DE102006003932B4 - Feldeffekthalbleiterbauelement mit einem Minoritätsladungsträger emittierenden Sourcegebiet in eine Bodyzone - Google Patents

Feldeffekthalbleiterbauelement mit einem Minoritätsladungsträger emittierenden Sourcegebiet in eine Bodyzone Download PDF

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Abstract

Feldeffekthalbleiterbauelement mit einem Minoritätsladungsträger emittierenden oberflächennahen Sourcegebiet (1) eines ersten Leitungstyps (n) in einer Bodyzone (2) eines komplementären Leitungstyps (p), wobei der Übergang von dem Sourcegebiet (1) zu der Bodyzone (2) ein Dotierstoffprofil eines abrupten pn-Übergangs (3) aufweist, wobei das Sourcegebiet (1) eine Dotierstoffkonzentration auf substitutionellen Gitterplätzen des monokristallinen Siliziums (4) von mindestens 1 × 1020 cm–3 aufweist, dass sich der Bandabstand des einkristallinen Siliziums (4) verringert sowie die Auger-Rekombinationsrate in dem Sourcegebiet (1) erhöht und eine Emittierung von Minoritätsladungsträgern (n) von dem Sourcegebiet (1) in die Bodyzone (2) vermindert ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Feldeffekthalbleiterbauelement mit einem Minoritätsladungsträger emittierenden oberflächennahen Sourcegebiet eines ersten Leitungstyps in eine Bodyzone eines komplementären Leitungstyps. Diese Injektion von Minoritätsladungsträgern in die Bodyzone verstärkt ein unerwünschtes Verhalten von Feldeffekthalbleiterbauelementen aufgrund von parasitären Bipolar-Transistorstrukturen. Diese parasitären Bipolar-Transistorstrukturen wirken sich vorzugsweise bei Leistungs-MOSFETs oder IGBTs (insulated gate bipolar transistors) negativ aus.
  • Dieser negative Effekt wirkt sich insbesondere auf die Latchup-Festigkeit des Leistungshalbleiterbauteils und damit auf das Lawinendurchbruchverhalten aus. Ein Grundproblem dieser Strukturen besteht darin, dass bei hohen Stromdichten durch die zunehmende Injektion von Minoritätsladungsträgern aus dem physikalischen Emitter der parasitären Bipolar-Transistorstruktur in die Basis derselben letztendlich ein Einschalten der Struktur erfolgt. Dieses unerwünschte Einschalten beeinträchtigt die Verriegelungsfestigkeit und begrenzt in der Regel die Lawinendurchbruchsfestigkeit der betroffenen Leistungshalbleiterbauelemente. Der Latch-Up-Effekt ist beispielsweise in der US 4,364,073 diskutiert.
  • Andererseits ist es erwünscht, eine hohe Lawinendurchbruchsfestigkeit bei Leistungshalbleiterbauelementen für moderne Leistungsschalter sicherzustellen, um auch bei anliegenden Spannungen, welche die nominelle Durchbruchsspannung über steigen, kurzzeitig hohe Ströme verkraften zu können. Idealerweise wird das Bauteil dabei nur thermisch belastet, jedoch im realen Fall ergibt sich als unerwünschter Nebeneffekt oft ein Einschalten der vorhandenen parasitären bipolaren Transistorstruktur.
  • Aus dem Stand der Technik bekannte Maßnahmen beziehen sich auf eine weitestgehende Minimierung der lateralen Ausdehnungen der betroffenen Gebiete, um den Spannungsabfall über dem Basisgebiet des parasitären Transistors möglichst klein zu halten. In 4 wäre diese Basis das p-Body Gebiet nahe der Oberfläche des Transistors.
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Feldeffekthalbleiterbauelement 5 gemäß dem Stand der Technik. Dazu ist auf einem hochdotierten Siliziumsubstrat 4 mit einem ersten Leitungstyp n+ eine schwach- bis mitteldotierte Epitaxieschicht 14 mit gleichem Leitungstyp n– aufgebracht. In Oberflächennähe des einkristallinen Siliziumkörpers ist ein Sourcegebiet 1 mit erstem Leitungstyp n+ eingebracht und eine Bodyzone 2 mit komplementärem Leitungstyp p, wobei über eine Gateelektrode G ein Kanal 10 durch die Bodyzone 2 von dem Sourcegebiet 1 zu der Driftstrecke 7 aus Epitaxiematerial bei Anlegen eines entsprechenden Schaltpotentials an die Gateelektrode G geschaffen werden kann. Darüber hinaus ist der pn-Übergang 16 zwischen dem Sourcegebiet 1 und der Bodyzone 2 durch ein elektrisch leitendes Material der Sourceelektrode S kurzgeschlossen.
