DE102008045653A1 - Optoelektronisches Bauteil - Google Patents

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Abstract

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) weist dieses einen Träger (2) mit einer Montageseite (20) und mit mindestens einem Funktionselement (3) auf. Ferner umfasst das optoelektronische Bauteil (1) mindestens einen substratlosen, optoelektronischen Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (44) und einer dieser gegenüberliegenden Unterseite (45), wobei eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips (4) über die Oberseite (44) und die Unterseite (45) erfolgt, und wobei die Unterseite (45) der Montageseite (20) des Trägers (2) zugewandt ist. Der mindestens eine Halbleiterchip (4) ist auf der Montageseite (20) aufgebracht. Weiterhin beinhaltet das optoelektronische Bauteil (1) mindestens einen elektrischen Kontaktfilm (5) an der Oberseite (44) des Halbleiterchips (1), wobei der Kontaktfilm (5) strukturiert ist. Ein solches optoelektronisches Bauteil (1) ist kompakt aufgebaut und weist gute thermische Eigenschaften auf.

Description

  • Es wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben.
  • Optoelektronische Bauteile, wie etwa Leucht- oder Fotodioden, haben eine breite technische Anwendung gefunden. Einige Gesichtspunkte, die der Verbreitung solcher Bauteile Vorschub leisteten, sind etwa deren hohe Effizienz und hohe Lebensdauer. Auch können optoelektronische Bauteile sehr kompakt sein und nur wenig Platz einnehmen. Zur Erzielung hoher Leuchtstärken ist es allerdings oft notwendig, mehrere optoelektronische Halbleiterchips, etwa auf einem gemeinsamen Träger oder Substrat, zu kombinieren. Hierdurch resultiert eine signifikante thermische Belastung eines Bauteils.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauteil mit guten thermischen Eigenschaften anzugeben.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst dieses einen Träger mit einer Montageseite. Die Montageseite ist durch eine Hauptseite des Trägers gebildet. Die Montageseite ist bevorzugt eben ausgestaltet, kann aber auch Strukturierungen aufweisen. Der Träger ist mit einem Material mit einer hohen thermischen Leitfähigkeit gestaltet, die bevorzugt mindestens 50 W/(m K), insbesondere mindestens 120 W/(m K) beträgt. Der Träger weist eine ausreichende mechanische Stabilität auf, um ein Verbiegen des Trägers und eine Beschädigung von auf oder am Träger angebrachten Komponenten zu verhindern.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst der Träger ein Funktionselement. Über das Funktionselement weist der Träger mindestens eine weitere Funktion auf, die über eine mechanische Stabilisierung von auf dem Träger befindlichen Komponenten und/oder eine gemeinsame elektrische Kontaktierung von mehreren optoelektronischen Halbleiterchips hinausgeht, das Funktionselement ist also aktiv elektrisch betreibbar oder weist eine elektrische Funktion auf. Über das mindestens eine Funktionselement können die Eigenschaften des Trägers, insbesondere in Hinsicht auf thermische und elektrische Aspekte, bezüglich den Anforderungen einer konkreten Anwendung effizient angepasst werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist dieses mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip auf. Der optoelektronische Halbleiterchip kann als Leuchtdiode, als Lumineszenzdiode, als Laserdiode oder als Fotodiode gestaltet sein. Insbesondere ist der Halbleiterchip ein Empfangs- oder Sendeelement für elektromagnetische Strahlung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der optoelektronische Halbleiterchip ein substratloser Halbleiterchip. Substratlos bedeutet, dass Schichten mit mindestens einem aktiven Bereich beispielsweise epitaktisch auf einem Wachstumssubstrat aufgewachsen sind. Ein solcher Halbleiterchip und ein Verfahren zu dessen Herstellung ist in der Druckschrift DE 10 2007 004 304 A1 offenbart, deren Offenbarungsgehalt bezüglich des Halbleiterchips und des Herstellungsverfahrens für einen solchen Halbleiterchip hiermit durch Rückbezug mit aufgenommen wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der substratlose Halbleiterchip eine Dicke von weniger als 100 μm, bevorzugt von weniger als 50 μm auf. Insbesondere ist die Dicke des Halbleiterchips geringer als 10 μm.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der Halbleiterchip eine Oberseite und eine dieser gegenüberliegende Unterseite auf. Oberseite und Unterseite sind von Hauptseiten des Halbleiterchips gebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der optoelektronische Halbleiterchip elektrische Kontaktierungen auf der Oberseite und der Unterseite auf. Mit anderen Worten befinden sich die elektrischen Kontaktstellen des Halbleiterchips auf einander gegenüberliegenden Seiten. Insbesondere ist der Halbleiterchip kein so genannter Flip-Chip.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der optoelektronische Halbleiterchip an der Montageseite aufgebracht. Insbesondere ist der Halbleiterchip direkt auf der Montageseite befestigt. Dies schließt nicht aus, dass sich zwischen dem Halbleiterchip und der Montageseite ein Verbindungsmittel wie ein Kleber oder ein Lot befindet. Zusätzlich oder alternativ kann der Halbleiterchip direkt auf dem mindestens einen Funktionselement, das dem Träger etwa integriert ist, aufgebracht sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst dieses mindestens einen elektrischen Kontaktfilm. Bevorzugt ist der Kontaktfilm mit einem Metall gestaltet. Ebenso kann der Kontaktfilm aus einem transparenten Material, beispielsweise aus der Gruppe der transparenten leitfähigen Oxide, kurz TCOs, speziell mit Indiumzinnoxid, gestaltet sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Kontaktfilm strukturiert. Das heißt, der Kontaktfilm stellt Leiterbahnen auf der Oberfläche des Halbleiterchips dar. Der strukturierte Kontaktfilm kann aufgedampft sein. Bevorzugt ist der Kontaktfilm lithographisch strukturiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Kontaktfilm an der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht. Der Kontaktfilm dient also zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips. Die Strukturierung des Kontaktfilms ist bevorzugt derart gestaltet, dass nur ein geringer Anteil der Fläche der Oberseite des Halbleiterchips vom Kontaktfilm bedeckt ist, insbesondere weniger als 35%, bevorzugt weniger als 20%.
