DE102008001369A1 - Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und Bauelement - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements, insbesondere eines Kondensator-, Spulen- und/oder Kontaktierungselements, vorgeschlagen, wobei in einem ersten Verfahrensschritt eine Substrataussparung in einem Substrat erzeugt wird, wobei in einem zweiten Verfahrensschritt eine erste Isolationsschicht im Wesentlichen u-förmig in der Substrataussparung angeordnet wird und wobei ferner in einem dritten Verfahrensschritt eine erste Leiterschicht auf der ersten Isolationsschicht im Wesentlichen u-förmig angeordnet wird.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung eines Bauelements nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Solche Verfahren sind allgemein bekannt. Beispielsweise ist aus der Druckschrift DE 102 06 918 A1 ein Verfahren zum Erzeugen eines Kondensatorelements bekannt, wobei zunächst ein Trägersubstrat bereitgestellt wird, wobei anschließend eine in das Trägersubstrat eingelassene Dielektrikumschicht erzeugt wird und wobei in einem nachfolgenden Schritt bezüglich der Oberfläche des Trägersubstrats seitlich nebeneinander angeordnete Ausnehmungen in der Dielektrikumschicht erzeugt werden und wobei abschließend leitfähiges Material in die Ausnehmungen zum Erzeugen von seitlich nebeneinander angeordneten Kondensatorelektroden zwischen denen die Kapazität des Kondensatorelements gebildet ist eingebracht wird. Nachteilig an diesem Verfahren ist, dass zur Erzeugung eines Kondensatorelements, insbesondere zu Erzeugung eines Kondensatorelements mit einer Vielzahl von nebeneinander angeordneten Kondensatorelektroden vergleichsweise viele Verfahrensschritte notwendig sind, da für jede Kondensatorelektrode eine einzelne Ausnehmung in der Dielektrikumschicht separat erzeugt werden muss. Zur Erzeugung von vergleichsweise großen Kondensatorkapazitäten wird üblicherweise eine Mehrzahl von Kondensatorelektrodenpaaren parallel geschaltet. Mit dem bekannten Verfahren ist jedoch eine Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen zwei Kondensatorelektroden, beispielsweise um zwei Kondensatorelektrodenpaare parallel zu schließen, nur über Leiterbahnen auf der Oberfläche des Trägersubstrats und nicht im Innern des Trägersubstrats möglich. Dadurch ist nachteiligerweise der benötigte Platzbedarf bei der Realisierung von parallel geschalteten Kondensatorelektrodenpaaren durch den vergleichsweise großen Verschaltungsaufwand auf der Oberfläche des Trägersubstrats vergleichsweise groß.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und das erfindungsgemäße Bauelement haben gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass mit deutlich weniger und erheblich kostengünstigeren Herstellungsschritten eine vergleichsweise große Kondensatorkapazität in dem Substrat realisierbar ist, welche zudem einen geringeren Platzbedarf aufweist. Dies wird dadurch erreicht, dass im Gegensatz zum Stand der Technik nur eine einzige Aussparung in Form der Substrataussparung für die Kondensatorelektroden in Form der ersten Leiterschicht erzeugt wird. In dieser einen Substrataussparung werden alle Kondensatorelektroden durch die u-förmige erste Leiterschicht aufgebaut, so dass nicht für jede Kondensatorelektrode separat jeweils eine Aussparung erzeugt werden muss. Eine im Wesentlichen u-förmig angeordnete Leiterschicht im Sinne der vorliegenden Erfindung umfasst insbesondere eine Leiterschicht, welche wenigstens in einer Richtung parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Substrats und/oder wenigstens in einer Schnittebene senkrecht zur Haupterstreckungsebene ein u- oder v-Profil aufweist und insbesondere zwei im Wesentlichen vertikale Schenkel und einen im Wesentlichen horizontalen Verbindungsbereich zwischen den zwei Enden der vertikalen Schenkel aufweist. Alternativ umfasst eine im Wesentlichen u-förmig angeordnete Leiterschicht auch eine beispielsweise im Wesentlichen trapezförmig angeordnete Leiterschicht, wobei sich das Trapez vorzugsweise je nach Herstellungsprozess nach oben oder nach unten hin verjüngend vorgesehen ist. Die vertikalen Schenkel sind besonders bevorzugt gegenüber einer Flächennormalen der Haupterstreckungsebene geneigt. Durch