  • Ferner weist dieses Feldeffekthalbleiterbauelement 5 eine Feldplatte 6 auf, die umgeben von einer Isolationsschicht 15 aus Silziumoxid in einer Grabenstruktur 8 untergebracht ist. In dieser Silziumoxidschicht 15 ist im oberflächennahen Be reich auch die vertikale Gatestruktur 9 in einem Zusatzgraben angeordnet. Eine Möglichkeit zur Verringerung des Spannungsabfalls über dem pn-Übergang 3 wird hier durch Kurzschließen des n+-dotierten Sourcegebiets an der Oberfläche mit dem darunter liegenden p-dotierten Basisgebiet der Bodyzone 2 durch einen Grabenkontakt der Sourceelektrode S erreicht. Eine weitere Maßnahme, die im Stand der Technik bekannt ist, besteht in dem Einbringen einer zusätzlichen hochdotierten p+-Zone in der Umgebung des p-Kontaktes, wie es die 4 zeigt.
  • Im Allgemeinen ist es günstig, das p-Gebiet der Bodyzone 2 so hoch wie möglich zu dotieren, was aber in der Regel durch die zu realisierende Schwellspannung des MOS-Transistors und damit durch die in dem Kanalbereich einzuhaltende Dotierung begrenzt wird.
  • Eine weitere Verbesserung ist aus der Druckschrift US 6,750,511 B2 bekannt, wie es in 5 dargestellt wird. 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Feldeffekthalbleiterbauelement 5 gemäß der Druckschrift US 6,750,511 B2 . Auch hier wird eine vertikale Gatestruktur 9 realisiert, wobei das Sourcegebiet 1 stufenweise von einer hohen Dotierung n++ zu einer verminderten n+-Dotierstoffkonzentration in Richtung auf den pn-Übergang 3 zwischen dem Sourcegebiet 1 und der Bodyzone 2 übergeht. Damit wird für das Sourcegebiet 1 ein Dotierstoffprofil vorgeschlagen, das zum pn-Übergang 3 zwischen Sourcegebiet 1 und Bodyzone 2 abnimmt, so dass sich mehr oder minder ein linearer pn-Übergang 3 ausbildet und kein abrupter pn-Übergang. Dieses hat den Nachteil, dass die Wirkungsweise von parasitären Bipolar-Transistoren nicht wirkungsvoll unterdrückt werden kann.
  • Dabei ist ein Sourcegebiet 1 mit gestuftem Dotierstoffprofil vorgesehen, das jedoch nur im Kontaktbereich hochdotiert ist. Im Gebiet des pn-Übergangs wird die Dotierung niedriger gehalten, wodurch die Emittereffizienz und damit die Injektion von Minoritätsladungsträgern in das Basisgebiet bzw. in die Bodyzone 2 verringert wird. Jedoch hat diese Lösung den Nachteil, dass dadurch der Kanalanschlusswiderstand und damit der Einschaltwiderstand des MOSFET erhöht wird.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, die Injektion von Minoritätsladungsträgern bei Feldeffekthalbleiterbauelementen von dem Sourcegebiet in die Bodyzone derart zu vermindern, dass der Einfluss einer parasitären Bipolar-Transistorstruktur abgeschwächt wird.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Erfindungsgemäß wird ein Feldeffekthalbleiterbauelement mit einem Minoritätsladungsträger emittierenden oberflächennahen Sourcegebiet eines ersten Leitungstyps in eine Bodyzone eines komplementären Leitungstyps geschaffen. Dabei weist der Übergang von dem Sourcegebiet zu der Bodyzone ein Dotierstoffprofil eines abrupten pn-Übergangs auf. Das Sourcegebiet ist derart hochdotiert, dass sich der Bandabstand des einkristallinen Siliziums bereits verringert, und auch vermehrt Auger-Rekombinationen in dem hochdotierten Sourcegebiet auftreten und eine Injektion von Minoritätsladungsträgern von dem Sourcegebiet in die Bodyzone vermindern. Das Sourcegebiet weist eine Dotierstoffkonzentration auf substitutionellen Gitterplätzen des monokristallinen Siliziums von mindestens 1 × 1020 cm–3 auf.
