DE102007027704A1 - Vorrichtung zum Beschichten von auf einem Suszeptor angeordneten Substraten - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit einer in einem Reaktorgehäuse angeordneten Prozesskammer (1) und einem darin angeordneten, im Wesentlichen topfförmigen Suszeptor (2, 3), wobei die Topfbodenrückseite (4) nach oben zur Prozesskammer (1) weist und sich die Topfseitenwandung mit einer im Bereich der Topföffnung angeordneten Stützflanke (5) auf einem Suszeptorträger (6) abstützt. Zur gebrauchsvorteilhaften Weiterbildung wird vorgeschlagen, dass der Suszeptor aus zwei voneinander trennbaren Teilen besteht, wobei ein ringförmiger unterer Teil (3) des Suszeptors zumindest einen die Stützflanke (5) ausbildenden Abschnitt der Topfseitenwandung ausbildet und ein oberer Teil des Suszeptors (2) zumindest den gesamten Topfboden (2') des Suszeptors ausbildet.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit einer in einem Reaktorgehäuse angeordneten Prozesskammer und einem darin angeordneten, im Wesentlichen topfförmigen Suszeptor, wobei die Topfbodenrückseite nach oben zur Prozesskammer weist und sich die Topfseitenwandung mit einer im Bereich der Topföffnung angeordneten Stützflanke auf einem Suszeptorträger abstützt.
  • Eine Vorrichtung der vorbezeichneten Art ist im Stand der Technik bekannt. Der Suszeptor besteht aus einem einzigen Graphitteil. Er besitzt die Form eines Topfes, wobei die nach außen weisende Wandung des Topfbodens eine Auflagefläche für Substrate ausbildet. Diese Topfaußenseite bildet den Boden einer Prozesskammer, deren Decke von einem Gaseinlassorgan ausgebildet wird. Innerhalb der Topföffnung des Suszeptors befindet sich eine Heizung, um die Oberfläche des Suszeptors auf eine Prozesstemperatur aufzuheizen, die 1600°C betragen kann. Der Durchmesser der im Wesentlichen kreisförmigen Auflagefläche für die Substrate kann größer als 300 mm sein. Als Heizung kann eine Induktionsspirale oder ein Widerstandsdraht verwendet werden. Es sind mehrere Heizzonen in unterschiedlichen Radialabschnitten möglich. Der Suszeptor ist mit seiner Topföffnung nach unten im Reaktorgehäuse derartig angeordnet, dass er sich mit einer der Seitenwandung des topfförmigen Körpers zugeordneten Stützflanke auf einem Suszeptorträger abstützen kann. Der Suszeptorträger kann von einem Quarzrohr gebildet sein. Letzteres kann drehangetrieben werden, so dass sich die Auflagefläche für die Substrate relativ gegenüber dem Gaseinlassorgan drehen kann. Auf der Auflagefläche liegt eine Vielzahl von Substraten in unterschiedlichen Radialabständen zum Zentrum. Es besteht das verfahrenstechnische Problem, die Auflagefläche für die Substrate auch im Randbereich auf die gewünschte Depositionstemperatur zu bringen, wobei der laterale Temperaturgradient auf der Auflagefläche möglichst bis in den Randbereich sehr gering ist.
  • Die Beschichtung der auf dem Suszeptor aufliegenden Substrate erfolgt mittels durch das Gaseinlassorgan in die Prozesskammer eingeleiteter Gase. Diese zerfallen entweder in der Gasphase oder bei In-Kontakt-Treten mit der Substratoberfläche, um auf der Substratoberfläche insbesondere unter Ausbildung einer kristallinen Schicht zu kondensieren. Für das Abscheiden homogener Schichten ist nicht nur ein homogenes Temperaturprofil des Suszeptors erforderlich. Es sind auch ansonsten von Run-zu-Run gleiche Ausgangsbedingungen erforderlich. Um diese bereitzustellen, wird der Suszeptor von Zeit zu Zeit der Prozesskammer entnommen, um ihn außerhalb des Reaktorgehäuses zu reinigen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine gattungsgemäße Vorrichtung gebrauchsvorteilhaft weiterzubilden.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei jeder Anspruch eine eigenständige Lösung der Aufgabe darstellt und mit jedem anderen Anspruch kombinierbar ist.
