DE102005030638A1

DE102005030638A1 - Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE102005030638A1
Application number: DE102005030638A
Authority: DE
Inventors: Dietrich Dr. Bonart; Walter Dr. Hartner; Hermann Gruber; Andreas Meiser
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2005-06-30
Filing date: 2005-06-30
Publication date: 2007-01-11
Also published as: US20070018274A1

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterschaltungsanordnung (1) und ein Verfahren zu deren Herstellung. Ein Kerngedanke der Erfindung besteht darin, dass durch eine direkte räumliche Nachbarschaft einer Anschlussgrabenstruktur (20) und einer Isolationsgrabenstruktur (30) einer Halbleiterschaltung (10) zueinander eine zusätzliche Kondensatoreinrichtung (C) ausgebildet ist bzw. wird, deren Kapazität (c) als nutzbare Kapazität für die und an die Halbleiterschaltung (10) angeschlossen ist bzw. wird.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterschaltungsanordnung sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. Die Erfindung betrifft insbesondere auch eine Grabenstruktur- oder Trenchkapazität, die aus Isolations- und Anschlusstrenches gebildet wird, insbesondere im Bereich der so genannten Smart-Power-Technologien.
Bei der Weiterentwicklung moderner Halbleitertechnologien ist neben der Miniaturisierung und Hochintegration der den Halbleiterschaltungsanordnungen zugrunde liegenden Halbleiterschaltungen auch die Vereinfachung der entsprechenden Herstellungsprozesse ein wesentlicher Aspekt, insbesondere um Fehlerquellen bei der Herstellung auszumerzen und um Herstellungskosten senken zu können.

Bei bestimmten Halbleiterschaltungsanordnungen werden unter anderem auch zusätzliche nutzbare Kapazitäten zur Realisierung bestimmter Funktionen benötigt. Grundsätzlich ist es dabei bekannt, diese zusätzlichen nutzbaren Kapazitäten über entsprechende zusätzliche Kondensatoreinrichtungen zu realisieren, wobei dann diesen zusätzlichen Kondensatoren als Zusatzelementegruppen auch ein bestimmter prozesstechnischer Aufwand zukommt.

Nachteilig ist also beim bekannten Vorgehen, dass jedes zusätzliche Kondensatorbauteil mit der entsprechenden einzusetzenden Nutzkapazität auch eine höhere Komplexität des eigentlichen Herstellungsvorgangs für die Halbleiterschaltungsanordnung mit sich bringt. Andererseits werden zur Erzielung anderer Grundfunktionen und zur Gewährleistung der Funktionszuverlässigkeit bestimmte andere Grundstrukturen ausgebildet, die z. B. in Form von so genannten Anschlusstrenches oder Isolationstrenches vorliegen und an bestimmten Positionen im Schaltungslayout der Halbleiterschaltungsanordnung und der zugrunde liegenden Halbleiterschaltung vorgesehen werden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiterschaltungsanordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren für eine Halbleiterschaltungsanordnung bereitzustellen, bei welchem auf besonders einfache und doch zuverlässige Art und Weise eine zusätzliche Kondensatorfunktion mit einer entsprechenden Kapazität unter höchstens geringem verfahrenstechnischen Mehraufwand realisierbar sind.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Halbleiterschaltungsanordnung mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst. Ferner wird die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe auch durch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschaltungsanordnung mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 12 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung sowie des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen einer Halbleiterschaltungsanordnung sind Gegenstand der jeweiligen abhängigen Unteransprüche.

Bei der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung werden eine Halbleiterschaltung, eine Anschlussgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung sowie eine Isolationsgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung ausgebildet. Dabei ist die Anschlussgrabenstruktur derart in direkter räumlicher Nachbarschaft zur Isolationsgrabenstruktur ausgebildet, dass dadurch eine zusätzliche Kondensatoreinrichtung ausgebildet ist, deren Kapazität als nutzbare Kapazität für die und an die Halbleiterschaltung angeschlossen ist.

