DE102007048007A1 - Warpage preventing circuit substrate for semiconductor package, has warpage preventing region comprising warpage pattern formed in adjacent corners of substrate and warpage elements provided in diagonal direction of corners - Google Patents

Warpage preventing circuit substrate for semiconductor package, has warpage preventing region comprising warpage pattern formed in adjacent corners of substrate and warpage elements provided in diagonal direction of corners Download PDF

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Dae-ho Cheonan Lee
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

The circuit substrate (100) has warpage preventing region (104) provided in the edges of the substrate and conducting region (102) provided in the center of the substrate. The warpage preventing region has warpage preventing pattern (P1,P2) formed in the adjacent corners of the substrate. The warpage preventing elements (L0-L2) is provided in the diagonal direction of the corners. Independent claims are included for the following: (1) semiconductor package; and (2) fabricating method of warpage preventing circuit substrate.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Schaltkreissubstrat, auf eine zugehörige Halbleiterchippackung und ein zugehöriges Herstellungsverfahren.The This invention relates to a circuit substrate on an associated semiconductor chip package and an associated one Production method.

Moderne elektrische Bauelemente erfordern kleine Abmessungen, große Speicherkapazität und hohe Performance für ihre Anwendungen, wie zum Beispiel mobile Anwendungen. Deshalb müssen Halbleiterchippackungen, die in modernen elektrischen Geräten verwendet werden, wie zum Beispiel mobile elektrische Geräte, ebenfalls kleine Abmessungen, große Speicherkapazität und hohe Performance aufweisen. Typischerweise sind Halbleiterchippackungen entweder von einem Leiterrahmentyp (Lead-Frame-Typ) oder von einem Ball-Grid-Array(BGA)- oder Land-Grid-Array(LGA)-Typ. Eine Leiterplatte (PCB) oder ein Filmsubstrat werden oftmals in Verbindung mit einer als BGA- oder LGA-Typ ausgebildeten Chippackung verwendet, um hohe Zuverlässigkeit und verringerte Maße und verringertes Gewicht der Halbleiterchippackung zu erreichen.modern Electrical components require small dimensions, large storage capacity and high Performance for their applications, such as mobile applications. Therefore, semiconductor chip packages, in modern electrical appliances used, such as mobile electrical appliances, too small dimensions, big memory and have high performance. Typically, semiconductor chip packages either of a lead frame type or of a leadframe type Ball Grid Array (BGA) or Land Grid Array (LGA) type. A printed circuit board (PCB) or a film substrate is often used in Connection with a chip package designed as a BGA or LGA type used to high reliability and reduced dimensions and to achieve reduced weight of the semiconductor chip package.

Eine PCB beinhaltet ein isolierendes Substrat, welches typischerweise aus einem Polyimidmaterial hergestellt ist, und eine Leiterstruktur, welche typischerweise aus Kupfer (Cu) hergestellt ist. Die Leiterstruktur kann zwischen Schichten des Substrats oder auf einer der Substratoberflächen angeordnet sein. Wird eine Chippackung in einem elektronischen System, wie zum Beispiel einer Hauptplatine in einem mobilen elektronischen Gerät, verwendet, kann die Packung einem Wärmeschritt für Bondzwecke ausgesetzt werden. Aufgrund des Wärmeschritts kann eine Packungsverbiegung auftreten, bedingt durch eine Fehlanpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE) zwischen den verschiedenen Komponenten in der Chippackung. Diese Komponenten beinhalten den Halbleiterchip, das Substrat und eine Gießverbindung (molding compound).A PCB includes an insulating substrate, which is typically is made of a polyimide material, and a conductor pattern, which is typically made of copper (Cu). The ladder structure may be disposed between layers of the substrate or on one of the substrate surfaces be. Is a chip package in an electronic system, like for example, a motherboard in a mobile electronic Device, used, the package may be a heating step for bonding purposes get abandoned. Due to the heating step, packing warping may occur occur due to a mismatch of the thermal expansion coefficient (CTE) between the different components in the chip package. These components include the semiconductor chip, the substrate and a casting compound (molding compound).

1 zeigt ein herkömmliches Halbleiterpackungsdesign. Ein Halbleiterchip 20 liegt auf einem Schaltkreissubstrat 10 auf. Der Chip 20 ist mittels einer Leitung 16 mit einer leitenden Struktur 22 verbunden. Ein Ende der Leitung ist mit einer Chipkontaktstelle 18 verbunden und das andere Ende der Leitung ist mit einem Bondfinger 14 verbunden. Eine Dummy- bzw. Blindstruktur 12 ist auf dem Substrat 10 vorgesehen, um die Festigkeit des Substrats 10 zu steigern, wie in der Patentschrift US 6.864.434 offenbart. Die Blindstruktur 12 kann mit einer Versorgungs- oder Masseleitung der Halbleiterchippackung verbunden sein. Die leitende Struktur 22 kann Lotkugelkontaktstellen enthalten, auf denen Lotkugeln geformt werden können. Die Lotkugeln können durch Anbringen einer Lotpaste auf die Lotkugelkontaktstellen und Anwendung eines Wärmeschritts zum Bilden der Lotkugeln aus der Lotpaste erzeugt werden. 1 shows a conventional semiconductor package design. A semiconductor chip 20 lies on a circuit substrate 10 on. The chip 20 is by means of a line 16 with a conductive structure 22 connected. One end of the line is with a chip pad 18 connected and the other end of the line is with a bonding finger 14 connected. A dummy or blind structure 12 is on the substrate 10 provided to the strength of the substrate 10 to increase, as in the patent US 6,864,434 disclosed. The blind structure 12 may be connected to a supply or ground line of the semiconductor chip package. The conductive structure 22 may include solder ball pads on which solder balls can be formed. The solder balls may be formed by attaching a solder paste to the solder ball pads and applying a heating step to form the solder balls from the solder paste.

2 zeigt einen Querschnitt einer auf einer Leiterplatte 40 montierten Halbleiterchippackung, die eine Durchbiegung an den Seiten der Halbleiterchippackung aufweist. Ein herkömmlicher Prozess zur Herstellung eines elektronischen Gerätes mit einem Halbleiterchip beinhaltet das Befestigen eines Halbleiterchips 20 an einem Schaltkreissubstrat 10. Der Halbleiterchip 20 wird dann elektrisch mit dem Schaltkreissubstrat 10 über eine Leitung 16 verbunden. Dieser Schritt kann durch einen Standard-Drahtbondprozess ausgeführt werden. Als nächstes werden der Halbleiterchip 20 und die Leitung 16 mittels einer Epoxy-Gießverbindung (EMC) 50 verkapselt. Lotkugeln oder Lothügel 30 werden dann an dem Schaltkreissubstrat 10 angebracht. Als nächstes wird ein Vereinzelungsschritt ausgeführt, um individuelle Halbleiterchippackungen voneinander zu trennen. Dieser Schritt kann mittels eines Wafer-Dicingprozesses ausgeführt werden. Abschließend werden die Lotkugeln oder Lothügel 30 dazu verwendet, die Chippackung an einer Leiterplatte 40 anzubringen. Dieser Schritt kann eine Wärmebehandlung beinhalten, um die Lotkugeln oder weiteres leitendes Material, wie zum Beispiel Lotpaste, zu schmelzen, so dass die Chippackung an der Leiterplatte angebracht wird. 2 shows a cross section of a on a circuit board 40 mounted semiconductor chip package, which has a deflection at the sides of the semiconductor chip package. A conventional process for manufacturing an electronic device with a semiconductor chip includes attaching a semiconductor chip 20 on a circuit substrate 10 , The semiconductor chip 20 then becomes electrically connected to the circuit substrate 10 over a line 16 connected. This step can be performed by a standard wire bonding process. Next, the semiconductor chip 20 and the line 16 using an epoxy casting compound (EMC) 50 encapsulated. Lotkugeln or Lothügel 30 are then applied to the circuit substrate 10 appropriate. Next, a dicing step is performed to separate individual semiconductor chip packages from each other. This step may be carried out by means of a wafer dicing process. Finally, the solder balls or solder bumps 30 used to the Chippackung on a circuit board 40 to install. This step may include a heat treatment to melt the solder balls or other conductive material, such as solder paste, so that the chip package is attached to the circuit board.

Ein Problem bei dem herkömmlichen Halbleiterchippackungsdesign ist, dass Wärmeschritte, die benutzt werden, um die Lotkugeln zu formen oder die Chippackung mit der Leiterplatte zu verbinden, eine Durchbiegung der Chippackung, wie in 2 bei „a" gezeigt, verursachen können. Diese Durchbiegung kann auf die CTE-Fehlanpassung zwischen dem Halbleiterchip 20, dem Schaltkreissubstrat 10 und der EMC 50 zurückzuführen sein. Sie kann zu Unterbrechungsausfällen zwischen der Chippackung und der Leiterplatte führen, wie in einem mittleren Bereich der Leiterplatte in 2 gezeigt. Ferner kann die mechanische Spannung resultierend aus dem Unterschied des CTE der Materialien in Richtung der Dicke des Substrats (d.h. des Substratmaterials, der leitenden Struktur und der Blindstruktur) ebenfalls eine bedeutende Rolle in der Verursachung einer Durchbiegung der Chippackung spielen.A problem with the conventional semiconductor chip package design is that heat steps used to mold the solder balls or connect the chip package to the printed circuit board will cause deflection of the chip package, as in FIG 2 This deflection may be due to the CTE mismatch between the semiconductor chip 20 , the circuit substrate 10 and the EMC 50 be due. It can lead to interruptions between the chip package and the printed circuit board, as in a central region of the printed circuit board 2 shown. Further, the stress due to the difference in the CTE of the materials in the direction of the thickness of the substrate (ie, the substrate material, the conductive structure, and the dummy structure) may also play a significant role in causing deflection of the chip package.

Die 3a und 3b sind Konturgrafiken der mechanischen Spannung des Schaltkreissubstrats 10 während eines Wärmebehandlungsprozesses, um die Chippackung an der Leiterplatte anzubringen. Die dunkleren Bereiche der 3a und 3b zeigen Bereiche mit größeren mechanischen Spannungen. Wie gezeigt, haben die Ecken und die Mittenbereiche des Schaltkreissubstrats eine relativ höhere Spannungskonzentration als die anderen Bereiche des Schaltkreissubstrats 10. Jedoch ist die mechanische Spannung im Mittenbereich des Schaltkreissubstrats 10 relativ klein, da der Halbleiterchip 20 sich im Mittenbereich des Schaltkreissubstrats 10 befindet und deshalb der Spannungskonzentration im Mittenbereich widerstehen kann. Es gibt jedoch nicht genügend Widerstand, um die Spannungsbelastung an den Ecken des Schaltkreissubstrats zu kompensieren. Dadurch führt die Spannung an den Ecken des Schaltkreissubstrats 10 zu Durchbiegung. Ferner haben die leitende Struktur und die Dummystruktur, die jeweils aus Kupfer hergestellt sind, einen hohen CTE oder eine hohe Schrumpfungsrate, wodurch zusätzliche Konzentration an mechanischer Spannung an den Ecken verursacht wird.The 3a and 3b are contour graphics of the mechanical stress of the circuit substrate 10 during a heat treatment process to attach the chip package to the circuit board. The darker areas of the 3a and 3b show areas with greater mechanical stresses. As shown, the corners and center regions of the circuit substrate have a relatively higher concentration of stress than the other regions of the circuit substrate 10 , However, the mechanical stress is in the center region of the circuit substrate 10 relatively small, since the semiconductor chip 20 in the center region of the circuit substrate 10 and therefore can withstand the stress concentration in the center region. It However, there is not enough resistance to compensate for the voltage stress at the corners of the circuit substrate. This results in the voltage at the corners of the circuit substrate 10 to deflection. Further, the conductive structure and the dummy structure, each made of copper, have a high CTE or a high rate of shrinkage, causing additional concentration of stress at the corners.

In anderen Worten ist mechanische Spannung an den vier Ecken des Schaltkreissubstrats 10 konzentriert, wie bei „b" gezeigt. Da die thermische Ausdehnung oder Schrumpfungsrate des Chips 20 relativ niedrig ist, wirkt der Chip 20 der zwischen Schaltkreissubstrat 10 und EMC 50 erzeugten mechanischen Spannung entgegen. Dadurch ist die Durchbiegung im Bereich des Schaltkreissubstrats 10, in dem der Chip 20 angebracht ist, relativ klein. Demgegenüber befindet sich im Bereich „b" nicht genug spannungsfestes Material, wie zum Beispiel der Chip 20, das der mechanischen Spannung entgegenwirkt. Deshalb wirkt sich die Spannungsbelastung ohne großen Widerstand aus. Insbesondere die leitenden Strukturen, die eine höhere Schrumpfungsrate aufweisen, verursachen thermische Spannungen in Richtung der Ecken des Schaltkreissubstrats 10. Außerdem erhöht die Dummystruktur 12 die Schrump fungsrate des Schaltkreissubstrats 10 noch stärker, wodurch die Durchbiegung im Bereich „b" vergrößert wird. Eine derartige Durchbiegung verursacht eine ungleichmäßige Höhe der Lotkugeln 30 gegenüber der Leiterplatte 40 während der Montage; dadurch werden Kontaktausfälle verursacht, wie in 2 gezeigt und zuvor erläutert.In other words, stress is at the four corners of the circuit substrate 10 concentrated, as shown at "b." Because the thermal expansion or shrinkage rate of the chip 20 is relatively low, the chip acts 20 the between circuit substrate 10 and EMC 50 counteracted generated mechanical tension. As a result, the deflection is in the region of the circuit substrate 10 in which the chip 20 attached, relatively small. In contrast, in the area "b" is not enough stress-resistant material, such as the chip 20 , which counteracts the mechanical tension. Therefore, the stress load without much resistance. In particular, the conductive structures having a higher rate of shrinkage cause thermal stresses toward the corners of the circuit substrate 10 , In addition, the dummy structure increases 12 the shrinkage rate of the circuit substrate 10 even more so as to increase the deflection in the region "b." Such a deflection causes an uneven height of the solder balls 30 opposite the circuit board 40 during assembly; This causes contact failures, as in 2 shown and explained above.

Eine Methode zur Vermeidung von Durchbiegung einer Chippackung ist in der Offenlegungsschrift JP 2000-151053 A offenbart. Dort ist eine durchbiegungshindernde Struktur vorgesehen, die auf einer PCB angeordnet ist. Ein weiterer Ansatz, um Durchbiegung zu vermeiden, ist in der oben erwähnten Patentschrift US 6.864.434 offenbart.One method for avoiding deflection of a chip package is in the published patent application JP 2000-151053 A disclosed. There, a deflection-preventing structure is provided, which is arranged on a PCB. Another approach to avoid sagging is in the aforementioned patent US 6,864,434 disclosed.

Diese herkömmlichen Methoden berücksichtigen die verschiedenen Richtungen von Spannungslinien nicht, die an den verschiedenen Ecken des Substrats konzentriert sein können. Folglich wird die mechanische Spannung an den Ecken des Substrats nicht so effektiv reduziert.These usual Consider methods the different directions of stress lines that are attached to the can be concentrated on different corners of the substrate. consequently the stress at the corners of the substrate will not be that way effectively reduced.

Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines Schaltkreissubstrats, einer entsprechenden Halbleiterchippackung und eines zugehörigen Herstellungsverfahrens zugrunde, mit denen sich die oben erläuterten Schwierigkeiten des Standes der Technik reduzieren oder vermeiden lassen, insbesondere die erwähnten unerwünschten Durchbiegungseffekte.Of the Invention is the technical problem of providing a Circuit substrate, a corresponding semiconductor chip package and an associated one Manufacturing process with which the above explained To reduce or avoid the difficulties of the prior art let, in particular those mentioned unwanted deflection effects.

Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines Schaltkreissubstrats mit den Merkmalen des Anspruchs 1, einer Halbleiterchippackung mit den Merkmalen des Anspruchs 38 und eines Schaltkreissubstrat-Herstellungsverfahrens mit den Merkmalen des Anspruchs 39. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.The Invention solves this problem by providing a circuit substrate with the features of claim 1, a semiconductor chip with the features of claim 38 and a circuit substrate manufacturing method with the features of claim 39. Advantageous developments The invention are specified in the subclaims.

Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend beschrieben und sind in den Zeichnungen dargestellt, in denen außerdem die oben zum besseren Verständnis der Erfindung erläuterten herkömmlichen Ausführungsbeispiele veranschaulicht sind. Hierbei zeigen:advantageous embodiments The invention will be described below and in the drawings in which also the above for better understanding of the invention explained usual embodiments are illustrated. Hereby show:

1 eine Draufsicht einer herkömmlichen Halbleiterchippackung, die einen Halbleiterchip beinhaltet, 1 a plan view of a conventional semiconductor chip package that includes a semiconductor chip,

2 eine Querschnittansicht eines herkömmlichen elektronischen Bauelements, das die in 1 gezeigte Chippackung enthält, 2 a cross-sectional view of a conventional electronic component, the in 1 contains shown chip package,

3a und 3b grafische Konturdarstellungen der mechanischen Spannung eines herkömmlichen Schaltkreissubstrats, 3a and 3b Graphical contour plots of the mechanical stress of a conventional circuit substrate,

4 eine Draufsicht einer Halbleiterchippackung gemäß der Erfindung, 4 a top view of a semiconductor chip package according to the invention,

5 eine schematische Darstellung eines Schaltkreissubstrats mit angedeuteten Spannungslinien, 5 a schematic representation of a circuit substrate with indicated voltage lines,

6 eine vergrößerte Darstellung eines Eckbereichs eines Schaltkreissubstrats gemäß der Erfindung, 6 an enlarged view of a corner region of a circuit substrate according to the invention,

7 eine Draufsicht eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung eine durchbiegungshindernde Struktur darstellt, die an einem Bereich mit leitenden Strukturen endet, 7 FIG. 4 is a top view of a circuit substrate which, according to the invention, represents a deflection-inhibiting structure terminating at a region of conductive structures. FIG.

8 eine Draufsicht eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung eine durchbiegungshindernde Struktur darstellt, welche von verschiedenen Eckbereichen ausgehend zu Längsseiten des Schaltkreissubstrats verläuft, 8th FIG. 4 is a plan view of a circuit substrate which, according to the invention, represents a sag-preventive structure extending from various corner regions to longitudinal sides of the circuit substrate. FIG.

9 eine Draufsicht eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung eine durchbiegungshindernde Struktur darstellt, welche von verschiedenen Eckbereichen ausgehend zu einer Querseite des Schaltkreissubstrats verläuft, 9 FIG. 4 is a plan view of a circuit substrate which, according to the invention, represents an anti-deflection structure extending from various corner regions to a transverse side of the circuit substrate. FIG.

10 eine Draufsicht eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung durchbiegungshindernde Strukturen mit unterschiedlichen Neigungswinkeln darstellt, 10 a plan view of a circuit substrate, which represents according to the invention deflection-preventing structures with different angles of inclination,

11 eine Draufsicht eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung eine leitende Struktur darstellt, welche sich in den Bereich einer durchbiegungshindernden Struktur erstreckt, 11 4 is a plan view of a circuit substrate which, according to the invention, represents a conductive structure extending into the region of a deflection-preventing structure;

12 eine Draufsicht eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung eine Lotkugelkontaktstelle darstellt, welche sich in den Bereich einer durchbiegungshindernden Struktur erstreckt, 12 3 is a plan view of a circuit substrate which, according to the invention, represents a solder ball contact which extends into the region of a deflection-preventing structure;

13 und 14 Draufsichten eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung durchbiegungshindernde Strukturen darstellen, welche abgewinkelte durchbiegungshindernde Strukturteile aufweisen, 13 and 14 Top views of a circuit substrate, which according to the invention provide deflection-inhibiting structures, which have angled deflection-preventing structural parts,

15 und 16 Draufsichten eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung durchbiegungshindernde Strukturen darstellen, welche bogenförmige durchbiegungshindernde Strukturteile aufweisen, 15 and 16 Top views of a circuit substrate, which constitute according to the invention deflection-preventing structures having arcuate deflection-preventing structural parts,

17 eine Draufsicht eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung eine durchbiegungshindernde Struktur darstellt, die Teile an verschiedenen Eckbereichen aufweist, die über eine Hilfsstruktur entlang einer Längsseite des Schaltkreissubstrats verbunden sind, 17 FIG. 4 is a plan view of a circuit substrate which, according to the invention, is a deflection-preventing structure having parts at different corner portions connected via an auxiliary structure along a longitudinal side of the circuit substrate; FIG.

18 eine Draufsicht eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung eine durchbiegungshindernde Struktur darstellt, die Teile an verschiedenen Eckbereichen aufweist, die über eine Hilfsstruktur entlang einer Querseite des Schaltkreissubstrats verbunden sind, 18 FIG. 4 is a plan view of a circuit substrate according to the invention, illustrating a deflection preventing structure having parts at different corner portions connected via an auxiliary structure along a lateral side of the circuit substrate; FIG.

19 eine Draufsicht eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung gleichartige durchbiegungshindernde Strukturteile in Eckbereichen darstellt, welche miteinander zu einer randseitig umlaufenden Struktur verbunden sind, 19 a plan view of a circuit substrate, which according to the invention is similar deflection-preventing structural parts in corner regions, which are connected together to form a peripherally encircling structure,

20 eine Draufsicht eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung eine weitere durchbiegungshindernde Struktur darstellt, welche getrennte Teile in Eckbereichen sowie zwei weitere Strukturteile zwischen selbigen aufweist, 20 a top view of a circuit substrate, which according to the invention represents another deflection-preventing structure having separate parts in corner regions and two further structural parts between the same,

21 eine Draufsicht eines Schaltkreissubstrats, die gemäß der Erfindung einen Blindbereich darstellt, 21 a plan view of a circuit substrate, which constitutes a blind area according to the invention,

22a bis 22c schematische Draufsichten verschiedener Typen von Schaltkreissubstraten, 22a to 22c schematic plan views of various types of circuit substrates,

23 ein Schaubild, das die Durchbiegung einer Chippackung während eines Erwärmungsprozesses darstellt, 23 a diagram illustrating the deflection of a chip package during a heating process,

24 schematische Schnittansichten zur Veranschaulichung eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Bildung einer durchbiegungshindernden Struktur unter Verwendung eines zusätzlichen Prozesses, 24 schematic sectional views for illustrating a method according to the invention for forming a deflection-preventing structure using an additional process,

25 schematische Schnittansichten zur Veranschaulichung eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Bildung einer durchbiegungshindernden Struktur unter Verwendung eines Ätzprozesses und 25 schematic sectional views for illustrating a method according to the invention for forming a deflection-preventing structure using an etching process and

26a bis 26c schematische Schnittansichten zur Veranschaulichung des Aufbringens von Lotresist auf ein Kernsubstrat gemäß der Erfindung. 26a to 26c schematic sectional views for illustrating the application of Lotresist on a core substrate according to the invention.

Die Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die zugehörigen 4 bis 26c, welche verschiedene Ausführungen der Erfindung zeigen, umfassender beschrieben. 4 zeigt eine Halbleiterchippackung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, die einige der unten mit Bezug zu den 5 und 6 beschriebenen, erfindungsgemäßen Konzepte verwendet.The invention will now be described with reference to the accompanying drawings 4 to 26c , which show various embodiments of the invention, described in more detail. 4 shows a semiconductor chip package according to an embodiment of the invention, some of the below with reference to the 5 and 6 described inventive concepts used.

Gemäß 4 beinhaltet eine Halbleiterchippackung ein Schaltkreissubstrat 100 und einen Halbleiterchip 120. Das Schaltkreissubstrat 100 beinhaltet einen leitenden Strukturbereich 102 und einen durchbiegungshindernden Bereich 104, welche jeweils in dem Schaltkreissubstrat 100 definiert sind. Der durchbiegungshindernde Bereich 104 kann von dem leitenden Strukturbereich 102 auf Eck- oder Randzonen des Schaltkreissubstrats 100 begrenzt sein und der leitende Strukturbereich 102 kann beispielsweise in einem inneren Bereich des Schaltkreissubstrats 100 angrenzend an den durchbiegungshindernden Bereich 104 vorgesehen sein. Das Schaltkreissubstrat 100 kann ein isolierendes Kernsubstrat, zum Beispiel eine oder mehrere PCBs oder ein Filmtyp-Packungssubstrat, beinhalten. Das Schaltkreissubstrat 100 kann ein Typ von Substrat sein, der in einer großen Vielfalt von elektronischen Geräten, wie zum Beispiel Speicherbauelemente für mobile Anwendungen oder Personalcomputer, ein Anzeigegerät oder ein Anzeigetreiber-IC(DDI)-Bauelement, anwendbar ist.According to 4 For example, a semiconductor chip package includes a circuit substrate 100 and a semiconductor chip 120 , The circuit substrate 100 includes a conductive structure area 102 and a deflection-preventing area 104 respectively in the circuit substrate 100 are defined. The deflection-preventing area 104 can from the conductive structure area 102 on corner or edge zones of the circuit substrate 100 be limited and the conductive structure area 102 For example, in an inner region of the circuit substrate 100 adjacent to the deflection-preventing area 104 be provided. The circuit substrate 100 may include an insulating core substrate, for example one or more PCBs or a film type packaging substrate. The circuit substrate 100 may be a type of substrate applicable in a wide variety of electronic devices, such as memory devices for mobile applications or personal computers, a display device, or a display driver IC (DDI) device.

Der leitende Strukturbereich 102 beinhaltet eine leitende Struktur 112, welche einen Bondfinger 106 und einen Lotkugelkontakt (nicht bezeichnet) beinhalten kann. Der leitende Strukturbereich 102 kann zudem eine Blind- bzw. Dummystruktur (nicht gezeigt) aufweisen. Falls der leitende Strukturbereich 102 die Blindstruktur beinhaltet, ist die Blindstruktur nicht in einem Bereich angeordnet, in dem die leitende Struktur 112 und der Bondfinger 106 ausgebildet sind. Die Blindstruktur kann beispielsweise in Form einer Ebene, eines Netzes oder einer Insel ausgebildet sein. Der Halbleiterchip 120 kann einen Bondkontakt 110 und einen leitenden Draht 108 beinhalten, der den Bondkontakt 112 mit dem Bondfinger 106 verbindet. Der Fachmann kennt weitere bekannte Methoden, wie zum Beispiel Flip-Chip-Bonden, die verwendet werden können, um den Bondkontakt 110 mit dem Bondfinger 106 zu verbinden.The conductive structure area 102 includes a conductive structure 112 , which is a bond finger 106 and may include a solder ball contact (not labeled). The conductive structure area 102 may also have a dummy structure (not shown). If the conductive structure area 102 includes the blind structure, the dummy structure is not arranged in an area where the conductive structure 112 and the bond finger 106 are formed. The blind structure may be formed for example in the form of a plane, a network or an island. The semiconductor chip 120 can a Bondkon clock 110 and a conductive wire 108 include the bonding contact 112 with the bond finger 106 combines. The person skilled in the art knows of other known methods, such as flip-chip bonding, which can be used to make the bond contact 110 with the bond finger 106 connect to.

Der durchbiegungshindernde Bereich 104 kann jede brauchbare Form haben, um im Bereich der Ecken des Packungssubstrats 100 zu liegen, und kann beispielsweise eine dreieckige Form haben. Die Form des durchbiegungshindernden Bereichs 104 kann auch abhängig von der Lage der Ecken des Schaltkreissubstrats 100 variiert werden. Ferner kann, um die mechanische Spannung besser abzubauen, die Grenzfläche, an welcher der leitende Strukturbereich 102 und der durchbiegungshindernde Bereich 104 zusammentreffen, gerundet oder bogenförmig sein, obgleich nicht dargestellt. Die Größe des durchbiegungshindernden Bereichs 104 kann nach Bedarf variiert werden, um den leitenden Strukturbereich 102 aufzunehmen.The deflection-preventing area 104 may be of any useful shape around the corners of the package substrate 100 to lie, and may for example have a triangular shape. The shape of the deflection-preventing area 104 may also depend on the location of the corners of the circuit substrate 100 be varied. Further, in order to better degrade the stress, the interface at which the conductive structure region may be 102 and the deflection-preventing area 104 to meet, rounded or arcuate, although not shown. The size of the deflection-preventing area 104 can be varied as needed to the conductive structure area 102 take.

Eine durchbiegungshindernde Struktur P kann an einigen oder allen Ecken des Schaltkreissubstrats 100 angeordnet sein. Zum Beispiel kann die durchbiegungshindernde Struktur P an drei oder vier Ecken ausge bildet sein, falls das Schaltkreissubstrat 100 eine rechteckige Form aufweist.An anti-deflection structure P may exist at some or all corners of the circuit substrate 100 be arranged. For example, the sag-preventive structure P may be formed at three or four corners if the circuit substrate 100 has a rectangular shape.

