DE102007027447B3 - Schaltungsanordnung und integrierte Schaltung - Google Patents

Schaltungsanordnung und integrierte Schaltung Download PDF

Info

Publication number
DE102007027447B3
DE102007027447B3 DE102007027447A DE102007027447A DE102007027447B3 DE 102007027447 B3 DE102007027447 B3 DE 102007027447B3 DE 102007027447 A DE102007027447 A DE 102007027447A DE 102007027447 A DE102007027447 A DE 102007027447A DE 102007027447 B3 DE102007027447 B3 DE 102007027447B3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
end portions
wiring
component
sections
components
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102007027447A
Other languages
English (en)
Inventor
Winfried Dipl.-Ing. Dr. techn. Bakalski
Michael Dipl.-Ing. Asam
Markus Dipl.-Ing. Dr. techn. Zannoth
Krzysztof M. Sc. Kitlinski
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Deutschland GmbH
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Application granted granted Critical
Publication of DE102007027447B3 publication Critical patent/DE102007027447B3/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/645—Inductive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13064—High Electron Mobility Transistor [HEMT, HFET [heterostructure FET], MODFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H01L2924/30111—Impedance matching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Schaltungsanordnung mit einer Mehrzahl von gleichartigen und in gleicher Weise betriebenen aktiven Bauelementen, insbesondere Leistungs-HF-Bauelementen, oder separaten Abschnitten eines aktiven Bauelements, und mit einer verzweigten Verdrahtungsstruktur zur Beschaltung von Bauelementanschlüssen, die jeweils zwischen einem Verzweigungspunkt und einem Eingang verschiedener Bauelemente bzw. Abschnitte liegende Verdrahtungs-Endabschnitte umfasst, wobei die Verdrahtungs-Endabschnitte derart mit vorbestimmter geometrischer Asymmetrie zueinander ausgebildet sind, dass eine elektrische Symmetrie der Beschaltungs-Konfiguration zwischen allen angeschlossenen gleichartigen Bauelementen bzw. Abschnitten besteht, derart, dass die Impedanzwerte zwischen dem Verzweigungspunkt und den verschiedenen Ein- bzw. Ausgängen im Wesentlichen gleich sind.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie eine integrierte Schaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 9.
  • Moderne HF-Leistungsschaltungen, etwa Verstärkerschaltungen für den Gigahertz-Bereich, haben vielfach eine Schaltungsstruktur, die durch eine Aufteilung stark belasteter aktiver Bauelemente in gleichartige Funktionsblöcke gekennzeichnet ist. Man spricht speziell bei Transistoren auch von einer Zellenstruktur, wenn etwa große Emitter/Gate-Flächen von HF-Leistungstransistoren in Transistorzellen aufgeteilt werden, welche typischerweise aneinandergereiht werden.
  • Bei dieser Block- bzw. Zellen-Struktur, welche seit langem bekannt ist, kommt es nach neueren Erkenntnissen bei extremen HF-Anwendungen zu Funktions-Unregelmäßigkeiten, die u. U. die Einsatzmöglichkeiten der entsprechenden HF-Schaltungsanordnungen beschränken.
  • So hat sich durch Simulationsrechnungen und Messungen mittels der Methode der Sekundärphotonenspektroskopie zeigen lassen, dass der Kollektorstromverlauf bei verschiedenen Zellen eines über eine breite Metall-Leiterbahn symmetrisch angeschlossenen Transistors in seiner zeitlichen Abhängigkeit relativ zueinander und/oder gegenüber dem zeitlichen Verlauf der Steuerspannung erheblich differiert.
  • 1 zeigt skizzenartig die Verdrahtungsstruktur einer solchen bekannten Transistoranordnung, und 2 zeigt eine grafische Darstellung der Zeitabhängigkeiten des Kollektorstromes für die einzelnen Transistorblöcke. Einzelheiten der grafischen Darstellung sind hier nicht von Bedeutung; zu erkennen sind jedenfalls erhebliche Abweichungen der zeitlichen Abhängigkeit von einer idealen Sinuskurve sowie auch zwischen den einzelnen Zeitverläufen, was auf eine ungleichmäßige Auslastung des Gesamt-HF-Transistors schließen lässt.
