DE102004063569B4 - Verfahren für VCSEL mit integrierter Linse - Google Patents
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Abstract
Herstellen einer Mehrzahl von Laserdioden (410) auf einem ersten Wafer (400);
Bilden von stehenden Strukturen (430, 530, 642, 740, 840) auf dem ersten Wafer (400); und
Herstellen von Linsen (450, 550, 640, 750, 855), die über den stehenden Strukturen (430, 530, 642, 740, 840) liegen,
wobei jede stehende Struktur eine Wand aufweist, die ringförmig ist, und wobei jede Wand eine oder mehrere Öffnungen umfasst.
Description
- Ein Vertikalresonatoroberflächenemissionslaser (VCSEL) ist eine Halbleiterlaserdiode, die unter Verwendung hinreichend bekannter Waferverarbeitungstechniken hergestellt werden kann. Herkömmlicherweise stellen derartige Techniken eine größere Anzahl von VCSELs auf einem einzigen Wafer her. Der Wafer wird anschließend gesägt, geritzt oder auf andere Weise in Chips bzw. Dice (Plural von „Die”, Halbleiterstück bzw. Chip) unterteilt, wobei jeder Chip zumindest einen VCSEL und möglicherweise eine andere integrierte Schaltungsanordnung, die auf dem Wafer gebildet wurde, enthält. Die Chips werden dann zum Zweck der Verwendung eingehäust.
- Eine übliche Verwendung eines VCSEL ist zur Herstellung eines optischen Signals zur Übertragung auf einer optischen Faser. Bei dieser Anwendung tritt das optische Signal von dem VCSEL allgemein über einen optischen Koppler oder ein optisches Tor in die optische Faser ein. Zum Zweck eines effizienten Koppelns der optischen Energie von dem VCSEL in die optische Faser müssen der VCSEL und die optische Faser so ausgerichtet sein, dass das Strahlintensitätsprofil des VCSEL hauptsächlich auf dem Kern der optischen Faser liegt. Ein optisches System zwischen dem VCSEL und der optischen Faser kann verwendet werden, um die Kopplungseffizienz zu verbessern und die Ausrichtungstoleranz des VCSEL und der optischen Faser zu erhöhen. Insbesondere umfasst ein für eine derartige Verwendung übliches optisches System ein oder mehrere optische Elemente, die das Profil des Lichtstrahls auf das bzw. an dem Ende der optischen Faser fokussieren und/oder manipulieren. In der folgenden Erörterung bezieht sich der Begriff Linse auf jegliches optische Element, das das Profil eines Lichtstrahls manipulieren kann und ein Brechungs- oder Beugungselement sein kann.
- Ein Bilden einer Linse direkt auf der Emissionsfläche des VCSEL schlägt allgemein darin fehl, eine angemessene optische Leistungsfähigkeit zu erzielen, da es schwierig ist, eine Linse mit einer ausreichend geringen Brennweite herzustellen, um den Strahl ordnungsgemäß zu fokussieren oder kollimieren. Demgemäß sind zum Verarbeiten des optischen Signals normalerweise Luftzwischenräume oder Trennungen zwischen der Linse und der Lichtemissionsfläche des VCSEL erforderlich. Ferner kann ein Linsenmaterial auf einer aktiven Region des VCSEL die Zuverlässigkeit des VCSEL beeinträchtigen, indem es eine Schnittstellenbeanspruchung bewirkt. Das Linsenmaterial auf der vorderen Facette eines VCSEL kann auch das Reflexionsvermögen des vorderen Spiegels des VCSEL verändern, was einen Neuentwurf des VCSEL erforderlich macht.
- Wenn man die Linsen zu einem Bestandteil des Gehäuses oder der Baugruppe, das bzw. die den VCSEL enthält, macht, ermöglicht dies eine Verwendung eines Linsenelements einer größeren Brennweite mit einem Luftzwischenraum. Jedoch besteht ein Nachteil optischer Gehäuse oder Baugruppen, die eine Linse zwischen dem VCSEL und der Faser verwenden, in dem Erfordernis, den VCSEL, die Linse und die optische Faser auszurichten. Das Ausrichten einer Linse auf einen VCSEL auf einem Chip erfordert allgemein Präzisionsinstrumente und kann ein zeitaufwändiger und somit kostspieliger Vorgang sein. Somit werden Strukturen und Verfahren gesucht, die die Kosten, die damit verbunden sind, einen VCSEL mit einer Linse zu kombinieren, verringern.
- Die
US 2004/0008917 A1 - Die
US 5,940,564 A offenbart eine Vorrichtung zum optischen Koppeln eines optischen Signalumwandlers mit einem Lichtwellenleiter. Die Vorrichtung weist eine kugelförmige Linse auf, die von einem Ring gehalten wird. Alternativ kann die kugelförmige Linse auch von diskreten Stäben gehalten werden, die sich senkrecht von einer Oberfläche eines VCSEL Chips erstrecken. - Die
DE 101 50 401 A1 offenbart ein Ausrichten eines optischen Linsensystems relativ zu einem optoelektronischen Bauelement wie beispielsweise einem VCSEL. Wie aus der2 ersichtlich, ist das Linsensystem in einem optischen Substrat integriert. Das optoelektronische Bauelement ist in einem Bauelementsubstrat integriert. Mittels Lötmittelhöcker sind die beiden Substrate in einer festen relativen räumlichen Position miteinander verbunden, so dass sich optische Linsen unmittelbar oberhalb des Bauelements befinden. - Die
US 2002/0088988 A1 - Die
US 5,500,540 A offenbart einen optoelektronischen Signalumwandler und ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Signalumwandlern direkt aus zwei Wafern. Wie aus der3A ersichtlich, weist ein erster optoelektronischen Wafer eine Mehrzahl von optoelektronischen Elementen auf. Ein zweiter optischer Wafer weist eine Mehrzahl optischen Elementen bzw. Linsen auf. Die beiden Wafer werden mittels zueinander komplementären Konturen, an dem optischen Wafer ausgebildeten Vorsprüngen und an dem optoelektronischen Wafer ausgebildeten Löchern, in einer festen räumlichen Anordnung zueinander positioniert. Dabei ist jeweils eine Linse einem optoelektronischen Element zugeordnet. Erst nach der passgenauen Befestigung der beiden Wafer zueinander erfolgt mittels einer Vereinzelung der Wafer die Fertigstellung der optoelektronischen Signalumwandler. - Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen von Laserdioden mit einer integrierten Linse mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
- Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst.
- Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung bildet ein Waferebene-Bauelementherstellungsverfahren stehende Strukturen auf mehreren VCSEL auf einem Wafer. Die stehenden Strukturen können geformt sein, um Kugellinsen oder andere optische Elemente für jeweilige VCSELs zu halten und können mit der Präzision, die während eines Waferverarbeitens erzielt wird, ausgerichtet sein. Beispielsweise kann ein lithographisches Verfahren die stehende Struktur eines Polymermaterials wie z. B. eines Photoresist, eines isolierenden Materials, eines Halbleitermaterials oder eines Metalls bilden. Kugellinsen können entweder während des Chipebene-Einhäusungsverfahrens oder eines Waferebene-Verfahrens auf den stehenden Strukturen platziert werden. Bevor oder nachdem die Kugellinse auf die stehende Struktur platziert wird, kann ein Haftmittel auf die stehende Struktur aufgebracht werden. Das Haftmittel kann dann ausgehärtet werden.
- Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung bildet ein Waferebene-Bauelementherstellungsverfahren Strukturen, die Linsen auf dem Wafer umfassen. Waferebene-Verfahren richten somit die Linsen präzise mit Laserdioden aus. Ein Waferebene-Verfahren befestigt einen Linsenwafer an stehenden Strukturen oder Abstandshaltern auf einem Laserwafer. Brechungs- oder Beugungslinsen können vor oder nach einem Bonden des Linsenwafers mit dem Laserwafer auf der Linse gebildet werden. Ein weiteres Waferebene-Verfahren bildet Abstandshalterstrukturen, die über Emissionsflächen von Laserdioden liegen, und bildet auf den Abstandshalterstrukturen Brechungs- oder Beugungslinsen. Unter Verwendung einer Opferschicht können unter den Linsen Luftzwischenräume vorgesehen werden. Insbesondere kann die Opferschicht über den Emissionsflächen der Laserdioden gebildet werden und anschließend entfernt werden, nachdem die Linsen gebildet werden, um Zwischenräume zwischen den Laserdioden und den darüber liegenden Linsen zu erzeugen. Die Linsen können unter Verwendung einer Vielzahl von Techniken, einschließlich eines Formgebungs- oder Replikationsverfahrens, Druckverfahren und Oberflächenspannung während einer Verflüssigung von lithographisch gebildeten Regionen auf einem Laserwafer gebildet werden.
- Mit dem beschriebenen Verfahren kann ein Bauelement hergestellt werden, das folgende Merkmale umfasst: einen Chip, der eine Laserdiode enthält; eine stehende Struktur, die an dem Chip befestigt ist und eine Emissionsfläche umgibt, durch die ein Strahl von der Laserdiode aus dem Chip austritt; und eine Kugellinse, die an der stehenden Struktur befestigt ist und sich zumindest teilweise in einem durch die stehende Struktur definierten Hohlraum befindet.
- Mit dem beschriebenen Verfahren kann ferner ein Bauelement hergestellt werden, das folgende Merkmale umfasst: ein Substrat, das eine Laserdiode enthält; eine stehende Struktur, die an dem Substrat befestigt ist; und eine Linse, die auf der stehenden Struktur gebildet ist und über einer Emissionsfläche liegt, durch die ein Strahl von der Laserdiode aus dem Substrat austritt. Das Substrat kann entweder ein Wafer vor einer Unterteilung in separate Chips oder einen Chip nach der Unterteilung sein.
- Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode mit einer Linse. Das Verfahren umfasst folgende Schritte: Herstellen einer Mehrzahl von Laserdioden auf einem Wafer; Bilden von stehenden Strukturen auf dem Wafer, wobei die stehenden Strukturen eine Mehrzahl von Hohlräumen definieren, die auf jeweiligen Emissionsflächen der Laserdioden mittig angeordnet sind; und Befestigen von Linsen an den stehenden Strukturen, wobei sich jede der Linsen zumindest teilweise in einem entsprechenden der Hohlräume befindet. Jede der Linsen befindet sich zumindest teilweise in einem entsprechenden der Hohlräume und ist somit in Bezug auf eine entsprechende Laserdiode selbst justiert.
- Ein Verfahren gemäß einem wieder anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung umfasst: Herstellen einer Mehrzahl von Laserdioden auf einem ersten Wafer; Bilden von stehenden Strukturen auf dem ersten Wafer; und Herstellen von Linsen, die über den stehenden Strukturen liegen.
- Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
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1 einen Teil eines Wafers gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, der mehrere Halbleiterlaser mit den stehenden Strukturen für Linsen enthält; -
2 eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterlaserchips mit einer befestigten Kugellinse gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; -
3 ein System gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, das das Strahlprofil eines optischen Signals kollimiert oder anpasst, um Ausrichtungstoleranzen zum Koppeln des optischen Signals in ein faseroptisches Tor zu erhöhen; -
4A ,4B ,4C und4D veranschaulichen ein Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, das ein Linsenarray auf einem Linsenwafer bildet, das an stehenden Strukturen auf einem Wafer, der Laserdioden enthält, befestigt ist; -
5A ,5B und5C ein Waferebene-Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, das Linsen auf Abstandshaltern bildet, die über Laserdioden liegen; -
6A ,6B ,6C und6D ein Waferebene-Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, das eine Opferschicht entfernt, um Luftzwischenräume zwischen einem Laserwafer und Linsen, die durch ein Replikationsverfahren gebildet werden, zu erzeugen; -
7A ,7B und7C ein Waferebene-Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, das eine Opferschicht entfernt, um Luftzwischenräume zwischen einem Laserwafer und Linsen, die durch Tintenstrahldrucken gebildet werden, zu erzeugen; -
8A ,8B und8C ein Waferebene-Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, das eine Opferschicht entfernt, um Luftzwischenräume zwischen einem Laserwafer und Linsen, die durch ein Aufschmelzverfahren gebildet werden, zu erzeugen. - Eine Verwendung derselben Referenzsymbole in unterschiedlichen Figuren deutet auf ähnliche oder identische Objekte hin.