  • Zunächst und im Wesentlichen ist vorgesehen, dass der Suszeptor aus zwei voneinander trennbaren Teilen aus demselben Werkstoff besteht. Ein unterer, ringförmiger Teil des Suszeptors bildet die Stützflanke aus, mit der sich der Suszeptor auf dem Suszeptorträger abstützt. Dieser untere Teil des Suszeptors bildet bevorzugt auch den überwiegenden Teil der Seitenfläche des topfförmigen Gesamtkörpers aus. Der obere Teil des Suszeptors bildet zumindest den gesamten Topfboden, also die gesamte Auflagefläche für die Substrate, aus. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die den Boden der Prozesskammer ausbildende Oberseite des Suszeptors unter Ausbildung einer Rundung in die Seitenwandung übergeht. Der Rundungsabschnitt sowie ein Abschnitt der Seitenwandung kann dabei dem oberen Teil des Suszeptors zugeordnet sein. Die Rundung besitzt einen Rundungsradius, der 15 mm betragen kann. Bevorzugt liegt der Radius in einem Bereich zwischen 10 mm und 20 mm. Die Innenwandung des Topfes besitzt im Übergangsbereich zwischen Topfboden und Topfseitenwandung ebenfalls eine Rundung. Der Rundungsradius dieser Innenrundung ist geringer als der Rundungsradius der Außenrundung und kann 10 mm betragen. Auch hier kann der Radius in einem gewissen Wertebereich von 5 mm bis beispielsweise 15 mm liegen. Unterhalb der Bodenplatte, die von dem Suszeptoroberteil gebildet ist, befinden sich mehrere geheizte Zonen. Die Zonen besitzen im Wesentlichen eine Rotationssymmetrie und haben unterschiedliche Abstände zum Zentrum des Suszeptors. Die Heizungen können von Widerstandsdrähten gebildet sein. Diese sind dann spiralförmig angeordnet. Im Randbereich, d. h. in der Nachbarschaft der Innenrundung, liegen die einzelnen Windungen der Widerstandsheizung dichter nebeneinander als im Bereich unterhalb des Zentralbereichs des Suszeptors. In einer Variante der Erfindung besitzt das Suszeptoroberteil keinen Seitenwandungsabschnitt, sondern liegt unter Ausbildung eines flachen, kreisscheibenförmigen Deckels auf der Stirnrandflanke eines rohrförmigen unteren Suszeptorteiles auf. Im Bereich der Auflagezone, also im Randbereich, besitzt das Suszeptoroberteil eine geneigte, ringförmige Randfläche, die ebenso wie die Verrundung der ersten Variante zu einer Verringerung des lateralen Temperaturgradienten auf der zum Gaseinlassorgan weisenden Außenseite des Suszeptors führt. Zufolge der geneigten Randfläche ist die Materialstärke der Suszeptorplatte im Randbereich etwas vermindert. Die der geneigten Randfläche gegenüberliegende Breitseitenwandung des Suszeptoroberteils kann eine Ringstufe ausbilden, mit der sich das Suszeptoroberteil auf dem Suszeptorunterteil formschlüssig abstützt. Bei der ersten Variante kann ebenfalls eine geringfügige Stufe vorgesehen sein, um eine Formschlussverbindung zwischen den beiden Suszeptorteilen auszubilden. Alternativ dazu können aber auch Vorsprünge vorgesehen sein, die beispielsweise dem Suszeptorunterteil zugeordnet sind und die in ent sprechende Taschen, die beispielsweise dem Suszeptoroberteil zugeordnet sind, eingreifen. Der Suszeptor ist drehangetrieben. Der Antrieb erfolgt bevorzugt über den Suszeptorträger derartig, dass sich der Suszeptor gegenüber den Zonen-Heizungen dreht. Inhomogenitäten werden dadurch zeitlich ausgemittelt.
