DE102005043808B4 - Außenkontaktmaterial für Außenkontakte eines Halbleiterbauteils und Verfahren zur Herstellung des Außenkontaktmaterials - Google Patents

Außenkontaktmaterial für Außenkontakte eines Halbleiterbauteils und Verfahren zur Herstellung des Außenkontaktmaterials Download PDF

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Abstract

Außenkontaktmaterial für Außenkontakte (2) eines Halbleiterbauteils (3), wobei das Außenkontaktmaterial (1) ein bleifreies Lotmaterial (4) aufweist, und wobei in dem Lotmaterial (4) ein Füllstoff (5) vorgesehen ist, der eine Vielzahl von Gasporen (10) im Volumen des Lotmaterials (4) bildet.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Außenkontaktmaterial für Außenkontakte eines Halbleiterbauteils. Das Außenkontaktmaterial weist ein Lotmaterial und einen Kunststoff auf.
  • Aus der Druckschrift WO 00/04584 A2 ist ein Außenkontakt für ein Halbleiterbauteil bekannt, der Kunststoff und ein Metall aufweist. Dabei besteht der Außenkontakt des Halbleiterbauteils aus einem Kunststoffkügelchen, das einen inneren Körper aus Kunststoff aufweist, der außen mit einer Metallschicht überzogen ist. Ein derartiger Außenkontakt wird vorzugsweise für Halbleiterbauteile in einem Halbleiterchipformat eingesetzt, bei dem praktisch das Halbleiterbauteil in seiner flächigen Erstreckung dem Halbleiterchip entspricht. Mit dem metallbeschichteten Kunststoffkügelchen wird ein Außenkontakt erreicht, der aufgrund der Kunststoffkügelchen nachgiebig ist und damit die Möglichkeit bietet, den an sich starren Halbleiterchip des Halbleiterbauteils im Halbleiterchipformat mit einer übergeordneten Schaltungsplatine zu verbinden, wobei derartige Schaltungsplatinen aus Kunststoff einen deutlich höheren Ausdehnungskoeffizienten aufweisen als das Halbleiterbauteil im Halbleiterchipformat.
  • Der Außenkontakt des Halbleiterbauteils aus einem Kunststoffkügelchen mit einer Metallbeschichtung weist eine ausreichende Nachgiebigkeit auf, um thermische Spannung bei thermischer Belastung zwischen Schaltungsplatine und Halbleiterbauteil durch seine Nachgiebigkeit auszugleichen. Ein Nachteil eines derartigen Außenkontaktes ist es, dass derartige Außenkontak te nur mit hohem technischen Aufwand herstellbar sind, da zunächst Kunststoffkugeln zu fertigen sind, die anschließend mit einer Metallschicht zu umhüllen sind. Die Delaminationsgefahr derartiger Metallhüllen ist nicht auszuschließen, so dass bei thermischer Belastung die Gefahr besteht, dass Unterbrechungen in der Verbindung zur Schaltungsplatine auftreten können. Somit besteht nicht nur ein hoher Fertigungsaufwand, sondern auch ein Zuverlässigkeitsproblem beim Einsatz derartiger nachgiebiger Außenkontakte, die aus einem Kunststoffkern und einer metallischen Hülle bestehen.
  • Darüber hinaus ist es bekannt, dass ein hoher Bedarf an Außenkontaktkugeln für die sog. BGA-Gehäuse (Ball-Grid-Array-Gehäuse) bestehen. Insbesondere ist der Bedarf an bleifreien Lotkugeln groß. Jedoch haben derartige bleifreie Lotkugeln 7, wie sie in 5 gezeigt werden, den Nachteil, dass sich intermetallische Phasen bilden können, wodurch derartige Lotkugeln 7 verspröden und somit ein Halbleiterbauteil 3, nachdem es auf eine übergeordnete Schaltungsplatine 13 montiert ist, schockempfindlich wird. Bei Stoßbelastung kann es zu einem Sprödbruch 14 des Außenkontaktes 2 aufgrund der intermetallischen Phasen in den bleifreien Lotkugeln 7 kommen. Ferner besteht ein Bedarf, die Miniaturisierung derartiger bleifreier Lotkugeln 7 voranzutreiben, so dass die räumliche Erstreckung weiter vermindert wird.
