DE102006045124A1 - Halbleiterspeicherchip - Google Patents

Halbleiterspeicherchip Download PDF

Info

Publication number
DE102006045124A1
DE102006045124A1 DE102006045124A DE102006045124A DE102006045124A1 DE 102006045124 A1 DE102006045124 A1 DE 102006045124A1 DE 102006045124 A DE102006045124 A DE 102006045124A DE 102006045124 A DE102006045124 A DE 102006045124A DE 102006045124 A1 DE102006045124 A1 DE 102006045124A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
command
memory
frame
buffer
clock signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102006045124A
Other languages
English (en)
Inventor
Paul Dr. Wallner
Yukio Fukuzo
Christian Sichert
Paul Dr. Schmölz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qimonda AG
Original Assignee
Qimonda AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qimonda AG filed Critical Qimonda AG
Publication of DE102006045124A1 publication Critical patent/DE102006045124A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4093Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. data buffers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4096Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • G11C7/1084Data input buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • G11C7/109Control signal input circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

Ein Halbleiterspeicherchip, in dem Signale als serielle Signalrahmen übertragen werden, enthält einen Rahmendekodierer (10), der eine Schnittstelle zwischen einem Speicherkern (CORE) und einer Empfangsschnittstelle bildet. Der Rahmendekodierer (10) enthält einen Befehlstypdekodierer (1) zur Dekodierung der in einem Rahmen enthaltenen Befehlstypen und zur Ausgabe von Steuersignalen in Übereinstimmung mit dem dekodierten Typ der Befehle, einen Speicherbefehlbewertungs-/generator (2) zur Planung und Vorbereitung einzelner Befehle für den Speicherkern (CORE), einen Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generator (3) zur Planung und Vorbereitung von Steuersignalen für einen Datenzwischenpuffer (14) und einen Systembefehlsbewertungs-/generator (4) zur Vorbereitung und Planung von Systembefehlen. Diese Systembefehle stellen Zeitparameter zur Verfügung, die Zeitintervalle zwischen aufeinander folgenden Befehlen innerhalb eines Rahmens oder zwischen Rahmen sicherstellen, und werden in einem Systemmodusregister (13) gespeichert. Der Betrieb des Rahmendekodierers (10) ist durch einen Rahmentakt (frmclk) oder durch ein synchronisierendes Dekodiertaktsignal (dclk) flankensynchronisiert, welches phasenstarr zur Phase des Rahmentaktsignals (frmclk) ist (Figur 1).

Description

    • Priorität: 4. Oktober 2005–USA–11/242,149
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung betrifft allgemein Halbleiterspeicherchips und insbesondere einen Halbleiterspeicherchip, der Sende- und Empfangsschnittstellenabschnitte jeweils zum Senden und Empfangen von Daten-, Befehls- und Adresssignalen in Form serieller Signalrahmen in Übereinstimmung mit einem vordefinierten Protokoll über jeweilige Daten/Befehls- und Adresssignalleitungen zu/von einer Speichersteuereinheit enthält.
  • HINTERGRUND
  • Vorhandene herkömmliche DRAMs verwenden für die Datenübertragung keine Rahmen. Datensignale, wie z.B. Schreibdaten sowie Befehle und Adressen werden parallel durch separate Daten-, Befehls- und Adresssignalbusse von einer Speichersteuereinheit zu einem oder mehreren Halbleiterspeicherchips (DRAM) gesendet.
  • In zukünftigen DRAM-Speichersystemen und -Speicherchips werden die Daten mit sehr hohen Frequenzen übertragen. Der Datentransfer wird sehr wahrscheinlich durch ein Protokoll geregelt, bei dem die Datenbits in Rahmen übereinstimmend mit dem Protokoll angeordnet sind. Nach verschiedenen Ausrichtprozeduren wird z.B. ein Datenstrom durch eine Demultiplexeinrichtung in eine niedrigere Frequenz umgesetzt und für die Auswertung bereitgestellt. Ein solcher neuartiger Halbleiterspeicherchip muss eine Rahmendekodiereinheit zum Dekodieren der Signalrahmen in: (a) speicherrelevante Befehle; (b) Systembefehle und (c) Schreibdaten enthalten, die unmittelbar in einem Datenzwischenpuffer „IDB" zu speichern sind. Jeder Rahmen kann einen oder mehrere speicherrelevante Befehle enthalten. Außerdem können sich die für dieselbe Bank bestimmten Befehle in verschiedenen Rahmen befinden.
  • KURZFASSUNG
  • Diese Erfindung erzielt einen Halbleiterspeicherchip mit einem Rahmendekodierer, der dazu eingerichtet ist, speicherrelevante Befehle, Systembefehle und den Transfer von Schreibdaten zu dem IDB oder von dem IDB zum Speicherkern zu dekodieren und zu handhaben, und der mehrere Merkmale, wie Zeitparameter, unterschiedliche Frequenzen und Taktdomänen des Speicherkerns und des Rahmendekodierers, Mehrbankzugriff, Mehrbefehlsrahmen oder mehrere Befehlstypen innerhalb eines Rahmens handhaben kann.