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung kann ein Waferebene-Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlaserdioden Strukturen zur Ausrichtung von optischen Elementen erzeugen. Die optischen Elemente können auf der Wafer-Ebene oder auf der Chip-Ebene an einzelnen Laserdioden befestigt oder über denselben gebildet werden.
-
1 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem in und auf einem Wafer100 mehrere Laserdioden110 gebildet wurden. Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist jede Laserdiode110 ein Vertikalresonatoroberflächenemissionslaser (VCSEL), der unter Verwendung hinreichend bekannter Halbleiterverarbeitungstechniken gebildet werden kann. Beispielsweise beschreibt dieUS 6,658,040 B1 mit dem Titel „High Speed VCSEL” ein spezifisches Beispiel einer geeigneten Laserdiode, allgemeiner können Aspekte der Erfindung jedoch auf jede beliebige Laserdiodenarchitektur angewendet werden, die einen Laserstrahl aus einer Oberfläche oder einem Wafer emittiert. - Jede Laserdiode
110 umfasst Verbindungsanschlussflächen112 für elektrische Verbindungen und eine Lichtemissionsfläche114 , durch die ein Lichtstrahl austritt. Ritzgräben102 trennen die Laserdioden110 und ermöglichen ein Sägen, Ritzen oder eine andere Verarbeitung, die den Wafer100 in einzelne Chips schneidet, ohne die Laserdioden110 zu beschädigen. - Stehende Strukturen
120A ,120B ,120C und120D (hierin generisch als Strukturen120 bezeichnet) umgeben jeweilige Lichtemissionsflächen114 jeder der Laserdioden110 , für die eine Linse bereitgestellt werden wird. Die stehenden Strukturen120A ,120B ,120C und120D unterscheiden sich in1 voneinander, um manche der geeigneten Geometrien für die Strukturen120 zu veranschaulichen, typischer ist jedoch, dass bei einem Verfahren, das im Wesentlichen identische Bauelemente herstellt, alle Strukturen120 auf einem Wafer100 identisch sind. - Die stehenden Strukturen
120A in1 ist ringförmig und auf der Emissionsfläche114 der entsprechenden Laserdiode110 mittig angeordnet. Der Innendurchmesser, die Breite und die Höhe der stehenden Struktur120 hängt allgemein von der Größe und den optischen Eigenschaften der Linsen, die über den Laserdioden110 zu befestigen sind, ab und kann auch von dem bei der stehenden Struktur120A verwendeten Material und von den Techniken und Strukturen, die elektrische Verbindungen mit den Laserdioden110 bilden, abhängen. Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem die Linse eine Kugellinse mit einem Durchmesser von 300 μm ist, kann die stehende Struktur120A aus einem Polymermaterial wie z. B. Polyimid, Cycloten, einem Epoxy oder einem Photoresist hergestellt sein und weist einen Innendurchmesser von etwa 60 bis 80 μm, eine Breite von etwa 20 bis 40 μm und eine Höhe oder Dicke von etwa 20 bis 60 μm auf. Ein Beispiel eines geeigneten Polymermaterials ist Durimid 7520, das von Arch Chemical hergestellt wird. Ein weiteres mögliches Polymermaterial ist SU-8 von MicroChem Corp. Beide Polymermaterialien können durch Aufschleudern aufgebracht und durch lithographische Verfahren strukturiert werden. - Die stehende Struktur
120B ,120C und120D ähneln der stehenden Struktur120A , weisen jedoch eine oder mehrere Öffnungen122 auf, die durch die jeweiligen Ringwände gebildet ist bzw. sind. Die Öffnungen122 können bei Ausführungsbeispielen, wo ein Haftmittel Linsen an den Strukturen120 befestigt, dazu beitragen, den Fluss von Luft/Haftmittel zu steuern. Insbesondere beschichtet ein Befestigungsverfahren eine Struktur120 mit einem optisch transparenten Haftmittel, bevor eine Kugellinse auf der Struktur120 platziert wird. Zum Zweck der besten optischen Leistungsfähigkeit sollten Ungleichmäßigkeiten wie z. B. unregelmäßige Luft/Haftmittel-Grenzflächen aus dem optischen Pfad des Laserstrahls ausgeschlossen sein. Dementsprechend wird ein Hohlraum, der in der Struktur120 zwischen der Kugellinse und der Laserdiode110 gebildet ist, vorzugsweise mit Luft oder mit einem durchsichtigen Haftmittel gefüllt, und Gasblasen in dem Haftmittel sollten vermieden werden, wo sich das Haftmittel in dem optischen Pfad befindet. Die Öffnungen122 ermöglichen ein Füllen des Hohlraums in der Struktur120 mit Haftmittel, ohne Luft oder Gasblasen einzuschließen. Ein Haftmittel wie z. B. Silikon, das keine bedeutende Schnittstellenbeanspruchung verursacht, wird bei Ausführungsbeispielen bevorzugt, bei denen das Füllen des Hohlraums mit Haftmittel direkt auf einer aktiven Oberfläche einer Laserdiode110 erfolgt. - Bei einem alternativen Befestigungsverfahren, das einen Luftzwischenraum zwischen dem Laser
110 und der Linse bildet, verhindern die Öffnungen122 , dass eine Wärmeausdehnung von eingeschlossenem Gas die Befestigung der Linse stört. Die Größe und Anzahl der Öffnungen122 in den Struk turen120 kann so ausgewählt werden, dass sie für das jeweilige verwendete Befestigungsverfahren am besten geeignet ist. - Die veranschaulichten stehenden Strukturen
120 , wie sie oben beschrieben wurden, sind vorwiegend ringförmig, und wenn eine Kugellinse auf einer derartigen Struktur120 platziert wird, liefert der Sitz der Kugellinse eine automatische Ausrichtung der Kugellinse mit der darunter liegenden Laserdiode110 . Andere Geometrien für eine stehende Struktur120 könnten ferner eine automatische Ausrichtung liefern, wenn sie mit einer Kugellinse oder einem anderen optischen Element verwendet werden, die bzw. das geformt ist, um in eine Öffnung zu passen, die die stehende Struktur120 erzeugt. Beispielsweise können drei oder mehr Pfosten gleicher Höhe, die einen gleichen Abstand von der Lichtemissionsfläche114 einer Laserdiode110 aufweisen, eine Kugellinse in einer richtigen Ausrichtung halten, und derartige Pfosten können eine Vielzahl von Formen aufweisen, einschließlich, aber nicht ausschließlich, der in1 gezeigten Ringabschnitte. - Wie oben erwähnt wurde, können stehende Strukturen
