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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet von piezoelektrischen
Resonatoren, z.B. BAW-Resonatoren (BAW = Bulk Acoustic Wave = Akustische
Volumenwelle), und insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung
einer strukturierten hochplanaren Bodenelektrode für einen
piezoelektrischen Resonator. Die hochplanare Bodenelektrode, die
gemäß dem Verfahren
der vorliegenden Erfindung hergestellt wird, zeichnet sich durch
hervorragende Gleichmäßigkeit
in der Schichtabscheidung als auch durch eine planare Oberfläche der
gesamten Bodenelektrode aus.
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Hochfrequenzfilter,
die auf BAW-Resonatoren beruhen, sind von großem Interesse für viele HF-Applikationen.
Für BAW-Resonatoren gibt
es zwei Konzepte, zum einen der sogenannte Dünnschicht-BAW Resonator (thin
film BAW-Resonatoren = FBAR), sowie sogenannte Solidly Mounted Resonatoren
(SMR). Dünnschicht-BAW-Resonatoren
bestehen aus einer Membran, auf der eine Schichtfolge bestehend
aus einer unteren Elektrode, einer piezoelektrischen Schicht und
einer oberen Elektrode angeordnet ist. Der akustische Resonator
entsteht durch eine Reflexion an der Oberseite und an der Unterseite
der Membran. Bei dem Alternativkonzept von Solidly Mounted Resonatoren
umfasst ein SMR ein Substrat, beispielsweise ein Siliziumsubstrat,
auf dem die Schichtfolge bestehend aus der unteren Elektrode, der
piezoelektrischen Schicht und der oberen Elektrode angeordnet ist.
Um bei dieser Ausgestaltung akustischen Wellen im aktiven Bereich
zu halten, ist ein sogenannter akustischer Spiegel erforderlich.
Dieser befindet sich zwischen den aktiven Schichten, also den zwei
Elektroden und der piezoelektrischen Schicht, und dem Substrat.
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3 zeigt ein, im Stand der Technik bekanntes
Beispiel für
einen Solidly Mounted Resonator mit einem strukturierten Spiegel.
Es ist ein Substrat 300 gezeigt, auf dessen obere Oberfläche 304 eine
Oxidschicht 324 abgeschieden ist, in die eine Grube bzw.
Vertiefung 326 eingebracht wird. Zwischen der Oxidschicht 324 und
dem Substrat 300 können
weitere Zwischenschichten vorgesehen sein. In der Grube 326 ist
der akustische Spiegel gebildet, der aus einer Schichtfolge besteht,
die eine erste Schicht 306a1 mit
hoher akustischer Impedanz, eine Schicht 306b mit niedriger
akustischer Impedanz und eine Schicht 306a2 mit
hoher akustischer Impedanz aufweist. Auf der Oberfläche der
sich so ergebenden Struktur ist eine Isolationsschicht 308 abgeschieden, auf
der zumindest teilweise die untere Elektrode 310 gebildet
ist. Der nicht von der unteren Elektrode 310 bedeckte Abschnitt
der Isolationsschicht 308 ist von einer weiteren Isolationsschicht 328 bedeckt.
Auf der Isolationsschicht 328 und auf der unteren Elektrode 310 ist
die piezoelektrische Schicht 312 gebildet, auf deren Oberfläche wiederum
teilweise die obere Elektrode 318 gebildet ist. Die von
der oberen Elektrode 318 nicht bedeckten Abschnitte der
piezoelektrischen Schicht 312 sowie Teile der oberen Elektrode 318 sind
von der Passivierungsschicht 314 bedeckt. Die überlappenden
Bereiche von unterer Elektrode 310, piezoelektrische Schicht 312 und
oberer Elektrode 318 definieren den BAW-Resonator 322.
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In
beiden Konzepten für
BAW-Resonatoren ist die Abscheidung einer piezoelektrischen Schicht, auf
einer strukturierten Bodenelektrode notwendig, wobei die Bodenelektrode
beispielsweise aus Metall besteht. Für die Qualität des Resonators
ist dabei eine gleichförmige
Abscheidung von entscheidender Bedeutung. Um eine gleichförmige Abscheidung
zu ermöglichen,
ist es erwünscht
vor der Abscheidung der piezoelektrischen Schicht eine hochplanare
Waferoberfläche,
d.h. insbesondere eine Bodenelektrode mit einer hochplana ren Oberfläche zu haben.