  • Dieses hat den Vorteil, dass der Einfluss des parasitären Bipolar-Transistors stark eingeschränkt wird, so dass sich bei einem Leistungshalbleiterbauelement mit einem derart hochdotierten Sourcegebiet zusammen mit dem verminderten Bandabstand des hochdotierten einkristallinen Siliziums die Latchup-Festigkeit verbessert. Durch die extrem hohe Dotierung des Sourcegebiets bei gleichzeitiger Bandlückenverminderung des hochdotierten einkristallinen Siliziums wird eine Verschiebung des Einschaltens des parasitären Bipolar-Transistors erreicht, da die Injektion von Minoritätsladungsträgern in die Basis durch einen erhöhten Rekombinationsstromfluss im Emittergebiet bzw. im Sourcegebiet vermindert wird. Da die hohe Dotierung außerdem zu einer starken Zunahme der Auger-Rekombinationen führt, wird die Injektion von Minoritätsladungsträgern in die Bodyzone entsprechend zusätzlich herabgesetzt.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung weist das Sourcegebiet eine Dotierstoffkonzentration auf substitutionellen Gitterplätzen des monokristallinen Siliziums von über 5 × 1020 cm–3 auf.
  • Um den Effekt der hohen Dotierung weiter zu verstärken, bei gleichzeitiger Erhöhung der Auger-Rekombination, weist in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung das Sourcegebiet eine Dotierstoffkonzentration eines komplementären Leitungstyps auf, die in der Größenordnung der Dotierstoffkonzentration des dominierenden Leitungstyps liegt, jedoch derart bemessen ist, dass eine effektive Majoritätsladungsträgerkonzentration von mindestens 1 × 1020 cm–3 im Sourcegebiet erreicht wird. Durch die zusätzliche und möglichst hohe Dotierung des komplementären Leitungstyps im Sourcegebiet wird die Elektronen-Lochpaar-Rekombination im Sourcegebiet derart zusätzlich vergrößert, dass eine Injektion von Minoritätsladungsträgern in die komplementär leitende Bodyzone weiter vermindert wird. Weiterhin wird vorzugsweise ein Dotierungsprofil in der Sourcezone angestrebt, das annähernd konstant ist und innerhalb des Sourcegebiets nicht stark abfällt, außer natürlich zu dem möglichst abrupten pn-Übergang hin.
  • Ein bevorzugtes Verfahren derart hochdotierte und auch in vertikaler Bauelementrichtung konstant dotierte Gebiete zu erzeugen, besteht darin, diese Gebiete lokal durch Aufheizen mittels Laserimpulsen aufzuschmelzen, um die Dotierstoffe bis zur Löslichkeitsgrenze in dem Siliziumhalbleiterkristall in das Sourcegebiet einzubringen und um einen nahezu abrupten pn-Übergang zu der p-Bodyzone zu schaffen.
  • Vorzugsweise wird dieses hochdotierte Sourcegebiet mit nahezu abruptem pn-Übergang zur p-Bodyzone bei Feldeffekthalbleiterbauelementen eingesetzt, die eine vertikale MOSFET-Struktur oder eine laterale MOSFET-Struktur oder eine IGBT-Struktur aufweisen. Die negative Wirkung des parasitären Bipolar-Transistors wird mit dem erfindungsgemäßen Verfahren stark verringert.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das Feldeffekthalbleiterbauelement Feldplatten oder komplementär dotierte Kompensationszonen im Bereich einer Driftstrecke auf, wobei die Feldplatte oder die Kompensationszonen auf Sourcepotential liegen. Während die Kompensationszonen beim Aufbau einer epitaxialen Driftstrecke entstehen, werden die Feldplattenstrukturen nachträglich in eine Epitaxieschicht eingebracht, indem Grabenstrukturen in die Epitaxieschicht hineingeätzt werden.
  • Weiterhin ist es vorgesehen, das hochdotierte Sourcegebiet bei Feldeffekthalbleiterbauelementen vorzusehen, die eine vertikale MOSFET-Struktur mit einer Grabenstruktur für eine vertikale Gatestruktur aufweisen. Dabei wird das hochdotierte Sourcegebiet bis an das vertikale Gateoxid der vertikalen Gatestruktur herangeführt.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird zusätzlich die Bodyzone außerhalb des Grenzbereichs zum MOS-Kanalbereich mit einer mittleren bis hohen Dotierstoffkonzentration des komplementären Leitungstyps versehen. Damit wird ebenfalls die Wirkung eines parasitären Bipolar-Transistors eingeschränkt, jedoch bleibt die Dotierung der Bodyzone im Kanalbereich unverändert niedrig, um ein Durchschalten des Leistungshalbleiterbauelements bei geringer Gatespannung zu gewährleisten.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird die Maßnahme, den pn-Übergang zwischen Sourcegebiet und Bodyzone durch ein elektrisch leitendes Material einer Sourceelektrode in einer Grabenstruktur für die Sourceelektrode kurzuschließen, beibehalten. Durch den Kurzschluss des pn-Übergangs wird gewährleistet, dass ebenfalls der Einfluss des parasitären Bipolar-Transistors auf die Latchup-Festigkeit und das Lawinendurchbruchsverhalten vermindert wird.
