-
Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren
zur Trocknung von Substraten, und insbesondere eine Vorrichtung
und ein Verfahren zur Trocknung von Halbleiterwafern unter Ausnutzung
des Marangoni-Effektes.
-
Bei
der Herstellung von Halbleiterbauelementen sind mitunter Herstellungsschritte
erforderlich, welche eine Reinigung der bearbeiteten Substrate,
insbesondere Siliciumscheiben bzw. Wafer, in einem Flüssigkeitsbad
erforderlich macht. Dabei werden die Halbleiterwafer zu deren Behandlung
in ein Flüssigkeitsbad
getaucht und aus diesem derart langsam herausgenommen, dass möglichst
die gesamte Flüssigkeitsmenge
im Flüssigkeitsbad
bleibt. Zur Verbesserung des Trocknungsvorganges beim Ausbringen
von Halbleiterwafern aus einem Flüssigkeitsbad, insbesondere
entionisiertem Wasser, ist es gemäß der europäischen Patentschrift
EP 0 385 536 B1 bekannt,
die Halbleiterwafer beim Verlassen des Flüssigkeitsbades direkt in Kontakt
mit einem nicht darauf kondensierenden Dampf zu bringen, welcher aus
einer Substanz besteht, der die Oberflächenspannung der Flüssigkeit
des Flüssigkeitsbades
herabsetzt. Dabei wird der Marangoni-Effekt ausgenutzt.
-
Trotz
des Einsatzes einer Trocknervorrichtung, welche den Marangoni-Effekt
ausnutzt, werden die Halbleiterwafer verhältnismäßig langsam und teilweise mit
zurückbleibenden
Wasserflecken, wie mit Bezug auf 6 beschrieben,
getrocknet. In 6 ist
ein Halbleiterwafer A aus Silicium dargestellt, auf welchem ein
Wassertropfen B (H2O) anhaftet. An diesem
Wassertropfen B greift zum einen Luftsauerstoff C (O2)
an, zum anderen verdunstet Wasser aus dem Flüssigkeitstropfen B und geht
somit in die gasförmige
Phase D, d.h. Wasserdampf, über.
Daraus resultiert ein Wasserfleck E, welcher nicht etwa aus einem Salzrückstand
besteht, da entionisiertes Wasser zum Einsatz kommt, sondern Siliciumdioxid
(SiO2) aufweist. Solche Wasserflecke können bei
der Herstellung von Halbleiterschaltkreisen aus entsprechend getrockneten
Halbleiterwafern zur Bildung von sehr kleinen Löchern oder Fehlstellen bei
der Abscheidung von Schichten in nachfolgenden Prozessschritten
führen.
Darüber
hinaus sind Wasserflecke mitunter für höhere Übergangswiderstände bei
Kontakten verantwortlich. Dies alles reduziert insgesamt die Ausbeute
der intakten Schaltkreise auf dem gesamten Halbleiterwafer resultierend
aus dem mängelbehafteten
Trocknungsprozess. Als quantitatives Maß für die Effektivität eines
solchen Trocknungsprozesses kann die Anzahl von gebildeten Wasserflecken pro
Flächeneinheit
definiert werden. Die Trocknung eines Wafers ist dabei zu 100 effektiv,
wenn sich keine Wasserflecken bilden. Die Bildung von Wasserflecken
wird sehr stark beeinflusst von der Trocknungsgeschwindigkeit. Als
Trocknungsgeschwindigkeit wird die Aushubgeschwindigkeit der Halbleiterwafer aus
dem Flüssigkeitsbad,
insbesondere dem entionisierten Wasser, definiert.
-
Um
einen Halbleiterwafer mit einem Durchmesser von ≥ 300 mm in der gleichen Zeit
zu trocknen wie einen Halbleiterwafer kleineren Durchmessers, ist
es jedoch erforderlich, die Trocknungsgeschwindigkeit, d.h. die
Aushubgeschwindigkeit, zu erhöhen.
Gelingt dies nicht, verringert sich automatisch der Durchsatz einer
solchen Trockenvorrichtung. Ebenfalls von Bedeutung bezüglich der
Bildung von Wasserflecken ist die Bereitstellung des die Oberflächenspannung
des Flüssigkeitsbades
herabsetzenden Fluides an der Flüssigkeitsoberfläche. Die Versorgung
mit dem die Oberflächenspannung
der Flüssigkeit
herabsetzenden Fluides muss von ausreichender Konzentration und
homogen an der Flüssigkeitsoberfläche sein.
