DE102006031358A1 - Verfahren zur Gehäusung optischer oder optoelektronischer Bauteile, sowie verfahrensgemäß herstellbares optisches oder optoelektronisches Gehäuseelement - Google Patents

Verfahren zur Gehäusung optischer oder optoelektronischer Bauteile, sowie verfahrensgemäß herstellbares optisches oder optoelektronisches Gehäuseelement Download PDF

Info

Publication number
DE102006031358A1
DE102006031358A1 DE102006031358A DE102006031358A DE102006031358A1 DE 102006031358 A1 DE102006031358 A1 DE 102006031358A1 DE 102006031358 A DE102006031358 A DE 102006031358A DE 102006031358 A DE102006031358 A DE 102006031358A DE 102006031358 A1 DE102006031358 A1 DE 102006031358A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing element
glass solder
metal housing
optical
transparent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102006031358A
Other languages
English (en)
Inventor
Jörn Dr. Besinger
Sabine Pichler-Wilhelm
Dieter Dr. Gödeke
Luise Sedlmeier
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schott AG
Original Assignee
Schott AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schott AG filed Critical Schott AG
Priority to DE102006031358A priority Critical patent/DE102006031358A1/de
Priority to TW096122723A priority patent/TW200812095A/zh
Priority to US11/772,640 priority patent/US20080012109A1/en
Priority to CNA200710127173XA priority patent/CN101101941A/zh
Priority to KR1020070067157A priority patent/KR20080004397A/ko
Priority to FR0756277A priority patent/FR2903526A1/fr
Publication of DE102006031358A1 publication Critical patent/DE102006031358A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Gehäuseteilen für optische oder optoelektronische Bauelemente. Dazu wird ein Metall-Gehäuseelement mit einem transparenten Gehäuseelement mittels eines Glaslotrings verbunden, wobei das Glaslot mit dem Metall-Gehäuseelement und dem transparenten Gehäuseelement in Kontakt gebracht und wobei das Metall-Gehäuseelement induktiv durch ein mit einer Induktionsspule erzeugtes elektromagnetisches Wechselfeld aufgeheizt wird, so dass das Glaslot in Kontakt mit dem Metall-Gehäuseelement aufgeheizt und aufgeschmolzen wird und durch das Aufschmelzen und nachfolgende Erstarren des Glaslots eine hermetische ringförmige Verbindung zwischen dem Metall-Gehäuseelement und dem transparenten Gehäuseelement hergestellt wird.