Dadurch werden Wachstumskanten in der piezoelektrischen Schicht
vermieden und somit eine hohe Qualität des Piezomaterials ermöglicht.
Dies schlägt
sich in einer hohen elektromechanischen Kopplung sowie einer hohen
akustischen Güte
nieder. Außerdem werden
nachfolgende Prozessschritte durch eine ebene Oberfläche vereinfacht.
Dies betrifft insbesondere die Strukturierung der oberen Elektrode.
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In
bisherigen Verfahren wird dieses Problem wie folgt gelöst. Um eine
planare Oberfläche
vor der Piezoabscheidung zu gewährleisten
werden im bisherigen Prozess folgende Schritte unternommen. Zuerst
wird die Bodenelektrode strukturiert, wobei die Bodenelektrode beispielsweise
aus einem metallischen Material besteht und die Strukturierung durch einen Ätzvorgang
geschieht. Nach der Strukturierung der Bodenelektrode wird eine
dielektrische Planarisierungsschicht (beispielsweise aus einem Siliziumoxid)
mit einer Dicke ungefähr
der Stufenhöhe
nach der Bodenelektrodenätzung
entsprechend, abgeschieden. Diese Planarisierungsschicht wird im
folgenden im Bereich der Bodenelektrode geöffnet, so dass ein Steg am
Rand der Bodenelektrode mit einer Breite von beispielsweise 1 μm stehen
bleibt. Die Breite dieses Steges hängt allerdings von der Wahl der
verwendeten Ätzmaske
ab. Im anschließenden Oxid-CMP-Schritt
(Chemical Mechanical Polishing = chemisch-mechanisches Polieren)
wird dieser Steg wegpoliert, wonach eine ebene Oberfläche zurückbleibt.
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Dieses
Verfahren gemäß dem Stand
der Technik ist dahingehend problematisch, dass der Oxid-CMP-Schritt
die Oberfläche
der Bodenelektrode angreift. Dies führt dort zu einem sogenannten „Dishing"-Effekt, einer lokalen
Variation der Elektrodendicke. Dies führt gleichermaßen zu lokalen
Variationen der Piezoschichtdicke, die auf der Bodenelektrode abgeschieden
wird. Da die Resonanzfrequenz des BAW-Resonators, abgesehen vom Material der Piezoschicht,
im wesentlichen durch die Schichtdicke der Piezoschicht gegeben ist,
führt die
lokale Variation der Elektrodendicke zu einer Verbreiterung der Serienresonanz
des BAW-Resonators, was eine wesentliche Verringerung der Seriengüte des BAW-Resonators zur Folge
hat.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Ein
Verfahren gemäß Anspruch
1 und gemäß Anspruch
8 der vorliegenden Erfindung ermöglicht
eine verbesserte Herstellung einer strukturierten Bodenelektrode
in einem piezoelektrischen Bauelement.
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Die
vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen einer
strukturierten Bodenelektrode in einem piezoelektrischen Bauelement.
Es weist folgende Schritte auf, nämlich Bereitstellen eines Grundmaterials,
Erzeugen einer Schichtstruktur aus einem leitfähigen Material auf dem Grundmaterial und
Erzeugen einer Schutzschicht, die flächig auf die Schichtstruktur
gebracht wird, Aufbringen einer Planarisierungsschicht auf die Schutzschicht
und auf das Grundmaterial, Freilegen eines Abschnitts der Schutzschicht
durch Strukturierung der Planarisierungsschicht, Planarisieren der
Struktur durch entfernen der außerhalb
des Abschnitts verbliebende Abschnitte der Planarisierungsschicht
derart, dass die Schutzschicht seitlich bündig an die Planarisierungsschicht
angrenzt und eine planare Oberfläche
bildet und Entfernen der Schutzschicht und eines entsprechenden
Teils der seitlich bündig
angeordneten Planarisierungsschicht. Im letzten Schritt werden die entsprechenden
Teile der Schutzschicht und der Planarisierungsschicht derart entfernt,
dass die Schichtstruktur und die verbleibende Planarisierungsschicht
eine planare Oberfläche
bilden.