120 aus einer Vielzahl von Materialien gebildet werden, einschließlich Polymeren, Metallen und Isolatoren. Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, das ein Polymer, z. B. ein Photoresist, verwendet, beginnt die Herstellung von stehenden Strukturen120 mit einem Aufschleudern einer Schicht aus Photoresist, z. B. SU-8, auf einen Wafer, auf dem die Laserdioden110 hergestellt wurden. Die Dicke der Photoresistschicht wird gemäß der gewünschten Höhe der stehenden Strukturen120 ausgewählt und beträgt bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der Erfindung etwa 20 bis 60 μm. Ein herkömmliches photolithographisches Verfahren kann die Photoresistschicht anschließend einem Lichtmuster der entsprechenden Wellenlänge aussetzen und anschließend den Photoresist entwickeln, um Photoresistregionen zu belassen, die die stehenden Strukturen120 bilden. Die Photoresistre gionen können gebrannt oder auf andere Weise gehärtet werden, um die Haltbarkeit der stehenden Struktur120 , falls gewünscht, zu verbessern. - Alternative Ausführungsbeispiele für die stehenden Strukturen
120 können andere Materialien als Polymere enthalten. Insbesondere kann eine stehende Struktur120 aus Metall unter Verwendung eines Elektroplattierungsverfahrens hergestellt werden. Für ein derartiges Verfahren kann eine Keimbeschichtung, die eine Haftmittelschicht aus Chrom und eine Oberschicht aus Gold umfasst, auf den Wafer100 aufgebracht werden. Eine Photoresist-Formgebungsschicht, die dann auf der Keimschicht gebildet wird, umfasst Öffnungen, die die Keimschicht in den Bereichen, die der stehenden Struktur120 entsprechen, freilegen. Ein Elektroplattierungsverfahren kann die freigelegten Bereiche anschließend mit einem Metall wie z. B. Nickel auf eine gewünschte Dicke, z. B. zwischen 20 und 60 μm, plattieren. Die Photoresistschicht und die unplattierten Abschnitte der Keimschicht werden dann entfernt, um stehende Strukturen120 aus Metall zu hinterlassen. -
2 zeigt ein Bauelement200 mit einer Kugellinse230 , die gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung befestigt ist. Das Bauelement200 umfasst einen Chip210 , der einer der Laserdioden110 auf dem Wafer100 der1 entspricht. Die Kugellinse230 kann eine Kugel aus einem optischen Material wie z. B. Kunststoff, Glas oder Saphir sein, die einen Durchmesser und Brechungsindex aufweist, die vorzugsweise ausgewählt sind, um einen Ausgangsstrahl aus der darunter liegenden Laserdiode zu kollimieren oder fokussieren. Drähte250 für elektrische Verbindungen können unter Verwendung herkömmlicher Drahtbondtechniken an Bondanschlussflächen112 befestigt werden, bevor die Kugellinse230 platziert wird. Jedoch wird eine Drahtverbindung mit geringem Profil oder kurzer Schleife bevorzugt, um zu verhindern, dass Bonddrähte250 die Platzierung der Kugellinse230 stören. Bei einem Ausführungsbeispiel, bei dem die Ku gellinse230 einen Durchmesser von etwa 300 μm aufweist und die stehende Struktur120 eine Höhe von etwa 38,5 μm und einen Innendurchmesser von etwa 65 μm aufweist, erstrecken sich Bonddrähte250 vorzugsweise weniger als etwa 150 μm über der Oberfläche des Chips210 unter der Kugellinse230 . - Die Kugellinse
230 ruht auf der stehenden Struktur120 und kann mit einem Haftmittel, z. B. Silikon, festgeklebt werden. Wie oben erwähnt wurde, kann ein optisch transparentes Haftmittel den Hohlraum zwischen der Kugellinse230 und der darunter liegenden Laserdiode füllen. Alternativ dazu kann ein (nicht gezeigtes) Haftmittel die Kugellinse230 umgeben und/oder die stehende Struktur120 abdecken, was zwischen der Kugellinse230 und der darunter liegenden Laserdiode einen Luftzwischenraum hinterlässt. - Ein weiteres alternatives Befestigungsverfahren beschichtet den Wafer
100 zunächst mit Polyimid und dann mit einem positiven Resist wie z. B. Microposit S1822, der von Shipley hergestellt wird. Die Polyimidschicht kann somit nicht-photoabbildbar sein. Ein lithographisches Verfahren strukturiert anschließend die Photoresistschicht, um eine Maske zu bilden, und strukturiert das Polyimid unter Verwendung der Photoresistmaske. Die sich ergebende stehende Struktur120 umfasst eine Polyimidbasis, die mit Photoresist abgedeckt ist. Die Kugellinse230 wird anschließend in die stehende Struktur120 platziert, entweder bevor oder nachdem der Wafer100 in Chips geschnitten wird, und der auf dem Polyimid verbleibende Photoresist wird auf Rückfluss erhitzt, um die Kugellinse230 dauerhaft in der stehenden Struktur120 zu halten oder zu befestigen. - Die oben beschriebenen Verfahren zum Befestigen von Kugellinsen
230 an entsprechenden stehenden Strukturen120 können allgemein entweder auf der Waferebene oder auf der Chip-Ebene durchgeführt werden. Wenn ein Haftmittel verwendet wird, kann ein Chip-Ebene-Befestigungsverfahren nach einem Drahtbonden bevorzugt sein, um zu verhindern, dass überschüssiges Haftmittel das Drahtbonden beeinträchtigt. Wenn ein Aufschmelzen von Photoresist die Linsen befestigt, kann ein Waferebene-Verfahren bevorzugt sein, es sei denn, die befestigten Linsen stören die Chiptrennungs- oder Drahtbondverfahren. - Das lithographische Verfahren, das die Gestalt und Position von stehenden Strukturen