  • In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist dieses einen Träger mit einer Montageseite und mit mindestens einem Funktionselement auf. Ferner umfasst das optoelektronische Bauteil mindestens einen substratlosen, optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Oberseite und einer dieser gegenüberliegenden Unterseite, wobei eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips über die Oberseite und die Unterseite erfolgt, und wobei die Unterseite der Montageseite des Trägers zugewandt ist. Der mindestens eine Halbleiterchip ist auf der Montageseite aufgebracht. Weiterhin beinhaltet das optoelektronische Bauteil mindestens einen elektrischen Kontaktfilm an der Oberseite des Halbleiterchips, wobei der Kontaktfilm strukturiert ist.
  • Ein solches optoelektronisches Bauteil ist kompakt aufgebaut und weist gute thermische Eigenschaften auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der Träger eine Dicke im Bereich zwischen 30 μm und 1 mm auf, insbesondere eine Dicke im Bereich zwischen 50 μm und 100 μm. Durch eine solch geringe Dicke des Trägers ist gewährleistet, dass der Träger einen geringen thermischen Widerstand aufweist. Das heißt, im Betrieb des optoelektronischen Bauteils im Halbleiterchip entstehende Wärme kann über den Träger effizient aus dem Bauteil abgeführt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der mindestens eine Halbleiterchip an einer Hauptseite zumindest stellenweise eine metallische Galvanisierungsschicht auf. Eine Dicke der Galvanisierungsschicht, in einer Richtung senkrecht zur Hauptseite des Halbleiterchips, kann 2 μm überschreiten. Die Galvanisierungsschicht ist bevorzugt an der Unterseite des Halbleiterchips aufgebracht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst dieses eine Mehrzahl von Halbleiterchips. Mehrzahl bedeutet, dass das Bauteil mindestens zwei, insbesondere mindestes vier, bevorzugt mindestens acht Halbleiterchips aufweist. Über die Verwendung einer Mehrzahl von Halbleiterchips kann eine leuchtstarke Lichtquelle realisiert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils, das eine Mehrzahl von Halbleiterchips aufweist, sind die Halbleiterchips mindestens in einem Gebiet der Montageseite des Trägers, das mindestens zwei Halbleiterchips umfasst, dicht gepackt. Das Gebiet umfasst bevorzugt mindestens vier Halbleiterchips, bevorzugt mindestens die Hälfte, insbesondere alle Halbleiterchips, die auf dem Träger angebracht sind. „Dicht gepackt” kann bedeuten, dass die Halbleiterchips in diesem Gebiet mindestens 60% der Fläche der Montageseite bedecken. Insbesondere können die Halbleiterchips mehr als 80%, bevorzugt mehr als 90% der Fläche der Montageseite in diesem Gebiet bedecken. Eine hohe Packungsdichte der Halbleiterchips führt zu einer besonders intensiven Lichtquelle, die auch eine hohe Brillanz aufweisen kann. Dadurch, dass die Halbleiterchips substratlos sind, der Träger bevorzugt dünn ausgestaltet ist und eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, kann die im Betrieb der Halbleiterchips entstehende Wärme gut abgeführt werden. Durch den geringen thermischen Widerstand der Halbleiterchips und des Trägers ist eine dichte Packung einer Mehrzahl von Halbleiterchips ermöglicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils überlappen mindestens ein Funktionselement und mindestens ein Halbleiterchip in einer Richtung parallel zur Montageseite. Mit anderen Worten, werden Funktionselement und Halbleiterchip auf die Montageseite projiziert, so überschneiden sich die projizierten Flächen von Funktionselement und Halbleiterchip. Durch dieses Überlappen ist eine dichte Anordnung der Halbleiterchips und somit ein kompakter Aufbau des optoelektronischen Bauteils möglich. Durch eine solche Überlappung von Funktionselementen und Halbleiterchips kann auch der thermische Widerstand des Trägers herabgesetzt sein, falls das Material des Funktionselements eine höhere Wärmeleitfähigkeit aufweist als der Träger.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist das Funktionselement im oder am Träger integriert. Das bedeutet, dass das Funktionselement monolithisch beziehungsweise einstückig mit dem Träger aufgebaut ist. Dies kann insbesondere bedeuten, dass sich das Funktionselement ganz oder teilweise zwischen der Montageseite und einer der Montageseite gegenüberliegenden Hauptfläche des Trägers befindet. Bevorzugt befindet sich das Funktionselement überwiegend, das heißt bezüglich des vom Funktionselement eingenommenen Volumens zu mindestens 80% zwischen der Montageseite und der der Montageseite gegenüberliegenden Hauptseite des Trägers. Das Funktionselement kann auch am Träger integriert sein. Das heißt, das Funktionselement steht in direktem physischem Kontakt zum Träger. Insbesondere ist das Funktionselement fest, das heißt irreversibel, mit dem Träger verbunden. Irreversibel bedeutet, dass das Funktionselement nicht über ein Stecken oder eine Steckverbindung und nicht ohne die Zuhilfenahme von Werkzeugen entfernt und wieder angefügt werden kann. Auch eine Löt- oder Klebeverbindung ist eine irreversible Verbindung. Es ist möglich, dass beim Entfernen des Funktionselements der Träger in seiner Funktionalität zerstört wird. Durch die Integration des Funktionselements im oder am Träger reduziert sich der Platzbedarf des Bauteils. Auch steht das Funktionselement in direktem, thermischem Kontakt zum Träger.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst das Funktionselement elektrische Leitungen, so dass die Halbleiterchips einzeln elektronisch ansteuerbar sind. Das heißt, jeder Halbleiterchip ist separat und unabhängig von anderen Halbleiterchips bestrombar. Hierdurch kann ein Bauteil realisiert werden, das, abhängig von den konkreten Anforderungen, gezielt Licht emittieren kann. Durch die separate Ansteuerbarkeit der Halbleiterchips können sich auch die thermischen Belastungen reduzieren, da nicht benötigte Halbleiterchips, beispielsweise in einer Beleuchtungseinrichtung, abgeschaltet oder gedimmt werden können.