  • Neben dem Ansatz einer Minimierung des resistiven Anteils der Zuleitung (wie mit dem breiten Anschlussblock gemäß 1 verfolgt) ist auch der Ansatz bekannt, den resistiven Anteil der Anschlussverdrahtung durch geometrisch symmetrische Auslegung der Zuleitungs-Abschnitte möglichst symmetrisch darzustellen. Dieser Ansatz ist in 3 skizzenartig dargestellt, und 4 zeigt einen für diese Verdrahtungsstruktur gemessenen Zeitverlauf des Kollektorstromes, unter ansonsten gleichen Bedingungen wie 2. Auch hier interessieren keine Einzelheiten – auffallend ist aber die starke Abweichung von einem ideal sinusförmigen Zeitverlauf, die auf inhomogene Auslastung des so angeschlossenen HF-Leistungstransistors schließen lässt.
  • Eine ähnliche Schaltungsanordnung zeigt die DE 196 29 090 A1 , umfassend eine Mehrzahl von gleichartigen Bauelementen und insbesondere Bipolar-Transistoren, die über eine verzweigte Verdrahtungsstruktur allesamt mit einer gemeinsamen Kontaktstelle verbunden sind. Um sämtlichen verdrahteten Transistoren eine gleichförmige Leistung im Parallelbetrieb einspeisen zu können, werden die Einzelverdrahtungen zu den jeweiligen Transistoren hinsichtlich ihres Widerstandswertes symmetrisch ausgebildet. Eine solche Schaltungsanordnung weist jedoch, insbesondere im Hochfrequenzbetrieb, ebenfalls oben genannte Nachteile auf.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung bzw. eine integrierte Schaltung der gattungsgemäßen Art anzugeben, die eine verbesserte Funktionsweise, insbesondere eine verbesserte Auslastung der zur Schaltung gehörenden gleichartigen aktiven Bauelemente bzw. Abschnitte eines aktiven Bauelementes, gewährleistet.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bzw. eine integrierte Schaltung mit den Merkmalen des Anspruchs 9 gelöst. Zweckmäßige Fortbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand der jeweiligen abhängigen Ansprüche.
  • Die Erfindung schließt den Gedanken einer gezielten geometrischen Asymmetrisierung einer verzweigten Verdrahtungsstruktur zur Beschaltung von Bauelementanschlüssen zur Erreichung von Symmetrie in den relevanten elektrischen Parametern ein. Die Erfindung schließt weiter den Gedanken ein, hierbei den Fokus auf eine Symmetrisierung der induktiven Komponente des komplexen Widerstandes der Leistungs-Endabschnitte zu legen. Es gilt also primär, eine Ungleichheit und speziell Asymmetrie des geometrischen Verlaufs der ansonsten symmetrisch ausgeführten Verdrahtungs-Endabschnitte so festzulegen, dass für einen Hochfrequenz-Betrieb der gleichartigen Bauelemente bzw. Abschnitte eines Bauelements der induktive Anteil der Impedanz an den gleichartigen Bauelementanschlüssen im Wesentlichen gleich ist. In Abhängigkeit von der konkreten Bauelement-Konstellation und Schaltungsgeometrie sind aber in die Ausgestaltung der vorbestimmten geometrischen Asymmetrie auch Überlegungen hinsichtlich des kapazitiven und resistiven Anteiles einzubeziehen.
  • Eine vorteilhafte Ausführung der vorgeschlagenen Schaltungsanordnung zeichnet sich dadurch aus, dass mindestens ein Teil der Verdrahtungs-Endabschnitte im wesentlichen parallel und benachbart zu Verdrahtungs-Zwischenabschnitten liegt, wodurch aus den entsprechenden Verdrahtungs-Endabschnitten und Verdrahtungs-Zwischenabschnitten eine Induktivität gebildet wird. Hierbei ist die geometrische Asymmetrie derart bestimmt, dass Symmetrie hinsichtlich der induktiven Komponenten des komplexen Widerstandes der verschiedenen Verdrahtungs-Endabschnitte vorliegt. Dabei sind insbesondere solche Verdrahtungs-Endabschnitte, die nicht benachbart zu einem Verdrahtungs-Zwischenabschnitt verlaufen, in vorbestimmtem Maße asymmetrisch gegenüber solchen Verdrahtungs-Endabschnitten ausgeführt, die benachbart zu einem Verdrahtungs-Zwischenabschnitt verlaufen. Hierdurch wird der Ausbildung von Induktivitäten zwischen den erwähnten parallelen Verdrahtungs-Zwischenabschnitten und – endabschnitten (die bei solchen Endabschnitten, zu denen kein Zwischenabschnitt benachbart ist, nicht auftreten) Rechnung getragen.
