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Die
Erfindung betrifft einen direkt induktiv beheizbaren Skulltiegel
sowie ein Verfahren zum kontinuierlichen Herstellen einer Glasschmelze.
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Es
gibt verschiedene Materialien, die auf dem Schmelzweg hergestellt
werden. Für
solche Materialien, beispielsweise Elemente, Legierungen, Verbindungen
oder Mischungen werden vielfältige
Arten von Schmelzanlagen verwendet. Je nach Eigenschaften und Anforderungen
der herzustellenden Materialien werden dafür die Werkstoffe des Schmelzgefäßes, dessen
Konstruktion und Größe sowie
die Art der Beheizung des Schmelzgutes variiert und an den jeweiligen
Anwendungsfall angepaßt. Schmelzaggregat
und Schmelzprozeß werden
im Hinblick auf ein Optimum hinsichtlich der Schmelzkosten und der
Produktqualität
ausgelegt.
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Sollen
besonders hohe Anforderungen an Reinheit und Qualität der Schmelze
erfüllt
werden, werden sogenannte Skulltiegel, auch Kaltwandtiegel genannt,
eingesetzt. Ein Skulltiegel ist ein Schmelzgefäß, dessen Kontaktflächen zum
Schmelzgut gekühlt
sind. Die Kühlleistung
wird so hoch gewählt, daß an den
Kontaktflächen
das Schmelzgut zu einer sogenannten Skullkruste erstarrt. Die entstehende Skullkruste
dient dann selbst als Kontaktmaterial für das Schmelzgut. Die Schmelze
wird somit im arteigenen Material geschmolzen. Kontaminationen des Schmelzgutes
durch Bestandteile des Schmelzgefäßes sind bei Skulltiegeln sehr
gering. Skulltiegel können
aus metallischen Werkstoffen gefertigt werden. Die Kühlwirkung
kann durch in Kanälen
in der Tiegelwand geführtes
Kühlmedium,
beispielsweise Wasser, erzielt werden.
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In
Skulltiegeln kann die Schmelze durch das induktive Einkoppeln elektromagnetischer
Felder in das Schmelzgut direkt beheizt werden. Eine Möglichkeit
dazu besteht darin, einen Induktor um das Schmelzgefäß herum
zu positionieren. Der Induktor erzeugt ein elektromagnetisches Feld
und sendet elektromagnetische Strahlung eine Frequenz aus, die von
der zu beheizenden Schmelze absorbiert und zur Beheizung genutzt
werden können.
In diesem Fall wird der Skulltiegel so ausgelegt, daß es keinen für elektromagnetische
Felder undurchdringlichen Faraday-Käfig bildet.
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Dazu
werden Schlitze senkrecht zum E-Vektor des Feldes vorgesehen, so
daß das
elektromagnetische Feld durch die Schlitze in das Innere des Schmelzgefäßes eindringen
kann. Die Entnahme der Schmelze erfolgt in solchen Anlagen beispielsweise über elektrisch
mit dem Skulltiegel kurzgeschlossene Edelmetallsysteme oder über feuerfeste
Keramiksysteme. Derartige Skulltiegel sind zum Beispiel in den Schriften
DE 101 33 469 A1 ,
DE 199 39 772 C1 ,
DE 102 44 807 A1 der
Anmelderin sowie
DE
100 42 151 C2 oder
FR
2 589 228 A1 beschrieben. Die
US 4 471 488 A beschreibt
einen Induktionsofen mit einer gekühlten Seitenwand, die einen
Induktor umfasst. Die
DE
102 36 136 A1 zeigt einen Skulltiegel, der eine erhöhte Sicherheit
gegen Durchbruch von Glas bieten soll.
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Bei
bekannten Skulltiegeln besteht jedoch der Nachteil einer zumindest
teilweisen Absorption oder Verdrängung
des elektromagnetischen Feldes durch das Schmelzgefäß selbst,
denn aufgrund der nicht unendlichen Anzahl von Schlitzen beziehungsweise
der nicht unendlich kleinen Ausdehnung des Schmelzgefäßes parallel
zum E-Vektor des Feldes absorbiert oder verdrängt das Schmelzgefäß das vom
Induktor ausgesendete elektromagnetische Feld beziehungsweise die elektromagnetische
Strahlung. Die absorbierte Feldenergie steht dann zur Beheizung
des Schmelzgutes nicht zur Verfügung.
Durch konstruktive Maßnahmen
kann versucht werden, diese Absorption so klein wie möglich zu
halten. Die Kühlflächen müssen jedoch
eine bestimmte Mindestgröße aufweisen,
um die Schmelze am Austritt aus dem Schmelzgefäß zu hindern und eine gute
Kühlung
der Skullkruste zu ermöglichen.
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Ein
weiterer Nachteil derartiger Skulltiegel liegt im Feldstärkeverlust
durch den Abstand des Induktors von der zu beheizenden Schmelze.
Der Abstand des Induktors von der zu beheizenden Schmelze wird zum
einen durch die Dicke der Seitenwände des Skulltiegels bestimmt.
Die Seitenwände
können jedoch
nicht mit beliebig geringer Dicke gestaltet werden, da sie der mechanischen
Belastung durch die im Tiegelinneren befindliche Schmelze standhalten
und des weiteren noch eine ausreichende Dicke zur Aufnahme der Kühlmittelkanäle bieten
müssen.
Zum anderen muß der
Induktor selbst einen Mindestabstand zum Skulltiegel einhalten,
da es sonst zu Überschlägen und
Lichtbogenbildung zwischen Induktor und Skulltiegel kommt.
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Damit
verbunden ist der weitere Nachteil, daß am Induktor sehr hohe Spannungen
anliegen müssen,
um eine Feldstärke
zu erzeugen, die auch noch in einem Abstand vom Induktor im Inneren
eines geschlitzten Skulltiegels groß genug ist, um die Schmelze
beheizen zu können,
beziehungsweise den Schmelzprozess bei akzeptablen Temperaturen starten
und auch erhalten zu können.
Zum Betreiben derartiger Anlagen werden Hochfrequenzgeneratoren
auf Röhrenbasis
benutzt, da solche Generatoren das dauerhafte und stabile Anlegen
der notwendigen hohen Spannungen am Induktor ermöglichen.
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Eine
Möglichkeit,
eine höhere
Feldstärke
im Bereich der Schmelze zu erzielen, stellen Skulltiegel zur Verfügung, bei
denen ein gekühlter
Induktor gleichzeitig die Tiegelwand bildet, an der die Schmelze
erstarrt und einfriert. Wird ein einwindiger Induktor benutzt, liegt
die volle Spannung des Schwingkreises an der einen Windung an. Zum
Betreiben eines solchen Systems kann beispielsweise ein Halbleiterumrichter
ausreichen, um die notwendigen Spannungen zu erzeugen. Skulltiegel,
bei denen der gekühlte
Induktor gleichzeitig die Tiegelwand bildet, werden auch als selbstinduzierende
Tiegel oder Skulltiegel mit direkter induktiver Beheizung bezeichnet.
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In
den Schriften
EP 0
079 266 A1 ,
FR
2 688 717 A1 ,
EP
0 526 685 A1 und
US
5,526,375 A sind Beispiele für selbstinduzierende Skulltiegel
beschrieben. Nachteilig beim Betrieb von derartigen Skulltiegeln,
die Induktor und Tiegelwand vereinigen, ist insbesondere die häufig lediglich
diskontinuierliche Betriebsweise der Anlagen. In
US 4,761,528 A , wird ein selbstinduzierender
Skulltiegel beschrieben, der kontinuierlich betreibbar ist.
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Um
einen Lichtbogen zwischen den beiden Spannungsanschlüssen des
Induktors zu verhindern, wird gemäß
US 4,761,528 A die dort anliegende
Potentialdifferenz limitiert, in dem ein zusätzliches, längliches, gekühltes Element
aus elektrisch leitfähigem Material
im Bereich des Zwischenraums zwischen den beiden Anschlussklemmen
des selbstinduzierenden Skulltiegels angeordnet wird. Das Element wird
auf einem Potential gehalten, welches zwischen den Potentialen der
Anschlüsse
der Windung liegt.