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist jedem Halbleiterchip ein Funktionselement, insbesondere eindeutig, zugeordnet. Das Funktionselement kann sich, mindestens zum Teil, an der Unterseite des Halbleiterchips befinden. Durch eine solche Anordnung der Funktionselemente ist ein kompakter Aufbau des Bauteils realisierbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die Halbleiterchips in mindestens zwei Gruppen angeordnet. Es können beispielsweise Halbleiterchips, die im gleichen Spektralbereich emittieren oder in verschiedenen Regionen auf der Montageseite aufgebracht sind, zu Gruppen zusammengefasst sein. Ebenso wie einzelne Halbleiterchips können auch einzelne Gruppen durch ein entsprechend gestaltetes Funktionselement elektrisch einzeln ansteuerbar sein. Einzelne Gruppen von Halbleiterchips können hierdurch effizient und gezielt betrieben werden, so dass sich die elektrische Leistungsaufnahme des Bauteils verringern kann und hiermit auch die thermische Belastung erniedrigt ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Träger und/oder das Funktionselement mit einem Halbleitermaterial oder einer Keramik gestaltet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist das Funktionselement als aktiver Kühlkörper gestaltet. Beispielsweise ist das Funktionselement ein Peltier-Element, das monolithisch im Träger integriert sein kann. Alternativ kann das Funktionselement als Lüfter oder Kühlkreislauf, beispielsweise mit einer Kühlflüssigkeit, ausgeführt sein. Über ein solches Funktionselement ist besonders effizient Wärme vom optoelektronischen Bauteil abführbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist das Funktionselement als Schutz vor elektrostatischer Entladung ausgestaltet. Mit anderen Worten dient das Funktionselement als ESD-Schutz. Durch einen ESD-Schutz wird das Bauteil vor Kurzschlüssen, die durch eine elektrostatische Entladung hervorgerufen werden können und zu einer Zerstörung etwa eines einzelnen Halbleiterchips führen können, geschützt. Das Funktionselement ist zum Beispiel ein Varistor, eine Varistorkeramik, ein Widerstand, eine Schottky-Diode. Das Funktionselement ist mit dem Halbleiterchip etwa elektrisch parallel verschaltet. Über Kurzschlüsse können auch sehr hohe Ströme auftreten. Dies kann zu einer signifikanten thermischen Belastung des Bauteils führen, wodurch auch andere Komponenten, neben der den Kurzschluss umfassenden, zerstört werden können. Durch einen ESD-Schutz kann dies vermieden werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist das Funktionselement dem Träger monolithisch integriert. Der Träger ist dann zum Beispiel mit p-dotiertem Silizium gestaltet. Das Funktionselement umfasst mindestens einen n-dotierten Bereich. Hierdurch ist durch das Funktionselement, in Verbindung mit dem Träger, mindestens ein pn-Übergang realisiert. Ebenso ist es möglich, dass der Träger n-dotiert ist. In diesem Falle weist das Funktionselement mindestens einen p-dotierten Bereich auf. Ein solches Funktionselement kann Platz sparend etwa als Diode oder Transistor ausgestaltet werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist das Funktionselement als Regelelektronik ausgestaltet. Über die Regelelektronik kann beispielsweise die Bestromung einzelner Halbleiterchips separat gesteuert werden. Durch die separate Ansteuerbarkeit kann ein Halbleiterchip beispielsweise gedimmt werden. Hierdurch kann sich die elektrische Leistungsaufnahme des Bauteils verringern, wodurch die thermischen Belastungen reduziert sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Träger durch das Funktionselement gebildet. Beispielsweise ist das Funktionselement ein Chip auf Siliziumbasis, der integrierte Schaltkreise umfasst, die etwa als Regelelektronik gestaltet sind. Auf diesem Chip ist dann mindestens ein optoelektronischer Halbleiterchip beziehungsweise eine Leuchtdiode aufgebracht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst das Funktionselement mindestens einen Sensor für Temperatur und/oder Strahlung. Der Sensor kann als temperaturabhängiger Widerstand oder als Fotodiode ausgestaltet sein. Ist der Sensor ein Temperatursensor, so steht dieser bevorzugt in thermischem Kontakt zu dem mindestens einen Halbleiterchip. Ist der Sensor ein Strahlungssensor, so kann die Strahlung der Leuchtdiodenchips oder eine externe, nicht vom Bauteil stammende Strahlung detektiert werden. Über solche Sensoren kann das Bauteil beispielsweise vor einer thermischen Überlastung geschützt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist die Regelelektronik über mindestens eine Signalleitung mit mindestens einem Sensor verbunden. Das Signal des Sensors wird in die Regelelektronik eingespeist. Eine Regelung eines Stromflusses durch den mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip erfolgt zumindest basierend auf dem Signal des Sensors. Beispielsweise kann die Regelelektronik, abhängig von der Temperatur des Bauteils, einzelne oder auch alle optoelektronischen Halbleiterchips des Bauteils abschalten. Dadurch kann vermieden werden, dass das optoelektronische Bauteil einer zu großen thermischen Belastung ausgesetzt ist. Sind die Sensoren Strahlungssensoren, so kann beispielsweise abhängig von einer externen Strahlung die Bestromung des optoelektronischen Bauteils eingestellt werden. Bei geringer externer Strahlung, wie bei einer dunklen Umgebung, kann über die Regelelektronik die Stromstärke vergrößert werden. Eine solche Regelelektronik führt zu einer bedarfsgerechten Bestromung des Bauteils und reduziert dessen thermische Belastung. Damit erhöht sich auch die Lebensdauer des Bauteils.