Die durchbiegungshindernde Struktur P kann eine erste durchbiegungshindernde Struktur P1 an einer ersten Ecke des Schaltkreissubstrats 100 und eine zweite durchbiegungshindernde Struktur P2 an einer zweiten Ecke des Schaltkreissubstrats 100 beinhalten. Die erste und die zweite Ecke des Schaltkreissubstrats 100 können zwei beliebige benachbarte Ecken des Schaltkreissubstrats 100 sein. Die ersten und zweiten Strukturen P1, P2 können eine oder mehrere durchbiegungshindernde Teile L0, L1 beinhalten, wie später detaillierter erläutert wird. Die ersten und zweiten Strukturen P1, P2 können auch getrennt voneinander angeordnet sein.The sag-preventive structure P may include a first sag-preventive structure P1 at a first corner of the circuit substrate 100 and a second deflection preventing structure P2 at a second corner of the circuit substrate 100 include. The first and second corners of the circuit substrate 100 may be any two adjacent corners of the circuit substrate 100 be. The first and second structures P1, P2 may include one or more deflection-inhibiting parts L0, L1, as will be explained in more detail later. The first and second structures P1, P2 can also be arranged separately from one another.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung kann die Gesamtausrichtung der ersten Struktur P1 in Bezug auf das Schaltkreissubstrat 100 verschieden von der Gesamtausrichtung der zweiten Struktur P2 in Bezug auf das Schaltkreissubstrat 100 sein. Hierbei kann eine Kante, eine Ecke oder der ganze Körper des Substrats 100 ein Referenzpunkt sein, wenn die Ausrichtung der ersten und zweiten Strukturen P1 und P2 in Bezug auf das Schaltkreissubstrat 100 festgelegt wird. Zum Beispiel ist die Gesamtausrichtung der durchbiegungshindernden Teile der ersten Struktur P1 verschieden von der Gesamtausrichtung der durchbiegungshindernden Teile der zweiten Struktur P2. In dieser Hinsicht definieren die durchbiegungshindernden Teile der ersten Struktur P1 zusammen eine erste Ausrichtung an der ersten Ecke des Substrates 100, und die durchbiegungshindernden Teile der zweiten Struktur P2 definieren zusammen eine zweite Ausrichtung an der zweiten Ecke des Substrates 100. In 4 kann die erste Struktur P1 allgemein von einer linken unteren Seite zu einer rechten oberen Seite oder umgekehrt in Bezug auf das Substrat 100 ausgerichtet sein; und die zweite Struktur P2 kann all gemein von einer rechten unteren Seite zu einer linken oberen Seite oder umgekehrt ausgerichtet sein.According to one aspect of the invention, the overall orientation of the first structure P1 with respect to the circuit substrate 100 different from the overall orientation of the second structure P2 with respect to the circuit substrate 100 be. This can be an edge, a corner or the whole body of the substrate 100 be a reference point when the alignment of the first and second structures P1 and P2 with respect to the circuit substrate 100 is determined. For example, the overall orientation of the deflection-preventing parts of the first structure P1 is different from the overall orientation of the deflection-preventing parts of the second structure P2. In this regard, the deflection preventing portions of the first structure P1 together define a first orientation at the first corner of the substrate 100 and the deflection preventing portions of the second structure P2 together define a second orientation at the second corner of the substrate 100 , In 4 For example, the first structure P1 may be generally from a lower left side to a upper right side or vice versa with respect to the substrate 100 be aligned; and the second structure P2 may be generally aligned from a lower right side to a lower upper side, or vice versa.

In einigen Ausführungen der Erfindung können im wesentlichen alle durchbiegungshindernden Teile in der ersten Ecke im wesentlichen die gleiche Ausrichtung in Bezug zum Substrat 100 aufweisen, und im wesentlichen alle durchbiegungshindernden Teile in der zweiten Ecke können im wesentlichen die gleiche Ausrichtung in Bezug zum Substrat 100 aufweisen. Zum Beispiel sind im wesentlichen alle durchbiegungshindernden Teile in der ersten Ecke in einer ersten Ausrichtung angeordnet, z.B. von einer linken unteren Seite zu einer rechten oberen Seite oder umgekehrt, und im wesentlichen alle durchbiegungshindernden Teile in der zweiten Ecke sind in einer zweiten Ausrichtung angeordnet, Z.B. von einer rechten unteren Seite zu einer linken oberen Seite oder umgekehrt. Es versteht sich für den Fachmann, dass in entsprechenden Ausführungsformen einige durchbiegungshindernde Teile verschieden von den anderen durchbiegungshindernden Teilen ausgerichtet, d.h. orientiert sein können. In einem Aspekt der Erfindung liegt eine Längsachse mindestens eines gewissen Teils der ersten Struktur P1 in einem Winkel in Bezug auf eine Längsachse mindestens eines gewissen Teils der zweiten Struktur P2.In some embodiments of the invention, substantially all deflection-inhibiting parts in the first corner may have substantially the same orientation with respect to the substrate 100 and substantially all of the deflection preventing portions in the second corner may have substantially the same orientation with respect to the substrate 100 exhibit. For example, substantially all deflection-inhibiting parts in the first corner are arranged in a first orientation, eg from a left lower side to a right upper side or vice versa, and substantially all deflection-preventing parts in the second corner are arranged in a second orientation, eg from a lower right side to a lower upper side or vice versa. It will be understood by those skilled in the art that in certain embodiments, some deflection-inhibiting parts may be oriented differently from the other deflection-inhibiting parts, ie, oriented. In one aspect of the invention, a longitudinal axis of at least a certain part of the first structure P1 is at an angle with respect to a longitudinal axis of at least a certain part of the second structure P2.

In 4 wird die durchbiegungshindernde Struktur P als geradliniger Typ dargestellt, was später weiter erläutert wird. Wenn jedoch die durchbiegungshindernde Struktur P einen oder mehrere Bögen aufweist, wie zum Beispiel in 15 gezeigt, kann die Gesamtausrichtung der durchbiegungshindernden Struktur P durch eine Ausrichtung einer Sehne, d.h. einer geradlinigen Verbindung zweier Punkte auf einer Kurve des Bogens, bestimmt sein. Die Gesamtausrichtung einer durchbiegungshindernden Struktur P, die andere Formen statt geradlinig oder statt eines Bogens aufweist, kann durch die Methode zur Bestimmung der Ausrichtung des Bogens, wie zuvor diskutiert, bestimmt werden.In 4 For example, the deflection-preventing structure P is shown as a straight-line type, which will be explained later. However, when the deflection preventing structure P has one or more arcs, such as in FIG 15 4, the overall orientation of the sag-inhibiting structure P may be determined by an alignment of a chord, ie, a straight-line connection of two points on a curve of the arc. The overall orientation of a sag-preventive structure P having shapes other than straight or in lieu of a bow can be determined by the method of determining the orientation of the bow as previously discussed.

In noch einem weiteren Aspekt kann sich mindestens ein gewisser Teil der ersten Struktur P1 entlang einer Richtung erstrecken, die im wesentlichen orthogonal zu einer die erste Ecke halbierenden Achse ist. Ebenso kann sich die zweite Struktur P2 entlang einer Richtung erstrecken, die im wesentlichen orthogonal zu einer die zweite Ecke halbierenden Achse ist.In yet another aspect may be at least a certain part of the first structure P1 extend along a direction indicated in FIG essentially orthogonal to an axis bisecting the first corner is. Likewise, the second structure P2 may be along one direction extend substantially orthogonal to a second corner halving axis is.

Einige der Elemente der Halbleiterchippackung können auf einer Seite des Schaltkreissubstrats 100 und andere Elemente können auf der anderen Seite des Schaltkreissubstrats 100 angeordnet sein. Als ein Beispiel kann der Bondfinger 106 auf einer ersten Seite des Schaltkreissubstrats 100 vorgesehen sein und der Lotkugelkontakt kann auf einer zweiten, gegenüberliegenden Seite des Schaltkreissubstrates 100 angeordnet sein. Ferner können die Blindstruktur und/oder die durchbiegungshindernde Struktur P auf der einen Seite oder der anderen Seite des Schaltkreissubstrats 100 oder auf beiden Seiten vorgesehen sein.Some of the elements of the semiconductor chip package may be on one side of the circuit substrate 100 and other elements may be on the other side of the circuit substrate 100 be arranged. As an example, the bond finger 106 on a first side of the circuit substrate 100 be provided and the solder ball contact on a second, opposite side of the circuit substrate 100 be arranged. Further, the dummy pattern and / or the sag-preventive structure P may be on one side or the other side of the circuit substrate 100 or be provided on both sides.

Wenn das Schaltkreissubstrat 100 mehr als eine Schicht bzw. Schichtebene umfasst, kann die durchbiegungshindernde Struktur P auch in mehr als einer Schicht bzw. Ebene vorgesehen sein, obgleich nicht näher dargestellt. Insbesondere kann die durchbiegungshindernde Struktur P, wenn das Schaltkreissubstrat 100 eine mehrschichtige PCB enthält, in einer untersten Schicht, einer obersten Schicht und/oder einer zwischenliegenden Schicht der mehrschichtigen PCB vorgesehen sein. Dabei kann die erste Struktur P1 z.B. in einer anderen Schicht der mehrschichtigen PCB wie die zweite Struktur P2 angeordnet sein. Die durchbiegungshindernde Struktur P kann z.B. mittels Siebdruck, Plattieren, Photolithographie oder anderen geeigneten Prozessen ausgebildet werden.When the circuit substrate 100 Although more than one layer or layer layer, the deflection-preventing structure P may be provided in more than one layer or level, although not shown in detail. In particular, the sag-preventive structure P may be when the circuit substrate 100 a multilayer PCB, may be provided in a lowermost layer, an uppermost layer and / or an intermediate layer of the multilayered PCB. In this case, the first structure P1 can be arranged, for example, in another layer of the multilayered PCB, like the second structure P2. The deflection preventing structure P may be formed by, for example, screen printing, plating, photolithography, or other suitable processes.

Wie aus 4 ersichtlich, können die durchbiegungshindernden Strukturen P in einer oder mehreren Eckbereichen des Schaltkreissubstrats 100 jeweils ein oder mehrere durchbiegungshindernde Elemente, wie z.B. die Elemente L1 und L2, beinhalten. In entsprechenden Ausführungsformen verlaufen wenigstens zwei dieser Elemente, wie L1 und L2, im Wesentlichen parallel zueinander. Zusätzlich oder alternativ können ein oder mehrere dieser durchbiegungshindernden Elemente auch unter einem Winkel zu einem oder mehreren anderen durchbiegungshindernden Elementen im gleichen Eckbereich verlaufen, wie z.B. in den 6 und 10 veranschaulicht, z.B. unter einem spitzen oder stumpfen Winkel. Die durchbiegungshindernden Elemente können, wenn gewünscht, aus dem gleichen Material wie die leitfähige Struktur 112 bestehen und können eine von der Anwendung abhängige Breite aufweisen, z.B. eine Breite von etwa 100μm oder größer oder kleiner als 100μm. Die durchbiegungshindernden Elemente L1, L2 können in einer Reihenfolge innerhalb einer einzelnen durchbiegungshindernden Struktur des betreffenden Eckbereichs, wie den Strukturen P1 und P2 von 4, angeordnet sein. Beispielsweise kann das der Ecke am nächsten liegende durchbiegungshindernde Element als ein durchbiegungshinderndes Element erster Ordnung, ein der Ecke zweitnächstes durchbiegungshinderndes Element als ein durchbiegungshinderndes Element zweiter Ordnung etc. bezeichnet werden. Die durchbiegungshindernde Struktur P1, P2 jedes Eckbereichs kann durchbiegungshindernde Elemente entsprechender Ordnungen zu denjenigen in den anderen Eckbereichen umfassen. Die Länge der durchbiegungshindernden Elemente, wie L1 und L2, kann sich sukzessive mit wachsender Entfernung von den Ecken des Schaltkreissubstrats 100 erhöhen, d.h. ein näher an der Ecke liegendes durchbiegungshinderndes Elemente L1 ist in diesem Fall kürzer als ein weiter von der Ecke entferntes durchbiegungshinderndes Element L2.How out 4 As can be seen, the deflection-preventing structures P in one or more corner regions of the circuit substrate 100 each one or more deflection-preventing elements, such as the elements L1 and L2 include. In corresponding embodiments, at least two of these elements, such as L1 and L2, are substantially parallel to each other. Additionally or alternatively, one or more of these deflection-preventing elements can also extend at an angle to one or more other deflection-preventing elements in the same corner region, such as in the 6 and 10 illustrated, for example, at an acute or obtuse angle. The deflection-preventing elements may, if desired, be made of the same material as the conductive structure 112 exist and may have a width dependent on the application, for example, a width of about 100μm or larger or smaller than 100μm. The deflection preventing members L1, L2 may be arranged in an order within a single deflection preventing structure of the respective corner portion, such as the structures P1 and P2 of FIG 4 be arranged. For example, the corner-closest anti-deflection element may be referred to as a first-order deflection-inhibiting element, a second-nearest deflection-inhibiting element may be referred to as a second-order deflection-inhibiting element. The deflection preventing structure P1, P2 of each corner portion may include deflection preventing members of corresponding orders to those in the other corner portions. The length of the deflection-inhibiting elements, such as L1 and L2, may gradually increase with increasing distance from the corners of the circuit substrate 100 In this case, a deflection-preventing element L1 closer to the corner is shorter than a deflection-preventing element L2 further away from the corner.

In entsprechenden Ausführungsformen der Erfindung schließt wenigstens eines der durchbiegungshindernden Elemente einen Winkel von etwa 90° mit einer Achse ein, die sich vom Mittenbereich des Substrats 100 zu einer entsprechenden Ecke erstreckt, wie unten in Verbindung mit 6 näher erläutert.In corresponding embodiments of the invention, at least one of the anti-deflection elements includes an angle of about 90 ° with an axis extending from the central region of the substrate 100 extends to a corresponding corner, as described below in connection with 6 explained in more detail.

Je nach Ausführungsform der Erfindung können sich die durchbiegungshindernden Elemente bis zu einer Kante des Schaltkreissubstrats 100 oder nur bis in die Nähe einer solchen erstrecken. Wenn zur Bildung der durchbiegungshindernden Elemente eine Photolithographietechnik eingesetzt wird, ist es von Vorteil, wenn sich die durchbiegungshindernden Elemente nicht ganz bis zur Kante des Schaltkreissubstrats 100 erstrecken, sondern an einem oder beiden Enden mit Abstand vor den die betreffende Ecke bildenden Kanten enden.Depending on the embodiment of the invention, the deflection-inhibiting elements may extend to an edge of the circuit substrate 100 or only extend to the vicinity of such. When a photolithography technique is used to form the deflection-inhibiting elements, it is advantageous if the deflection-inhibiting elements are not all the way to the edge of the circuit substrate 100 extend but at one or both ends at a distance in front of the edges forming the corner in question.

In entsprechenden Ausführungsformen der Erfindung können die durchbiegungshindernden Elemente im Wesentlichen geradlinig verlaufen oder mäanderförmig oder abgewinkelt oder gerundet oder partiell gerundet oder in einer Kombination solcher Formen, z.B. mit einem geradlinigen Abschnitt und/oder einem gerundeten Abschnitt. Die durchbiegungshindernden Elemente können jeweils eine einheitliche Breite haben oder alternativ eine sich entlang der Längserstreckung der durchbiegungshindernden Struktur P verändernde Breite. Der Abstand zwischen je zwei benachbarten durchbiegungshindernden Elementen kann gleich der Breite der Elemente sein, ohne dass dies zwingend wäre. Das Rastermaß der durchbiegungshindernden Elemente kann von der Höhe der mechanischen Spannung im leitfähigen Strukturbereich 102 abhängen und entsprechend variabel gewählt sein. Auch kann die Anzahl an durchbiegungshindernden Elementen in der durchbiegungshindernden Struktur P in Abhängigkeit vom Typ und/oder der Abmessung der Halbleiterchippackung variieren. Bei höherer mechanischer Spannungsbelastung im leitfähigen Strukturbereich 102 ist es zweckmäßig, mehr durchbiegungshindernde Elemente vorzusehen.In corresponding embodiments of the invention, the anti-deflection elements may be substantially rectilinear or meandering or angled or rounded or partially rounded or in a combination of such shapes, eg with a rectilinear portion and / or a rounded portion. The deflection-preventing elements may each have a uniform width or, alternatively, a width varying along the longitudinal extent of the deflection-preventing structure P. The distance between each two adjacent anti-deflection elements may be equal to the width of the elements, without this being mandatory. The pitch of the deflection-inhibiting elements may depend on the amount of stress in the conductive structure area 102 depend and be chosen variable accordingly. Also, the number of deflection-inhibiting elements in the sag-preventive structure P may vary depending on the type and / or dimension of the semiconductor chip package. For higher mechanical stress in the conductive structure area 102 it is expedient to provide more deflection-preventing elements.

