DE102004049389A1

DE102004049389A1 - Langzeittemperaturbeständiges Reflexionsschichtsystem auf Glassubstraten und Verfahren zu dessen Herstellung

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Publication number: DE102004049389A1
Application number: DE102004049389A
Authority: DE
Inventors: Christoph Dr. Köckert; Matthias Dr. List; Falk Dr. Milde; Klaus Gehm
Original assignee: Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
Current assignee: Von Ardenne GmbH
Priority date: 2004-10-08
Filing date: 2004-10-08
Publication date: 2006-04-20

Abstract

Der Erfindung, die ein langzeittemperaturbeständiges Schichtsystem mit hoher Reflektivität im sichtbaren Spektralbereich zum Aufbringen auf transparenten Substraten, insbesondere Glassubstraten, auf der der Reflexionsrichtung und Wärmebelastung abgewandten und der Atmosphäre ausgesetzten Seite des Substrates betrifft, bei welchem die Funktionsschicht eine metallische Reflexionsschicht ist, liegt die Aufgabe zugrunde, ein im sichtbaren Spektralbereich reflektierendes Schichtsystem sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung aufzuzeigen, das unter Einfluss der Umgebungsluft dauerhaft hochtemperaturbeständig und kratzfest ist, insbesondere während einer hohen Gebrauchsdauer von mehr als 2000 Stunden einer Temperaturbelastung von mehr als 700 DEG C standzuhalten vermag, und das bei hohen Leuchtdichten optisch dicht ist. DOLLAR A Dies wird dadurch gelöst, dass auf der dem Substrat abgewandten Seite der Reflexionsschicht (4) eine Schichtfolge aus metallischer Barriereschicht (5) und abschließend dielektrischer Deckschicht (6) aufgebracht wird und das Abscheiden der metallischen Reflexionsschicht (4) sowie der metallischen Barriereschicht (5) durch Gleichstrom-Sputtern und das Abscheiden der dielektrischen Deckschicht (6) durch reaktives Mittelfrequenz-Sputtern erfolgt.

Description

Die Erfindung betrifft ein langzeittemperaturbeständiges Schichtsystem mit hoher Reflektivität im sichtbaren Spektralbereich zum Aufbringen auf transparenten Substraten, insbesondere Glassubstraten, auf der der Reflexionsrichtung und Wärmebelastung abgewandten und der Atmosphäre ausgesetzten Seite des Substrates, bei welchem die Funktionsschicht eine metallische Reflexionsschicht ist, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Es sind vielfältige Schichtsysteme für Reflexionsschichten bekannt, sowohl was die Materialauswahl als auch was den Aufbau der Schichtsysteme betrifft. In den meisten Fällen wird die eigentliche Reflexionsschicht aus einem Edelmetall, z. B. Ag, Au hergestellt. Aber auch Reflexionsschichten aus Al sind bekannt. Diese Schichtsysteme haben im Allgemeinen den Nachteil, dass sie nicht auf Dauer hohen Temperaturen ausgesetzt werden können. Selbst wenn die beschichteten Substrate, z. B. bei der Herstellung gewölbter Spiegel, erhitzt werden, ist die Dauer der Temperaturbelastung sehr gering, d. h. tritt nur während des Biegeprozesses auf.

Aus EP 0 456 488 A1 und EP 0 583 871 A1 sind reflektierende Schichtsysteme für Spiegel bekannt, welche aus einer Metallschicht als Reflexionsschicht, dielektrischen Schichten mit abwechselnd niedriger und hoher Brechzahl zur Verbesserung des Gesamtreflexionsvermögens sowie einer weiteren dielektrischen Schicht als Schutzschicht bestehen. Diese Schichtsysteme sind nicht dafür gedacht, hohen Temperaturen ausgesetzt zu werden.