die Erzeugung der u-förmigen ersten Leiterschicht wird in einem einzigen Herstellungsschritt eine erste Kondensatorelektrode erzeugt, welche folglich wenigstens zwei über den horizontalen Verbindungsbereich im Substrat leitfähig verbundene vertikale erste Kondensatorelektrodenbereiche umfasst, so dass die Gesamtkapazität dieser ersten Kondensatorelektrode sich aus den kapazitiven Anteilen der zwei vertikalen ersten Kondensatorelektrodenbereiche und dem kapazitiven Anteil des horizontalen ersten Verbindungsbereichs summiert. Durch die elektrisch leitfähige Verbindung der zwei vertikalen ersten Kondensatorelektrodenbereiche über den horizontalen ersten Verbindungsbereich im Innern des Substrats wird darüberhinaus der benötigte Platzbedarf auf der Oberfläche des Substrats im Vergleich zum Stand der Technik minimiert, da keine zusätzliche Leiterbahn auf der Oberfläche des Substrats zur elektrischen Kontaktierung der vertikalen ersten Kondensatorelektrodenbereiche miteinander benötigt wird. Die erste Isolationsschicht isoliert insbesondere die erste Leiterschicht elektrisch gegenüber dem Substrat, so dass die elektrische Kapazität vorzugsweise zwischen dem Substrat und der ersten Leiterschicht bzw. der ersten Kondensatorelektrode gebildet wird. Es wäre denkbar, den Raum zwischen den zwei vertikalen ersten Kondensatorelektrodenbereichen und dem horizontalen ersten Verbindungsbereich bis zur Oberfläche des Substrats beispielsweise mit Substratmaterial, einem Halbleitermaterial, einem Isolatormaterial und/oder einem leitfähigen Material wieder aufzufüllen, so dass dieser Raum zur Implementierung weiterer elektrischer, elektronischer und/oder mikromechanischer Elemente verwendbar ist und/oder die erste Leiterschicht als im Substrat verlaufende Leiterbahn zur Optimierung des Oberflächenroutings auf dem Substrats fungiert.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen, sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen zu entnehmen.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass in einem vierten Verfahrensschritt eine zweite Isolationsschicht auf der ersten Leiterschicht insbesondere u-förmig angeordnet wird und vorzugsweise in einem fünften Verfahrensschritt eine zweite Leiterschicht auf der zweiten Isolationsschicht insbesondere u-förmig angeordnet wird. Vorteilhafterweise wird somit durch die zweite Leiterschicht eine zweite Kondensatorelektrode in der Substrataussparung gebildet, welche durch die zweite Isolationsschicht gegenüber der ersten Leiterschicht bzw. der erste Kondensatorelektrode elektrisch isoliert ist, so dass sich eine vergleichsweise große elektrische Kapazität zwischen der ersten und der zweiten Kondensatorelektrode ausbildet, ohne das für die zweite Kondensatorelektrode eine weitere Aussparung erzeugt werden muss.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass in fünften Verfahrensschritten weitere Isolationsschichten und/oder weitere Leiterschichten im Bereich der Substrataussparung angeordnet werden, wobei insbesondere eine beliebige Mehrzahl von weiteren Isolationsschichten und weiteren Leiterschichten alternierend im Bereich der Substrataussparung angeordnet werden. In vorteilhafter Weise ist somit die Bildung einer Vielzahl von Kondensatorelektroden in der einen Substrataussparung mittels vergleichsweise einfachen und kostengünstigen Verfahrensschritten möglich, ohne das für jede weitere Kondensatorelektrode eine weitere Aussparung erzeugt werden muss. Somit ist auf einem vergleichsweise geringen Raum eine vergleichsweise große elektrische Kapazität jeweils zwischen der ersten Kondensatorelektrode, der zweiten Kondensatorelektrode und/oder der Vielzahl von Kondensatorelektroden realisierbar, wobei die Kondensatorelektroden parallel, seriell oder unabhängig voneinander beschaltbar sind. Besonders bevorzugt wird die Breite der Substrataussparung derart gewählt, dass eine gewünschte Anzahl von Elektrodenpaaren in der Substrataussparung realisierbar ist.