DE102006047410A1 - Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe zur Erzeugung positiver und negativer Ausgangsspannungen und Verfahren zum Betreiben einer integrierten Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe zur Erzeugung positiver und negativer Ausgangsspannungen und Verfahren zum Betreiben einer integrierten Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe Download PDF

Info

Publication number
DE102006047410A1
DE102006047410A1 DE200610047410 DE102006047410A DE102006047410A1 DE 102006047410 A1 DE102006047410 A1 DE 102006047410A1 DE 200610047410 DE200610047410 DE 200610047410 DE 102006047410 A DE102006047410 A DE 102006047410A DE 102006047410 A1 DE102006047410 A1 DE 102006047410A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
comparator
output
generating circuit
voltage generating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE200610047410
Other languages
English (en)
Inventor
Florian Schamberger
Joachim Schnabel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Qimonda AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Qimonda AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG, Qimonda AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE200610047410 priority Critical patent/DE102006047410A1/de
Publication of DE102006047410A1 publication Critical patent/DE102006047410A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

Eine integrierte Halbleiterschaltung (1) weist eine Spannungspumpe (100) zur Erzeugung einer positiven oder einer negativen Ausgangsspannung (V<SUB>NEG</SUB>) auf. Die gewünschte Ausgangsspannung (V<SUB>NEG</SUB>) wird mit einem Schaltkreis (103) eingestellt und mittels eines Schaltelements (102) geregelt. Das Schaltelement (102) wird am Eingang (1023) durch das Ausgangssignal (1032) des Schaltkreises (103) gesteuert. Auf diese Weise ist ein schnelles Reagieren auf einen Lastwechsel möglich. Erfindungsgemäß wird ferner ein Verfahren zum Betreiben einer integrierten Schaltungsanordnung vorgeschlagen, wobei eine Kapazität (500) parallel zum Widerstand (300) zur Stabilisierung des Ausgangssignals (1032) vorgesehen ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Spannungserzeugungsschaltung, die eine betragsmäßig über einer Versorgungsspannung liegende Spannung erzeugt.
  • Integrierte Schaltkreise weisen häufig eine Versorgungsspannung auf, die für den Betrieb bestimmter Bauelemente nicht geeignet ist. In der Regel ist die von dem Schaltkreis bereitgestellte Versorgungsspannung für den Betrieb dieser Bauelemente zu gering.
  • Insbesondere bei integrierten Halbleiterspeichern, wie z. B. dynamische Speicher (DRAMs), werden programmierbare elektrische Sicherungen, so genannte Efuses, eingebaut, um korrigierende Aktionen auszulösen, damit eine permanente Chipfunktionalität gewährleistet werden kann. Efuses erfordern üblicherweise wesentlich höhere Spannungen, als sie auf dem Chip zur Verfügung stehen. Um für solche Bauelemente geeignete Spannungen zu erzeugen, werden Ladungspumpen verwendet. Beim Betrieb von Ladungspumpen wird innerhalb mehrerer Zeitintervalle eine bestimmte Zielspannung erzeugt, mit der elektrische Schaltungen oder elektrische Bauelemente versorgt werden können. Beim Erreichen der Zielspannung wird die Pumpe ausgeschaltet bzw. die Pumpaktivität wird reduziert. Wird die erpumpte Ausgangsspannung belastet, bricht diese ein, und die Pumpe beginnt wieder zu pumpen. Das Ein- und Ausschalten der Pumpe, bzw. das Erhöhen und Verringern der Pumpleistung, übernimmt eine Limiter-Schaltung. Da die Limiter-Schaltung und die Pumpe nur mit endlicher Geschwindigkeit schalten können, wird das Ausgangsnetz der Pumpe noch mit Kapazitäten gestützt, um ein starkes Einbrechen der Ausgangsspannung bis zum Anlaufen der Pumpe zu verhindern. Der Spannungseinbruch führt zu einer Reduktion des lieferbaren Stromes, was bei den zu versorgenden Schaltungen oder Bauelementen eine Leistungsreduktion zur Folge hat.