Im Ausführungsbeispiel von 4 sind die durchbiegungshindernden Elemente, wie L1 und L2, geradlinig ausgebildet und enden an den Kanten des Schaltkreissubstrats 100. Mit anderen Worten ist bei diesem Aspekt der Erfindung die Längsachse wenigstens eines gewissen Teils der Strukturen, wie P1 und P2, so orientiert, dass sie die beiden Seitenkanten schneidet, welche die betreffende Ecke des Schaltkreissubstrats 100 bilden.In the embodiment of 4 are the deflection-preventing elements, such as L1 and L2, formed in a straight line and terminate at the edges of the circuit substrate 100 , In other words, in this aspect of the invention, the longitudinal axis of at least some of the structures, such as P1 and P2, is oriented to intersect the two side edges that make up the respective corner of the circuit substrate 100 form.

Die oben unter Bezugnahme auf 4 allgemein erläuterten Aspekte der Erfindung können in identischer oder ähnlicher Weise auch in den Ausführungsbeispielen gemäß den 6 bis 22 Anwendung finden. 5 veranschaulicht schematisch mechanische Spannungslinien eines Schaltkreissubstrats 100 zur weiteren Veranschaulichung des Konzepts der Erfindung, wobei das Substrat 100 einen leitfähigen Strukturbereich 102 und einen durchbiegungshindernden Bereich 104 mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE) aufweist. Zudem kann sich der CTE eines aufzubringenden Halbleiterchips 120 von demjenigen des Schaltkreissubstrats 100 unterscheiden. Die CTE-Unterschiede führen zu mechanischer Spannungsbelastung in der Chippackung während Erwärmungsprozessen, wie einem Lotaufschmelzprozess zur Oberflächenmontage der Chippackung an einer Leiterplatte. Die gesamte mechanische Spannung S, die an einer jeweiligen Ecke der Chippackung auftritt, ergibt sich aus einer Kombination einer längsseitigen Spannung S1, einer Mittenbereichsspannung S2 und einer querseitigen Spannung S3. In 5 bezeichnet S2 eine von einem Mittenbereich verursachte mechanische Spannung, d.h. von einem Bereich um einen Mittenpunkt O des Schaltkreissubstrats 100 herum, während S1 und S3 mechanische Spannungsbelastungen repräsentieren, die von Bereichen benachbart zu den Ecken des Schaltkreissubstrats 100 verursacht werden. Die verschiedenen Stressbeiträge ergeben zusammen ein Stressfeld, d.h. ein mechanisches Spannungsfeld. Eine Funktion der durchbiegungshindernden Struktur P besteht darin, die Stresskonzentra tion an den Eckbereichen des Schaltkreissubstrats 100 merklich zu reduzieren, indem die sich vom leitfähigen Strukturbereich 102 zu den Ecken hin erstreckenden Stresslinien geschnitten werden, d.h. die durchbiegungshindernde Struktur P kreuzt die Stresslinien unter gewissen Winkeln. Von Vorteil kann ein Kreuzen mit einem Winkel von etwa 90° sein, es reicht aber oft auch ein anderer Kreuzungswinkel aus, solange sich die durchbiegungshindernde Struktur P wenigstens in einem gewissen Abschnitt nicht-parallel zu den Stresslinien erstreckt. Mit anderen Worten schneidet eine Längsachse bzw. eine Bogenrichtung der durchbiegungshindernden Struktur P die Stresslinien. An den Punkten, an denen die jeweilige Stresslinie auf die durchbiegungshindernde Struktur P trifft, verändert die mechanische Spannung ihre Richtung oder wird dissipiert, was die Durchbiegung des Schaltkreissubstrats 100 minimiert oder jedenfalls merklich verringert. Indem die durchbiegungshindernde Struktur P die Stresslinien kreuzt, wirkt sie den Stressfeldlinien entgegen, die sich z.B. von einem inneren Bereich des Substrats 100 zu den Eckbereichen desselben erstrecken. Dies resultiert in geringerer Durchbiegung der Chippackung während Erwärmungsprozessen, wie Lotaufschmelzprozessen. Außerdem kann in entsprechenden Ausführungsformen die mechanische Spannungsbelastung, die zu einer Durchbiegung des Substrats 100 führen könnte, noch effektiver dadurch reduziert werden, dass mehrere voneinander beabstandete bzw. getrennte durchbiegungshindernde Elemente vorgesehen werden, welche die durchbiegungshindernde Struktur P bilden, wie in 4 gezeigt. Beispielsweise lässt sich damit vermeiden, dass Stressfeldlinien über verbundene durchbiegungshindernde Elemente hinweg bis zu den Ecken laufen können, indem verbundene durchbiegungshindernde Elemente als Kanäle für Stressfeldlinien zu den Substratecken fungieren statt selbige zu blockieren.The above with reference to 4 Generally explained aspects of the invention may be used in an identical or similar manner also in the embodiments according to FIGS 6 to 22 Find application. 5 schematically illustrates mechanical stress lines of a circuit substrate 100 to further illustrate the concept of the invention, wherein the substrate 100 a conductive structure area 102 and a deflection-preventing area 104 having different thermal expansion coefficients (CTE). In addition, the CTE of a semiconductor chip to be applied 120 from that of the circuit substrate 100 differ. The CTE differences lead to mechanical stress in the chip package during heating processes, such as a solder reflow process for surface mounting the chip package to a printed circuit board. The total mechanical stress S occurring at a respective corner of the chip package results from a combination of a longitudinal voltage S1, a mid-range voltage S2, and a transverse voltage S3. In 5 S2 denotes a mechanical stress caused by a center region, that is, an area around a center point O of the circuit substrate 100 while S1 and S3 represent stress levels of stress from areas adjacent the corners of the circuit substrate 100 caused. The various stress contributions together result in a stress field, ie a mechanical stress field. One function of the anti-deflection structure P is to control the stress concentration at the corner regions of the circuit substrate 100 noticeably reduce by moving away from the conductive structure area 102 to the corners, stress lines, that is, the sag-preventing structure P crosses the stress lines at certain angles. It may be advantageous to cross at an angle of about 90 °, but often also a different crossing angle is sufficient as long as the deflection-preventing structure P extends at least in a certain section non-parallel to the stress lines. In other words, a longitudinal axis or an arc direction of the deflection-preventing structure P intersects the stress lines. At the points where the particular stress line encounters the sag-inhibiting structure P, the stress changes its direction or is dissipated, which causes the deflection of the circuit substrate 100 minimized or noticeably reduced. By the flexion-inhibiting structure P crosses the stress lines, it counteracts the stress field lines, for example, from an inner region of the substrate 100 extend to the corner regions thereof. This results in less deflection of the chip package during heating processes, such as solder reflow processes. In addition, in corresponding embodiments, the mechanical stress load resulting in a deflection of the substrate 100 could be even more effectively reduced by providing a plurality of spaced-apart flexure-inhibiting elements forming the flexion-inhibiting structure P, as in FIG 4 shown. For example, it is possible to avoid that stress field lines can travel over connected antiplexing elements to the corners, by connecting connected antipiracy elements as channels for stress field lines to the substrate corners instead of blocking them.

Wenn die durchbiegungshindernden Elemente aus einem anderen Material bestehen wie das Schaltkreissubstrat, kann dies in bestimmten Fällen zu einer stärkeren Verringerung der Stressfeldlinien führen, da sie in Richtung Substratecken über unterschiedliche Materialien laufen. Speziell können sie dabei abgeschwächt oder zum Verschwinden gebracht werden, wenn sie über aufeinanderfolgende, nicht miteinander verbundene Materialgrenzflächen hinweg laufen. Auf diese Weise können mehrere getrennte durchbiegungshindernde Elemente der Erfindung Stressfeldlinien sehr effektiv blockieren und dadurch eine Konzentration derselben an den Substratecken verhindern.If the deflection-preventing elements made of a different material Like the circuit substrate, this can in certain cases a stronger one Reduction of the stress field lines lead, as they in the direction of substrate corners over different Materials are running. Especially can they weakened it or disappearing if they pass through successive, not walk across interconnected material interfaces. To this Way you can a plurality of separate anti-deflection elements of the invention Very effectively block stress lines and thus a concentration prevent the same at the substrate corners.

6 veranschaulicht vergrößert eine beispielhafte Ecke eines Schaltkreissubstrats zur weitergehenden Erläuterung grundlegender Konzepte der Erfindung. Gemäß 6 sind durchbiegungshindernde Strukturen in den Eckbereichen des Schaltkreissubstrats 100 ausgebildet und erstrecken sich in einer Richtung, die im wesentlichen senkrecht zu einer den Eckbereich des Schaltkreissubstrats 100 halbierenden Achse ist. Es können sich auch durchbiegungshindernde Strukturen in einer Richtung senkrecht zu einer Achse erstrecken, die von einem Mittenbereich des Schaltkreissubstrats 100 zur betreffenden Ecke verläuft. Durch Anordnen von durchbiegungshindernden Strukturen, die sich in diesen und anderen Richtungen des Schaltkreissubstrats 100 erstrecken, gelingt ein effektives Blockieren von Stressfeldlinien, die sich von einem inneren Bereich eines Schaltkreissubstrats zu Eckbereichen erstrecken. Dabei brauchen die durchbiegungshindernden Strukturen nicht unbedingt senkrecht zu den Stressfeldlinien verlaufen, solange sie so ausgebildet sind, dass sie die Stressfeldlinien effektiv blockieren bzw. reduzieren, um die Durchbiegung des Schaltkreissubstrates 100 zu verringern. Es kann dazu genügen, dass die durchbiegungshindernden Elemente mit einer Längsachse einen (z.B. spitzen oder stumpfen) Winkel mit den Stressfeldlinien einschließen. 6 Figure 3 illustrates an example corner of a circuit substrate for further explanation of basic concepts of the invention. According to 6 are deflection-preventing structures in the corner regions of the circuit substrate 100 are formed and extend in a direction substantially perpendicular to a corner portion of the circuit substrate 100 halving axis is. Deflection-inhibiting structures may also extend in a direction perpendicular to an axis that extends from a center region of the circuit substrate 100 to the corner in question. By arranging deflection-preventing structures extending in these and other directions of the circuit substrate 100 , effective blocking of stress field lines extending from an inner area of a circuit substrate to corner areas succeeds. In this case, the deflection-inhibiting structures do not necessarily have to be perpendicular to the stress field lines as long as they are designed such that they effectively block or redress the stress field lines affect the deflection of the circuit substrate 100 to reduce. It may suffice for the deflection-inhibiting elements with a longitudinal axis to include an angle (eg sharp or obtuse) with the stress field lines.

7 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem Schaltkreissubstrat 100, bei dem durchbiegungshindernde Elemente L2 einer durchbiegungshindernden Struktur bis zu einem leitfähigen Strukturbereich 102 verlaufen. Dabei kontaktiert z.B. eines von mehreren durchbiegungshindernden Elementen L2 der durchbiegungshindernden Struktur in einem jeweiligen Eckbereich den leitfähigen Strukturbereich 102, indem es mit einem Ende dort und nicht an der Kante des Schaltkreissubstrats 100 endet. Das jeweilige durchbiegungshindernde Element L2 verläuft in Bezug auf eine Seite des Schaltkreissubstrats 100 im Beispiel von 7 unter einem anderen Winkel als die im Beispiel von 4 verwendeten durchbiegungshindernden Elemente. 7 illustrates an embodiment of the invention with a circuit substrate 100 in the deflection-preventing elements L2 of a deflection-preventing structure up to a conductive structure region 102 run. In this case, for example, one of a plurality of deflection-preventing elements L2 of the deflection-preventing structure contacts the conductive structure region in a respective corner region 102 by putting one end there and not at the edge of the circuit substrate 100 ends. The respective deflection preventing member L2 extends with respect to a side of the circuit substrate 100 in the example of 7 at a different angle than the one in the example of 4 used deflection-preventing elements.

8 veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung in Form eines Schaltkreissubstrats 100, das eine durchbiegungshindernde Struktur P aufweist, deren verschiedene Teile, die sich jeweils in einem Eckbereich des Substrats 100 erstrecken, an der Substratlängsseite zusammentreffen. Speziell treffen sich dabei die durchbiegungshindernden Strukturbereiche 104 bzw. deren Strukturen P1, P2 von benachbarten Eckbereichen aus an einem mittleren Abschnitt der Substratlängsseite, wie gezeigt, oder alternativ an einem anderen Punkt entlang der Substratlängsseite. Im Beispiel von 8 ist eine Schrägseite des dreieckförmigen durchbiegungshindernden Bereichs 104 länger als in den Beispielen der 4 und 7. Die durchbiegungshindernden Elemente L3 können sich dabei parallel oder unter einem Winkel zu dieser längeren Schrägseite des durchbiegungshindernden Bereichs 104 erstrecken. 8th illustrates another embodiment of the invention in the form of a circuit substrate 100 having a deflection-preventing structure P, the various parts thereof, each in a corner region of the substrate 100 extend, meet at the substrate longitudinal side. Specifically, the deflection-preventing structural areas meet here 104 or their structures P1, P2 from adjacent corner regions at a central portion of the substrate longitudinal side, as shown, or alternatively at another point along the substrate longitudinal side. In the example of 8th is a slope side of the triangular deflection-preventing area 104 longer than in the examples of 4 and 7 , The deflection-preventing elements L3 may be parallel or at an angle to this longer oblique side of the deflection-preventing area 104 extend.

9 veranschaulicht als weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ein Schaltkreissubstrat 100 mit einem durchbiegungshindernden Bereich 104 bzw. entsprechenden durchbiegungshindernden Strukturen P1, P2 mit den jeweiligen Substrateckbereichen zugeordneten Teilen, die an einer jeweiligen Querseite des Schaltkreissubstrats 100 zusammentreffen. Dabei können je zwei benachbarte durchbiegungshindernde Strukturteile P1, P2 in nicht weiter gezeigter Weise auch auf einen leitfähigen Strukturbereich 102 an einem Punkt entlang einer jeweiligen Querseite des Schaltkreissubstrats 100 treffen. Im Beispiel von 9 befindet sich der Punkt des Zusammentreffens zweier benachbarter durchbiegungshindernder Strukturteile P1, P2 etwa in der Mitte der jeweiligen Querseite, alternativ kann er aber auch an einer anderen Stelle der Querseite liegen. Im Beispiel von 9 hat der jeweilige durchbiegungshindernde Bereich 104 eine dreieckige Form mit einer Schrägseite, die länger als jene in den Beispielen der 4 und 7 ist. Die durchbiegungshindernden Elemente L4 können sich z.B. im wesentlichen parallel zu dieser längeren Schrägseite des durchbiegungshindernden Bereichs 104 erstrecken oder sie können alternativ nicht-parallel zu dieser längeren Schrägseite verlaufen. 9 illustrates as a further embodiment of the invention, a circuit substrate 100 with a deflection-preventing area 104 or corresponding deflection-preventing structures P1, P2 with parts associated with the respective substrate corner areas, which are arranged on a respective transverse side of the circuit substrate 100 meet. In this case, two adjacent deflection-preventing structural parts P1, P2 in a manner not shown in detail can also be applied to a conductive structural area 102 at a point along a respective lateral side of the circuit substrate 100 to meet. In the example of 9 is the point of coincidence of two adjacent deflection-preventing structural parts P1, P2 approximately in the middle of the respective transverse side, but alternatively it can also be located at a different point of the transverse side. In the example of 9 has the respective deflection-inhibiting area 104 a triangular shape with a sloping side longer than those in the examples of 4 and 7 is. The deflection-preventing elements L4 may, for example, substantially parallel to this longer oblique side of the deflection-preventing area 104 extend or they may alternatively be non-parallel to this longer oblique side.