Es ist somit eine grundlegende Idee der vorliegenden Erfindung, eine zusätzlich vorzusehende Kondensatoreinrichtung dadurch zu realisieren, dass eine ohnehin auszubildende Anschlussgrabenstruktur und eine entsprechende Isolationsgrabenstruktur in direkter räumlicher Nachbarschaft zueinander ausgebildet sind, so dass die dadurch realisierte zusätzliche Kapazität als nutzbare Kapazität für die und an die Halbleiterschaltung angeschlossen und durch diese nutzbar ist.

Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird also eine Halbleiterschaltungsanordnung geschaffen, bei welcher eine Halbleiterschaltung ausgebildet ist, bei welcher eine Anschlussgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung ausgebildet ist, bei welcher eine Isolationsgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung ausgebildet ist und bei welcher die Anschlussgrabenstruktur und die Isolationsgrabenstruktur derart in räumlicher Nachbarschaft zueinander ausgebildet sind, dass dadurch eine zusätzliche Kondensatoreinrichtung für die Halbleiterschaltung ausgebildet ist, deren Kapazität als nutzbare Kapazität für die und an die Halbleiterschaltung angeschlossen ist.

Bei einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es vorgesehen, dass die Anschlussgrabenstruktur und die Isolationsgrabenstruktur in einem vergleichsweise geringen lateralen Abstand zueinander ausgebildet sind.

Bei einer anderen Weiterbildung der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es alternativ oder zusätzlich vorgesehen, dass die Anschlussgrabenstruktur und die Isolationsgrabenstruktur in einem Halbleitermaterialbereich oder auf einem Halbleitermaterialbereich in einem Epitaxiebereich ausgebildet sind, insbesondere mit einem Mesabereich dazwischen.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltungsform der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es alternativ oder zusätzlich vorgesehen, dass die Anschlussgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung mit einem mit den Wänden und mit dem Boden der Anschlussgrabenstruktur elektrisch kontaktierten ersten elektrisch leitfähigen Materialbereich als erster Elektrodeneinrichtung der zusätzlichen Kondensatoreinrichtung ausgebildet ist.

Bei einer anderen Ausgestaltungsform der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es alternativ oder zusätzlich vorgesehen, dass die Isolationsgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung mit einem von den Wänden und vom Boden der Isolationsgrabenstruktur elektrisch isolierten zweiten elektrisch leitfähigen Materialbereich als zweiter Elektrodeneinrichtung der zusätzlichen Kondensatoreinrichtung ausgebildet ist.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltungsform der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es alternativ oder zusätzlich vorgesehen, dass die zusätzliche Kondensatoreinrichtung und deren Kapazität durch eine zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur lateral begrenzt und abgeschlossen ausgebildet sind.

Ferner kann es bei einer anderen Ausgestaltungsform der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung alternativ oder zusätzlich vorgesehen sein, dass die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung mit einem von den Wänden und vom Boden der zusätzlichen begrenzenden Isolationsgrabenstruktur elektrisch isolierten dritten elektrisch leitfähigen Materialbereich ausgebildet ist.

Des Weiteren ist es bei einer anderen vorteilhaften Fortbildung der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung alternativ oder zusätzlich denkbar, dass die Isolationsgrabenstruktur die Anschlussgrabenstruktur lateral umgebend ausgebildet ist, insbesondere in konzentrischer Art und Weise.

Auch kann es bei einer anderen Fortbildung der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung alternativ oder zusätzlich vorgesehen sein, dass die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur die Anschlussgrabenstruktur und die Isolationsgrabenstruktur lateral umgebend ausgebildet sind, insbesondere in konzentrischer Art und Weise.

Bei einer anderen Weiterbildung der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es alternativ oder zusätzlich vorgesehen, dass die Anschlussgrabenstruktur, die Isolationsgrabenstruktur und/oder insbesondere die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur mit einer Füllung aus einem Material oder einer Kombination von Materialien aus der Gruppe als erstem, zweitem bzw. drittem elektrisch leitfähigem Materialbereich gefüllt und ausgebildet ist, die besteht aus Polysilizium, Metallen und Wolfram.