  • Übereinstimmend mit einem Ausführungsbeispiel enthält ein Halbleiterspeicherchip dieser Erfindung:
    Sende- und Empfangsschnittstellenabschnitte jeweils zum Senden und Empfangen von Daten-, Befehls- und Adressensignalen in Form serieller Signalrahmen, die Übereinstimmung mit einem vordefinierten Protokoll gestaltet sind, über jeweilige Daten-, Befehls- und Adresssignalleitungen zu/von einer Speichersteuereinheit und/oder zu/von einem anderen gleichartigen Speicherchip;
    einen Datenzwischenpuffer, der zur Zwischenspeicherung von Schreibdaten gestaltet ist;
    einen Speicherkern, der ein bankorganisiertes Speicherzellenfeld und einen Adressendekodierer enthält, um eine aus einem von dem Empfangsschnittstellenabschnittempfangenen Signalrahmen abgeleitete Adresse zu dekodieren und um Daten in wenigstens eine Speicherbank des Speicherzellenfeldes in Übereinstimmung mit einem in einem oder mehreren empfangenen Signalrahmen enthaltenen Schreib/Lese-Befehl einzuschreiben oder daraus auszulesen;
    ein Systemmodusregister, das zur Speicherung befehlsrelevanter Zeitparameter gestaltet ist, die nicht von der Speichersteuereinheit in einem aktuellen Rahmen geliefert werden und die jeweils eine Anzahl von Taktzyklen eines synchronisierenden Dekodiertaktsignals angeben; und
    einen Rahmendekodierer, der eine Schnittstelle zwischen dem Speicherkern und dem Empfangsschnittstellenabschnitt bildet, Rahmensignale von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfängt und der enthält:
    einen Befehlstypdekodierabschnitt, der zur Dekodierung eines Befehlstyps eines oder mehrerer in einem oder mehreren Rahmen enthaltener Befehle und zur Ausgabe von Steuersignalen in Übereinstimmung mit jedem dekodierten Befehlstyp angeordnet und eingerichtet ist;
    einen Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der für die Planung und Vorbereitung von Befehlen für den Speicherkern gestaltet ist;
    einen Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Planung und Vorbereitung von Steuersignalen für den Datenzwischenpuffer gestaltet ist; und
    einen Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Vorbereitung und Planung von Systembefehlen gestaltet ist, wobei
    der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt und der Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt von von dem Befehlstypdekodiererabschnitt in Übereinstimmung mit dem dekodierten Befehlstyp empfangenen Steuersignalen betrieben werden; und
    zumindest der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der Datenzwischenpuffer und der Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt synchron mit dem synchronisierenden Dekodiertaktsignal betreibbar sind.
  • Der Empfangsschnittstellenabschnitt der Halbleiterspeicherchips kann außerdem einen CRC-Bit-Dekodierer zur Bewertung von CRC-Bits innerhalb des Signalrahmens und zur Prüfung der Korrektheit/Fehlerhaftigkeit von Befehlen und Daten in jedem Signalrahmen enthalten, wobei der Rahmendekodierer außerdem eine Falschbefehlsschutzeinheit enthält, der zum Speicherkern nur die vom CRC-Bit-Dekodierer als korrekt geprüften Befehle durchlässt.
  • Der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt des Rahmendekodierers kann einen Befehlsbewerter- und -generator und für jede Speicherbank des Speicherkerns einen Befehlspuffer, der zur Pufferung: (a) eines oder mehrerer in einem momentan dekodierten Signalrahmen und in vorangehenden Befehlen enthaltener Speicherbefehle und, falls durch das Protokoll für den momentan dekodierten Befehl definiert, des letzten Befehls des vorangehenden Rahmens; und (b) eines Zeitparameters aus dem Systemmodusregister zugeordnet zu jedem gepufferten Befehl gestaltet ist; eine Zählereinheit, die zum Zählen von Taktzyklen des synchronisierenden Dekodiertaktsignals eingerichtet ist; einen Vergleicher, der zum Vergleich eines Zählwerts der Zählereinheit mit einem dem momentan dekodierten Befehl zugeordneten gepufferten Zeitparameter gestaltet ist und eine Rücksetzeinheit enthalten, die zum Rücksetzen der Zählereinheit gestaltet ist, wobei der Befehlspuffer immer, wenn der Vergleicher eine Übereinstimmung zwischen dem Zählwert der Zählereinheit und dem zugeordneten gepufferten Zeitparameter erfasst, den Befehl an die jeweilige Speicherbank freigibt und die Rücksetzeinheit zum Rücksetzen der Zählereinheit aktiviert.
  • Wenn nach der Freigabe eines Befehls zum Kern kein weiterer Befehl ankommt, startet der Zähler (gewöhnlich bei Null) und zählt bis zum maximalen Zählwert und hält dort an. Wenn ein neuer Befehl ankommt, ist der benötigte Zeitparameter immer kleiner oder gleich dem Zählwert, d.h. dem maximalen Zählwert, und der Befehl kann unmittelbar unverzögert an den Kern freigegeben werden.
  • Wenn in dem Befehlspuffer zwei oder mehr Befehle gepuffert sind, ordnet der Befehlsbewerter und -generator des Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitts die Speicherbefehle in der richtigen Reihenfolge neu an und leitet mit dem Rahmen, durch den zu einer bestimmten Speicherbank zugegriffen wurde und aus dem der letzte Speicherbefehl in dem Befehlspuffer zu speichern war, die Zeitparameter aus dem Systemmodusregister Befehl für Befehl ab und speichert die Zeitparameter jeweils zugeordnet zu den neu angeordneten Befehlen in dem Befehlspuffer. Die Größe der Zählereinheit stimmt mit dem größtmöglichen Mindestzeitparameter zwischen zwei aufeinander folgenden Befehlen überein. Dieser Mindestzeitparameter könnte t(ACT-PRE) sein.
  • Damit sie aufeinander folgende Interbankbefehle, d.h. Befehle, die für dieselbe Bank bestimmt sind und die in verschiedenen Rahmen enthalten sein können, und auch Interbankbefehle handhaben und dekodieren kann, enthält die Zählereinheit eines Ausführungsbeispiels dieser Erfindung einen ersten Zähler, der für jede Bank des Speicherzellenfeldes vorgesehen und dafür gestaltet ist, die jeweiligen Zeitparameter mehrerer Interbankbefehle zu messen. Der Befehlsbewerter und -generator des Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitts enthält mindestens einen zweiten Zähler, der zur Messung von Zeitparametern von Interbankbefehlen gestaltet ist. Der Rahmendekodierer und der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt werden durch das Dekodiertaktsignal synchronisiert, um Daten und Befehle an den Speicherkern mit einer Taktflanke des Dekodiertaktsignals freizugeben.