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zur Verfügung zu stellen, die das Einbrechen der Ausgangsspannung verringern soll, gleichzeitig Stützkapazitäten überflüssig machen soll und einen Mindeststrom garantieren soll.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Schaltungsanordnung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen sind in Unteransprüchen gekennzeichnet. Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe weiterhin durch ein Verfahren gemäß des Patentanspruchs 14 gelöst. Eine bevorzugte Ausführungsform einer Spannungserzeugungsschaltung zur Erzeugung einer Ausgangsspannung, die betragsmäßig größer ist als der Wert einer die Schaltungsanordnung versorgenden Versorgungsspannungen, weist einen Eingangsanschluss, einen Ausgangsanschluss und einen oder eine Vielzahl von Anschlüssen zur Energieversorgung auf. An dem Eingangsanschluss kann für die Dauer der benötigten Ausgangsspannung eine Eingangsspannung angelegt werden, und an dem Ausgangsanschluss kann die erpumpte Zielspannung abgegriffen werden. Ferner umfasst die Spannungserzeugungsschaltung mindestens eine Ladungspumpe, ein Schaltelement und eine mindestens zwei Spannungen vergleichende Schaltungseinheit, im Folgenden Komparator genannt. Häufig müssen Ladungspumpen eine Leistung für Schaltungen oder Bauelemente bereitstellen, die während des Betriebs kaum oder gar nicht eingesetzt werden. Dies trifft beispielsweise für Schaltungen oder Bauelemente zu, die während der Fertigung des Halbleiterbauelements benötigt werden oder die für ein Auslösen korrigierender Aktionen eingesetzt werden können. Ein wesentlicher Gedanke der Erfindung ist, beispielsweise beim Betrieb derartiger Schaltungen oder Bauelemente eine andauernd eingeschaltete Ladungspumpe vorzusehen. Eine bevorzugte erfindungsgemäße Ausführung einer Spannungserzeugungsschaltung weist eine Ladungspumpe auf, die während eines Betriebs derartiger Schaltungen oder Bauelementen ohne Unterbrechung pumpt. Der Ausgang der Ladungspumpe ist mit einem Eingang eines Schaltelements verbunden. Das andere Ende des Schaltelements ist beispielsweise mit dem Bezugspotential verbunden. Der Steuereingang des Schaltelements kann vorteilhafterweise mit dem Ausgang eines Komparators verbunden sein. Ein am Ausgang des Komparators verfügbares Potential kann über den Steuereingang des Schaltelements das Schaltelement leitend schalten, wenn beispielsweise die Zielspannung erreicht ist. Die von der weiterhin eingeschalteten Ladungspumpe erzeugte Ladung fließt dann über den leitend geschalteten Schalter ab. Wird die Zielspannung unterschritten, wird das Schaltelement durch ein Ausgangssignal des Komparators in den sperrenden Zustand zurückgeschaltet. Die eingeschaltete Pumpe erzeugt weiterhin Ladungen, die jetzt nicht über das Schaltelement abgeführt werden, sondern dem Ausgang zugeführt werden, und es stellt sich wiederum die Zielspannung ein.
  • Ist am Ausgang der Spannungserzeugungsschaltung ein von der Ladungspumpe zu versorgendes Bauelement oder eine zu versorgende Schaltung, z. B. eine elektrisch programmierbare Sicherung (Efuse), angeschlossen, kann die Ausgangsspannung kurzzeitig vom Zielwert abweichen. Aufgrund der Abweichung ändert sich das Ausgangssignal des Komparators, und das Schaltelement wird sperrend geschaltet. Das Schaltelement wird durch den Komparator in den leitenden Zustand geschaltet, wenn die Zielspannung am Ausgang wieder erreicht ist. Eine erfindungsgemäße Spannungserzeugungsschaltung dieser Art kann auf einen Lastwechsel am Ausgang sehr schnell reagieren, weil die Ladungspumpe nicht abgeschaltet wird. Außerdem ist keine die Ausgangsspannung haltende Stützkapazität notwendig. Eine für die interne Stromversorgung bereitzustellende Chipfläche kann dadurch erheblich vermindert werden. Die Verlustleistung einer erfindungsgemäßen Spannungserzeugungsschaltung spielt in vielen Fällen keine Rolle. Dies trifft besonders für erfindungsgemäße Spannungserzeugungsschaltungen zu, die während Fertigungsprozesse von Chips oder während der Inbetriebnahme eines Schaltkreises benötigt werden.