  • Um dennoch die Schocksicherheit zu erhöhen, wird zwischen den oberflächenmontierbaren Lotkugeln des BGA-Gehäuses und der übergeordneten Platine ein isolierendes und stabilisierendes Unterfüllmaterial eingebracht, das die Stoßempfindlichkeit der Lotkugeln mit intermetallischen Phasen verringern soll. Dazu ist jedoch auf der übergeordneten Platine eine Reservefläche rund um das Halbleiterbauteil mit bleifreien Lotkugeln vorzusehen, um dieses Unterfüllmaterial einzubringen. Außerdem bedeutet das Einbringen eines derartigen Unterfüllmaterials einen zusätzlichen Aufwand für den Kunden, der eine übergeordnete Schaltungsplatine bestücken will.
  • Aus der JP 11-288 968 A ist es bekannt, nickelbeschichtete Kunststoffpartikel in einem für Außenkontakte vorgesehenen Lotmaterial einzusetzen, um belastbare Lotverbindungen herzustellen.
  • Die JP 11-214 447 A offenbart das Einbringen von Gasblasen in Lot kugeln mittels eines „wet back"-Schrittes.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Außenkontaktmaterial für Außenkontakte eines Halbleiterbauteils anzugeben, das die Nachteile im Stand der Technik überwindet und oberflächenmontierbare Außenkontakte zur Verfügung stellt, die eine ausreichende Nachgiebigkeit besitzen, um thermische Spannungen zwischen einer übergeordneten Schaltungsplatine und dem Halbleiterbauteil abzubauen. Darüber hinaus ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung von Außenkontaktmaterial anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Erfindungsgemäß wird ein Außenkontaktmaterial für Außenkontakte eines Halbleiterbauteils geschaffen. Dabei weist das Außenkontaktmaterial ein bleifreies Lotmaterial auf. In dem Lotmaterial ist ein Füllstoff vorgesehen, der eine Vielzahl Gasporen bildet, die im Volumen des Lotmaterials angeordnet sind.
  • Ein derartiges Außenkontaktmaterial hat den Vorteil, dass es flexibel und nachgiebig ist, da die Gasporen in dem Lotmaterial eine entsprechende Nachgiebigkeit des Außenkontaktes ermöglichen. Gleichzeitig sorgt das Lotmaterial dafür, dass die Außenkontakte einerseits am Halbleiterbauteil anbringbar sind und andererseits ohne großen Aufwand mit einer übergeordneten Schaltungsplatine oberflächenmontiert werden können. Darüber hinaus ist es entweder möglich, die Gasporen im Volumen des Lotmaterials gleichmäßig zu verteilen, oder eine statistische Verteilung zu erreichen.
  • Während bei einer gleichmäßigen Verteilung anisotrope Vorzugsrichtungen entstehen können, in denen die Nachgiebigkeit größer ist als in benachbarten Bereichen, sind bei einer statistischen Verteilung die Eigenschaften isotrop über das Außenkontaktmaterial bzw. über den Außenkontakt verteilt. Demnach fördert die gleichmäßige Verteilung der Gasporen die Anisotropie und die statistische Verteilung der Gasporen die isotrope Verteilung der gummielastischen und plastischen Eigenschaften der erfindungsgemäßen Außenkontakte aus dem erfindungsgemäßen Außenkontaktmaterial.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung liegt die mittlere Größe k der Gasporen im Bereich 1 μm ≤ k ≤ 100 μm. Diese mittlere Größe k wird durch eine entsprechende Klein- bzw. Grobverteilung der sich zu Gasporen zersetzenden Partikel beim Herstellungsverfahren von kugelförmigen Außenkontakten.
  • Als Lotmaterial wird bevorzugt Goldlot, Silberlot, Zinnlot und/oder Legierungen derselben eingesetzt. Die Zusammensetzung und Legierung derartiger bleifreier Lotmaterialien ist allgemein bekannt und wird hier nicht erneut diskutiert.
  • Um das Außenkontaktmaterial für sog. BGA-Gehäuse (Ball-Grid-Array-Gehäuse) einzusetzen, wird das Außenkontaktmaterial in Lotkugelform bevorzugt. Dabei weist das Außenkontaktmaterial vorzugsweise einen Lotkugeldurchmesser d im Bereich von 150 μm ≤ d ≤ 3000 μm auf. Die Größe der Gasporen wird vorzugsweise an einen derartigen Lotkugeldurchmesser angepasst, d.h., bei geringen Lotkugeldurchmessern von 150 μm und mehr werden Durchmesser im unteren Bereich von 1 μm bis etwa 10 μm eingesetzt, während bei Durchmessern der Lotkugeln für Außenkontakte im oberen Sektor von bis zu 3 mm auch größere Gasporen in dem Außenkontaktmaterial vorgesehen werden können.