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Die
vorliegende Erfindung schafft außerdem ein Verfahren zum Herstellen
einer strukturierten Bodenelektrode in einem piezoelektrischen Bauelement,
welches folgende Schritte aufweist, nämlich Bereitstellen eines Grundmaterials,
Erzeugen einer strukturierten Schichtfolge bestehend aus ei ner ersten
Metallschicht, einer zweiten Metallschicht, einer Verbindungsschicht
und einer Schutzschicht, wobei die Verbindungsschicht flächig zwischen
der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht gebracht wird
und die erste Metallschicht flächig
auf das Bodenmaterial gebracht wird und die Schutzschicht flächig auf
die zweite Metallschicht gebracht wird, Aufbringen einer Planarisierungsschicht
auf die Schutzschicht und auf das Grundmaterial, Freilegen eines Abschnitts
der Schutzschicht durch Strukturierung der Planarisierungsschicht,
Planarisieren der Struktur durch Entfernen der außerhalb
des Abschnitts verbliebende Abschnitte der Planarisierungsschicht derart,
dass die Schutzschicht seitlich bündig an die Planarisierungsschicht
angrenzt und eine planare Oberfläche
bildet und Entfernen der Schutzschicht und eines entsprechenden
Teils der seitlich bündig angeordneten
Planarisierungsschicht. Im letzten Schritt werden die entsprechenden
Teile der Schutzschicht und der Planarisierungsschicht derart entfernt,
dass die strukturierte Schichtfolge und die verbleibende Planarisierungsschicht
eine planare Oberfläche
bilden.
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Der
vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass zum einen
eine Schutzschicht, die vor dem Planarisierungsschritt auf die Bodenelektrode
aufgebracht wird, lokale Variationen der Schichtdicke der Bodenelektrode
verhindert. Solche Schichtdickenvariationen sind eine Folge eines CMP-Prozesses,
der normalerweise beim Planarisieren verwendet wird. Zum anderen
liegt der vorliegenden Erfindung die Erkenntnis zugrunde, dass die Schutzschicht
zusammen mit einem Teil der Planarisierungsschicht beispielsweise
in einem Ätzvorgang entfernt
werden kann. In diesem Schritt ist es vorteilhaft solche Materialien
bzw. einen solchen Ätzvorgang
zu wählen,
so dass die Schutzschicht und die Planarisierungsschicht mit gleichen
Raten geätzt werden.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
ermöglicht
somit die Planarisierung der Bodenelektrode ohne die Bodenelektrode
selbst anzugreifen. Wie erwähnt
wird dies einerseits da durch erreicht, dass eine (dünne) Schutzschicht,
welche die Bodenelektrode während
eines CMP-Schrittes vor einem etwaigen Abtrag schützt, auf
die Bodenelektrode aufgebracht wird. Andererseits wird eine Vorgehensweise vorgeschlagen,
diese Schutzschicht wieder zu entfernen, ohne neuerlich eine wesentliche
Topologie einzuführen
und somit wird eine Bodenelektrode mit hochplanarer Oberfläche erhalten.
Wie weiter unten näher
erläutert
wird, handelt es sich bei dieser Methode vorzugsweise um einen Ätzvorgang.
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Erfindungsgemäß wird im
Zuge der Abscheidung des Bodenelektrodenmaterials als letzte Schicht
die dünne
Schutzschicht aufgebracht. Die Bodenelektrode kann aus einem Metall
bestehen, es kann aber auch eine Schichtstruktur bzw. eine Schichtfolge
vorteilhaft sein. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn das
bevorzugte Elektrodenmaterial unzureichend auf das darunter liegende Substrat
bzw. Grundmaterial haftet bzw. wenn es zu unerwünschten Reaktionen führt und
eine geeignete Zwischenschicht somit zu einer Stressreduzierung führt.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
wird der gesamte Bodenelektrodenstapel inklusive der Schutzschicht
in einem Ätzschritt
strukturiert. Danach erfolgt die konventionelle Planarisierung mittels
eines dielektrischen Materials. Dabei ist es vorteilhaft, eine Schichthöhe der Planarisierungsschicht
zu wählen, die
der Schichthöhe
des Bodenelektrodenstapels inklusive der Schutzschicht entspricht.
Beim anschließenden
CMP-Schritt ist das Bodenelektrodenmaterial durch die Schutzschicht
gegen Abtrag geschützt.