  • Zusammenfassend ist festzustellen, dass der Kern der Erfindung in der Bereitstellung einer Möglichkeit zur Verbesserung der Lawinendurchbruchsfestigkeit von Leistungshalbleiterbauelementen mit parasitären Bipolar-Transistorstrukturen durch Verwendung eines sehr hochdotierten Sourcegebietes besteht. Das Sourcegebiet entspricht nämlich dem physikalischen Emitter des parasitären Bipolar-Transistors, womit das Einschalten des parasitären Bipolar-Transistors zu höheren Stromdichten verschoben wird. Das Grundprinzip dieser Erfindung be steht in einer Verringerung des Injektionsstromes aus dem Emitter in die Basis durch die Erhöhung von Auger-Rekombinationen und einer Verringerung des Bandabstands in dem Sourcegebiet.
  • Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Feldeffekthalbleiterbauelement einer Ausführungsform der Erfindung;
  • 2 zeigt ein Diagramm von Durchbruchskennlinien eines Feldeffekthalbleiterbauelements mit und ohne erfindungsgemäßem Sourcegebiet;
  • 3 zeigt ein Dotierstoffprofil im Sourcebereich des erfindungsgemäßen Bauteils gemäß 1;
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Feldeffekthalbleiterbauelement gemäß dem Stand der Technik;
  • 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Feldeffekthalbleiterbauelement gemäß US 6,750,511 B2 .
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Feldeffekthalbleiterbauelement 5 einer Ausführungsform der Erfindung. Dieses Feldeffekthalbleiterbauelement 5 weist einen monokristallinen Siliziumkörper 4 auf, der im unteren Bereich ein hochdotiertes n+-leitendes Substrat aufweist, dessen Rückseite 13 metallisiert ist und eine Drainelektrode D dar stellt. Auf diesem hochdotierten monokristallinen Siliziumkörper 4 eines ersten Leitungstyps n+ ist eine schwach- bis mitteldotierte Epitaxieschicht 14 des gleichen Leitungstyps n– aufgebracht. Diese Epitaxieschicht 14 weist eine vertikale Driftstrecke 7 auf, die von einer Grabenstruktur 8 begrenzt wird. Die Grabenstruktur 8 weist eine Feldplatte 6 auf, die von der Driftstrecke 7 durch eine Siliziumoxidschicht 15 isoliert ist. Im oberflächennahen Bereich der Epitaxieschicht 14 ist ein hochdotiertes Sourcegebiet 1 angeordnet, das eine Dotierstoffkonzentration von n++ aufweist, so dass in diesem Sourcebereich 1 die Auger-Rekombinationen zunehmen, die eine Injektion von Minoritätsladungsträgern in die Bodyzone 2 vermindern.
  • Dadurch wird die Wirkungsweise des parasitären Bipolar-Transistors aus Sourcegebiet 1, Bodyzone 2 und Driftstrecke 7 vermindert. Dazu trägt auch ein elektrisch leitender Kurzschluss der Sourceelektrode S bei, die in einem Graben angeordnet ist und den pn-Übergang 3 zwischen der Bodyzone 2 und dem Sourcegebiet 1 kurzschließt. Um die Wirkungsweise des parasitären Bipolar-Transistorens weiter zu vermindern, ist die Bodyzone 2 im Bereich des kurzgeschlossenen pn-Übergangs 3 und rund um die Sourceelektrode 12 mit einer hohen Dotierung des komplementären Leitungstyps p+ ausgestattet. Jedoch bleibt die Dotierung der Bodyzone 2 mit p relativ niedrig im Bereich des pn-Übergangs 16 zwischen Bodyzone 2 und Driftstrecke 7 und im vertikalen Kanalbereich 10.