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Träger oberflächenmontierbar. Das heißt, der Träger kann über Surface Mount Technologie, kurz SMT, mit einem externen, nicht zum Bauteil gehörigen Anschlussträger verbunden werden. Dies schließt ein, dass das Bauteil die im Rahmen einer SMT-Kontaktierung auftretenden Temperaturen zerstörungsfrei aushält. Der Träger kann also insbesondere an einem Anschlussträger angelötet sein. Die Lötkontakte können großflächig ausgestaltet sein. Die Lötkontakte können mit einem Metall gestaltet sein. Über eine metallische und/oder großflächige Ausführung von Lötkontakten kann ein guter thermischer Kontakt zwischen dem Bauteil und einem externen Anschlussträger gewährleistet werden. Hierdurch verbessern sich die thermischen Eigenschaften der Anordnung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist die elektrische Leistungsaufnahme des mindestens einen Halbleiterchips, bezogen auf eine Fläche der Oberseite des Halbleiterchips, mindestens 1 W/mm2. Insbesondere beträgt die elektrische Leistungsaufnahme mindestens 5 W/mm2. Durch solche elektrische Leistungsdichten ist etwa eine intensiv abstrahlende Lichtquelle durch das optoelektronische Bauteil realisierbar. Durch die Verwendung substratloser Halbleiterchips und eines dünnen Trägers mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit und/oder in Verbindung mit einem als aktive oder passive Kühleinheit gestalteten Funktionselement können die thermischen Belastungen aufgrund einer hohen elektrischen Leistungsaufnahme bewältigt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der mindestens eine Halbleiterchip am Träger und/oder am Funktionselement angelötet oder aufgeklebt. Durch Löten oder Kleben kann eine großflächige Kontaktierung des Halbleiterchips mit dem Träger und/oder dem Funktionselement erfolgen. Hierdurch ist ein guter thermischer Kontakt zwischen Halbleiterchip und Träger und/oder Funktionselement gewährleistet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist das Funktionselement elektrische Leitungen auf, die im Wesentlichen im Inneren des Trägers verlaufen. „Im Wesentlichen” bedeutet hierbei, dass die elektrischen Leitungen bis auf Anschlussstellen, mit denen die elektrischen Leitungen zu kontaktieren sind, innerhalb des Trägers verlaufen. Durch solche elektrische Leitungen wird die Gefahr von Kurzschlüssen verringert. Das geht damit einher, dass großflächige, insbesondere metallische Kontaktflächen zur Kontaktierung der Halbleiterchips verwendet werden können. Großflächige elektrische Kontakte wiederum führen zu einem verbesserten thermischen Kontakt zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und etwa dem Träger.
  • Einige Anwendungsbereiche, in denen hier beschriebene optoelektronische Bauteile Verwendung finden können, sind etwa die Hinterleuchtungen von Displays oder Anzeigeeinrichtungen. Weiterhin können die hier beschriebenen optoelektronischen Bauteile auch in Beleuchtungseinrichtungen zu Projektionszwecken, in Scheinwerfern, Kfz-Scheinwerfern oder Lichtstrahlern oder in Leuchtmitteln zu Zwecken der Allgemeinbeleuchtung eingesetzt werden.
  • Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Bauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche oder gleich wirkende Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauteils,
  • 2 eine schematische Draufsicht von Kontaktfilmen und Oberseiten eines hier beschriebenen Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauteils,
  • 3 eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauteils mit Peltier-Element,
  • 4 eine schematische Schnittdarstellung (A) und eine schematische dreidimensionale Darstellung (B) eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils mit einem ESD-Schutz, und
  • 5 eine schematische Schnittdarstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils.
  • In 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils 1 gezeigt. Ein Träger 2 weist eine Montageseite 20 auf, auf der optoelektronische Halbleiterchips 4 aufgelötet sind. Bei den Halbleiterchips 4 handelt es sich um substratlose Halbleiterchips. Die Halbleiterchips 4 weisen eine Oberseite 44 und eine der Oberseite 44 gegenüberliegende Unterseite 45 auf. Die Unterseite 45 ist der Montageseite 20 zugewandt. An der Oberseite 44 ist ein metallischer Kontaktfilm 5 aufgebracht. Über dem Kontaktfilm 5 ist eine gleichmäßige Stromeinspeisung in den Halbleiterchips 4 über dessen gesamte Oberfläche 44 gewährleistet. An Randbereichen der Halbleiterchips 4 befinden sich Kontaktstellen 16 zur elektrischen Kontaktierung.
  • Elektrische Leitungen 6a, 6b bilden ein Funktionselement 3. Über das Funktionselement 3 können die Halbleiterchips 4 einzeln elektrisch angesteuert werden. Die elektrische Leitung 6a kontaktiert die Unterseite 45. Von der Unterseite 45 ausgehend verläuft die elektrische Leitung 6a innerhalb des Trägers 2. An einem Randbereich des Trägers 2 ist die elektrische Leitung 6a zur Montageseite 20 geführt und bildet dort eine elektrische Anschlussstelle 17. Die elektrische Leitung 6b ist über die Kontaktstellen 16 elektrisch leitend mit dem Kontaktfilm 5 an der Oberseite 44 verbunden. Die elektrische Leitung 6b ist von dem Kontaktfilm 5 zur Montageseite 20 des Trägers 2 geführt. Zur Vermeidung elektrischer Kurzschlüsse sind Seitenflächen der Halbleiterchips 4 mit einem Isolator 9 versehen. Der Isolator 9 ist beispielsweise mit einem Lack gebildet. Die Dicke des Isolators 9 in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche 20 entspricht mindestens der Höhe des Halbleiterchips 4, kann dessen Höhe aber auch um bis zu einem Faktor 5 überragen. Durch den Isolator 9 resultierende Unebenheiten können von der elektrischen Leitung 6b überbrückt werden, ohne dass die elektrische Leitung 6b unterbrochen wird. Auch das sich auf der Montageseite 20 befindliche Ende der elektrischen Leitung 6b stellt eine Anschlussstelle 17 dar.
