DE102008029650B4 - Schaltung zur Entkopplung von Sendespannungen - Google Patents

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Abstract

Die Schaltung zur Entkopplung der Sendespannungen vom Empfangsteil eines als Sender und Empfänger genutzten elektroakustischen Wandlers, der zwei Anschlüsse WANDLER+ und WANDLER- zur Verbindung mit den Sendespannungen SENDER+ und SENDER- besitzt, ist durch zwei in den Bereich von mehreren hundert Volt spannungsfeste Transistoren als Schalter (V1, V2), von denen einer mit dem Drain-Anschluss an den elektroakustischen Wandler-Anschluss WANDLER+ und der andere mit dem Drain-Anschluss an den elektroakustischen Wandler-Anschluss WANDLER- gekoppelt ist, während die Source-Anschlüsse an jeweils einen der beiden Anschlüsse VORVERSTÄRKER+ und VORVERSTÄRKER- eines Vorverstärkers gekoppelt sind, durch ein am Gate beider Transistoren anliegendes Schaltsignal AUSTAST bei Signalen ungleich 0V entsperrt, leitet also die empfangenen Wandlersignale durch und ist bei AUSTAST gleich Null (Volt) gesperrt, entkoppelt also.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Entkopplung der Sendespannungen vom Empfangsteil eines als Sender und Empfänger genutzten elektroakustischen Wandlers nach dem Oberbegriff des Hauptanspruches.
  • Bei elektroakustischen Wandlern, die – wie z. B. im Sonarbereich – gleichzeitig als Sender und Empfänger betrieben werden, ist es nötig, die zumeist sehr hohen Sendespannungen vom Empfangsteil – in der Regel einem Vorverstärker – abzukoppeln.
  • Im Stand der Technik sind unterschiedlichste Verfahren bekannt, die alle wenigstens die folgenden Nachteile besitzen: sie belasten den Sender oder sie sind so hochohmig, dass ein angeschlossener Vorverstärker in seinem Rauschverhalten unakzeptabel negativ beeinflusst wird. Verfahren, die diese negativen Eigenschaften in geringer Weise aufweisen, haben weitere große Nachteile, indem sie groß aufbauen und somit für Wandlerarrays mit sehr vielen Kanälen nicht anwendbar sind.
  • So hat die US 5,144,592 A zwar eine Schaltung zur Entkopplung der Sendespannungen, hier kann jedoch ein Problem auftreten, wenn mehrere hundert Volt starke Sendespannungen nicht genau im richtigen Timing, d. h. wenn die Transistoren schon durchgesteuert sind, angelegt werden. Dort werden spannungsfeste MOS-Transistoren vorgeschlagen, die jedoch noch immer zusätzlich einer Strombegrenzung bedürfen, was sich negativ auf das Rauschveralten auswirkt.
  • Weiter zeigt die DE 195 14 307 A1 einen Duplexer für ein Ultraschallabbildungssystem, das jedoch lediglich einen Feldeffekttransistor zeigt, der ähnliche Probleme im Zeitverhalten aufweist.
  • Der Erfindung lag daher die Aufgabe zugrunde, eine räumlich günstige Schaltung zum Einbau in Wandlerarrays mit vielen Kanälen vorzusehen, die den Vorverstärker in seinen Rauscheigenschaften nicht negativ beeinflusst.
  • Erfindungsgemäß wird dies durch eine Schaltung mit den Merkmalen des Hauptanspruches gelöst. Die Unteransprüche geben vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung wieder, insbesondere werden eine Schutzschaltung und eine automatische Sender-Empfangsentkopplung angegeben.
  • Bei der erfindungsgemäßen Schaltung für die Entkopplung der Sendespannungen wird eine aktive Sende-Empfangsentkopplung durch zwei Schalter V1 und V2, die vorzugsweise mit MosFet-Transistoren realisiert sind, mit einem Schaltsignal „AUSTAST” bedient.
  • Sofern die Signalspannung am Eingang „AUSTAST” gleich Null ist, sind die Transistoren gesperrt und somit gehen die Senderspannungen „SENDER+” und/oder „SENDER–” nur an den Wandler „WANDLER+” und „WANDLER–” und nicht an den Vorverstärker „VORVERSTÄRKER+” und „VORVERSTÄRKER–”.
  • Ist die „AUSTAST” Spannung größer als die Schwellenspannung der Transistoren, die in der Regel bei etwa 5 V liegen, werden die Transistoren durchgesteuert und das Empfangssignal des Wandlers gelangt an den Vorverstärker.
  • Die Transistoren sind handelsüblich ohne weiteres bis hinauf zu Spannungen von 1000 V erhältlich und gewährleisten dabei bereits ab einer Spannungsfestigkeit von mehreren 100 V eine Entkopplung aller gängigen Sendestufen. Außerdem sind sie in sehr kleiner Bauform erhältlich, beispielsweise als SMD Transistoren mit einer Größe von 5 mm × 5 mm bei einer Spannungsfestigkeit von 550 V, einem Durchlasswiderstand von 1,2 Ohm und einer Strombelastung im Pulsbetrieb von 5,2 A. Durch eine derart niederohmige Ankopplung kann ein Rauschen vermieden werden.
  • Die vorteilhafte Schutzschaltung für den Verstärker wird für den Fall benötigt, dass bei der zuvor beschriebenen einfachen Schaltung eine Spannungsführung am Austastsignal unbeabsichtigter Weise erfolgt und die Transistoren so durchgeschaltet sind, so dass die hohe Sendespannung eine Zerstörung des Vorverstärkers bewirkt.
  • Die Schutzschaltung besteht dabei aus den beiden Widerständen R1 und R2 sowie den Klemmdioden V3 bis V6 und kann diesen Nachteil auf einfachste Weise beheben. Für den Fall, dass jetzt ein „AUSTAST” Signalwert während des Sendevorgangs anliegt, fließt ein Strom durch die Widerstände R1 und R2 sowie durch die Dioden V3 bis V6.