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass in einem sechsten Verfahrensschritt das Bauelement auf einer die Substrataussparung aufweisenden ersten Seite geschliffen und/oder geätzt wird. Besonders vorteilhaft werden somit Teile und insbesondere aus der Substrataussparung in Richtung der ersten Seite hervorstehende Teile der ersten, der zweiten und/oder der weiteren Isolationsschichten und der ersten, der zweiten und/oder der weiteren Leiterschichten entfernt, so dass auf der ersten Seite des Bauelements eine plane erste Oberfläche entsteht, welche vorzugsweise parallel zur Haupterstreckungsebene angeordnet ist.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass in einem siebten Verfahrensschritt das Bauelement auf einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite geschliffen und/oder geätzt wird. Besonders vorteilhaft wird somit insbesondere das Substratmaterial zwischen der Substrataussparung und der zweiten Seite entfernt, so dass eine plane zweite Oberfläche des Bauelements auf der zweiten Seite entsteht, welche insbesondere parallel zur Haupterstreckungsebene angeordnet ist. Besonders bevorzugt wird das Bauelement von der zweiten Seite im siebten Verfahrensschritt derart geschliffen und/oder geätzt, dass auch die horizontalen Verbindungsbereiche der ersten, der zweiten und/oder der weiteren Isolationsschichten und/oder der ersten, der zweiten und/oder der weiteren Leiterschichten entfernt werden, so dass lediglich die vertikalen Schenkel der u-förmigen Isolations- und/oder Leiterschichten in dem Substrat übrig bleiben. Besonders vorteilhaft sind die vertikalen Schenkel der ersten, der zweiten und/oder der weiteren Leiterschichten weiterhin als Kondensatorelektroden und/oder als Durchkontaktierung von der ersten Seite zur zweiten Seite des Substrats verwendbar, so dass das Oberflächenrouting des Bauelements erheblich vereinfachbar ist. Besonders vorteilhaft wird durch die Verwendung von hochtemperaturstabilen Materialien nach dem Schleifen eine Integration von elektrischen, elektronischen und/oder mikroelektronischen Schaltungen auf der ersten und/oder zweiten Oberfläche ermöglicht. Insbesondere ist die Verwendung von CMOS-kompatiblen Materialien vorgesehen, so dass das erfindungsgemäße Verfahren mit Standardtechnologien durchführbar und kompatibel ist.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass in einem achten Verfahrensschritt die erste, die zweite und/oder die weiteren Leiterschichten elektrisch kontaktiert werden, wobei die elektrische Kontaktierung insbesondere auf der ersten und/oder auf der zweiten Seite, vorzugsweise mittels Leiterbahnen, erfolgt. Besonders vorteilhaft sind die erste, die zweite und/oder die weiteren Leiterschichten durch die elektrische Kontaktierung als Kondensatorelektroden und/oder als Durchkontaktierung verwendbar. Besonders bevorzugt ist vorgesehen, dass die Leiterschichten alternierend elektrisch kontaktiert sind, d. h. dass beispielsweise eine erste und eine dritte Leiterschicht an eine erste Leiterbahn und eine zweite und vierte Leiterschicht an eine zweite Leiterbahn angeschlossen ist, wobei die zweite Leiterschicht zwischen der ersten und der dritten Leiterschicht und die dritte Leiterschicht zwischen der zweiten und der vierten Leiterschicht angeordnet ist, so dass die elektrische Kapazität zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn durch die Summe der elektrischen Kapazitäten zwischen der ersten und der zweiten, der zweiten und der dritten und der vierten Leiterschicht gebildet wird.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Bauelement mit einem Substrat, einer Substrataussparung, einer in der Substrataussparung angeordneten ersten Isolationsschicht und einer in der Substrataussparung angeordneten ersten Leiterschicht, wobei die erste Isolationsschicht und die erste Leiterschicht im Wesentlichen u-förmig ausgebildet sind. Dieses Bauelement ist im Gegensatz zum Stand der Technik wie oben detailiert ausgeführt vergleichsweise einfach und kostengünstig herzustellen und weist darüberhinaus erheblich Vorteile bei der elektrischen Kontaktierung auf, so dass insbesondere das Oberflächenrouting auf der Oberfläche des Substrats deutlich vereinfacht wird. Dadurch wird eine Realisierung von einer vergleichsweise großen Kapazität auf einem geringeren Raum ermöglicht, wodurch weitere Kosteneinsparungen erzielbar sind. Die erste Leiterschicht fungiert insbesondere als erste Kondensatorelektrode und/oder als die im Substrat verlaufende Leiterbahn.