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Durch
das zusätzliche
gekühlte
Element und die gezielte Einstellung seines Potentials in Relation zu
den Potentialen der Anschlussklemmen wird die Gefahr von Lichtbögen zwischen
den Spannungsanschlüssen
des Skulltiegels reduziert. Mit der Anordnung der
US 4,761,528 A ist der Betrieb
bei einer Frequenz von 300 kHz bei einer Spannung von 620 V mit
einem selbstinduzierendem Skulltiegel von 600 mm Durchmesser möglich.
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Derartige
Spannungen reichen aber nicht aus, um auch Glasschmelzen mit relativ
niedriger elektrischer Leitfähigkeit
induktiv beheizen zu können.
Um solche Schmelzen zum Ankoppeln zu bringen, sind höhere Potentialdifferenzen
erforderlich. Zum anderen reichen Spannungen wie in
US 4,761,528 A beschrieben
nicht aus, um das Schmelzgut schnell auf hohe Temperaturen, insbesondere oberhalb
von mindestens 1000°C
aufzuheizen.
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Wird
die Potentialdifferenz bei den bekannten selbstinduzierenden Tiegeln
erhöht,
um mit einem stärkeren
elektromagnetischen Feld eine höhere
Leistung in das Schmelzgut einzutragen, hat es sich gezeigt, daß elektrische Überschläge zwischen der
Schmelze selbst und dem Skulltiegel durch die sich ausbildende Skullkruste
hindurch erfolgen. Dieser Effekt tritt insbesondere dann auf, wenn
es sich um schlecht beziehungsweise nur teilweise kristallisierendes
Schmelzgut handelt und die Skullkruste einen mehr oder weniger hohen
glasigen Anteil enthält. Es
besteht daher der gravierende Nachteil, daß mit den bekannten Skulltiegeln
ein sicherer Betrieb bei erhöhten
Potentialdifferenzen nicht möglich
ist.
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Des
Weiteren hat sich der Nachteil gezeigt, daß der Induktor, welcher den
Skulltiegel bildet, um so schneller verschleißt, je größer die angelegte Potentialdifferenz
ist. Bei den erforderlichen Spannungen wird der Tiegel derart schnell
zerstört,
daß ein wirtschaftlicher
Betrieb nicht möglich
ist. Zudem wird infolge des Verschleißes das Schmelzgut durch Material
der Tiegelwand kontaminiert, so daß die Qualität der Schmelze
schnell mit zunehmender Betriebsdauer immer schlechter wird.
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Es
ergibt sich daher eine Aufgabe der Erfindung, das sichere Betreiben
eines selbstinduzierenden Skulltiegels bei Potentialdifferenzen
von mehr als 700 V pro Windung des Induktors zu ermöglichen. Es
ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, den Verschleiß eines
selbstinduzierenden Skulltiegels bei derartigen Potentialdifferenzen
pro Windung zu reduzieren.
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Des
Weiteren ist es eine Aufgabe der Erfindung, das kontinuierliche
Einschmelzen und/oder Läutern
von Glas in einem selbstinduzierenden Skulltiegel zu ermöglichen.
Zudem ist es eine Aufgabe der Erfindung, die Gefahr des Eintrags
von Material der Tiegelwand in das Schmelzgut zu vermindern.
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Diese
Aufgaben werden gelöst
mit einem Skulltiegel nach Anspruch 1 und einem Verfahren zum Herstellen
einer Glasschmelze nach Anspruch 35. In Anspruch 32 ist eine Schmelzanlage
angegeben, in welcher der Skulltiegel verwendet wird. Vorteilhafte
Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweils zugeordneten Unteransprüche.
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Die
Erfindung stellt einen Skulltiegel, insbesondere zum kontinuierlichen
Einschmelzen und/oder Läutern
von Glas zur Verfügung,
welcher zumindest eine kühlbare
Seitenwand, welche als Induktor zum induktiven Beheizen einer Glasschmelze ausgebildet
ist und einen Innenraum zur Aufnahme der Glasschmelze definiert,
und eine Isolierung zwischen dem dem Innenraum zugewandten Bereich der
Seitenwand und dem Innenraum umfasst, wobei die Isolierung im Betrieb
des Skulltiegels die Glasschmelze gegenüber der Seitenwand elektrisch
abschirmt.
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Durch
die Isolierung können
in vorteilhafter Weise elektrische Überschläge zwischen der Schmelze und
der Tiegelwand, welche den Induktor bildet, verhindert werden. Gleichzeitig
wird gewährleistet,
daß sich
eine Skullkruste an der Seitenwand ausbildet. Dadurch kann der erfindungsgemäße Skulltiegel
auch bei hohen Potentialdifferenzen sicher betrieben werden. Die
Isolierung schützt
den Skulltiegel zudem vor korrosiven Angriffen und Verschleiß. Ein Eindringen
von Material der Tiegelwand, wie beispielsweise Metallionen, in
das Schmelzgut wird durch die Isolierung deutlich behindert bis
verhindert, so daß die
Qualität
der Glasschmelze auch über
längere
Betriebszeiten in einem zumindest zufriedenstellenden Bereich gehalten
werden kann.
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Die
Erfindung bietet Anwendungsmöglichkeiten
für sämtliche
koppelbaren Gläser.
Durch die Erfindung wird der Bereich der Gläser, die für die induktive Beheizung im
kontinuierlichen Schmelzbetrieb zugänglich sind, deutlich erweitert,
da höhere Spannungen
pro Windung zugelassen werden können,
ohne daß weiterhin
die Gefahr von Überschlägen zwischen
der Schmelze und der Seitenwand, welche den Induktor bildet, besteht.
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In
einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß der Skulltiegel
zumindest eine Anschlussvorrichtung zum Anlegen einer Wechselspannung
an die Seitenwand umfaßt,
welche eine erste elektrische Zuführung und eine von der ersten beabstandete
zweite elektrische Zuführung
aufweist. Die erste und die zweite elektrische Zuführung definieren
einen Zwischenraum. Die Isolierung zwischen dem Innenraum und dem
dem Innenraum zugewandten Bereich der Seitenwand setzt sich in den
Zwischenraum zwischen der ersten und der zweiten elektrischen Zuführung hinein
fort und schirmt im Betrieb des Skulltiegels auch die erste elektrische
Zuführung
gegenüber
der zweiten elektrischen Zuführung
elektrisch ab. So wird vorteilhafterweise zudem die Gefahr elektrischer Überschläge zwischen
den elektrischen Zuführungen
des Induktors reduziert.
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In
einer Weiterbildung der Erfindung kann die Isolierung auch den Bodenbereich
des Skulltiegels gegenüber
der Schmelze isolieren. Dafür
ist vorgesehen, daß die
Seitenwand des Skulltiegels über
einer Bodenplatte angeordnet ist, und die Isolierung zwischen dem
dem Innenraum zugewandten Bereich der Seitenwand und dem Innenraum
sich in den Bereich zwischen der Bodenplatte und dem Innenraum fortsetzt,
wobei die Isolierung im Betrieb des Skulltiegels die Glasschmelze
auch gegenüber
der Bodenplatte elektrisch abschirmt.
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Die
Erfindung bietet zudem den Vorteil, die Gefahr von Überschlägen auch
zwischen der Seitenwand und der Bodenplatte zu verhindern. Dazu
ist vorgesehen, daß die
Seitenwand und die Bodenplatte voneinander beabstandet angeordnet
sind und die Isolierung zwischen dem dem Innenraum zugewandten Bereich
der Seitenwand und dem Innenraum sich in den Bereich zwischen der
Seitenwand und der Bodenplatte fortsetzt, wobei die Isolierung im
Betrieb des Skulltiegels auch die Seitenwand gegenüber der Bodenplatte
elektrisch abschirmt.
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Die
erfindungsgemäße Isolierung
zwischen dem dem Innenraum zugewandten Bereich der Seitenwand und
dem Innenraum ermöglicht
es, daß der Skulltiegel
auch bei hochfrequenten Wechselspannungen mit einer Amplitude von
mehr als 700 V pro Windung des Induktors, bevorzugt bei hochfrequenten
Wechselspannungen mit einer Amplitude von mehr als 1000 V pro Windung
des Induktors, insbesondere bei hochfrequenten Wechselspannungen mit
einer Amplitude von mehr als 1500 V pro Windung des Induktors kontinuierlich
betreibbar ist.