Description

  • Optoelektronische Bauteile werden nach dem Stand der Technik vielfach mit Glas-Metallgehäusen verkapselt. Diese Gehäuse umfassen vielfach ein Metall-Gehäuseelement, sowie ein transparentes Gehäuseelement zur Ein- oder Auskopplung von Licht. Um eine hermetische Verbindung zwischen dem transparenten Gehäuseelement und dem Metall-Gehäuseelement herzustellen, wird weiterhin vielfach Glaslot eingesetzt. Das Glaslot wird entweder in Form einer Paste appliziert oder als gesintertes Formteil als Lotring eingesetzt. Die eigentliche Verschmelzung findet in der Regel in einem Durchlauf- oder Batch-Ofen statt. Der Ofenprozess selber ist nur schwierig zu steuern, da insbesondere für die Massenproduktion aufwändige Magazine verwendet werden, die für eine nur schwer steuerbare Wärmeverteilung an den Bauteilen selbst sorgen. Dadurch wird die Reproduzierbarkeit der Einschmelzung erschwert.
  • Weiterhin sind die Aufheiz- und Abkühlrampen sehr flach und die Prozessdauer dementsprechend lang. Insbesondere die erforderliche lange Haltezeit im Bereich der Verarbeitungstemperaturen des Glaslots, die notwendig ist, um sicherzustellen, dass alle Gehäuseteile sicher miteinander verbunden werden, führt dazu, dass sich das Glaslot unkontrolliert an der Gehäusewand hochziehen kann, so dass das für die Anwendung wichtige Glasbauteil im optisch relevanten Bereich benetzt wird. Ein weiterer Nachteil der bisher bekannten Verfahren liegt darin, dass bei Komposit-Glasloten hier häufig eine Entmischung von Grundglas und Füllstoffen stattfindet. Diese Entmischung wirkt sich ungünstig auf den thermischen Ausdehnungskoeeffizienten und damit auf die Qualität der Einschmelzung aus. Insbesondere kann eine solche Entmischung auch zu einer nicht hermetischen Verbindung und damit zum Eindringen von Feuchtigkeit und Luft bzw. Gas in das fertige Bauteil führen. Ein weiterer Nachteil der bisher bekannten Verfahren besteht darin, dass Glaslote mit erhöhter Kristallisationsneigung sich sehr schwer verarbeiten lassen. Insbesondere wenn die Kristallisationstemperatur im Bereich der Löttemperatur liegt, führen die langen Prozesszeiten zu erhöhter Ausscheidung von Kristallen. Das Lot ist dann nicht mehr ausreichend in der Lage die Fügepartner zu benetzen und für einen innigen Verbund zu sorgen. Die Änderung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten führt darüber hinaus zu einer Fehlanpassung und damit zu Spannungen im Bauteil, die zu den bereits beschrieben Effekten führen können. Der Zusatz von Füllstoffen kann die Kontrollierbarkeit der Einschmelzung weiter erschweren. Üblicherweise verwendete Glaslote enthalten meist in hohen Anteilen reduktionsanfällige Kationen wie Blei (II/IV) oder Bismuth (III) in ionischer Form. Um metallische Ausscheidungen dieser Elemente zu verhindern, muss in oxidierender Atmosphäre eingeschmolzen werden. Dies wiederum führt zur Oxidation des Metallteils, was einen weiteren Prozessschritt zur Reduktion des Metalls unterhalb der Transformationstemperatur des Lotglases unter Zugabe von beispielsweise Wasserstoffgas unumgänglich macht.
  • Die verwendeten Metallteile werden häufig aus der Klasse der NiFeCo- oder NiFe-Legierungen oder Automatenstähle gewählt. Diese müssen zur Verbesserung der Schweissbarkeit und zum Korrosionsschutz mit galvanischen Schichten wie beispielsweise Gold, Ni, Ag usw. versehen werden. Die Temperaturbelastbarkeit dieser Schichten ist jedoch limitiert, was den Einsatz höher schmelzender Glaslote verbietet.
  • Die Kontrolle der am Bauteil eingebrachten Temperatur ist außerdem im Allgemeinen nur empirisch möglich. Der Grund dafür ist der starke Einfluss von der Masse und dem Material der verwendeten Magazine. Vor allem bei kristallisationsanfälligen Loten kann es dadurch zu Änderungen der spezifischen Materialeigenschaften kommen, die in letzter Konsequenz sogar zum Ausschuss führen.
  • Noch ein weiterer Nachteil der bisher bekannten Produktionstechnik ist die geringe Flexibilität bei Produktwechseln und Musterchargen, da diese mit erhöhtem Zeitaufwand verbunden sind.
  • Besonders temperaturkritisch sind Einschmelzungen optisch beschichteter Fenster, Linsen und ähnlicher Elemente, wenn diese aus Metalloxiden bestehen oder Metalloxidbeschichtungen aufweisen, die im Bereich der Verarbeitungstemperaturen Phasenumwandlungen eingehen, die wiederum die optischen Eigenschaften verändern.