  • Vorzugsweise ist vorgesehen, eine erfindungsgemäße Spannungserzeugungsschaltung mit einer variablen Zielspannung zu realisieren. Diese Ausführung ist besonders vorteilhaft, um konstante Arbeitspunkte bei Technologieschwankungen ermöglichen zu können.
  • Darüber hinaus ist die Möglichkeit gegeben, eine positive oder negative Ausgangsspannung zu erzeugen.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist das die Zielspannung begrenzende Schaltelement aus einem n- oder p-Kanal-Feldeffekttransistor realisiert. Geeignet ist auch die Realisierung des Schaltelements durch einen Feldeffekttransistor selbstsperrenden Typs. Eine weitere Ausführungsform sieht eine Vielzahl von n- oder p-Kanal-Feldeffekttransistoren als Schaltmittel vor.
  • Vorzugsweise ist vorgesehen, dass der Komparator einen Potentialunterschied eines Referenzpotentials und einem Versorgungspotential bewerten kann. Für eine Optimierung der Schaltungsanordnung ist vorgesehen, dass der Komparator ein steuerbares Referenzpotential umfasst.
  • Eine bevorzugte Ausführung eines Komparators umfasst einen ersten Widerstand der mit seinem einen Ende mit einem ersten Versorgungspotential verbunden ist. Ein zweiter Widerstand, der mit seinem einen Ende mit dem einen Ende an ein zweites Versorgungspotential verbunden ist und mit seinem anderen Ende mit dem anderen Ende des ersten Widerstands verbunden ist. Ein mit dem anderen Ende des ersten oder zweiten Widerstands ist ein Signal abgreifbar das mit dem Steuereingang des Schaltelements verbunden werden kann. Die gewünschte Zielspannung kann über eine geeignete Dimensionierung der beiden Widerstände eingestellt werden. Vorzugsweise ist eine Viel zahl von Widerständen vorgesehen, die über Steuersignale beispielsweise zu- oder abgeschaltet werden können, um ein flexibles oder exaktes Einstellen der Zielspannung vorzunehmen. Ebenfalls können dadurch Technologieschwankungen kompensiert werden.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird das Ausgangssignal durch aktive und passive oder nur durch aktive Bauelemente erzeugt. Als mögliche Ausgestaltung einer Schaltung zur Steuerung eines Schaltmittels kann hierbei ein so genannter Stromspiegel dienen.
  • Ein vorteilhaftes Verfahren für die Realisierung eines stabilen Signals zur Steuerung des Schaltmittels besteht darin, eine Kapazität zwischen dem Ausgang des Komparators und dem Versorgungspotential vorzusehen.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine bevorzugte Realisierung einer erfindungsgemäßen Spannungserzeugungsschaltung für eine negative Ausgangsspannung.
  • 2 eine Realisierung einer Spannungserzeugungsschaltung mit einer Tiefpassspannungsmessung zur Erzeugung einer positiven Ausgangsspannung.
  • Die der Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin, in einer integrierten Schaltung, insbesondere in einem Speicherbaustein (DRAM) oder in einem Flashspeicherbaustein, eine Spannungserzeugungsschaltung mit einer Ladungspumpe zu integrieren, die nach Erreichen der erpumpten Zielspannung nicht abgeschaltet wird. Die Ladungspumpe arbeitet ununterbrochen in einem Zeitraum, in dem die von der Pumpe zu versorgende Schaltung arbeitet. Nach Erreichen der Zielspannung werden überschüssige Ladungen über ein Schaltelement abgeführt.
  • Durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung ist es möglich, eine konstante Ausgangsspannung für schnelle Lastwechsel zur Verfügung zu stellen. Eine Notwendigkeit, ausreichend große Stützkapazitäten bereitzustellen, entfällt. In Folge dessen kann eine erfindungsgemäße Spannungserzeugungsschaltung mit geringem Chipflächenaufwand realisiert werden.
  • 1 zeigt eine bevorzugte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Spannungserzeugungsschaltung (1). Die Spannungserzeugungsschaltung (1) erzeugt eine betragsmäßig höhere Ausgangspannung VNEG als die Versorgungsspannung GND. Mit der Ausgangsspannung VNEG wird eine Last (2) betrieben, beispielsweise eine elektrisch programmierbare Sicherung "Efuse", für die eine Spannung von –3V benötigt wird. Für die Dauer eines Programmiervorgangs einer Efuse (2) kann der Spannungserzeugungsschaltung (1) ein Eingangssignal (E) über einen von einem Signal (SIG) leitend geschalteten Schalter (S) zugeführt werden. Nach Abschluss des Programmiervorgangs kann Schalter (S) über das Signal (SIG) in den sperrenden Zustand geschaltet werden. Der Zeitpunkt des Ein- oder Ausschaltens der Spannungspumpe durch Schalter (S) kann beispielsweise durch einen auf einem Speichermodul sitzenden Controller ausgelöst werden, der ein Steuersignal (SIG) senden kann. Gemäß 1 erzeugt eine erfindungsgemäße Ladungspumpenanordnung (1) eine Ausgangsspannung VNEG von beispielsweise –3V, die niedriger als das Versorgungspotential Ground GND ist. Eine herkömmliche Ladungspumpe (100), die beispielsweise auf dem Dickson-Schaltungsprinzip beruht, wird am Eingang (1001) durch ein Signal (E) angesteuert. Der Ausgang (1002) der Ladungspumpe (100) ist mit einem Anschluß (1021) eines als Schalter ausgebildeten selbstsperrenden n-Kanal Feldeffekttransistors (200) verbunden. Der andere Anschluß (1022) des Feldeffekttransistors (200) ist mit Ground verbunden. Die Steuerelektrode (1023) des Feldeffekttransistors (200) ist mit Ausgang (1032) einer Komparatorschaltung (103) verbunden. Die Komparatorschaltung (103) umfasst einen Widerstand (300), der mit einem einen Ende (301) mit dem Versorgungspotential Ground GND verbunden ist. Der Komparator (103) umfasst ferner einen zweiten Widerstand (400) der mit seinem einen Ende (401) mit dem Anschluß (1031) des Komparators verbunden ist und mit seinem anderen Ende (402) mit dem anderen Ende (302) des Widerstands (300) verbunden ist. Parallel zum Widerstand (300) ist eine Kapazität (500) realisiert. Anschluß (1031) des Komparators kann mit Ausgang (1002) der Ladungspumpe (100) verbunden werden. Der Komparator (103) verfügt über einen Anschluß (1032), der mit dem anderen Ende (302) des ersten (300) oder (402) des zweiten Widerstands (400) verbunden ist. An Anschluß (1032) des Komparators (103) ist ein Signal BIAS abgreifbar, das mit dem Steuereingang (1023) des Feldeffekttransistors (200) verbunden werden kann. Die benötigte Zielspannung VNEG kann an Anschluß (1031) zur Verfügung gestellt werden.