-
Zur
Herstellung eines die Oberflächenspannung
der Flüssigkeit
des Flüssigkeitsbades
herabsetzenden Fluides, z.B. ein Stickstoffisopropanolgemisch, erfolgt
herkömmlicherweise
durch Einleiten eines Stickstoffstromes durch eine Quarzfritte in
einer Gaswaschflasche bzw. Bubbler. Die Konzentration des Isopropanols
im Stickstoffstrom ist durch die Löslichkeit des Isopropanols
im Stickstoffstrom beschränkt.
Die Löslichkeit
ist außerdem
temperaturabhängig
und abhängig
von der Stickstoffströmungsgeschwindigkeit.
Eine solche Gaswaschflasche bzw. Bubbler ist nicht temperiert, was
dazu führt,
dass das Isopropanol beim Durchleiten des Stickstoffes, welcher
darin expandiert, abgekühlt
wird und die Löslichkeit
des Isopropanols im Stickstoff dadurch weiter sinkt. Daraus ergibt
sich ebenfalls eine Veränderung der
Konzentration des Isopropanols im Stickstoff. Dies führt zu einer
seitlich ungleichmäßigen Isopropanolversorgung
an der Flüssigkeitsoberfläche. Auch
durch diese ungleichmäßige Isopropanolversorgung
an der Flüssigkeitsoberfläche können entsprechende
Rückstände, insbesondere
Wasserflecken, bei der Trocknung der Halbleiterwafer entstehen.
-
Es
ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung und ein
Verfahren zur Trocknung von Substraten bereitzustellen, durch welche
bei gesteigerter Trocknungsgeschwindigkeit eine Verminderung von
Rückständen auf
den getrockneten Substraten verbleibt.
-
Erfindungsgemäß wird diese
Aufgabe durch die in Anspruch 1 angegebene Vorrichtung zur Trocknung
von Substraten und durch das Verfahren zur Trocknung von Substraten
nach Anspruch 15 gelöst.
-
Die
der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin,
jeweils einen gerichteten Fluidstrom in einem vorbestimmten Bereich
auf die Flüssigkeitsoberfläche eines
Flüssigkeitsbades
mittig zwischen zwei Substrate auftreffen zu lassen. Abgesehen davon
wird ein Fluid vorbestimmter Zusammensetzung gezielt auf die Oberfläche des
Flüssigkeitsbades
gerichtet.
-
In
der vorliegenden Erfindung wird das eingangs erwähnte Problem insbesondere dadurch
gelöst,
dass eine Vorrichtung zur Trocknung von Substraten bereitgestellt
wird mit: einer Einrichtung zum senkrechten Ausbringen einer Mehrzahl
paralleler Substrate aus einem Flüssigkeitsbad; und einer Fluidzuführeinrichtung
zum gerichteten Leiten eines Fluides mit einer vorbestimmten Zusammensetzung
von zumindest einer Seite lateral der ausbringbaren Substrate aus
jeweils mittig zwischen zwei benachbarte Substrate an die Flüssigkeitsoberfläche des
Flüssigkeitsbades.
-
In
den Unteransprüchen
finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des
jeweiligen Erfindungsgegenstandes.