  • Der Rahmendekodierer ist eine synchrone Einheit, die von dem Dekodiertaktsignal, das mit dem Rahmentaktsignal übereinstimmen oder davon abgeleitet sein kann und eine hohe Frequenz hat, synchronisiert ist und synchron mit diesem arbeitet. In einem nicht beschränkenden Beispiel kann die Taktfrequenz des Rahmendekodierers abgeglichen auf Datenraten von 3,6 bis 7,2 Gbit/s unter 1 GHz liegen. Der Speicherkern und der Adressendekodierer innerhalb des Speicherkerns werden mit einer kleineren Frequenz, z.B. im Bereich 100 bis 200 MHz betrieben. Dies bedeutet, dass der Speicherkern und der Rahmendekodierer mit unterschiedlichen Frequenzen arbeiten und dass die Komponenten des Rahmendekodierers die unterschiedlichen Frequenzen beherrschen müssen. Außerdem ist eine Anzahl Zeitparameter vorhanden, die die Mindestzeit zwischen bestimmten Speicherbefehlen definieren. Um diese Zeitparameter zu erfüllen, muss der Rahmendekodierer mit einem höheren Frequenz betrieben werden, d.h. dass der Rahmendekodierer eine höhere Auflösung als der aktuelle Speicherkern haben muss. Der Speicherkern und der Rahmendekodierer gehören zu verschiedenen Taktdomänen und sind miteinander nicht synchronisiert. Bevorzugt liegt das Verhältnis zwischen der synchronisierenden Dekodierertaktsignalfrequenz und der Betriebsfrequenz des Speicherkerns im Bereich von 2 bis 5.
  • Hinsichtlich des Rahmendekodierers führt der vorliegende Halbleiterspeicherchip folgende Funktionen aus. Signalrahmen kommen von dem Empfangsschnittstellenabschnitt an dem Rahmendekodierer mit der Frequenz des Rahmentakts oder des Dekodierertaktsignals an. Die Frequenz des Rahmentakts entspricht der Datenrate/Rahmenlänge. In dem Befehlstypdekodiererabschnitt wird der Befehlstyp dekodiert. Aufgrund des Befehlstyps werden Schreibdaten in den Datenzwischenpuffer IDB eingeschrieben, Systembefehlsdaten in ein Systemmodusregister eingeschrieben oder zusammen mit einer übergeordneten global steuernden finiten Zustandsmaschine gehandhabt, und die speicherrelevanten Befehle werden dekodiert. Parallel dazu wertet der CRC-Bit-Dekodierer die CRC-Bits in dem Rahmen aus und die Schutzeinheit vor falschen Befehlen des Rahmendekodierers gibt die Befehle nur frei, wenn die CRC-Prüfung in Ordnung ist.
  • Allgemein können speicherrelevante Befehle auf einen minimalen Befehlssatz reduziert werden: ACT (Bank offen), READ (auslesen von Daten aus dem Zellenfeld), WRITE-RET (Daten vom IDB in das Speicherzellenfeld schreiben) und PRE (Bank schließen). Eine Auffrischoperation kann als ACR+PRE dekodiert werden. Bei vorigen DRAM-Generationen gibt es andere Befehle, wie „Beginn/Ende Abschalten der Stromversorgung" oder „EMRS/MRS", welche hier jedoch ohne Bedeutung sind, da das Gesamtsystem, welches den Halbleiterspeicherchip dieser Erfindung enthält, betroffen ist und deshalb unter Berücksichtigung von allgemeineren Systemaspekten gehandhabt werden muss.
  • Das Systemmodusregister speichert jeden relevanten Zeitparameter als eine Anzahl von Taktzyklen (bezogen auf den Rahmentakt oder das synchronisierende Dekodierertaktsignal). Wenn in einem einzelnen Rahmen mehr als ein speicherrelevanter Befehl zu einer Bank enthalten ist, ordnet der Rahmendekodierer sie in der richtigen Reihenfolge an, z.B. führt in einem einzelnen Rahmen die dekodierte Befehlsfolge ACT+READ zu 1) ACT, 2) READ. Die relevanten Zeitparameter für einen bestimmten Befehl werden vom Systemmodusregister geliefert und dem momentanen Befehl zugeordnet. Allerdings werden für die Auswahl relevanter Zeitparameter auch vorangehende Befehle in Betracht gezogen. Darüber hinaus muss, wie zuvor erwähnt, der Befehlspuffer nicht leer sein. Ein darauf folgender Rahmen könnte einen weiteren zu planenden Befehl READ enthalten, so dass die vorige Reihenfolge neu angeordnet werden müsste.
  • Der Befehlspuffer speichert mindestens einen Befehl und den vom Systemmodusregister abgeleiteten zugehörigen Zeitparameter. Der für die momentane Bank vorgesehene erste Zähler beginnt zu zählen. Der Zähler beginnt mit der Freigabe eines Befehls zum Kern. Falls kein weiterer Befehl unmittelbar bevorsteht, erreicht der Zähler seinen Maximalwert und hält an. Der nächste ankommende Befehl erkennt den maximalen Zählwert und wird unverzögert freigegeben, und der Zähler beginnt erneut zu zählen. Bei Gleichheit des Zählwerts und des Werts des Zeitparameters wird der Speicherbefehl an den Speicherkern gesendet. Der Befehlspuffer kann mehrere Speicherbefehle enthalten, die abhängig von dem im Befehlspuffer gespeicherten Zeitwert aufeinander folgend freigegeben werden.
  • Die obigen und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden beim Studium der nachfolgenden Definitionen, Beschreibungen und erläuternden Figuren spezieller Ausführungsbeispiele deutlich, wobei die gleichen Bezugszeichen in den verschiedenen Figuren zur Bezeichnung derselben Komponenten verwendet werden. Obwohl diese Beschreibungen in spezielle Einzelheiten der Erfindung gehen, sollte es verständlich sein, dass es Varianten derselben gibt, die für die auf diesem technischen Gebiet erfahrenen Fachleute mit Hilfe der beiliegenden Beschreibung deutlich erkennbar werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die beiliegenden Zeichnungen sind ein Teil dieser Spezifikation und in dieser eingeschossen, veranschaulichen ein momentan bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung und dienen zusammen mit der obigen allgemeinen Beschreibung und der nachstehenden detaillierten Beschreibung zur Erläuterung der Prinzipien der Erfindung.
  • 1 ist eine allgemeine Übersicht in Form eines Funktionsblockdiagramms eines Rahmendekodierers und damit in funktionellem Zusammenhang stehenden anderen Komponenten des vorliegenden Halbleiterspeicherchips.
  • 2 ist ein schematischer Umriss der funktionellen Zusammenhänge zwischen dem Systembefehlsbewertungs-/generatorabschnitt und dem entsprechenden Systemmodusregister.