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Vorteilhafterweise
wird zum Entfernen der Schutzschicht ein Ätzschritt herangezogen, welcher das
Material der Schutzschicht sowie des Planarisierungsmaterials gleich
schnell ätzt.
Bei Verwendung eines solchen Ätzschrittes,
ist bei der Auswahl der Materialien für die Schutzschicht und für die Planarisierungsschicht
bzw. bei der Ausgestaltung des Ätzschrittes
(z.B. durch eine geeignete Wahl des Ätzmit tels, der Temperatur,
des Druckes etc) insbesondere darauf zu achten, dass möglichst
gleich schnelle Ätzraten
realisiert werden. Außerdem
ist es vorteilhaft die Materialien derart zu wählen, dass das Bodenelektrodenmaterial
als eine Ätzstoppschicht
für den Ätzschritt
zum Entfernen der Schutzschicht wirkt. Wenn die oberste Schicht
des Bodenelektrodenmaterials beispielsweise Wolfram aufweist, dann
ist es vorteilhaft einen entsprechende Ätzvorgang zu wählen, der
an dieser Wolframschicht stoppt. Das Ergebnis ist schließlich eine
perfekte planare Oberfläche und
eine gleichförmig
dicke Bodenelektrode.
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Darüber hinaus
kann vor dem Abscheiden der Schutzschicht auf dem Bodenelektrodenstapel optional
ein CMP-Schritt ausgeführt
werden. Dadurch wird das Bodenelektrodenmaterial ganzflächig geglättet, um
beispielsweise ein gutes Wachstum einer nachfolgend aufzubringenden
piezoelektrischen Schicht des piezoelektrischen Bauelementes zu
gewährleisten.
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Ein
wesentlicher Vorteil der Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass durch die Schonung
des Bodenelektrodenmaterials durch die Schutzschicht eine hohe Güte in der
Serienresonanz erreicht wird. Dies ist der Fall, da der gesamte
Resonatorbereich den Resonanzzustand bei nahezu gleicher Frequenz,
die durch die akustische Dicke gegeben ist, erreicht. Wenn andererseits
durch ein CMP-Schritt
das Bodenelektrodenmaterial angegriffen werden würde, hätte eine Veränderung
der Schichtdicke des Bodenelektrodenmaterials eine Verschlechterung
der Serienresonanz zur Folge. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht somit
einen BAW-Resonator mit deutlich verbesserter Qualität herzustellen.
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Nachfolgend
werden anhand der beiliegenden Figuren bevorzugte Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung näher
erläutert.
Es zeigen:
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1a–1e eine
prinzipielle Darstellung des Prozessablaufs zur Herstellung einer
Bodenelektrode gemäß der vorliegenden
Erfindung; und
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2 einen
Solidly-Mounted-Resonator mit strukturiertem Spiegel gemäß dem Stand
der Technik.
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In
der nachfolgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung werden gleiche oder gleichwirkende Elemente
mit gleichen Bezugszeichen versehen.
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Anhand
der 1a–1e wird
ein Ausführungsbeispiel
und eine bevorzugte Vorgehensweise gemäß der vorliegenden Erfindung
näher erläutert.
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In 1a ist
ein Grundmaterial 100 gezeigt, auf dessen Oberfläche eine
Schichtstruktur 133, die nach Herstellung als Bodenelektrode
wirksam wird, aufgebracht ist. In dem in 1 angegebenen
Beispiel weist die Schichtfolge drei Schichten auf, einer ersten
Metallschicht 110, einer Verbindungsschicht 120 und
einer zweiten Metallschicht 130. Auf diesen drei Schichten
wird eine Schutzschicht 140 aufgebracht, die die Schichtfolge 133 in
der nachfolgenden Prozessierung schützen soll.
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Optional
kann vor dem Abscheiden der Schutzschicht 140 die Schichtfolge 133 gegebenenfalls
durch einen CMP-Schritt geglättet
werden, um beispielsweise ein gutes Wachstum einer nachfolgend aufzubringenden
piezoelektrischen Schicht des piezoelektrischen Bauelementes zu
gewährleisten.