  • Mit Schalter S kann die Ladungspumpe (100) eingeschaltet werden. Bei laufender Pumpe (100) liegen die Spannungen Ground VNEG und BIAS zunächst auf gleichem Potential. Dadurch ergibt sich zunächst eine Schwellspannung von 0 Volt für den n-Kanal-Feldeffekttransistor (200), die diesen in den sperrenden Zustand schaltet. Bei laufender Spannungspumpe (100) fällt das Potential VNEG gegenüber Ground ab, d. h. VNEG wird negativer als Ground. Ebenfalls fällt über dem Spannungsteiler, bestehend aus Widerstand (300) und Widerstand (400), eine entsprechende Spannung ab. Baut sich über widerstand (400) eine Spannung auf, die größer oder gleich der Schwellspannung des Feldeffekttransistors ist, schaltet der Feldeffekttransistor (200) in den leitenden Zustand. Dadurch wird ein leitender Pfad, sein so genannter "Leckstrom-Pfad", von VNEG nach Ground GND gebildet, der den negativen Spannungsanstieg auf VNEG begrenzt. Vorteilhaft ist es, durch geeignete Dimensionierung der Widerstände (300) und (400) den Transistor mit einer typischen Schwellspannung zu betreiben, um möglichst schnell eine Zielspannung VNEG zu erzeugen. Vorteilhaft kann es auch sein, die Widerstände (300) und (400) in mehrere einzelne Serienwiderstände aufzuteilen, welche über gesonderte Steuersignale kurzschließbar sind. Damit kann ein variables Einstellen der Zielspannung VNEG ermöglicht werden, um z. B. Technologieschwankungen zu kompensieren. Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung stellt die Kapazität (500) dar, die parallel zu dem Widerstand (300) liegt. Diese Kapazität (500) hält die Ausgangsspannung des Komparators (103) "Bias" gegenüber Ground stabil und ermöglicht so ein schnelles Verkleinern der Gate/Source-Spannung UGS zwischen BIAS und VNEG. Belastet ein Verbraucher (2), beispielsweise eine elektrisch programmierbare Sicherung, die Ladungspumpenanordnung (1), bricht die Ausgangsspannung VNEG kurzzeitig ein. Aufgrund des Spannungszusammenbruchs sinkt die Gate/Source-Spannung des n-Kanal-Feldeffekttransistors unterhalb der Schwellspannung UTH und der n-Kanal-Feldeffekttransistor (200) schaltet in den sperrenden Zustand. Bei sperrend geschaltetem n-Kanal-Feldeffekttransistor (200) bewirkt die laufende Ladungspumpe (100) ein Absinken der Spannung VNEG gegenüber Ground GND. Fällt über Widerstand (400) eine Spannung ab, die mindestens der Schwellspannung UTH des n-Kanal-Feldeffekttransistors entspricht, ist die Zielspannung VNEG erreicht und der n-Kanal-Feldeffekttransistor (200) schaltet in den leitenden Zustand.
  • 2 zeigt eine bevorzugte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Ladungspumpenanordnung (1) für eine positive Zielspannung. Diese Ausführungsform ist vergleichbar mit der in 1 beschriebenen Ausführungsform für die Gewinnung einer negativen Zielspannung. Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung (1) umfasst einen Komparator (104), an dessen ersten Eingang (1045) eine extern zugeführte Referenzspannung VREF angelegt ist. Ein zweiter Eingang (1046) des Komparators (104) misst das Potential über einer Stützkapazität (CS), die mit ihrem einen Ende an das Versorgungspotential VSS angeschlossen ist und mit ihrem anderen Ende mit dem zweiten Eingang des Komparators (1046) und einem Ausgang (A2) einer zu versorgenden Last (RL) verbunden ist. Das andere Ende (A1) der Last (RL) ist mit dem Ausgang (1002) der Ladungspumpe (100) verbunden. Ein Steuereingang (1023) eines Schaltelements (102) das als p-Kanal-Feldeffekttransistor ausgebildet ist, ist mit dem Ausgang (1042) des Komparators (104) verbunden. Der Drainanschluß (DR) des p-Kanal-Feldeffekttransistors ist mit dem Ausgang (1002) der Ladungspumpe (103) verbunden, der Sourceanschluß (SO) ist mit dem Versorgungspotential VSS verbunden. Die Elemente (RL) und (CS) stellen einen Tiefpass dar. Die dargestellte Ausführungsform ermöglicht eine quasi statische Regelung. Bei möglichen auftretenden Überschwingern wird der p-Kanal-Feldeffekttransistor in den leitenden Zustand geschaltet. Bei möglichen auftretenden Unterschwingern bzw. bei einem Spannungseinbruch über (RL) wird der p-Kanal-Feldeffekttransistor in den sperrenden Zustand geschaltet.