Die Halbleiterschaltung kann als Leistungshalbleiterschaltung und insbesondere als Smart-Power-Schaltung ausgebildet sein.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschaltungsanordnung geschaffen, bei welchem eine Halbleiterschaltung ausgebildet wird, bei welchem eine Anschlussgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung ausgebildet wird, bei welchem eine Isolationsgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung ausgebildet wird und bei welchem die Anschlussgrabenstruktur und die Isolationsgrabenstruktur derart in räumlicher Nachbarschaft zueinander ausgebildet werden, dass dadurch eine zusätzliche Kondensatoreinrichtung für die Halbleiterschaltung ausgebildet ist, deren Kapazität als nutzbare Kapazität für die und an die Halbleiterschaltung angeschlossen wird.

Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es vorgesehen, dass die Anschlussgrabenstruktur und die Isolationsgrabenstruktur in einem vergleichsweise geringen lateralen Abstand zueinander ausgebildet werden.

Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es alternativ oder zusätzlich vorgesehen, dass die Anschlussgrabenstruktur und die Isolationsgrabenstruktur in einem Halbleitermaterialbereich oder auf einem Halbleitermaterialbereich in einem Epitaxiebereich ausgebildet werden, insbesondere mit einem Mesabereich dazwischen.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es alternativ oder zusätzlich vorgesehen, dass die Anschlussgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung mit einem mit den Wänden und mit dem Boden der Anschlussgrabenstruktur elektrisch kontaktierten ersten elektrisch leitfähigen Materialbereich als erster Elektrodeneinrichtung der zusätzlichen Kondensatoreinrichtung ausgebildet wird.

Bei einer anderen Ausgestaltungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es alternativ oder zusätzlich vorgesehen, dass die Isolationsgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung mit einem von den Wänden und vom Boden der Isolationsgrabenstruktur elektrisch isolierten zweiten elektrisch leitfähigen Materialbereich als zweiter Elektrodeneinrichtung der zusätzlichen Kondensatoreinrichtung ausgebildet wird.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es alternativ oder zusätzlich vorgesehen, dass die zusätzliche Kondensatoreinrichtung und deren Kapazität durch eine zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur lateral begrenzt und abgeschlossen ausgebildet werden.

Ferner kann es bei einer anderen Ausgestaltungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung alternativ oder zusätzlich vorgesehen sein, dass die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur für die Halbleiterschaltung mit einem von den Wänden und vom Boden der zusätzlichen begrenzenden Isolationsgrabenstruktur elektrisch isolierten dritten elektrisch leitfähigen Materialbereich ausgebildet wird.

Des Weiteren ist es bei einer anderen vorteilhaften Fortbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung alternativ oder zusätzlich denkbar, dass die Isolationsgrabenstruktur die Anschlussgrabenstruktur lateral umgebend ausgebildet wird, insbesondere in konzentrischer Art und Weise.

Auch kann es bei einer anderen Fortbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung alternativ oder zusätzlich vorgesehen sein, dass die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur die Anschlussgrabenstruktur und die Isolationsgrabenstruktur lateral umgebend ausgebildet werden, insbesondere in konzentrischer Art und Weise.

Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ist es alternativ oder zusätzlich vorgesehen, dass die Anschlussgrabenstruktur, die Isolationsgrabenstruktur und/oder insbesondere die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur mit einer Füllung aus einem Material oder einer Kombination von Materialien aus der Gruppe als erstem, zweitem bzw. drittem elektrisch leitfähigem Materialbereich gefüllt und ausgebildet wird, die besteht aus Polysilizium, Metallen und Wolfram.

Die Halbleiterschaltung kann als Leistungshalbleiterschaltung und insbesondere als Smart-Power-Schaltung ausgebildet werden.

Diese und weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend weiter erläutert:
Die Erfindung betrifft insbesondere unter anderem auch eine Trenchkapazität aus Isolations- und Anschlusstrenches, insbesondere für Leistungshalbleiteranordnungen und/oder für Smart-Power-Technologien.

Insbesondere in Smart-Power-Technologien werden Kapazitäten als gängige Bauelemente eingesetzt. Zur Erzeugung dieser Kapazitäten sind in der Regel zusätzliche Arbeitsschritte notwendig, und damit sind höhere Herstellungskosten verbunden.