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Bauelement, wobei die erste, die zweite und/oder die weiteren Leiterschichten das Substrat von der ersten Seite bis zur zweiten Seite im Wesentlichen vollständig durchlaufen. Dieses Bauelement ist wie oben detailiert ausgeführt im Vergleich zum Stand der Technik deutlich einfacher und kostengünstiger herstellbar und ermöglicht somit die Realisierung einer Durchkontaktierung von der ersten zur zweiten Seite des Bauelements, so dass das Oberflächenrouting auf der ersten oder der zweiten Seite des Bauelements in kostensparender Weise vereinfacht wird und somit der benötigte Raum zur Realisierung des Bauelements bzw. von elektrischen, elektronischen und/oder mikroelektronischen Schaltungen reduzierbar ist.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Substrat eine Haupterstreckungsebene aufweist, wobei die erste, die zweite und/oder die weiteren Isolations- und/oder Leiterschichten im Wesentlichen als konzentrische Ringe und/oder konzentrisch um eine Flächennormale der Haupterstreckungsebene angeordnet sind. Besonders bevorzugt ist somit die Bildung von Zylinderkondensatoren möglich, welche entweder von der ersten Seite oder von der ersten und der zweiten Seite kontaktierbar sind. Durchlaufen die ersten, die zweite und/oder die weiteren Leiterbahnen das Substrat von der ersten zur zweiten Seite vollständig, so ist mittels der Ringanordnung und/oder der konzentrischen Anordnung eine Durchkontaktierung möglich, welche eine beliebige Kreuzung von Leiterbahnen ermöglicht und somit den Aufwand des Oberflächenroutings deutlich reduziert. Die im Wesentlichen konzentrischen Ringe im Sinne der vorliegenden Erfindung sind auch in einer mehreckigen und/oder ovalen Form denkbar.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die erste, die zweite und/oder weitere Leiterschicht auf der ersten und/oder auf der zweiten Seite, insbesondere elektrisch kontaktiert ist, so dass vorteilhafterweise die erste, die zweite und/oder weitere Leiterschicht als im Substrat verlaufende Leiterbahn zur Optimierung des Oberflächenroutings auf dem Substrats, als einseitig kontaktierte Kondensatorelektroden, als Durchkontaktierung und/oder als Durchkontaktierung zur Kreuzung von Leiterbahnen besonders vielseitig verwendbar sind.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Bauelement einen Kondensator, insbesondere einen Zylinderkondensator, eine Durchkontaktierung und/oder eine Spule umfasst und/oder dass auf der ersten und/oder der zweiten Seite integrierte Schaltungen, vorzugsweise in CMOS-Technologie, angeordnet sind. Besonders vorteilhaft sind somit kostengünstig herstellbare und platzsparende RC-, LC-, RL- und/oder RCL-Filter bzw. Schwingkreise, vorzugsweise in unmittelbarer Nähe zu elektrischen, elektronischen und/oder mikroelektronischen Schaltungen, realisierbar.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Es zeigen
  • 1 eine schematische Seitenansicht eines Bauelements gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 2 eine schematische Seitenansicht eines Bauelements gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 3 eine schematische Seitenansicht eines Bauelements gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 4 eine schematische Seitenansicht eines Bauelements gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 5 eine schematische Aufsicht eines Bauelements gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 6 eine schematische Seitenansicht eines Bauelements gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 7 eine schematische Seitenansicht eines Bauelements gemäß einer sechstens Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 8 eine schematische Aufsicht eines Bauelements gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 9 eine schematische Seitenansicht einer Mehrzahl von Bauelementen gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und
  • 10 eine schematische Aufsicht einer Mehrzahl von Bauelementen gemäß neunten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • In den Figuren sind gleiche Teile in der Regel mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden daher zumeist auch jeweils nur einmal benannt bzw. erwähnt.