  • Anders als in 1 gezeigt können die elektrischen Leitungen 6a, 6b auch zu einer der Montageseite 20 gegenüberliegenden Trägerunterseite 15 führen. Die von den Enden der elektrischen Leitung 6a gebildeten elektrischen Anschlussstellen 17 können großflächig ausgeführt sein, um einen guten thermischen Kontakt über Kleben oder Löten zu einem nicht gezeichneten, nicht zum Bauteil 1 gehörigen externen Anschlussträger zu gewährleisten. Über eine solche Verbindung und über eine dünne Ausgestaltung des Trägers 2 ist eine gute thermische Kopplung zwischen den Halbleiterchips 4 und dem nicht gezeichneten externen Anschlussträger realisiert.
  • Ebenso ist es, anders als in 1 gezeigt, möglich, dass sich alle Anschlussstellen 17 in einem kleinen Gebiet auf dem Träger 2 konzentrieren. Insbesondere können alle Anschlussstellen 17 in einer Reihe oder in einer Doppelreihe entlang einer Kante des Trägers 2 angeordnet sein.
  • Die Halbleiterchips 4 befinden sich in einer Richtung parallel zur Montageseite 20 nahe beieinander. Da es sich in 1 um eine Schnittdarstellung handelt, sind nur zwei Halbleiterchips 4 sichtbar. Es können auch zwei Reihen von Halbleiterchips 4 auf der Montageseite 20 angebracht sein. Ebenso möglich ist es, das mehrere Reihen, insbesondere Doppelreihen, lateral versetzt auf dem Träger 2 angebracht sind.
  • In 2 ist eine Draufsicht auf die Oberseiten 44 der Halbleiterchips 4 gezeigt. Auf jeder Oberseite 44 ist ein Kontaktfilm 5 aufgebracht. Die Kontaktfilme 5 bedecken nur einen geringen Anteil der Fläche der Oberseiten 44. Der Kontaktfilm 5 ist streifenartig strukturiert. Die Strukturierung bildet rechteckige beziehungsweise L-förmige Felder auf der Oberfläche 44 aus. Hierdurch wird eine gleichmäßige Stromeinspeisung in die Halbleiterchips 4 erreicht.
  • In einer Ecke der Oberseiten 44 befindet sich jeweils eine der Kontaktstellen 16. Über die Kontaktstelle 16 werden die Kontaktfilme 5 elektrisch mit den elektrischen Leitungen 6b verbunden. Die Verbindung kann über Löten erfolgen. Die streifenartigen Teile des Kontaktfilms 5, die sich nahe der Kontaktstelle 16 befinden, können eine größere Breite aufweisen als streifenartige Bereiche des Kontaktfilms 5, die sich weiter von der Kontaktstelle 16 entfernt befinden. Dies führt zu einer gleichmäßigeren Stromeinprägung in den Halbleiterchip 4.
  • Gemäß 2 sind vier Halbleiterchips 4 dicht gepackt angeordnet. Der Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips 4 ist kleiner als die laterale Ausdehnung der Halbleiterchips 4. Der Flächenanteil innerhalb eines Gebiets 18, der von den Chipoberseiten 44 bezüglich der Montageseite 20, auf den die Halbleiterchips 4 aufgebracht sind, bedeckt ist, beträgt zirka 95%. Das Gebiet 18 umfasst die Halbleiterchips 4 und ist in 2 durch eine Strichlinie umrandet. Diese kompakte Anordnung von Halbleiterchips 4 ist dadurch ermöglicht, dass es sich bei den Halbleiterchips 4 um substratlose Chips handelt, die direkt auf dem Träger 2 aufgebracht sind und somit eine gute Ableitung der im Betrieb der Halbleiterchips 4 entstehenden Wärme ermöglicht ist.
  • Beim Ausführungsbeispiel gemäß 3 ist das Funktionselement 3 als Peltier-Element ausgeführt. Zwischen der Unterseite 45 des Halbleiterchips 4 und der Montageseite 20 des Trägers 2 ist ein Metallfilm 12 und eine Schicht 11 aus einem hoch dotierten Halbleitermaterial angebracht. Der mit Silizium gestaltete Träger 2 ist p-dotiert, die Schicht 11 hoch p-dotiert. Zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips 4 dienen elektrische Leitungen 6a, 6b. Die elektrische Leitung 6b ist entsprechend dem Ausführungsbeispiel gemäß 1 gestaltet. Die elektrische Leitung 6a ist lateral in Randbereiche des Trägers 2 geführt und bildet eine der Anschlussstellen 17 aus.
  • Zur Vermeidung elektrischer Kurzschlüsse sind die elektrischen Leitungen 6a, 6b voneinander und in Richtung zum Träger 2 durch Isolatoren 9a, 9b isoliert. Die Isolatoren 9a, 9b können als Lacke ausgeführt sein.
  • Weiterhin ist an der Trägerunterseite 15 großflächig eine elektrische Leitung 6c aufgebracht.