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Unter
dem Begriff ”hochfrequente
Wechselspannung” wird
dabei jede zeitlich veränderliche Spannung
verstanden, mit der der Induktor ein solches elektromagnetisches
Feld in der Schmelze erzeugen kann, daß die Schmelze induktiv beheizt wird.
Dieser Bereich umfasst im Falle insbesondere schlecht leitfähiger, nichtoxidischer
Schmelzen den Frequenzbereich von 50 kHz bis 2 MHz. Der Verlauf der
Spannung über
der Zeit kann beispielsweise eine Rechteckspannung, eine Dreieckspannung,
eine Sägezahnspannung
oder eine sinusförmige
Wechselspannung umfassen.
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In
einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die kühlbare Seitenwand
des Skulltiegels als Induktor mit einer Windung ausgebildet. Durch diese
minimale Windungszahl der Primärspule
kann die gesamte angelegte Spannungsdifferenz in einer Windung zum
Ausbilden eines elektromagnetischen Feldes genutzt werden. Steht
unter diesen Umständen
die Skullkruste als einzige Isolation zwischen der Schmelze und
der Wand des Skulltiegels, ist die Gefahr von Spannungsübersschlägen zwischen
der Schmelze und dem Tiegel sehr groß. Zudem korrodiert der Tiegel
schnell. Durch die Isolierung zwischen dem dem Innenraum zugewandten
Bereich der Seitenwand und dem Innenraum wird jedoch die Seitenwand gegenüber der
Schmelze elektrisch abgeschirmt und so die Möglichkeit für einen einwindigen selbstinduzierenden
Skulltiegel geschaffen, der eine hohe Betriebssicherheit hat.
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In
einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen,
daß der
Skulltiegel zumindest eine Entnahmevorrichtung umfaßt, welche
in einer Öffnung
in der Seitenwand angeordnet ist und einen Zwischenraum zwischen
der Entnahmevorrichtung und der Seitenwand definiert. Die Isolierung
zwischen dem dem Innenraum zugewandten Bereich der Seitenwand und
dem Innenraum setzt sich in den Zwischenraum zwischen der Entnahmevorrichtung und
der Seitenwand hinein fort und schirmt im Betrieb des Skulltiegels
auch die Entnahmevorrichtung gegenüber der Seitenwand elektrisch
ab. Dadurch kann die Gefahr von Überschlägen zwischen
dem Entnahmesystem und der Seitenwand des Induktors deutlich reduziert
werden.
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Die
Erfindung ermöglicht
eine je nach Einbausituation des Skulltiegels flexibel an die gegebenen
Voraussetzungen anpaßbare
Gestaltung des Entnahmesystems. In einer weiteren Ausgestaltung der
Erfindung ist daher vorgesehen, daß der Skulltiegel zumindest
eine Entnahmevorrichtung umfaßt, welche
in einer Öffnung
der Bodenplatte angeordnet ist und einen Zwischenraum zwischen der
Entnahmevorrichtung und der Bodenplatte definiert, wobei sich die
Isolierung zwischen dem dem Innenraum zugewandten Bereich der Seitenwand
und dem Innenraum in den Bereich zwischen der Bodenplatte und dem
Innenraum und in den Zwischenraum zwischen der Entnahmevorrichtung
und der Bodenplatte hinein fortsetzt. Die Isolierung schirmt im
Betrieb des Skulltiegels auch die Entnahmevorrichtung gegenüber der Bodenplatte
elektrisch ab.
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Die
Entnahme der Schmelze aus dem Skulltiegel kann mit dem erfindungsgemäßen Skulltiegel vorteilhafterweise
nahezu an jedem Punkt der Seitenwand und/oder der Bodenplatte erfolgen.
Der Bereich zwischen der Seitenwand des selbstinduzierenden Skulltiegels
beziehungsweise dessen Bodenplatte auf der einen und der Entnahmekonstruktion auf
der anderen Seite ist dabei durch die erfindungsgemäße Isolierung
elektrisch isoliert ausgeführt.
Die Entnahmevorrichtung kann zumindest ein Edelmetall und/oder Keramik
und/oder Glas umfassen. Je nach Temperaturbeständigkeit des eingesetzten Materials kann
die Entnahmevorrichtung vorteilhafterweise zumindest bereichsweise
kühlbar
ausgestaltet sein. Insbesondere kann die Entnahmevorrichtung unabhängig von
der Seitenwand des Skulltiegels kühlbar sein.
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Um
die elektrische Isolation im Kontaktbereich zwischen der Wand des
Skulltiegels und der Entnahmekonstruktion zu verbessern, ist die
Entnahmevorrichtung im Rahmen der Erfindung mit einem Isoliermittel
versehen. Das Isoliermittel kann Glas, insbesondere Kieselglas,
und/oder Keramik aufweisen. Das Isoliermittel kann als Schicht zwischen
der Entnahmevorrichtung und der Tiegelwand ausgestaltet sein. Das
Isoliermittel kann insbesondere zumindest bereichsweise kühlbar ausgestaltet
sein, um dessen thermische Belastung reduzieren zu können.
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Die
Isolierung, welche im Betrieb des Skulltiegels zumindest die Schmelze
gegenüber
der Seitenwand des Skulltiegels elektrisch abschirmt, kann in einer
bevorzugten Weiterbildung der Erfindung als Isolationsschicht ausgebildet
sein. Eine Isolationsschicht bietet eine konstruktiv einfache Möglichkeit, eine zumindest
im Kontaktbereich zur Glasschmelze vollflächige Abschirmung zwischen
der Seitenwand und der Schmelze zu erreichen.
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Die
Mindestdicke der Isolationsschicht richtet sich nach der Durchschlagsfestigkeit
beziehungsweise Isolationswirkung des eingesetzten Materials. Einerseits
muß gewährleistet
sein, daß es
bei den in Betrieb auftretenden Spannungsdifferenzen zwischen der
Schmelze und der als Induktor wirkenden Seitenwand nicht zum Überschlag
kommt. Andererseits darf die Kühlwirkung
des Wandinduktors durch die Isolationsschicht nicht derart abgeschwächt werden,
daß die
Ausbildung der Skullkruste behindert wird. Als besonders vorteilhaft
haben sich in diesem Zusammenhang Isolationsschichten mit einer
Dicke im Bereich von kleiner als etwa 5 mm, insbesondere mit einer
Dicke im Bereich größer als
etwa 0,5 mm und kleiner als etwa 3 mm erwiesen.
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Die
Isolierung kann aus unterschiedlichen Materialien bestehen und auf
unterschiedliche Art und Weise angebracht beziehungsweise installiert werden.
Beispielsweise kann die Isolierung, insbesondere die Isolationsschicht,
SiO2, insbesondere Quarzglas und/oder Kieselglas
und/oder kristallines SiO2, und/oder Al2O3 und/oder MgO
und/oder ZrO2 und/oder ZrSiO4 und/oder
Y2O3 und/oder CaO und/oder
TiO2 und/oder Mischungen dieser Materialien
umfassen. Insbesondere für
reduktionsunempfindliche Gläser
kann die Isolierung Diamond Like Carbon (DLC) umfassen. Mit derartigen
Materialien können
temperaturstabile, das heißt
je nach Art der Schmelze im Wesentlichen stabil gegen Verschleiß bis 1600°C, korrosionsfeste
und gut wärmeleitfähige Isolierungen
mit einem Wärmeleitvermögen von
1 W·m–1·K–1,
wie beispielsweise Quarzglas, bis 30 W·m–1·K–1,
wie beispielsweise Aluminiumoxid, für den erfindungsgemäßen Skulltiegel
geschaffen werden. Vorteilhafterweise ist die Wärmeleitfähigkeit der Isolationsschicht
größer als
die der teilkristallinen Skullkruste.
