediate layer ( 206 ) encloses at least laterally. Halbleitermodul gemäß Anspruch 8 oder 9, bei dem ein Abschnitt der zweiten Gehäusemoldmassenschicht (224) auf derselben Seite der ersten Gehäusemoldmassenschicht (204) angeordnet ist wie die Antennenstruktur (210).Semiconductor module according to claim 8 or 9, wherein a portion of the second housing gold mass layer ( 224 ) on the same side of the first housing gold mass layer ( 204 ) is arranged like the antenna structure ( 210 ). Halbleitermodul gemäß Anspruch 10 mit einer Metallschicht (228), die auf der der Antennenstruktur (210) abgewandten Seite des Abschnitts der zweiten Gehäusemoldmassenschicht (224) angeordnet ist und die dazu dient, die Richtcharakteristik der integrierten Antennenstruktur (210) zu modulieren.Semiconductor module according to Claim 10, having a metal layer ( 228 ) on the antenna structure ( 210 ) side facing away from the portion of the second housing gold mass layer ( 224 ) and which serves to increase the directivity of the integrated antenna structure ( 210 ) to modulate. Halbleitermodul gemäß Anspruch 11, bei der ein Abschnitt der zweiten Gehäusemoldmassenschicht (224) zwischen der Antennenstruktur (210) und der Metallschicht (228) angeordnet ist.A semiconductor module according to claim 11, wherein a portion of the second package gold mass layer ( 224 ) between the antenna structure ( 210 ) and the metal layer ( 228 ) is arranged. Halbleitermodul gemäß einem der Ansprüche 8 bis 12 mit einer Reflektorplatte (216), die auf der der Antennenstruktur (210) abgewandten Seite der ersten Gehäusemoldmassenschicht (204) angeordnet ist.Semiconductor module according to one of Claims 8 to 12, having a reflector plate ( 216 ) on the antenna structure ( 210 ) facing away from the first housing gold mass layer ( 204 ) is arranged. Halbleitermodul gemäß Anspruch 13, bei dem die zweite Gehäusemoldmassenschicht (224) die Reflektorplatte (216) seitlich umschließt.Semiconductor module according to Claim 13, in which the second housing gold mass layer ( 224 ) the reflector plate ( 216 ) encloses laterally. Halbleitermodul gemäß einem der Ansprüche 8 bis 14, bei dem die zweite Gehäusemoldmassenschicht (224) auf der dem IC-Bauelement (202) abgewandten Seite der Zwischenschicht (216) eine Öffnung (226) aufweist, in deren Bereich die Anschlussstruktur frei liegt.Semiconductor module according to one of Claims 8 to 14, in which the second housing gold mass layer ( 224 ) on the IC device ( 202 ) facing away from the intermediate layer ( 216 ) an opening ( 226 ), in the region of which the connection structure is exposed. Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit folgenden Schritten. Bereitstellen eines IC-Bauelements (102, 202), das einen integrierten Schaltkreis umfasst und das in eine erste Gehäusemoldmassenschicht (126, 204) eingebettet ist, die eine Oberfläche aufweist; und Herstellen einer Zwischenschicht (117, 206) auf der Oberfläche, indem eine Umverdrahtungsschicht (121, 208) auf die Oberfläche aufgebracht wird; wenigstens eine integrierte Antennenstruktur (106, 108, 210) gebildet wird, die durch die Umverdrahtungsschicht (121, 208) an das IC-Bauelement (102, 202) angeschlossen wird; und wenigstens eine dreidimensionale Anschlussstruktur gebildet wird, die durch die Umverdrahtungsschicht (121, 208) ebenfalls an das IC-Bauelement (102, 202) angeschlossen wird; und eine dielektrische Beschichtung (119) auf die Oberfläche aufgebracht wird.Method for producing a semiconductor module with the following steps. Providing an IC device ( 102 . 202 ), which comprises an integrated circuit and which is inserted into a first housing gold mass layer ( 126 . 204 embedded) having a surface; and producing an intermediate layer ( 117 . 206 ) on the surface by applying a redistribution layer ( 121 . 208 ) is applied to the surface; at least one integrated antenna structure ( 106 . 108 . 210 ) formed by the redistribution layer ( 121 . 208 ) to the IC device ( 102 . 202 ) is connected; and at least one three-dimensional connection structure formed by the redistribution layer ( 121 . 208 ) also to the IC device ( 102 . 202 ) is connected; and a dielectric coating ( 119 ) is applied to the surface. Verfahren gemäß Anspruch 16, bei dem zumindest die Antennenstruktur (206, 208, 210) in die dielektrische Beschichtung (119) eingebettet wird.Method according to Claim 16, in which at least the antenna structure ( 206 . 208 . 210 ) in the dielectric coating ( 119 ) is embedded. Verfahren gemäß Anspruch 16 oder 17, bei dem eine zweite Gehäusemoldmassenschicht (224) hergestellt wird, die die Zwischenschicht (206), die integrierte Antennenstruktur (210), die erste Gehäusemoldmassenschicht (126), das IC-Bauelement (202), die Anschlussstruktur und eine Reflektorplatte (216) zumindest seitlich umschließt.A method according to claim 16 or 17, wherein a second housing gold mass layer ( 224 ), which is the intermediate layer ( 206 ), the integrated antenna structure ( 210 ), the first housing gold mass layer ( 126 ), the IC device ( 202 ), the connection structure and a reflector plate ( 216 ) encloses at least laterally. Verfahren gemäß Anspruch 16 oder 17, bei dem das in die Zwischenschicht (117) eingebettete IC-Bauelement (102) durch die Umverdrahtungsschicht (121, 208) und durch die Anschlussstruktur an eine Schaltkreisplatine (116) angeschlossen wird, die auf der ersten Gehäusemoldmassenschicht (126) abgewandten Seite der Antennenstruktur (106, 108) angeordnet ist.A method according to claim 16 or 17, wherein in the intermediate layer ( 117 ) embedded IC device ( 102 ) through the redistribution layer ( 121 . 208 ) and through the connection structure to a circuit board ( 116 ) connected to the first housing gold mass layer ( 126 ) facing away from the antenna structure ( 106 . 108 ) is arranged. Verfahren gemäß Anspruch 19, bei dem eine Reflektorplatte (122) auf der der Zwischenschicht (117) und der ersten Gehäusemoldmassenschicht (126) zugewandten Seite der Schaltkreisplatine (116) angeordnet ist.A method according to claim 19, wherein a reflector plate ( 122 ) on the intermediate layer ( 117 ) and the first housing gold mass layer ( 126 ) facing side of the circuit board ( 116 ) is arranged. Verfahren gemäß Anspruch 19 oder 20, bei dem zwischen der Zwischenschicht (117) und der Schaltkreisplatine (116) ein mit Luft gefüllter Abstandsbereich (128) hergestellt wird.A method according to claim 19 or 20, wherein between the intermediate layer ( 117 ) and the circuit board ( 116 ) a space filled with air ( 128 ) will be produced. Verfahren gemäß Anspruch 19 oder 20, bei dem zwischen der Zwischenschicht (117) und der Schaltkreisplatine (116) ein mit einem Füllmaterial gefüllter Abstandsbereich (128) hergestellt wird, wobei das Füllmaterial eine Dielektrizitätskonstante größer als 1 aufweist.A method according to claim 19 or 20, wherein between the intermediate layer ( 117 ) and the circuit board ( 116 ) a space filled with a filling material ( 128 ), wherein the filler material has a dielectric constant greater than 1.
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