  • Im Betrieb des Bauteils 1 ist die elektrische Leitung 6b als Anode geschaltet. Die elektrischen Leitungen 6a, 6c dienen als Kathode. Somit fließt im Betrieb Strom einerseits über die elektrische Leitung 6a durch den Halbleiterchip 4 und über die elektrische Leitung 6b. Andererseits fließt Strom über die Leitung 6a durch den Metallfilm 12, die hoch p-dotierte Schicht 11 und den Träger 2 zur elektrischen Leitung 6c. Das heißt, an der Grenzfläche zwischen dem Metallfilm 12 und der hoch p-dotierten Halbleiterschicht 11 erfolgt aufgrund des Peltier-Effekts eine Kühlung, an der Grenzfläche zwischen dem Träger 2 und elektrischen Leitung 6c eine Erwärmung. Es wird also der Halbleiterchip 4 gekühlt und die Trägerunterseite 15 erwärmt. Da die elektrische Leitung 6c großflächig ausgeprägt ist, erfolgt eine lokale Kühlung am Halbleiterchip 4 und eine großflächige, und damit geringere Erwärmung an der Trägerunterseite 15. Über die Trägerunterseite 15 und die großflächige elektrische Leitung 6c ist es optional ermöglicht, dass über einen nicht gezeichneten externen Anschlussträger die Wärme aufgrund des Peltier-Effekts und aufgrund des Betriebs des Halbleiterchips 4 vom Bauteil 1 abgeführt wird.
  • Die Stärke des Peltier-Effekts und damit die Kühlung des Halbleiterchips 4 kann über die Spannung zwischen elektrischer Leitung 6a und elektrischer Leitung 6c eingestellt werden.
  • Anders als in 3 gezeichnet ist es nicht nötig, dass sich der Metallfilm 12 und insbesondere die hoch p-dotierte Schicht 11 über die gesamte Unterseite 45 des Halbleiterchips erstrecken. Auch ein punktuelles, und damit stärkeres Kühlen über strukturierte Schicht 11 ist möglich. Der Metallfilm 12 ist beispielsweise als Goldfilm ausgestaltet. Der Metallfilm 12 kann also als Reflektor für beispielsweise im Halbleiterchip 4 erzeugte Strahlung dienen.
  • In 4 ist ein Ausführungsbeispiel dargestellt, bei dem das Funktionselement 3 als ESD-Schutz ausgeführt ist. Als Träger 2 dient p-dotiertes Silizium. Der Träger 2 weist einen n-dotierten Bereich 13 auf. Dieser befindet sich an der Montageseite 20 dort, wo der Halbleiterchip 4 auf dem Träger 2 aufgebracht ist. Die elektrische Leitung 6b dient im Betrieb des Bauteils 1 als Kathode, die elektrische Leitung 6a als Anode. Der Halbleiterchip 4 ist entsprechend montiert. Das heißt, die p-Seite des Halbleiterchips 4 ist der Montageseite 20 zugewandt. Baut sich also außerhalb des Betriebs des Halbleiterbauteils 1 eine zur Betriebsspannung gegenpolige elektrostatische Spannung auf, so kann diese über den Träger 2 und den n-dotierten Bereich 13 sowie den elektrischen Leitungen 6a, 6b abfließen. Hierdurch wird eine Zerstörung des Bauteils verhindert.
  • In 4B ist das optoelektronische Bauteil 1 gemäß 4A schematisch dreidimensional dargestellt. Der Träger 2 kann Justagevorrichtungen 14 in Form von Ausnehmungen aufweisen, die eine passgenaue Montage auf einem externen, nicht zum Bauteil 1 gehörigen und nicht gezeichneten Anschlussträger erleichtern.
  • Beim Ausführungsbeispiel gemäß 5 umfasst das Funktionselement 3 eine Regelelektronik 8. Die Regelelektronik 8 ist über elektrische Leitungen 6 mit einem Temperatursensor 7 und mit dem Halbleiterchip 4 verbunden. Über die Regelelektronik 8 kann, abhängig von einem Signal des Temperatursensors 7, der Halbleiterchip 4 bestromt werden. Durch eine geeignete Regelung ist somit einer thermischen Überlastung des optoelektronischen Bauteils 1 vorgebeugt.
  • Anders als in 5 gezeigt kann auch eine Mehrzahl von Halbleiterchips 4 auf dem Träger 2 aufgebracht sein. Die verschiedenen Halbleiterchips 4 können über eine einzige Regelelektronik 8 und einen einzigen Temperatursensor 7 oder auch über eine Mehrzahl von Temperatursensoren 7 beziehungsweise Regelelektroniken 8 angesteuert werden. Zur Stromversorgung der Regelelektronik 8 sind elektrische Leitungen 6 im Träger 2 vorhanden, die an lateralen Randbereichen des Trägers 2 zur Montageseite 20 und zur Trägerunterseite 15 geführt sind. Die Endbereiche dieser Leitungen 6 können als Anschlussstellen 17 ausgestaltet sein.
  • Eine Kontaktierung zu einem externen, nicht gezeichneten Anschlussträger ist beispielsweise über Löten, Kleben und/oder über Bonddrähte möglich.
  • Eine Regelelektronik gemäß 5 kann auch mit einem Peltier-Element, beispielsweise wie in 3 dargestellt, kombiniert sein. Die Regelelektronik 8 kann insbesondere dann die Spannung zwischen der elektrischen Leitung 6a und der elektrischen Leitung 6c regeln und somit die Kühlleistung des Peltier-Elements gezielt beeinflussen. In der Regelelektronik 8 kann ebenso ein ESD-Schutz integriert sein.
  • Die Regelelektronik 8 ist beispielsweise über fotolithographische Prozessschritte monolithisch im Träger 2 integriert. Beim Träger 2 kann es sich also um einen Silizium-Chip mit integrierten Schaltkreisen handeln. Der Temperatursensor 7 und/oder der Halbleiterchip 4 können an der Montageseite 20 aufgeklebt oder aufgelötet sein. Ebenso möglich ist es, dass der Temperatursensor 7 auch monolithisch im Träger 2 integriert ist, etwa in Form eines temperaturabhängigen Widerstandes.