  • Bei einer weiteren bevorzugten Ausführung der Erfindung ist vorgesehen, dass Leiterquerschnitte von Verdrahtungs-Endabschnitten, die zur Symmetrisierung ihrer induktiven Widerstandskomponente asymmetrisch ausgelegt sind, zur Kompensation einer hierdurch bewirkten Asymmetrie des Ohmschen Widerstandes unterschiedlich gewählt sind. Hiermit wird also bewusst vom früheren Konzept der Symmetrisierung der Zuleitungs-Geometrie im Hinblick auf den Ohmschen Widerstand derselben abgegangen, jedoch gleichwohl auf die Erreichung möglichst übereinstimmender Ohmscher Widerstandsanteile in den einzelnen Zuleitungszweigen hingearbeitet.
  • Eine praktisch bedeutsame Realisierung dieser Ausführungsform sieht so aus, dass Verdrahtungs-Endabschnitte je zweier benachbarter aktiver Bauelemente von einem Verzweigungspunkt der Verdrahtung abgehen und mit verschiedener Länge und im längeren der Verdrahtungs-Endabschnitte mit größerem Leiterquerschnitt ausgeführt sind, derart, dass die Verdrahtungs-Endabschnitte der benachbarten Bauelemente induktiv und resistiv symmetrisch sind.
  • Praktisch bedeutsam ist auch eine Ausführung, bei der die Schaltungsanordnung mehr als zwei gleichartige und in gleicher Weise betriebene Bauelemente oder Abschnitte eines Bauelementes und eine baumartig mehrfach verzweigte Verdrahtungsstruktur zur Beschaltung von deren Bauelementanschlüssen aufweist. Das erfindungsgemäße Konzept lässt sich also von der asymmetrischen Gestaltung von Verdrahtungs-Endabschnitten zur Vorbestimmung einer geeigneten Asymmetrie von Zuleitungsabschnitten ausweiten, die von den zu versorgenden Bauelementanschlüssen entfernter liegen. Dies ermöglicht die Realisierung einer optimierten Auslastung einer größeren Anzahl von Bauelementen oder Abschnitten eines Bauelementes gemäß dem Konzept der Erfindung, wobei bei zunehmender Anzahl von Bauelementen bzw. Bauelementabschnitten und somit auch Verzweigungspunkten der Einsatz von Simulationsverfahren zunehmend sinnvoll wird.
  • Das vorgeschlagene Konzept eignet sich für Schaltungsanordnungen mit vielfach in der HF-Technik gebräuchlichen aktiven Bauelementen, die also Transistoren, insbesondere FETs, IGBTs, HBTs oder HEMTs, oder Abschnitte solcher aufweisen und die Verdrahtungs-Endabschnitte zu Steuereingängen derselben führen.
  • Bevorzugt sind moderne Schaltungsanordnungen dieser Art als integrierte Schaltungen mit einer verzweigten Leiterbahnstruktur auf den entsprechenden Metallisierungsebenen des Chips ausgeführt. Für eine solche integrierte Schaltung gelten die obigen Erläuterungen entsprechend, wobei hier auf die Besonderheiten der Realisierung der Verdrahtung als Leiterbahnstruktur einer oder mehrerer Metallisierungsebenen (ggf. mit Durchkontaktierungen) hingewiesen sei.
  • Von besonderer praktischer Bedeutung ist hier eine Ausführung, bei der die separaten Abschnitte Transistorblöcke eines integrierten HF-Leistungstransistors sind.
  • In einer ersten Ausführung dieser Chipstruktur sind vier Transistorblöcke in geometrisch gleichartiger Konfiguration in einer Zeile nebeneinander auf einem Substrat angeordnet. Die Leitbahnstruktur weist mindestens einen ersten und zweiten Verzweigungspunkt und einen zwischen diesen liegenden Endpunkt auf, wobei zwischen dem ersten Verzweigungspunkt und dem End- Punkt ein Leitbahn-Zwischenabschnitt und zwischen dem zweiten Verzweigungspunkt und den Bauelementanschlüssen Leitbahn-Endabschnitte verlaufen. Von denen verläuft mindestens einer parallel zum Leitbahn-Zwischenabschnitt und bildet mit diesem sowie einem weiteren Leitbahnabschnitt zwischen dem Endpunkt und zweiten Verzweigungspunkt im Betrieb des Bauelements eine Gegeninduktivität.