Aus der DE 43 01 463 A1 ist ein reflektierendes Schichtsystem für optisch hochwertige Spiegel bekannt, bei dem zwischen Substrat und metallischer Reflexionsschicht eine weitere Schicht aufgebracht wird, die entweder chemisch oder physikalisch ablösbar ist und somit die Erneuerung der Reflexionsschicht gestattet, wenn diese trotz der über der Funktionsschicht aufgebrachten Schutzschicht unter dem Einfluss der Umgebungsluft verwittert ist. Dieses Schichtsystem ist ebenfalls nicht dafür geeignet, hohen Temperaturen ausgesetzt zu werden.

Des Weiteren sind Schichtsysteme mit einer Funktionsschicht aus Ag zur Beschichtung von Glassubstraten für Gebäude- und Fahrzeugverglasungen bekannt. Um das Glas einer Biege- oder Vorspannungsbehandlung unterziehen zu können, die mit kurzzeitiger hoher thermischer Belastung verbunden ist, ohne die optischen Eigenschaften der Silberschicht zu zerstören, ist es bekannt, die Funktionsschicht mit einer dünnen Nitrid- oder Metallschicht als Schutzschicht abzudecken oder in solche einzubetten. Bei diesen Schichtsystemen handelt es sich nicht um Spiegelschichten. Vielmehr zielen diese Schichtsysteme auf eine hohe Gesamtenergiedurchlässigkeit, hohe Transmission im sichtbaren Spektralbereich, dagegen Reflexion im Infrarot (Wärmedämmfunktion) ab (so genannte Low-E-Beschichtungen, DE 101 05 199 C1 , DE 195 33 053 C1 ). Diese Schichtsysteme sind nicht für eine thermische Langzeitbelastung ausgelegt.

Zusammenfassend ist festzustellen, dass keines der bekannten Schichtsysteme bei hohen Leuchtdichten optisch dicht ist, was bei den üblichen Gebrauchsspiegeln in der Form nicht erforderlich ist, was aber beispielsweise bei Reflektoren für Leuchtmittel wünschenswert ist, und gleichzeitig dauerhaft und unter Umwelteinfluss einer hohen thermischen Belastungen standhalten kann.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein im sichtbaren Spektralbereich reflektierendes Schichtsystem zur Verfügung zu stellen, das unter Einfluss der Umgebungsluft dauerhaft hochtemperaturbeständig und kratzfest ist, insbesondere während einer hohen Gebrauchsdauer von mehr als 2000 Stunden einer Temperaturbelastung von mehr als 700 °C standzuhalten vermag. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Schichtsystem zur Verfügung zu stellen, das bei hohen Leuchtdichten opak (optisch dicht) ist, d. h. das Schichtsystem darf keine Defekte in der Schicht aufweisen, die bei sehr hohen Leuchtdichten Licht durchlassen. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren aufzuzeigen, mit welchem das Schichtsystem wirtschaftlich bei hohen Stückzahlen und den hohen optischen Bedingungen gerecht werdend aufgebracht werden kann.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch ein Schichtsystem gelöst, bei dem auf der dem Substrat abgewandten Seite über der Reflexionsschicht eine Schichtfolge aus metallischer Barriereschicht und abschließend dielektrischer Deckschicht aufgebracht ist.

Dabei kann die Reflexionsschicht aus Ag, Al, Au, Pt oder einer Silberlegierung, z.B. mit Sb, Bi, Nd oder Y bestehen. Bevorzugt wird eine Reflexionsschicht aus Ag mit einer Dicke von 100 bis 1000 nm, vorzugsweise etwa 550 nm.

Die Barriereschicht kann aus Cr, NiCr oder NiCrO_x bestehen. In einer bevorzugten Ausführungsform besteht die Barriereschicht aus Cr in einer Dicke von 50 bis 300 nm, vorzugsweise etwa 150 nm. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung besteht die Barriereschicht aus NiCrO_x und ist als Gradientenschicht ausgebildet, wobei der Sauerstoffgehalt von der Reflexionsschicht zur Deckschicht hin zunimmt. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform besteht die Barriereschicht aus mehreren Teilschichten von NiCrO_x mit unterschiedlicher Stöchiometrie, wobei der Sauerstoffgehalt von der Reflexionsschicht zur Deckschicht hin zunimmt.