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Im
Rahmen der Erfindung ist es möglich,
die Isolierung mit verschiedenen Verfahren anzubringen beziehungsweise
aufzubringen. Insbesondere sieht die Erfindung vor, daß die Isolierung
zumindest auf dem dem Innenraum zugewandten Bereich der Seitenwand
und/oder der Bodenplatte aufgespritzt und/oder aufgedampft und/oder
aufgegossen und/oder aufgeschlickert ist. Die Isolierung kann des weiteren
zumindest in dem dem Innenraum zugewandten Bereich der Seitenwand
und/oder der Bodenplatte eingebrannt sein. Die Isolationsschicht kann
elektrochemisch erzeugt sein.
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In
einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Isolierung
einen Isolationstiegel umfaßt.
Der Isolationstiegel hat einen Boden und eine Seitenwand, welche
sich an den Boden anschließt,
so daß ein
topfartiger Isolationstiegel gebildet wird. Materialien für einen
derartigen Isolationstiegel können
Glas und/oder Keramik umfassen und so zum einen eine ausreichende
mechanische Festigkeit und zum anderen hinreichende elektrische Isolationseigenschaften
haben. In einer bevorzugten Ausgestaltung weist der Boden und/oder
die Seitenwand des Isolationstiegels eine Wandstärke im Bereich von kleiner
als etwa 1 cm, insbesondere eine Wandstärke im Bereich größer als
etwa 0,5 mm und kleiner als etwa 3 mm auf.
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Die
Oberflächenstruktur
des Isolationstiegels und der Seitenwand, welche den Induktor bildet, kann
im Rahmen der Erfindung auch derart gestaltet sein, daß eine formschlüssige, innige
Verbindung entsteht und damit die Fläche für den abzuführenden Wärmestrom über die Vergrößerung der
Oberfläche erhöht und so
die Kühlleistung
vergrößert werden kann.
Dazu ist vorgesehen, daß zumindest
der dem Innenraum zugewandte Bereich der Seitenwand und zumindest
der der Seitenwand zugewandte Bereich des Isolationstiegels zueinander
komplementäre Strukturen
zur Bildung einer formschlüssigen
Verbindung zwischen Seitenwand und Isolationstiegel aufweisen.
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In
einer vorteilhaften Ausgestaltung weist der Skulltiegel einen kreisförmigen Querschnitt
auf, und der dem Innenraum zugewandte Bereich der Seitenwand und
der der Seitenwand zugewandte Bereich des Isolationstiegels umfassen
zueinander komplementäre
Gewinde. Der Isolationstiegel kann dabei beispielsweise mit dem
Skulltiegel verschraubt werden. Eine weitere mögliche Ausgestaltung der Erfindung
sieht vor, daß der
dem Innenraum zugewandte Bereich der Seitenwand und der der Seitenwand
zugewandte Bereich des Isolationstiegels zueinander komplementäre Nuten
und in die Nuten passende Erhebungen, insbesondere parallel zur
Längsachse des
Skulltiegels und des Isolationstiegels, aufweisen, so daß der Isolationstiegel
in den Skulltiegel hinein geschoben werden kann.
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Um
in vorteilhafter Weise einen guten, möglichst vollflächigen mechanischen
beziehungsweise thermischen Kontakt zwischen der Isolierung und
der im Betrieb gekühlten
Seitenwand des Skulltiegels, die gleichzeitig den Induktor bildet,
herzustellen, ist in einer vorteilhaften Weiterbildung vorgesehen,
daß der
Skulltiegel zumindest zwischen der Isolierung und der Seitenwand
ein Kontaktmittel aufweist, welches einen im wesentlichen vollflächigen Kontakt zwischen
der Isolierung und der Seitenwand des Skulltiegels herstellt. Insbesondere
kann der Skulltiegel zwischen dem Isolationstiegel und der Seitenwand
ein Kontaktmittel aufweisen, welches einen im wesentlichen vollflächigen Kontakt
zwischen dem Isolationstiegel und der Seitenwand des Skulltiegels herstellt.
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Ein
solcher Kontakt kann durch das Ausgießen mit einer keramischen und/oder
glasartigen Schlickermasse hergestellt werden. Aber auch das Ausgießen mit
einem Metall und/oder einer Metallegierung ist möglich. Das Kontaktmittel umfaßt im Rahmen
der Erfindung insbesondere eine glasige und/oder eine keramische
Schlickermasse. Des Weiteren kann das Kontaktmittel ein Metall und/oder
eine Metallegierung umfassen. Das Metall und/oder die Metallegierung
sind so gewählt,
daß sie
einen derart niedrigen Schmelzpunkt haben, daß das Kontaktmittel im Betrieb
des Skulltiegels im wesentlichen flüssig ist. Durch das flüssige Metall
und/oder die flüssige Metallegierung,
welche sich im Betrieb des Skulltiegels zwischen der Isolierung
und dem dem Innenraum zugewandten Bereich der Seitenwand befindet, kann
ein besonders guter Kontakt zwischen der gekühlten Seitenwand und der Isolierung
erzeugt werden.
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So
stellen sich je nach der Art der Schmelze bei Schmelztemperaturen
von 1400°C,
typische Temperaturen von 100°C
bis 300°C
zwischen der Isolationsschicht und dem Induktortiegel ein. In diesem
Temperaturbereich gibt es eine Reihe geeigneter Metalllegierungen,
die flüssig
vorliegen und für eine
sehr gute Kontaktierung sorgen. So sind extrem tiefschmelzende Metalllegierungen
wie beispielsweise ”Woodsches
Metall” (50%
Bi, 25% Pb, 12,5% Sn, 12,5% Cd) mit einem Schmelzpunkt von 70°C oder ”Galinstan” (62,5%
Ga, 21,5% In, 16% Sn) mit einem Schmelzpunkt von 11°C geeignet.
Aber auch höher schmelzende
Verbindungen, die erst im Laufe des Einkoppelprozesses aufschmelzen,
wie beispielsweise 50% Bi, 28% Pb, 22% Sn mit einem Schmelzpunkt von
100°C oder
auch 3,5% Ag, 96,5% Sn mit einem Schmelzpunkt von 221°C sind geeignet
und haben den Vorteil, billiger und weniger umwelt- und gesundheitsgefährdend zu
sein, vorstehende Angaben in Gewichts%.
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Für besonders
korrosive Schmelzen ist es vorteilhaft, die Kontaktstelle zwischen
der Tiegelwand, der Skullkruste beziehungsweise Glasschmelze und
der damit in Kontakt stehenden Atmosphäre in einen hinsichtlich des
Verschleißes
des Tiegelmaterials durch Korrosion relativ unkritischen Bereich außerhalb
des eigentlichen Induktionstiegels zu verlegen. Dies kann in besonders
einfacher Weise durch Abwinkelung des oberen Randes der Seitenwand des
Skulltiegels, welche den Induktor bildet, insbesondere um 90° realisiert
werden. Der entsprechende Skulltiegel umfaßt einen Kragen, welcher durch das
Abwinkeln der Seitenwand in Bezug auf die Längsachse des Skulltiegels gebildet
ist.
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In
dem erfindungsgemäßen Skulltiegel
wird die Schmelze im Kontakt mit der Skullkruste und damit quasi
in arteigenem Material geschmolzen, so daß Kontamination des Schmelzgutes
durch Material des Schmelzgefäßes weitgehend
unterbunden wird. Das Material des Skulltiegels kann je nach Anforderungen
des Anwendungsfalls ausgewählt
werden. Der Skulltiegel kann Kupfer, Messing, Aluminium, nichtmagnetischen
Edelstahl und/oder Edelmetall umfassen. Insbesondere ist im Rahmen
der Erfindung vorgesehen, daß die
Seitenwand, welche als Induktor zum induktiven Beheizen der Glasschmelze ausgebildet
ist, zumindest ein Metall, insbesondere Kupfer und/oder Aluminium
und/oder zumindest eine Metallegierung, insbesondere eine Kupferlegierung und/oder
Aluminiumlegierung aufweist.