  • In 1 ist eine schematische Seitenansicht eines Bauelements 1 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei das Bauelement 1 ein Substrat 2, einer Substrataussparung 3, einer in der Substrataussparung 3 angeordneten ersten Isolationsschicht 4, einer auf der ersten Isolationsschicht 4 angeordneten ersten Leiterschicht 5, eine auf der ersten Leiterschicht 5 angeordneten zweiten Isolationsschicht 6, einer auf der zweiten Isolationsschicht 6 angeordneten zweiten Leiterschicht 7, eine auf der zweiten Leiterschicht 7 angeordneten ersten weiteren Isolationsschicht 8, einer auf der ersten weiteren Isolationsschicht 8 angeordneten ersten weiteren Leiterschicht 9, eine auf der ersten weiteren Leiterschicht 9 angeordneten zweiten weiteren Isolationsschicht 8', einer auf der zweiten weiteren Isolationsschicht 8' angeordneten zweiten weiteren Leiterschicht 9', eine auf der zweiten weiteren Leiterschicht 9' angeordneten dritten weiteren Isolationsschicht 8'' und einer auf der dritten weiteren Isolationsschicht 8'' angeordneten dritten weiteren Leiterschicht 9'', wobei die erste, die zweite, die erste weitere, die zweite weitere und die dritte weitere Isolationsschicht 4, 6, 8, 8', 8'' und die erste, die zweite, die erste weitere und die zweite weitere Leiterschicht 5, 7, 9, 9' in der Substrataussparung 3 jeweils u-förmig ausgebildet sind, d. h. insbesondere bezüglich einer Richtung in einer Haupterstreckungsebene 100 des Substrats 2 ein u-Profil aufweisen. Das Bauelement 1 bzw. das Substrat 2 weist eine erste Seite 10 und eine der ersten Seite 10 gegenüberliegende zweite Seite 11 auf, wobei die Substrataussparung 3 auf der ersten Seite 10 angeordnet ist. Das Substrat 2 weist ferner die Haupterstreckungsebene 100 auf, wobei sich die Substrataussparung 3 im Wesentlichen parallel zu einer Flächennormalen 15 der Haupterstreckungsebene 100 von der ersten Seite 10 in das Substrat 2 hinein erstreckt. Die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und dritten weiteren Isolationsschichten 4, 6, 8, 8', 8'' bewirken eine elektrische Isolation zwischen dem Substrat 2 und der ersten Leiterschicht 5, sowie zwischen den ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9''. Die u-förmig ausgebildeten ersten, zweiten, ersten weiteren und zweiten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9' weisen jeweils zwei vertikale Schenkel 102 und ein die beiden Schenkel 102 im Substrat 2 verbindenden horizontalen Verbindungsbereich 101 auf. Das Substrat 2 umfasst vorzugsweise Silizium, in welches die Substrataussparung 3 getrencht wird. Die erste, zweite, erste weitere, zweite weitere und/oder dritte weitere Isolationsschicht 4, 6, 8, 8', 8'' umfasst besonders bevorzugt Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumcarbid und/oder Aluminiumoxid, wobei die erste, zweite, erste weitere, zweite weitere und/oder dritte weitere Isolationsschicht 4, 6, 8, 8', 8'' ganz besonders bevorzugt auch jeweils eine Vielzahl von miteinander kombinierten Isolationsschicht umfasst. Die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' umfassen vorzugsweise eine Metallschicht, besonders bevorzugt eine Polysilizium-Schicht oder Epi-Polysilizium-Schicht und werden ganz besonders bevorzugt mit Fremdatomen dotiert.
  • In 2 ist eine schematische Seitenansicht eines Bauelements 1 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die zweite Ausführungsform im Wesentlichen identisch der ersten Ausführungsform dargestellt in 1 ist, wobei in einem sechsten Verfahrensschritt die erste Seite 10 auf die Substratoberfläche des Substrats 2 abgeschliffen wurde, so dass das Bauelement 1 eine plane erste Oberfläche 10' parallel zur Haupterstreckungsebene 100 auf der ersten Seite 10 aufweist und insbesondere Kontaktflächen der ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' auf der ersten Oberfläche 10' freiliegen.