120 definiert, richtet die stehenden Strukturen120 auf die Laserdioden110 aus, und die Passung der Kugellinse230 in den Hohlraum in der stehenden Struktur120 richtet die Kugellinse230 auf die stehende Struktur120 aus. Ferner vermeidet die sphärische Symmetrie einer Kugellinse230 das Erfordernis, die Orientierung der Kugellinse230 zu steuern. Das Befestigungsverfahren ist somit relativ einfach und kostengünstig und liefert eine Ausrichtung mit hoher Präzision (z. B. mit einer Toleranz von weniger als etwa 4 μm). -
3 veranschaulicht ein System300 , bei dem ein optisches Signal von einer optischen Quelle310 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung in eine optische Faser326 , die einem optischen Tor320 zugeordnet ist, gekoppelt wird. Beispielsweise kann das System300 ein Bestandteil eines Kommunikationssystems zum Senden von Daten auf einem faseroptischen Netzwerk oder ein Teil eines CD- oder DVD-Abspielgeräts oder -Laufwerks sein. - Ein optisches System
310 umfasst einen VCSEL-Chip210 , der an einer Chip-Halterung312 befestigt ist. Die Chip-Halterung312 kann eine gedruckte Schaltungsplatine oder eine mechanische Trägerstruktur sein. Verbindungsdrähte oder andere Strukturen (nicht gezeigt) können den VCSEL-Chip210 mit der Chip-Halterung312 oder einer anderen Schaltungsanordnung (nicht gezeigt) elektrisch verbinden. Ein Haftmittel240 befestigt eine Kugellinse230 an einer stehenden Struktur120 , die die Emissionsfläche der Laserdiode auf dem Chip210 umgibt. Der Ausgangsstrahl aus der Laserdiode divergiert allgemein in einem Winkel, der für die La serdiode charakteristisch ist. Die Kugellinse230 verringert die Divergenz des Ausgangsstrahls und weist vorzugsweise solche optische Eigenschaften (z. B. eine Brennweite) auf, dass der Ausgangsstrahl kollimiert wird. Die Trennung der Kugellinse230 und der Lichtemissionsfläche der Laserdiode wird gesteuert, um entweder einen kollimierten Strahl oder einen geeigneten Fokussierungsabstand zu bewirken. - Bei dem veranschaulichten Ausführungsbeispiel umfasst ein optisches Tor
320 optische Elemente wie z. B. eine Glasplatte322 , auf der eine konvergierende Linse324 gebildet ist, z. B. durch Aufschmelzen einer Polymerregion, Tintenstrahldrucken oder Formgießen. Die konvergierende Linse324 fokussiert den kollimierten Strahl aus der Kugellinse323 auf das Ende der optischen Faser316 . Alternativ dazu kann auf das Glas322 und die Linse324 verzichtet werden, und die Kugellinse230 kann den Lichtstrahl auf die Faser326 fokussieren. - Die verringerte (oder Idealerweise beseitigte) Divergenz von der Quelle
310 lockert die Ausrichtungstoleranzen bei dem System300 . Insbesondere kann für eine größere Bandbreite von Trennungen zwischen der Quelle310 und dem Tor320 ein effizientes Koppeln der optischen Energie von der Quelle310 erzielt werden. - Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung können Linsen gebildet werden, die über einer Laserdiode liegen, statt getrennt gebildet und an dem Laserwafer befestigt zu sein. Eine Bildung der Linsen, die über dem Waferlaser liegen, kann eine Vielzahl von Linsenbildungstechniken, z. B. ein Formgebungs- oder Replikationsverfahren, ein Druckverfahren und eine Oberflächenspannung während eines Aufschmelzens lithographisch gebildeter Regionen einsetzen. Derartige Linsen funktionieren allgemein am besten, wenn sich zwischen den Laserdioden und den jeweiligen Linsen Luftzwischenräume oder andere Trennungen befinden.
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4A ,4B und4C veranschaulichen ein Herstellungsverfahren für eine Vorrichtung460 , die in4D veranschaulicht ist. Die Vorrichtung460 umfasst eine Linse450 , die über einer Emissionsfläche einer Laserdiode410 in einem Halbleiterchip405 liegt. Abstandshalter430 und eine transparente Platte445 tragen die Linse450 und liefern eine Trennung zwischen der Laserdiode410 und der Linse450 . Die Trennung umfasst einen Luftzwischenraum, der zwischen der Laserdiode410 und der Platte445 liegt und somit Zuverlässigkeitsprobleme, die mit einer Materialgrenzfläche an der vorderen Facette der Laserdiode410 verbunden sein können, vermeidet. Die Trennung ermöglicht ferner eine Verwendung einer Linse450 , die eine leichter erzielte Brennweite aufweist, und ermöglicht einen Raum für ein anschließendes Drahtbonden mit Anschlussflächen420 . - Ein Herstellungsverfahren für die Vorrichtung
410 kann mit der Herstellung eines Wafers400 beginnen, der mehrere Laserdioden410 enthält, wie in4A veranschaulicht ist. Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist jede Laserdiode410 ein VCSEL, der Verbindungsanschlussflächen420 neben einer Emissionsfläche des VCSEL aufweist. Der Wafer400 kann unter Verwendung von Waferverarbeitungstechniken, die zur Herstellung von VCSELs hinreichend bekannt sind, hergestellt werden. - Ein photolithographisches Verfahren kann Abstandshalter
430 auf dem Wafer400 bilden, wie in4B gezeigt ist. Bei dem exemplarischen Ausführungsbeispiel sind die Abstandshalter430 aus einem photobelichtbaren Polyimid oder aus Photoresistmaterialien wie z. B. SU-8 hergestellt, alternativ dazu könnten jedoch auch andere Materialien wie z. B. Metalle, Halbleiter oder Isolatoren verwendet werden. Um Abstandshalter zu bilden, kann das gewünschte Material bis zu einer Dicke, die gemäß der gewünschten Höhe der Abstandshalter430 ausgewählt wird, z. B. im Bereich von 10 bis 100 μm, auf den Wafer400 aufgebracht werden. Nach einer Belichtung mit einem gewünschten Lichtmuster und nach dem Entwickeln umgibt ein Abstandshalter430 jede Laserdiode410 , für die eine Linse450 bereitgestellt werden wird. Abstandshalter430 können jegliche der Konfigurationen der stehenden Strukturen120 der1 aufweisen oder können einfach Pfosten einer beliebigen Gestalt sein, die sich in der Nähe der Laserdioden410 befinden. - Mit den Oberseiten der Abstandshalter