  • Regelelektronik 8 und Halbleiterchip 4 überlappen lateral in eine Richtung parallel zur Montageseite 20. Hierdurch wird eine kompakte, besonders Platz sparende Anordnung realisiert. Über die Kombination einer Regelelektronik 8 mit einem Temperatursensor 7 kann eine thermische Überlastung des optoelektronischen Bauelements 1 verhindert werden.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Bauteil 1 auch einen Sensor für Strahlung beinhalten. Über diesen Sensor kann eine Strahlung vom Halbleiterchip 4 oder auch eine Strahlung der Umgebung detektiert werden. Über einen solchen Sensor kann die Bestromung, in Kombination mit einer Regelelektronik 8, den jeweiligen Anforderungen angepasst werden und somit eine thermische Belastung des Bauteils 1 reduziert werden.
  • Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 102007004304 A1 [0007]

Claims (15)

  1. Optoelektronisches Bauteil (1) mit – einem Träger (2) mit einer Montageseite (20) und mit mindestens einem Funktionselement (3), – mindestens einem substratlosen, optoelektronischen Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (44) und einer dieser gegenüberliegenden Unterseite (45) und einer elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (4) über die Oberseite (44) und die Unterseite (45), wobei die Unterseite (45) der Montageseite (20) zugewandt und der Halbleiterchip (4) an der Montageseite (20) angebracht ist, und – mindestens einem elektrischen Kontaktfilm (5) an der Oberseite (44), wobei der Kontaktfilm (5) strukturiert ist.
  2. Optoelektronisches Bauteil (1) nach Anspruch 1, das mindestens vier Halbleiterchips (4) umfasst.
  3. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mindestens ein Funktionselement (3) und mindestens ein Halbleiterchip (4) in einer Richtung parallel zur Montageseite (20) überlappen.
  4. Optoelektronisches Bauteil (1) nach Anspruch 2 oder 3, bei dem das Funktionselement (3) elektrische Leitungen (6) umfasst, so dass die Halbleiterchips (4) oder Gruppen von Halbleiterchips (4) einzeln ansteuerbar sind.
  5. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Funktionselement (3) dem Träger (2), der mit p-dotiertem Silizium gestalteten ist, monolithisch integriert ist und mindestens einen n-dotierten Bereich umfasst.
  6. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Funktionselement (3) ein aktives Kühlelement, insbesondere ein Peltier-Element, umfasst.
  7. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Funktionselement (3) einen Schutz vor elektrostatischer Entladung umfasst.
  8. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Funktionselement (3) mindestens einen Sensor (7) für Temperatur und/oder Strahlung umfasst.
  9. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Funktionselement (3) eine Regelelektronik (8) umfasst.
  10. Optoelektronisches Bauteil (1) nach den Ansprüchen 8 und 9, bei dem die Regelelektronik (8) mit dem mindestens einen Sensor (7) über eine Signalleitung verbunden ist.
  11. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der Ansprüche 2 bis 10, bei dem in mindestens einem Gebiet (18), das zumindest vier Halbleiterchips (4) umfasst, die Halbleiterchips (2) dicht gepackt sind.
  12. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mindestens ein Halbleiterchip (4) auf dem Träger (2) aufgelötet oder aufgeklebt ist.
  13. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine elektrische Leistungsaufnahme des Halbleiterchips (4), bezüglich einer Fläche der Oberseite (44), mindestens 1 W/mm2 beträgt.
  14. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Kontaktfilm (5) metallisch gestaltet ist und höchstens 35 der Fläche der Oberseite (44) bedeckt.
  15. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der Ansprüche 2 bis 14, bei dem jedem Halbleiterchip (4) ein Funktionselement (3) zugeordnet ist, das sich mindestens teilweise an der Unterseite (45) befindet.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011004508A1 (de) * 2011-02-22 2012-08-23 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung und Verfahren zum Kontaktieren eines LED-Chips
WO2012110147A1 (de) * 2011-02-14 2012-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements
CN102788445A (zh) * 2012-08-24 2012-11-21 合肥美的荣事达电冰箱有限公司 半导体制冷片驱动电路、温度控制装置及冰箱
DE102012105619A1 (de) * 2012-06-27 2014-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102012111247A1 (de) * 2012-11-21 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2015062990A1 (de) * 2013-10-30 2015-05-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip und anordnung mit mindestens einem solchen optoelektronischen halbleiterchip
DE102015105692A1 (de) * 2015-04-14 2016-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE102017104735A1 (de) 2017-03-07 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
WO2020011642A1 (de) * 2018-07-12 2020-01-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
CN114777382A (zh) * 2022-04-29 2022-07-22 长虹美菱股份有限公司 一种宽幅变温冰箱及其控制方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010012604A1 (de) 2010-03-24 2011-09-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserlichtquelle
JP5471805B2 (ja) * 2010-05-14 2014-04-16 サンケン電気株式会社 発光素子及びその製造方法
DE102010024864B4 (de) 2010-06-24 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
CN103872039B (zh) * 2012-12-11 2016-04-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 静电放电保护电路的制作方法
US10431955B2 (en) * 2014-04-25 2019-10-01 Lmd Power Of Light Corp Laser core having conductive mass electrical connection
TWD174115S (zh) * 2014-11-21 2016-03-01 鴻騰精密科技股份有限公司 天線
TWD174116S (zh) * 2014-11-21 2016-03-01 鴻騰精密科技股份有限公司 天線
DE102015104886A1 (de) * 2015-03-30 2016-10-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
FR3041148A1 (fr) * 2015-09-14 2017-03-17 Valeo Vision Source lumineuse led comprenant un circuit electronique