Es ist unter anderem Ziel der Erfindung, als Standardstrukturen vorgesehene Isolationstrenches und Anschlusstrenches, die insbesondere für eine vergrabene Schicht oder für einen Buried Layer vorgesehen sind, zu verwenden, um durch ein geeignetes Design eine Kapazität zu erzeugen.

Bisherige Konzepte für die Bereitstellung einer Trenchkapazität beinhalten zusätzliche Arbeitsschritte wie zum Beispiel das Ausbilden tief eindiffundierter Wannen. Andere Konzepte basieren auf Poly/Poly-Kapazitäten oder Metall/Isolation/Metall-Kapazitäten. Nachteilig an diesen Lösungen sind die erhöhten Produktionskosten.

Bei der vorliegenden Erfindung wird unter anderem z. B. auch ein Isolationstrench in geringem Abstand zu einem ausdiffundierten Anschlusstrench platziert. Geringer Abstand bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die Ausdiffusion des Anschlusstrenches bis zum Isolationstrench reicht. Auf diesem Weg entsteht eine Kapazität zwischen dem mit Poly gefülltem Isolationstrench und dem Anschlusstrench, ohne das tief eindiffundierte Wannen notwendig sind. Die Elektroden der Kapazitäten sind einerseits die Polyfüllung des Isolationstrenches und andererseits der ausdiffundierte Anschlusstrench.

Ein Layoutbeispiel für eine erfindungsgemäße Trenchkapazität ist in den 1 und 2 beschrieben. In dem Ausführungsbeispiel wird die Kapazität nach außen durch einen Isolationstrenchring begrenzt.