430 ist ein Linsenwafer440 verbunden, wie in4C gezeigt ist. Der Linsenwafer440 ist vorzugsweise ein dünner Wafer (einer Dicke von z. B. etwa 0,5 mm bis 1,5 mm) eines Materials wie z. B. Glas oder Quarz, das für die Wellenlänge von Licht, das von den Laserdioden410 emittiert wird, transparent ist. Der Linsenwafer440 kann durch Aufschleudern eines transparenten haftenden Materials auf die Linsenwaferoberfläche mit den Abstandshaltern430 verbunden werden. - Die Linsen
450 werden entweder vor oder nach dem Verbinden des Linsenwafers440 mit den Abstandshaltern430 auf dem Linsenwafer440 gebildet. Falls Linsen450 vor dem Waferbonden auf dem Linsenwafer440 gebildet werden, ist ein Ausgerichteter-Wafer-Verbindungsverfahren erforderlich, um die Linsen450 auf dem Linsenwafer440 auf die jeweiligen Laserdioden410 auf dem Laserwafer400 auszurichten. - Es können viele verschiedene Techniken verwendet werden, um die Linsen
450 auf dem Linsenwafer440 herzustellen. Gemäß einer Technik werden Linsen450 dadurch gebildet, dass eine Photoresistschicht lithographisch strukturiert wird, um Regionen eines Photoresists zu bilden, die über jeweiligen Laserdioden410 liegen, und dass die Photoresistregionen erhitzt werden, bis die Regionen ausreichend schmelzen, so dass eine Oberflächenspannung eine gekrümmte Linsenoberfläche erzeugt. Alternativ dazu könnten auch ein Druckverfahren (z. B. Tintenstrahldrucken) oder ein Formgebungsverfahren (wie es z. B. von M. Gale, „Replicated Diffractive Optics and Micro-Optics”, Optics & Photonics News, S. 24-29, August 2003, beschrieben wird) die Linsen450 auf dem Linsenwafer440 bilden. Beugungslinsen können auch anhand von Verfahren, die von C. David „Fabrication Of Stair-Case Profiles With High Aspect Ratios For Blazed Diffractive Optical Elements” Microelectronic Engineering Vd. 53, (2000) S. 677-680 undUS 6,670,105 B2 beschrieben sind, gebildet werden. - Zusätzlich dazu, dass die Abstandshalter
430 Luftzwischenräume zwischen den Lasern410 und den jeweiligen Linsen450 erzeugen, liefern sie auch einen Raum, der ein Sägen des Linsenwafers440 entlang Ritzgräben442 und ein Sägen des Laserwafers410 entlang Ritzgräben402 ermöglicht. Verbindungsanschlussflächen420 auf den einzelnen auf diese Weise getrennten Bauelementen460 , wie sie in4D veranschaulicht sind, sind für ein Drahtbonden zugänglich. -
5A ,5B und5C veranschaulichen ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements560 (5C ) gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung. Dieses Herstellungsverfahren beginnt mit dem Laserwafer400 der4A und bildet Abstandshalter530 direkt auf jeweiligen Laserdioden410 . Ein herkömmliches photolithographisches Verfahren kann Abstandshalter530 eines optisch transparenten Materials wie z. B. Polyimid oder SU-8 mit einer Dicke bilden, die ausreichend ist, um eine gewünschte Trennung zwischen Laserdioden410 und Linsen550 bereitzustellen. Ein Linsenherstellungsverfahren bildet Brechungs- oder Beugungslinsen550 direkt auf den Abstandshaltern530 , wie in5B gezeigt ist, so dass ein Bonden eines Linsenwafers nicht erforderlich ist. Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel kann ein kontaktfreies Tintenstrahldruckverfahren verwendet werden, um die Linsen550 zu bilden. Bei diesem Verfahren kann ein flüssiges, UV-aushärtbares Material auf die Oberseite der stehenden Struktur530 aufgespritzt werden. Die Flüssigkeit fließt über die Oberseite der stehenden Struktur530 , wird am Rand der stehenden Struktur530 jedoch durch Oberflächenspannung zurückgehalten. Die Oberflächenspannung erzeugt ferner eine sphärische Oberfläche für das UV-aushärtbare Material. Ein Aushärten für das UV-aushärtbare Material. Ein Aushärten des flüssigen Materials bildet eine massive Brechungslinse550 . Nach der Linsenbildung trennt ein Sägen des Wafers400 einzelne Bauelemente560 , wie in5C veranschaulicht ist. - Die Abstandshalter
530 der5A bis5C unterscheiden sich insofern von den Abstandshaltern430 der4B , als die Abstandshalter530 über den vorderen Facetten der Laserdioden410 liegen und eine Fläche aufweisen, die zumindest so groß ist wie die Linsen. Demgemäß weist das Bauelement560 über den vorderen Facetten der Laserdioden410 keine Luftzwischenräume auf. Bedenken bezüglich einer Grenzflächenbeanspruchung an den vorderen Facetten der Laserdioden kann durch die Wahl eines Abstandshaltermaterials, das die Beanspruchung minimiert, und/oder durch eine Verwendung einer niedrigeren Betriebstemperatur für die Laserdioden410 begegnet werden. -
6A bis6D veranschaulichen ein Herstellungsverfahren, das eine Opferschicht630 verwendet, die entfernt werden kann, um Luftzwischenräume zwischen den Laserdioden410 und jeweiligen Linsen640 zu erzeugen. Das Herstellungsverfahren beginnt, wie in6A veranschaulicht ist, mit der Bildung einer strukturierten Opferschicht630 auf dem Laserwafer400 der4A . Die Opferschicht630 kann aus einem Photoresistmaterial gebildet werden, das eine Dicke aufweist, die für die Höhe der Abstandshalter gewünscht wird, und weist in Bereichen, in denen Abstandshalter gewünscht werden, Öffnungen632 auf. - Eine Linsenschicht