  • 1
    Spannungserzeugungsschaltung
    2
    Last
    S
    Schaltelement
    Sig
    Steuersignal für Schaltelement S
    100
    Ladungspumpe
    E
    Eingangssignal für Ladungspumpe
    1001
    Eingangsanschluß der Ladungspumpe
    1002
    Ausgangsanschluß der Ladungspumpe
    102
    Schalteinrichtung
    200
    Schalter
    1021
    Anschluß 1
    1022
    Anschluß 2
    1023
    Steueranschluß
    103
    Komparator
    1031
    Anschluß Komparator
    1032
    Ausgangsanschluß Komparator
    300
    Widerstand
    301
    Anschluß Widerstand 300
    302
    Anschluß Widerstand 300
    400
    Widerstand
    401
    Anschluß Widerstand 400
    402
    Anschluß Widerstand 400
    500
    Kapazität
    104
    Komparator
    1045
    Eingangsanschluß Komparator 104
    1046
    Eingangsanschluß Komparator 104
    1042
    Ausgangsanschluß Komparator 104
    BIAS
    Ausgangsanschluß Komparator
    VSS
    Versorgungspotential
    Vneg
    Ausgangsspannung
    Gdn
    Versorgungspotential
    RL
    Lastwiderstand
    CS
    Stützkapazität
    Uth
    Schwellspannung
    A1
    Anschluß Last
    A2
    Anschluß Last
    DR
    Drainanschluß
    SO
    Sourceanschluß

Claims (20)

  1. Spannungserzeugungsschaltung umfassend: – eine Ladungspumpe, die eingangsseitig durch ein erstes Schaltmittel ein- und ausgeschaltet werden kann, und die ausgangsseitig einen Abgriff für eine Ausgangsspannung aufweist; – ein zweites Schaltmittel, das mit einem Ende mit dem Ausgang der Ladungspumpe, mit dem anderen Ende mit einem Versorgungspotential verbunden ist und einen Steuereingang aufweist; – eine Komparatoreinrichtung, durch die mindestens zwei eingangsseitig vorhandene Potentiale verglichen werden können, so dass ausgangsseitig ein Signal zum Steuern des Steuereingangs des zweiten Schaltmittels erzeugt wird; dadurch gekennzeichnet, dass – die Versorgung eines elektrischen Schaltkreises mit einer von der Ladungspumpe abgegebenen Spannung erfolgt, die betragsmäßig größer ist als der Wert einer die Schaltungsanordnung versorgenden Versorgungsspannung.
  2. Spannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erzeugte Ausgangsspannung einen weitgehend konstanten Zielwert aufweist.
  3. Spannungserzeugungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erzeugte Ausgangsspannung einstellbar ist.
  4. Spannungserzeugungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erzeugte Ausgangsspannung positiv oder negativ ist.
  5. Spannungserzeugungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Schaltmittel aus einem n- oder p-Kanalfeldeffekttransitor ausgebildet ist.
  6. Spannungserzeugungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Schaltmittel aus einer Vielzahl von n- oder p-Kanalfeldeffekttransitoren ausgebildet ist.
  7. Spannungserzeugungsschaltung nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Schaltmittel aus einem oder einer Vielzahl von in Reihe geschalteten selbstsperrenden n-Kanalfeldeffekttransitoren ausgebildet ist.
  8. Spannungserzeugungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Komparator ein Potential bewerten kann und von einem Referenzpotential und einem ersten Versorgungspotential versorgt wird.
  9. Spannungserzeugungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Komparator ein steuerbares Referenzpotential umfasst.