10 veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem Schaltkreissubstrat 100 und einer durchbiegungshindernden Struktur, bei der ein durchbiegungshinderndes Element eine andere Steigung als ein anderes durchbiegungshinderndes Element im gleichen Eckbereich aufweist. Speziell weist in 10 ein durchbiegungshinderndes Element L2 eine andere Steigung auf als ein anderes durchbiegungshinderndes Element L1 innerhalb der gleichen durchbiegungshindernden Struktur P2 eines jeweiligen Eckbereichs des Substrats 100. Speziell verläuft das durchbiegungshindernde Element L2 unter einem Winkel zum durchbiegungshindernden Element L1. Allgemeiner gesagt, verlaufen die durchbiegungshindernden Elemente wenigstens einer Ordnung in den Strukturteilen, die den jeweiligen Substrateckbereichen zugeordnet sind, unter einem Winkel zu den durchbiegungshindernden Elementen wenigstens einer anderen Ordnung. Die unterschiedlichen Schrägwinkel von durchbiegungshindernden Elementen innerhalb einer jeweiligen durchbiegungshindernden Struktur P2 in einem Substrateckbereich kann dazu beitragen, die mechanischen Spannungen von den Längs- und Querseiten des Schaltkreissubstrats 100 zu verteilen. Speziell kann die aus verschiedenen Richtungen in den jeweiligen Eckbereich gelangende mechanische Spannungsbelastung durch die unter einem Winkel zueinander verlaufenden durchbiegungshindernden Elemente L1 und L2 effektiv blockiert bzw. aufgenommen werden. 10 illustrates another embodiment of the invention with a circuit substrate 100 and a deflection preventing structure in which a deflection preventing member has a pitch other than another deflection preventing member in the same corner area. Specifically points in 10 a deflection preventing member L2 has a pitch other than another deflection preventing member L1 within the same deflection preventing structure P2 of each corner portion of the substrate 100 , Specifically, the deflection preventing member L2 extends at an angle to the deflection preventing member L1. More generally, the deflection-preventing elements of at least one order in the structural parts associated with the respective substrate corner areas are at an angle to the deflection-preventing elements of at least one other order. The differential skew angles of deflection-inhibiting elements within a respective deflection-inhibiting structure P2 in a substrate corner region can help reduce the mechanical stresses from the longitudinal and transverse sides of the circuit substrate 100 to distribute. Specifically, the mechanical stress load entering the respective corner region from different directions can be effectively blocked by the angled deflection-preventing elements L1 and L2.

11 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem Schaltkreissubstrat 100, bei dem eine leitfähige Struktur 112 sich in einen durchbiegungshindernden Strukturbereich erstreckt, wobei die leitfähige Struktur 112 wie gezeigt ein oder alternativ mehrere durchbiegungshindernde Elemente L in entsprechende Abschnitte bzw. Teilelemente L7 auftrennt. Diese Konfiguration kann dazu beitragen, den für die leitfähige Struktur 112 verfügbaren Oberflächenplatz des Schaltkreissubstrats 100 beizubehalten und so eine geringere Gesamtgröße für die Halbleiterchippackung zu ermöglichen. Mit anderen Worten kann die Maßnahme, dass sich die leitfähige Struktur 112 in die durchbiegungshindernde Struktur hinein erstreckt, zu einer größeren Designflexibilität beitragen. 11 illustrates an embodiment of the invention with a circuit substrate 100 in which a conductive structure 112 extends into a deflection-inhibiting structural region, wherein the conductive structure 112 as shown, one or alternatively several deflection-preventing elements L separated into corresponding sections or sub-elements L7. This configuration can contribute to the conductive structure 112 available surface space of the circuit substrate 100 to maintain and thus allow a smaller overall size for the semiconductor chip package. In other words, the measure may be the conductive structure 112 extending into the flexion-inhibiting structure, contribute to greater design flexibility.

12 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem Schaltkreissubstrat 100, bei dem sich eine Lotkugelkontaktstelle in eine durchbiegungshindernde Struktur hinein erstreckt, wobei sie wie gezeigt ein oder alternativ mehrere durchbiegungshindernde Elemente L in wie gezeigt zwei oder alternativ mehr Teilelemente L9 aufteilt. 12 illustrates an embodiment game of the invention with a circuit substrate 100 in that a solder ball contact extends into a deflection-inhibiting structure, dividing one or, alternatively, a plurality of deflection-inhibiting elements L into two or alternatively more sub-elements L9 as shown.

Die 13 und 14 veranschaulichen Ausführungsbeispiele der Erfindung mit einem Schaltkreissubstrat 100, das durchbiegungshindernde Strukturen P mit abgewinkelt verlaufenden durchbiegungshindernden Elementen beinhaltet. So sind in den 13 und 14 abgewinkelte durchbiegungshindernde Elemente L8 und L9 dargestellt, wobei sie mit ihren Winkelpunkten im Fall des Elements L8 zum leitfähigen Strukturbereich 102 und im Fall des Elements L9 zur jeweiligen Ecke des Substrats 100 hin weisen. Die abgewinkelten durchbiegungshindernden Elemente L8, L9 können effektiv Stresslinien dissipieren oder blockieren, die aus verschiedenen Richtungen auf die jeweilige Ecke zulaufen.The 13 and 14 illustrate embodiments of the invention with a circuit substrate 100 incorporating anti-bend structures P with angled anti-deflection elements. So are in the 13 and 14 angled deflection-preventing elements L8 and L9 shown, wherein they with their angular points in the case of the element L8 to the conductive structure region 102 and in the case of the element L9, to the respective corner of the substrate 100 clues. The angled deflection-preventing elements L8, L9 can effectively dissipate or block stress lines running from different directions to the respective corner.

Die 15 und 16 veranschaulichen Ausführungsbeispiele der Erfindung mit einem Schaltkreissubstrat 100, das durchbiegungshindernde Strukturen P mit bogenförmigen durchbiegungshindernden Elementen beinhaltet. So sind im Beispiel von 15 bogenförmige durchbiegungshindernde Elemente C1 mit konkavem Verlauf vorgesehen, deren Krümmungsmittelpunkt in Richtung der zugehörigen Substratecke weist, während im Beispiel von 16 durchbiegungshindernde Elemente C2 vorgesehen sind, deren jeweiliger Krümmungsmittelpunkt in Richtung des leitfähigen Strukturbereichs 102 bzw. des Mittenbereichs des Schaltkreissubstrats 100 weist. Die bogenförmig verlaufenden durchbiegungshindernden Elemente C1, C2 können effektiv Stresslinien dissipieren oder blockieren, die aus verschiedenen Richtungen auf den jeweiligen Substrateckbereich zulaufen.The 15 and 16 illustrate embodiments of the invention with a circuit substrate 100 incorporating deflection preventing structures P with arcuate deflection preventing members. So are in the example of 15 arcuate deflection-preventing elements C1 provided with a concave course whose center of curvature points in the direction of the associated substrate corner, while in the example of 16 deflection-preventing elements C2 are provided, their respective center of curvature in the direction of the conductive structure region 102 or the center region of the circuit substrate 100 has. The arcuate anti-deflection elements C1, C2 can effectively dissipate or block stress lines that run from different directions to the respective substrate area.

17 veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem Schaltkreissubstrat 100, das eine durchbiegungshindernde Struktur P mit Strukturelementen CL3, CL4 aufweist, die Abschnitte L0, L1 in je zwei Substrateckbereichen und einen diese verbindenden Mittenabschnitt A1 längs einer jeweiligen Substratlängsseite umfassen. Dabei können die durchbiegungshindernden Elemente CL3, CL4 ähnlich wie die ersten und zweiten Strukturen P1, P2 von 4 in verschiedenen Ordnungen angeordnet sein. Im gezeigten Beispiel sind die durchbiegungshindernden Elemente L0, L1 einer ersten Teilstruktur P1 und einer zweiten Teilstruktur P2 über den mittleren Hilfsabschnitt A1 zur Bildung des durchbiegungshindernden Elements CL3 entsprechender Ordnung verbunden, wie gezeigt. Diese Anordnung kann besonders nützlich sein, wenn der Halbleiterchip 120 von einer rechteckförmigen Gestalt und mit seinen Längsseiten im Wesentlichen parallel zu den Substratlängsseiten angeordnet ist. 17 illustrates another embodiment of the invention with a circuit substrate 100 comprising a deflection-preventing structure P having structural elements CL3, CL4, which comprise sections L0, L1 in two respective substrate corner areas and a center section A1 connecting them along a respective substrate longitudinal side. In this case, the deflection-preventing elements CL3, CL4 may be similar to the first and second structures P1, P2 of FIG 4 be arranged in different orders. In the example shown, the deflection-preventing elements L0, L1 of a first partial structure P1 and a second partial structure P2 are connected via the central auxiliary section A1 to form the deflection-preventing element CL3 of corresponding order, as shown. This arrangement may be particularly useful when the semiconductor chip 120 is arranged by a rectangular shape and with its longitudinal sides substantially parallel to the substrate longitudinal sides.

18 veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem Schaltkreissubstrat 100, das eine durchbiegungshindernde Struktur mit in den Substrateckbereichen angeordneten Abschnitten und diese verbindenden, entlang der Substratquerseiten verlaufenden Strukturteilen umfasst. Speziell sind in 18 benachbarte durchbiegungshindernde Strukturen P1, P2 in den Substrateckbereichen durch je eine sich entlang einer Substratquerseite erstreckende Hilfsstruktur A1 paarig unter Bildung entsprechender durchbiegungshindernder Elemente CL3, CL4 verschiedener Ordnungen verbunden. Hierbei sind z.B. die durchbiegungshindernden Elemente L0, L1 gleicher Ordnung von zwei benachbarten Eckbereich-Strukturteilen P1, P2 miteinander durch die Hilfsstruktur A1 unter Bildung der durchbiegungshindernden Elemente CL3, CL4 verbunden. Diese Anordnung kann besonders nützlich sein, wenn der Halbleiterchip 120 rechteckig und mit seiner Längsseite im Wesentlichen parallel zur Querseite des Schaltkreissubstrats 100 angeordnet ist. 18 illustrates another embodiment of the invention with a circuit substrate 100 comprising a deflection-inhibiting structure having sections disposed in the substrate corner regions and connecting them along the substrate transverse sides extending structural parts. Especially are in 18 adjacent deflection-inhibiting structures P1, P2 in the Substrateckbereichen by a respective along a substrate transverse side extending auxiliary structure A1 paired to form corresponding deflection-preventing elements CL3, CL4 different orders connected. Here, for example, the deflection-preventing elements L0, L1 of the same order of two adjacent corner-region structural parts P1, P2 are connected to each other through the auxiliary structure A1 to form the deflection-preventing elements CL3, CL4. This arrangement may be particularly useful when the semiconductor chip 120 rectangular and with its longitudinal side substantially parallel to the transverse side of the circuit substrate 100 is arranged.

19 veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem Schaltkreissubstrat 100, das durchbiegungshindernde Elemente unterschiedlicher Ordnungen umfasst, wobei deren Strukturabschnitte in den Eckbereichen zu umlaufenden Strukturelementen über Hilfsstrukturteile A1 verbunden sind, die sich entlang der Längs- und Querseiten des Substrats 100 erstrecken. Diese Anordnung, wie in 19 gezeigt, kann besonders für einen LCD-Treiber-IC(LDI) nützlich sein, wenn der Halbleiterchip 120 relativ kleine Abmessungen besitzt und eine große Anzahl von Zwischenverbindungsstrukturen aufweist, die sich von seinen Längsseiten aus erstrecken. 19 illustrates another embodiment of the invention with a circuit substrate 100 comprising deflection-preventing elements of different orders, the structural sections of which are connected in the corner regions to circumferential structural elements via auxiliary structural parts A1 extending along the longitudinal and transverse sides of the substrate 100 extend. This arrangement, as in 19 may be particularly useful for a LCD driver IC (LDI) when the semiconductor chip 120 has relatively small dimensions and has a large number of interconnection structures extending from its longitudinal sides.

20 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem Schaltkreissubstrat 100, das eine durchbiegungshindernde Struktur aufweist, die Strukturteile in den Substrateckbereichen und zusätzliche Strukturteile im Bereich der Substratquerseiten zwischen den Eckberei chen umfasst. Speziell ist gemäß 20 eine zusätzliche durchbiegungshindernde Struktur A2 jeweils zwischen zwei durchbiegungshindernde Strukturen P1, P2 vorgesehen, die sich in den Substrateckbereichen befinden. Mit dieser Anordnung lässt sich eine mechanische Spannungsübertragung zwischen den Eckbereichen reduzieren. Dabei umfasst der zusätzliche durchbiegungshindernde Strukturteil A2 ein oder wie gezeigt mehrere durchbiegungshindernde Hilfselemente CL5, die sich z.B. unter einem Winkel relativ zu den durchbiegungshindernden Elementen L0, L1 der Strukturteile P1, P2 in den Eckbereichen erstrecken. Damit lässt sich insbesondere eine mechanische Spannungsbelastung reduzieren bzw. blockieren, die sich entlang einer Kante des Schaltkreissubstrats 100 ausbreitet, speziell senkrecht zur Längsrichtung der Hilfselemente CL5 der zusätzlichen durchbiegungshindernden Struktur A2. Der zusätzliche durchbiegungshindernde Strukturteil A2 kann von irgendeiner der oben erläuterten Strukturformen sein, wie bogenförmig, geradlinig, gewinkelt, mit Mäanderverlauf etc. Die verschiedenen durchbiegungshindernden Hilfselemente CL5 der zusätzlichen durchbiegungshindernden Struktur A2 können auch in verschiedenen Richtungen längs der zugehörigen Kante des Schaltkreissubstrats 100 verschoben und/oder verkippt sein, um mechanische Spannungen zu reduzieren bzw. zu blockieren, die sich in unterschiedlichen Richtungen ausbreiten. 20 illustrates an embodiment of the invention with a circuit substrate 100 , which has a deflection-preventing structure, the structural parts in the Substrateckbereichen and additional structural parts in the region of the substrate transverse sides between the Eckberei comprises. Specifically, according to 20 an additional deflection-preventing structure A2 is provided in each case between two deflection-inhibiting structures P1, P2 which are located in the substrate corner regions. With this arrangement, a mechanical stress transmission between the corner areas can be reduced. In this case, the additional deflection-inhibiting structural part A2 comprises, as shown, a plurality of deflection-preventing auxiliary elements CL5 which extend, for example, at an angle relative to the deflection-preventing elements L0, L1 of the structural parts P1, P2 in the corner regions. In particular, this allows a mechanical stress load to be reduced or blocked along an edge of the circuit substrate 100 spreads, especially perpendicular to the longitudinal direction of the auxiliary elements CL5 of the additional deflection-preventing structure A2. The additional flexion-inhibiting structural member A2 may be of any of the structural forms discussed above, such as arcuate, rectilinear, angled, meandered, etc. The various flexion-inhibiting auxiliary members CL5 of the additional flexion-preventive structure A2 may also extend in different directions along the associated edge of the circuit substrate 100 be shifted and / or tilted to reduce or block mechanical stresses that propagate in different directions.