  • In einer hierzu alternativen Ausführung sind die Transistorblöcke nicht in einer einzigen Zeile angeordnet, sondern parallel zueinander in vier Spalten, also gewissermaßen orthogonal zu den zugehörigen Leitbahn-Endabschnitten – wobei die geometrische Gestalt der Leiterbahnstruktur weitgehend unverändert bleibt. Diese realisiert in beiden Ausführungen einen Gate- bzw. Basis-Anschluss des Transistors.
  • Bei der Zeilen-Anordnung gegenüberliegend zu diesen Gate-/Basis-Anschlüssen sind Drain- bzw. Kollektor-Anschlüsse vorgesehen. Bei der letztgenannten Spalten-Anordnung sind in vorteilhafter Weise Anschlusspunkte für einen Drain- bzw. Kollektor-Anschluss des integrierten HF-Leistungstransistors zwischen den in Spalten angeordneten Transistorblöcken vorgesehen. Diese Ausgestaltung ermöglicht eine gleichmäßigere Verschaltung des Kollektors und damit eine sinnvolle Limitierung der Gesamtabmessungen.
  • Da bei einer integrierten Schaltung der vorgeschlagenen Art die Dicke der Leiterbahnabschnitte durch die Metallisierungs-Schichtdicken vorgegeben ist, ist die vorteilhafte Variation des Zuleitungsquerschnittes zu den Anschlüssen durch eine geeignete Wahl der Breite des jeweiligen Leitbahnabschnittes zu realisieren. Hierbei ist bei aktuellen Technologien davon auszugehen, dass die Breite der Leiterbahn-Endabschnitte und optionalen Leiterbahn-Zwischenabschnitte zur Erreichung der vor bestimmten geometrischen Asymmetrie im Bereich zwischen 3 μm und 15 μm, bevorzugt zwischen 5 μm und 10 μm, liegt.
  • Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich im übrigen aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele anhand der Figuren. Von diesen zeigen:
  • 1 eine skizzenartige Darstellung einer bekannten Verdrahtung eines HF-Leistungstransistors in Blockstruktur,
  • 2 eine grafische Darstellung zur Erläuterung des zeitlichen Ansprechverhaltens des HF-Leistungstransistors nach 1,
  • 3 eine skizzenartige Darstellung einer weiteren bekannten Verdrahtung eines HF-Leistungstransistors in Blockstruktur,
  • 4 eine grafische Darstellung zur Erläuterung des zeitlichen Ansprechverhaltens des HF-Leistungstransistors nach 3,
  • 5 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung, in Art einer Draufsicht auf einen HF-Leistungstransistor in Blockstruktur mit zugehörigen Anschlüssen,
  • 6 eine den 1 und 3 entsprechende grafische Darstellung für das Ausführungsbeispiel nach 5 und
  • 7 eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung, in Art einer Draufsicht auf einen HF-Leistungstransistor in Blockstruktur mit zugehörigen Anschlüssen.
  • 5 zeigt in einer schematischen Darstellung einen HF-Leistungstransistor 1 einer HF-Endstufe, der einen in vier Transistorblöcke 3A bis 3D untergliederten Transistorzellen-Aufbau hat, mit dem Endabschnitt einer zugehörigen Gateanschluss-Leiterbahn 5. Weiterhin sind skizzenartig Anschlussfelder 7 mit zugehörigen Bonddrahtenden 9 zur Realisierung weiterer Anschlüsse (Emitter/Basis bzw. Kollektor/Drain) skizzenhaft gezeigt. Es ist ausdrücklich darauf hinzuweisen, dass die tatsächliche Konfiguration der letztgenannten Anschlüsse und deren Zuordnung vom jeweiligen Schaltungs-Layout abhängt; es kommt hier auch nur auf die grundsätzliche räumliche Zuordnung zu den Transistorblöcken 3A bis 3D – nämlich jeweils die Anordnung zwischen diesen – an.
  • Die Leiterbahnstruktur 5 hat einen ersten Verzweigungspunkt 5.1 und zwei zweite Verzweigungspunkte 5.2, 5.3. Zwischen diesen verlaufen spiegelsymmetrisch zwei Leiterbahn-Zwischenabschnitte 5a bzw. 5b. Vom zweiten Verzweigungspunkt 5.2 zum ersten Transistorblock 3A erstreckt sich ein erster Leiterbahn-Endabschnitt 5c und zum zweiten Transistorblock 3B ein zweiter Leiterbahn-Endabschnitt 5d, und vom zweiten Verzweigungspunkt 5.3 zum dritten Transistorblock 3C erstreckt sich ein dritter Leiterbahn-Endabschnitt 5e und zum vierten Transistorblock 3D ein vierter Leiterbahn-Endabschnitt 5f.