  10. Spannungserzeugungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator umfasst: – einen ersten Widerstand, der mit seinem einen Ende mit einem ersten Versorgungspotential verbunden ist. – einen zweiten Widerstand, der mit seinem einen Ende mit einen Ende an ein zweites Versorgungspotential verbunden ist und mit seinem anderen Ende mit dem anderen Ende des ersten Widerstands verbunden ist. – einen mit dem anderen Ende des ersten oder zweiten Widerstands verbunden Ausgangsanschluß, an dem ein Signal abgreifbar ist, das mit dem Steuereingang des zweiten Schaltmittels verbunden ist.
  11. Spannungserzeugungsschaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator eine Vielzahl von in Reihe geschalteten Widerständen umfasst.
  12. Spannungserzeugungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Widerstand des Komparators durch ein Schaltmittel ein- oder ausgeschaltet werden kann.
  13. Spannungserzeugungsschaltung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Widerstand des Komparators durch mindestens einen Transistor ausgebildet ist.
  14. Verfahren zum Betreiben eines Komparators zur Bereitstellung eines Ausgangssignals nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Abgriff für die Ausgangsspannung einer Ladungspumpe durch einen durch ein Steuersignal in den leitenden Zustand geschalteten Schalter mit einem Versorgungsanschluß verbunden wird, wenn die Ausgangsspannung einen vorbestimmten Wert betragsmäßig überschreitet.
  15. Verfahren zum Betreiben eines Komparators zur Bereitstellung eines Ausgangssignals nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgangssignal durch einen Vergleich der Ausgangsspannung einer Ladungspumpe mit einer Referenzspannung einen Schalter in den leitenden Zustand schalten kann.
  16. Verfahren zum Betreiben eines Komparators zur Bereitstellung eines Ausgangssignals nach einem der Ansprüche 14 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgangssignal durch einen Vergleich der Schwellspannung eines Transistors mit einer Referenzspannung einen Schalter in den leitenden Zustand schalten kann.
  17. Verfahren zum Betreiben eines Komparators zur Bereitstellung eines Ausgangssignals nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgangssignal durch einen Vergleich der Schwellspannung eines Transistors mit einer durch einen die Ausgangsspannung der Ladungspumpe teilenden Spannungsteiler erzeugten Referenzspannung einen Schalter in den leitenden Zustand schalten kann.
  18. Verfahren zum Betreiben eines Komparators zur Bereitstellung eines Ausgangssignals nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgangssignal durch eine Kapazität, die mit dem einen Ende mit dem Potential des Ausgangsanschlusses des Kompara tors und mit dem anderen Ende mit dem Bezugspotential verbunden ist, gestützt wird.
  19. Verwendung zum Betreiben eines Komparators zur Bereitstellung eines Ausgangssignals nach einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Komparator in einem Halbleiterbauelement realisiert ist.
  20. Verwendung zum Betreiben eines Komparators zur Bereitstellung eines Ausgangssignals nach einem der Ansprüche 14 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Komparator in einem Halbleiterspeicherbauelement realisiert ist.