  • 3 zeigt in einem Signalzeitdiagramm Signalformen, die ankommende Systembefehlsrahmen und den Zugriff zu dem Systemmodusregister gemäß 2 darstellen.
  • 4 ist ein detaillierteres Blockdiagramm des Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitts des Rahmendekodierers, welcher in Kombination eine Bewertungs- und Generatoreinheit, einen Befehlspuffer, eine Zählereinheit und eine Vergleichereinheit enthält, welche eine Schnittstelle des Rahmendekodierers zum Speicherkern bilden.
  • 5 zeigt in einem Signalzeitdiagramm Signalformen an/in dem Speicherbefehlsbewertungs-/generatorabschnitt gemäß 4.
  • 6 zeigt eine Tabelle, die mehrere verschiedene Zeitparameter zugeordnet zu kombinierten Befehlen auflistet.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Das in 1 dargestellte Funktionsblockdiagramm zeigt ein Ausführungsbeispiel eines allgemein mit der Bezugsziffer 10 bezeichneten Rahmendekodierers, einen Schnittstellenabschnitt 11 zum Speicherkern, der mit dem Rahmendekodierer 10 für den Empfang von speicherrelevanten Befehlen und gepufferten Schreibdaten aus einem Datenzwischenpuffer (IDB) 14 verbunden ist. Ein Systemmodusregister 13 ist zur Speicherung der von einer (nicht gezeigten) Speichersteuereinheit gesendeten Zeitparameter vorgesehen. Zur Einstellung des Systemmodusregisters 13 sendet die Speichersteuereinheit Rahmen mit Systembefehlen, die die Zeitparameter zur Speicherung liefern. Die Zeitparameter geben jeweils eine spezielle Zeitdauer durch eine Anzahl von Taktzyklen, entweder eines Rahmentaktsignals oder eines Dekodierertaktsignals an (das später beschrieben wird). Hier sind nur einige Zeitparameter interessant, die nicht von der Speichersteuereinheit überprüft oder festgelegt sind.
  • Von dem zumindest teilweise in dem Systemmodusregister (13 in 1) zu speichernden Zeitparametern listet die in 6 dargestellte Tabelle einige relevante Zeitparameter, deren Bedeutung und Zuordnung zu aufeinander folgenden Befehlen auf. Befehle, die mit einem Stern (*) bezeichnet sind, sind nicht notwendigerweise im Systemmodusregister gespeichert, sondern können von der Speichersteuereinheit festgelegt bzw. überprüft werden. Aus 6 ersieht man, dass Zeitparameter, wie tRRD und tCCD aufeinander folgenden Befehlen für verschiedene Speicherbänke zugeordnet sind.
  • Weiterhin zeigt 1 einen CRC-Bit-Dekodierer 12, der CRC-relevante Bits aus jedem Rahmen empfängt und der zur Auswertung der CRC-Bits in dem Rahmen und zur Prüfung der Korrektheit/Fehlerhaftigkeit von Befehlen) und Daten in jedem Signalrahmen eingerichtet ist. Im Betrieb ist der CRC-Bit-Dekodierer 12 mit einer Falschbefehlschutzeinheit 5 verbunden, die Teil des Rahmendekodierers 10 ist. Eine weitere Komponente dieses Halbleiterspeicherchips ist eine übergeordnete finite Zustandsmaschine 15 zur globalen Steuerung, die für die Steuerung des Systems und des Speicherkerns vorgesehen ist und Systembefehle von einem Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt 4 empfängt, der ebenfalls ein Teil dieses Rahmendekoders 10 ist. Der Rahmendekodierer 10 enthält als Hauptkomponenten einen Befehlstypdekodierabschnitt 1, der zur Dekodierung der Typen eines oder mehrerer in einem oder mehreren Rahmen enthaltener Befehle eingerichtet ist. Der Befehlstypdekodierabschnitt 1 empfängt von dem oder den Rahmen Bits zur Auswahl des Befehlstyps und gibt verschiedene Steuersignale (a) „Befehl an Speicher ja/nein" an einen Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitts 2, der zur Planung und Vorbereitung einzelner Befehle an den Kern CORE eingerichtet ist, (b) „IDB ja/nein" an den zur Planung und Vorbereitung von Steuersignalen an den Datenzwischenpuffer IDB eingerichteten Befehlbewertungsgeneratorabschnitt 3, und (c) das Signal „Systembefehl ja/nein" an einen Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt 4, der zur Vorbereitung und Planung von Systembefehlen hauptsächlich an das Systemmodusregister 13 und auch an die übergeordnete finite Zustandsmaschine 15 zur globalen Steuerung eingerichtet ist.
  • Wie beschrieben, werden der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 2, der Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 3 und der Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt 4 mit den Steuersignalen von dem Befehlstypdekodierabschnitt in Übereinstimmung mit dem dekodierten Typ des Befehls bzw. der Befehle betrieben.
  • Die Komponenten des Rahmendekodierers 10, nämlich der Befehlstypdekodiererabschnitt 1, der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 2, der Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 3, der Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt und die Falschbefehlschutzeinheit 5 arbeiten synchron mit einem Synchronisationstaktsignal, welches ein Rahmentaktsignal oder ein Synchronisationsdekodiertaktsignal sein kann, welches dieselbe Phase wie das Rahmentaktsignal, jedoch eine höhere Frequenz als dieses hat.
  • In dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der IDB 14 in dem Schreibdatenweg vor der Falschbefehlschutzeinheit 5 angeordnet. Jedoch kann es vorteilhaft sein, den IDB 14 außerhalb, d.h. nach der Falschbefehlschutzeinheit 5 anzuordnen, so dass die unmittelbar einzuspeisenden und aus dem IDB auszulesenden Schreibdaten auch durch die Falschbefehlschutzeinheit 5 schätzbar sind. D.h., dass mehrere verschiedene Anordnungen für den IDB möglich sind.