  • In Bezug auf die Füllstoffpartikel, die sich bei Erreichen einer Erweichungstemperatur des Lötmaterials in dem Außenkontaktmaterial zersetzen und gasförmige, niedermolekulare Zersetzungsprodukte abscheiden, werden die Größenordnungen der Füllstoffe teilweise sogar im Nanometerbereich vorgesehen, um eine Feinverteilung von Gasporen zu erreichen. Die niedermolekularen Zersetzungsprodukte können Sauerstoff, Stickstoff und/oder Kohlendioxid, Kohlenmonoxid und/oder Wassermoleküle aufweisen.
  • Dazu weisen die Partikel, welche gasförmige niedermolekulare Zersetzungsprodukte abscheiden, vorzugsweise Hydride auf. Diese Hydride zersetzen sich bei relativ niedrigen Temperaturen, wie sie beim Löten von Außenkontakten auftreten, bereits in niedermolekulare Zersetzungsprodukte. Außerdem ist es möglich, dass die Partikel, die gasförmige niedermolekulare Zer setzungsprodukte abscheiden, Karbonate darstellen. Die Karbonate, die üblicherweise Kohlenmonoxid und/oder Kohlendioxid als gasförmige Produkte abgeben und damit Gasporen bilden, lassen sich als Füllstoff relativ günstig mit dem Lotmaterial mischen, da die Benetzungsfähigkeit relativ hoch ist.
  • Der Volumenanteil g an Gasporen mit dem Außenkontaktmaterial liegt im Bereich von 20 Vol.% ≤ g ≤ 90 Vol.%. Bei hoher Porosität durch entsprechende Gasporen kann das Lötmaterial zu einem Metallschwamm durch die Zersetzung des geeigneten Füllstoffs transformiert sein.
  • Das Verfahren ermöglicht es, ein Halbleiterbauteil mit Außenkontakten auf der Unterseite des Halbleiterbauteils geschaffen. Die Außenkontakte weisen als Außenkontaktmaterial ein bleifreies Lotmaterial auf. In dem Lotmaterial ist ein Füllstoff vorgesehen, der eine Vielzahl von Gasporen bildet, die im Volumen des Lotmaterials angeordnet sind. Dabei wird das Lotmaterial mit dem Füllstoff bzw. mit den Gasporen entsprechend den oben angeführten Ausführungsformen variiert. Um Wiederholungen zu vermeiden, wird nicht im Detail auf die einzelnen Ausführungsformen eingegangen. Prinzipiell wird das Halbleiterbauteil mit derartigen Außenkontakten auf der Basis des erfindungsgemäßen Außenkontaktmaterials ausgestattet.
  • Ein Verfahren zur Herstellung von Außenkontaktmaterial für Außenkontakte eines Halbleiterbauteils weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst wird eine Mischung aus Lotmaterialpartikeln und Partikeln, die Gasporen bilden, hergestellt. Danach wird die Mischung in eine Vertropfungsanlage eingebracht. In der Vertropfungsanlage wird die Mischung aufgeheizt und zwar auf die Schmelztemperatur der Lotmaterialpartikel unter gleichzeitiger Zersetzung der Partikel unter Ausbilden von Gasporen in dem Material innerhalb der Vertropfungsanlage.
  • Schließlich wird diese aufgeheizte Mischung in eine Vibrationsvertropfungsdüse eingebracht und die aus der Vibrationsvertropfungsdüse ausfallenden kugelförmigen Tropfen werden in einem Kühlflüssigkeitsbad aufgefangen.