  • In 3 ist eine schematische Seitenansicht eines Bauelements 1 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die dritte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der zweiten Ausführungsform dargestellt in 2 ist, wobei die auf der ersten Oberfläche 10' eine isolierende Schicht 200 angeordnet ist und wobei auf der ersten Oberfläche 10' bzw. der isolierenden Schicht freiliegenden Kontaktflächen der ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' in einem achten Verfahrensschritt über einen elektrischen Kontakt 12, in der isolierenden Schicht 200, alternierend mit Leiterbahnen 13 elektrisch kontaktiert werden. Die erste, die erste weitere und die dritte weitere Leiterschicht 5, 9, 9'' sind dabei insbesondere mit einer ersten Leiterbahn 13' und die zweite und die weitere zweite Leiterschicht 7, 9' mit einer zweiten Leiterbahn 13'' elektrisch leitfähig verbunden, so dass zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn 13', 13'' eine elektrische Kapazität aus den Anteilen der elektrischen Kapazitäten zwischen der ersten und der zweiten, der zweiten und der weiteren ersten und der weiteren ersten und der weiteren zweiten Leiterbahn 5, 7, 9, 9', 9'' besteht.
  • In 4 ist eine schematische Seitenansicht eines Bauelements 1 gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die vierte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der dritten Ausführungsform dargestellt in 3 ist, wobei in einem siebten Verfahrensschritt die zweite Seite 11 des Substrats 2 derart geschliffen wurde, dass das Bauelement 1 eine plane zweite Oberfläche 11' parallel zur Haupterstreckungsebene 100 auf der zweiten Seite 11 aufweist und die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' und Isolationsschichten 4, 6, 8, 8', 8'' das Substrat 2 parallel zur Flächennormalen 15 vollständig durchlaufen, so dass insbesondere Kontaktflächen der ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' sowohl auf der ersten Oberfläche 10' als auch auf der zweiten Oberfläche 11' freiliegen. Die zwei vertikalen Schenkel 102 der ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' sind somit jeweils nicht mehr über das horizontale Verbindungselement 101 miteinander verbunden. Die Seitenansicht dargestellt in 4 umfasst vorzugsweise eine Schnittansicht mit einer Schnittebene 103 senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100, wobei die Schnittebene 103 in der Haupterstreckungsebene 100 mittig durch das Bauelement 1 und insbesondere durch die Leiterbahnen 13 und parallel zu den Leiterbahnen 13 verläuft.
  • In 5 ist eine schematische Aufsicht eines Bauelements 1 gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei in der Aufsicht die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' und Isolationsschichten 4, 6, 8, 8', 8'' als konzentrische Ringe um die Flächennormale 15 angeordnet sind, wobei die Flächennormale 15 die dritte weitere Leiterschicht 9'' durchläuft. Die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' umfassen somit insbesondere einen Zylinderkondensator. Alternativ ist auch eine Ausbildung des Bauelements 1 der dritten Ausführungsform dargestellt in 3 als ein Zylinderkondensator mit einer schematischen Aufsicht gemäß der Darstellung der 5 denkbar.
  • In 6 ist eine schematische Seitenansicht eines Bauelements 1 gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die fünfte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der vierten Ausführungsform dargestellt in 4 ist, wobei an der zweiten Oberfläche 11' eine weitere Leiterbahn 13'' auf einer weiteren isolierenden Schicht 200 angeordnet ist, welche mit einer zweiten und einer zweiten weiteren Leiterschicht 7, 9' elektrisch kontaktiert ist. Die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und/oder dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' sind somit sowohl von der ersten, als auch von der zweiten Oberfläche 10', 11' aus kontaktierbar. Die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und/oder dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' sind somit als Kondensatorelektroden und/oder als Durchkontaktierungen von der ersten zur zweiten Oberfläche 10', 11' verwendbar. Mit dieser Ausführungsform sind weiter geschirmte Durchkontaktierungen realisierbar, bei denen beispielsweise mit der ersten, ersten weiteren und dritten weiteren Leiterbahn 5, 9, 9'' die Schirmungen umgesetzt werden.
