DE102005004709A1

DE102005004709A1 - Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen

Info

Publication number: DE102005004709A1
Application number: DE200510004709
Authority: DE
Inventors: Peter Brandl
Original assignee: Atmel Germany GmbH
Current assignee: Atmel Germany GmbH
Priority date: 2005-02-02
Filing date: 2005-02-02
Publication date: 2006-08-10
Also published as: WO2006081974A1

Abstract

Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltkreise mit Silizium-Germanium-Heterobipolartransistoren, indem DOLLAR A das Herstellungsverfahren in mehrere Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) aufgegliedert ist, wobei als Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) DOLLAR A - ein Anschlussmodul zur Erzeugung eines Anschlussgebietes, DOLLAR A - ein Kollektor-Emitter-Modul zur Erzeugung eines, an das Anschlussgebiet angrenzenden Kollektorgebietes und/oder eines, an das Anschlussgebiet angrenzenden Emittergebietes, und DOLLAR A - ein Basismodul zur Erzeugung eines Basisgebietes DOLLAR A definiert sind und wobei die Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) zueinander derartige Verfahrensschnittstellen (I¶12¶, I¶23¶) aufweisen, dass zur Entwicklung einer von der bestehenden Technologieversion abweichenden Technologieversion DOLLAR A zumindest ein Prozessschritt (P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P8 oder P9) eines Verfahrensmoduls (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) unter Einhaltung der Verfahrensschnittstelle (I¶12¶, I¶23¶) unabhängig von den Prozessschritten (P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P8 oder P9) der übrigen Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) geändert wird.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen.

Aus dem Stand der Technik sind integrierte Halbleiterschaltkreise und Verfahren zur Herstellung derselben bekannt, die Heterobipolartransistoren mit einem Silizium-Germanium-Mischkristall im Basishalbleitergebiet aufweisen.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es das Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen weiter zu entwickeln. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.

Demgemäß ist ein Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltkreise mit Silizium – Germanium – Heterobipolartransistoren vorgesehen. Das Herstellungsverfahren ist in mehrere Verfahrensmodule aufgegliedert. Ein Verfahrensmodul weist dabei einen, vorzugsweise jedoch zumindest zwei Prozessschritte des Herstellungsverfahrens auf. Zur Aufgliederung sind gemäß der Erfindung mehrere oder alle Prozessschritte in Modulen zusammengefasst.

Als Verfahrensmodule sind

– ein Anschlussmodul zur Erzeugung eines insbesondere vergrabenen Anschlussgebietes,
– ein Kollektor-Emitter-Modul zur Erzeugung eines, an das Anschlussgebiet angrenzenden Kollektorgebietes und/oder eines, an das Anschlussgebiet angrenzenden Emittergebietes, und
– ein Basismodul zur Erzeugung eines Basisgebietes

definiert.

Unter einem insbesondere vergrabenen Anschlussgebiet wird ein leitfähiges Gebiet zum Anschluss eines halbleitenden, vorzugsweise aktiven Gebietes verstanden, das vorzugsweise bezüglich der Waferoberfläche zumindest teilweise unterhalb eines aktiven Halbleitergebiets insbesondere des Heterobipolartransistors angeordnet ist. Vorzugsweise ist das aktive Halbleitergebiet zumindest teilweise monokristallin. Das Halbleitergebiet der Basis grenzt bevorzugt unmittelbar an das Kollektorgebiet und/oder an das Emittergebiet, das zumindest an der Grenzfläche monokristallin ausgebildet ist. Dabei können im Herstellungsprozess zusätzliche dünne intrinsische Schichten vorgesehen sein, die beispielsweise während des weiteren Verfahrensverlaufs durch Diffusion von Dotanden als Basisgebiet, als Kollektorgebiet oder als Emittergebiet dotiert werden.

Das Wesen der Erfindung liegt dabei in der Entwicklung einer von der bestehenden Technologieversion abweichenden Technologieversion, indem die Verfahrensmodule zueinander derartige Verfahrensschnittstellen aufweisen, dass zumindest ein Prozessschritt eines Verfahrensmoduls unter Einhaltung der Verfahrensschnittstelle unabhängig von den Prozessschritten der übrigen Verfahrensmodule für die abweichende Technologieversion geändert wird.