WO2021037371A1 (en) * 2019-08-29 2021-03-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device with light emitter and detector and method for manufacturing an optoelectronic device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6757314B2 (en) * 1998-12-30 2004-06-29 Xerox Corporation Structure for nitride based laser diode with growth substrate removed
US20070096115A1 (en) * 2005-10-17 2007-05-03 Lee Hyuk M Nitride-based semiconductor light emitting diode
US20070105212A1 (en) * 1999-05-17 2007-05-10 Applera Corporation Temperature control for light-emitting diode stabilization
DE102006035635A1 (de) * 2006-07-31 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsanordnung
DE102007004304A1 (de) 2007-01-29 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62299092A (ja) * 1986-06-18 1987-12-26 Fujitsu Ltd 発光ダイオ−ド
US7253445B2 (en) * 1998-07-28 2007-08-07 Paul Heremans High-efficiency radiating device
DE10033502A1 (de) * 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
US20020017652A1 (en) * 2000-08-08 2002-02-14 Stefan Illek Semiconductor chip for optoelectronics
US6775308B2 (en) * 2001-06-29 2004-08-10 Xanoptix, Inc. Multi-wavelength semiconductor laser arrays and applications thereof
JP4280050B2 (ja) * 2002-10-07 2009-06-17 シチズン電子株式会社 白色発光装置
EP1588409A1 (de) * 2003-01-31 2005-10-26 Osram Opto Semiconductors GmbH Dünnfilmhalbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstel lung
US6869812B1 (en) * 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
DE102004036295A1 (de) * 2003-07-29 2005-03-03 GELcore, LLC (n.d.Ges.d. Staates Delaware), Valley View Flip-Chip-Leuchtdioden-Bauelemente mit Substraten, deren Dicke verringert wurde oder die entfernt wurden
EP1735845A2 (de) * 2004-04-16 2006-12-27 Lucea AG Gehäuse für led-chip und lichtquelle
WO2006023149A2 (en) * 2004-07-08 2006-03-02 Color Kinetics Incorporated Led package methods and systems
US8154030B2 (en) * 2004-10-01 2012-04-10 Finisar Corporation Integrated diode in a silicon chip scale package
ES2359927T3 (es) * 2004-12-17 2011-05-30 Ge Healthcare Limited Procedimiento de uso de la síntesis de marcaje interno con monóxido de carbono [11c] de ésteres marcados con 11c mediante carbonilación fotoinducida de radicales libres.
US7125734B2 (en) * 2005-03-09 2006-10-24 Gelcore, Llc Increased light extraction from a nitride LED
DE102005025416A1 (de) * 2005-06-02 2006-12-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7928462B2 (en) * 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
US7683475B2 (en) 2006-03-31 2010-03-23 Dicon Fiberoptics, Inc. LED chip array module
CN100452460C (zh) * 2006-05-29 2009-01-14 金芃 通孔垂直结构的半导体芯片及其制造方法
DE102007004301A1 (de) * 2006-08-04 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Dünnfilm-Halbleiterbauelement
DE102007021009A1 (de) * 2006-09-27 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
DE102007040874A1 (de) * 2007-08-29 2009-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement
DE102007043681B4 (de) 2007-09-13 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement
DE102008019902A1 (de) * 2007-12-21 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Herstellungsverfahren für ein optoelektronisches Bauelement

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6757314B2 (en) * 1998-12-30 2004-06-29 Xerox Corporation Structure for nitride based laser diode with growth substrate removed
US20070105212A1 (en) * 1999-05-17 2007-05-10 Applera Corporation Temperature control for light-emitting diode stabilization
US20070096115A1 (en) * 2005-10-17 2007-05-03 Lee Hyuk M Nitride-based semiconductor light emitting diode
DE102006035635A1 (de) * 2006-07-31 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsanordnung
DE102007004304A1 (de) 2007-01-29 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9406853B2 (en) 2011-02-14 2016-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for manufacturing at least one optoelectronic semiconductor device
WO2012110147A1 (de) * 2011-02-14 2012-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements
CN103348498B (zh) * 2011-02-14 2016-08-24 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造至少一个光电子半导体器件的方法
CN103348498A (zh) * 2011-02-14 2013-10-09 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造至少一个光电子半导体器件的方法
DE102011004508A1 (de) * 2011-02-22 2012-08-23 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung und Verfahren zum Kontaktieren eines LED-Chips
DE102012105619A1 (de) * 2012-06-27 2014-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN102788445A (zh) * 2012-08-24 2012-11-21 合肥美的荣事达电冰箱有限公司 半导体制冷片驱动电路、温度控制装置及冰箱
CN102788445B (zh) * 2012-08-24 2014-06-18 合肥美的电冰箱有限公司 半导体制冷片驱动电路、温度控制装置及冰箱
US9997559B2 (en) 2012-11-21 2018-06-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
DE102012111247A1 (de) * 2012-11-21 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9871075B2 (en) 2012-11-21 2018-01-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
WO2015062990A1 (de) * 2013-10-30 2015-05-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip und anordnung mit mindestens einem solchen optoelektronischen halbleiterchip
DE102015105692A1 (de) * 2015-04-14 2016-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
US10396259B2 (en) 2015-04-14 2019-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting semiconductor component and production method of a plurality of semiconductor components
DE102017104735A1 (de) 2017-03-07 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
US11031534B2 (en) 2017-03-07 2021-06-08 Osram Oled Gmbh Radiation-emitting semiconductor chip
DE102017104735B4 (de) 2017-03-07 2021-09-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender Halbleiterchip
WO2020011642A1 (de) * 2018-07-12 2020-01-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
CN114777382A (zh) * 2022-04-29 2022-07-22 长虹美菱股份有限公司 一种宽幅变温冰箱及其控制方法

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