640 eines Materials wie z. B. eines UV-aushärtbaren Epoxy wird aufgebracht, um Öffnungen632 in der Opferschicht630 zu füllen und um ferner eine Dicke über der Opferschicht630 aufzuweisen, die für ein Formgebungsverfahren ausreichend ist, z. B. eine Dicke von etwa 200 μm. Die Linsenschicht wird wie in6B gezeigt strukturiert, um über jeweiligen Laserdioden410 separate Regionen zu erzeugen und um Abschnitte der Opferschicht630 über elektrischen Kontakten420 der Laserdioden410 freizulegen. Abschnitte der Linsenschicht640 , die sich in die Öffnungen632 erstrecken, bilden Abstandshalter für die Linsen. - Anschließend kann ein Replikationsverfahren die obere Oberfläche der Linsenschicht
640 nach Bedarf formen, um Brechungs- oder Beugungslinsen zu bilden. Wie in6B gezeigt ist, kann eine Form650 der Größe eines Wafers auf die Linsenschicht640 aufgebracht werden, um die Linsenschicht640 so zu gestalten, wie es erforderlich ist, um die gewünschten Linsenoberflächen zu bilden. Allgemein kann das Replikationsverfahren eine Vielzahl von Techniken einsetzen, um die gewünschten Konturen in die Linsenschicht640 einzuprägen. Eine Technik ist ein Heißprägeverfahren, das die Form650 auf eine Temperatur erhitzt, die zur Verformung der Linsenschicht640 ausreichend ist, und die Linsenschicht640 anschließend abkühlt, damit sie die geprägte Gestalt beibehält. Alternativ dazu kann die Form650 aufgebracht werden, wenn sich die Linsenschicht640 in einem verformbaren ungehärteten Zustand befindet, und ein Aushärten (z. B. unter Verwendung eines UV-Aushärtens) härtet die Linsenschicht640 , während sich die Form650 in ihrer Position befindet.6C zeigt die Struktur nach dem Entfernen der Form650 . - Ein selektives Ätzen kann die Opferschicht
630 entfernen und die Linsenschicht640 einschließlich der Abstandshalter642 und der Linsenkörper644 belassen, wie in6D gezeigt ist. Das Verfahren der6A bis6D entfernt die Opferschicht630 nach der Bildung von Linsenoberflächen auf der Linsenschicht640 , die Reihenfolge der Verfahrensschritte könnte jedoch geändert werden. Abstandshalter642 , die aus den Abschnitten der Linsenschicht640 in den Öffnungen632 gebildet wurden, tragen Linsenkörper644 , während sie zwischen den Laserdioden410 und den jeweiligen Linsenkörpern644 Luftzwischenräume vorsehen. Ein herkömm liches Sägen oder ein anderes Verfahren kann den Laserwafer400 in einzelne Chips (nicht gezeigt) schneiden. -
7A bis7C veranschaulichen ein weiteres Verfahren, das eine Opferschicht630 zum Tragen während einer Linsenherstellung und einem Entfernen der Opferschicht630 , um Luftzwischenräume zu erzeugen, verwendet. Das Verfahren der7A bis7C kann mit der Struktur der6A beginnen, die einen Laserwafer400 umfasst, auf dem die Opferschicht630 wie zuvor beschrieben gebildet wurde. Eine Linsenträgerschicht740 wird anschließend aufgebracht, um Öffnungen632 in der Opferschicht630 zu füllen und um sich in einer gewünschten Höhe über der Opferschicht630 zu erstrecken. Die Linsenträgerschicht740 kann aus Polyimid, SU-8 oder einem beliebigen anderen Material hergestellt sein, das optisch transparent ist und ein selektives Ätzen ermöglicht, um die Opferschicht630 zu entfernen, während die Linsenträgerschicht740 im Wesentlichen intakt bleibt. Wie in7A gezeigt ist, kann die Linsenträgerschicht740 strukturiert sein, um Abschnitte der Opferschicht630 zum Zweck eines anschließenden selektiven Ätzverfahrens, das die Opferschicht630 entfernt, freizulegen.7B zeigt die verbleibende Linsenträgerschicht740 , einschließlich Abstandshaltern742 und Trägerbereichen744 , nach dem Entfernen der Opferschicht630 . - Ein Linsenbildungsverfahren bildet Linsen
750 auf der Linsenträgerschicht740 , wie in7C gezeigt ist. Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der Erfindung bringt ein Druckvorgang wie z. B. ein Tintenstrahldrucken ein Linsenmaterial auf Trägerbereiche744 auf, wie erforderlich ist, um Linsen750 zu bilden. Ein Tintenstrahldrucken von UV-aushärtbarem Material kann wie oben in Bezug auf das Verfahren der5A bis5C beschrieben ausgeführt werden. Da der Druckvorgang keine beträchtliche Wärme und keinen beträchtlichen Druck auf die Trägerbereiche744 ausübt, können die Brechungslinsen750 nach dem Entfernen der Opferschicht630 unter Verwendung dieser Technik hergestellt werden. Jedoch ist auch eine alternative Reihenfolge der Verfahrensschritte möglich. -
8A bis8C veranschaulichen ein weiteres Bauelementherstellungsverfahren, das eine Opferschicht630 verwendet. Dieses Ausführungsbeispiel der Erfindung kann mit der Herstellung des Laserwafers400 mit einer darüber liegenden Opferschicht630 , wie in6A gezeigt ist, beginnen. Eine Linsenträgerschicht840 eines Materials wie z. B. Polyimid oder SU-8 wird anschließend aufgebracht, um die Öffnungen632 in der Opferschicht630 zu füllen und um über der Opferschicht630 zu liegen. Wie in8A gezeigt ist, kann eine Linsenträgerschicht840 unter Verwendung einer Photoresistmaske850 strukturiert werden, um Abschnitte der Opferschicht630 freizulegen. Dasselbe Verfahren kann verwendet werden, um die Linsenträgerschicht740 der7A zu strukturieren, für das Verfahren der8A bis8C wird jedoch eine Photoresistmaske850 auf dem Linsenträgerwafer840 belassen, statt nach dem Entfernen frei liegender Abschnitte der Linsenträgerschicht840 abgezogen zu werden. - Die Opferschicht