Die Verfahrenschnittstellen weisen vorzugsweise eine oder mehrere Verfahrensbedingungen auf, die Prozesse von mindestens zwei Modulen betreffen. Beispielsweise betrifft ein Hochtemperatur-Epitaxie-Prozessschritt im Kollektor-Emitter-Modul sowohl die Diffusion und somit die Dotierstoffverteilung der im Anschlussmodul als auch die Diffusion und somit die Dotierstoffverteilung der im Kollektor-Emitter-Modul eingebrachten Dotierstoffe, die während des Hochtemperatur-Epitaxie-Prozessschritts diffundieren.

Technologieversionen unterscheiden sich dann, wenn sich die elektrischen Eigenschaften zumindest eines integrierten Bauelementes mit dem Technologiewechsel ändern. Vorzugsweise wird mit der neuen Technologieversion der Heterobipolartransistor den gewünschten Spezifikationen angepasst.

Die Erzeugung der vorzugsweise hochdotierten, metallischen und/oder silizidierten Zuleitungen für die zuvor genannten Gebiete kann dabei ein Bestandteil des jeweiligen Verfahrensmoduls sein und/oder ein oder mehrere separate Verfahrensmodule bilden.

Das Basismodul kann in einer ersten Erfindungsvariante dabei die Ausbildung des Basishalbleitergebietes als auch das Aufbringen des nachfolgend auf das Basishalbleitergebiet aufgebrachte Emitterhalbleitergebiet aufweisen. In diesem Fall werden die Verfahrensschnittstellen des Basismoduls auch für die Ausbildung des Emitterhalbleitergebietes definiert.

Dagegen sieht eine alternative zweite Erfindungsvariante vor, dass neben dem Basismodul ein zusätzliches Emittermodul vorgesehen ist, wobei in dem Emittermodul das Emitterhalbleitergebiet ausgebildet wird. Hierbei ist eine zusätzliche Verfahrensschnittstelle zum Basismodul definiert.

Analoges gilt für die Ausbildung eines Kollektorhalbleitergebiet innerhalb eines Kollektormoduls analog der ersten beziehungsweise zweiten Erfindungsvariante, wenn im Kollektor-Emitter-Modul bereits ein Emitterhalbleitergebiet ausgebildet worden ist.

Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung weist zumindest ein Verfahrensmodul zumindest zwei Modulvarianten auf. Die Modulvarianten werden dabei in ein und derselben Technologieversion verwendet, um unterschiedliche Bauelemente mit einer reduzierten Anzahl von nötigen Prozessschritten zu erzeugen. Bevorzugt werden die zumindest zwei Modulvarianten auf demselben integrierten Schaltkreis durchgeführt. Beispielsweise kann eine erste Modulvariante zur Erzeugung eines Kollektorgebietes und eine zweite Modulvariante zur zumindest teilweise parallelen Erzeugung eines Emittergebietes ausgestaltet werden.

Eine besonders bevorzugte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass zur Entwicklung einer von einer bestehenden Technologiegeneration abweichenden neuen Technologiegeneration zumindest eine Verfahrensschnittstellenbedingung zumindest einer der Verfahrensschnittstellen geändert wird. In diesem Fall führt diese Änderung dazu, dass keine Versionierung mehr erfolgt. Eine durch die Versionierung mögliche Kompatibilität der Technologieversionen untereinander wird dabei aufgegeben, um signifikantere Anpassungen des Herstellungsgesamtprozesses an neue Anforderungen an die elektrischen Eigenschaften mit zusätzlichen Freiheitsgraden zu ermöglichen. Um die Überprüfung der neuen Technologiegeneration weitestgehend zu vereinfachen ist dabei vorzugsweise vorgesehen, dass höchstens drei Verfahrensschnittstellenbedingungen der Verfahrensschnittstellen geändert werden.

In einer anderen besonders vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass zumindest eine der Verfahrensschnittstellen zumindest eine Verfahrensschnittstellenbedingung aufweist, die von zumindest zwei innerhalb bestimmter Bereiche variabler Verfahrensparameter abhängig ist. Deren Variabilität ist dabei vorzugsweise durch die Verfahrensschnittstellenbedingung oder durch andere Prozessbedingungen begrenzt. Verfahrensparameter können dabei alle innerhalb eines oder mehrerer Prozessschrite einstellbare Parameter der Herstellungsverfahrens sein, wie beispielsweise eine Implantationsdosis, eine Implantationsenergie, die Dauer eines Temperschrittes oder die Dauer einer Ätzung.

Die Verfahrensschnittstellenbedingung ermöglicht dabei weiterhin eine Änderung der Verfahrensparameter für die abweichende Technologieversion, wobei die Verfahrensparameter in Kombination jedoch die Verfahrensschnittstellenbedingung weiterhin erfüllen müssen. Die Kombination der Verfahrensparameter kann beispielsweise durch einen Algorithmus, in einfachsten Fällen durch eine Summation oder Multiplikation festgelegt sein. Vorzugsweise ist dabei die Verfahrensschnittstellenbedingung mehrdimensional. Vorteilhafterweise ermöglicht die Verfahrensschnittstellenbedingung durch entsprechende Freiheitsgrade in der Variabilität der Verfahrensparameter eine Flexibilität in der Ausgestaltung der abweichenden Technologieversion.

Eine bevorzugte Ausgestaltung dieser Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass die Verfahrensschnittstellenbedingung eine Diffusionslänge ist, die von einem Dotierstoff, einer Dotierstoffkonzentration und einem thermischen Budget nachfolgender Verfahrensmodule als variable Verfahrensparameter abhängig ist. Demgemäß können unter Einhaltung der Bedingung der Diffusionslänge sowohl der Dotierstoff, die Dotierstoffkonzentration als auch das thermische Budget in Kombination geändert und hierdurch die Technologie versioniert werden.

Eine weitere bevorzugte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass eine Erste der Verfahrensschnittstellen zwischen Anschlussmodul und Kollektor-Emitter-Modul in einer Abfolge der Prozessschritte vor einem epitaktischen Aufbringen von Halbleitermaterial des Kollektorgebietes und/oder des Emittergebietes gesetzt ist. Dabei ist die erste Verfahrenschnittstelle zeitlich vor der Epitaxie angeordnet, so dass zwischen der Verfahrenschnittstelle und der Epitaxie weitere Prozessschritte, wie ein Reinigungsätzen erfolgen können. Bevorzugt ist die erste Verfahrensschnittstelle jedoch zeitlich unmittelbar vor der Epitaxie gesetzt.

Die Erfindung weiterbildend ist die erste Verfahrensschnittstelle durch einen Dotierstoff, eine Dotierstoffkonzentration, das thermische Budget nachfolgender Verfahrensmodule und/oder einer Diffusionslänge als Schnittstellenbedingung definiert. Weitere Schnittstellenbedingungen sind beispielsweise die Oberflächenbeschaffenheit vor dem zweiten Modul oder definierte Isolatorgebiete.

Ein weiterer Aspekt der Erfindung ist, dass vorzugsweise das Anschlussmodul die Prozessschritte

– Ätzen eines Grabens in ein Halbleitersubstrat und
– Erzeugen von isolierenden Wänden des Grabens mittels eines Dielektrikums

aufweist.

Vorteilhafterweise weist das Anschlussmodul zusätzlich die Prozessschritte

– Verfüllen des Grabens durch Aufbringen einer Siliziumschicht,
– anisotropes Rückätzen der Siliziumschicht bis auf eine außerhalb des Grabens verbleibende Restschicht und
– Oxidieren der Restschicht und Planarisieren der Oxidschicht auf.

In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird in einer ersten Modulvariante in ein erstes, insbesondere vergrabenes Anschlussgebiet eine höhere Dotierstoffkonzentration eingebracht als in ein zweites vergrabenes Anschlussgebiet einer zweiten Modulvariante, so dass durch die größere Diffusionslänge der ersten Modulvariante eine Kollektordriftzone verkürzt ist.

Ein weiterer Aspekt der Erfindung sind Halbleiterschaltkreise unterschiedlicher Technologieversionen, die Silizium-Germanium-Hetero bipolartransistoren mit mehreren unterschiedlichen Strukturmodulen aufweisen.

Als Strukturmodule sind

– ein Anschluss-Strukturmodul mit einem vergrabenen Anschlussgebiet,
– ein Kollektor-Emitter-Strukturmodul mit einem, an das Anschlussgebiet angrenzenden Kollektorgebiet und/oder einem, an das Anschlussgebiet angrenzenden Emittergebiet und
– ein Basis-Strukturmodul mit einem, ein Silizium-Germanium-Mischkristall aufweisendes Basisgebiet

definiert.

Die Strukturmodule weisen zueinander derartige Strukturschnittstellen auf, dass zur Entwicklung einer von der bestehenden Technologieversion abweichenden Technologieversion zumindest eine elektrische Eigenschaft eines Strukturmoduls unter Einhaltung der Strukturschnittstelle unabhängig von den elektrischen Eigenschaften der übrigen Strukturmodule geändert ist.

Ein wiederum anderer Aspekt der Erfindung ist eine Verwendung eines zuvor beschriebenen Verfahrens zur Herstellung integrierter Schaltkreise oder zuvor beschriebener Halbleiterschaltkreise zur Anpassung der Technologieversion an applikationsspezifische Randbedingungen.

Im Folgenden wird die Erfindung durch Ausführungsbeispiele anhand zeichnerischer Darstellungen näher erläutert.
Es zeigen
1 Verfahrensmodule mit zugeordneten Verfahrensschnittstellen,
2a eine erste schematische Schnittansicht nach Prozessschritten der Herstellung eines integrierten Schaltkreises,
2b eine zweite schematische Schnittansicht nach Prozessschritten der Herstellung eines integrierten Schaltkreises,
2c eine dritte schematische Schnittansicht nach Prozessschritten der Herstellung eines integrierten Schaltkreises, und
2d eine vierte schematische Schnittansicht nach Prozessschritten der Herstellung eines integrierten Schaltkreises.
Gemäß 1 ist das Herstellungsverfahren für einen integrierten Schaltkreis mit einem Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor in mehrere Verfahrensmodule Modul 1a, Modul 1b, Modul 2, Modul 3a und Modul 3b unterteilt. Dabei zeigt die Modulaufteilung des Ausführungsbeispiels der 1 sowohl für das erste Modul (Modul 1a/Modul 1b) eine erste Modulvariante Modul 1a und eine zweite Modulvariante Modul 1b als auch für das dritte Modul die Modulvarianten Modul 3a und Modul 3b.
Das Ausführungsbeispiel der 1 zeigt beispielhaft die vorteilhafte Aufteilung in drei Verfahrensmodule, wobei sowohl die Modulvariante 1a mit dem Modul 2 und der Modulvariante 3a, die Modulvariante 1a mit dem Modul 2 und der Modulvariante 3b, die Modulvariante 1b mit dem Modul 2 und der Modulvariante 3a als auch die Modulvariante 1b mit dem Modul 2 und der Modulvariante 3b kombiniert werden können, um Transistoren mit unterschiedlichen elektrischen Eigenschaften auf einem Halbleiterchip zu erzeugen. Das erste Modul (Modul 1a, Modul 1b), das zweite Modul 2 und das dritte Modul (Modul 3a, 3b) folgen gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 aufeinander nach der Zeit t.
Die Module Modul 1a, Modul 1b, Modul 2, Modul 3a und Modul 3b weisen jeweils einen mehrere Prozessschritte P1 bis P3, P4 bis P7, beziehungsweise P8 bis P9 des Herstellungsverfahrens auf, die auch für unterschiedliche Modulvarianten identisch sind. Varianten der Module können beispielsweise durch eine entsprechende Maskierung und somit durch einen seitlichen Versatz s auf dem Wafer erzeugt werden.
Die Module Modul 1a, Modul 1b, Modul 2, Modul 3a und Modul 3b sind dabei durch Verfahrenschnittstellen I₁₂, I₂₃ zueinander definiert. In dem Ausführungsbeispiel der 1 sind die Verfahrensschnittstellen I₁₂, I₂₃ zeitlich zwischen dem ersten Modul Modul 1a, Modul 1b und dem zweiten Modul Modul 2 und zwischen dem zweiten Modul Modul 2 und dem dritten Modul Modul 3a und Modul 3b angeordnet. Auch ist eine, in 1 nicht dargstellte Schnittstelle zwischen dem ersten Modul Modul 1a, Modul 1b und dem dritten Modul Modul 3a, Modul 3b möglich.
Die Erfindung ist dabei nicht auf das in 1 dargestellte Ausführungsbeispiel beschränkt. Durch entsprechende Definition können weitere Module und Schnittstellen hinzugefügt werden. Weitere Module sind in 1 durch Punkte angedeutet.
Beispielsweise ist das Modul 1 ein vergrabenes Anschlussgebiet zur elektrischen Kontaktierung eines Kollektorhalbleitergebietes oder eines Emitterhalbleitergebietes des Heterobipolartransistors. Modulvariante 1a weist dabei gegenüber der Modulvariante 1b eine geringere Dotierstoffkonzentration oder einen anderen Dotierstoff auf, so dass das in nachfolgenden Modulen 2 und 3 definierte thermische Budget zu einer unterschiedlichen Ausdiffusion des im Modul 1 eingebrachten Dotierstoffes in darüber angeordnete Halbleiterschichten während der Module 2 und 3 führt. Ist diese Halbleiterschicht beispielsweise ein aktives Kollektorhalbleitergebiet, erzeugen die beiden Modulvarianten 1a und 1b demzufolge unterschiedliche Kollektordriftzonen für Heterobipolartransistoren mit unterschiedlichen Hochfrequenzeigenschaften. Weiterhin können die Modulvarianten 3a und 3b beispielsweise unterschiedliche Basisgebiete erzeugen.
Wird ausgehend von den, den Modulen zugeordneten Prozessschritten P1 bis P9 eine neue Technologiegeneration mit neuen Heterobipolartransistoren mit beispielsweise einer höheren Durchbruchspannungsfestigkeit gewünscht, werden in diesem Fall lediglich die Prozessschritte P4 bis P7 des Moduls 2 geändert. Die übrigen Prozessschritte P1 bis P3 und P8 bis P9 verbleiben unverändert. Die Änderungsmöglichkeiten der Prozessschritte P4 bis P7 des Moduls 2 sind dabei durch die definierten Schnittstellen I₁₂ und I₂₃ begrenzt. D.h. die durch die Schnittstellen definierten Randbedingungen der Prozessschritte P4 bis P7 bleiben unverändert.
Beispielsweise benötigt Modul 1 gemäß der Verfahrensschnittstelle I₁₂ durch das nachfolgende Modul 2 ein bestimmtes thermische Budget. Werden die Prozessschritte P4 bis P7 für die neue Technologieversion in neue Prozessschritte (P4' bis P7', in 1 nicht dargstellt) verändert, ist auf Einhaltung des thermischen Budgets zwingend zu achten. Ist das thermische Budget beispielsweise zu niedrig muss ein thermischer Ersatz-Prozess hinzugefügt werden, der ausschließlich zur Einhaltung der Verfahrensschnittstellenbedingung dient.
In den 2a bis 2d werden Prozesse eines ersten Moduls dargestellt, die ein strukturelle Bedingungen einer Verfahrensschnittstelle definieren. Diese fügt daher die Randbedingung hinzu, dass für Prozessschritte des nachfolgenden Moduls die in 2d schematisch dargestellte, geometrische Schnittstelle voraus zu setzen ist.
In 2a ist ein Ausschnitt einer Schnittansicht durch einen zu prozessierenden Wafer gezeigt. Ein Substrat 10 aus Silizium ist mit einem Dielektrikum 20 aus Siliziumdioxid und mit einem Photolack 30 beschichtet. Mittels einer Belichtung des Fotolacks und nachfolgender Ätzschritte ist eine Grabenstruktur 40 in das Substrat 10 und in das Dielektrikum 20 geätzt. Dieser Prozesszustand ist in 2a dargstellt. Die Grabenstrukturen 40 sollen einen später zu erzeugenden Heterobipolartransistor von anderen Bauelementen lateral isolieren.
Nachfolgend werden die Wände der Grabenstruktur 40 durch Oxidation mit einem Dielektrikum 21 (aus Siliziumdioxid) beschichtet. Nachfolgend werden die Grabenstrukturen 40 mit Polysilizium 50 verfüllt. Die Grabenstruktur 40 zeichnet sich dabei an einer Oberflächenstruktur 41 des abgeschiedenen Polysiliziums 50 ab.
Als Verfahrensschnittstelle ist eine planarisierte Oberfläche definiert, die durch nachfolgende Prozessschritte erzeugt wird. Zunächst wird, wie in 2c dargstellt die Polysiliziumschicht 50 anisotrop derart zurückgeätzt, dass das obere Niveau der Polysiliziumschicht 50' innerhalb der Grabenstruktur 50 nicht unter das Niveau des Substratsiliziums 10 geätzt wird. Dabei verbleibt eine dünne Restschicht des Polysiliziums 50 außerhalb der Grabenstruktur 40 auf dem Dielektrikum 20.
Die dünne Restschicht aus Polysilizium 50' wird nachfolgend oxidiert, so dass die Oberfläche durch eine nicht planare Oberfläche aus dem Dielektrikum gebildet wird. Durch nachfolgendes chemisch-mechanisches Polieren der Oberfläche wird eine Planarität des Dielektrikums 200 erzeugt. Nachfolgend kann noch ein Fenster 100 in das Oberflächendielektrikum 200 geätzt werden, wie in 2d dargestellt. Vor oder nach dem Ätzen des Fensters 100 ist dabei die Verfahrensschnittstelle definiert, die neben möglichen weiteren Bedingungen, wie beispielsweise eine Dotierstoffkonzentration durch die Bedingung einer planaren Dielektrikumoberfläche mit oder ohne geätztem Fenster definiert ist.
Die in den 2a bis 2d dargestellten Prozessschritte sind zwar nicht auf eine Nutzung innerhalb des Modulverfahrens beschränkt, in diesem jedoch vorteilhaft zu verwenden.