-
Gemäß einer
bevorzugten Weiterbildung ist das Fluid durch die Fluidzuführeinrichtung
von beiden Seiten lateral der ausbringbaren Substrate zuführbar.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Fluidzuführeinrichtung
ausgerichtete Zuführkanäle auf,
welche das Fluid unter einem vorbestimmten Winkel bezüglich der
Flüssigkeitsoberfläche des
Flüssigkeitsbades
zuführen.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der vorbestimmte Winkel der
ausgerichteten Zuführkanäle derart
gewählt,
dass die durch die ausgerichteten Zuführkanäle vorgegebene Hauptstromrichtung
des Fluides auf die Flüssigkeitsoberfläche des
Flüssigkeitsbades
in einer Entfernung zwischen einem Viertel und drei Vierteln des
Abstandes eines Zuführkanals
zu einem gegenüberliegenden Rand
des Flüssigkeitsbades
trifft.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der vorbestimmte Winkel der
ausgerichteten Zuführkanäle derart
gewählt,
dass die durch die ausgerichteten Zuführkanäle vorgegebene Hauptstromrichtung
des Fluides auf die Flüssigkeitsoberfläche des
Flüssigkeitsbades
in einer Entfernung zwischen einem Drittel und der Hälfte des
Abstandes eines Zuführkanals zu
einem gegenüberliegenden Rand
des Flüssigkeitsbades
trifft.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Einrichtung zum senkrechten
Ausbringen der Substrate eine Hubeinrichtung und eine Substratführungseinrichtung
auf.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Fluidzuführeinrichtung
zumindest einen Verteilerkanal auf, von welchem Zuführkanäle rechtwinklig
abzweigen, wobei der Verteilerkanal in einem unteren Abschnitt der
Substratführungseinrichtung
verläuft.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist über dem Flüssigkeitsbad eine abnehmbare
Haube vorgesehen, innerhalb welcher zumindest Teile der Fluidzuführeinrichtung
und eine Substratführungseinrichtung
liegen.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die abnehmbare Haube mit
einer Gaszuführung
verbunden, durch welche, vorzugsweise von oben her, in die abnehmbare
Haube über
eine Verteilereinrichtung, vorzugsweise ein Lochblech, ein inertes
Gas einleitbar ist.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die F1uidzuführungseinrichtung
mit einer Fluidaufbereitungseinrichtung verbunden.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Fluidaufbereitungseinrichtung
eine erste regelbare Fluidquelle und eine zweite regelbare Fluidquelle
sowie eine temperierbare Mischkammer auf, welche mit der ersten
und zweiten regelbaren Fluidquelle verbunden ist.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist das Fluid ein Gasgemisch
aus Stickstoff und Isopropanol eines vorbestimmten Verhältnisses.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Flüssigkeit des Flüssigkeitsbades
entionisiertes Wasser.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die Substrate Halbleiterwafer,
insbesondere Siliciumwafer.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Fluid aus zwei Fluiden,
vorzugsweise Stickstoff und Isopropanol, in einer temperierbaren
Mischkammer gemischt.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das gemischte Fluid in seiner
Anteilszusammensetzung jeweils mittels eines Durchflussreglers pro
Fluidquelle eingestellt.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Fluid mit einer Temperatur
von maximal 20 K über
der Umgebungstemperatur jeweils mittig zwischen die Substrate geleitet.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Flüssigkeit des Flüssigkeitsbades Umgebungstemperatur,
vorzugsweise 20°C,
auf.
-
Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung wird über das Flüssigkeitsbad eine abnehmbare
Haube gebracht und mit einem inerten Gas aufgefüllt, bevor das Fluid zumindest
auf die Oberfläche des
Flüssigkeitsbades
gebracht wird.
-
Ausführungsbeispiele
der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden
Beschreibung näher
erläutert.
-
Es
zeigen:
-
1 eine
schematische Seitenansicht einer Trocknungsvorrichtung zur Erläuterung
einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
-
2 eine
schematische Draufsicht einer Trocknungsvorrichtung zur Erläuterung
einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
-
3 eine
schematische Seitenansicht eines Ausschnittes einer Trocknungsvorrichtung
zur Erläuterung
einiger Details einer Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
-
4 eine
schematische Seitenansicht zur Erläuterung einiger Details einer
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
-
5 eine
schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung; und
-
6 eine
schematische Querschnittsansicht eines Halbleiterwafers zur Erläuterung
der Problemstellung.
-
In
den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche
Bestandteile.
-
In
1 ist
ein Substrat
10, insbesondere ein Halbleiterwafer, z.B.
eine Siliciumwaferscheibe, in einem Flüssigkeitsbad
11 eingebracht.
Das Flüssigkeitsbad
11 ist
vorzugsweise mit entionisiertem Wasser aufgefüllt und als Überlaufbecken
ausgebildet. Zum Ein- bzw. Ausbringen des Substrates
10 weist
die Anordnung gemäß
1 ein
klingenförmiges
Element
12 und eine das Substrat
10 führende Hubeinrichtung
13 auf.