21 veranschaulicht ein Schaltkreissubstrat mit einem Dummybereich gemäß der Erfindung. Speziell ist im gezeigten Beispiel eine Dummystruktur 160 in einem leitfähigen Strukturbereich 102 des Schaltkreissubstrats 100 angeordnet, wobei sie auf die durchbiegungshindernde Struktur P abgestimmt ist, um eine Stresskonzentration an den Eckbereichen des Schaltkreissubstrats 100 zu reduzieren oder zu minimieren. Die Dummystruktur 160 kann z.B. eine Netzstruktur, eine ebene Struktur oder eine Inselstrukur sein. Beim oben erwähnten Stand der Technik wurde die Dummystruktur ohne die durchbiegungshindernde Struktur gebildet, wodurch sich die Durchbiegungsproblematik verstärkt hat, wie oben erläutert. Wenn hingegen die Dummystruktur 160 wie im Fall der Erfindung zusammen mit der durchbiegungshindernden Struktur P gebildet wird, kann sie zur Reduzierung der Durchbiegungsproblematik beitragen. 21 illustrates a circuit substrate with a dummy region according to the invention. Specifically, in the example shown is a dummy structure 160 in a conductive structure area 102 of the circuit substrate 100 arranged to match the sag-preventive structure P to stress concentration at the corner portions of the circuit substrate 100 to reduce or minimize. The dummy structure 160 may be, for example, a network structure, a planar structure or an island structure. In the above-mentioned prior art, the dummy structure has been formed without the deflection-preventing structure, which has increased the deflection problem as explained above. If, on the other hand, the dummy structure 160 As formed in the case of the invention together with the deflection-preventing structure P, it can contribute to the reduction of deflection problem.

Die 22a bis 22c veranschaulichen verschiedene Typen von erfindungsgemäß einsetzbaren Schaltkreissubstraten 100, speziell was die äußere Form derselben angeht. Wie daraus ersichtlich, kann das Schaltkreissubstrat 100 z.B. die Form verschiedener Polygone mit wenigstens drei Ecken oder Knoten haben. So zeigt 22a ein dreieckförmiges Substrat, 22b ein Substrat mit Pentagonform und 22c ein viereckförmiges Substrat. Der Einsatz einer durchbiegungshindernden Struktur ist dabei in allen Fällen unabhängig von der Gestalt des Schaltkreissubstrats von Vorteil. Die durchbiegungshindernde Struktur kann in allen oder nur in einem Teil der je nach Form des Schaltkreissubstrats vorhandenen Substrateckbereiche vorgesehen sein. Dabei können für die durchbiegungshindernde Struktur P im Fall von dreieckförmigen oder fünfeckförmigen Schaltkreissubstraten durchbiegungshindernde Elemente der verschiedenen Arten zum Einsatz kommen, wie sie oben unter Bezugnahme auf Ausführungsbeispiele mit rechteckförmigem Schaltkreissubstrat 100 erläutert wurden.The 22a to 22c illustrate various types of circuit substrates used in the invention 100 , especially as regards the external shape of the same. As can be seen, the circuit substrate 100 eg the shape of different polygons with at least three corners or nodes. So shows 22a a triangular substrate, 22b a substrate with pentagonal shape and 22c a quadrangular substrate. The use of a deflection-preventing structure is in all cases regardless of the shape of the circuit substrate advantageous. The deflection-preventing structure may be provided in all or only part of the substrate areas provided depending on the shape of the circuit substrate. In the case of triangular or pentagonal circuit substrates, deflection-preventing elements of the various types can be used for the deflection-preventing structure P, as described above with reference to embodiments with a rectangular circuit substrate 100 were explained.

23 veranschaulicht in einem Kennliniendiagramm die Durchbiegung einer Chippackung in Abhängigkeit von der Temperatur während eines Erwärmungsprozesses, wie eines Lotaufschmelzprozesses. Wie aus 23 ersichtlich, reduziert das Anbringen einer durchbiegungshindernden Struktur P in einer Chippackung die Stresskonzentration an den Eckbereichen eines Schaltkreissubstrats und damit die resultierende Durchbiegung, welche die Chippackung während eines Erwärmungsprozesses erfährt. Im hohen Temperaturbereich während eines Aufschmelzprozesses zeigt die herkömmliche Chippackung eine Durchbie gung von mehr als 50μm und damit eine Durchbiegung der Ecken der Packung, während im Gegensatz dazu die Durchbiegung der Chippackung unter Verwendung der durchbiegungshindernden Elemente gemäß der Erfindung unter 50μm gehalten wird. Die Erfindung ermöglicht somit eine beträchtliche Verringerung der Durchbiegung der Chippackung in den Eckbereichen, was die Zuverlässigkeit der Chippackung verbessert und das Auftreten von Leitungsunterbrechungen verringert. 23 FIG. 14 is a characteristic diagram illustrating the deflection of a chip package as a function of temperature during a heating process, such as a solder reflow process. FIG. How out 23 As can be seen, the provision of a deflection-preventing structure P in a chip package reduces the stress concentration at the corner regions of a circuit substrate and thus the resulting deflection experienced by the chip package during a heating process. In the high temperature range during a reflow process, the conventional chip package shows a deflection of more than 50 .mu.m and thus a deflection of the corners of the package, whereas the deflection of the chip package using the deflection-preventing elements according to the invention is kept below 50 .mu.m. The invention thus enables a considerable reduction in the deflection of the chip package in the corner regions, which improves the reliability of the chip package and reduces the occurrence of line breaks.

Nochmals bezugnehmend auf die 4 und 19 kann eine Halbleiterchippackung ein rechteckförmiges Schalkreissubstrat 100 mit einem leitfähigen Strukturbereich 102 und einer durchbiegungshindernden Struktur P beinhalten, wobei letztere mehrere Strukturteile umfassen kann, z.B. einen ersten bis vierten Strukturteil in je einem der vier Eckbereiche des Schaltkreissubstrats 100. Die Gesamtorientierung des ersten Strukturteils kann sich von derjenigen des zweiten Strukturteils unterscheiden, wobei die beiden zugehörigen Eckbereiche einander benachbart sind. Der erste und der dritte Strukturteil, die sich an diagonal gegenüberliegenden Eckbereichen befinden, können z.B. entlang im Wesentlichen der gleichen Richtung orientiert sein. Jede der vier durchbiegungshindernden Strukturen in den Substrateckbereichen kann eine Mehrzahl von durchbiegungshindernden Elementen umfassen. Gemäß 19 kann der erste Strukturteil mit dem zweiten Strukturteil durch eine erste Hilfsstruktur verbunden sein, der zweite Strukturteil kann mit dem dritten Strukturteil durch eine zweite Hilfsstruktur verbunden sein, der dritte Strukturteil kann mit dem vierten Strukturteil durch eine dritte Hilfsstruktur verbunden sein, und der vierte Strukturteil kann mit dem ersten Strukturteil durch eine vierte Hilfsstruktur verbunden sein.Again referring to the 4 and 19 For example, a semiconductor chip package may be a rectangular circuit breaker substrate 100 with a conductive structure area 102 and a deflection-preventing structure P, the latter may include a plurality of structural parts, for example, a first to fourth structural part in each one of the four corner regions of the circuit substrate 100 , The overall orientation of the first structural part may differ from that of the second structural part, with the two associated corner areas being adjacent to one another. For example, the first and third structural members located at diagonally opposite corner regions may be oriented along substantially the same direction. Each of the four deflection-inhibiting structures in the substrate corner regions may comprise a plurality of deflection-inhibiting elements. According to 19 the first structural part can be connected to the second structural part by a first auxiliary structure, the second structural part can be connected to the third structural part by a second auxiliary structure, the third structural part can be connected to the fourth structural part by a third auxiliary structure, and the fourth structural part can be connected to the first structural part by a fourth auxiliary structure.

Nachfolgend wird auf Vorgehensweisen zur Bildung von entsprechenden Schaltkreissubstraten eingegangen, wobei eine nähere Beschreibung von solchen Prozessen unterbleibt, die dem Fachmann allgemein geläufig sind.following will discuss approaches to forming corresponding circuit substrates, being a closer one Describing such processes, the general to the skilled person common are.

Bei einem entsprechenden Ausführungsbeispiel der Erfindung beinhaltet ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltkreissubstrats nach Art von 4 das Bereitstellen eines elektrisch isolierenden Substrats, das Bilden einer leitfähigen Struktur 112 in einem leitfähigen Strukturbereich 102 des Substrats 100, das Bilden einer ersten durchbiegungshindernden Struktur in einem ersten Eckbereich des Substrats 100 und das Bilden einer zweiten durchbiegungshindernden Struktur in einem zweiten Eckbereich des Substrats 100 benachbart zum ersten Eckbereich. Die erste und die zweite durchbiegungshindernde Struktur können so orientiert sein, dass sie mechanischen Stressbelastungen entgegenwirken bzw. diese aufnehmen, die sich von einem inneren Bereich des Substrats zu den Eckbereichen desselben ausbreiten. Dabei kann sich eine Gesamtorientierung der ersten durchbiegungshindernden Struktur von einer Gesamtorientierung der zweiten durchbiegungshindernden Struktur in Bezug auf das Substrat unterscheiden.In a corresponding embodiment of the invention includes a method for producing a circuit substrate in the manner of 4 providing an electrically insulating substrate, forming a conductive structure 112 in a conductive structure area 102 of the substrate 100 , forming a first deflection-preventing structure in a first corner region of the substrate 100 and forming a second deflection-inhibiting structure in a second corner region of the substrate 100 adjacent to the first corner area. The first and second deflection-inhibiting structures may be oriented to counteract stress loads propagating from an interior region of the substrate to the corner regions thereof. Here, an overall orientation of the first deflection-inhibiting structure may differ from an overall orientation of the second deflection-inhibiting structure with respect to the substrate.

Die 24 und 25 veranschaulichen Verfahren zur Bildung einer durchbiegungshindernden Struktur unter Verwendung eines zusätzlichen Prozesses bzw. eines Ätzprozesses. Im Beispiel von 24 wird bei dem zusätzlichen Prozess eine Trockenfilmstruktur 170, wie eine Photoresiststruktur, auf einem Kernsubstrat 172 gebildet, das z.B. eine Folienschicht 174 aus leitfähigem Material, wie Kupfer, umfasst. Das Kernsubstrat 172 kann als Trägerschicht ein dielektrisches Material beinhalten, z.B. ein Laminat aus einem Polymermaterial, wie Epoxid, Polyimid, Teflon oder Polyester, das mit einer Glasgewebematte verstärkt ist, oder ein mit Glasfaserstücken verstärktes Polymermaterial. Der Elastizitätsmodul (Young-Modul) kann für das Kernsubstrat 172 z.B. im Bereich von etwa 23.100 MPa bis etwa 23.300 MPa liegen. Dabei kann der Elastizitätsmodul für das leitfähige Material größer als für das Kernsubstrat sein, z.B. 120.000 MPa im Fall von Kupfer. Danach wird z.B. ein Kupferplattierprozess verwendet, um eine Kupferstruktur auf der Kupferfolien schicht 174 aufzubauen. Die vom Trockenfilm 170 bedeckten Bereiche der Kupferfolienschicht 174 bleiben frei von plattiertem Kupfer.The 24 and 25 illustrate methods for forming a sag-inhibiting structure using an additional process or etching process. In the example of 24 becomes a dry film structure in the additional process 170 , such as a photoresist pattern, on a core substrate 172 formed, for example, a film layer 174 made of conductive material, such as copper. The core substrate 172 For example, a carrier layer may comprise a dielectric material, for example a laminate of a polymeric material such as epoxy, polyimide, Teflon or polyester reinforced with a glass fiber mat, or a glass fiber reinforced polymeric material. The elastic modulus (Young's modulus) may be for the core substrate 172 eg in the range from about 23,100 MPa to about 23,300 MPa. In this case, the elastic modulus for the conductive material may be greater than for the core substrate, for example 120,000 MPa in the case of copper. Thereafter, for example, a Kupferplattierprozess is used to a copper structure on the copper foil layer 174 build. The dry film 170 covered areas of the copper foil layer 174 stay free of plated copper.

Schließlich werden die Trockenfilmstruktur 170 und die von dieser bedeckten Bereiche der Kupferfolienschicht 174 entfernt, wodurch die gewünschte durchbiegungshindernde Struktur P zurückbleibt.Finally, the dry film structure 170 and the areas of the copper foil layer covered thereby 174 away, whereby the desired deflection-preventing structure P remains.

Beim Ätzprozess von 25 wird zuerst ein geeignetes leitfähiges Material, wie Kupfer, auf ein Kernsubstrat 172 plattiert, das eine Folienschicht aus leitfähigem Material, wie eine Kupferfolienschicht 174, beinhaltet. Dann wird auf die plattierte Kupferschicht 174' eine Trockenfilmstruktur 170, wie eine Photoresiststruktur, aufgebracht. Die plattierte Kupferschicht 174' wird dann in den von der Trockenfilmstruktur 170 freigelassenen Bereichen weggeätzt, wonach die Trockenfilmstruktur 170 von der plattierten Kupferschicht 174' abgelöst wird, so dass die gewünschte durchbiegungshindernde Struktur P zurückbleibt.In the etching process of 25 First, a suitable conductive material, such as copper, on a core substrate 172 clad, which is a foil layer of conductive material, such as a copper foil layer 174 , includes. Then, apply to the plated copper layer 174 ' a dry film structure 170 , such as a photoresist pattern, applied. The plated copper layer 174 ' then gets into the dry film structure 170 etched away, leaving the dry film structure 170 from the plated copper layer 174 ' is released, so that the desired deflection-preventing structure P remains.