Diese und weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der beigefügten Figuren erläutert, welche exemplarisch Ausführungsformen der Erfindung zeigen:
1 ist eine schematische und geschnittene Seitenansicht, welche ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung zeigt.
2 ist eine schematische und teilweise geschnittene Draufsicht auf eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung.
Nachfolgend werden strukturell und/oder funktionell ähnliche oder äquivalente Strukturen oder Verfahrensschritte mit denselben Bezugszeichen bezeichnet. Nicht in jedem Fall ihres Auftretens wird eine Detailbeschreibung der strukturellen Elemente oder Verfahrensschritte wiederholt.
1 ist eine schematische und geschnittene Seitenansicht einer ersten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung 1.
Die Halbleiterschaltungsanordnung 1 basiert auf einem Halbleitermaterialbereich 12 mit einem Oberflächenbereich 12a, auf welchem ein Epitaxiebereich 14 mit Oberfläche 14a ausgebildet ist, welcher die der Halbleiterschaltungsanordnung 1 zugrunde liegende Halbleiterschaltung 10 aufweist, die in der Ausführungsform 1 nicht näher spezifiziert ist. Es kann sich bei der Halbleiterschaltung 10 insbesondere um eine Leistungshalbleiterschaltung handeln.
Vom Oberflächenbereich 12a des Halbleitermaterialbereichs oder Halbleitersubstrats 12 beabstandet und unterhalb der Oberfläche 14a des Epitaxiebereichs 14 liegend, ist eine so genannte vergrabene Schicht in Form eines Buried Layer BUL vorgesehen. Ausgehend vom Oberflächenbereich 14a des Epitaxiebereichs 14, ist eine Anzahl Grabenstrukturen 20, 30 und 40 im Wesentlichen in senkrechter Art und Weise in das Innere des Epitaxiebereichs 14 hineingetrieben ausgebildet.
Lateral zentral liegt dabei eine so genannte Anschlussgrabenstruktur 20 vor, die einen Wandbereich 30w oder mehrere Wände 30w sowie einen Boden 30b aufweist und die mit einem ersten elektrisch leitfähigen Materialbereich 20E ausgebildet ist, der in direktem elektrischen Kontakt steht mit den Wänden 20w und 20b der Anschlussgrabenstruktur 20. Durch ein erstes Mesagebiet M1 lateral beabstandet ist eine Isolationsgrabenstruktur 30 vorgesehen, die sich vom Oberflächenbereich 14a des Epitaxiebereichs 14 ausgehend bis unter die vergrabene Schicht BUL des Epitaxiebereichs 14 in die Tiefe hinein erstreckt. Gefüllt ist die Isolationsgrabenstruktur 30, welche Wände 30w und einen Boden 30b aufweist mit einem zweiten elektrisch leitfähigen Materialbereich 30E, welcher gegenüber den Wänden 30w und gegenüber dem Boden 30b mittels einer Isolationsschicht 30I elektrisch isoliert ausgebildet ist.
Der erste elektrisch leitfähige Materialbereich 20E der Anschlussgrabenstruktur 20 und der zweite elektrisch leitfähige Materialbereich 30E der Isolationsgrabenstruktur 30 bilden eine erste bzw. eine zweite Elektrode oder Elektrodeneinrichtung E1 bzw. E2, über welche, vermittelt durch die Isolationsschicht 30I zur Isolation des zweiten elektrisch leitfähigen Materialbereichs 30E gegenüber den Wänden 30w und dem Boden 30b der Isolationsgrabenstruktur 30, eine zusätzliche Kondensatoreinrichtung C mit einer zusätzlich nutzbaren Kapazität c definiert ist und wird, welche an die Halbleiterschaltung 10 angeschlossen oder anschließbar ist, um von dieser genutzt zu werden.
Von der Isolationsgrabenstruktur 30 lateral durch ein zweites Mesagebiet M2 räumlich beabstandet ist eine zusätzliche und begrenzende Isolationsgrabenstruktur 40 mit Wandbereichen 40w und Bodenbereich 40b vorgesehen, welche mit einem dritten elektrisch leitfähigen Materialbereich 40E, über eine Isolationsschicht 40I elektrisch von den Wandbereichen 40w und dem Bodenbereich 40b der zusätzlichen und begrenzenden Isolationsgrabenstruktur 40 elektrisch isoliert gefüllt ist.
2 ist eine schematische und teilweise geschnittene Draufsicht auf eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung 1.
Auch hier liegt der Halbleiterschaltungsanordnung 1 ein Halbleitermaterialbereich 12, gegebenenfalls mit entsprechender Epitaxieschicht 14 zugrunde. In dem gezeigten Ausschnitt der Halbleiterschaltungsanordnung 1 ist zentral eine Anschlussgrabenstruktur 20 mit dem entsprechenden ersten leitfähigen Materialbereich 20E als erster Elektrodeneinrichtung E1 für die zusätzliche Kondensatoreinrichtung C gezeigt. In einem bestimmten Abstand, der lateral definiert wird durch eine erstes Mesagebiet M1, ist eine Isolationsgrabenstruktur 30 mit einer entsprechenden Füllung eines zweiten elektrisch leitfähigen Materialbereichs 30E als zweiter Elektrode E2 für die zusätzliche Kondensatoreinrichtung C für die Halbleiterschaltung 10 vorgesehen. Dabei umgibt die Isolationsgrabenstruktur 30 die Anschlussgrabenstruktur 20 in konzentrischer Art und Weise.
Ebenfalls in konzentrischer Beziehung zu den bisher genannten Strukturen ist dann räumlich lateral jeweils etwas beabstandet durch ein zweites Mesagebiet M2 eine zusätzliche und begrenzende Isolationsgrabenstruktur 40 mit einer entsprechenden Füllung in Form eines dritten leitfähigen Materialbereichs 40E vorgesehen.

1: erfindungsgemäße Halbleiterschaltungsanordnung
10: Halbleiterschaltung
12: Halbleitermaterialbereich, Halbleitersubstrat,
: Substrat
12a: Oberflächenbereich, Oberfläche
19: Epitaxiebereich
14a: Oberflächenbereich, Oberfläche
20: Anschlussgrabenstruktur, Anschlussgraben
20b: Bodenbereich, Boden
20E: erster leitfähiger Materialbereich
20w: Wandbereich, Wand
30: Isolationsgrabenstruktur
30b: Bodenbereich, Boden
30E: zweiter leitfähiger Materialbereich
30I: Isolationsbereich, Isolationsschicht
30w: Wandbereich, Wand
40: zusätzliche und begrenzende Isolationsgrabenstruktur
40b: Bodenbereich, Boden
40I: Isolationsbereich, Isolationsschicht
40w: Wandbereich, Wand
BUL: vergrabene Schicht, Buried Layer
C: zusätzliche Kondensatoreinrichtung
c: zusätzliche Kapazität
D: ausdiffundierter Bereich
E1: erste Elektrode
E2: zweite Elektrode
M1: erster Mesabereich
M2: zweiter Mesabereich