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In
dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel weist
die Schichtfolge 133 drei Schichten auf. Wie oben beschrieben,
kann eine Schichtfolge 133 insbesondere dann vorteilhaft
sein, wenn ein bevorzugtes Elektrodenmaterial unzureichend auf das
darunter liegende Substrat bzw. Grundmaterial haftet bzw. wenn es
zu unerwünschten
Reaktionen führt
und eine geeignete Schichtfolge somit zu einer Stressreduzierung
führt.
Beispielhaft können
die folgenden Materialien für
die Schichtfolge 133 verwandt werden, nämlich Aluminium, TiN (Titan
Nitrid) und Wolfram, wobei die Schutzschicht 140 auf die
Wolframschicht aufgebracht wird und die TiN-Schicht eine Verbindungsschicht
zur Aluminiumschicht, die auf das Grundmaterial 100 aufgebracht
wird, darstellt. Ein mögliches
Material für
die Schutzschicht 140 ist Siliziumnitrid (SiN) und weist
beispielsweise eine Dicke von 10 bis 500 nm (vorzugsweise von 50
bis 100 nm) auf.
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Wenn
die Bodenelektrode mehrere Schichten aufweist, können diese Schichten nacheinander aufgebracht
werden, und die Strukturierung kann beispielsweise über einen Ätzvorgang
erfolgen. Dabei kann die Strukturierung der Schichten erst nach
dem Aufbringen aller Schichten erfolgen oder, insbesondere wenn
dies schwierig oder nicht möglich
ist (falls z.B. ein entsprechender Prozess nicht zur Verfügung steht),
kann die Strukturierung auch nacheinander, d.h. Schicht für Schicht
erfolgen. Dies ist z.B. der Fall, wenn die unterschiedlichen Schichten
unterschiedliche Ätzmittel
bzw. Ätzbedingungen
wie Temperatur, Druck etc. erfordern.
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Für das erfindungsgemäße Verfahren,
ist das Verwenden einer Schichtfolge bestehend aus drei Schichten
nicht zwingend erforderlich. Wie bereits erwähnt, kann das Verwenden einer
Schichtfolge 133 aus Prozessierungsgründen sinnvoll sein, aber gemäß der vorliegenden
Erfindung kann die Bodenelektrode auch nur aus einer oder auch zwei Schichten
bestehen.
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Nach
dem Aufbringen der Schichtfolge 133 folgt eine konventionelle
Planarisierung durch Aufbringen eines dielektrischen Materials, üblicherweise Siliziumoxid
(SiO2). Wie in 1b gezeigt,
wird dazu die Schichtfolge bestehend aus den Schichten 110, 120 und 130 mit
der Schutzschicht 140 eine Planarisierungsschicht 150 aufgebracht.
Bei bevorzugten Ausführungsbeispielen
wird die Schichtdicke 155 der Planarisierungsschicht 150 der
Dicke 144 der Schichtfolge 133 und der Schutzschicht 140 entsprechen
und nicht nur die Schutzschicht 140 bedecken, sondern darüber hinaus
auch das Grundmaterial 100 zumindest teilweise bedecken.
Die Planarisierungsschicht 150, die beispielsweise ein
Oxidmaterial wie z.B. Siliziumoxid aufweist, wird unter Verwendung
einer geeigneten Maske, beispielsweise einer Lackmaske oder einer
Hartmaske strukturiert, um die in einem nachfolgenden Schritt zu
entfernenden Abschnitte 170 der Planarisierungsschicht 150 zu
definieren.
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1c zeigt
das Resultat des Freilegens des Abschnittes 170 der Planarisierungsschicht 150, das
beispielsweise durch einen Ätzvorgang
erfolgen kann. Bei der Entfernung des Abschnittes 170 der Planarisierungsschicht 150 wird
eine Oberfläche 180 der
Schutzschicht 140 freigelegt und lediglich am Randbereich
verbleiben Stege 150a und 150b der strukturierten
Planarisierungsschicht 150 zurück. Der Abschnitt 170 umfasst
vorzugsweise zumindest den aktiven Bereich des piezoelektrischen
Resonators, wobei aufgrund von Justagetoleranz und eventueller schrägen Ätzflanken
der Bereich 170 im Regelfall etwas größer gewählt ist, als der sich später tatsächlich einstellende
aktive Bereich des piezoelektrischen Resonators. Es ist ebenso vorteilhaft,
dass der Bereich 170 nicht über die Schutzschicht 140 seitlich
hinausragt, d.h. die Oberfläche 180 nur
Teile der Oberfläche
der Schutzschicht 140 umfasst. In diesem Fall, kann die
Schutzschicht 140 beispielsweise als eine Ätzstoppschicht
beim Entfernen der Planarisierungsschicht 150 im Bereich 170 dienen.