  • Wie in der Figur zu erkennen ist, verlaufen der zweite und dritte Leiterbahn-Endabschnitt 5d, 5e in enger Nachbarschaft parallel zu einem wesentlichen Längenabschnitt der Leiterbahn-Zwischenabschnitte 5a bzw. 5b und bilden mit diesen jeweils eine Dreiviertel-Windung einer Spule, also eine signifikante Induktivität. Da dem ersten und vierten Leiterbahn-Endabschnitt 5c, 5f kein Leiterbahn-Zwischenabschnitt benachbart ist, bilden diese (und somit die Anschlüsse des ersten und vierten Transistorblocks 3A, 3D keine entsprechende induktive Widerstandskomponente aus. Bei einer durch geometrische Symmetrie ausgezeichneten Gestaltung der Leiterbahn-Endabschnitte zu den Transistorblöcken 3A und 3B bzw. 3C und 3D hätten deren Zuleitungs-Endabschnitte also differierende induktive Anteile des komplexen Widerstandes.
  • Daher ist, wie in 5 zu erkennen, erfindungsgemäß eine geometrische Asymmetrie zwischen diesen Leiterbahn-Endabschnitten vorgesehen. In der dargestellten Ausführung verhalten sich die Längen der Leiterbahn-Endabschnitte 5C und 5D wie 1:2, ebenso wie die Längen der Leiterbahn-Endabschnitte 5f und 5e. Hierdurch wird der unterschiedliche induktive Impedanzanteil im wesentlichen kompensiert.
  • Da sich aus der unterschiedlichen Länge der Leiterbahn-Endabschnitte jedoch bei gleichen Leiterquerschnitten ein unterschiedlicher Ohmscher Widerstandsanteil ergäbe, wird zur Vermeidung dieses nachteiligen Nebeneffektes außerdem die Breite des zweiten und dritten Leiterbahn-Endabschnittes 5d, 5e gegenüber derjenigen des ersten und vierten Leiterbahn-Endabschnittes 5c, 5f vergrößert, und zwar um den Faktor 1,5 (3/2). Dies kompensiert bei konstanter, durch die Technologie bestimmter Metallisierungs-Schichtdicke annähernd die größere Zuleitungs-Länge und ergibt einen annähernd gleichen resistiven Anteil der Gesamtimpedanz der Zuleitungen zu den einzelnen Transistorblöcken. Die kapazitive Komponente ist bei diesen Betrachtungen aufgrund der geometrischen Verhältnisse der Anschlusskonfiguration nicht vordergründig zu beachten; ihre Berücksichtigung gelingt durch die genannte Längenbemessung der Leiterbahn-Endabschnitte zur Kompensation der unterschiedlichen induktiven Komponenten.
  • Die Messung der Zeitabhängigkeit des Kollektorstromes im Ansprechen auf ein sinusförmiges Signal, deren Ergebnisse in 6 für die vier Transistorblöcke 3A bis 3D dargestellt sind, zeigt die Brauchbarkeit der vorgeschlagenen geometrischen Gestaltung der Leiterbahn-Endabschnitte durch einen nahezu ideal sinusförmigen und koinzidenten Verlauf der dargestellten Kurven.
  • In 7 ist eine gegenüber 5 modifizierte Transistor/Anschluss-Konfiguration 1' dargestellt. Da diese weitgehend mit der in 5 gezeigten ersten Ausführungsform übereinstimmt, wurden hierzu korrespondierende Bezugsziffern gewählt, und die entsprechenden Teile und Abschnitte – insbesondere der Leiterbahnstruktur 5 zum Gateanschluss – werden hier nicht nochmals beschrieben.
  • Ein wesentlicher Unterschied besteht in der gegenüber der Anordnung nach 5 um 90° gedrehten und somit in eine einzeilige Anordnung transformierten Reihung der Vielzahl von Zellen des Transistors, in vier linear aufgereihten Blöcken 3A' bis 3D'. Hieraus ergibt sich auch eine veränderte Konfiguration der Anschlussflächen 7' mit der zugehörigen Mehrzahl von Bonddrähten 9', die der einzeiligen Reihung der Transistorblöcke, gegenüberliegend zur Leiterbahnstruktur 5, folgt.
  • Die Ausführung der Erfindung ist nicht auf die hier dargestellten Beispiele und hervorgehobenen Aspekte der Erfindung beschränkt, sondern ebenso in einer Vielzahl von Abwandlungen möglich, die im Rahmen fachgemäßen Handelns liegen.