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Die
Isolierung, welche die Seitenwand des selbstinduzierenden Skulltiegels
elektrisch gegenüber
der Schmelze isoliert, schützt
gleichzeitig auch die Schmelze gegenüber einer möglichen Kontamination durch
Metallionen aus dem Material der Seitenwand beziehungsweise des
Induktors. Für
die Seitenwand kann deshalb das Material im Hinblick auf eine hohe
Wärmeleitfähigkeit
und gute Bearbeitungseigenschaften ausgewählt werden. Besonders bevorzugt
für die
Kombination mit einem Kontaktierungsmittel aus einer flüssigen Metallegierung
ist dabei ein Metall für
die Seitenwand, welche den Induktor bildet, daß eine hohe Korrosionsstabilität gegenüber dem
Kontaktierungsmittel aufweist.
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Beispielsweise
können
als Induktormaterialien harteleoxierte – das heißt mit einer extrem dünnen, aber
extrem harten Aluminiumoxidschicht versehene – Aluminiumlegierungen wie
AlMgSi0,5, AlMgSi1, AlMg3 oder AlMg5 verwendet werden.
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Es
kommen aber auch korrosionsfeste Nickelbasislegierungen wie beispielsweise
Inconel 600® zum
Einsatz. Als Kontaktierungsmittel können extrem tiefschmelzende
Metalllegierungen wie beispielsweise ”Woodsches Metall” (50% Bi,
25% Pb, 12,5% Sn, 12,5% Cd) mit einem Schmelzpunkt von 70°C, ”Galinstan” (62,5%
Ga, 21,5% In, 16% Sn) mit einem Schmelzpunkt von 11°C, 50% Bi,
28% Pb, 22% Sn mit einem Schmelzpunkt von 100°C oder auch 3,5% Ag, 96,5% Sn
mit einem Schmelzpunkt von 221°C
verwendet werden.
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Ein
erfindungsgemäßer selbstinduzierender Skulltiegel
mit einer Windung kann in vorteilhaft einfacher Weise für unterschiedliche
Anwendungsfälle variabel
aufgebaut werden, indem die Erfindung einen Skulltiegel bereit stellt,
dessen Seitenwand modular aufgebaut ist. Ein derartiger Skulltiegel
ist Gegenstand der deutschen Patentanmeldung
DE 10 2005 054 319 A1 der
Anmelderin. Die Offenbarung dieser Anmeldung zum modularen Aufbau
der Seitenwand des Skulltiegels wird hiermit durch Bezugnahme vollumfänglich in
die Offenbarung der vorliegenden Anmeldung aufgenommen.
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Eine
derartig modular aufgebaute Seitenwand besteht aus Segmenten aus
Vollmaterial und ist so konstruiert, daß keinerlei Fügestellen
im Kontaktbereich der Seitenwand zur Schmelze auftreten. Zudem sind
die vorhandenen Fügestellen
auf ein Mindestmaß beschränkt und
in unkritische Bereiche außerhalb
des Kontaktes zwischen Schmelze und Tiegel verlegt. Dadurch wird
vorteilhafterweise konstruktiv eine erhöhte Stabilität, Festigkeit
und Widerstandsfähigkeit
der Bauteile gegenüber
Verschleiß erreicht.
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Im
Rahmen der Erfindung ist vorgesehen, daß die Seitenwand, welche als
Induktor zum induktiven Beheizen der Glasschmelze ausgebildet ist,
zumindest ein erstes und ein zweites Grundbegrenzungselement umfaßt, welches
eine Platte aus Vollmaterial aufweist, die eine im wesentlichen
ebene Schmelzkontaktfläche,
eine Bodenfläche
zum Aufstellen des Grundbegrenzungselements auf die Bodenplatte
des Skulltiegels, eine Außenfläche, sowie eine
erste und eine zweite Anschlußfläche umfaßt. Zumindest
die erste Anschlußfläche des
ersten Grundbegrenzungselementes ist komplementär zu zumindest einer Anschlußfläche des
zweiten Grundbegrenzungselementes ausgebildet, um das erste Grundbegrenzungselement
an das zweite Grundbgrenzungselement zum Aufbau zumindest eines Teils
der Seitenwand des Skulltiegels anzuschließen. Beim Anschließen des
ersten an das zweite Grundbegrenzungselement kann ein Formschluß ausgebildet
werden. Die Platte aus Vollmaterial weist zumindest einen, in ihrem
Innern angeordneten Kanal auf, welcher von einem Kühlmedium
durchströmt
werden kann. Die Wandstärken
und der Querschnitt der Kühlkanäle ist vorteilhafter
Weise so ausgelegt, daß eine
effiziente Wärmeabfuhr
von den Kontaktflächen zwischen
Seitenwand und Skullkruste beziehungsweise Schmelze ermöglicht wird.
-
Um
die induktiv in die Schmelze eingetragene Heizleistung in einem
möglichst
großen
Teil der Schmelze nutzen zu können
und so die pro Zeit schmelzbare Menge an Scherben und/oder Gemenge
zu erhöhen,
sieht die Erfindung vorteilhafterweise vor, daß der Skulltiegel zumindest
eine Rühreinrichtung
zum Rühren
der Schmelze im Skulltiegel, insbesondere während des Einschmelzens, umfaßt. Der Skulltiegel
kann des Weiteren zumindest eine Gaseinleitungseinrichtung zum Einleiten
von Gas in die Glasschmelze, insbesondere zum Beschleunigen des
Einschmelzens von Scherben und/oder Gemenge durch sogenanntes ”bubbling” umfassen.
-
Der
erfindungsgemäße Skulltiegel
kann insbesondere als Teil einer Schmelzanlage zum kontinuierlichen
Herstellen von Glasprodukten eingesetzt werden. Die Erfindung stellt
somit eine Schmelzanlage zur Verfügung mit zumindest einer Einlegevorrichtung
zum Einlegen von Scherben und/oder Gemenge auf das Schmelzgut in
einen Skulltiegel, zumindest einem Skulltiegel wie er oben beschrieben
ist, zum Einschmelzen und/oder Läutern
von Glas und zumindest einer Entnahmeeinrichtung zum kontinuierlichen Entnehmen
von Schmelze aus dem Skulltiegel. Das Einlegen kann in einer bevorzugten
Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Schmelzanlage
an den Durchsatz gekoppelt erfolgen. Hierzu wird das Niveau des
Schmelzstandes in der Anlage gemessen und bei unterschreiten eines
festgelegten Wertes der Einlegeprozess gestartet.
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In
einer vorteilhaften Weiterbildung umfaßt die Schmelzanlage zumindest
eine insbesondere dem Skulltiegel nachgeschaltete Homogenisiereinrichtung.
Die über
das Entnahmesystem dem Skulltiegel kontinuierlich entnommene Schmelze
wird der Homogenisiereinrichtung, vorzugsweise unmittelbar, zugeführt, um
das Homogenisieren bei den nach dem Einschmelzen und/oder Läutern hohen
Temperaturen effizient durchzuführen.
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Die
Schmelzanlage kann des weiteren zumindest eine Formgebungseinrichtung
umfassen. Die Formgebungseinrichtung ist insbesondere der Entnahmeeinrichtung
und/oder der Homogenisiereinrichtung nachgeschaltet. Das dem Skulltiegel
entnommene, geschmolzene und gegebenenfalls geläuterte und/oder homogenisierte
Schmelzgut wird in der Formgebungseinrichtung unmittelbar weiterverarbeitet.
Damit ermöglicht
die Erfindung das kontinuierliche Herstellen geformter Glasprodukte.
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Um
Gemenge in einem direkt induktiv beheizten Skulltiegel, bei dem
die Kühlmittel
gekühlte Tiegelwand
gleichzeitig der Induktor ist, kontinuierlich mit hoher Leistung
Aufschmelzen zu können,
stellt die Erfindung ein Verfahren zum kontinuierlichen Herstellen
einer Glasschmelze mit folgenden Schritten zur Verfügung:
- a) Bereitstellen eines Skulltiegels mit zumindest einer
gekühlten
Seitenwand, welchen einen Induktor zum induktiven Beheizen der Glasschmelze
bildet, wobei der Skulltiegel zwischen dem dem Innenraum des Skulltiegels
zugewandten Bereich der Seitenwand und dem Innenraum eine Isolierung
umfaßt,
welche die Glasschmelze gegenüber
der Seitenwand elektrisch isoliert,
- b) kontinuierliches induktives Beheizen von Gemenge und/oder
Scherben und/oder der Glasschmelze im Innenraum des Skulltiegels
bei einer Spannung mit einer Amplitude von mehr als 700 V pro Windung
des Induktors, bevorzugt bei einer Spannung mit einer Amplitude
von mehr als 1000 V pro Windung des Induktors, insbesondere bei einer
Spannung mit einer Amplitude von mehr als 1500 V pro Windung des
Induktors.