  • Wie der schematische Querschnitt weiterhin zeigt, weist das Feldeffekthalbleiterbauelement 5 eine vertikale Gatestruktur 9 auf, mit einem dünnen Gateoxid 18 mit einer in dem Graben abgeschiedenen Gateelektrode G. Der Graben für die Gateelektrode G ist in die Siliziumoxidschicht 15 im Wandbereich der Grabenstruktur 8 eingearbeitet. Das hochdotierte Sourcegebiet 1 weist mindestens eine Dotierstoffkonzentration 1 × 1020 cm–3 auf, die gleichmäßig über die Dicke des Sourcegebiets erhalten bleibt, so dass sich der abrupte pn-Übergang 3 ergibt. Die Auger-Rekombination im Sourcegebiet 1 kann ferner weiter erhöht werden, wenn in das Sourcegebiet 1 zusätzlich eine komplementäre Dotierstoffkonzentration p+ eingebracht wird.
  • Dabei soll die komplementäre Dotierstoffkonzentration p+ unterhalb der dominierenden Dotierstoffkonzentration n++ bleiben, so dass sich eine Netto-Majoritätsladungsträgerkonzentration von mindestens 1 × 1020 cm–3 vorzugsweise von über 5 × 1020 cm–3 ergibt. Eine Möglichkeit, derart hochdotierte und auch in vertikaler Baurichtung annähernd konstant dotierte Sourcegebiete 1 zu erzeugen, besteht in einer lokalen Aufschmelzung des Gebietes durch die Anwendung von Laserimpulsen, um den oder die Dotierstoffe bis in die Höhe der maximalen Löslichkeitsgrenze einzubringen. Diese vertikale MOSFET-Struktur mit einem sog. ”Trench-Gate” ist nur eine beispielhafte Ausführungsform der Erfindung, da die Erfindung prinzipiell auch auf andere vertikale MOSFET-Strukturen und laterale MOSFET-Strukturen mit planarem Gate sowie auf IGBT-Strukturen angewandt werden kann. Die Auswirkungen und Vorteile dieser erfindungsgemäßen Maßnahmen werden mit dem nachfolgenden Diagramm deutlich.
  • 2 zeigt ein Diagramm von Durchbruchkennlinien A, B und C eines Feldeffekthalbleiterbauelements mit und ohne die erfindungsgemäßen Sourcegebiete. In dem Diagramm ist auf der Abszisse die Drain-Source-Spannung UDS in Volt aufgetragen. Auf der Ordinate ist im logarithmischen Maßstab der Drainstrom ID vermerkt. Insgesamt ergeben sich die drei simulier ten Strom-Spannungs-Druchbruchskennlinien A, B und C für unterschiedliche Sourcevarianten.
  • Die Kennlinie A entspricht einer Strom-Spannungs-Durchbruchskennlinie eines Feldeffekthalbleiterbauelements, wie es 3 zum Stand der Technik zeigt. Dabei macht sich mit zunehmendem Drainstrom ID der Einfluss des parasitären Bipolar-Transistors bemerkbar.
  • Die Kennlinie B hingegen zeigt, dass erst bei einer um ca. 90% höheren Stromdichte ein Einschalten des Bipolartransistors erfolgt, so dass die Wirkungsweise des parasitären Bipolar-Transistors deutlich später einsetzt und somit zu höheren Strömdichten verschoben ist. Dabei erfolgt das Einschalten des parasitären Bipolar-Transistors jeweils beim ersten Umkehrpunkt der dargestellten Kennlinien A, B und C, wobei die Kennlinie A für ein bisher eingesetztes Dotierstoffprofil des Sourcegebietes gilt. Im Falle eines hochdotierten Sourcegebietes wie es 3 zeigt erfolgt der Umkehrpunkt und damit das Einschalten des parasitären Bipolar-Transistors wesentlich später.
  • Wird die effektive Dotierung konstant gehalten und zusätzlich stark mit einem Dotierstoff des komplementären Leitungstyps p+ dotiert, kann der Einschaltstrom ID noch geringfügig weiter erhöht werden, so dass sich die Kennlinie C ergibt. Gleichzeitig ist aufgrund der hohen Dotierung sowohl ein guter Sourcekontakt gewährleistet als auch eine hohe Kanalanschlussdotierung gegeben. Ergänzend kann in dem hochdotierten Sourcegebiet die Trägerlebensdauer durch Dotierung mit Atomen, die Rekombiantionseigenschaften aufweisen, wie z. B. Gold oder Platin, oder durch eine Defekterzeugung mittels Bestrahlungstechniken, weiter abgesenkt werden.