Die 26a bis 26c veranschaulichen die Bildung eines Lotresists (in 4 nicht gezeigt) auf einem Kernsubstrat 172 gemäß der Erfindung. Nach Erzeugung der durchbiegungshindernden Struktur P auf dem Kernsubstrat 172 wird dazu eine Lotresistschicht 180 gebildet, welche wenigstens einen Teil der durchbiegungshindernden Struktur P und des Kernsubstrats 172 bedeckt, wie in 26a gezeigt. Dabei lässt die Lotresiststruktur 180 wenigstens einen Teil der durchbiegungshindernden Struktur P frei, wie in 26b gezeigt. Es versteht sich, dass die obigen Prozesse zur Bildung der durchbiegungshindernden Struktur P im Wesentlichen gleichzeitig mit Prozessen zur Bildung einer leitfähigen Struktur auf dem Substrat 100 durchgeführt werden können. Die durchbiegungshindernde Struktur P kann dabei auch aus einem anderen Material anstelle von Kupfer gebildet werden, z.B. durch Aufbringen einer Lotresistschicht 180 und Strukturierung derselben, wie in 26c veranschaulicht.The 26a to 26c illustrate the formation of a solder resist (in 4 not shown) on a core substrate 172 according to the invention. After forming the sag-preventive structure P on the core substrate 172 becomes a solder resist layer 180 formed, which at least part of the deflection-preventing structure P and the core substrate 172 covered, as in 26a shown. This leaves the solder resist structure 180 at least part of the deflection-preventing structure P free, as in 26b shown. It is understood that the above processes for forming the sag-preventive structure P are substantially simultaneous with processes for forming a conductive pattern on the substrate 100 can be performed. The deflection-preventing structure P can also be formed from a different material instead of copper, for example by applying a Lotresistschicht 180 and structuring them, as in 26c illustrated.

Wenn das Substrat 100 aus mehr als einer Schichtlage aufgebaut ist, können die obigen Prozesse zur Bildung der durchbiegungshindernden Struktur P in mehreren dieser Schichtlagen wiederholt ausgeführt werden. Beispielsweise kann ein Teil der durchbiegungshindernden Struktur P in einem ersten Eckbereich des Substrats 100 in einer ersten Schichtebene und ein anderer Teil der durchbiegungshindernden Struktur P in einem zweiten Eckbereich des Substrat 100 in einer zweiten Schichtebene gebildet werden. Die Schichten können dann in das Substrat 100 kombiniert werden, das in diesem Fall eine durchbiegungshindernde Struktur P aufweist, die sich in mehr als einer Schichtebene und/oder in mehr als einem Eckbereich erstreckt.If the substrate 100 is made up of more than one layer layer, the above processes for forming the sag-preventive structure P can be repeatedly performed in a plurality of these layer layers. For example, a part of the sag-preventive structure P may be in a first corner area of the substrate 100 in a first layer plane and another part of the sag-preventive structure P in a second corner region of the substrate 100 be formed in a second layer plane. The layers can then be in the substrate 100 combined, in this case having a deflection-preventing structure P, which extends in more than one layer plane and / or in more than one corner region.

Weitere, nicht gezeigte Ausführungsbeispiele der Erfindung können ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltkreissubstrats mit einer durchbiegungshindernden Struktur P, wie derjenigen von 4, umfassen, bei dem ein rechteckförmiges, elektrisch isolierendes Substrat 100 bereitgestellt wird, eine leitfähige Struktur in einem leitfähigen Strukturbereich 102 des Substrats 100 gebildet wird, ein durchbiegungshindernder Bereich 104 auf dem Substrat 100 derart gebildet wird, dass er sich nicht mit dem leitfähigen Strukturbereich 102 überlappt, und eine erste, zweite, dritte und vierte durchbiegungshindernde Struktur in einem ersten, zweiten, dritten bzw. vierten Eckbereich des durchbiegungshindernden Bereichs 104 gebildet werden. Der durchbiegungshindernde Bereich 104 kann entsprechende durchbiegungshindernde Strukturteile in z.B. vier Eckbereichen des Substrats 100 beinhalten, wobei z.B. ein erster und ein zweiter durchbiegungshindernder Strukturteil unterschiedlich orientiert sind, um mechanische Spannungslinien aufzunehmen bzw. zu blockieren, die von einem inneren Bereich des Substrats 100 zu zwei entsprechenden Eckbereichen des Substrats 100 gerichtet sind.Other embodiments of the invention, not shown, may include a method of manufacturing a circuit substrate having a deflection-preventing structure P such as that of FIG 4 , in which a rectangular, electrically insulating substrate 100 is provided, a conductive structure in a conductive structure region 102 of the substrate 100 is formed, a deflection-preventing area 104 on the substrate 100 is formed such that it does not interfere with the conductive structure region 102 overlaps, and a first, second, third and fourth deflection-preventing structure in a first, second, third and fourth corner region of the deflection-preventing area 104 be formed. The deflection-preventing area 104 can corresponding deflection-preventing structural parts in eg four corner regions of the substrate 100 wherein, for example, a first and a second deflection-inhibiting structural member are oriented differently to receive or block mechanical stress lines coming from an inner region of the substrate 100 to two corresponding Eckberei surfaces of the substrate 100 are directed.

Bei entsprechenden Ausführungsformen der Erfindung umfasst eine erste durchbiegungshindernde Struktur eine Mehrzahl von durchbiegungshindernden Elementen in einem ersten Substrateckbereich, und eine zweite durchbiegungshindernde Struktur umfasst mehrere durchbiegungshindernde Elemente in einem zweiten Substrateckbereich. Dabei können die durchbiegungshindernden Elemente des ersten Eckbereichs unter einem Winkel zu denjenigen des zweiten Eckbereichs verlaufen. Die durchbiegungshindernden Elemente können aus dem gleichen oder einem anderen Material wie leitfähige Strukturen des Schaltkreissubstrats gebildet werden, in letzterem Fall z.B. aus einem Lotresistmaterial.at corresponding embodiments The invention comprises a first deflection-preventing structure a plurality of deflection-preventing elements in a first Substrate corner region, and a second deflection-preventing structure includes a plurality of deflection-preventing elements in a second Substrateckbereich. It can the deflection-preventing elements of the first corner area under an angle to those of the second corner region. The deflection-preventing elements can be made of the same or another material like conductive structures of the circuit substrate, in the latter case e.g. from a solder resist material.

Claims (50)