Claims

Halbleiterschaltungsanordnung (1), – bei welcher eine Halbleiterschaltung (10) ausgebildet ist, – bei welcher eine Anschlussgrabenstruktur (20) für die Halbleiterschaltung (10) ausgebildet ist, – bei welcher eine Isolationsgrabenstruktur (30) für die Halbleiterschaltung (10) ausgebildet ist, – bei welcher die Anschlussgrabenstruktur (20) und die Isolationsgrabenstruktur (30) derart in räumlicher Nachbarschaft zueinander ausgebildet sind, – dass dadurch eine zusätzliche Kondensatoreinrichtung (C) für die Halbleiterschaltung (10) ausgebildet ist, deren Kapazität (c) als nutzbare Kapazität für die und an die Halbleiterschaltung (10) angeschlossen ist.
Halbleiterschaltungsanordnung (1) nach Anspruch 1, bei welcher die Anschlussgrabenstruktur (20) und die Isolationsgrabenstruktur (30) in einem vergleichsweise geringen lateralen Abstand zueinander ausgebildet sind.
Halbleiterschaltungsanordnung (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher die Anschlussgrabenstruktur (20) und die Isolationsgrabenstruktur (30) in einem Halbleitermaterialbereich (12) oder auf einem Halbleitermaterialbereich (12) in einem Epitaxiebereich (14) ausgebildet sind, insbesondere mit einem Mesabereich (M1) dazwischen.
Halbleiterschaltungsanordnung (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher die Anschlussgrabenstruktur (20) für die Halbleiterschaltung (10) mit einem mit den Wänden (30w) und mit dem Boden (30b) der Anschlussgrabenstruktur (20) elektrisch kontaktierten ersten elektrisch leitfähigen Materialbereich (20E) als erster Elektrodeneinrichtung (E1) der zusätzlichen Kondensatoreinrichtung (C) ausgebildet ist.
Halbleiterschaltungsanordnung (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher die Isolationsgrabenstruktur (30) für die Halbleiterschaltung (10) mit einem von den Wänden (30w) und vom Boden (30b) der Isolationsgrabenstruktur (30) elektrisch isolierten zweiten elektrisch leitfähigen Materialbereich (30E) als zweiter Elektrodeneinrichtung (E2) der zusätzlichen Kondensatoreinrichtung (C) ausgebildet ist.
Halbleiterschaltungsanordnung (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher die zusätzliche Kondensatoreinrichtung (C) und deren Kapazität (c) durch eine zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur (40) lateral begrenzt und abgeschlossen ausgebildet sind.
Halbleiterschaltungsanordnung (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur (40) für die Halbleiterschaltung (10) mit einem von den Wänden (40w) und vom Boden (40b) der zusätzlichen begrenzenden Isolationsgrabenstruktur (40) elektrisch isolierten dritten elektrisch leitfähigen Materialbereich (40E) ausgebildet ist.
Halbleiterschaltungsanordnung (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher die Isolationsgrabenstruktur (30) die Anschlussgrabenstruktur (20) lateral umgebend ausgebildet ist, insbesondere in konzentrischer Art und Weise.
Halbleiterschaltungsanordnung (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur (40) die Anschlussgrabenstruktur (20) und die Isolationsgrabenstruktur (30) lateral umgebend ausgebildet sind, insbesondere in konzentrischer Art und Weise.
Halbleiterschaltungsanordnung (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher die Anschlussgrabenstruktur (20), die Isolationsgrabenstruktur (30) und/oder insbesondere die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur (40) mit einer Füllung aus einem Material oder einer Kombination von Materialien aus der Gruppe als erstem, zweitem bzw. drittem elektrisch leitfähigem Materialbereich (20E, 30E, 40E) gefüllt und ausgebildet ist, die besteht aus Polysilizium, Metallen und Wolfram.
Halbleiterschaltungsanordnung (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welcher die Halbleiterschaltung (10) als Leistungshalbleiterschaltung und insbesondere als Smart-Power-Schaltung ausgebildet ist.
Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschaltungsanordnung (1), – bei welchem eine Halbleiterschaltung (10) ausgebildet wird, – bei welchem eine Anschlussgrabenstruktur (20) für die Halbleiterschaltung (10) ausgebildet wird, – bei welchem eine Isolationsgrabenstruktur (30) für die Halbleiterschaltung (10) ausgebildet wird, – bei welchem die Anschlussgrabenstruktur (20) und die Isolationsgrabenstruktur (30) derart in räumlicher Nachbarschaft zueinander ausgebildet werden, – dass dadurch eine zusätzliche Kondensatoreinrichtung (C) für die Halbleiterschaltung (10) ausgebildet ist, deren Kapazität (c) als nutzbare Kapazität für die und an die Halbleiterschaltung (10) angeschlossen wird.
Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem die Anschlussgrabenstruktur (20) und die Isolationsgrabenstruktur (30) in einem vergleichsweise geringen lateralen Abstand zueinander ausgebildet werden.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 oder 13, bei welchem die Anschlussgrabenstruktur (20) und die Isolationsgrabenstruktur (30) in einem Halbleitermaterialbereich (12) oder auf einem Halbleitermaterialbereich (12) in einem Epitaxiebereich (14) ausgebildet werden, insbesondere mit einem Mesabereich (M1) dazwischen.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 bis 14, bei welchem die Anschlussgrabenstruktur (20) für die Halbleiterschaltung (10) mit einem mit den Wänden (30w) und mit dem Boden (30b) der Anschlussgrabenstruktur (20) elektrisch kontaktierten ersten elektrisch leitfähigen Materialbereich (20E) als erste Elektrodeneinrichtung (E1) der zusätzlichen Kondensatoreinrichtung (C) ausgebildet wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 bis 15, bei welchem die Isolationsgrabenstruktur (30) für die Halbleiterschaltung (10) mit einem von den Wänden (30w) und vom Boden (30b) der Isolationsgrabenstruktur (30) elektrisch isolierten zweiten elektrisch leitfähigen Materialbereich (30E) als zweite Elektrodeneinrichtung (E2) der zusätzlichen Kondensatoreinrichtung (C) ausgebildet wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 bis 16, bei welchem die zusätzliche Kondensatoreinrichtung (C) und deren Kapazität (c) durch eine zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur (40) lateral begrenzt und abgeschlossen ausgebildet werden.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 bis 17, bei welchem die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur (40) für die Halbleiterschaltung (10) mit einem von den Wänden (40w) und vom Boden (40b) der zusätzlichen begrenzenden Isolationsgrabenstruktur (40) elektrisch isolierten dritten leitfähigen Materialbereich (40E) ausgebildet wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 bis 18, bei welchem die Isolationsgrabenstruktur (30) die Anschlussgrabenstruktur (20) lateral umgebend ausgebildet wird, insbesondere in konzentrischer Art und Weise.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 bis 19, bei welchem die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur (40) die Anschlussgrabenstruktur (20) und die Isolationsgrabenstruktur (30) lateral umgebend ausgebildet werden, insbesondere in konzentrischer Art und Weise.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 bis 20, bei welchem die Anschlussgrabenstruktur (20), die Isolationsgrabenstruktur (30) und/oder insbesondere die zusätzliche begrenzende Isolationsgrabenstruktur (40) mit einer Füllung aus einem Material oder einer Kombination von Materialien aus der Gruppe als erstem, zweitem bzw. drittem elektrisch leit fähigem Materialbereich (20E, 30E, 40E) gefüllt und ausgebildet wird, die besteht aus Polysilizium, Metallen und Wolfram.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 bis 21, bei welchem die Halbleiterschaltung (10) als Leistungshalbleiterschaltung und insbesondere als Smart-Power-Schaltung ausgebildet wird.