  • In 7 ist eine schematische Seitenansicht eines Bauelements 1 gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die sechste Ausführungsform im Wesentlichen identisch der fünften Ausführungsform dargestellt in 6 ist, wobei das Bauelement 1 eine Mehrzahl von Leiterbahnpaaren 130 aufweist, wobei jeweils auf der ersten und auf der zweiten Oberfläche 10, 11' eine Leiterbahn 13 eines Leiterbahnpaares 130 angeordnet ist, welche über elektrische Kontaktierungen 12 jeweils auf der ersten und der zweiten Oberfläche 10', 11' über eine der ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren oder dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' miteinander verbunden sind. Somit umfassen die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren oder dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' Durchkontaktierungen zum elektrisch leitfähigen Verbinden von Leiterbahnen 13 auf der ersten Oberfläche 10' mit Leiterbahnen 13 auf der zweiten Oberfläche 11' durch das Substrat 2 hindurch.
  • In 8 ist eine schematische Aufsicht eines Bauelements 1 gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die siebte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der sechsten Ausführungsform dargestellt in 7 ist, wobei die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und/oder dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' über eine Mehrzahl von Leiterbahnen 13 sowohl auf der ersten als auch auf der zweiten Oberfläche 10', 11' elektrisch kontaktiert sind, so dass mittels des Bauelements 1 als Durchkontaktierung für beliebige Leiterbahnkreuzungen, insbesondere beim Wechsel der Leiterbahnen 13 von der einen auf die andere Oberfläche 10', 11' verwendbar ist.
  • In 9 ist eine schematische Seitenansicht einer Mehrzahl von Bauelementen 1', 1'', 1''' gemäß achten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die achte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der sechsten Ausführungsform dargestellt in 7 ist, wobei die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und/oder dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' eines jeden Bauelements 1', 1'', 1''' jeweils an der ersten und an der zweiten Oberfläche 10', 11' über Leiterbahnen 13 kurzgeschlossen sind, so dass eine vergleichsweise niederohmige Durchkontaktierung von der ersten Oberfläche 10' zur zweiten Oberfläche 11' realisiert wird.
  • In 10 ist eine schematische Aufsicht einer Mehrzahl von Bauelementen 1', 1'', 1''' gemäß neunten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die neunte Ausführungsform identisch der achten Ausführungsform dargestellt in 9 ist, wobei eine Mehrzahl der Bauelemente 1, 1'', 1''' in zwei parallelen Reihen 150, 151 parallel zur Haupterstreckungsebene 100 nebeneinander angeordnet sind, wobei jeweils ein erstes Bauelement 1''' der ersten Reihe 150 mit einem senkrecht zu der ersten Reihe 150 gegenüberliegenden zweiten Bauelement 1'' der zweiten Reihe 151 mittels einer auf einer ersten Oberfläche 10' angeordneten ersten Leiterbahn 140, welche die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und/oder dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' des ersten und zweiten Bauelements 1'', 1''' kurschließt, elektrisch leitfähig verbunden ist und wobei auf der zweiten Oberfläche 11' das zweite Bauelement 1'' über eine zweite Leiterbahn 141 mit einem dritten Bauelement 1' der ersten Reihe 150 elektrisch leitfähig verbunden ist, wobei die zweite Leiterbahn 141 die ersten, zweiten, ersten weiteren, zweiten weiteren und/oder dritten weiteren Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'' des zweiten und dritten Bauelements 1', 1'' kurschließt und wobei das dritte Bauelement 1' in der ersten Reihe 150 benachbart zum ersten Bauelement 1' angeordnet ist. Somit wird durch die Vielzahl von Bauelementen 1', 1'', 1''' eine Spule realisiert, wobei die Spulenachse in der Haupterstreckungsebene 100 zwischen der ersten und der zweiten Reihe 150, 151 und parallel zur ersten und zweiten Reihe 150, 151 liegt. Durch eine variable Ausbildung der Leiterschichten 5, 7, 9, 9', 9'', der Leiterbahnen 140, 141 und/oder der Bauelemente 1', 1'', 1''' sind die Windungszahl der Spule und insbesondere die Induktivität veränderbar. Derartige Spulen finden beispielsweise bei Aktuatoren, Mikrorelais und/oder Ventilen Verwendung.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 10206918 A1 [0002]