  • 2 stellt den Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt 4 und dessen Verbindung mit dem entsprechenden Systemmodusregister 13 dar. Beide Einheiten, der Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt 4 und das Systemmodusregister (SMRS) 13 werden vom selben synchronisierenden Dekodiertakt dclk oder alternativ durch das Rahmentaktsignal frmclk getaktet. Der Systembefehlsbewertungs-/generatorabschnitt 4 stellt eine Adresse und einen zu speichernden Wert, d.h. eine Anzahl von Taktzyklen des Taktsignals dclk (frmclk) entsprechend jedem Systembefehl zur Verfügung (3). Für andere Systembefehle kann, falls nötig, der Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt 4 zur übergeordneten finiten Zustandsmaschine 15 für die globale Steuerung zugreifen. Obwohl dies in 2 nicht explizit gezeigt ist, können die Systembefehle nicht nur Register-Lesen/Schreiben, sondern auch andere Systemtätigkeiten, wie „Leistungsversorgung abschalten" anstoßen. Jeder einen Systembefehl enthaltende Rahmen wird von dem Bewertungs-/generatorabschnitt 4 für die Systembefehle mit der ersten Vorderflanke dclk oder frmclk bewertet und in das Systemmodusregister 13 mit der darauf folgenden Flanke des Taktsignals eingeschrieben. Allerdings zeigen die 2 und 3 nur ein Beispiel, wie die für den Zählervergleich (4) nötigen Dateiparameter gespeichert werden können.
  • Das Funktionsblockdiagramm der 4 zeigt schematisch Einzelheiten des Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitts 2. Letzterer enthält eine Speicherbefehlbewertungs-/ und -generatoreinheit 21 und für jede Speicherbank eine Befehlspuffereinheit 22, die zum Puffern eines oder mehrerer in einem momentan dekodierten Signalrahmen enthaltener Speicherbefehle und, falls dies das Protokoll für einen momentan dekodierten Befehl definiert, zum Puffern des letzten Befehls eines vorangehenden Rahmens und auch zum Puffern eines Zeitparameters von dem Systemmodusregister zugeordnet zu dem jeweils gepufferten Befehl eingerichet ist. Ein Zähler 23 ist in dem Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 2 zum Zählen von Taktzyklen des synchronisierenden Dekodierertakts dclk oder alternativ des Rahmentaktsignals frmclk angeordnet, und ein Vergleicher 24 ist zum Vergleich eines Zählwerts des Zählers 23 mit einem in dem Befehlspuffer 22 in Zuordung zu dem momentan dekodierten Befehl gepufferten Zeitparameter eingerichtet. Rücksetzmittel (nicht gezeigt) sind zum Rücksetzen des Zählers 23 vorgesehen. Immer wenn der Vergleicher 24 eine Übereinstimmung zwischen dem Wert des Zählers 23 und dem zugeordneten gepufferten Zeitparameter erfasst, gibt die Befehlspuffereinheit 22 den Befehl, wie z.B. eine Spaltenadresse oder eine andere Information an die jeweilige Speicherbank des Kerns und aktiviert die (nicht gezeigten) Rücksetzmittel zum Rücksetzen des Zählers 23.
  • Die normale Betriebsart des Rahmendekodierers ist hauptsächlich die Dekodierung der Speicherbefehlsrahmen. Zu diesem Zweck sendet die Speichersteuereinheit Rahmen mit eingebetteten Speicherbefehlen. Der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 2 arbeitet pro Speicherbank. Der ankommende Rahmen wird dekodiert und daraus ermittelt, ob ein oder mehrere Speicherbefehl(e) eingebettet sind. Wenn zwei oder mehr Speicherbefehle eingebettet sind, ordnet die Befehlbewertungs- und -generatoreinheit 21 sie in der richtigen Reihenfolge an. Z.B. werden die kombinierten Speicherbefehle ACT+READ in die Reihenfolge 1) ACT; 2) READ gebracht. Mit dem letzten Rahmen, der einen Zugriff zu dieser Bank hat, wurde der letzte Speicherbefehl in der Befehlspuffereinheit 22 gespeichert. Mit dieser Information werden die Zeitparameter vom Systemmodusregister 13 Befehl für Befehl abgeleitet und mit einem gewissen Befehl der Befehlspuffereinheit 22 zur Verfügung gestellt.
  • Allgemein hängt die Größe dieser Befehlsgeschichte stark von der Speichersteuereinheit ab. Je mehr Zeitparameter von der Speichersteuereinheit festgelegt bzw. überprüft werden, umso weniger davon müssen in dem Halbleiterspeicherchip überprüft werden. Im schlimmsten Fall könnte, falls die Speichersteuereinheit fast keine Zeitparameter festlegt bzw. überprüft, die Prüfung von tRC (RAS Zykluszeit), das ist die Zeitdauer von ACT zu ACT mit anderen Befehlen dazwischen, oder die Prüfung von tRRD, das ist die Zeitdauer von ACT einer ersten Bank A bis ACT einer zweiten Bank B erforderlich werden. In diesem Ausführungsbeispiel ist angenommen, dass die Speichersteuereinheit die meisten Zeitparameter festlegt bzw. überprüft und dass der Rahmendekodierer nur die relevanten Zeitparameter zwischen zwei aufeinander folgenden Befehlen sicherstellen und prüfen muss, das sind zwei aufeinander folgende kombinierte Befehle innerhalb eines Rahmens, ein Befehl eines vorangehenden Rahmens, der jedoch zu einem Befehl des momentanen Rahmens in Beziehung steht, und optional von aufeinander folgenden Interbankbefehlen.
  • Das in 5 gezeigte Signalzeitdiagramm veranschaulicht ein Arbeitsbeispiel des Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitts 2, wie er in 4 dargestellt ist, in Zusammenarbeit mit dem Systemmodusregister 13. Wie 5 zeigt, war ein letzter Befehl PRE. Nun kommt ein Rahmen mit den kombinierten Befehlen ACT+READ an. Die Befehlbewertungs- und – generatoreinheit 21 bringt die kombinierten Befehle in die richtige Reihenfolge :1) ACT; 2) READ. Für PRE zu ACT gibt es eine Mindestzeit: tRP (6). Für ACT werden – neben einem potenziellen Freigabesignal – Reihenadresse und Bankadresse und ebenfalls dieser Zeitparameter tRP als eine Anzahl von Taktzyklen von dclk oder frmclk zur Verfügung gestellt. Auch für ACT zu READ gibt es eine Mindestzeit: tRCD (siehe 6). In derselben Weise wie für ACT werden für READ eine Spaltenadresse, Bankadresse und der Zeitparameter tRCD als eine Anzahl von Taktzyklen zur Verfügung gestellt. Diese Befehle und die Anzahl der Taktzyklen für die jeweiligen Zeitparameter tRP und tRCD werden dem Zähler 23 und der Befehlspuffereinheit 22 zur Verfügung gestellt. Die Größe des Zählers 23 wird vom dem größtmöglichen Mindestzeitparameter zwischen zwei aufeinander folgenden Befehlen abgeleitet.