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die obengenannten Nachteile bei der Verbindung von Gehäuseelementen für optische oder optoelektronische Bauelemente mittels Glaslot zu vermeiden. Diese Aufgabe wird bereits in höchst überraschend einfacher Weise durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den jeweiligen abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Demgemäß sieht die Erfindung ein Verfahren zur Gehäusung optischer oder optoelektronischer Bauteile vor, bei welchem ein Metall-Gehäuseelement mit einem transparenten Gehäuseelement mittels eines Glaslotringes verbunden wird, wobei das Glaslot mit dem Metall-Gehäuseelement und dem transparenten Gehäuseelement in Kontakt gebracht, und das Metall-Gehäuseelement induktiv durch ein mit einer Induktionsspule erzeugtes elektromagnetisches Wechselfeld aufgeheizt wird, so dass das Glaslot in Kontakt mit dem Metall-Gehäuseelement aufgeheizt und aufgeschmolzen wird und durch das Aufschmelzen und nachfolgende Erstarren eine hermetische, vorzugsweise ringförmige Verbindung zwischen dem Metall-Gehäuseelement und dem transparenten Gehäuseelement hergestellt wird. Der Begriff "transparent" bezieht sich dabei im Sinne der Erfindung nicht nur auf Gehäuseelemente, die im sichtbaren Spektralbereich transparent sind. Vielmehr ist als ein transparentes Gehäuseelement ein Gehäuseelement zu verstehen, welches für zumindest einen spektralen Bereich des Lichts durchlässig ist. Demgemäß kann das Gehäuseelement neben einer Transparenz im sichtbaren Spektralbereich alternativ oder zusätzlich auch im infraroten und/oder ultravioletten Spektralbereich transparent sein.
  • Weiterhin wird unter einer ringförmigen Verbindung nicht etwa nur eine kreisringförmige Verbindung verstanden. Vielmehr wird unter einer ringförmigen Verbindung allgemein eine umlaufend einen inneren Bereich umschließende geschlossene Struktur verstanden. Beispielsweise kann eine solche ringförmige Verbindung auch rechteckige, quadratische oder allgemein polygonale Form haben.
  • Damit wird eine Optokappe zur hermetischen Gehäusung eines optischen oder optoelektronischen Elementes erhalten, welches ein Metall-Gehäuseelement und ein transparentes Gehäuseelement zur Aus- oder Einkopplung von Licht aus oder in das Gehäuse umfasst, wobei das transparente Gehäuseelement mittels einer ringförmigen Glaslot-Verbindung verbunden sind, wobei die Glaslot-Verbindung durch Aufschmelzen des Glaslots über eine Erwärmung im Wesentlichen nur über das induktiv beheizte Metall-Gehäuseelement erfolgt ist.
  • Durch die erfindungsgemäße Beheizung kann der Energieeintrag zur Aufheizung direkt gesteuert werden. Auf diese Weise wird eine sehr gute Reproduzierbarkeit beim Verbinden der Gehäuseelemente mit dem Glaslot erzielt.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird ein Glaslot-Formteil zwischen dem Metall-Gehäuseelement und dem transparenten Gehäuseelement angeordnet und aufgeschmolzen. Durch die Verwendung vorgefertigter Glaslot-Formteile kann ein sehr hoher Durchsatz erzielt werden, da Vorbehandlungsschritte entfallen können.
  • Gemäß einer weiteren alternativen oder zusätzlichen Ausführungsform der Erfindung kann jedoch eine Lotschnur als Paste auf zumindest einem der Gehäuseelemente aufgetragen werden. Dies kann beispielsweise mit einem geeigneten Dispenser erfolgen. Die Paste wird anschließend getrocknet und es werden eventuell organische Bestandteile vor dem Zusammenfügen der Gehäuseelemente ausgebrannt. Diese Ausführungsform der Erfindung ist von Vorteil, um einen guten Kontakt des Glaslots mit den Gehäuseelementen bereits beim Aufheizen zu schaffen. Dies gilt insbesondere dann, wenn das Glaslot auf das Metall-Gehäuseelement aufgetragen wird. In Diesem Fall entsteht bereits beim Aufheizen ein sehr guter Wärmekontakt mit dem Metall-Gehäuseelement, so dass der Aufschmelzvorgang beschleunigt wird.
  • Insgesamt können mit der Erfindung durch die direkte Beheizung des Metall-Gehäuseelementes gegenüber einem herkömmlichen Ofenheizprozess deutlich kürzere Prozesszeiten erzielt werden, da die Aufheizung in einem Ofen nur indirekt über die aufgeheizte Luft erfolgt und damit nur ein vergleichsweise geringer Energieübertrag erfolgt. Demgegenüber kann mit der erfindungsgemäßen Induktionsbeheizung das Metall-Gehäuseelement mit dem transparenten Gehäuseelement bereits innerhalb einer Gesamt-Löttdauer mit Einwirkung des Induktionsfeldes von nur höchsten 2 Minuten, vorzugsweise höchstens 90 Sekunden, besonders bevorzugt höchstens 60 Sekunden oder sogar unter 30 Sekunden verlötet werden.
  • Aufgrund der beschleunigten Verlötung werden nachteilige Diffusionsprozesse und Reaktionen im Glas oder zwischen den Bestandteilen der Optokappe erschwert bzw. verhindert. Hier sind insbesondere die Kristallisation, eine Reduktion des Glaslots und/oder eine Oxidation des Metall-Gehäuseelementsinsbesondere unter Verwendung von Prozessgasen (Formiergas, Argon, usw.) oder im Vakuum zu nennen. Im Gegensatz zu Prozessen mittels LASER oder IR-Quellen ist die erfindungsgemäße Verlötung auch nicht abhängig von der Absorptionsfähigkeit des Lotes gegenüber der eingestrahlten Wellenlänge.
  • Auf diese Weise können beispielsweise auch unerwünschte Entmischungen im Glaslot verhindert werden. Auch ermöglicht die Erfindung beispielsweise den Einsatz bleifreier Glaslote, die ansonsten aufgrund ihrer im allgemeinen höheren Verarbeitungstemperatur und/oder Transformationstemperatur im Vergleich zu bleihaltigen Glasloten für den Anwendungsbereich der Gehäusung optoelektronischer Bauteile eher ungeeignet sind. Gerade bleihaltige Komposit-Lote neigen aber vielfach zu Entmischungen, was zur Ausbildung nicht hermetisch dichter Glaslot-Verbindungen führen kann.