DE200610047410 2006-10-06 2006-10-06 Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe zur Erzeugung positiver und negativer Ausgangsspannungen und Verfahren zum Betreiben einer integrierten Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe Ceased DE102006047410A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200610047410 DE102006047410A1 (de) 2006-10-06 2006-10-06 Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe zur Erzeugung positiver und negativer Ausgangsspannungen und Verfahren zum Betreiben einer integrierten Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200610047410 DE102006047410A1 (de) 2006-10-06 2006-10-06 Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe zur Erzeugung positiver und negativer Ausgangsspannungen und Verfahren zum Betreiben einer integrierten Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102006047410A1 true DE102006047410A1 (de) 2008-04-10

Family

ID=39154616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200610047410 Ceased DE102006047410A1 (de) 2006-10-06 2006-10-06 Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe zur Erzeugung positiver und negativer Ausgangsspannungen und Verfahren zum Betreiben einer integrierten Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102006047410A1 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1028363A1 (de) * 1996-07-29 2000-08-16 Townsend and Townsend and Crew LLP Ladungspumpenschaltung für ein Halbleiter-Substrat
US6914474B2 (en) * 2002-12-12 2005-07-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage boosting circuit without output clamping for regulation
US20050258891A1 (en) * 2004-05-21 2005-11-24 Tomoyuki Ito Power supply apparatus provided with regulation function
US20060012354A1 (en) * 2004-07-13 2006-01-19 Fujitsu Limited Step-down circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1028363A1 (de) * 1996-07-29 2000-08-16 Townsend and Townsend and Crew LLP Ladungspumpenschaltung für ein Halbleiter-Substrat
US6914474B2 (en) * 2002-12-12 2005-07-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage boosting circuit without output clamping for regulation
US20050258891A1 (en) * 2004-05-21 2005-11-24 Tomoyuki Ito Power supply apparatus provided with regulation function
US20060012354A1 (en) * 2004-07-13 2006-01-19 Fujitsu Limited Step-down circuit

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
TIETZE, U., SCHENK, Ch.:"Halbleiter-Schaltungs- technik", Springer-Verlag, Berlin [u.a.], 11. Auflage 1999, S. 610
TIETZE, U., SCHENK, Ch.:"Halbleiter-Schaltungstechnik", Springer-Verlag, Berlin [u.a.], 11. Auflage 1999, S. 610 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1980012B1 (de) Schaltungsanordnung zur spannungsversorgung und verfahren
DE112017001822T5 (de) Überstrom-schutzschaltung
DE4437757A1 (de) Referenzspannungserzeugungsschaltung
DE4211644A1 (de) Von der stromzufuhr unabhaengige vorspannungs-einschaltschaltung
DE102013106744B4 (de) Schaltungen zur Spannungsregelung und entsprechendes Verfahren
DE10110273A1 (de) Spannungsgenerator mit Standby-Betriebsart
DE10335010B4 (de) Interne Spannungsgeneratorschaltung
DE10341320A1 (de) Differenzverstärkerschaltung
DE102004050464A1 (de) Ausgangsschaltung
DE112017002585T5 (de) Stromversorgungssteuervorrichtung
DE102012104590A1 (de) Treiberschaltung
DE102018116669B4 (de) Verfahren zum Betrieb eines stützkondensatorfreien Low-Drop-Spannungsreglers mit großem Spannungsbereich
DE102006047410A1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe zur Erzeugung positiver und negativer Ausgangsspannungen und Verfahren zum Betreiben einer integrierten Halbleiterschaltung mit einer Spannungspumpe
EP2349791B1 (de) Vorrichtung zur bestromung einer zündendstufe
DE102006029142B4 (de) Verfahren und Schutzschaltung gegen Überspannung
DE102007053874B3 (de) Monolithisch integrierter Schaltkreis und Verwendung eines Halbleiterschalters
WO2018024544A1 (de) Verpolschutzschaltung
DE10134557C2 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zum Entladen mindestens eines Schaltungsknotens
EP1625663A2 (de) Integrierte schaltungsanordnung und verfahren zur programmierung einer integrierten schaltungsanordnung
DE102004022425B4 (de) Integrierte Schaltungsanordnung zur Stabilisierung einer Spannung
DE102019116700B4 (de) Stützkondensatorfreier Low-Drop-Spannungsregler mit großem Spannungsbereich mit einem DIMOS Transistor und Verfahren zu dessen Betrieb
DE102011014512B4 (de) Elektrische Schaltung
DE10146831B4 (de) Verfahren zur Erzeugung eines zeitlich begrenzten Signals
DE102018116667B4 (de) Stützkondensatorfreier Low-Drop-Spannungsregler mit großem Spannungsbereich mit einem DIMOS- und einem NMOS-Transistor als Lasttransistor und Spannungsreglersystem
EP1504317A1 (de) Spannungsversorgungsschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection