DE102005018470A1 - Optischer Gassensor - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen optischen Gassensor, mit mindestens: DOLLAR A einem Substrat (3), DOLLAR A einer an dem Substrat (3) befestigten IR-Strahlungsquelle (14), DOLLAR A einem an dem Substrat (3) befestigten IR-Detektor-Chip (16), DOLLAR A einem Reflektoraufsatz (4), der an dem Substrat (3) oder an einem das Substrat (3) aufnehmenden Gehäuse (2) befestigt ist, DOLLAR A wobei der Reflektoraufsatz (4) einen Reflektorbereich (4.1), der von der IR-Strahlungsquelle (14) ausgesandte IR-Strahlung auf den mindestens einen IR-Detektor-Chip (16) bündelt, und einen außerhalb des Reflektorbereichs (4.1) liegenden weiteren Bereich (4.2, 4.4) zur Begrenzung eines Strahlenganges der IR-Strahlung oder zur Begrenzung eines Passivierungsmittels (28) aufweist. DOLLAR A Erfindungsgemäß kann der Reflektoraufsatz hierbei insbesondere einen einklappbaren Blendenbereich (4.1) mit Blendenöffnungen (22) oder einen als Gel-Stopp bei der Einbringung eines Passivierungsmittels dienenden Rahmenbereich aufweisen.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen optischen Gassensor, der insbesondere zur Detektion von Kohlendioxid, z. B. im Kfz-Bereich, einsetzbar ist.
  • Derartige optische Gassensoren für die spektroskopische Messung von Gaskonzentrationen basieren auf dem Prinzip der Strahlungsabsorption von infraroter Strahlung im Messgas. Sie weisen im allgemeinen eine IR-Strahlungsquelle, ein oder mehrere wellenlängenspezifische IR-Strahlungsdetektoren, ein Sensorgehäuse und eine Auswerteelektronik auf. Die IR-Strahlungsquelle und die weiteren Bauelemente sind im Allgemeinen auf einem Substrat, insbesondere einer Leiterplatte, angebracht. Ein Reflektor dient zur Erhöhung der Strahlungsintensität und bündelt die von der IR-Strahlungsquelle ausgehende IR-Strahlung auf mindestens einen IR-Strahlungsdetektor.
  • Der IR-Strahlungsdetektor ist hierbei im allgemeinen als mikrostrukturiertes Bauelement ausgebildet, dessen Messstruktur z. B. eine Membran mit einer Thermopile-Struktur und einer Absorberschicht aufweist. Die Auswerteelektronik kann z. B. als ASIC ausgebildet sein.
  • Zur Montage der Chips auf dem Substrat ist grundsätzlich die sehr kostengünstige Chip-On-Board (COB)-Technologie bekannt, bei der die Chips direkt auf dem Substrat angebracht und kontaktiert werden, ohne sie zunächst in Chip-Gehäuse aufzunehmen. Zwar entstehen bei der COB-Technologie Kostenvorteile durch die Vermeidung des zusätzlichen Prozessschrittes der Einbringung der Chips in Chipgehäuse; die Chips müssen jedoch vor Umwelteinflüssen geschützt werden, wozu im Allgemeinen ein Passivierungsmittel, z. B. ein Silikongel auf das Substrat aufgebracht wird, das die Chips umgibt. Zur Begrenzung des Passivierungsmittels wird ein Gel-Stopp verwendet, der z. B. durch einen aufgesetzten Rahmen gebildet wird. Somit sind weitere Bauteile und Montageschritte erforderlich, die wiederum den Fertigungsaufwand und die Fertigungskosten erhöhen.
  • Der Reflektor kann im allgemeinen zwischen dem Gehäuse und einem zusätzlichen Deckel angebracht werden; weiterhin ist der Einsatz von Reflektormodulen bzw. Reflektoraufsätzen bekannt, die den Sensor nach oben abschließen; derartige Reflektoraufsätze sind jedoch im allgemeinen kostenintensiv; weiterhin ist die Ausrichtung über dem Detektor, um eine gute Bündelung der IR-Strahlung zu erreichen, schwierig und aufwendig.
  • Vorteile der Erfindung:
  • Der erfindungsgemäße optische Gassensor weist demgegenüber einige Vorteile auf. Erfindungsgemäß ist an dem Reflektoraufsatz zusätzlich zu dem Reflektorbereich mindestens ein weiterer Bereich vorgesehen, der als zusätzliche Funktionalität eine Begrenzung ermöglicht. Der Reflektoraufsatz mit dem Reflektorbereich und dem zusätzlichen Bereich kann in einem Stück und somit mit geringen Kosten gefertigt werden, so dass die zusätzliche Funktionalität mit sehr geringem Mehraufwand erreicht wird und ggf. weitere, diese Funktionalität bisher gewährleistende Bauteile entfallen können.
  • Die weitere Funktionalität kann zum einen eine optische Begrenzung des IR-Strahlenganges sein, indem der weitere Bereich ein Blendenbereich ist, der aufgrund seiner festen Anbindung sicher und fest über dem mindestens einem Detektor-Chip positioniert werden kann. Erfindungsgemäß ist somit die aufwendige Ausrichtung einer zusätzlichen Blende oder des Reflektors gegenüber der Blende überflüssig; weiterhin ist die korrekte Ausrichtung des Reflektors zur Blende gewährleistet. Hierzu kann der Blendenbereich an dem Reflektorbereich z. B. über einen durch Materialschwächung ausgebildeten Gelenkbereich angebracht sein und nach der Herstellung derartig ein geklappt werden, dass er in seiner gewünschten Position einrastet und/oder arretiert, z. B. in Halterungen des Reflektorbereichs. Der Blendenbereich kann zwei oder mehr Blendenöffnungen aufweisen, die jeweils als optische Apertur der IR-Strahlung über den Messstrukturen des Detektorchips dienen.
  • Der Reflektoraufsatz kann an seiner Innenseite durchgehend mit einer reflektierenden Schicht ausgebildet werden, die sich somit auch bis in den Blendenbereich erstreckt; da der Blendenbereich nachfolgend eingeklappt wird, weist die verspiegelte Fläche nicht zu den Detektorchips hin und bewirkt somit keine unerwünschten Strahlungsreflektionen.
  • Alternativ und/oder zusätzlich hierzu kann als weiterer Bereich des Reflektoraufsatzes ein Rahmenbereich vorgesehen sein, der mit einer Auflagefläche auf dem Substrat aufliegt. Hierdurch wird die eingangs beschriebene, grundsätzlich sehr kostengünstige Chip-On-Board (COB)-Technologie ermöglicht, bei der Chips direkt auf dem Substrat aufgebracht und kontaktiert werden. Der Rahmenbereich dient erfindungsgemäß als Gel-Stopp zur Begrenzung des Passivierungsmittels, das den einen oder die mehreren Chips, d.h. insbesondere den IR-Detektorchip, das ASIC, den Microcontroller und gegebenenfalls einen als Schnittstelle dienenden Chip, entweder vollständig oder – insbesondere bei dem IR-Detektorchip – in seinen Seitenbereichen umgibt und Kontaktbereiche und Bonddrähte bzw. Anschlusspins passiviert.
  • Erfindungsgemäß kann der als Stopp für das Passivierungsmittel dienende Rahmen somit in den Reflektoraufsatz integriert werden. Zur Erhöhung seiner Festigkeit kann er mit Stützstreben versehen sein, die z. B. als Metallstreben oder verdickte Bereiche ausgebildet sind. Der Rahmenbereich dient somit als Verbindung zwischen dem Substrat und dem Reflektorbereich und gewährleistet gleichzeitig den korrekten Sitz bzw. die genaue Positionierung des Reflektorbereiches, um eine gute Bündelung der IR-Strahlung zu erreichen.
  • Die beiden Ausführungsformen des Blendenbereichs und Rahmenbereichs können miteinander kombiniert werden; in diesem Fall kann das Gelenk des Blendenbereichs z. B. auch an dem Rahmenbereich vorgesehen sein.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand der beiliegenden Zeichnungen an einigen Ausführungsformen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1a einen optischen Gassensor in auseinander gezogener Darstellung gemäß einer Ausführungsform mit Deckel
  • 1b einen optischen Gassensor in auseinander gezogener Darstellung gemäß einer Ausführungsform ohne Deckel;
  • 2 den Reflektoraufsatz und die Leiterplatte aus 1b in perspektivischer Darstellung;
  • 3 den Reflektoraufsatz gemäß einer ersten Ausführungsform mit einklappbarem Blendenbereich;
  • 4 eine Aufsicht auf den eingeklappten Blendenbereich des Reflektoraufsatzes und den darunter liegenden Detektorchip;
  • 5 ein Reflektoraufsatz gemäß einer weiteren Ausführungsform mit sich an den Reflektorbereich anschließendem Rahmenbereich zur Begrenzung eines Passivierungsmittels.
  • Ein optischer Gassensor 1 weist gemäß 1a, b ein Gehäuse 2, z. B. aus Kunststoff oder Metall, ein in das Gehäuse 2 gesetztes und z. B. in den Gehäuseboden 2.1 eingestecktes Substrat 3, vorzugsweise eine Leiterplatte 3, und einen auf das Substrat 3 gesetzten Reflektoraufsatz 4 auf. Gemäß der Ausführungsform der 1a ist auf dem Gehäuse 2 ein Deckel 6 mit einer in den Deckel 6 gesetzten Membran 7 befestigt.
  • Falls der Reflektoraufsatz 4 hinreichend stabil und zu den Seiten hin geschlossen ist, kann gemäß 1b der Deckel 6 mit der Membran 7 auch weggelassen werden, so dass der Reflektoraufsatz 4 selbst als nach oben begrenzender Deckel wirkt. In diesem Fall ist z. B. in einem Seitenbereich des Deckels 6 eine Gaseinlassöffnung 10 mit eingesetzter Membran 7 vorgesehen; vorteilhafterweise sind zwei Gaseinlassöffnungen 10 an gegenüberliegenden Seiten vorgesehen, um eine Luftzirkulation zu ermöglichen. Der Reflektoraufsatz 4 kann bei beiden Ausführungsformen an seiner Unterseite z. B. Einpressstifte 12 aufweisen, die in entsprechende Löcher der Leiterplatte 3 gesteckt werden; alternativ hierzu kann der Reflektoraufsatz 4 bei beiden Ausführungsformen grundsätzlich auch in dem Gehäuse 2 befestigt sein.
  • Als IR-Strahlungsquelle 14 ist eine im Niederstrombereich betriebene Glühlampe mit für IR-Strahlung transparentem Gehäusekörper von unten durch eine entsprechende Öffnung der Leiterplatte 3 gesetzt und ragt aus der Oberseite der Leiterplatte 3 hervor. Auf der Leiterplatte 3 ist ein Detektorchip 16, vorteilhafterweise auch ein als Auswerteeinrichtung dienender ASIC 17 und z. B. ein möglicher Controller-Chip 18 sowie ggf. ein CAN-Chip 19 zum Anschluss an ein fahrzeuginternes Bussystem montiert; hierbei können die Chips 16, 17, 18 und 19 gemäß der gezeigten Ausführungsform in Chip-On-Board (COB)-Technologie direkt auf die Leiterplatte 3 gesetzt sein, oder zunächst in entsprechende Chipgehäuse aufgenommen sein, die wiederum auf der Leiterplatte 3 befestigt sind. Der Reflektoraufsatz 4 weist einen oberhalb der Lampe 14 und des Detektorchips 16 angeordneten, im Wesentlichen konvex gewölbten, innen verspiegelten Reflektorbereich 4.1 auf, der von der IR-Strahlungsquelle 14 ausgesandte IR-Strahlung bündelt und auf den Detektorchip 16 fokussiert. Hierdurch wird zum einen ein hohes Messsignals ausgegeben und weiterhin eine große Messstrecke bzw. ein großer Mess raum, vorteilhafterweise im Wesentlichen der Innenraum des Reflektorbereichs 4.1, ausgebildet. Der Reflektorbereich 4.1 ist zumindest oberhalb der IR-Strahlungsquelle 14 und oberhalb der Detektorchips 16 reflektierend ausgebildet, vorzugsweise ist er durchgängig reflektierend ausgebildet.