630 wird, wie in8B gezeigt, entfernt, um die Maske850 und die Linsenträgerschicht840 einschließlich der Abstandshalter842 und der Linsenträgerbereiche844 zu belassen. Das Photoresistmaterial, das die Maske850 bildet, sollte sich von dem Photoresistmaterial, das die Opferschicht630 bildet, unterscheiden, um ein Entfernen der Maske850 während des Entfernens der Opferschicht630 zu vermeiden. Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendet ein negatives Resistmaterial wie z. B. NR9-8000P von Futurex als das Opfermaterial630 , und Durimide 100 von Arch Chemical als das Abstandshaltermaterial840 . Ein positiver Photoresist wie z. B. S1822 von Shipley kann als Maske850 verwendet werden, um das Abstandshaltermaterial840 zu strukturieren und zu entwickeln. Nachdem das Abstandshaltermaterial840 strukturiert ist, kann ein Negativresistablöser RR4 von Futurex die Opferschicht630 entfernen. - Nach dem Entfernen der Opferschicht
630 können Linsen855 auf den Linsenträgerbereichen844 gebildet werden, indem die Maske850 auf eine Temperatur erhitzt wird, bei der sich Regionen der Maske850 verflüssigen. Eine Oberflächenspannung erzeugt anschließend eine konvexe Linsenkontur, die bleibt, nachdem sich die Maske850 abkühlt. - Obwohl die Erfindung unter Bezugnahme auf bestimmte Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist die Beschreibung lediglich ein Beispiel der Anwendung der Erfindung und sollte nicht als Einschränkung angesehen werden. Insbesondere können statt der Strahlenquelle
310 in3 und bei Systemen auf höherer Ebene, wie z. B. bei einem optischen Kommunikationssystem, bei CD- oder DVD-Laufwerken oder -Abspielgeräten oder anderen Systemen, die optische Signale oder Laserstrahlen einsetzen, auch Strahlenquellen eingesetzt werden, die unter Verwendung eines der Verfahren der4A bis4D ,5A bis5C ,6A bis6D ,7A bis7C oder8A bis8C hergestellt wurden. Verschiedene andere Anpassungen und Kombinationen von Merkmalen der offenbarten Ausführungsbeispiele fallen in den Schutzumfang der Erfindung, wie er durch die folgenden Patentansprüche definiert ist.
Claims (13)
- Verfahren, das folgende Schritte umfasst: Herstellen einer Mehrzahl von Laserdioden (
410 ) auf einem ersten Wafer (400 ); Bilden von stehenden Strukturen (430 ,530 ,642 ,740 ,840 ) auf dem ersten Wafer (400 ); und Herstellen von Linsen (450 ,550 ,640 ,750 ,855 ), die über den stehenden Strukturen (430 ,530 ,642 ,740 ,840 ) liegen, wobei jede stehende Struktur eine Wand aufweist, die ringförmig ist, und wobei jede Wand eine oder mehrere Öffnungen umfasst. - Verfahren gemäß Anspruch 1, das ferner ein Befestigen eines zweiten Wafers (
440 ) auf oberen Oberflächen der stehenden Strukturen (430 ) umfasst, wobei die Linsen (450 ) auf dem zweiten Wafer (440 ) hergestellt werden. - Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem sich Luftzwischenräume zwischen den Laserdioden und dem zweiten Wafer (
440 ) befinden. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Bilden der stehenden Strukturen (
642 ,740 ,840 ) folgende Schritte umfasst: Bilden einer ersten Schicht (630 ) auf dem ersten Wafer (400 ), wobei die erste Schicht (630 ) eine Mehrzahl von Öffnungen (632 ) umfasst; Aufbringen einer zweiten Schicht, die die Öffnungen (632 ) in der ersten Schicht (630 ) füllt und über einer oberen Oberfläche der ersten Schicht (630 ) liegt; und Entfernen der ersten Schicht (630 ), um Abschnitte der zweiten Schicht, die die stehenden Strukturen (642 ,740 ,840 ) bildet, zu belassen. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem jede stehende Struktur folgende Merkmale aufweist: eine Linsenträgerregion, die über einer Emissionsfläche einer entsprechenden der Laserdioden liegt; und einen Abstandshalter (
430 ,530 ), der die Linsenträgerregion trägt und sich auf dem ersten Wafer benachbart zu der Emissionsfläche befindet. - Verfahren gemäß Anspruch 5, bei dem das Herstellen der Linsen ein Bilden der Linsen auf der Linsenträgerregion umfasst.
- Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem das Bilden der stehenden Strukturen ein Bilden von Säulen umfasst, die über Emissionsflächen der Laserdioden liegen, wobei die Linsen auf oberen Oberflächen der Säulen hergestellt werden.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem das Herstellen der Linsen folgende Schritte umfasst: Aufbringen einer Schicht eines Linsenmaterials; und Aufbringen einer Form auf die Schicht, um eine Oberfläche der Form auf der Schicht zu replizieren.
- Verfahren gemäß Anspruch 8, das ferner ein Erhitzen der Form auf eine Temperatur umfasst, die die Schicht veranlasst, den Konturen der Form zu entsprechen.
- Verfahren gemäß Anspruch 8 oder 9, bei dem das Aufbringen der Form ein Aufbringen der Form auf die Schicht, während sich die Schicht in einem nicht ausgehärteten Zustand befindet, umfasst, und wobei das Verfahren ferner ein Aushärten der Schicht, so dass die Schicht die Oberfläche der Form beibehält, umfasst.
- Verfahren gemäß Anspruch 10, bei dem das Aushärten ein UV-Aushärten umfasst.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem das Herstellen der Linsen ein Tintenstrahldrucken eines mit Licht aushärtbaren Polymers umfasst.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem das Herstellen der Linsen (
855 ) folgende Schritte umfasst: Bilden von Regionen (850 ) eines Linsenmaterials auf Oberflächen, die über Emissionsflächen der Laserdioden (410 ) liegen; und Erhitzen von Regionen (850 ) auf eine Temperatur, bei der die Oberflächenspannung des Linsenmaterials eine gekrümmte Oberfläche erzeugt.
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