  • Mit den zuvor genannten konstruktiven Maßnahmen ist es möglich, den Temperaturdifferenzbereich einer auf 1600°C aufgeheizten Suszeptorplatte mit einem Durchmesser von bis zu 400 mm unter 80°C zu halten. Mit dem kantenverrundeten Suszeptoroberteil ist sogar ein Temperaturdifferenzbereich von lediglich weniger als 60°C erreichbar.
  • Eine weitere, auch eigenständigen Charakter aufweisende Weiterbildung bzw. Lösung der Aufgabe besteht darin, bei einer Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit einem in einem Reaktorgehäuse angeordneten Suszeptor eine Aufnahmeöffnung für ein Thermoelement, welche sich an der Unterseitenfläche des Suszeptors befindet, weiterzubilden. Diesbezüglich schlägt die Erfindung vor, dass die Aufnahmeöffnung eine Mulde ist. Diese wird von einem von der Unterseitenfläche des Suszeptors abragenden Ringwulst gebildet. Der Boden der Mulde liegt im Wesentlichen in derselben Ebene, in der auch die den Ringwulst umgebende Unterseitenfläche liegt. Dies hat zur Folge, dass die Materialstärke der Suszeptorbodenplatte auch im Bereich des Thermoelementes genauso groß ist, wie in dem Umgebungsbereich. Das Thermoelement liegt vor Kopf eines Thermoelementhalters, der sich bis in die Mulde hinein erstreckt. Der Ringwulst bildet nicht nur einen Strahlungsschirm. Er verhindert auch eine Messverfälschung durch konvektierende Gase. Bevorzugt liegt das Thermoelement in berührendem Kontakt mit dem Muldenboden. Das Thermoelement kann aber auch einen geringen Abstand zum Muldenboden besitzen.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
  • 1 einen Querschnitt durch die wesentlichen, die Prozesskammer in einem Reaktorgehäuse bildenden Aggregate eines ersten Ausführungsbeispiels,
  • 2 ein Suszeptorunterteil in der Draufsicht,
  • 3 einen Schnitt gemäß der Linie III-III in 2,
  • 4 das Suszeptorunterteil in der Seitenansicht,
  • 5 ein Suszeptoroberteil in der Draufsicht,
  • 6 ein Suszeptoroberteil in der Unteransicht,
  • 7 einen Schnitt gemäß der Linie VII-VII in 5,
  • 8 ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung gemäß 1, und
  • 9 eine Ausschnittsvergrößerung gemäß Ausschnitt IX in 1.
  • In den Figuren sind nur die zur Erläuterung der Erfindung wesentlichen Aggregate einer Vorrichtung zum Beschichten von Substraten dargestellt. In einem nicht dargestellten Reaktorgehäuse befindet sich eine Prozesskammer 1. Deren Decke wird von einem Gaseinlassorgan ausgebildet, mit dem verschiedene Prozessgase in die Prozesskammer 1 eingeleitet werden. In den 1 und 8 ist es mit der Bezugsziffer 10 angedeutet. Das Gaseinlassorgan 10 kann gekühlt oder beheizt werden. Es kann eine Vielzahl von duschkopfartig angeordneten Gasaustrittsöffnungen aufweisen, durch die die Prozessgase entweder gemeinsam oder getrennt voneinander in die Prozesskammer 1 eingeleitet werden.