Dieser Mechanismus zum Ausbringen des Substrates
10 entspricht
im Wesentlichen der im Vorgenannten zitierten europäischen Patentschrift
EP 0 385 536 .
-
Die
Einrichtung zur Behandlung von Substraten 10 gemäß 1 weist
eine über
dem Flüssigkeitsbad 11 positionierbare,
d.h. insbesondere abnehmbare Haube 14 auf. An den Seitenwänden der Haube 14 sind
Substratführungseinrichtungen
vorgesehen, welche das Substrat 10 beim Ausbringen aus dem
Flüssigkeitsbad 11 gegen
ein Umkippen halten. Durch die Hubeinrichtung 13 sowie
das klingenförmige
Schiebeelement 12 wird insbesondere eine Vielzahl von parallelen
Substraten im Wesentlichen senkrecht zur Flüssigkeitsoberfläche des
Flüssigkeitsbades 11 ausgebracht
und durch die Substratführungseinrichtungen 15 jeweils
mit einem vorbestimmten Abstand zueinander gehalten. Innerhalb der
Haube im unteren Bereich der Substratführungseinrichtung 15 oder
unterhalb der Substratführungseinrichtung 15 ist
eine Fluidzuführeinrichtung 16 vorgesehen,
welche aus einem senkrecht zur Zeichenebene verlaufenden Verteilerkanal 17 und
Zuführkanälen 18,
welche senkrecht vom Verteilerkanal 17 abzweigen, besteht.
Die Zuführkanäle 18 sind
dabei derart ausgerichtet, dass deren Hauptstromrichtung gemäß einer
nachfolgend beschriebenen Vorgabe ausgerichtet sind. Durch die Fluidzuführeinrichtung wird
ermöglicht,
ein Fluid einer vorbestimmten Zusammensetzung an der Oberfläche des
Flüssigkeitsbades 11 bereitzustellen.
Darüber
hinaus ist die bewegliche Haube 14 mit einer Gaszuführeinrichtung 19 versehen,
welche mit einer Gasquelle (nicht dargestellt) verbunden ist, um über eine
Verteilereinrichtung 20, vorzugsweise ein Lochblech, ein
inertes Gas in den Innenraum der Haube 14 einzubringen.
-
Wie
in der Draufsicht gemäß 2 ersichtlich,
ist eine Vielzahl von parallel zueinander ausgerichteten Substraten 10 durch
die Substratführungseinrichtung 15 geführt, wenn
diese von der Hubeinrichtung 13 und dem messerförmigen Schiebeelement 12 gemäß 1 aus
dem Flüssigkeitsbad 11 zur
Trocknung ausgebracht werden in die Haube. Benachbarte Zuführkanäle 18,
durch welche ein vorbestimmtes Fluid unter einem vorbestimmten Winkel auf
die Oberfläche
des Flüssigkeitsbades 11 strömt, sind
mittig zwischen benachbarten Substraten 10, welche erst
beim Ausbringen aus dem Flüssigkeitsbad 11 gemäß 1 an
der Oberfläche
des Flüssigkeitsbades
sichtbar wer den, angeordnet. Benachbarte Zuführkanäle 18 weisen dabei
den gleichen Abstand zueinander auf wie benachbarte Substrate 10.
-
Mit
Bezug auf 3 sind verschiedene Details
einer erfindungsgemäßen Ausführungsform
zur näheren
Erläuterung
in einer Schrägansicht
im Schnitt dargestellt. Ein teilweise aus dem Flüssigkeitsbad 11 ausgebrachtes
Substrat 10 wird durch zwei benachbarte Substratführungseinrichtungen 15, welche
an der Haube 14 angebracht sind, gehalten bzw. gegen ein
seitliches Umkippen geführt.
In der Haube 14 bzw. im unteren Abschnitt der Substratführungseinrichtung 15 ist
die Zuführeinrichtung 16 mit einem
Verteilerkanal 17 und davon senkrecht abzweigenden Zuführkanälen 18 dargestellt.
Die Zuführkanäle 18 sind
dabei so ausgerichtet, dass ihre Hauptstromrichtung in einem vorbestimmten
Bereich auf die Flüssigkeitsoberfläche des
Flüssigkeitsbades 11 trifft.