Schaltkreissubstrat mit – einem Substrat (100) und – einer durchbiegungshindernden Struktur (P) auf dem Substrat, die wenigstens ein erstes Strukturelement (L0) in einem ersten Eckbereich des Substrats und wenigstens ein zweites Strukturelement (L1) in einem dem ersten benachbarten zweiten Eckbereich des Substrats umfasst, – wobei sich eine Orientierung des ersten Strukturelements von derjenigen des zweiten Strukturelements in Bezug auf das Substrat unterscheidet.Circuit substrate with - a substrate ( 100 ) and - a deflection-preventing structure (P) on the substrate, comprising at least a first structural element (L0) in a first corner region of the substrate and at least one second structural element (L1) in a first adjacent second corner region of the substrate, - Orientation of the first structural element is different from that of the second structural element with respect to the substrate. Schaltkreissubstrat nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Strukturelement als voneinander getrennte Elemente angeordnet sind.A circuit substrate according to claim 1, further characterized characterized in that the first and the second structural element as separate elements are arranged. Schaltkreissubstrat nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat eine Mehrschicht-Leiterplatte beinhaltet und das erste und zweite Strukturelement in unterschiedlichen Schichtlagen der Mehrschicht-Leiterplatte angeordnet sind.A circuit substrate according to claim 1 or 2, further characterized in that the substrate is a multilayer printed circuit board includes and the first and second structural element in different layers the multilayer printed circuit board are arranged. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Teil des ersten Strukturelements eine Längsachse aufweist, die einen Winkel zu einer Längsachse wenigstens eines Teils des zweiten Strukturelements einschließt.Circuit substrate according to one of claims 1 to 3, further characterized in that at least a part of the first Structural element a longitudinal axis having an angle to a longitudinal axis of at least one part of the second structural element. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Strukturelement so orientiert sind, dass sie mechanische Spannungslinien schneiden, die von einem inneren Bereich des Substrats zu dem ersten und dem zweiten Substrateckbereich hin gerichtet sind.Circuit substrate according to one of claims 1 to 4, further characterized in that the first and the second Structural element are oriented so that they cut mechanical stress lines, from an inner region of the substrate to the first and the second Substrateckbereich are directed towards. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das erste Strukturelement und/oder das zweite Strukturelement eine Mehrzahl von durchbiegungshindernden Elementen beinhaltet.Circuit substrate according to one of claims 1 to 5, further characterized in that the first structural element and / or the second structural element comprises a plurality of deflection-preventing elements includes. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 6, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das erste und/oder das zweite Strukturelement wenigstens ein durchbiegungshinderndes Element mit geradlinigem, mäanderförmigem, abgewinkeltem, gerundetem oder abschnittweise gerundetem Verlauf oder einen aus diesen Verlaufsformen kombinierten Verlauf beinhaltet.Circuit substrate according to one of claims 1 to 6, further characterized in that the first and / or the second Structural element at least one deflection-preventing element with straight, meandering, angled, rounded or partially rounded course or includes a combination of these forms combined course. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 7, weiter gekennzeichnet durch einen leitfähigen Strukturbereich in einem inneren Bereich des Substrats, wobei wenigstens ein Ende wenigstens eines durchbiegungshindernden Elements des ersten und/oder zweiten durchbiegungshindernden Strukturelements den leitfähigen Strukturbereich berührt.Circuit substrate according to one of claims 1 to 7, further characterized by a conductive structure region in one inner region of the substrate, wherein at least one end at least a deflection-preventing element of the first and / or second deflection-preventing structural element of the conductive structure area touched. Schaltkreissubstrat nach Anspruch 8, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der leitfähige Strukturbereich (102) eine leitfähige Struktur (112, 142) aufweist, die sich zu wenigstens einem durchbiegungshindernden Element erstreckt und dieses in mehrere durchbiegungshindernde Teilelemente (L7, L9) aufteilt.Circuit substrate according to claim 8, further characterized in that the conductive structure region ( 102 ) a conductive structure ( 112 . 142 ), which extends to at least one deflection-preventing element and this divides into a plurality of deflection-preventing sub-elements (L7, L9). Schaltkreissubstrat nach Anspruch 9, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die sich zu dem durchbiegungshindernden Element erstreckende und dieses aufteilende leitfähige Struktur wenigstens eine Lotkugelkontaktstelle (142) umfasst.A circuit substrate according to claim 9, further characterized in that said conductive structure extending to and dividing said antiplexing element comprises at least one solder ball pad ( 142 ). Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 7 bis 10, weiter dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein durchbiegungshinderndes Element winkelförmig ist und mit seinem Winkelpunkt in Richtung eines Mittenbereichs des Schaltkreissubstrats zeigt.Circuit substrate according to one of claims 7 to 10, further characterized in that at least one deflection-preventing Element angular is and with its angle point towards a center area of the circuit substrate. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 7 bis 11, weiter dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein durchbiegungshinderndes Element winkelförmig ist und mit seinem Winkelpunkt von einem Mittenbereich des Schaltkreissubstrats weg zeigt.Circuit substrate according to one of claims 7 to 11, further characterized in that at least one deflection-preventing Element angular is and with its angular point from a center region of the circuit substrate shows away. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 6 bis 12, weiter dadurch gekennzeichnet, dass eine sich von einem Mittenbereich des Substrats zu dem ersten Eckbereich erstreckende Achse wenigstens ein durchbiegungshinderndes Element unter einem Winkel von etwa 90° schneidet.Circuit substrate according to one of claims 6 to 12, further characterized in that a from a central area at least the axis extending to the first corner of the substrate a deflection-preventing element at an angle of about 90 ° cuts. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 6 bis 13, weiter dadurch gekennzeichnet, dass im ersten Substrateckbereich eine Mehrzahl von durchbiegungshindernden Elementen vorgesehen ist, deren Länge mit wachsendem Abstand von der ersten Substratecke zunimmt.Circuit substrate according to one of claims 6 to 13, further characterized in that in the first Substrateckbereich a plurality of deflection-preventing elements is provided, de length increases with increasing distance from the first substrate corner. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 6 bis 14, weiter dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein durchbiegungshinderndes Element des ersten und/oder zweiten Strukturelements im Wesentlichen parallel zu wenigstens einem anderen durchbiegungshindernden Element des ersten und/oder zweiten Strukturelements verläuft.Circuit substrate according to one of claims 6 to 14, further characterized in that at least one deflection-preventing Element of the first and / or second structural element substantially parallel to at least one other deflection-preventing element of the first and / or second structural element extends. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 15, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Strukturelement durch eine Hilfsstruktur (A1) entlang einer Längskante des Substrats miteinander verbunden sind.Circuit substrate according to one of claims 1 to 15, further characterized in that the first and the second structural element by an auxiliary structure (A1) along a longitudinal edge of the substrate with each other are connected. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 16, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Strukturelement durch eine Hilfsstruktur (A1) entlang einer Querseite des Substrats miteinander verbunden sind.Circuit substrate according to one of claims 1 to 16, further characterized in that the first and the second Structural element by an auxiliary structure (A1) along a transverse side of the substrate are interconnected. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 17, weiter gekennzeichnet durch eine zwischen dem ersten und dem zweiten Strukturelement angeordnete Hilfsstruktur (A2) mit wenigstens einem durchbiegungshindernden Hilfselement.Circuit substrate according to one of claims 1 to 17, further characterized by a between the first and the second structural element arranged auxiliary structure (A2) with at least a deflection-preventing auxiliary element. Schaltkreissubstrat nach Anspruch 18, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine durchbiegungshindernde Hilfselement unter einem Winkel bezüglich wenigstens eines der durchbiegungshindernden Elemente des ersten oder zweiten Strukturelements angeordnet ist.The circuit substrate of claim 18, further characterized characterized in that the at least one deflection-preventing Auxiliary element at an angle with respect to at least one of deflection-preventing elements of the first or second structural element is arranged. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 19, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Strukturelement einander an einer Längsseite des Substrats berühren.Circuit substrate according to one of claims 1 to 19, further characterized in that the first and the second Structure element touching each other on a longitudinal side of the substrate. Schaltkreissubstrat nach Anspruch 20, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Berührpunkt des ersten und zweiten Strukturelements etwa in der Mitte der Substratlängsseite liegt.A circuit substrate according to claim 20, further characterized characterized in that the touch point of the first and second structural element approximately in the middle of the substrate longitudinal side lies. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 21, weiter dadurch gekennzeichnet, dass sich das erste und das zweite Strukturelement an einer Querseite des Substrats berühren.Circuit substrate according to one of claims 1 to 21, further characterized in that the first and the second Touch structural element on a transverse side of the substrate. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 22, weiter gekennzeichnet durch eine in einem inneren Bereich des Substrats benachbart zum ersten und zweiten Strukturelement angeordnete Dummystruktur (160).A circuit substrate according to any one of claims 1 to 22, further characterized by a dummy structure disposed in an inner region of the substrate adjacent to the first and second structural elements ( 160 ). Schaltkreissubstrat nach Anspruch 23, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Dummystruktur von einem Gittertyp, einem ebenen Typ oder einem Inseltyp ist.A circuit substrate according to claim 23, further characterized characterized in that the dummy structure is of a lattice type, a level type or an island type. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 24, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat eine Polygonform mit wenigstens drei Ecken hat.Circuit substrate according to one of claims 1 to 24, further characterized in that the substrate is a polygon shape with at least three corners. Schaltkreissubstrat nach Anspruch 25, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das Polygon ein Rechteck, ein Dreieck oder ein Fünfeck ist.The circuit substrate of claim 25, further characterized characterized in that the polygon is a rectangle, a triangle or a pentagon is. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 26, weiter dadurch gekennzeichnet, dass sich das erste und/oder das zweite Strukturelement entlang einer Richtung erstreckt, die senkrecht zu einer einen zugehörigen Substrateckbereich halbierenden Achse ist.Circuit substrate according to one of claims 1 to 26, further characterized in that the first and / or the second structural element extends along a direction that perpendicular to an associated one Substrate area is bisecting axis. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 27, weiter dadurch gekennzeichnet, dass eine Längsachse wenigstens eines bestimmten Teils des ersten und/oder des zweiten Strukturelements zwei Substratkanten schneidet, die eine zugehörige Ecke des Substrats definieren.Circuit substrate according to one of claims 1 to 27, further characterized in that a longitudinal axis of at least one particular Part of the first and / or the second structural element two substrate edges cuts, which is an associated corner of the substrate. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 28, weiter dadurch gekennzeichnet, dass eine oder beide Enden des ersten und/oder des zweiten Strukturelements mit Abstand von denjeni gen Substratkanten enden, welche die zugehörige Substratecke definieren.Circuit substrate according to one of claims 1 to 28, further characterized in that one or both ends of the first and / or the second structural element at a distance from those gene substrate edges end, which is the associated Define substrate corners. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 29, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat in einen leitfähigen Strukturbereich und in einen die durchbiegungshindernde Struktur beinhaltenden durchbiegungshindernden Bereich unterteilt ist, wobei das erste Strukturelement eine erste Gruppe von durchbiegungshindernden Elementen im ersten Substrateckbereich mit einer ersten Orientierung bezüglich des Substrats und das zweite Strukturelement eine zweite Gruppe von durchbiegungshindernden Elementen im zweiten Substrateckbereich mit einer von der ersten verschiedenen zweiten Orientierung umfasst.Circuit substrate according to one of claims 1 to 29, further characterized in that the substrate in a conductive structure area and in a deflection-preventing structure incorporating the deflection-preventing structure Area is divided, wherein the first structural element is a first group of deflection-preventing elements in the first substrate area with a first orientation with respect to the substrate and the second structural element a second group of deflection-preventing Elements in the second Substrateckbereich with one of the first different second orientation. Schaltkreissubstrat nach Anspruch 30, weiter dadurch gekennzeichnet, dass alle durchbiegungshindernden Elemente im ersten Substrateckbereich bezüglich des Substrats im Wesentlichen gleich orientiert sind und/oder alle durchbiegungshindernden Elemente im zweiten Substrateckbereich bezüglich des Substrats im Wesentlichen gleich orientiert sind.A circuit substrate according to claim 30, further characterized in that all deflection-preventing elements in the first Substrate corner area with respect of the substrate are oriented substantially the same and / or all deflection-preventing elements in the second Substrateckbereich with respect to Substrate are oriented substantially the same. Schaltkreissubstrat nach Anspruch 30 oder 31, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat rechtwinklig ist, im leitfähigen Strukturbereich eine leitfähige Struktur angeordnet ist und in einem dritten Substrateckbereich, welcher dem ersten Substrateckbereich diagonal gegenüberliegt, ein drittes durchbiegungshinderndes Strukturelement mit im Wesentlichen gleicher Orientierung wie das erste durchbiegungshindernde Strukturelement vorgesehen ist.A circuit substrate according to claim 30 or 31, further characterized in that the substrate is rectangular, a conductive pattern is disposed in the conductive pattern region, and a third substrate corner region which is diagonally opposite to the first substrate corner region Bending-preventing structural element is provided with substantially the same orientation as the first deflection-preventing structural element. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 32, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Breite wenigstens eines durch biegungshindernden Elements entlang einer Längsachse desselben variiert.Circuit substrate according to one of claims 1 to 32, further characterized in that the width of at least one by deflection-preventing element along a longitudinal axis thereof varies. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 33, weiter dadurch gekennzeichnet, dass ein durchbiegungshinderndes Element des ersten und/oder zweiten durchbiegungshindernden Strukturelements näher an einer zugehörigen Substratecke angeordnet und kleiner ist als ein anderes durchbiegungshinderndes Element.Circuit substrate according to one of claims 1 to 33, further characterized in that a deflection-preventing Element of the first and / or second deflection-preventing structural element closer to an associated one Substrate corner is arranged and smaller than another deflection-preventing Element. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 34, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die durchbiegungshindernde Struktur aus dem gleichen Material besteht wie eine leitfähige Struktur des Schaltkreissubstrats.Circuit substrate according to one of claims 1 to 34, further characterized in that the deflection-preventing Structure made of the same material as a conductive structure of the circuit substrate. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 34, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die durchbiegungshindernde Struktur aus einem anderen Material besteht wie eine leitfähige Struktur des Schaltkreissubstrats.Circuit substrate according to one of claims 1 to 34, further characterized in that the deflection-preventing Structure of another material is like a conductive structure of the Circuit substrate. Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 36, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die durchbiegungshindernde Struktur ein Lotresistmaterial aufweist.Circuit substrate according to one of claims 1 to 36, further characterized in that the deflection-preventing Structure has a Lotresistmaterial. Halbleiterchippackung mit – einem Schaltkreissubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 37, wobei das Schaltkreissubstrat einen leitfähigen Strukturbereich mit einer Mehrzahl von Bondfingern und einer Mehrzahl von Lotkugelkontaktstellen beinhaltet, und – einem auf dem Substrat (100) des Schaltkreissubstrats angeordneten Halbleiterchip (120) mit einer Mehrzahl von darauf angeordneten Bondkontaktstellen, von denen wenigstens eine elektrisch mit wenigstens einem der Bondfinger verbunden ist.A semiconductor chip package comprising - a circuit substrate according to any one of claims 1 to 37, wherein the circuit substrate includes a conductive pattern region having a plurality of bonding fingers and a plurality of solder ball pads, and - one on the substrate ( 100 ) of the circuit substrate arranged semiconductor chip ( 120 ) having a plurality of bonding pads arranged thereon, at least one of which is electrically connected to at least one of the bonding fingers. Verfahren zur Herstellung eines Schaltkreissubstrats nach einem der Ansprüche 1 bis 37, mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines elektrisch isolierenden Substrats (100), – Bilden einer leitfähigen Struktur (112) in einem leitfähigen Strukturbereich des Substrats, – Bilden einer ersten durchbiegungshindernden Struktur in einem ersten Eckbereich des Substrats und – Bilden einer zweiten durchbiegungshindernden Struktur in einem zweiten, dem ersten benachbarten Eckbereich des Substrats, wobei sich eine Gesamtorientierung der ersten durchbiegungshindernden Struktur bezüglich des Substrats von einer Gesamtorientierung der zweiten durchbiegungshindernden Struktur unterscheidet.Process for producing a circuit substrate according to one of Claims 1 to 37, comprising the following steps: - Provision of an electrically insulating substrate ( 100 ), - forming a conductive structure ( 112 forming a first deflection-inhibiting structure in a first corner region of the substrate, and forming a second deflection-inhibiting structure in a second, the first adjacent corner region of the substrate, wherein an overall orientation of the first deflection-inhibiting structure with respect to the substrate of an overall orientation of the second deflection-preventing structure. Verfahren nach Anspruch 39, wobei die erste und die zweite durchbiegungshindernde Struktur als voneinander getrennte Strukturen gebildet werden.The method of claim 39, wherein the first and the second deflection-preventing structure as separate from each other Structures are formed. Verfahren nach Anspruch 39 oder 40, wobei als Substrat eine Mehrlagen-Leiterplatte verwendet wird und die erste und die zweite durchbiegungshindernde Struktur in verschiedenen Schichtlagen innerhalb der Leiterplatte gebildet werden.A method according to claim 39 or 40, wherein as a substrate a multilayer printed circuit board is used and the first and the second deflection-preventing structure in different layers be formed within the circuit board. Verfahren nach einem der Ansprüche 39 bis 41, wobei die erste und die zweite durchbiegungshindernde Struktur jeweils mit einem oder mehreren voneinander beabstandeten durchbiegungshindernden Elementen gebildet werden.A method according to any one of claims 39 to 41, wherein the first and the second deflection-preventing structure each having a or a plurality of spaced-apart deflection-preventing Elements are formed. Verfahren nach Anspruch 42, wobei alle durchbiegungshindernden Elemente im ersten Substrateckbereich im Wesentlichen gleich orientiert gebildet werden und/oder alle durchbiegungshindernden Elemente im zweiten Substrateckbereich im Wesentlichen gleich orientiert gebildet werden.The method of claim 42, wherein all bend-inhibiting Elements in the first Substrateckbereich essentially the same orientation are formed and / or all deflection - preventing elements in the formed second substrate area substantially the same orientation become. Verfahren nach Anspruch 42 oder 43, wobei die durchbiegungshindernden Elemente aus einem von demjenigen der leitfähigen Struktur verschiedenen Material gebildet werden.A method according to claim 42 or 43, wherein the deflection preventing Elements of one different from that of the conductive structure Material are formed. Verfahren nach einem der Ansprüche 39 bis 44, wobei das Bilden der ersten und zweiten durchbiegungshindernden Struktur folgende Schritte umfasst: – Anwenden einer Trockenfilmstruktur auf ein Kernsubstrat mit einer Folienschicht aus leitfähigem Material, – Plattieren eines leitfähigen Materials auf die Folienschicht und – Entfernen der Trockenfilmstruktur und von Teilen der Filmschicht.The method of any one of claims 39 to 44, wherein said forming the first and second deflection-preventing structure following Steps includes: - Apply a dry film structure on a core substrate having a film layer made of conductive Material, - plating a conductive Materials on the film layer and - Remove the dry film structure and parts of the film layer. Verfahren nach einem der Ansprüche 39 bis 44, wobei das Bilden der ersten und zweiten durchbiegungshindernden Struktur folgende Schritte umfasst: – Plattieren eines leitfähigen Materials auf ein Kernsubstrat mit einer Folienschicht aus leitfähigem Material, um eine plattierte leitfähige Materialschicht zu bilden, – Anbringen einer Trockenfilmstruktur an der plattierten leitfähigen Materialschicht, – Ätzen der plattierten leitfähigen Materialschicht zum Entfernen von Bereichen der plattierten leitfähigen Materialschicht, die von der Trockenfilmstruktur freigelassen werden, und – Entfernen der Trockenfilmstruktur.The method of any one of claims 39 to 44, wherein said forming the first and second deflection-preventing structure following Steps includes: - plating a conductive Material on a core substrate with a foil layer of conductive material, around a plated conductive To form material layer, - Attach a dry film structure at the plated conductive Material layer, - etching the plated conductive Material layer for removing areas of the plated conductive material layer, which are released from the dry film structure, and - Remove the dry film structure. Verfahren nach einem der Ansprüche 39 bis 46, wobei das Bilden der ersten und/oder der zweiten durchbiegungshindernden Struktur ein Aufbringen einer Lotresistschicht auf das Substrat und eine Strukturierung der Lotresistschicht beinhaltet.The method of any one of claims 39 to 46, wherein said forming the first and / or the second deflection-preventing structure applying a Lotresistschicht on the substrate and a Structure of the solder resist layer includes. Verfahren nach einem der Ansprüche 39 bis 47, wobei eine Lotresistschicht auf das Substrat aufgebracht wird.A method according to any one of claims 39 to 47, wherein a solder resist layer is applied to the substrate. Verfahren nach Anspruch 48, wobei die Lotresistschicht so aufgebracht wird, dass sie wenigstens einen Teil der ersten und/oder der zweiten durchbiegungshindernden Struktur bedeckt.The method of claim 48, wherein the solder resist layer is applied so that they at least part of the first and / or the second deflection-preventing structure covered. Verfahren nach Anspruch 48 oder 49, wobei die Lotresistschicht so aufgebracht wird, dass sie einen Teil der ersten und/oder der zweiten durchbiegungshindernden Struktur freilässt.The method of claim 48 or 49, wherein the solder resist layer is applied so that they are part of the first and / or the second deflection-preventing structure leaves free.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5625250B2 (en) * 2009-03-30 2014-11-19 凸版印刷株式会社 Semiconductor device
JP2011108929A (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Murata Mfg Co Ltd Circuit board and method of manufacturing the same
JP5184578B2 (en) * 2010-05-20 2013-04-17 古河電気工業株式会社 Printed wiring board
US10090071B2 (en) 2012-12-28 2018-10-02 Ge-Hitachi Nuclear Energy Americas Llc Systems and methods for disposing of one or more radioactive components from nuclear reactors of nuclear plants
JP6281181B2 (en) * 2013-02-15 2018-02-21 株式会社村田製作所 Multilayer resin wiring board and board module
US10342127B2 (en) 2016-11-14 2019-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd Electronic device including a reinforced printed circuit board
EP3588547A4 (en) 2017-02-20 2020-08-19 Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd. Electronic device
EP3961690A4 (en) * 2019-05-15 2022-06-01 Huawei Technologies Co., Ltd. Chip packaging apparatus and manufacturing method therefor
KR102154360B1 (en) * 2019-10-24 2020-09-09 아시아나아이디티 주식회사 Wireless Magnetic Sensor Module
KR20210101764A (en) * 2020-02-11 2021-08-19 삼성전자주식회사 Printed circuit board assembly and electronic device including the same
KR20220027535A (en) 2020-08-27 2022-03-08 삼성전자주식회사 Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS609315B2 (en) * 1981-12-01 1985-03-09 株式会社日本コインコ magnetic ink character reader
JPS6210463U (en) * 1985-07-02 1987-01-22
JPH069315B2 (en) * 1987-03-30 1994-02-02 株式会社日立製作所 Multilayer printed circuit board and manufacturing method thereof
JPH0451582A (en) * 1990-06-20 1992-02-20 Nec Corp Hybrid integrated circuit device
JPH0715144A (en) * 1993-06-16 1995-01-17 Toshiba Corp Ceramic multilayer printed circuit board for multi-chip module
JPH0997967A (en) * 1995-09-29 1997-04-08 Fujikura Ltd Manufacture of flexible printed-wiring board
JPH11103137A (en) * 1997-09-29 1999-04-13 Canon Inc Printed wiring board packaged with electronic parts having flexible printed circuit board and plurally lattice-arrayed connecting terminals
JP4553466B2 (en) * 2000-09-05 2010-09-29 パナソニック株式会社 Printed circuit board
JP2003218542A (en) * 2002-01-25 2003-07-31 Dainippon Printing Co Ltd Multiple mounted component on multilayered wiring board and its manufacturing method
JP2004288660A (en) * 2003-01-29 2004-10-14 Kyocera Corp Wiring board
JP2005167141A (en) * 2003-12-05 2005-06-23 Ibiden Co Ltd Method of manufacturing printed wiring board and multilayer printed wiring board
JP2006108289A (en) * 2004-10-04 2006-04-20 Yazaki Corp Printed wiring board

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9355967B2 (en) 2013-06-24 2016-05-31 Qualcomm Incorporated Stress compensation patterning

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