Claims

Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltkreise mit Silizium-Germanium-Heterobipolartransistoren, indem das Herstellungsverfahren in mehrere Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) aufgegliedert ist, wobei als Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) – ein Anschlussmodul zur Erzeugung eines Anschlussgebietes, – ein Kollektor-Emitter-Modul zur Erzeugung eines, an das Anschlussgebiet angrenzenden Kollektorgebietes und/oder eines, an das Anschlussgebiet angrenzenden Emittergebietes, und – ein Basismodul zur Erzeugung eines Basisgebietes definiert sind und wobei die Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) zueinander derartige Verfahrensschnittstellen (I₁₂, I₂₃) aufweisen, dass zur Entwicklung einer von der bestehenden Technologieversion abweichenden Technologieversion zumindest ein Prozessschritt (P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P8 oder P9) eines Verfahrensmoduls (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) unter Einhaltung der Verfahrensschnittstelle (I₁₂, I₂₃) unabhängig von den Prozessschritten (P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P8 oder P9) der übrigen Verfahrensmodule (Modul 1a, 1b, 2, 3a, 3b) geändert wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Verfahrensmodul zumindest zwei Modulvarianten (Modul 1a, 1b, 3a, 3b) aufweist.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest zwei Modulvarianten (Modul 1a, 1b, 3a, 3b) auf demselben integrierten Schaltkreis durchgeführt werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Entwicklung einer von einer bestehenden Technologiegeneration abweichenden neuen Technologiegeneration zumindest eine Verfahrensschnittstellenbedingung zumindest einer der Verfahrensschnittstelle (I₁₂, I₂₃) geändert wird, vorzugsweise höchstens drei Verfahrensschnittstellenbedingungen der Verfahrensschnittstellen (I₁₂, I₂₃) geändert werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine der Verfahrensschnittstellen (I₁₂, I₂₃) zumindest eine Verfahrensschnittstellenbedingung aufweist, die von zumindest zwei innerhalb bestimmter Bereiche variabler Verfahrensparameter abhängig ist.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Verfahrensschnittstellenbedingung eine Diffusionslänge ist, die von einem Dotierstoff, einer Dotierstoffkonzentration und einem thermischen Budget nachfolgender Verfahrensmodule als variable Verfahrensparameter abhängig ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Erste der Verfahrensschnittstellen zwischen Anschlussmodul und Kollektor-Emitter-Modul in einer Abfolge der Prozessschritte vor einem epitaktischen Aufbringen von Halbleitermaterial des Kollektorgebietes und/oder des Emittergebietes gesetzt ist.
Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Verfahrensschnittstelle durch einen Dotierstoff, eine Dotierstoffkonzentration, das thermische Budget nachfolgender Verfahrensmodule und/oder einer Diffusionslänge als Verfahrensschnittstellenbedingungen definiert ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Anschlussmodul die Prozessschritte – Ätzen eines Grabens (40) in ein Halbleitersubstrat (10) und – Erzeugen von isolierenden Wänden (21) des Grabens (40) mittels eines Dielektrikums (21) aufweist.
Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Anschlussmodul zusätzlich die Prozessschritte – Verfüllen des Grabens (40) durch Aufbringen eines Siliziumschicht (50), – anisotropes Rückätzen der Siliziumschicht (50) bis auf eine außerhalb des Grabens (40) verbleibende Restschicht (50') und – Oxidieren der Restschicht (50') und Planarisieren der Oxidschicht (200) aufweist.
Verfahren zumindest nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass in einer ersten Modulvariante in ein erstes vergrabenes Anschlussgebiet eine höhere Dotierstoffkonzentration eingebracht wird als in ein zweites vergrabenes Anschlussgebiet einer zweiten Modulvariante, so dass durch die größere Diffusionslänge der ersten Modulvariante eine Kollektordriftzone verkürzt ist.
Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung integrierter Schaltkreise nach Anspruch 1 zur Anpassung der Technologieversion an applikationsspezifische Randbedingung.