  • Aufgrund der erfindungsgemäßen direkten Beheizung des Metall-Gehäuseelements und der so erzielbaren steilen Aufreizrampen kann gemäß noch einer Weiterbildung der Erfindung ein Glaslot mit einer Transformationstemperatur von zumindest 400°C, vorzugsweise zumindest 450°C verwendet werden.
  • Auch ermöglicht die induktive Beheizung des Metall-Gehäuseelements die Verwendung ansonsten schwieriger Materialkombinationen. Beispielsweise hat es sich gezeigt, dass mit der Erfindung auch ein Metall-Gehäuseelement mit hochdehnendem Metall mit einem Temperaturausdehungskoeffizienten im Bereich von 13·10–6 K–1 bis 20·10–6 K–1, wie etwa hochdehnendem Edelstahl, in einer bevorzugten Ausführungsform auch austenitischem Edelstahl mittels der Glaslot-Verbindung ohne weiteres mit einem transparenten Gehäuseelement verbunden werden kann. Insbesondere können auch Gehäuseelemente aus austenitischem Edelstahl mit Lotglas-Gehäuseelementen verbunden werden.
  • Bevorzugt werden Glasgehäuseelemente als transparente Gehäuseelemente verwendet, Die Erfindung ist allerdings auch auf andere Materialien, beispielsweise kristalline transparente Gehäuseelemente anwendbar. Weiterhin kann das transparente Gehäuseelement auch eine optische Beschichtung aufweisen. Eine solche Beschichtung kann beispielsweise eine Filterbeschichtung, dabei insbesondere auch eine Interferenzbeschichtung mit einer oder mehreren Lagen umfassen. Eine solche Interferenzbeschichtung kann vielfältige Funktionen erfüllen. Beispielsweise kann die Interferenzbeschichtung eine Entspiegelung oder Vergütung umfassen, oder auch als Strahlteiler oder dichroitischer Spiegel, Breitband- oder Bandpassfilter wirken. Derartige optische Beschichtungen umfassen vielfach eine oder mehrere Metalloxidlagen, die hinsichtlich ihrer Morphologie temperaturempfindlich sind. So kann es bei einigen Metalloxidschichten bei hinreichend hohen Temperaturen zu Phasenumwandlungen kommen.
  • Damit einher gehen können Änderungen der Schichtdicke, oder der Transmission. Da mittels der Erfindung die Aufheizzeiten aber deutlich reduziert werden können, ist es auch möglich, transparente Gehäuseelemente zu verbinden, welche eine optische Beschichtung mit einem Material aufweisen, welches bei einer Temperatur unterhalb von 600°C eine Phasenumwandlung durchläuft.
  • Da erfindungsgemäß durch die induktive Beheizung im Wesentlichen nur das Metall-Gehäuseelement aufgeheizt wird, kann gemäß einer Weiterbildung der Erfindung das transparente Gehäuseelement in einem Bereich innerhalb des Glaslotrings während des Aufschmelzens unterhalb der Verarbeitungstemperatur des Glaslots, insbesondere auch unterhalb seiner eigenen Transformationstemperatur gehalten werden. Damit können auch derartige Phasenumwandlungen, welche ansonsten die optischen Eigenschaften einer Beschichtung des transparenten Gehäuseelements nachteilig beeinflussen würden, unterdrückt werden.
  • Im einfachsten Fall wird ein Glasfenster als transparentes Gehäuseelement in Form eines Glasscheibchens verwendet. Neben Glasfenstern können auch Glaskeramikfenster, Saphirfenster, Quarzfenster Siliziumfenster als transparente Gehäuseelemente verwendet werden. Ein Siliziumfenster ist dabei ein Beispiel für ein nur für Infrarotlicht transparentes Gehäuseelement.
  • Gemäß einer anderen Weiterbildung der Erfindung wird eine Linse als transparentes Gehäuseelement mit dem Metall-Gehäuseelement verbunden. Unabhängig von der Ausgestaltung des transparenten Gehäuseelementes kann das transparente Gehäuseelement in das kappenförmige Metall-Gehäuseelement eingelegt werden, so dass das transparente Gehäuseelement nach dem Verbinden mit dem Glaslot innenseitig in der Hülse des Metall-Gehäuseelementes angeordnet ist.
  • Auch eine Anordnung und Verlötung des transparenten Gehäuseelements außen auf dem Metall-Gehäuseelement ist ebenso möglich und je nach Anwendungsfall von Vorteil.
  • Weiterhin können auch mehrere Metall-Gehäuseelemente neben- und/oder übereinander angeordnet und gleichzeitig mit transparenten Gehäuseelementen durch Aufschmelzen des Glaslots verbunden werden. Dazu kann eine einzelne, entsprechend dimensionierte Induktionsspule oder auch eine Anordnung mehrerer Induktionsspulen verwendet werden.
  • Eine erfindungsgemäß durch Verbindung des transparenten Gehäuseelementes mit dem Metall-Gehäuseelement hergestellte Optokappe kann beispielsweise zur Verkapselung eines Lasers oder einer Fotodiode, insbesondere zur Datenübertragung oder für optische Laufwerke eingesetzt werden. Außerdem können optische Flüssiglinsen mit erfindungsgemäß herstellbaren Optokappen verkapselt werden. Derartige Flüssiglinsen können beispielsweise für Kameras in Mobiltelefonen, Digitalkameras, in der Medizintechnik, Medientechnik, oder für Anwendungen in dem Automobilbereich eingesetzt werden.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beigeschlossenen Zeichnungen näher beschrieben. Dabei bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder ähnliche Teile.