  • Erfindungsgemäß weist der Reflektoraufsatz 4 einen oder mehrere weitere Bereiche auf, die zusätzliche Funktionalitäten ermöglichen: Gemäß 3 weist der Reflektoraufsatz 4 einen an den Reflektorbereich 4.1 angrenzenden Blendenbereich 4.2 mit zwei Blendenöffnungen 22 auf. Zwischen dem Reflektorbereich 4.1 und dem Blendenbereich 4.2 ist z. B. durch Materialausdünnung ein Gelenk 4.3 ausgebildet, in welchem der Blendenbereich 4.2 nach innen eingeklappt wird. In vollständig eingeklapptem Zustand, d. h. von der Grundstellung der 4 nach Einklappen um 180° rastet der Blendenbereich in seiner Zielposition ein bzw. arretiert. Die Blendenöffnungen 22 des Blendenbereichs 4.2 liegen nunmehr gemäß der Aufsicht der 4 oberhalb der sensitiven Messstrukturen bzw. Messkanäle des Detektorchips 16.
  • Der in 4 gezeigte Detektorchip 16 kann als Messkanäle z. B. zwei in dem Detektorchip 16 ausgebildeten Membranbereiche mit Thermopile-Strukturen aus kontaktierten Leiterbahnen mit unterschiedlichem Seebeck-Koeffizienten und auf diesen ausgebildeten Absorberschichten für IR-Strahlung aufweisen. Hierbei können auf den Messstrukturen Strahlungsfilter, z. B. Filterchips, zur Filterung der einfallenden IR-Strahlung in einem Messwellenlängenbereich und einem Referenzwellenlängenbereich vorgesehen sein; alternativ hierzu können entsprechende Filter erfindungsgemäß jedoch auch auf den Blendenbereich 4.2 geklebt werden und die Blendenöffnungen 22 verdecken.
  • Da der Reflektoraufsatz 4 mit seinen Einpressstiften 12 sehr genau auf der Leiterplatte 3 (bzw. einem anderen Substrat 3) oder alternativ hierzu an dem Gehäuse 2 positioniert und befestigt werden kann, kann der Blendenbereich 4.2 mit den Blendenöffnungen 22 entsprechend genau oberhalb des Detektorchips 16 positioniert werden, so dass eine aufwendige Ausrichtung entfällt.
  • 5 zeigt eine weitere Ausführungsform des Reflektoraufsatzes 4, bei dem angrenzend an den Reflektorbereich 4.1 ein Rahmenbereich 4.4 vorgesehen ist, der sich um den Reflektorbereich 4.1 erstreckt und eine Auflagefläche 4.5 zur Auflage auf der Leiterplatte 3 aufweist. In dem Rahmenbereich 4.4 verlaufen Stützstreben 25 zur Erhöhung seiner Stabilität, wobei die Stützstreben 25 z. B. als Metalleinlagen, oder auch als Verdickungen des Kunststoffmaterials des Reflektoraufsatzes 4 ausgebildet sein können.