-
In
einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens
umfaßt
dieses zudem den Schritt
- c) kontinuierliches
Entnehmen der Schmelze aus dem Skulltiegel.
-
Zum
induktiven Beheizen wird vorzugsweise eine hochfrequente Wechselspannung,
insbesondere im Bereich von 50 kHz bis 2 Mhz eingesetzt.
-
Zumindest
im Anschlußbereich
des Induktors wird im Rahmen der Erfindung eine korrosionsstabile,
hochtemperaturbelastbare Isolierung angeordnet. Das erfindungsgemäße Verfahren
kann vorteilhafterweise den weiteren Schritt
- d)
Kühlen
der Isolierung, insbesondere unabhängig von der Kühlung der
Seitenwand des Skulltiegels umfassen.
-
Durch
die Kühlung
der Isolierung wird die Wäremabfuhr
und somit die Ausbildung der Skullkruste vorteilhafterweise begünstigt.
Das erfindungsgemäße Verfahren
kann des Weiteren den Schritt
- e) kontinuierliches
Homogenisieren der Schmelze
umfassen. Zudem kann das Verfahren
den Schritt - f) kontinuierliches Zuführen der
Schmelze an zumindest eine Formgebungseinrichtung
aufweisen.
-
Die
Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
anhand von Ausführungsbeispielen
näher erläutert. Dieselben Bauteile
sind in allen Darstellungen mit den selben Bezugszeichen versehen.
Es zeigen:
-
1 eine
schematische Darstellung einer Aufsicht auf den selbstinduzierenden
Skulltiegel gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung,
-
2 eine
schematische Darstellung eines Querschnitts durch den selbstinduzierenden
Skulltiegel gemäß der ersten
Ausführungsform
der Erfindung,
-
3 eine
schematische Darstellung eines Längsschnitts
durch den selbstinduzierenden Skulltiegel gemäß der ersten Ausführungsform
der Erfindung,
-
4 eine
schematische Darstellung eines Längsschnitts
durch den selbstinduzierenden Skulltiegel gemäß einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung,
-
5 eine
schematische Darstellung der miteinander in Kontakt stehenden Materialien
zwischen Schmelze und Kühlmedium
in der Seitenwand des selbstinduzierenden Skulltiegels gemäß einer dritten
Ausführungsform
der Erfindung,
-
6 eine
schematische Darstellung der Entnahmevorrichtung für den selbstinduzierenden Skulltiegel
gemäß einer
weiteren Ausführungsform der
Erfindung im Querschnitt,
-
7 eine
schematische Darstellung des selbstinduzierenden Skulltiegels im
Längsschnitt
gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung mit einer Brücke,
-
8 eine
schematische Darstellung des selbstinduzierenden Skulltiegels gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung im Längsschnitt,
-
9 eine
schematische Darstellung einer Platte aus Vollmaterial für die Seitenwand
des selbstinduzierenden Skulltiegels gemäß einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung in perspektivischer Darstellung.
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In 1 ist
ein Skulltiegel 1 mit im wesentlichen kreisförmigem Querschnitt
dargestellt. Eine Schmelze 10 wird im Innenraum des Skulltiegels 1 gehalten.
Der Innenraum wird welcher im wesentlichen von der Seitenwand 2 definiert.
Die Seitenwand 2 ist mittels eines Kühlmediums gekühlt. Die
Anschlüsse
an der Seitenwand für
das Kühlmedium sind
in den Figuren nicht dargestellt.
-
Der
Skulltiegel 1 umfaßt
eine Anschlußvorrichtung 50 zum
Anlegen einer Wechselspannung. Die Anschlußvorrichtung 50 umfaßt eine
erste elektrische Zuführung 51 und
eine zweite elektrische Zuführung 52. Über die
elektrischen Zuführungen 51 und 52 wird
eine Wechselspannung an die Seitenwand 2, welche einen
einwindigen Induktor darstellt, angelegt. In Reaktion auf die sich
ausbildenden elektromagnetischen Felder wird die Schmelze 10 im Skulltiegel 1 temperiert.
-
Der
Skulltiegel 1 umfaßt
eine Entnahmevorrichtung 16, über welche die Schmelze 10 aus
dem Skulltiegel 1 entnommen werden kann. Über die
Entnahmevorrichtung 16 ist die Schmelze 10 geerdet. Um
zu gewährleisten,
daß es
bei einer Spannungsdifferenz zwischen der über die Entnahmevorrichtung 16 geerdeten
Schmelze 10 und der Seitenwand 2 nicht zu einem
elektrischen Überschlag
zwischen der Schmelze 10 und der Seitenwand 2 kommt,
ist eine Isolierung 21 zwischen der dem Innenraum zugewandten
Seite 12 der Seitenwand 2 und dem Innenraum, in
welchem sich in Betrieb des Skulltiegels 1 die Schmelze 10 befindet,
eingebracht.
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In
dem in 1 gezeigten Beispiel ist die Isolierung 21 als
Isolationsschicht dargestellt. Die Isolierung 21 setzt
sich in den Zwischenraum 5 zwischen der ersten elektrischen
Zuführung 51 und
der zweiten elektrischen Zuführung 52 hinein
fort. Dadurch kann das Ausbilden von elektrischen Überschlägen zwischen
der ersten und der zweiten elektrischen Zuführung 51, 52 nahezu
vollständig
verhindert werden.
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In 2 ist
ein Querschnitt in dem selbstinduzierenden Skulltiegel 1 in
Höhe der
Entnahmevorrichtung 16 dargestellt. Die Entnahmevorrichtung 16 ist
in einer Öffnung
der Seitenwand 2 positioniert. Zwischen der Entnahmevorrichtung 16 und
der Öffnung
in der Seitenwand 2 besteht ein Zwischenraum 162.
Die Isolierung 21, welche die Schmelze 10 gegenüber der
Seitenwand 2 elektrisch abschirmt, ist in den Zwischenraum 162 zwischen
der Entnahmevorrichtung 16 und der Seitenwand 2 des
Skulltiegels 1 hinein fortgesetzt. Auf diese Weise werden
auch Überschläge zwischen
der Entnahmevorrichtung 16 und der Seitenwand 2 nahezu
vollständig
unterbunden.
-
In 3 ist
ein Längsschnitt
durch den selbstinduzierenden Skulltiegel 1 gemäß der ersten Ausführungsform
der Erfindung in der Ebene zwischen der ersten und der zweiten elektrischen
Zuführung 51 und 52 und
durch die Entnahmevorrichtung 16 gezeigt. Die Schmelze 10 wird
gegenüber
dem Skulltiegel 1 nahezu vollständig von der Isolierung 21 abgeschirmt.
Darüber
hinaus übernimmt
die Isolierung 21 des Weiteren die Funktion, den Zwischenraum 5 zwischen
der ersten und der zweiten elektrischen Zuführung 51, 52 der
elektrischen Anschlußvorrichtung 50 zum
Anlegen der Wechselspannung soweit auszufüllen, daß die Gefahr elektrischer Überschläge zwischen
der ersten und der zweiten elektrischen Zuführung 51 und 52 deutlich
reduziert werden kann.
-
In
der Ansicht in 3 erkennt man des weiteren,
daß die
Seitenwand 2 über
einer Bodenplatte des Skulltiegels 1 angeordnet ist, wobei
ein Zwischenraum 23 zwischen dem Boden und der Seitenwand 2 des
Skulltiegels 1 entsteht. Im gezeigten Beispiel ist die
Bodenplatte ebenso wie die Seitenwand 2 gekühlt, so
daß ein
Skullboden 31 vorliegt. Die Kühlmittelanschlüsse für die Bodenplatte
sind in den Figuren nicht dargestellt. Die Isolierung 21 setzt
sich auch in den Zwischenraum 23 zwischen den Skullboden 31 und
der Seitenwand 2 des Skulltiegels 1 hinein fort.
Dadurch kann die Isolierung 21 ferner die Gefahr von elektrischen Überschlägen zwischen
der Seitenwand 2 und dem Skullboden 31 des Skulltiegels 1 deutlich
verringern.
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In 4 ist
ein selbstinduzierender Skulltiegel 1 gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung schematisch im Längsschnitt
dargestellt. Bei der in 4 schematisch dargestellten
zweiten Ausführungsform
des erfindungsgemäßen selbstinduzierenden
Skulltiegel 1 befindet sich die Anschlußvorrichtung 50 zum
Anlegen einer Wechselspannung mit der ersten und zweiten elektrischen
Zuführung 51 und 52 nicht
genau gegenüber
der Entnahmevorrichtung 16.
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Der
Skulltiegel 1 umfaßt
eine Seitenwand 2, welche über einer Bodenplatte des Skulltiegels 1,
die als Skullboden 31, ausgeführt ist, angeordnet ist. Die Seitenwand 2 definiert
einen Innenraum zur Aufnahme einer Schmelze 10. Zwischen
dem dem Innenraum zugewandten Bereich 12 der Seitenwand 2 und der
Schmelze 10 ist eine Isolierung 21 positioniert. Zwischen
dem Skullboden 31 und der Seitenwand 2 ist ein
Zwischenraum 23 definiert. Die Isolierung 21 setzt
sich in den Zwischenraum 23 hinein fort und schirmt so
die Seitenwand 2 gegenüber
dem Skullboden 31 elektrisch ab.
-
Der
Skulltiegel 1 umfaßt
des Weiteren eine Entnahmevorrichtung 16. Die Entnahmevorrichtung 16 ist
in einer Öffnung
der Seitenwand 2 angeordnet, wobei ein Zwischenraum 162 definiert
wird. Die Isolierung 21 setzt sich in den Zwischenraum 162 zwischen
der Entnahmevorrichtung 16 und der Seitenwand 2 hinein
fort. Die Isolierung 21 trägt damit auch dazu bei, die
Gefahr elektrischer Überschläge zwischen
der Seitenwand 2 und der Entnahmevorrichtung 16 zur
verringern.
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In
der in den 1 bis 3 und 4 dargestellten
ersten und zweiten Ausführungsform
der Erfindung ist die Isolierung 21 als Isolationsschicht dargestellt,
welche auf dem dem Innenraum zur Aufnahme einer Schmelze 10 zugewandten
Bereich 12 einer Seitenwand 2 aufgebracht ist.
Die Isolierung 21 kann in einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung auch von der Seitenwand 2 beabstandet positioniert
sein. Insbesondere kann ein Isoliertiegel verwendet werden. In 5 ist
eine entsprechende schematische Darstellung im Querschnitt in vergrößerten Detail
durch den der Seitenwand zugewandten Bereich der Schmelze 10 bis
in die Seitenwand dargestellt.
-
Die
Seitenwand 2 umfaßt
zumindest einen Kanal, in welchem ein Kühlmedium 40, beispielsweise
Wasser, fließt.
Durch das Kühlmedium 40 wird
insbesondere der dem Innenraum zur Aufnahme einer Schmelze 10 zugewandte
Bereich 12 der Seitenwand 2 gekühlt. Zwischen
dem dem Innenraum zur Aufnahme einer Schmelze 10 zugewandten
Bereich 12 der Seitenwand 2 und der Schmelze 10 ist
als Isolierung 21 ein Isoliertiegel positioniert. Um die
Ausbildung der Skullkruste 9 am Übergang zwischen der Schmelze 10 und
dem Skulltiegel zu fördern,
wird die Wärmeabfuhr
aus dem Bereich, in welchem sich die Skullkruste 9 ausbildet,
erhöht,
indem zwischen der Isolierung 21, welche mit der Skullkruste 9 in
Verbindung steht, und dem dem Innenraum zur Aufnahme der Schmelze 10 zugewandten
Bereich 12 der Seitenwand 2 ein Kontaktmittel 7 bereit
gestellt wird. Durch das Kontaktmittel 7, welches beispielsweise im
Betrieb des Skulltiegels flüssig
ist, wird der thermische Kontakt zwischen der Isolierung 21 und
dem Bereich 12 der Seitenwand 2, welche thermisch
mit dem Kühlmittel 40 in
Kontakt steht, geschlossen.
-
In 6 ist
ein Ausschnitt aus einem selbstinduzierenden Skulltiegel 1 mit
einer Entnahmevorrichtung 16 gemäß einer weiteren Ausführungsform der
Erfindung schematisch dargestellt. Mit Hilfe der Entnahmevorrichtung 16 wird
die Schmelze 10 durch die Seitenwand 2 des Skulltiegels
hindurch entnommen. Die Seitenwand 2 ist mit einer Isolationsschicht 21 versehen. Über die – nicht
dargestelle – Kühlung der
Seitenwand 2 wird auch die Isolationsschicht 21 gekühlt, so
daß sich
auf der Isolationsschicht 21 eine Skullkruste 9 aus
dem Material der Schmelze 10 ausbildet.
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Die
Entnahmevorrichtung 16 ist mit einem Isoliermittel 163 versehen. Über das
Isoliermittel 163 wird die Entnahmevorrichtung 16 gegenüber der
Seitenwand 2 elektrisch abgeschirmt. Das Isoliermittel 163 wirkt
zudem als Dichtungseinsatz und trägt zum Verschließen des
Zwischenraums zwischen der Seitenwand 2 und der Entnahmevorrichtung 16 bei.
Das Isoliermittel 163 kann über ein Kühlmittel gekühlt werden.
Die Kühlmittelanschlüsse des
Isoliermittels 163 sind in den Figuren nicht dargestellt.
-
In 7 ist
ein Skulltiegel 1 gemäß einer weiteren
Ausführungsform
der Erfindung schematisch dargestellt. Er umfaßt eine Isolierung 21 zwischen
dem dem Innenraum des Skulltiegels 1 zugewandten Bereich 12 der
Seitenwand 2 und der Seitenwand 2. Eine variabel
positionierbare Brücke 8 unterteilt
den Innenraum des Skulltiegels 1 in einen ersten Bereich,
den Zufuhrbereich zum Aufgeben des Gemenges und einen zweiten Bereich,
den Abfuhrbereich. Im Abfuhrbereich ist die Entnahmevorrichtung 162 angeordnet.
Die Brücke 8 wird
vorzugsweise gekühlt.
Die Kühlmittelanschlüsse für die Brücke 8 sind
in 7 nicht dargestellt.
-
Durch
die Positionierung der Brücke 8 kann abhängig von
der zu schmelzenden Glasart und dem zu erzielenden Durchsatz sowie
der Glasqualität
das Verhältnis
der Volumina des ersten Bereiches zu dem zweiten Bereich durch eine
horizontale Bewegung der Brücke
eingestellt werden. In dem ersten Bereich findet dabei im Wesentlichen
das Einschmelzen des aufgegebenen Gemenges statt, während im
zweiten Bereich das bereits aufgeschmolzene Gemenge geläutert wird. Über die
vertikale Positionierung der Brücke 8 kann
des Weiteren die Strömungsführung im Skulltiegel
hin zur Entnahmevorrichtung und damit die Verweilzeitverteilung
der Fluidelemente der Glasschmelze 10 im Skulltiegel 1 beeinflußt werden.
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In 8 ist
eine weitere Ausführungsform des
selbstinduzierenden Skulltiegels 1 im Längsschnitt dargestellt. Der
Skulltiegel 1 umfaßt
eine Seitenwand 2, die einen Innenraum zur Aufnahme einer Glasschmelze 10 definiert.