  • Es zeigen:
  • 1 eine Anordnung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens mit Teilen einer Optokappe,
  • 2 eine Optokappe mit verbundenen Gehäuseelementen,
  • 3 eine Variante der in 1 gezeigten Ausführungsform,
  • 4 eine Variante der in 1 gezeigten Anordnung, und
  • 5 eine Variante der in 2 gezeigten Optokappe mit einer Linse als transparentem Gehäuseelement.
  • 1 zeigt in schematischer Ansicht eine Anordnung zur Verbindung von Gehäuseelementen einer Optokappe mittels Glaslot, sowie die zu verbindenden Teile der Optokappe. Die Optokappe umfasst ein Metall-Gehäuseelement 3 in Gestalt einer Hülse mit einer Öffnung 5, welche von einem nach innen kragenden Rand 6 begrenzt wird. Als transparentes Gehäuseelement ist bei dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ein Fenster 7 in Form eines Glasscheibchens vorgesehen, welches in die Hülse eingelegt wird, so dass es innenseitig angeordnet ist.
  • In die Hülse des Metall-Gehäuseelementes 3 wird außerdem vor dem Einsetzen des transparenten Fensters 7 ein Glaslot-Formteil 9 eingelegt, welches auf dem nach innen kragenden Rand 6 des Metall-Gehäuseelementes 3 aufliegt. Dementsprechend ist nach dem Einsetzen des Fensters 7 das Glaslot-Formteil 9 zwischen dem Metall-Gehäuseelement 3 und dem Fenster 7 angeordnet. Um ein Herausfallen des Glasfensters vor oder während des Einschmelzens des Glaslots zu verhindern, wird das Metall-Gehäuseelement 3 bevorzugt mit der Öffnung 5 nach unten weisend gehaltert oder gelagert.
  • Das Fenster 7 weist bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 1 außerdem eine optische Interferenzbeschichtung 11 auf. Diese Interferenzbeschichtung 11 kann dabei auch ein Material, wie etwa ein Metalloxid enthalten, welches bei einer Temperatur unterhalb von 600°C eine Phasenumwandlung durchläuft. Ein Beispiel für ein solches Material ist Titanoxid, welches je nach Morphologie von einer amorphen in eine kristalline Phase, oder von einer kristallinen Phase in einer andere kristalline Phase übergehen kann. Titanoxid ist an sich aufgrund seiner hochbrechenden optischen Eigenschaften für Interferenzschichten oder Interferenzschichtsysteme besonders geeignet, Allerdings kann es hier bei einem herkömmlichen Ofenprozess zu einer solchen Umwandlung der Morphologie einer Titanoxidschicht kommen, sofern keine niedrig schmelzenden Glaslote eingesetzt werden.
  • Demgegenüber wird, wie in 1 gezeigt, die Beheizung induktiv mittels einer Induktionsspule 20 vorgenommen, welche mit einem hochfrequenten Strom beschickt wird, der im elektrisch leitenden Material des Metall-Gehäuseelements 3 Wirbelströme erzeugt, die das Metall-Gehäuseelement 3 direkt aufheizen. Das dielektrische transparente Gehäuseelement 7 wird demgegenüber durch das Wechselfeld der Induktionsspule nicht oder zumindest nicht wesentlich aufgeheizt. Eine Erhitzung des transparenten Gehäuseelements mit der Interferenzbeschichtung 11 erfolgt dementsprechend nur noch mittelbar über das Glaslot. Damit bleibt das Fenster 7, sowie insbesondere auch die auf dem Fenster abgeschiedene Interferenzbeschichtung 11 im optisch relevanten Bereich innerhalb der Öffnung 5 des Metall-Gehäuseelements 3 unterhalb der Temperatur, welche für das Aufschmelzen des Glaslots des Glaslot-Formteils 9 notwendig ist. Insbesondere bleibt das transparente Gehäuseelement oder eine darauf aufgebrachte Beschichtung auch unterhalb seiner eigenen Transformationstemperatur.
  • Das Glaslot-Formteil 9 wird andererseits durch den Kontakt mit dem Metall-Gehäuseelement 3 bis auf oder über die Verarbeitungstemperatur des Glaslots aufgeheizt, so dass das Glaslot aufschmilzt und eine ringförmige, entlang des Randes 6 um die Öffnung 5 verlaufende hermetische Glaslot-Verbindung schafft. Da die Aufheizung des Glaslots über das Metall-Gehäuseelement 3 sehr schnell erfolgt, wird verhindert, dass sich das Glaslot unkontrolliert an der Gehäusewand hochzieht und das für die Anwendung wichtige Fenster im optisch relevanten Bereich benetzen kann.
  • Um das Glaslot aufzuschmelzen, wird dieses über das induktiv beheizte Metall-Gehäuseelement 3 auf eine Löttemperatur oberhalb der Erweichungstemperatur Ew, vorzugsweise auf oder über die Verarbeitungstemperatur aufgeheizt. Die für Induktionsbeheizung verwendbaren Glaslote können dabei Transformationstemperaturen von oberhalb 400°C, ohne weiteres auch oberhalb von 450°C aufweisen.
  • Als Löttemperatur wird im Sinne der Erfindung die Temperatur des Glaslotes verstanden, bei welcher die Viskosität im Bereich von 107,6 bis 102 dPas·s, bevorzugt im Bereich 106 bis 104 dPa·s beträgt. Aufgrund der durch die Induktionsheizung möglichen, kurzen Aufheizzeit ist es dabei auch möglich, bleifreies Glaslot zu verwenden, welches im Allgemeinen eine höhere Verarbeitungstemperatur verglichen mit bleihaltigem Glaslot aufweist.