  • Ein derartiges Verfahren hat den Vorteil, dass eine Vielzahl von Außenkontakten mit dem erfindungsgemäßen Außenkontaktmaterial hergestellt werden kann. Darüber hinaus hat das Verfahren den Vorteil, dass die Durchmesser durch die Einstellung und die Abmessungen der Vibrationsvertropfungsdüse wählbar sind. Schließlich hat das Verfahren den Vorteil, dass durch die schnelle Abkühlung in einem Kühlfüssigkeitsbad das Lotmaterial keine spröden intermetallischen Phasen bilden kann, sondern vielmehr feinkristallin erstarrt und die entsprechenden Gasporen in dem Volumen des kugelförmigen Tropfens einschließt.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden Partikel eingesetzt, die sich bei Erwärmung zersetzen und deren mittlere Korngröße geringer ist als die mittlere Korngröße der Lotpartikel. Damit wird in vorteilhafter Weise erreicht, dass eine Feinverteilung der Gasporen möglich wird, zumal eine hohe Anzahl an sich zersetzenden Füllmaterialpartikeln in dem Lotmaterial unterbringbar ist.
  • Als Partikel, die sich bei Erreichen einer Erweichungstemperatur des Außenkontaktmaterial zersetzen und gasförmige niedermolekulare Zersetzungsprodukte abscheiden, haben sich bisher Hydride und Karbonate bewährt, wobei die Hydride Wasserstoffverbindungen, die Wasser oder OH-Gruppen abgeben, und die Karbonate Kohlenstoffmonoxide bzw. Kohlendioxid abgeben. Mit Hilfe dieser Zersetzungsprodukte werden in dem Außenkontaktmaterial Gasporen geschaffen, welche aus dem sonst steifen und spröden, nicht metallischen Lotmaterial einen Metallschwamm erzeugen, der selbst nach dem Auflöten bzw. dem sog. "Reflow-Prozess" eine hohe Nachgiebigkeit aufweist.
  • Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Lotkugel, die Außenkontaktmaterial gemäß einer nicht zur Erfindung gehörenden Ausführungsform aufweist;
  • 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Außenkontakt, der Außenkontaktmaterial gemäß einer Ausführungsform der Erfindung aufweist;
  • 3 zeigt einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil mit Außenkontaktmaterial gemäß der nicht zur Erfindung gehörenden Ausführungsform der Erfindung;
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil mit Außenkontakten aus einem Außenkontaktmaterial gemäß der Ausführungsform der Erfindung;
  • 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Außenkontakt, der Außenkontaktmaterial aus einem bleifreien Lotmaterial aufweist, gemäß dem Stand der Technik.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Lotkugel 7, die Außenkontaktmaterial 1 gemäß dieser nicht zur Erfindung gehörenden Ausführungsform aufweist. Die Lotkugel 7 wird vorzugsweise als Außenkontakt 2 für Halbleiterbauteile eingesetzt. Mit dieser Ausführungsform besteht das Lotmaterial aus einer Silber-Zinn-Lotlegierung, die beim Lotprozess intermetallische Phasen bildet und damit die Lotverbindung versprödet, so dass Sprödbrüche, wie sie 5 zeigt, auftreten können.
  • Um dieser Tendenz entgegen zu wirken und um zu ermöglichen, dass auch bei schlagartiger mechanischer Belastung eine derartige Lotkugelform 7 keine Sprödbruchrisse aufweist, bzw. die Ausbreitung von Sprödbruchrissen behindert, weist die Lotkugel 7 in dieser nicht zur Erfindung gehörenden Ausführungsform Füllstoffe 5 auf, die Kunststoffpartikel 6 aufweisen, welche aus einem Elastomer, einem Silicongummi und/oder einem Thermoplast mit niedrigem Elastizitätsmodul und hoher Nachgiebigkeit bestehen. Die mittlere Größe k dieser Kunststoffpartikel liegt zwischen 1 μm ≤ k ≤ 100 μm, wobei in dieser Ausführungsform die Kunststoffpartikel statistisch im Volumen der Lotkugeln verteilt sind.
  • Die Lotkugeln selbst werden dadurch hergestellt, dass eine Mischung aus Kunststoffpartikeln 6 und Lotmaterial 4 einer Vertropfungsanlage zugeführt wird, wobei nach Aufschmelzen des bleifreien Lotmaterials 4 und gleichzeitiger Erweichung der Kunststoffpartikel 6 diese Mischung einer Vertropfungsdüse zugeführt wird und die vertropften Lotkugeln in ein Kühlflüssigkeitsbad fallen, in dem sie schnell erstarren und keine intermetallischen Phasen bilden. Diese intermetallischen Phasen bilden sich dann erst beim Auflötprozess auf ein Halb leitergehäuse oder beim Auflötprozess bei der Oberflächenmontage auf eine übergeordnete Platine aus.