  • Ein neuer Befehl oder mehrere neue Befehle wird bzw. werden in die Befehlspuffereinheit 22 eingeschrieben. Der Zähler 23 zählt mit jedem Taktzyklus des Taktsignals dclk oder frmclk. Wenn der Zählwert gleich dem Zeitwert des ersten Befehls ist, wird dieser Befehl dem Speicherkern CORE zugeführt. Dann wird der Zähler 23 von dem (in 4 nicht gezeigten) Rücksetzmittel zurückgesetzt und beginnt erneut zu zählen, bis der Zählwert gleich dem Zeitwert des zweiten Befehls ist – dieser Befehl wird dem Speicherkern CORE zugeführt. Die Situation wiederholt sich wieder und wieder, wenn neue Befehle in die Befehlspuffereinheit 22 eingeschrieben werden.
  • Nun sei angenommen, dass ein zweiter Befehl der derzeit letzte ist, d.h., dass ein weiterer Befehl mit einem der nächsten Rahmen kommt: Die Freigabe des zweiten Befehls zum Speicherkern CORE setzt den Zähler zurück und lässt diesen erneut zählen. Wenn er seinen maximalen Zählwert erreicht, hält er an, ohne zum Anfangswert zurückzukehren. Dann gibt es für einen ankommenden weiteren Befehl zwei Möglichkeiten:
    • a) Ein Befehl kommt, bevor der maximale Zählwert erreicht worden ist. Wenn der Zeitwert des ankommenden Befehls kleiner als der Zählwert ist, kann der Befehl dem Speicherkern CORE mit dem nächsten Taktzyklus ohne jede Verzögerung zugeleitet werden. Andernfalls muss gewartet werden, bis der Zählwert und der Zeitwert des Befehls gleich sind.
    • b) Ein Befehl kommt, wenn der Zähler 23 seinen maximalen Wert erreicht hat. Dann besteht kein Risiko, dass der ankommende Befehl irgendeinen Zeitparameter verletzen kann. Der Zähler 23 wird zurückgesetzt und der Befehl an den Speicherkern CORE freigegeben.
  • Hier ist zu bemerken, dass die Symbole @1, @2, @3 in der vierten Zeile des Signalzeitdiagramms der 5 den Wert in Taktzyklen jeder Mindestzeit gemäß den dem jeweiligen Speicherbefehl zugeordneten Zeitparametern symbolisieren.
  • In 4 ist der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 2 des bevorzugten Ausführungsbeispiels des Rahmendekodierers dieses Halbleiterspeicherchips mit nur einem Zähler, einer Befehlspuffereinheit 22 und einem Vergleicher 24 dargestellt. Jedoch können der Zähler 23, die Befehlspuffereinheit 22 und der Vergleicher 24 bankweise realisiert sein. Dies hängt stark von den implizit durch die Speichersteuereinheit festgelegten bzw. überprüften Zeitparametern ab.
  • Hinsichtlich einer möglichen Beschränkung der Pinzahl dieses Halbleiterspeicherchips sind dessen Busse Mehrzweckbusse und werden für mehrere Signalarten genutzt. Diesbezüglich machen Interbankbefehle, z.B. read A, read B eine Absicherung der Zeitparameter für solche Interbankbefehle erforderlich, d.h. jedes Zeitparameters tCCD (siehe 6). Falls die Speichereinheit diese Zeitparameter nicht sicherstellt, muss der Rahmendekodierer dieses Halbleiterspeicherchip diese Zeitparameter sicherstellen und einhalten. Deshalb kann der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt 2 optional wenigstens einen zusätzlichen (zweiten) Zähler enthalten, der für alle Speicherbänke gemeinsam die Interbankzeitparameter sicherstellt.
  • Vorangehend wurden bevorzugte Ausführungsbeispiele eines neuen und verbesserten Halbleiterspeicherchips unter der Annahme beschrieben, dass die hier unterbreiteten Lehren den Fachleuten auf diesem technischen Gebiet andere Modifikationen, Variationen und Änderungen nahe legen. Es wird deshalb angenommen, dass es verständlich ist, dass alle diese Variationen, Modifikationen und Änderungen in den Umfang dieser Erfindung, wie er durch die beiliegenden Ansprüche definiert ist, fallen. Obwohl hier spezielle Bezeichnungen verwendet werden, werden sie hier lediglich in einem allgemeinen und beschreibenden Sinn und nicht in beschränkender Weise verwendet.