  • Das Aufschmelzen oder Erweichen des Glaslots mittels induktiver Beheizung über das Metall-Gehäuseelement 3 weist jedoch ganz allgemein Vorteile gegenüber einer herkömmlichen Heizung in einem Ofen auf. So kann beispielsweise bei Komposit-Glasloten aufgrund der mit der induktiven Beheizung erzielbaren steileren Aufheizrampe und damit verbunden einer kürzeren Prozesszeit sowohl einer Entmischung des Glaslots entgegengewirkt werden, als auch eine unkontrollierte Benetzung der Wandungen des Metall-Gehäuseelements 3 und insbesondere auch des transparenten Gehäuseelements entgegengewirkt werden. Komposit-Glaslote sind Glaslote, denen inerte, also nicht reagierende Füllstoffe mit zur Beeinflussung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten beigemischt sind. Geeignete Füllstoffe sind zum Beispiel Zirkon, Cordierit oder β-Eukryptit, welche die Temperaturausdehnung des Gesamtgefüges herabsetzen.
  • Ist die Zeit für das Aufheizen des Glaslotes zu lang, so kann es zu einer Entmischung dieser Füllstoffe kommen, was dann in Folge zu einer inhomogenen Temperaturausdehnung des Glaslotmaterials führt. Beim nachfolgenden Erstarren des Glaslots können dann temperaturbedingte Spannungen auftreten, welche zu Rissen führen, so dass die Glaslot-Verbindung nicht mehr hermetisch abdichtet.
  • Die Induktionsspule 20 wird zur induktiven Beheizung mit hochfrequentem Wechselstrom. Allgemein liegen bevorzugte Frequenzen für den Wechselstrom im Bereich von 50 kHz bis 750 kHz. Um dabei eine zu starke Aufheizung der Spule selber zu vermeiden, kann die Spule auch flüssigkeitsgekühlt, insbesondere wassergekühlt sein. Dazu wird ein röhrenförmiger Leiter für die Spule verwendet, welcher von der Kühlflüssigkeit durchströmt wird.
  • Anders als in der schematischen Darstellung der 1 gezeigt ist, können auch mehrere Gehäuseelemente 3 neben- und/oder übereinander angeordnet und gleichzeitig mit transparenten Gehäuseelementen 7 im Induktionsfeld durch Aufschmelzen des Glaslots verarbeitet werden. Ein solches Ausführungsbeispiel ist in 2 dargestellt. Ähnlich zu der in 1 dargestellten Anordnung, werden auch hier die Metall-Gehäuseelemente 3 mit ihrer Öffnung 5 nach unten weisend angeordnet. Zur Halterung der Metall-Gehäuseelemente 3 ist eine dielektrische Trägerplatte 25 mit Löchern 27 vorgesehen. Die dielektrische Trägerplatte 25 wird so angeordnet, dass die Löcher 27 vor, oder wie beispielhaft in 2 gezeigt, innerhalb der Spule 20 positioniert sind. In die Löcher 27 der dielektrischen Trägerplatte 25 werden die Metall-Gehäuseelemente 3 mit darin angeordneten Glaslot-Formteilen 9 und transparenten Gehäuseelementen 7 eingelegt und dann parallel durch Aufschmelzen oder Erweichen des Glaslots mittels des Induktionsfeldes der Spule 20 verarbeitet.
  • 3 zeigt eine Optokappe 1, wie sie durch Verbinden des Metall-Gehäuseelements 3 mit dem transparenten Gehäuseelement 7 mittels einer wie in 1 oder 2 schematisch gezeigten Anordnung herstellbar ist. Durch das Aufschmelzen des Glaslots ist eine ringförmige, sich entlang des Randes 6 um die Öffnung 5 des Metall-Gehäuseelements 3 erstreckende, hermetische Glaslot-Verbindung zwischen den beiden Gehäuseelementen 3 und 7 erzeugt worden.
  • 4 zeigt eine Variante der in 1 gezeigten Anordnung. Im Unterschied zu der in 1 gezeigten Anordnung, wird anstelle eines Glaslot-Formteils 9 das Glas in Form eines ringförmigen Glaslot-Stranges 10 als Paste auf den Rand 6 um die Öffnung 5 aufgetragen. Nach dem Trocknen der Paste können dann die beiden Gehäuseelemente 3 und 7 entsprechend wie anhand von 1 oder 2 beschrieben, durch Aufschmelzen des Glaslots hermetisch miteinander verbunden werden. Der Heizprozess wird in diesem Fall dabei so eingestellt, dass organische Bestandteile im Glaslot-Strang 10 vor dem Aufschmelzen des Glaslots ausgebrannt werden. Der Glaslot-Strang 10 wird vorzugsweise mit einem Dispenser durch die Öffnung einer Dispenser-Nadel innenseitig auf den Rand 6 des Gehäuseelements 3 appliziert.
  • 5 zeigt eine Variante der in 3 gezeigten Optokappe 1. Bei dem in 5 gezeigten Ausführungsbeispiel einer Optokappe 1 dient anstelle eines Fensters 7 ein optisches Element als transparentes Gehäuseelement. Im Speziellen ist bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel eine Kugellinse 17 als transparentes Gehäuseelement mittels einer ringförmigen hermetischen Glaslot-Verbindung 15 mit dem transparenten Gehäuseelement 3 verbunden.
  • Anders als in den 1 bis 5 dargestellt, ist es ebenso auch möglich, das transparente Gehäuseelement 7 auch außen auf dem Metall-Gehäuseelement 3 angeordnet und verlötet werden. Bei dem in 5 gezeigten Beispiel hat dies dann den Vorteil, daß bei gegebener Größe des Metall-Gehäuseelements 3 ein vergrößerter Innenraum in der Optokappe 1 erreicht wird.
  • Es ist dem Fachmann ersichtlich, dass die Erfindung nicht auf die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt ist. Vielmehr können die einzelnen Merkmale der Ausführungsbeispiele auch in vielfältiger Weise miteinander kombiniert werden.