  • 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Außenkontakt 2, der Außenkontaktmaterial 20 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung aufweist. Dieser Außenkontakt 2 gehört zu einem Halbleiterbauteil 3, das seinerseits ein Substrat 15 aufweist, durch das ein Durchkontakt 16 geführt ist, der auf einer Außenkontaktfläche 17 endet, wobei auf dieser Außenkontaktfläche 17 der Außenkontakt 2 fixiert ist. Das Außenkontaktmaterial 20 dieses Außenkontaktes 2 weist Gasporen 10 auf, die sich von einem Füllstoffmaterial entwickeln, das bei der Aufschmelztemperatur oder Vertropfungstemperatur der Lotkugel 7 bzw. des Lotmaterials 4 sich zersetzt und niedermolekulare Zersetzungsprodukte 11, wie Sauerstoff, Stickstoff, Wasser, Kohlenmonoxid und/oder Kohlendioxid ausbildet und damit die in 2 gezeigten Gasporen 10 bildet.
  • Dieses Außenkontaktmaterial 20 zeigt bei schlagartiger Belastung zwar auch Mikrorisse 19, die sich jedoch nicht ausbreiten können, und an einer der Gasporen 10 in ihrer Ausbreitung gestoppt werden, so dass derartige Außenkontakte 2 die sog. Schocktests überstehen und nicht mit einem Abriss des Außenkontaktes 2 reagieren. Ein weiterer Vorteil ist es, dass bei der Montage auf der gezeigten übergeordneten Schaltungsplatine 13 auf ein Aufbringen von einem Unterfüllmaterial verzichtet werden kann, was die Oberflächenmontage eines Halbleiterbauteils mit derartigen Außenkontakten 2 erheblich erleichtert und außerdem auch Fläche spart, zumal keine Fläche für die Werkzeuge zum Einbringen des Unterfüllmaterials zwischen dem Halbleiterbauteil 3 und der übergeordneten Schaltungsplatine 13 vorzusehen ist.
  • 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 3 mit Außenkontakten 2 gemäß der in 1 gezeigten Ausführungsform. Dieses Halbleiterbauteil 3 weist ein BGA-Gehäuse 9 auf, das auf seiner Unterseite 8 oberflächenmontierbare Außenkontakte 2 aufweist. Diese oberflächenmontierbaren Außenkontakte 2 weisen ein Außenkontaktmaterial 1 auf, das neben einem bleifreien Lotmaterial 4 Kunststoffpartikel 6 im Volumen der Außenkontakte 2 aufweist. Die Außenkontakte 2 sind über Außenkontaktflächen 17 und Durchkontakte 16 eines Umverdrahtungssubstrats 15 mit einer Verdrahtungsstruktur 28 auf der Oberseite 29 des Verdrahtungssubstrat 15 verbunden und von einer Lötstopplackschicht 18 umgeben.
  • Auf dieser Oberseite 29 ist ein Halbleiterchip 22 eingebettet in eine Kunststoffgehäusemasse 26 angeordnet, der mit seiner Rückseite 24 auf der Oberseite 29 des Verdrahtungssubstrats 15 fixiert ist. Auf der aktiven Oberseite 23 des Halbleiterchips 22 sind Kontaktflächen 25 angeordnet, die über Bonddrähte 21 mit der Verdrahtungsstruktur 28 des Verdrahtungssubstrats 15 elektrisch verbunden sind. Somit sind die Außenkontakte 2 mit dem Außenkontaktmaterial 1 über das Verdrahtungssubstrat und die Bonddrähte mit den Kontaktflächen 25 der aktiven Oberseite 23 des Halbleiterchips 22 elektrisch verbunden. Bei einer Oberflächenmontage dieser Halbleiterbauteile 3 auf einer übergeordneten Schaltungsplatine ist es nun nicht erforderlich, dass die Fixierung des Halbleiterbauteils 3 auf der übergeordneten Schaltungsplatine durch ein Unterfüllmaterial gestützt wird, zumal die nachgiebigen, mit Kunststoffpartikeln 6 gefüllten Außenkontakte 2 sowohl thermische Spannungen als auch Schockbelastungen dämpfen.