  • 1
    Befehlstypdekodierabschnitt
    2
    Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt
    3
    Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt
    4
    Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt
    5
    Falschbefehlschutzeinheit
    10
    Rahmendekodierer
    11
    Speicherkernschnittstelle
    12
    CRC-Bit-Dekodierer
    13
    Systemmodusregister
    14
    Datenzwischenpuffer (IDB)
    15
    übergeordnete finite Zustandsmaschine für globale Steuerung
    (Systemsteuereinheit)
    CORE
    Speicherkern
    frm_i
    Rahmeneingabe
    dclk
    Synchronisationsdekodiertakt
    frmclk
    Rahmentakt
    21
    Befehlsbewerter- und -generator
    22
    Befehlspuffer
    23
    Zählereinheit
    24
    Vergleichereinheit
    PRE
    PRE-Befehl
    NOP
    Keine Operation
    ACT
    ACT-Befehl
    READ
    Lesebefehl

Claims (11)

  1. Halbleiterspeicherchip, der aufweist: Sende- und Empfangsschnittstellenabschnitte jeweils zum Senden und Empfangen von Daten-, Befehls- und Adressensignalen in Form serieller Signalrahmen, die in Übereinstimmung mit einem vordefinierten Protokoll gestaltet sind, über jeweilige Daten, Befehls- und Adressensignalleitungen zu/von einer Speichersteuereinheit und/oder zu/von einem anderen gleichartigen Speicherchip; einen Datenzwischenpuffer, der für die Zwischenspeicherung von Schreibdaten gestaltet ist; einen Speicherkern, der ein bankorganisiertes Speicherzellenfeld und einen Adressendekodierer enthält, um eine aus einem von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfangenen Signalrahmen abgeleitete Adresse zu dekodieren und um Daten in wenigstens eine Speicherbank des Speicherzellenfelds in Übereinstimmung mit einem in einem oder mehreren empfangenen Signalrahmen enthaltenen Schreib/Lesebefehl einzuschreiben oder daraus auszulesen; ein Systemmodusregister, das zur Speicherung befehlsrelevanter Zeitparameter gestaltet ist, die nicht in einem aktuellen Rahmen von der Speichersteuereinheit zugeführt werden und die jeweils eine Anzahl von Taktzyklen eines synchronisierenden Dekodiertaktsignals angeben; und einen Rahmendekodierer, der eine Schnittstelle zwischen dem Speicherkern und dem Empfangsschnittstellenabschnitt bildet, Rahmensignale von dem Empfangsschnittstellenabschnitt empfängt und enthält: einen Befehlstypdekodierabschnitt, der zur Dekodierung eines Befehlstyps eines oder mehrerer in einem oder mehreren Rahmen enthaltener Befehle und zur Ausgabe von Steuersignalen in Übereinstimmung mit jedem dekodierten Befehlstyp angeordnet und gestaltet ist; einen Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Planung und Vorbereitung von Befehlen für den Speicherkern gestaltet ist; einen Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Planung und Vorbereitung von Steuersignalen für den Datenzwischenpuffer gestaltet ist; und einen Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der zur Vorbereitung und Planung von Systembefehlen gestaltet ist, wobei: der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt und der Systembefehlbewertungs-/generatorabschnitt von Steuersignalen betrieben werden, die von dem Befehlstypdekodierabschnitt in Übereinstimmung mit dem dekodierten Befehlstyp empfangen werden; und zumindest der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt, der Datenzwischenpuffer und der Datenzwischenpufferbefehlbewertungs-/generatorabschnitt synchron mit dem synchronisierenden Dekodierertaktsignal betreibbar sind.
  2. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 1, bei dem der Empfangsschnittstellenabschnitt des Weiteren einen CRC-Bit-Dekodierer enthält, der zur Bewertung von CRC-Bits in dem Signalrahmen und zur Prüfung der Korrektheit/Fehlerhaftigkeit von Befehlen und Daten in jedem Signalrahmen gestaltet ist, wobei der Rahmendekodierer außerdem eine Falschbefehlschutzeinheit enthält, die nur die durch den CRC-Bit-Dekodierer als korrekt geprüften Befehle zum Speicherkern durchlässt.
  3. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 1, bei dem der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt einen Befehlsbewerter und -generator und für jede Speicherbank des Speicherkerns aufweist: einen Befehlspuffer, der zur Pufferung: a) eines oder mehrerer Speicherbefehle, die in einem momentan dekodierten Signalrahmen und in vorangehenden Befehlen und, falls dies durch das Protokoll für einen momentan dekodierten Befehl definiert ist, des letzten Befehls des vorangehenden Rahmens enthalten sind; und b) eines Zeitparameters aus dem Systemmodusregister in Zuordnung zu jedem gepufferten Befehl gestaltet ist; eine Zählereinheit, die zum Zählen von Taktzyklen des synchronisierenden Dekodierertaktsignals eingerichtet ist; einen Vergleicher, der zum Vergleich eines Zählwerts der Zählereinheit mit einem einem momentan dekodierten Befehl zugeordneten gepufferten Zeitparameter gestaltet ist; und eine Rücksetzeinheit, die zum Rücksetzen der Zählereinheit gestaltet ist, wobei: der Befehlspuffer immer, wenn der Vergleicher eine Übereinstimmung zwischen dem Zählwert der Zählereinheit und dem zugehörigen gepufferten Zeitparameter erfasst, den Befehl an die jeweilige Speicherbank freigibt und die Rücksetzeinheit zum Rücksetzen der Zählereinheit aktiviert.
  4. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 3, bei dem der Befehlsbewerter und – generator des Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitts, falls zwei oder mehr Befehle in dem Befehlspuffer gepuffert sind, die Speicherbefehle in der richtigen Reihenfolge neu anordnet und mit dem letzten Befehl, mit dem ein Zugriff zu einer gewissen Speicherbank erfolgte und von dem der letzte Speicherbefehl in dem Befehlspuffer zu speichern war, die Zeitparameter aus dem Systemmodusregister Befehl für Befehl ableitet und jeweils zugeordnet zu den neu angeordneten Befehlen in den Befehlspuffer speichert.
  5. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 3, bei dem die Größe der Zählereinheit mit einem größtmöglichen Mindestzeitparameter zwischen zwei aufeinander folgenden Befehlen übereinstimmt.
  6. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 3, bei dem die Zählereinheit einen ersten Zähler, der für jede Bank des Speicherzellenfeldes vorgesehen und so gestaltet ist, dass er einen jeweiligen Zeitparameter von mehreren Intra-Bankbefehlen misst, enthält und der Befehlsbewerter und -generator des Speicherbefehlbewertungs- /generatorabschnitts wenigstens einen zweiten Zähler enthält, der zur Messung von Zeitparametern von Inter-Bankbefehlen gestaltet ist.
  7. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 1, bei dem der Rahmendekodierer und der Speicherbefehlbewertungs-/generatorabschnitt durch das Dekodiertaktsignal synchronisiert sind, um Daten und Befehle an den Speicherkern mit einer Taktflanke des Dekodiertaktsignals freizugeben.
  8. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 1, bei dem das Dekodiertaktsignal mit einem Rahmentaktsignal, welches die ankommenden Rahmen an dem Empfangsschnittstellenabschnitt synchronisiert, synchron ist und eine Frequenz hat, die gleich der oder höher ist als die Frequenz des Rahmentaktsignals ist.