Claims (22)

  1. Schaltungsanordnung mit einer Mehrzahl von gleichartigen und in gleicher Weise betriebenen Bauelementen oder separaten Abschnitten eines Bauelements, und mit einer verzweigten Verdrahtungsstruktur zur Beschaltung von gleichartigen Bauelementanschlüssen, die jeweils zwischen einem Verzweigungspunkt und einem Eingang verschiedener Bauelemente bzw. Abschnitte liegende Verdrahtungs-Endabschnitte umfasst, wobei der geometrische Verlauf mindestens eines Teils der Verdrahtungs-Endabschnitte derart ausgebildet ist, dass die für den Bauelementbetrieb wesentlichen Impedanz-Anteile an den gleichartigen Bauelementanschlüssen im wesentlichen gleich sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine Asymmetrie des geometrischen Verlaufs der Verdrahtungs-Endabschnitte derart bestimmt ist, dass für einen Hochfrequenz-Betrieb der gleichartigen Bauelemente bzw. Abschnitte eines Bauelementes der induktive Anteil der Impedanz an den gleichartigen Bauelementanschlüssen im wesentlichen gleich ist.
  2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei das oder jedes Bauelement ein aktives Bauelement, insbesondere ein Leistungs-HF-Bauelement, ist.
  3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei mindestens ein Teil der Verdrahtungs-Endabschnitte im wesentlichen parallel und benachbart zu Verdrahtungs-Zwischenabschnitten liegt, wodurch aus den entsprechenden Verdrahtungs-Endabschnitten und Verdrahtungs-Zwischenabschnitten eine Induktivität gebildet wird, wobei die eine Asymmetrie zwischen den Verdrahtungs-Endabschnitten derart bestimmt ist, dass der induktive Anteil der Impedanz der verschiedenen Verdrahtungs-Endabschnitte im wesentlichen gleich ist.
  4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, wobei solche Verdrahtungs-Endabschnitte, die nicht benachbart zu einem Verdrahtungs-Zwischenabschnitt verlaufen, in vorbestimmtem Maße asymmetrisch gegenüber solchen Verdrahtungs-Endabschnitten ausgeführt werden, die benachbart zu einem Verdrahtungs-Zwischenabschnitt verlaufen.
  5. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Leiterquerschnitte von Verdrahtungs-Endabschnitten, die zur Angleichung ihres induktiven Impedanz-Anteils ungleich geformt sind, zur Kompensation einer hierdurch bewirkten Ungleichheit des ohmschen Widerstandes unterschiedlich gewählt sind.
  6. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei Verdrahtungs-Endabschnitte je zweier benachbarter aktiver Bauelemente von einem Verzweigungspunkt der Verdrahtung abgehen und mit verschiedener Länge und im längeren der Verdrahtungs-Endabschnitte mit größerem Leiterquerschnitt ausgeführt sind, derart, dass die Verdrahtungs-Endabschnitte der benachbarten Bauelemente induktiv und resistiv angeglichen sind.
  7. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Schaltungsanordnung mehr als zwei gleichartige und in gleicher Weise betriebene Bauelemente oder Abschnitte eines Bauelementes und eine baumartig mehrfach verzweigte Verdrahtungsstruktur zur Beschaltung von deren Bauelementanschlüssen aufweist.
  8. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 7, wobei die aktiven Bauelemente Transistoren, insbesondere FETs, IGBTs, HBTs oder HEMTs, oder Abschnitte solcher aufweisen und die Verdrahtungs-Endabschnitte zu Steuereingängen derselben führen.
  9. Integrierte Schaltung mit einer Mehrzahl von gleichartigen und in gleicher Weise betriebenen aktiven Bauelementen, oder separaten Abschnitten eines aktiven Bauelements, und mit einer verzweigten Leiterbahnstruktur zur Beschaltung von Bauelementanschlüssen, die jeweils zwischen einem Verzweigungspunkt und einem Eingang verschiedener Bauelemente bzw. Abschnitte liegende Leiterbahn-Endabschnitte umfasst, wobei der geometrische Verlauf mindestens eines Teils der Leiterbahn-Endabschnitte derart ausgebildet ist, dass die für den Bauelementbetrieb wesentlichen Impedanz-Anteil an den gleichartigen Bauelementanschlüssen im wesentlichen gleich sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine Asymmetrie des geometrischen Verlaufs der Leiterbahn-Endabschnitte derart bestimmt ist, dass für einen Hochfrequenz-Betrieb der gleichartigen Bauelemente bzw. Abschnitte eines Bauelementes der induktive Anteil der Impedanz an den gleichartigen Bauelementanschlüssen im wesentlichen gleich ist.
  10. Integrierte Schaltung nach Anspruch 9, wobei das oder jedes Bauelement ein aktives Bauelement, insbesondere ein Leistungs-HF-Bauelement, ist.