Anderenfalls, d.h. wenn der Bereich 170 seitlich über die
Schutzschicht 140 hinausragt, kann das Entfernen der Planarisierungsschicht 150 im
Bereich 170 zu Gräben
(nicht in den Figuren gezeigt) seitlich der Schutzschicht 140 führen. Beim
Aufbringen der Piezoschicht auf die Schichtfolge 133, würden derartige
Gräben
wieder die Qualität
des Resonators einschränken.
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Anschließend wird
die in 1c gezeigte Struktur einem Planarisierungsprozess
ausgesetzt, bei dem die Stege 150a und 150b beispielsweise durch
einen CMP-Prozess entfernt werden. Die sich einstellende Struktur
ist in 1e gezeigt und weist eine im
Idealfall planare Oberfläche
auf. Insbesondere sollte die Oberfläche 180 der Schutzschicht 140 im wesentlichen
bündig
ist mit einer Oberfläche 185 der verbliebenden
Abschnitte der Planarisierungsschicht 150 sein. Von dem
CMP-Prozess sind jedoch nur die Planarisierungsschicht 150 und
die Schutzschicht 140 betroffen, nicht jedoch die Schichtfolge 133,
die von der Schutzschicht 140 beschützt wird. Daraus ergibt sich
ein wesentlicher Vorteil des Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung, nämlich
dass die Schichtfolge 133 und damit die spätere Bodenelektrode
durch die Schutzschicht 140 gegen Abtrag geschützt wird
und somit der CMP-Prozess nicht zu lokalen Variationen der Schichtdicke
der Bodenelektrode führt.
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In
einem abschließenden
Schritt wird die Schutzschicht 140 entfernt. Das Resultat
ist in 1f gezeigt, bei dem nicht nur
die Schutzschicht 140, sondern auch ein Teil der Planarisierungsschicht 150 abgetragen
wird. Für
diesen Prozess zum Entfernen der Schutzschicht 140 wird
nun vorzugsweise ein Ätzschritt
herangezogen, welcher das Material der Schutzschicht 140 sowie
das Material der Planarisierungsschicht 150 gleich schnell ätzt. Dies
ist z.B. für Siliziumnitrid
und Siliziumoxid möglich
und liefert als Ergebnis eine nahezu perfekte planare Oberfläche und
eine nahezu gleichförmig
dicke Bodenelektrode. Für
das erfindungsgemäße Konzept
ist es demnach wichtig, nicht nur einen entsprechenden Ätzvorgang zu
wählen,
sondern auch die Materialien der Schutzschicht 140 und
der Planarisierungsschicht 150 so zu wählen, dass sie möglichst
gleiche Ätzraten
bezüglich
des gewählten Ätzvorganges
aufweisen. Die resultierende Schichtfolge 133 der Bodenelektrode weist
somit im Idealfall eine planare Oberfläche auf und schließt dann
bündig
an die verbleibende Planarisierungsschicht 150 an. Vorzugsweise
wird der Ätzvorgang
dabei derart gewählt,
dass die zweite Metallschicht 130 der Schichtfolge 133 als
eine Ätzstoppschicht
wirkt.
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Dieses
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung stellt damit sicher, dass bei einem Einsatz
der Bodenelektrode in einem BAW-Resonator eine hohe Güte der Serienresonanz
erreicht wird, da der gesamte Resonatorbereich den Resonanzzustand
bei nahezu gleicher Frequenz erreicht, da die akustische Dicke nahezu
keine lokalen Variationen aufweist.