Claims (24)

  1. Verfahren zur Gehäusung optischer oder optoelektronischer Bauteile, bei welchem ein Metall-Gehäuseelement mit einem transparenten Gehäuseelement mittels eines Glaslotrings verbunden wird, wobei das Glaslot mit dem Metall-Gehäuseelement und dem transparenten Gehäuseelement in Kontakt gebracht, und wobei das Metall-Gehäuseelement induktiv durch ein mit einer Induktionsspule erzeugtes elektromagnetisches Wechselfeld aufgeheizt wird, so dass das Glaslot in Kontakt mit dem Metall-Gehäuseelement aufgeheizt und aufgeschmolzen wird und durch das Aufschmelzen und nachfolgende Erstarren des Glaslots eine hermetische, vorzugsweise ringförmige Verbindung zwischen dem Metall-Gehäuseelement und dem transparenten Gehäuseelement hergestellt wird.
  2. Verfahren gemäß dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass ein Glaslot-Formteil zwischen dem Metall-Gehäuseelement und dem transparenten Gehäuseelement angeordnet und aufgeschmolzen wird.
  3. Verfahren gemäß einem der beiden vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Lotschnur als Paste auf zumindest eines der Gehäuseelemente aufgetragen wird.
  4. Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Gehäuseelement und das Metall-Gehäuseelement innerhalb einer Gesamt-Löttdauer mit Einwirkung des Induktionsfeldes von nur höchsten 2 Minuten, vorzugsweise höchstens 90 Sekunden, besonders bevorzugt höchstens 60 Sekunden oder sogar unter 30 Sekunden miteinander verlötet werden.
  5. Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein bleifreies Glaslot verwendet wird.
  6. Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Glaslot mit einer Transformationstemperatur von zumindest 400°C, vorzugsweise zumindest 450°C verwendet wird.
  7. Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Metall-Gehäuseelement mit austenitischem Edelstahl mittels der Glaslot-Verbindung mit einem transparenten Gehäuseelement verbunden wird.
  8. Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Glas-Gehäuseelement mit dem Metall-Gehäuseelement mittels der Glaslotverbindung verbunden wird.
  9. Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein mit einer optischen Beschichtung versehenes transparentes Gehäuseelement mit dem Glaslot mit dem Metall-Gehäuseelement verbunden wird.
  10. Verfahren gemäß dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass ein mit einer Interferenzbeschichtung versehenes transparentes Gehäuseelement mit dem Metall-Gehäuseelement verbunden wird.
  11. Verfahren gemäß einem der beiden vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein mit einer optischen Beschichtung versehenes transparentes Gehäuseelement mit dem Glaslot verbunden wird, bei welchem das Material zur optischen Beschichtung mit einer Temperatur unterhalb von 600°C eine Phasenumwandlung durchläuft.
  12. Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein optisches Element als Bestandteil des transparenten Gehäuseelements mit dem Metall-Gehäuseelement verbunden wird.
  13. Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, bei welchem eine Linse oder ein Strahlteiler mit dem Metall-Gehäuseelement verbunden wird.
  14. Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Gehäuseelement in einem Bereich innerhalb des Glaslotrings während des Aufschmelzens unterhalb seiner eigenen Transformationstemperatur bleibt.
  15. Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das transparente Gehäuseelement in ein kappenförmiges Metall-Gehäuseelement, insbesondere auf einen nach innen kragenden Rand des Metall-Gehäuseelement eingelegt wird, so dass das transparente Gehäuseelement nach dem Verbinden mit dem Glaslot innenseitig in der Hülse des Metall-Gehäuseelementes angeordnet ist.
  16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das transparente Gehäuseelement außen auf dem Metall-Gehäuseelement angeordnet und verlötet wird.
  17. Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Metall-Gehäuseelemente neben- und/oder übereinander angeordnet und gleichzeitig mit transparenten Gehäuseelementen durch Aufschmelzen des Glaslots verbunden werden.
  18. Verwendung des Verfahrens der Induktionsbeheizung mittels durch ein elektromagnetisches Feld in einem elektrisch leitenden Material erzeugten Wirbelströmen zur Verbindung von Gehäuseelementen für die Gehäusung optischer oder optoelektronischer Bauteile mittels Glaslot.
  19. Optokappe zur hermetischen Gehäusung eines optischen oder optoelektronisches Elements, umfassend ein Metall-Gehäuseelement und ein transparentes Gehäuseelement zur Aus- und/oder Einkopplung von Licht aus und/oder in das Gehäuse, wobei das Metall-Gehäuseelement und das transparente Gehäuseelement mittels einer mit einem Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche herstellbaren, vorzugsweise ringförmigen Glaslot-Verbindung verbunden sind.
  20. Optokappe gemäß dem vorstehenden Anspruch, wobei das transparente Gehäuseelement ein Glasfenster, Glaskeramikfenster, Saphirfenster, Quarzfenster oder ein Siliziumfenster umfasst.
  21. Optokappe gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Gehäuseelement eine Filterbeschichtung aufweist.
  22. Optokappe gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Gehäuseelement eine Linse umfasst.
  23. Optokappe gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, zur Verkapselung – eines Lasers, insbesondere zur Datenübertragung oder für optische Laufwerke, oder – einer Fotodiode, insbesondere zur Datenübertragung oder für optische Laufwerke, – eines optischen Sensors, – einer Flüssiglinse für digitale Kameras.
  24. Optische Flüssiglinse, verkapselt mit einer Optokappe gemäß einem der vorstehenden Ansprüche.
DE102006031358A 2006-07-05 2006-07-05 Verfahren zur Gehäusung optischer oder optoelektronischer Bauteile, sowie verfahrensgemäß herstellbares optisches oder optoelektronisches Gehäuseelement Withdrawn DE102006031358A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006031358A DE102006031358A1 (de) 2006-07-05 2006-07-05 Verfahren zur Gehäusung optischer oder optoelektronischer Bauteile, sowie verfahrensgemäß herstellbares optisches oder optoelektronisches Gehäuseelement
TW096122723A TW200812095A (en) 2006-07-05 2007-06-23 Method for the packaging of optical or optoelectronic components, and optical or optoelectronic package element producible according to the method
US11/772,640 US20080012109A1 (en) 2006-07-05 2007-07-02 Method for the packaging of optical or optoelectronic components, and optical or optoelectronic package element producible according to the method
CNA200710127173XA CN101101941A (zh) 2006-07-05 2007-07-04 封装光学或光电部件的方法和根据其可制造的封装元件
KR1020070067157A KR20080004397A (ko) 2006-07-05 2007-07-04 광학 구성부품 또는 광전자 구성부품을 패키지하는 방법 및상기 방법에 의해 생산가능한 광학 또는 광전자 패키지요소
FR0756277A FR2903526A1 (fr) 2006-07-05 2007-07-04 Procede de mise en boitier de composants optiques ou optoelectroniques, et element de boitier optique ou optoelectronique pouvant etre produit conformement au procede