  • Dieser Strom führt zu einer Spannungserhöhung am Source der Transistoren V1 und V2, so dass eine wirksame Gate-Source Spannung abgeschnürt wird und durch die Transistoren ein konstanter Strom fließt, der sich aus AUSTAST Spannung-Schwellenspannung geteilt durch R1 bzw. R2 errechnet.
  • Als Beispiel kann die AUSTAST Spannung 10 V betragen, die Schwellenspannung 5 V und der Widerstand R1 wie auch R2 mit 100 Ohm bemessen sein. Dann folgt für den Strom 50 mA – unabhängig wie groß die Sendespannung ist.
  • Die Klemmdioden V3 bis V6 sind insofern eine übliche Vorverstärkerschaltung als dass der Wandler gewöhnlich keine Spannung größer als die Diodenschwellenspannung von etwa 0,5 V liefert für diese also noch die Vorverstärkung erfolgt.
  • Schließlich wird noch eine Automatisierung und verbesserte Schutzschaltung für den Fall vorgeschlagen, dass bei langen Sendeimpulsen und bei hohen Sendespannungen der Strom von 50 mA inakzeptabel wird, weil dann an den Transistoren eine sehr hohe Verlustleistungen auftreten, die dann zur Zerstörung der Transistoren führen können. Außerdem wird es nicht immer möglich sein, ein „AUSTAST” Signal zur Verfügung zu stellen. Für diesen Fall wird eine aktive automatische Sende-Empfangskopplung vorgeschlagen, bei der eine Gleichspannung von etwa 10 V über den hochohmigen Widerstand R3 an die Gates der Transistoren geführt wird.
  • Ein kleiner Schalttransistor V10, z. B. ebenfalls ein MOSFET Transistor, klemmt die Gate-Spannung ab, wenn über die Dioden V7 oder V8 eine Sendespannung den Transistor V10 durchsteuert.
  • Eine Begrenzung der maximalen Gate-Spannung von V10 wird in diesem Beispiel durch den Widerstand R4 und die Zehnerdiode V11 erreicht, kann aber auch anders realisiert werden.
  • Überschreitet die Sendespannung einen Wert größer als die Schwellenspannung des Transistors V10, werden die Entkopplungstransistoren V1 und V2 automatisch abgeschaltet. Im dynamischen Fall wirkt immer noch die Schutzschaltung wie oben beschrieben für kurze Zeiten bis V10 durchgesteuert ist.
  • Insgesamt ergibt sich die automatische Sende-Empfangskopplung, bei der das Sendesignal selbst den aktiven Sender vor dem Vorverstärker steuert und bei der auch im dynamischen Fall keine unzulässig hohen Spitzenströme entstehen kann, eine vorteilhafte Schaltung, bei der die folgenden Vorteile existieren:
    • 1. sehr geringe Verlustleistung, da nur geschaltet wird,
    • 2. sehr einfacher Aufbau,
    • 3. sehr kleines Volumen,
    • 4. der geringe Preis,
    • 5. sehr große Sende-Leistung möglich,
    • 6. sehr große Sendespannung möglich,
    • 7. der Sender wird durch die Schaltung vernachlässigbar belastet, und
    • 8. der Empfänger wird niederohmig und damit rauscharm an den Wandler angekoppelt.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus nachfolgender Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels anhand der beigefügten Zeichnungen. Dabei zeigt:
  • 1 eine Prinzipschaltung einer aktiven Sende-Empfangsentkopplung,
  • 2 eine Schutzschaltung bei einer Sende-Empfangskopplung nach 1, und
  • 3 eine automatische verbesserte Schutzschaltung bei einer Sende-Empfangskopplung nach 2.
  • Die in der 1 dargestellte Schaltung zur Entkopplung der Sendespannungen vom Empfangsteil eines als Sender und Empfänger genutzten elektroakustischen Wandlers, der zwei Anschlüsse WANDLER+ und WANDLER– zur Verbindung mit den Sendespannungen SENDER+ und SENDER– besitzt, ist durch zwei in den Bereich von mehreren hundert Volt spannungsfeste Transistoren als Schalter (V1, V2), von denen einer mit dem Drain-Anschluss an den elektroakustischen Wandler-Anschluss WANDLER+ und der andere mit dem Drain-Anschluss an den elektroakustischen Wandler-Anschluss WANDLER– gekoppelt ist, während die Source-Anschlüsse an jeweils einen der beiden Anschlüsse VORVERSTÄRKER+ und VORVERSTÄRKER– eines Vorverstärkers gekoppelt sind, durch ein am Gate beider Transistoren anliegendes Schaltsignal AUSTAST bei Signalen ungleich 0 V entsperrt, leitet also die empfangenen Wandlersignale durch und ist bei AUSTAST gleich Null (Volt) gesperrt, entkoppelt also.
  • In 2 ist eine Schaltung mit einer Schutzschaltung mit zwei Widerständern R1 und R2 dargestellt, die zwischen den Source-Anschlüssen der Transistoren und vor einer Dioden-Vorverstärkerschutzschaltung vorgesehen, um alle die Spannungen größer als die Diodenschwellspannungen zu erden, falls das AUSTAST-Signal unerwünschterweise nicht für die Entkopplung sorgt.
  • In 3 schließlich ist die eine bevorzugte Variante einer automatischen Sende-Empfangentkopplung zur Entsperrung der Transistoren V1 und V2 mittels eines Schaltransistor (V10), gezeigt bei der der Drain-Anschluss des Schaltransistors (V10) mit den Gate-Anschlüssen der Transistoren V1 und V2 verbunden ist, wobei an diesen drei Anschlüssen eine Gleichspannung anliegt, während der Gate-Anschluss des Schalttransistors (V10) jeweils über Dioden (V7 und V8) mit den Sendespannungen SENDER– und SENDER+ und über einen mit beiden Dioden verbundenen, die Gate-Spannung am Schalttransistor (V10) begrenzenden Widerstand (R4) verbunden ist, der Gate-Anschluss des Schalttransistors (V10) weiter über eine Zenerdiode V11 geerdet ist, und der Source-Anschluss des Schalttransistors (V10) ebenfalls geerdet d. h. mit Masse verbunden ist.

Claims (2)

  1. Schaltung zur Entkopplung der Sendespannungen vom Empfangsteil eines als Sender und Empfänger genutzten elektroakustischen Wandlers, der zwei Anschlüsse (WANDLER+ und WANDLER–) zur Verbindung mit den Sendespannungen (SENDER+ und SENDER–) besitzt, mit zwei Transistoren, von denen einer mit dem Drain-Anschluss an den elektroakustischen Wandler-Anschluss (WANDLER+) und der andere mit dem Drain-Anschluss an den elektroakustischen Wandler-Anschluss (WANDLER–) gekoppelt ist, während die Source-Anschlüsse an jeweils einen der beiden Anschlüsse (VORVERSTÄRKER+ und VORVERSTÄRKER–) eines Vorverstärkers gekoppelt sind und ein am Gate beider Transistoren anliegendes Schaltsignal (AUSTAST), das bei Signalen ungleich Null (0 V) die Transistoren entsperrt, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schutzschaltung mit zwei Widerständen (R1, R2), wobei die Widerstände zwischen den Source-Anschlüssen der Transistoren und vor einer Dioden-Vorverstärkerschutzschaltung vorgesehen sind, und so Spannungen größer als die Diodenschwellspannungen durch Verbindung mit Masse geerdet werden, wobei die zwei in den Bereich von mehreren hundert Volt spannungsfeste Transistoren als Schalter (V1, V2) betrieben werden, und für den Fall, dass die Transistoren durchgeschaltet sind, der Strom der durch die Transistoren fließt im Wesentlichen durch die Differenz aus Schaltsignal-Spannung und Schwellenspannung der Transistoren sowie dem Wert des jeweiligen Widerstands (R1 bzw. R2) begrenzt ist.
  2. Schaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine automatische Sende-Empfangsentkopplung zur Entsperrung der Transistoren (V1, V2) mittels eines Schalttransistors (V10), wobei: der Drain-Anschluss des Schaltransistors (V10) mit den Gate-Anschlüssen der Transistoren (V1, V2) verbunden ist, wobei an diesen drei Anschlüssen eine Gleichspannung anliegt, der Gate-Anschluss des Schalttransistors (V10) jeweils über Dioden (V7, V8) mit den Sendespannungen (SENDER– und SENDER+) und über einen mit beiden Dioden verbundenen, die Gatespannung am Schalttransistor (V10) begrenzenden Widerstand (R4) verbunden ist, – der Gate-Anschluss des Schalttransistors (V10) weiter über eine Zenerdiode (V11) durch Verbindung mit Masse geerdet ist, und – der Source-Anschluss des Schalttransistors (V10) durch Verbindung Masse geerdet ist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5144592A (en) * 1990-06-27 1992-09-01 Commissariat A L'energie Atomique Ultrasonic transmission-reception system
DE19514307A1 (de) * 1994-05-19 1995-11-23 Siemens Ag Duplexer für ein Ultraschallabbildungssystem

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