  • 3 zeigt ein Dotierstoffprofil im Sourcebereich des erfindungsgemäßen Bauelements gemäß 1. Dazu ist auf der Abszisse die Eindringtiefe in Mikrometern und auf der Ordinate die Störstellenkonzentration auf Substitutionsgitterplätzen in cm–3 angegeben. Die Kurve A zeigt das Störstellenprofil der Akzeptoren und die Kurve D das Störstellenprofil der Doratoren. Die Kurve C verdeutlicht die Nettokonzentration an freien Ladungsträgern, die im Bereich des nahezu abrupten pn-Übergangs auf nahezu die Eigenleitungskonzentration des Siliziums absinkt, die bei ca 1010 Elektronen-Lochpaaren pro Kubikzentimeter für Silizium bei Raumtemperatur liegt.
  • 4 und 5 zeigen den Stand der Technik und sind einleitend bereits erörtert.
    • 1
    Sourcegebiet
    2
    Bodyzone
    3
    pn-Übergang
    4
    Siliziumsubstrat
    5
    Feldeffekthalbleiterbauelement
    6
    Feldplatte
    7
    Driftstrecke
    8
    Grabenstruktur
    9
    vertikale Gatestruktur
    10
    MOS-Kanalbereich
    11
    elektrisch leitendes Material
    12
    Sourceelektrode
    13
    Rückseite
    14
    Epitaxieschicht
    15
    Siliziumoxidschicht
    16
    pn-Übergang
    18
    Gateoxid
    D
    Drainelektrode
    G
    Gateelektrode
    S
    Sourceelektrode

Claims (8)

  1. Feldeffekthalbleiterbauelement mit einem Minoritätsladungsträger emittierenden oberflächennahen Sourcegebiet (1) eines ersten Leitungstyps (n) in einer Bodyzone (2) eines komplementären Leitungstyps (p), wobei der Übergang von dem Sourcegebiet (1) zu der Bodyzone (2) ein Dotierstoffprofil eines abrupten pn-Übergangs (3) aufweist, wobei das Sourcegebiet (1) eine Dotierstoffkonzentration auf substitutionellen Gitterplätzen des monokristallinen Siliziums (4) von mindestens 1 × 1020 cm–3 aufweist, dass sich der Bandabstand des einkristallinen Siliziums (4) verringert sowie die Auger-Rekombinationsrate in dem Sourcegebiet (1) erhöht und eine Emittierung von Minoritätsladungsträgern (n) von dem Sourcegebiet (1) in die Bodyzone (2) vermindert ist.
  2. Feldeffekthalbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Sourcegebiet (1) eine Dotierstoffkonzentration auf substitutionellen Gitterplätzen des monokristallinen Siliziums (4) von über 5 × 1020 cm–3 aufweist.
  3. Feldeffekthalbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Sourcegebiet (1) eine Dotierstoffkonzentration eines komplementären Leitungstyps (p) aufweist, die in der Größenordnung der Dotierstoffkonzentration des dominierenden Leitungstyps (n) liegt, jedoch derart bemessen ist, dass eine effektive Majoritätsladungsträgerkonzentration (n) von mindestens 1 × 1020 cm–3 im Sourcegebiet (1) erreicht wird.
  4. Feldeffekthalbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Feldeffekthalbleiterbauelement (5) eine vertikale MOSFET-Struktur, eine laterale MOSFET-Struktur oder eine IGBT-Struktur aufweist.
  5. Feldeffekthalbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Feldeffekthalbleiterbauelement (5) Feldplatten (6) oder komplementär dotierte Kompensationszonen im Bereich einer Driftstrecke (7) aufweist, wobei die Feldplatten (6) oder Kompensationszonen auf einem geeigneten Potential, vorzugsweise auf Sourcepotential, liegen.
  6. Feldeffekthalbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Feldeffekthalbleiterbauelement (5) eine vertikale MOSFET-Struktur mit einer Grabenstruktur (8) für eine vertikale Gatestruktur (9) aufweist.
  7. Feldeffekthalbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bodyzone (2) außerhalb des Grenzbereichs zum MOS-Kanalbereich eine mittlere bis hohe Dotierstoffkonzentration (p+) des komplementären Leitungstyps aufweist.
  8. Feldeffekthalbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der pn-Übergang (3) zwischen Sourcegebiet (1) und Bodyzone (2) durch ein elektrisch leitendes Material (11) einer Sourceelektrode (12) in einer Grabenstruktur für die Sourceelektrode kurzgeschlossen ist.
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