Die Deckschicht kann aus SiO_2-x, Al₂O_3-x, AlN_1-x, Si₃N_4-x oder TiO_2-x bestehen, wobei x größer oder gleich Null und kleiner Eins ist. In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung besteht die Deckschicht aus SiO₂ in einer Dicke von 100 bis 1000 nm, vorzugsweise 350 nm. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform ist die Deckschicht eine Gradientenschicht, bei welcher x von der Barriereschicht nach außen hin abnimmt.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst das Schichtsystem zusätzlich eine Haftschicht aus SiO₂ oder SiO_x mit x < 2, die zwischen dem Substrat und der zuvor erwähnten Schichtfolge vorgesehen ist. Die Haftschicht weist geeigneter Weise eine Dicke von 0,5 bis 10 nm, vorzugsweise etwa 2,5 nm auf.

Das erfindungsgemäße Schichtsystem kann vorteilhaft auf Glassubstraten aufgebracht werden, wenn eine hohe Reflexion durch eine optisch dichte Schicht gefordert ist und das Schichtsystem hohen Temperaturen im Dauerbetrieb ausgesetzt werden soll.

Die Herstellung des zuvor erwähnten optisch dichten, langzeittemperaturbeständigen Schichtsystems für Reflektoren auf Glassubstraten erfolgt erfindungsgemäß vorzugsweise durch Sputtern, mit folgenden Schritten: (a) Abscheiden einer metallischen Reflexionsschicht auf einem Glassubstrat durch Gleichstrom-Sputtern, (b) Abscheiden einer metallischen Barriereschicht auf der metallischen Reflexionsschicht durch Gleichstrom-Sputtern, und (c) Abscheiden einer dielektrischen Deckschicht durch reaktives Mittelfrequenz-Sputtern.

Dabei wird das Substrat vor dem Abscheiden der Schichten vorzugsweise gereinigt.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird vor dem Schritt (a) durch reaktives Sputtern eine Haftschicht aus SiO₂ oder SiO_x mit x < 2 in einer Dicke von 0, 5 bis 10 nm, vorzugsweise etwa 2,5 nm auf das Substrat aufgebracht.

Während der Schichtabscheidung wird das Substrat kontinuierlich durch die Beschichtungsstationen bewegt und vorzugsweise dabei gedreht.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erfolgt die Abscheidung der beiden metallischen Schichten in den Schritten (a) und (b) bei gepulstem Betrieb.

Entsprechend einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden während des Schrittes (a) einzelne Prozessparameter in solcher Weise geändert, dass eine optisch dichte Morphologie der Reflexionsschicht erzielt wird.

Dabei wird erfindungsgemäß in Schritt (a) eine Reflexionsschicht aus Ag, Al, Au oder Pt, vorzugsweise aus Ag in einer Dicke von 100 bis 1000 nm, bevorzugt etwa 550 nm abgeschieden.

In Schritt (b) wird erfindungsgemäß eine Barriereschicht aus Cr oder aus NiCr, vorzugsweise aus Cr in einer Dicke von 50 bis 300 nm, bevorzugt etwa 150 nm abgeschieden.

Gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann Schritt (b) als teilreaktiver Prozess erfolgen, bei welchem in die Barriereschicht aus Cr oder NiCr zusätzlich Sauerstoff eingebracht wird. Dabei kann die Barriereschicht als Gradientenschicht ausgebildet werden, bei welcher der Sauerstoffgehalt von der Reflexionsschicht zur Deckschicht hin zunimmt. Entsprechend einer anderen bevorzugten Ausführungsform kann die Barriereschicht vorteilhaft aus mehreren Teilschichten mit unterschiedlicher Stöchiometrie ausgebildet werden, bei welchen der Sauerstoffgehalt von der Reflexionsschicht zur Deckschicht hin zunimmt.