  • Der Boden der Prozesskammer 1 bildet eine Auflagefläche 4 für eine Vielzahl von Substraten 11 aus, die beschichtet werden sollen. In den 1 und 8 sind die Substrate 1 als auf der zur Prozesskammer 1 weisenden Oberseite des Suszeptors 2, 3 dargestellt. Die Substrate können aber auch in der Umrisskontur der Substrate angepassten Vertiefungen der Oberseite liegen. Die Auflagefläche, die ggf. von den Böden der nicht dargestellten Vertiefungen gebildet sein kann, ist die zum Gaseinlassorgan 10 weisende Breitseitenfläche eines Suszeptoroberteiles 2, welches aus Graphit besteht. Das Suszeptoroberteil 2 liegt mit einer ringförmigen Auflagefläche, die sich an einem Seitenwandungsabschnitt 2'' abstützt, auf einem Stirnrand 3'' eines zweiten Suszeptorteiles 3 auf. Das zweite Suszeptorteil 3 bildet ein Suszeptorunterteil aus und ist ebenfalls aus Graphit gefertigt. Das Suszeptorunterteil 3 besitzt eine im Wesentlichen ringförmige bzw. rohrförmige Gestalt. Von der Innenwandung des zweiten Suszeptorteiles 3 ragt radial einwärts ein Ringvorsprung ab. Dieser bildet nicht nur die in der 4 mit der Bezugsziffer 16 bezeichneten Stege, sondern auch eine Auflagefläche 5 aus, mit der sich das Suszeptorunterteil 3 auf einer Stirnfläche eines Quarzrohres abstützt, welches den Suszeptorträger 6 ausbildet. Die Stirnringfläche des Suszeptorträgers 6 kann Aussparungen aufweisen, in die die Stege 16 einrasten, so dass das Suszeptorunterteil 3 drehfest mit dem Suszeptorträger 6 verbunden ist. Der Stirnrandabschnitt des Suszeptorträgers 6 ragt in die Höhlung des Suszeptorunterteils 3 hinein, so dass zwischen Suszeptordrehträger 6 und Suszeptorunterteil eine Formschlussverbindung gewährleistet ist. Der Suszeptorträger 6 kann drehangetrieben werden, so dass sich der Suszeptor 2, 3 gegenüber dem Gaseinlassorgan 10 drehen kann.
  • Wie den 3 bis 4 zu entnehmen ist, ragen von dem Stirnrand 3'', auf dem sich das Suszeptoroberteil 2 abstützt, Vorsprünge 14 nach oben. Radial versetzt zu den Vorsprüngen 14 bildet der obere Stirnrand 3'' auch Taschen 15 aus.
  • Zu den Vorsprüngen 14, die der Innenwandung des Suszeptorunterteils 3 benachbart sind, korrespondieren Taschen 18 des Suszeptoroberteils 2. In diese Taschen 18 greifen die Vorsprünge 14 ein, wenn das Suszeptoroberteil 2 auf dem Suszeptorunterteil 3 aufliegt. Hierdurch ist das Suszeptoroberteil 2 formschlüssig mit dem Suszeptorunterteil 3 verbunden.
  • Die beiden Suszeptorteile 2, 3 bilden zusammen einen im Wesentlichen topfförmigen Körper aus. Innerhalb des Topfvolumens befindet sich, der Bodenplatte 2' benachbart, eine aus mehreren Widerstandsdrahtspiralen bestehende Heizung. Es sind verschiedene Heizzonen A, B, C vorgesehen, die jeweils verschiedene Radialabstände zum Zentrum des Suszeptors 2, 3 besitzen. Mit der radial äußersten Heizzone C wird der Randbereich des Suszeptoroberteils 2 aufgeheizt. Hier besitzen die Heizwicklungen einen geringeren Abstand zueinander als im Zentralbereich.
  • Das in den 1 bzw. 5 bis 7 dargestellte Suszeptoroberteil besitzt eine ebene Auflagefläche 4 für die Substrate, die von der Breitseitenwandung der Bodenplatte 2' ausgebildet wird. Im Bereich des kreisförmigen Randes geht diese Auflagefläche 4 unter Ausbildung einer Außenrundung 7 in einen Seitenwandungsabschnitt 2'' des Suszeptoroberteils 2 über. Der Rundungsradius der Außenrundung 7 beträgt etwa 15 mm. Auf seiner Innenseite besitzt das Suszeptoroberteil 2 ebenfalls eine Kantenverrundung 8, die der Außenrundung 7 gegenüberliegt. Der Rundungsradius dieser Innenverrundung 8 beträgt etwa 10 mm. Im Bereich des Seitenwandungsabschnittes 2'' ist die Materialstärke des Suszeptoroberteils 2 geringer als im Bereich der Bodenplatte 2'.