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006031358A DE102006031358A1 (de) 2006-07-05 2006-07-05 Verfahren zur Gehäusung optischer oder optoelektronischer Bauteile, sowie verfahrensgemäß herstellbares optisches oder optoelektronisches Gehäuseelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102006031358A1 true DE102006031358A1 (de) 2008-01-17

Family

ID=38825083

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006031358A Withdrawn DE102006031358A1 (de) 2006-07-05 2006-07-05 Verfahren zur Gehäusung optischer oder optoelektronischer Bauteile, sowie verfahrensgemäß herstellbares optisches oder optoelektronisches Gehäuseelement

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20080012109A1 (de)
KR (1) KR20080004397A (de)
CN (1) CN101101941A (de)
DE (1) DE102006031358A1 (de)
FR (1) FR2903526A1 (de)
TW (1) TW200812095A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010063835A1 (de) * 2010-12-22 2012-06-28 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Erzeugen einer stoffschlüssigen Verbindung mit Unterstützung durch IR-Strahlung
DE102021108441A1 (de) 2021-04-01 2022-10-06 Schott Ag Befestigungsvorrichtung für ein temperaturstabiles, transparentes Element, sowie Partikelsensor, umfassend die Befestigungsvorrichtung

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI433674B (zh) * 2006-12-28 2014-04-11 Infinity Discovery Inc 環杷明（ｃｙｃｌｏｐａｍｉｎｅ）類似物類
TW201143230A (en) * 2010-05-18 2011-12-01 Hong Long Ind Co Ltd Method of welding plug head and metal piece
JP6268856B2 (ja) * 2013-09-24 2018-01-31 三菱電機株式会社 光モジュールおよびその製造方法
JP6792439B2 (ja) * 2016-12-19 2020-11-25 新光電気工業株式会社 キャップ部材及びその製造方法と発光装置
CN111095674B (zh) * 2017-09-15 2022-02-18 康普技术有限责任公司 制备复合介电材料的方法
CN111018351B (zh) * 2019-12-06 2022-03-01 西安赛尔电子材料科技有限公司 热电池用钛与可伐合金封接玻璃材料及制备方法和应用
CN111360434A (zh) * 2019-12-30 2020-07-03 西南技术物理研究所 一种使用玻璃焊料焊接的管帽制作方法
CN113376771B (zh) * 2021-06-23 2022-03-01 长飞光纤光缆股份有限公司 一种管帽的制备装置及工艺
CN114850648B (zh) * 2022-04-25 2024-03-26 东莞先导先进科技有限公司 一种基于脉冲热压焊接半导体金属封装光学镜片的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050058411A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Finot Marc A. Hermetic sealing of optical module
DE10224710B4 (de) * 2002-06-04 2005-12-08 Schott Ag Verfahren zur hermetischen Gehäusung von optischen Bauelementen sowie verfahrensgemäß hergestellte optische Bauelemente

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3736176A (en) * 1971-07-21 1973-05-29 Owens Illinois Inc Composition articles prepared therefrom and method of preparing such articles
JPS5013639B2 (de) * 1972-09-07 1975-05-21
US5093545A (en) * 1988-09-09 1992-03-03 Metcal, Inc. Method, system and composition for soldering by induction heating
US20030190135A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-09 Moidu Abdul Jaleel J. Hermetic waveguide seals and method of making them
US6976372B2 (en) * 2002-10-31 2005-12-20 Corning Incorporated Sealing lighting device component assembly with solder glass preform by using induction heating
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10224710B4 (de) * 2002-06-04 2005-12-08 Schott Ag Verfahren zur hermetischen Gehäusung von optischen Bauelementen sowie verfahrensgemäß hergestellte optische Bauelemente
US20050058411A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Finot Marc A. Hermetic sealing of optical module

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010063835A1 (de) * 2010-12-22 2012-06-28 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Erzeugen einer stoffschlüssigen Verbindung mit Unterstützung durch IR-Strahlung
DE102021108441A1 (de) 2021-04-01 2022-10-06 Schott Ag Befestigungsvorrichtung für ein temperaturstabiles, transparentes Element, sowie Partikelsensor, umfassend die Befestigungsvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US20080012109A1 (en) 2008-01-17
TW200812095A (en) 2008-03-01
KR20080004397A (ko) 2008-01-09
FR2903526A1 (fr) 2008-01-11
CN101101941A (zh) 2008-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006031358A1 (de) Verfahren zur Gehäusung optischer oder optoelektronischer Bauteile, sowie verfahrensgemäß herstellbares optisches oder optoelektronisches Gehäuseelement
EP1791796B1 (de) Verfahren zum verbinden von bauteilen aus hochkieselsäurehaltigem werkstoff unter einsatz eines fügemittels, sowie nach dem verfahren erhaltener bauteil-verbund
DE102014014322B4 (de) Tellurat-Fügeglas mit Verarbeitungstemperaturen ≦ 400 °C
EP2675763B1 (de) Durchführung
DE2559895C2 (de) Verfahren und Einrichtung zum Ziehen von Lichtwellenleitern zur Nachrichtenübertragung
DE102004054392A1 (de) Verfahren zum Verbinden von Bauteilen aus hochkieselsäurehaltigem Werkstoff, sowie aus derartigen Bauteilen zusammengefügter Bauteil-Verbund
DE102005044523A1 (de) Verfahren zum Verbinden von Elementen mit Glaslot
EP1316828B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer hermetisch dichten Durchführung für eine optische Faser
DE102006029073A1 (de) Dünnes Flachglas für Displayzwecke und Verfahren zum Durchtrennen des dünnen Flachglases in Displayscheiben
DE112009001326T5 (de) Schmelzverbindungsprozess für Glas
EP0901992B1 (de) Lötverfahren für optische Materialen an Metallfassungen und gefasste Baugruppen
EP1046620A2 (de) Verfahren zum Verschweissen von Oberflächen von Materialien
DE3750686T2 (de) Optische Wellenleiter und deren Herstellung.
DE3103771A1 (de) Glaswerkstoff fuer infrarotstrahlen-durchlaessige optische fasern und verfahren zum herstellen von glasfasern aus einem infrarotstrahlen-durchlaessigen glasfaserwerkstoff
DE102008021507A1 (de) Verfahren zur Herstellung von keramischen Objekten mittels selektiven Laserschmelzens
AT513074A2 (de) Stablinse und Verfahren zu ihrer Herstellung
AT391887B (de) Verfahren zum herstellen von kristallinen saphirrohren und einrichtung zu dessen durchfuehrung
DE102011102555A1 (de) Lotmaterial, Verwendung des Lotmaterials in einer Lotpaste sowie Verfahren zur Herstellung einer Lötverbindung mit Hilfe des Lotmaterials
DE3433717C2 (de)
DE102016109414A1 (de) Niedertemperatur-Telluritglasmischungen für Vakuumverdichtung bei Temperaturen ≤450 °C
DE102009004756B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vorform für optische Fasern mit Vieleckkern
DE102011080352B4 (de) Hochtemperatur-Glaslot und dessen Verwendung
DE2362341A1 (de) Lichtleitfaser und verfahren zu ihrer herstellung
DE102015113562A1 (de) Konverter-Kühlkörperverbund mit metallischer Lotverbindung
EP0247322A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vorform zum Ziehen von optischen Glasfasern

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R008 Case pending at federal patent court
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20120201