Ferner wird erfindungsgemäß in Schritt (c) eine Deckschicht aus SiO_2-x, Al₂O_3-x, AlN_1-x, Si₃N_4-x oder TiO_2-x abgeschieden, wobei x von Null bis Eins reicht. In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird in Schritt (c) eine Deckschicht aus SiO₂ in einer Dicke von 100 bis 1000 nm, vorzugsweise etwa 350 nm abgeschieden. Entsprechend einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Deckschicht als Gradientenschicht abgeschieden, bei welcher x von der Barriereschicht nach außen hin abnimmt.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung sind der folgenden detaillierten Beschreibung, die anhand eines Ausführungsbeispiels gegeben wird, sowie der anliegenden Zeichnungsfigur zu entnehmen. Dabei zeigt:
1 eine schematische, nicht maßstabsgerechte Schnittansicht eines auf der Umweltseite einer Hochtemperatur-Lichtquelle aufgebrachten, als Reflektor fungierenden Schichtsystems.
In der Figur ist eine in einem Glaskolben 1 unter einer Schutzatmosphäre 8 angeordnete Hochtemperatur-Lichtquelle 2 gezeigt. In einem definierten Bereich der Oberfläche des Glaskolbens 1 ist auf der Umweltseite 9, d. h. jener der Atmosphäre ausgesetzten Seite, ein Schichtsystem 3 aufgebracht.
Das Schichtsystem 3 besteht in seinem Aufbau, vom Glas beginnend, aus einer Reflexionsschicht 4, einer Zwischenschicht 5 als Diffusionsbarriere sowie einer dielektrischen Deckschicht 6 als Diffusionsbarriere und zum mechanischen Schutz.
Dieses Schichtsystem wird durch Zerstäuben (Sputtern) auf den Glaskolben 1 aufgebracht. Dabei werden die durch ein bekanntes Verfahren gereinigten Glassubstrate in entsprechenden Halterungen kontinuierlich durch eine Beschichtungsanlage mit den jeweiligen Beschichtungsstationen bewegt, an denen die Sputterquellen mit den Targets angeordnet sind, welche mit dem jeweiligen Beschichtungsmaterial bestückt sind.
Um eine gleichmäßige Schichtdicke zu gewährleisten, erfolgt die Beschichtung zweckmäßigerweise derart, dass die Glaskolben in der Beschichtungsanlage rotieren.
Die Sputterquellen, welche die metallischen Schichten aufbringen, werden dabei mit Gleichstrom (DC) gespeist und die Sputterquellen, welche die dielektrischen Schichten aufbringen, arbeiten im reaktiven Mittelfrequenz(MF)-Betrieb.
Zur Verringerung von Defekten in den Metallschichten 4, 5 ist es vorteilhaft, diese durch gepulstes Gleichstrom-Sputtern abzuscheiden.
Durch Aufbringen der metallischen Reflexionsschicht 4 in mehreren, sich in einzelnen Prozessparametern unterscheidenden Schritten ist es möglich, die Morphologie der gesamten Reflexionsschicht so zu beeinflussen, dass diese bestmöglich optisch dicht ist.