  • Die Außenfläche der Seitenwandung 2'' geht bündig in die Außenwandung 3'' des Suszeptorunterteils über.
  • Bei dem in der 8 dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel bildet das Suszeptorunterteil 3 eine rohrförmige Manschette aus. Auch hier besitzt der aus zwei Teilen 2, 3 bestehende Suszeptor eine Rotationssymmetrie. Das Suszeptoroberteil 2 ist als kreisscheibenförmige Platte 2' ausgebildet. Die Auflagefläche für die Substrate 4 verläuft im gesamten Zentralbereich auf einer Ebene. Im Bereich des Randes der Platte 2' befindet sich eine geneigte Randfläche 12. Hierdurch vermindert sich die Materialstärke des Suszeptoroberteils 2 im Randbereich.
  • Gegenüberliegend zur geneigten Randfläche 12 bildet die Unterseite der Bodenplatte 2' eine Stufe 13 aus, mit der das Suszeptoroberteil 2 auf der Stirnrandkante 3'' des Suszeptorunterteiles 3 aufliegt.
  • Auch bei diesem Ausführungsbeispiel können die in der 5 dargestellten und mit der Bezugsziffer 17 bezeichneten Vertiefungen vorgesehen sein, in die jeweils ein Substrat 11 eingelegt werden kann.
  • Die Temperatur des Suszeptors und insbesondere die Temperatur der Bodenplatte 2' des Suszeptors, wie er in den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen beschrieben worden ist, kann mit einem oder mehreren Thermoelementen 24 gemessen werden. Insbesondere im Zentralbereich ist eine Temperaturmessstelle vorgesehen. Diese ist in der 9 vergrößert dargestellt. Ein von der Rückseitenfläche 23 der Bodenplatte 2' des Suszeptoroberteiles 2 abragender Ringwulst 20 bildet eine Mulde 21 aus. Der Boden 22 der Mulde 21 verläuft auf demselben Niveau wie die Rückseitenfläche 23. Muldenboden 22 und Rückseitenfläche 23 verlaufen somit in derselben Ebene.
  • Das Thermoelement 24 wird von einem insbesondere keramischen Thermoelementhalter 25 getragen. Es befindet sich vor dessen Stirnfläche und in berührender Anlage am Muldenboden 22. Der das Thermoelement 24 tragende Stirn abschnitt des Thermoelementhalters 25 ragt über den Scheitel des Ringwulstes 20 hinaus in die Mulde 21.
  • Zufolge dieser Ausgestaltung ist die Materialstärke des Suszeptors 2 im Bereich der Temperaturmessstelle identisch mit der Materialstärke im Umgebungsbereich, so dass die Messstelle keinen Einfluss auf den Verlauf der Oberflächentemperatur der Auflagefläche 4 ausübt.
  • Diese Anordnung des Thermoelementes ist darüber hinaus auch förderlich, wenn das Suszeptoroberteil 2 zum Zwecke der Reinigung aus dem Reaktorgehäuse entnommen werden muss. Das Suszeptoroberteil 2 wird dabei geringfügig angehoben und dabei vom Suszeptorunterteil 3 getrennt. Bei der Reinigung des Suszeptoroberteiles 2, die außerhalb des Reaktorgehäuses stattfindet, verbleibt das Suszeptorunterteil 3 in der Prozesskammer. Das zu reinigende Suszeptoroberteil 2 kann gegen ein gereinigtes Suszeptoroberteil ausgetauscht werden, welches auf den Stirnrand 3'' des Suszeptorunterteils 3 aufgelegt werden kann. Die nach oben ragenden Vorsprünge 14 des Stirnrandes 3'' dabei in die zugeordneten Taschen 18 des Suszeptoroberteils 2 ein.