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 30 mit Außenkontakten 2 aus einem Außenkontakt material 20 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in 3 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erläutert.
  • Die Außenkontakte 2 mit dem Außenkontaktmaterial 20 in dieser Ausführungsform der Erfindung unterscheiden sich von der Ausführungsform gemäß 1 und 3 dadurch, dass anstelle der gummielastischen Partikel in dem Außenkontaktmaterial 20 nun Gasporen 10 angeordnet sind, die eine Rissausbreitung bei schlagartiger Belastung des Außenkontaktmaterials 20 verhindern. Diese Metallschaum 12 aufweisenden Außenkontakte 2 sind ähnlich nachgiebig wie die mit Kunststoffmaterial aufgefüllten Außenkontakte der Ausführungsform gemäß 1.

Claims (15)

  1. Außenkontaktmaterial für Außenkontakte (2) eines Halbleiterbauteils (3), wobei das Außenkontaktmaterial (1) ein bleifreies Lotmaterial (4) aufweist, und wobei in dem Lotmaterial (4) ein Füllstoff (5) vorgesehen ist, der eine Vielzahl von Gasporen (10) im Volumen des Lotmaterials (4) bildet.
  2. Außenkontaktmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstoff (5) Partikel aufweist, die sich bei Erreichen einer Erweichungstemperatur des Außenkontaktmaterials (1) zersetzen und gasförmige niedermolekulare Zersetzungsprodukte (11) abscheiden.
  3. Außenkontaktmaterial nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasporen (10) im Volumen des Lotmaterials (4) gleichmäßig verteilt angeordnet sind.
  4. Außenkontaktmaterial nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasporen (10) im Volumen des Lotmaterials (4) statistisch verteilt angeordnet sind.
  5. Außenkontaktmaterial nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mittlere Größe k der Gasporen (10) im Bereich 1 μm ≤ k ≤ 100 μm liegt.
  6. Außenkontaktmaterial nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Außenkontaktmaterial (1) eine Lotkugelform (7) aufweist.
  7. Außenkontaktmaterial nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Außenkontaktmaterial (1) einen Lotkugeldurchmesser d im Bereich von 150 μm ≤ d ≤ 3000 μm aufweist.
  8. Außenkontaktmaterial nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel, welche gasförmige niedermolekulare Zersetzungsprodukte (11) abscheidenden, Hydride aufweisen.
  9. Außenkontaktmaterial nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel, welche gasförmige niedermolekulare Zersetzungsprodukte (11) abscheidenden, Karbonate aufweisen.
  10. Außenkontaktmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Volumenanteil g an Gasporen (10) im Bereich von 20 Vol.% ≤ g ≤ 90 Vol.% liegt.
  11. Verfahren zur Herstellung von Außenkontaktmaterial (1) für Außenkontakte (2) eines Halbleiterbauteils (3), wobei das Außenkontaktmaterial (1) ein Lotmaterial (4) aufweist, und wobei in dem Lotmaterial (4) ein Füllstoff (5) vorgesehen ist, der eine Vielzahl von Gasporen (10) bildet, die im Volumen des Lotmaterials (4) angeordnet sind, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen einer Mischung aus Lotmaterialpartikeln und Partikeln, die die Gasporen (10) bilden; – Einbringen der Mischung in eine Vertropfungsanlage; – Aufheizen der Mischung auf die Schmelztemperatur der Lotmaterialpartikel unter Zersetzung der Partikel unter Ausbilden von Gasporen (10) in der Vertropfungsanlage; – Einbringen der aufgeheizten Mischung in eine Vibrationsvertropfungsdüse; – Auffangen der kugelförmigen Tropfen in einem Kühlflüssigkeitsbad.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass Partikel eingesetzt werden, die sich bei Erwärmung zersetzen, und deren mittlere Korngröße geringer ist als die mittlere Korngröße der Lotpartikel.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass als Lotmaterial (4) ein bleifreies Lotmaterial (4), vorzugsweise ein Lotmaterial (4), das eine Silberzinn- oder Goldzinnlegierung aufweist, eingesetzt wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel sich bei Erreichen einer Erweichungstemperatur des Außenkontaktmaterials (1) zersetzen und gasförmige niedermolekulare Zersetzungsprodukte (11) abscheiden und die Gasporen (10) ausbilden.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass als Partikel Hydride und/oder Karbonate eingesetzt werden.
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