Die Reflexionsschicht 4 besteht vorzugsweise aus Ag, kann aber auch aus Al, Au, Pt oder einer Silberlegierung, z.B. mit Sb, Bi, Nd oder Y bestehen. Ihre Dicke beträgt 100 nm bis 1000 nm, vorzugsweise etwa 550 nm. Diese Reflexionsschicht hat wesentlichen Einfluss auf die geforderte Lichtundurchlässigkeit.
Die Zwischenschicht 5 als metallische Diffusionsbarriere besteht vorzugsweise aus Cr, kann aber auch aus NiCr bestehen. Ihre Dicke beträgt 50 nm bis 300 nm, vorzugsweise etwa 150 nm. Diese Schicht hat im Wesentlichen die Aufgabe, die Diffusion des Ag der Reflexionsschicht zur Atmosphäre hin zu verhindern. Weiterhin soll diese Schicht auch die Diffusion von Luft, besonders Sauerstoff, in die Ag-Schicht verhindern. Außerdem soll sie dazu beitragen, das Schichtsystem optisch dicht zu machen, d.h. restliches durch die Ag-Schicht scheinendes Licht zu absorbieren und nicht nach außen durchzulassen.
Diese Barriereschicht kann auch teilweise als Gradientenschicht ausgebildet werden, wobei der Sauerstoffgehalt in Richtung der Reflexionsschicht abnimmt. Es kann auch von Vorteil sein, diese Zwischenschicht aus mehreren Teilschichten mit unterschiedlicher Stöchiometrie herzustellen. Hierbei nimmt der Sauerstoffgehalt in Richtung der Reflexionsschicht ab.
Die Deckschicht 6 als Diffusionsbarriere und Schutzschicht besteht vorzugsweise aus SiO₂ kann aber auch aus Al₂O₃, AlN, Si₃N₄, TiO₂ bestehen. Ihre Dicke beträgt 100 nm bis 1000 nm, vorzugsweise etwa 350 nm. Es kann auch zweckmäßig sein, diese Schicht unterstöchiometrisch herzustellen, beispielsweise als SiO_x mit x < 2.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des Schichtsystems besteht darin, die dielektrische Deckschicht als Gradientenschicht auszubilden, bei welcher der Sauerstoffgehalt in Richtung der metallischen Zwischenschicht abnimmt.
Es ist auch möglich, die dielektrische Deckschicht aus Teilschichten zu erzeugen, und diese jeweils mit unterschiedlicher Stöchiometrie herzustellen, wobei der Sauerstoffgehalt (ggf. Reaktivgasgehalt) in Richtung der metallischen Zwischenschicht abnimmt.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des Schichtsystems besteht darin, dass zusätzlich als erste Schicht auf dem Glas eine Haftschicht 7 aufgebracht wird. Diese besteht zweckmäßigerweise aus SiO₂ oder SiO_x mit x < 2. Da diese Schicht nicht optisch wirksam sein soll, wird ihre Dicke typischerweise zwischen 0,5 und 10 nm, vorzugsweise etwa 2,5 nm betragen.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Schichtsystems besteht darin, dass der Reflektor auch unter Einfluss der Umgebungsluft dauerhaft einer hohen Temperaturbelastung standhält und damit direkt von außen auf das Glassubstrat aufgebracht werden kann.