Die Seitenwand 2 ist über einer
Bodenplatte des Skulltiegels 1 angeordnet. In dem in 8 gezeigten
Ausführungsbeispiel
ist eine Bodenplatte aus feuerfestem Material eingesetzt. Zwischen
der Bodenplatte 32 und der Seitenwand 2 ist ein
Zwischenraum 23 ausgebildet. Zwischen dem Innenraum zur
Aufnahme der Glasschmelze 10 und der Seitenwand 2 ist
eine Isolierung 21 angeordnet. Die Isolierung 21 setzt
sich in den Zwischenraum 23 zwischen der Seitenwand 2 und
der Bodenplatte 32 aus feuerfestem Material hinein fort.
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Der
Skulltiegel 1 weist eine Entnahmevorrichtung 16 auf,
welche in einer Öffnung
in der Seitenwand 2 des Skulltiegels positioniert ist.
Zwischen der Entnahmevorrichtung 16 und der Öffnung in
der Seitenwand 2 ist ein Zwischenraum 162 definiert.
Die Isolierung 21 setzt sich in den Zwischenraum 162 zwischen
der Entnahmevorrichtung 16 und der Seitenwand 2 hinein
fort. Elektrische Überschläge zwischen
der Schmelze 10 und der Seitenwand 2, der Entnahmevorrichtung 16 und
der Seitenwand 2 sowie zwischen der Seitenwand 2 und
der Bodenplatte 32 können
durch die Verwendung der Isolierung 21 sicher reduziert
werden.
-
Die
Seitenwand 2 ist in ihrem oberen Bereich abgewinkelt gestaltet.
Im gezeigten Ausführungsbeispiel
ist die Seitenwand um etwa 90° nach
Außen
abgewinkelt. Dadurch bildet sich ein Kragen 215 aus. An
den Kragen 215 schließt
sich außen
die Oberofenwand 15 an. Die Oberofenwand 15 definiert
ebenso wie die Seitenwand 2 einen Innenraum zur Aufnahme
der Glasschmelze 10, wobei der von der Oberofenwand 15 definierte
Innenraum und der von der Seitenwand 2 definierte Innenraum
ineinander übergehen.
Die Kontaktlinie zwischen der Schmelze 10, der mit der
Schmelze in Kontakt stehenden Atmosphäre und der äußeren Begrenzung des Skulltiegels 1 wird
unter Verwendung des Kragens 215 in einen Bereich außerhalb
des Induktors verlegt. Der durch die Seitenwand 2 gebildete
Induktor steht somit gleichmäßig über seine
gesamte Innenfläche
mit der Schmelze 10 in Kontakt, so daß eine sehr gleichmäßige Ausbildung
der elektromagnetischen Felder ermöglicht wird.
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Die
Seitenwand ist in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung modular
aufgebaut. Dazu umfaßt
die Seitenwand Platten. Wie in 9 gezeigt ist,
besteht eine solche Platte 24 aus Vollmaterial. Das heißt, dass
zur Fertigung der Platte 24 ein massiver Block aus dem
Material, aus welchem die Platte gefertigt werden soll, beispielsweise
aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung, bereitgestellt wird. Dieser
Block wird im wesentlichen durch spanabhebende Verfahren, insbesondere
durch Fräsen
und Bohren zu der erfindungsgemäßen Ausgestaltung der
Platte verarbeitet. Die Platte 24 hat eine Schmelzkontaktfläche 25,
eine Bodenfläche 26,
welche eine Standfläche
für die
Platte 24 bildet, eine Außenfläche 27 sowie eine
erste Anschlussfläche 208 und
eine zweite Anschlussfläche 209.
Die Platte 24, welche Bestandteil eines Grundbegrenzungselements
sowie insbesondere selbst das Grundbegrenzungselement sein kann,
ist somit eine kompakte Einheit.
-
Die
Platte weist eine Kühlmittelzuführeinrichtung 70 sowie
eine Kühlmittelabfuhreinrichtung 80 auf.
Die Kühlmittelzufuhreinrichtung 70 sowie
die Kühlmittelabfuhreinrichtung 80 stehen
mit dem im Inneren der Platte 24 angeordneten Kanal 4 in
Kontakt. Der Kanal 4 besteht im in 9 gezeigten
Beispiel aus mehreren U-förmigen Einzelkanälen, wobei
die oberen Enden dieser U-förmigen Einzelkanäle in einer
wannenförmigen
Vertiefung der oberen Abschlussfläche der Platte 24 enden.
Durch diese wannenförmige
Vertiefung können
die einzelnen Kanäle gefertigt
werden, und durch Verschließen
der wannenförmigen
Vertiefung mit einem entsprechend geformten Verschlusselement (nicht
dargestellt) kann ein durchgehender Kanal 4 aus sich aneinander
anschließenden
U-förmigen Kanälen geschaffen
werden
-
Die
Platte 24 hat des weiteren Vorrichtungen 60, um
eine mechanische Verbindung von Begrenzungselementen, welche Platten 24 umfassen,
zu ermöglichen.
Im gezeigten Beispiel ist eine Durchgangsbohrung 60 gezeigt,
durch die eine Schraubverbindung zwischen zwei benachbarten Begrenzungselementen
hergestellt werden kann.
-
Mit
Hilfe der Schraubverbindung können
die Platten 24 so zusammengezogen werden, dass die Anschlussflächen 208 und 209 benachbarter
Platten einander berühren.
Die Anschlußflächen 208 und 209 benachbarter
Platten können
auch über
ein elektrisch leitendes Material miteinander in Kontakt stehen.
Die Platten 24 werden auf diese Weise elektrisch leitend
miteinander derart verbunden, dass ein Induktor in Gestalt einer
einwindigen ”Spule” bereitgestellt
wird. Nicht dargestellt ist die Anschlußvorrichtung zum Anlegen einer
Wechselspannung an die Seitenwand (2).
-
Es
ist dem Fachmann ersichtlich, dass die Erfindung nicht auf die vorstehend
beschriebenen Ausführungsbeispiele
beschränkt
ist, sondern vielmehr in vielfältiger
Weise variiert werden kann. Insbesondere können die Merkmale der einzelnen
Ausführungsbeispiele
auch miteinander kombiniert werden.
-
- 1
- selbstinduzierender
Skulltiegel
- 10
- Schmelze
- 12
- dem
Innenraum zugewandter Bereich der Seitenwand (2)
- 15
- Oberofenwand
- 16
- Entnahmevorrichtung
- 162
- Zwischenraum
zwischen der Entnahmevorrichtung und der Seitenwand (2)
des Skulltiegels
- 163
- Isoliermittel
für die
Entnahmevorrichtung, Dichtungseinsatz
- 2
- Seitenwand
(2) des Skulltiegels, Induktor
- 21
- Isolierung,
elektrische Isolationsschicht, Isoliertiegel
- 23
- Zwischenraum
zwischen dem Boden und der Seitenwand (2) des Skulltiegels
- 24
- Platte
aus Vollmaterial
- 25
- Schmelzkontaktfläche, Teil
des dem Innenraum zugewandter Bereichs 12 der Seitenwand
(2) 2
- 26
- Bodenfläche
- 27
- Außenfläche
- 208
- erste
Anschlussfläche
des Grundbegrenzungselements
- 209
- zweite
Anschlussfläche
des Grundbegrenzungselements
- 215
- abgewinkelte
Seitenwand (2), Kragen
- 31
- Bodenplatte
des Skulltiegels, Skullboden
- 32
- Bodenplatte
des Skulltiegels, Bodenplatte aus Feuerfestmaterial
- 4
- Kanal
- 40
- Kühlmedium,
Wasser
- 5
- Zwischenraum
zwischen der ersten und der zweiten elektrischen Zuführung der
Anschlußvorrichtung
- 50
- Anschlußvorrichtung
zu Anlegen einer Wechselspannung
- 51
- erste
elektrische Zuführung
- 52
- zweite
elektrische Zuführung
- 7
- Kontaktmittel
- 8
- gekühlte Brücke
- 9
- Skullkruste
- 60
- mechanische
Verbindung
- 70
- Kühlmittelzufuhreinrichtung
- 80
- Kühlmittelabfuhreinrichtung