  11. Integrierte Schaltung nach Anspruch 9 oder 10, wobei mindestens ein Teil der Leiterbahn-Endabschnitte im wesentlichen parallel und benachbart zu Leiterbahn-Zwischenabschnitten liegt, wodurch aus den entsprechenden Leiterbahn-Endabschnitten und Leiterbahn-Zwischenabschnitten eine Induktivität gebildet wird, wobei eine Asymmetrie zwischen den Verdrahtungs-Endabschnitten derart bestimmt ist, dass der induktive Anteil der Impedanz der verschiedenen Leiterbahn-Endabschnitte im wesentlichen gleich ist.
  12. Integrierte Schaltung nach Anspruch 11, wobei solche Leiterbahn-Endabschnitte, die nicht benachbart zu einem Leiterbahn-Zwischenabschnitt verlaufen, in vorbestimmtem Maße asymmetrisch gegenüber solchen Leiterbahn-Endabschnitten ausgeführt werden, die benachbart zu einem Leiterbahn-Zwischenabschnitt verlaufen.
  13. Integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Leiterquerschnitte von Leiterbahn-Endabschnitten, die zur Angleichung ihres induktiven Impedanz-Anteils ungleich geformt sind, zur Kompensation einer hierdurch bewirkten Ungleichheit des ohmschen Widerstandes unterschiedlich gewählt sind.
  14. Integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Leiterbahn-Endabschnitte je zweier benachbarter aktiver Bauelemente von einem Verzweigungspunkt der Leiterbahn abgehen und mit verschiedener Länge und im längeren der Leiterbahn-Endabschnitte mit größerem Leiterquerschnitt ausgeführt sind, derart, dass die Leiterbahn-Endabschnitte der benachbarten Bauelemente induktiv und resistiv angeglichen sind.
  15. Integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schaltung mehr als zwei gleichartige und in gleicher Weise betriebene Bauelemente oder Abschnitte eines Bauelementes und eine baumartig mehrfach verzweigte Leiterbahnstruktur zur Beschaltung von deren Bauelementanschlüssen aufweist.
  16. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, wobei die aktiven Bauelemente Transistoren, insbesondere FETs, IGBTs, HBTs oder HEMTs, oder Abschnitte solcher aufweisen und die Leiterbahn-Endabschnitte zu Steuereingängen derselben führen.
  17. Integrierte Schaltung nach Anspruch 16, wobei die separaten Abschnitte Transistorblöcke eines integrierten HF-Leistungstransistors sind.
  18. Integrierte Schaltung nach Anspruch 17, wobei vier Transistorblöcke in geometrisch gleichartiger Konfiguration in einer Zeile nebeneinander auf einem Substrat angeordnet sind und die Leitbahnstruktur mindestens einen ersten und zweiten Verzweigungspunkt und einen zwischen diesen liegenden Eckpunkt aufweist, wobei zwischen dem ersten Verzweigungspunkt und dem Eckpunkt ein Leitbahn-Zwischenabschnitt und zwischen dem zweiten Verzweigungspunkt und den Bauelementanschlüssen Leitbahn-Endabschnitte verlaufen, von denen mindestens einer parallel zum Leitbahn-Zwischenabschnitt verläuft und mit diesem sowie einem weiteren Leitbahnabschnitt zwischen dem Eckpunkt und zweiten Verzweigungspunkt im Betrieb des Bauelements eine Gegeninduktivität bildet.
  19. Integrierte Schaltung nach Anspruch 17, wobei vier Transistorblöcke in geometrisch gleichartiger Konfiguration parallel zueinander in vier Spalten auf einem Substrat angeordnet sind und die Leitbahnstruktur mindestens einen ersten und zweiten Verzweigungspunkt und einen zwischen diesen liegenden Eckpunkt aufweist, wobei zwischen dem ersten Verzweigungspunkt und dem Eckpunkt ein Leitbahn-Zwischenabschnitt und zwischen dem zweiten Verzweigungspunkt und den Bauelementanschlüssen Leitbahn-Endabschnitte verlaufen, von denen mindestens einer parallel zum Leitbahn-Zwischenabschnitt verläuft und mit diesem sowie einem weiteren Leitbahnabschnitt zwischen dem Endpunkt und zweiten Verzweigungspunkt im Betrieb des Bauelements eine Gegeninduktivität bildet.
  20. Integrierte Schaltung nach Anspruch 18 oder 19, wobei die verzweigte Leitbahnstruktur einen Gate- oder Basis-Anschluss des integrierten HF-Leistungstransistors realisiert.
  21. Integrierte Schaltung nach Anspruch 18 oder 19, wobei Anschlusspunkte für einen Drain- bzw. Kollektor-Anschluss des integrierten HF-Leistungstransistors zwischen den in Spalten angeordneten Transistorblöcken vorgesehen sind.
  22. Integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Breite der Leiterbahn-Endabschnitte und optionalen Leiterbahn-Zwischenabschnitte zur Erreichung der vorbestimmten geometrischen Asymmetrie im Bereich zwischen 3 μm und 15 μm, bevorzugt zwischen 5 μm und 10 μm, liegt.
DE102007027447A 2007-06-06 2007-06-14 Schaltungsanordnung und integrierte Schaltung Active DE102007027447B3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/758,953 2007-06-06
US11/758,953 US7808079B2 (en) 2007-06-06 2007-06-06 Circuit arrangement and integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007027447B3 true DE102007027447B3 (de) 2008-12-24