  • Die Ausführungsform der 5 ist insbesondere bei Befestigung der Chips 16, 17, 18 und 19 auf der Leiterplatte 3 in COB-Technologie sinnvoll, bei der die Chips 16, 17, 18 und 19 direkt bzw. bare die aufgesetzt und kontaktiert werden, wobei nachfolgend ein Passivierungsmittel 28, z. B. ein Passivierungsgel, auf die Oberfläche der Leiterplatte 3 aufgegeben wird, das die Chips 16, 17, 18 und 19 passiviert; hierbei können der ASIC 17, der Mikrokontrollerchip 18 sowie der CAN-Chip 19 grundsätzlich vollständig von dem Passivierungsmaterial 28 bedeckt werden; da das Passivierungsmaterial 28 jedoch für die IR-Strahlung weitgehend undurchlässig ist (bzw. ein für IR-Strahlung hinreichend durchlässiges Passivierungsmaterial 28 in der Regel sehr kostspielig ist) wird die Oberseite des Detektorchips 16 von dem Passivierungsmaterial nicht bedeckt. Der Rahmenbereich 4.4 dient zur Begrenzung des eingegebenen Passivierungsmittels 28 und kann z. B. eine Stopp-Kante 30 aufweisen, die zur Begrenzung der Füllhöhe des eingegebenen Passivierungsmaterials 28 dient.

Claims (8)

  1. Optischer Gassensor, mit mindestens: einem Substrat (3), einer an dem Substrat (3) befestigten IR-Strahlungsquelle (14), einem an dem Substrat (3) befestigten IR-Detektor-Chip (16), einem Reflektoraufsatz (4), der an dem Substrat (3) oder an einem das Substrat (3) aufnehmenden Gehäuse (2) befestigt ist, wobei der Reflektoraufsatz (4) einen Reflektorbereich (4.1), der von der IR-Strahlungsquelle (14) ausgesandte IR-Strahlung auf den mindestens einen IR-Detektor-Chip (16) bündelt, und einen außerhalb des Reflektorbereichs (4.1) liegenden weiteren Bereich (4.2, 4.4) zur Begrenzung eines Strahlenganges der IR-Strahlung oder zur Begrenzung eines Passivierungsmittels (28) aufweist.
  2. Optischer Gassensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der weitere Bereich einen Blendenbereich (4.2) mit Blendenöffnungen (22) aufweist, die oberhalb des mindestens einen IR-Detektorchips (16) angeordnet sind.
  3. Optischer Gassensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Blendenbereich (4.2) über einen Gelenkbereich (4.3) mit dem Reflektorbereich (4.1) verbunden ist und durch Einklappen in dem Gelenkbereich (4.3) über dem mindestens einen IR-Detektorchip (16) positionierbar ist.
  4. Optischer Gassensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Blendenbereich (4.2) in seiner eingeklappten Stellung in dem Reflektorbereich (4.1) eingerastet oder arretiert ist.
  5. Optischer Gassensor nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als ein weiterer Bereich des Reflektoraufsatzes (4) ein Rahmenbereich (4.4) vorgesehen ist, der in einer Auflagefläche (4.5) auf dem Substrat (3) aufliegt und ein auf das Substrat (3) aufgebrachtes Passivierungsmittel (28) in lateraler Richtung begrenzt, wobei das Passivierungsmittel (28) mindestens einen direkt auf dem Substrat (3) montierten Chip (16, 17, 18, 19) passiviert.
  6. Optischer Gassensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Reflektorbereich (4.4) Stützstreben (25) vorgesehen sind, die von dem Reflektorbereich (4.1) ausgehend nach außen zu der Auflagefläche (4.5) des Rahmenbereichs (4.4) hin verlaufen.
  7. Optischer Gassensor nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Rahmenbereich (4.4) den Reflektorbereich (4.1) lateral zu allen Seiten hin umgibt.
  8. Optischer Gassensor nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der IR-Detektor-Chip (16) mikrostrukturiert ist.
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