Durch die Zuführeinrichtung 16 wird
ein vorbestimmtes Fluid unter einer bestimmten Richtung an die Oberfläche des
Flüssigkeitsbades 11 geleitet.
-
In 4 ist
in einer Seitenquerschnittsansicht die Ausrichtung der Hauptstromrichtung 21 des vorbestimmten
Fluides, welches durch die Fluidzuführeinrichtung 16 zugeführt wird,
näher erläutert. Der
Winkel α der
Flüssigkeitsoberfläche des
Flüssigkeitsbades 11 und
der Hauptstromrichtung 21 des vorbestimmten Fluides, welche
durch die Ausrichtung des Zuführkanals
vorgegeben ist, wird vorzugsweise derart bestimmt, dass ein Auftreffpunkt 22,
in welchem die Hauptstromrichtung 21 auf die Flüssigkeitsoberfläche des
Flüssigkeitsbades 11 trifft,
einen Abstand von einem Viertel bis drei Viertel, insbesondere einem
Drittel bis der Hälfte
der Strecke von einem Zuführkanal 18 zu
einem gegenüberliegenden Rand
des Flüssigkeitsbades 11 aufweist.
Auf diese Weise ist eine gleichmäßige und
gerichtete Versorgung der Flüssigkeitsoberfläche des
Flüssigkeitsbades 11 mit
einem vorbestimmten Fluid, insbesondere einem Gemisch aus Isopropanol
und Stickstoff, ermöglicht.
-
Die 5 zeigt
eine weitere Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung. Dabei ist
die mit Bezug auf die vorangehenden Figuren erläuterte Vorrichtung zur Behandlung
von Substraten 10 um eine Fluidaufbereitungseinrichtung
erweitert. Die Fluidaufbereitungseinrichtung weist eine erste Fluidquelle 23, vorzugsweise
eine Stickstoffquelle (N2), und eine zweite
Fluidquelle 24, vorzugsweise eine Isopropanolquelle, auf. Über je einen
Durchflussregler 25 werden genau definierte Mengen des
ersten Fluides und des zweiten Fluides in eine Mischkammer 26 bzw. eine
Zerstäuberkammer
eingeleitet. Die Zerstäuberkammer 26 ist
temperierbar, um die durch Verdunstung des zweiten Fluids und Expansion
des ersten Fluids resultierende Temperaturabsenkung zu kompensieren.
Die Temperatur der Mischkammer 26 und damit des Fluides 27 ist
frei wählbar. Über Zuleitungen 28 ist
die Mischkammer 26 mit der Fluidzuführungseinrichtung 16 verbunden,
um ein Fluid 27 mit einer vorbestimmten Zusammensetzung
und einer vorbestimmten Temperatur gerichtet an die Oberfläche des
Flüssigkeitsbades 11 führen zu
können.
Die Temperatur des Fluides liegt vorzugsweise maximal 20 K höher als
die Umgebungstemperatur von beispielsweise 20°C. Die Temperatur der Flüssigkeit, vorzugsweise
entionisiertes Wasser, im Flüssigkeitsbad 11 ist
vorzugsweise gleich der Umgebungstemperatur von beispielsweise 20°C. Die Behandlungsvorrichtung
bzw. Trocknungsvorrichtung wird vorzugsweise bei den erwähnten Temperatur
betrieben, um eine Kondensation des Isopropanols oder von entionisiertem
Wasser an den Substraten 10 zu vermeiden.
-
Durch
das gezielte Leiten des Fluids 27 an die Oberfläche des
Flüssigkeitsbades
werden die Substrate 10 beim Ausbringen bzw. Herausheben
mit Hilfe des Marangoni-Effektes getrocknet.
-
Im
Nachfolgenden erfolgt eine Erläuterung eines
Trocknungsprozesses mit Bezug auf die 1 bis 5.
Eine Charge aus Substraten 10, vorzugsweise Halbleiterwafern,
wird zunächst
auf bekannte Art und Weise in ein mit einer Flüssigkeit, vorzugsweise entionisiertem
Wasser, gefüllte
Flüssigkeitsbad bzw.