Family

ID=40031054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007027447A Active DE102007027447B3 (de) 2007-06-06 2007-06-14 Schaltungsanordnung und integrierte Schaltung

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7808079B2 (de)
DE (1) DE102007027447B3 (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19629090A1 (de) * 1995-09-08 1997-03-13 Mitsubishi Electric Corp Hochleistungsbipolartransistor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3596203A (en) * 1968-01-04 1971-07-27 Nippon Electric Co Plural transistor high frequency oscillator
US5559363A (en) * 1995-06-06 1996-09-24 Martin Marietta Corporation Off-chip impedance matching utilizing a dielectric element and high density interconnect technology

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19629090A1 (de) * 1995-09-08 1997-03-13 Mitsubishi Electric Corp Hochleistungsbipolartransistor

Also Published As

Publication number Publication date
US7808079B2 (en) 2010-10-05
US20080303165A1 (en) 2008-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2420759C2 (de) Integrierte Schaltungseinheit mit variierbarer Funktionsgebung
DE102012219375A1 (de) Halbleitervorrichtung mit lokalen Transistorverbindungsleitungen
DE2726040A1 (de) Hochfrequenz-halbleitereinrichtung
DE3787484T2 (de) Verdrahtungsentwurf für bipolare und unipolare Transistoren mit isoliertem Gate.
DE102016100055B4 (de) Aktives Atomreservoir zum Verbessern der Elektromigrationszuverlässigkeit in integrierten Schaltungen
DE102008020452B4 (de) Halbleiterschaltung mit einer Matching-Struktur und Verfahren zur Erzeugung eines Layouts einer Halbleiterschaltung mit einer Matching-Struktur
DE102012106473A1 (de) Struktur und Verfahren für das Kontakthügel-Anlagespur-Verhältnis
EP1057217A1 (de) Integrierte schaltung mit kapazitiven elementen
DE1914442A1 (de) Halbleiteranordnung
DE102016110847B4 (de) Leitungsintegrierter Schalter und Verfahren zum Herstellen eines leitungsintegrierten Schalters
DE19936862C1 (de) Kontaktierung von Metalleiterbahnen eines integrierten Halbleiterchips
DE102014203851A1 (de) Schaltungsanordnung
DE102007027447B3 (de) Schaltungsanordnung und integrierte Schaltung
DE4002435A1 (de) Zellulares halbleiterleistungsbauteil
DE102004048278B3 (de) Simulations- und/oder Layoutverfahren für Leistungstransistoren, die für unterschiedliche Leistungen ausgelegt sind
DE102004060369A1 (de) Halbleiterscheibe mit Teststruktur
DE102018207308A1 (de) Halbleiterbauteil mit integriertem shunt-widerstand und verfahren zu dessen herstellung
DE102014107271B4 (de) Halbleitermodul
EP0784344A1 (de) Halbleiterstruktur zur Schaffung von Widerstandsnetzwerken
DE3941323C2 (de) Halbleiterelement mit einer integrierten Induktivität und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10335336B4 (de) Feldeffektbauelemente und Kondensatoren mit Elektrodenanordnung in einer Schichtebene
DE102016203906A1 (de) Halbleiterbauelement, insbesondere Leistungstransistor
EP1520297A2 (de) Integrierte leiterbahnanordnung
DE3632944C2 (de) Hochfrequenz-Leistungstransistor mit abgleichbarem Anpassungsnetzwerk
EP1941407A1 (de) Layoutverfahren für vertikale leistungstransistoren variierbarer kanalweite

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Representative=s name: MEISSNER, BOLTE & PARTNER GBR, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: MEISSNER, BOLTE & PARTNER GBR, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: MEISSNER, BOLTE & PARTNER GBR, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INTEL DEUTSCHLAND GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

Effective date: 20130314

Owner name: INTEL DEUTSCHLAND GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS TECHNOLOGY GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE

Effective date: 20130326

Owner name: INTEL DEUTSCHLAND GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE

Effective date: 20130315

Owner name: INTEL DEUTSCHLAND GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

Effective date: 20130315

Owner name: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

Effective date: 20130315

Owner name: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE

Effective date: 20130315

Owner name: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS TECHNOLOGY GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE

Effective date: 20130326

Owner name: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

Effective date: 20130314

R082 Change of representative

Representative=s name: MEISSNER BOLTE PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE P, DE

Effective date: 20130314

Representative=s name: MEISSNER BOLTE PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE P, DE

Effective date: 20130326

Representative=s name: MEISSNER BOLTE PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE P, DE

Effective date: 20130315

Representative=s name: MEISSNER, BOLTE & PARTNER GBR, DE

Effective date: 20130315

Representative=s name: MEISSNER, BOLTE & PARTNER GBR, DE

Effective date: 20130314

Representative=s name: MEISSNER, BOLTE & PARTNER GBR, DE

Effective date: 20130326

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INTEL DEUTSCHLAND GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH, 85579 NEUBIBERG, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: MEISSNER BOLTE PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE P, DE

Representative=s name: MEISSNER, BOLTE & PARTNER GBR, DE