1: Glassubstrat
2: Hochtemperatur-Lichtquelle
3: Reflexionsschichtsystem
4: metallische Reflexionsschicht
5: metallische Barriereschicht
6: dielektrische Deckschicht
7: Haftschicht
8: Schutzatmosphäre
9: Umgebungsluft

Claims

Langzeittemperaturbeständiges Schichtsystem (3) mit hoher Reflektivität im sichtbaren Spektralbereich, zum Aufbringen auf transparenten Substraten, insbesondere Glassubstraten, auf der der Reflexionsrichtung und Wärmebelastung abgewandten und der Atmosphäre ausgesetzten Seite des Substrates, bei welchem die Funktionsschicht eine metallische Reflexionsschicht ist, dadurch gekennzeichnet, dass auf der dem Substrat abgewandten Seite der Reflexionsschicht (4) eine Schichtfolge aus metallischer Barriereschicht (5) und abschließend dielektrischer Deckschicht (6) aufgebracht ist.
Schichtsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsschicht (4) aus Ag, Al, Au, Pt oder aus Silberlegierungen wie etwa AgSb, AgBi, AgNd oder AgY besteht.
Schichtsystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet dass die Reflexionsschicht (4) aus Ag in einer Dicke von 100 bis 1000 nm, vorzugsweise etwa 550 nm besteht.
Schichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht (5) aus Cr, NiCr oder NiCrO_x besteht.
Schichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht (5) aus Cr in einer Dicke von 50 bis 300 nm, vorzugsweise etwa 150 nm besteht.
Schichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht (5) aus NiCrO_x besteht und als Gradientenschicht ausgebildet ist, wobei der Sauerstoffgehalt von der Reflexionsschicht (4) zur Deckschicht (6) hin zunimmt.
Schichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht (5) aus mehreren Teilschichten NiCrO_x mit unterschiedlicher Stöchiometrie besteht, wobei der Sauerstoffgehalt von der Reflexionsschicht (4) zur Deckschicht (6) hin zunimmt.
Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (6) aus SiO_2-x, Al₂O_3-x, AlN_1-x, Si₃N_4-x oder TiO_2-x besteht, wobei x größer oder gleich Null und kleiner Eins ist.
Schichtsystem nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (6) aus SiO₂ in einer Dicke von 100 bis 1000 nm, vorzugsweise etwa 350 nm besteht.
Schichtsystem nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (6) eine Gradientenschicht ist, bei welcher x von der Zwischenschicht (5) nach außen hin abnimmt.
Schichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Schichtsystem zusätzlich eine Haftschicht (7) aus SiO₂ oder SiO_x mit x < 2 zwischen dem Substrat (1) und der Schichtfolge (3) beinhaltet.
Schichtsystem nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Haftschicht eine Dicke von 0,5 bis 10 nm, vorzugsweise etwa 2,5 nm aufweist.
Verfahren zur Herstellung eines optisch dichten, langzeittemperaturbeständigen Schichtsystems entsprechend der Ansprüche 1 bis 12 für Reflektoren auf Glassubstraten, bei dem die Schichten durch Sputtern aufgebracht werden, mit folgenden Schritten: (a) Abscheiden einer metallischen Reflexionsschicht (4) auf einem Glassubstrat (1) durch Gleichstrom-Sputtern, (b) Abscheiden einer metallischen Barriereschicht (5) auf der metallischen Reflexionsschicht (4) durch Gleichstrom-Sputtern, und (c) Abscheiden einer dielektrischen Deckschicht (6) durch reaktives Mittelfrequenz-Sputtern.
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat vor Abscheidung der Schichten gereinigt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Schritt (a) auf das Substrat (1) durch reaktives Sputtern eine Haftschicht (7) aus SiO₂ oder SiO_x mit x < 2 in einer Dicke von 0,5 bis 10 nm, vorzugsweise etwa 2,5 nm aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat während der Schichtabscheidung kontinuierlich durch die Beschichtungsanlage bewegt wird und dabei gedreht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Schritte (a) und (b) bei gepulstem Betrieb erfolgen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt (a) in mehreren Teilschritten erfolgt, zwischen denen einzelne Prozessparameter geändert werden, so dass eine optisch dichte Morphologie der Reflexionsschicht erzielt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt (a) eine Reflexionsschicht aus Ag, Al, Au oder Pt abgeschieden wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt (a) eine Reflexionsschicht aus Ag in einer Dicke von 100 bis 1000 nm, vorzugsweise etwa 550 nm abgeschieden wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt (b) eine Barriereschicht aus Cr oder aus NiCr abgeschieden wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt (b) eine Barriereschicht aus Cr in einer Dicke von 50 bis 300 nm, vorzugsweise etwa 150 nm abgeschieden wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt (c) eine Deckschicht aus SiO_2-x, Al₂O_3-x, AlN_1-x, Si₃N_4-x oder TiO_2-x abgeschieden wird, wobei x von Null bis Eins reicht.
Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt (c) eine Deckschicht aus SiO₂ in einer Dicke von 100 bis 1000 nm, vorzugsweise 350 nm abgeschieden wird.
Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht in Schritt (c) als Gradientenschicht abgeschieden wird, bei welcher x von der Barriereschicht nach außen hin abnimmt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt (b) als teilreaktiver Prozess erfolgt, bei welchem in die Barriereschicht aus Cr oder NiCr zusätzlich Sauerstoff eingebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht in Schritt (b) als Gradientenschicht ausgebildet wird, bei welcher der Sauerstoffgehalt von der Reflexionsschicht zur Deckschicht hin zunimmt.
Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht in Schritt (b) aus mehreren Teilschichten mit unterschiedlicher Stöchiometrie ausgebildet wird, bei welchen der Sauerstoffgehalt von der Reflexionsschicht zur Deckschicht hin zunimmt.