Prozessbecken eingebracht. Daraufhin wird die bewegliche Haube 14 in
die in 1, 4 und 5 dargestellte
Position gebracht. Daran schließt sich
das Befüllen
des Haubeninnenraumes mit einem inerten Gas über die Gaszuführung 19 und
vorzugsweise die Verteilereinrichtung 20 eingeleitet, bis
sie vollständig
mit inertem Gas gefüllt
ist. Dadurch kann sichergestellt werden, dass keine Fremdstoffe,
insbesondere Fremdgase, in der Haube 14 vorhanden sind,
welche die darin aufzunehmenden Substrate 10 beeinträchtigen
könnten.
-
Über die
Fluidzuführeinrichtung 16 wird
anschließend
ein vorbestimmtes Fluid, welches vorzugsweise wie mit Bezug auf 5 erläutert hergestellt
wurde, vorzugsweise ein Gemisch aus Isopropanol und Stickstoff,
auf die Oberfläche
des Flüssigkeitsbades 11 geleitet.
Dabei ist der Winkel α,
wie mit Bezug auf 4 erläutert, gewählt. Anschließend werden
die Substrate 10 über
das messerförmige bzw.
keilförmige
Element 12 aus dem Flüssigkeitsbad 11 heraus
in die Haube 14 hineingeschoben. Während dieses Hubvorgangs wird
weiter über
die Fluidzuführeinrichtung 16 das
vorbestimmte Fluid eingeleitet, wobei die Zuführkanäle 17 derart mit den Substraten 10 ausgerichtet
sind, dass sie mittig in die Zwischenräume zwischen die Substrate 10 weisen.
-
Dabei
wird das vorbestimmte Fluid gezielt, wie mit Bezug auf 2 erläutert, eingebracht.
-
Obwohl
die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele
beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise
modifizierbar. So sind neben einer Zuführung des vorbestimmten Fluides
von zwei Seiten an die Oberfläche
des Flüssigkeitsbades auch
eine nur einseitige Fluidzuführung
möglich.
Die Temperaturangaben des Fluides sowie des Flüssigkeitsbades sind lediglich
beispielhaft zu sehen. Neben Halbleiterwafern sind beliebige Substrate,
welche aus einem Reinigungsbecken bzw. aus einem Flüssigkeitsbad
unter Ausnutzung des Marangoni-Effektes aus gebracht werden, angedacht.
Auch die konkrete Anordnung zur Bereitstellung eines Fluides 28 mit
einer vorbestimmten Zusammensetzung und einer vorbestimmten Temperatur
gemäß 5 ist
lediglich beispielhaft anzusehen. Bei der Festlegung des Auftreffpunktes 22 der
Hauptstromrichtung 21 des Fluides auf die Flüssigkeitsoberfläche des
Flüssigkeitsbades 11 ist
davon ausgegangen worden, dass das Flüssigkeitsbad, insbesondere
ein entsprechend gegenüberliegender
Rand des Flüssigkeitsbades,
direkt lateral benachbart des Wafers liegt, d.h. insbesondere kein
großer
Abstand zwischen Substratrand und Flüssigkeitsbadrand im eingetauchten Zustand
vorliegt.
-
- 10
- Substrat,
insbesondere Halbleiterwafer
- 11
- Flüssigkeitsbad
- 12
- klingenförmiges Schiebeelement
- 13
- Hubeinrichtung
- 14
- bewegliche
Haube
- 15
- Substratführungseinrichtung
- 16
- Fluidzuführeinrichtung
- 17
- Verteilerkanal
- 18
- Zuführkanal
- 19
- Gaszuführung
- 20
- Verteilereinrichtung,
insbesondere Lochblech
- 21
- Hauptstromrichtung
- 22
- Auftreffpunkt
- 23
- erste
Fluidquelle
- 24
- zweite
Fluidquelle
- 25
- Durchflussregler
- 26
- temperierbare
Mischkammer bzw. Zerstäuberkammer
- 27
- vorbestimmtes
Fluid, vorzugsweise Stickstoff-
-
- Isopropanol-Gemisch
- 28
- Zuleitung
- A
- Halbleiterwafer
- B
- Wassertropfen
- C
- Sauerstoff
- D
- Wasserdampf
- E
- Siliziumdioxid