Claims (11)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements (1), insbesondere eines Kondensator-, Spulen- und/oder Kontaktierungselements, wobei in einem ersten Verfahrensschritt eine Substrataussparung (3) in einem Substrat (2) erzeugt wird, wobei in einem zweiten Verfahrensschritt eine erste Isolationsschicht (4) im Wesentlichen u-förmig in der Substrataussparung (3) angeordnet wird, dadurch gekennzeichnet, dass in einem dritten Verfahrensschritt eine erste Leiterschicht (5) auf der ersten Isolationsschicht (4) im Wesentlichen u-förmig angeordnet wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in einem vierten Verfahrensschritt eine zweite Isolationsschicht (6) auf der ersten Leiterschicht (5) insbesondere u-förmig angeordnet wird und vorzugsweise in einem fünften Verfahrensschritt eine zweite Leiterschicht (7) auf der zweiten Isolationsschicht (6) insbesondere u-förmig angeordnet wird.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in fünften Verfahrensschritten weitere Isolationsschichten (8, 8', 8'') und/oder weitere Leiterschichten (9, 9', 9'') im Bereich der Substrataussparung (3) angeordnet werden, wobei insbesondere eine beliebige Mehrzahl von weiteren Isolationsschichten (8, 8', 8'') und weiteren Leiterschichten (9, 9', 9'') alternierend im Bereich der Substrataussparung (3) angeordnet werden.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einem sechsten Verfahrensschritt das Bauelement (1) auf einer die Substrataussparung (3) aufweisenden ersten Seite (10) geschliffen und/oder geätzt wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einem siebten Verfahrensschritt das Bauelement (1) auf einer der ersten Seite (10) gegenüberliegenden zweiten Seite (11) geschliffen und/oder geätzt wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einem achten Verfahrensschritt die erste, die zweite und/oder die weiteren Leiterschichten (5, 7, 9, 9', 9'') elektrisch kontaktiert werden, wobei die elektrische Kontaktierung (12) insbesondere auf der ersten und/oder auf der zweiten Seite (10, 11), vorzugsweise mittels Leiterbahnen (13), erfolgt.
  7. Bauelement (1) mit einem Substrat (2), einer Substrataussparung (3), einer in der Substrataussparung (3) angeordneten ersten Isolationsschicht (4) und einer in der Substrataussparung (3) angeordneten ersten Leiterschicht (5), insbesondere hergestellt nach einem Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Isolationsschicht (4) und die erste Leiterschicht (5) im Wesentlichen u-förmig ausgebildet sind.
  8. Bauelement (1) nach Anspruch 7 oder hergestellt nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die erste, die zweite und/oder die weiteren Leiterschichten (5, 7, 9, 9', 9'') das Substrat (2) von der ersten Seite (10) bis zur zweiten Seite (11) im Wesentlichen vollständig durchlaufen.
  9. Bauelement (1) nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) eine Haupterstreckungsebene (100) aufweist, wobei die erste, die zweite und/oder die weiteren Isolations- und/oder Leiterschichten (4, 6, 8, 8', 8'', 5, 6, 9, 9', 9'') im Wesentlichen als konzentrische Ringe (14) und/oder konzentrisch um eine Flächennormale (15) der Haupterstreckungsebene (100) angeordnet sind.
  10. Bauelement (1) nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die erste, die zweite und/oder weitere Leiterschicht (5, 7, 9, 9', 9'') auf der ersten und/oder auf der zweiten Seite (10, 11), insbesondere alternierend, elektrisch kontaktiert sind.
  11. Bauelement (1) nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement (1) einen Kondensator, insbesondere einen Zylinderkondensator, eine Durchkontaktierung und/oder eine Spule umfasst und/oder dass auf der ersten und/oder der zweiten Seite (10, 11) integrierte Schaltungen, vorzugsweise in CMOS-Technologie, angeordnet sind.
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