  • Die Höhe der Vorsprünge 14 entspricht im Wesentlichen der Höhe des Ringwulstes 20.
  • Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.

Claims (15)

  1. Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit einer in einem Reaktorgehäuse angeordneten Prozesskammer (1) und einem darin angeordneten, im Wesentlichen topfförmigen Suszeptor (2, 3), wobei die Topfbodenrückseite (4) nach oben zur Prozesskammer (1) weist und sich die Topfseitenwandung mit einer im Bereich der Topföffnung angeordneten Stützflanke (5) auf einem Suszeptorträger (6) abstützt, dadurch gekennzeichnet, dass der Suszeptor aus zwei voneinander trennbaren Teilen besteht, wobei ein ringförmiger unterer Teil (3) des Suszeptors zumindest einen die Stützflanke (5) ausbildenden Abschnitt der Topfseitenwandung ausbildet und ein oberer Teil des Suszeptors (2) zumindest den gesamten Topfboden (2') des Suszeptors ausbildet.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Suszeptorteile (2, 3) aus einem identischen Werkstoff und insbesondere aus Graphit bestehen.
  3. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die den Boden der Prozesskammer (1) bildende Oberseite (4) des Suszeptorteiles (2) unter Ausbildung einer Rundung (7) in einen Seitenwandungsabschnitt (2'') übergeht.
  4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch mehrere unterhalb der im Wesentlichen einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Bodenplatte (2') des oberen Teiles 2 des Suszeptors in verschiedenen Abständen zum Zentrum angeordnete Heizzonen (A, B, C).
  5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizzonen (A, B, C) von Widerstandsdrähten (9) gebildet sind, die im Bereich des Randes enger zueinander liegen als im Zentralbereich.
  6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine der Außenrundung (7) gegenüberliegende Innenrundung (8), wobei der Krümmungsradius der Innenrundung (8) kleiner ist als der Krümmungsradius der Außenrundung (7).
  7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Wandstärke der Seitenwandung (2'') geringer ist als die Wandstärke der Bodenplatte (2').
  8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch einen ringförmigen und geneigten Randbereich (12) des Suszeptoroberteiles (2).
  9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine vom Rand der Rückseitenfläche (23) der vom Suszeptoroberteil (2) ausgebildeten Bodenplatte (2'), mit der sich das Suszeptoroberteil (2) auf einem Stirnrand (3'') des Suszeptorunterteiles (3) abstützt.
  10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Suszeptoroberteil (2) zum Zweck seiner Reinigung außerhalb der Prozesskammer (1) von dem auf dem Suszeptorträger (6) verbleibenden Suszeptorunterteil (3) trennbar ist.
  11. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Suszeptorträger (6) drehangetrieben ist, um den topfförmigen Suszeptor (2, 3) gegenüber der ortsfesten Heizung drehanzutreiben.
  12. Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit einer in einem Reaktorgehäuse angeordneten Suszeptor (2), dessen Oberseite (4) eine Auflagefläche für Substrate (11) ausbildet und dessen Unterseitenfläche (23) zumindest eine Aufnahmeöffnung (21) für zumindest ein Thermoelement aufweist, insbesondere gemäß einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Aufnahmeöffnung eine von einem von der Unterseitenfläche (23) abragenden Ringwulst (20) gebildeten Mulde (21) ist, deren Boden (22) im Wesentlichen in der von der Unterseitenfläche (23) gebildeten Ebene liegt.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 12 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Mulde (21) im Zentrum des Suszeptors (2) angeordnet ist.
  14. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 13 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass ein vor seiner Stirnfläche das Thermoelement (24) halternder Thermoelementhalter (25) bis über den äußeren Rand des Ringwulstes (20) in die Mulde (21) hineinragt.
  15. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 14 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Thermoelement (24) in Kontakt zum Muldenboden oder in einem geringen Abstand zum Muldenboden (21) liegt.
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