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Die
Schichtfolge 133 der Bodenelektrode weisen beispielsweise
die folgenden Materialien auf, nämlich
Aluminium für
die erste Metallschicht 110, TiN für die Zwischenschicht 120 und
Wolfram für
die zweite Metallschicht 130. Für die Schutzschicht 140 kann
man in geeigneter Weise ein Siliziumnitridmaterial und für die Planarisierungsschicht 150 ein
Siliziumoxidmaterial verwenden. Bei dieser Materialwahl ist gleichzeitig
sichergestellt, dass der zum Entfernen der Schutzschicht verwendete
(Trocken-) Ätzvorgang gleichzeitig
zum Entfernen eines Teils der Planarisierungsschicht geeignet ist
und auf der Wolframschicht stoppt. Gleichzeitig weisen Siliziumnitrid
und Siliziumoxid ausreichend gleiche Ätzraten auf. Die vorliegende
Erfindung ist allerdings nicht auf diese Materialien beschränkt, sondern
andere Materialien, die gleiche Ätzraten
aufweisen, können
gleichermaßen eingesetzt
werden.
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Die
verwendeten Materialien sind nur als Beispiele zu verstehen, nicht
aber zwingend für
ein erfindungsgemäßes Verfahren
erforderlich. Bei der Wahl der Schichtdicken der Schichtstruktur 133 ist
zu berücksichtigen,
dass die Schichtdicke der Schichtstruktur 133 einen Beitrag
zur akustischen Dicke des akustischen Resonators liefert. Da sich
im akustischen Resonator eine stehende akustische Welle bildet,
beeinflusst eine veränderte
akustische Dicke direkt die sich einstellende Resonanzfrequenz. Diese
Resonanzfrequenz kann also über
eine Wahl der Schichtdicken entsprechend eingestellt werden. Im
wesentlichen geschieht das durch eine entsprechende Wahl der Schichtdicke
der Piezoschicht, aber eben auch durch eine geeignete Wahl der Schichtdicken
der Schichten in der Schichtstruktur 133. Da das Einsatzgebiet
des Resonators sehr variieren kann (beispielsweise von einigen MHz
bis zu mehreren GHz), sind die Schichtdicken entsprechend zu wählen. Es
sind nämlich
gerade die Schichtdicken aller im Schichtstapel verwendeten Schichten,
die die Frequenz des Resonators definieren. Da der Einsatzbereich
hinsichtlich der Frequenz sehr breit ist, variieren die einzelnen
Schichtdicken sehr stark.
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Bei
dem hier gewählten
Ausführungsbeispiel besteht
die Bodenelektrode aus einer Schichtfolge 133 von drei
Schichten. Bei weiteren Ausführungsbeispielen
kann die Anzahl der Schichten der Bodenelektrode variiert werden.
Die Anzahl bzw. die Auswahl der Schichten ist dabei im wesentlichen
bedingt durch die Prozessierung bzw. Herstellung. Wie bereits erwähnt soll
das Material der Schichten zueinander verträglich sein als auch verträglich zu
den angrenzenden Materialien (d.h. zum Grundmaterials 100 und
zum piezoelektrischen Material) sein. Insbesondere muss auch eine
ausreichende Haftung der verwendeten Materialien sichergestellt
sein. Geeignete Materialien zeichnen sich außerdem dadurch aus, dass sie
einen ausreichenden elektrischen Kontakt zur piezoelektrischen Schicht
sicherstellen und dass sie die akustischen Eigenschaften des Resonators
nicht negativ beeinflussen.
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- 100
- Grundmaterial
- 110
- erste
Metallschicht
- 120
- Zwischenschicht
- 130
- zweite
Metallschicht
- 140
- Schutzschicht
- 150
- Planarisierungsschicht
- 150a
- ein
erster Steg an der Planarisierungsschicht
- 150b
- ein
zweiter Steg an der Planarisierungsschicht
- 170
- geöffneter
Bereich der Planarisierungsschicht
- 180
- Oberfläche der
Schutzschicht
- 300
- Substrat
- 302
- untere
Oberfläche
des Substrats
- 304
- obere
Oberfläche
des Substrats
- 306
- Schichtfolge
des Spiegels
- 306a1,306a2
- Schichten
mit hoher akustischer Impedanz
- 306b
- Schichten
mit niedriger akustischer Impedanz
- 310
- untere
Elektrode
- 312
- piezoelektrische
Schicht
- 314
- Isolationsschicht
- 318
- obere
Elektrode
- 322
- BAW-Resonator
- 324
- Oxidschicht
- 326
- Vertiefung
- 328
- Isolationsschicht
- 330
- Schüsseltopologie