  9. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 1, bei dem die Frequenz des synchronisierenden Dekodiertaktsignals höher ist, als die Betriebsfrequenz des Speicherkerns.
  10. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 9, bei dem der Betrieb des Speicherkerns mit dem Dekodiertaktsignal nicht synchron ist.
  11. Halbleiterspeicherchip nach Anspruch 9, bei dem das Verhältnis zwischen der Frequenz des synchronisierenden Dekodiertaktsignals und der Betriebsfrequenz des Speicherkerns im Bereich von 2 bis 5 liegt.
DE102006045124A 2005-10-04 2006-09-25 Halbleiterspeicherchip Ceased DE102006045124A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/242,149 2005-10-04
US11/242,149 US7415581B2 (en) 2005-10-04 2005-10-04 Semiconductor memory chip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102006045124A1 true DE102006045124A1 (de) 2007-04-05

Family

ID=37852930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006045124A Ceased DE102006045124A1 (de) 2005-10-04 2006-09-25 Halbleiterspeicherchip

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7415581B2 (de)
DE (1) DE102006045124A1 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7490177B2 (en) * 2006-01-23 2009-02-10 Infineon Technologies Ag System method for performing a direct memory access for automatically copying initialization boot code in a new memory architecture
US7451263B2 (en) * 2006-02-08 2008-11-11 Infineon Technologies Ag Shared interface for components in an embedded system
US20080010419A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-10 Rom-Shen Kao System and Method for Issuing Commands
US7441070B2 (en) * 2006-07-06 2008-10-21 Qimonda North America Corp. Method for accessing a non-volatile memory via a volatile memory interface
US20080010420A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-10 Rom-Shen Kao Method for Accessing Control Registers via a Memory Device
US20080007569A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-10 Rom-Shen Kao Control protocol and signaling in a new memory architecture
KR100825002B1 (ko) * 2007-01-10 2008-04-24 주식회사 하이닉스반도체 효과적으로 직렬로 입출력되는 데이터의 오류를 검사할 수있는 반도체 메모리 장치 및 그 구동방법
KR101062759B1 (ko) * 2009-08-11 2011-09-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치 및 그 데이터 독출 방법
DE102011119004A1 (de) * 2011-11-19 2013-05-23 Diehl Aerospace Gmbh Grafikverarbeitungsvorrichtung, Anzeigevorrichtung für ein Flugzeugcockpit sowie Verfahren zur Anzeige von Grafikdaten

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5369617A (en) * 1993-12-21 1994-11-29 Intel Corporation High speed memory interface for video teleconferencing applications
US5737748A (en) * 1995-03-15 1998-04-07 Texas Instruments Incorporated Microprocessor unit having a first level write-through cache memory and a smaller second-level write-back cache memory
US5787267A (en) * 1995-06-07 1998-07-28 Monolithic System Technology, Inc. Caching method and circuit for a memory system with circuit module architecture
US5950223A (en) * 1997-06-19 1999-09-07 Silicon Magic Corporation Dual-edge extended data out memory
US5898623A (en) * 1997-10-09 1999-04-27 International Business Machines Corporation Input port switching protocol for a random access memory
AU9798798A (en) 1997-10-10 1999-05-03 Rambus Incorporated Power control system for synchronous memory device
US6028807A (en) * 1998-07-07 2000-02-22 Intel Corporation Memory architecture
US6178517B1 (en) * 1998-07-24 2001-01-23 International Business Machines Corporation High bandwidth DRAM with low operating power modes
US7221615B2 (en) * 2005-10-04 2007-05-22 Infineon Technologies Ag Semiconductor memory chip

Also Published As

Publication number Publication date
US7415581B2 (en) 2008-08-19
US20070076004A1 (en) 2007-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006045124A1 (de) Halbleiterspeicherchip
DE102006028683B4 (de) Parallele Datenpfadarchitektur
DE60103965T2 (de) Aktualisierung von Rasterbildern in einem Anzeigegerät mit einem Bildspeicher
DE69729771T2 (de) Integrierte Schaltung mit einer eingebauten Selbsttestanordnung
DE102007054852B4 (de) Signalwandler zum Erfüllen einer Funktion
DE19652310C2 (de) Halbleiterspeichervorrichtung, die ein asynchrones Signal verwendet
DE60205877T2 (de) Verfahren zur synchronisation der auslesezeit eines hochgeschwindigkeitsspeichers
DE69906793T2 (de) Verfahren und anordnung für hochgeschwindigkeitsdatenerfassung mit korrektur der bit-zu-bit-zeitgebung und speicheranordnung unter verwendung derselben
DE4402796C2 (de) Verbesserte Redundanzanalysiereinrichtung für eine automatische Speichertestvorrichtung
DE69029479T2 (de) Hochleistungsspeichersystem
DE69720158T2 (de) Speicherschaltungen mit eingebautem Selbsttest
DE19830111A1 (de) Integrierter Speicher
DE102006045687A1 (de) Halbleiterspeicherchip
EP1630715B1 (de) Verfahren zur Auswahl eines oder mehrerer Transponder
DE102007033785A1 (de) Speichersteuereinheit, DDR-Speichersteuereinheit und Verfahren zum Testen einer Speichersteuereinheit
DE19832060A1 (de) Doppelbare Prozessoreinrichtung
DE102006030373A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE102007045497A1 (de) Mechanismus zum Erzeugen von logisch zugeordneten Lese- und Schreib-Kanälen in einer Speichersteuerung
DE10215362A1 (de) Integrierter Speicher mit einem Speicherzellenfeld mit mehreren Speicherbänken und Schaltungsanordnung mit einem integrierten Speicher
DE102004050037B4 (de) Speicherbauelement, Speichersystem und Betriebsmodussetzverfahren
DE112008001574T5 (de) Wellenform-Erzeugungsgerät, Wellenform-Erzeugungsverfahren und Programm
DE69616710T2 (de) Halbleiterspeicher
DE1953364A1 (de) Wahlausfuehrungsschaltung fuer programmgesteuerte Datenverarbeiter
DE10255085B4 (de) Synchrones Halbleiterspeicherbauelement vom Mehrbanktyp
DE102005015828A1 (de) Hub, Speichermodul, Speichersystem, sowie dazugehörige Schreib- und Leseverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection