DE102004047135B4

DE102004047135B4 - Temperfähiges Schichtsystem und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number: DE102004047135B4
Application number: DE102004047135A
Authority: DE
Inventors: Jörg 04860 Fiukowski; Matthias Dr. 01127 List; Christian 01689 Hecht; Falk Dr. 01109 Milde
Original assignee: Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
Current assignee: Von Ardenne GmbH
Priority date: 2004-09-27
Filing date: 2004-09-27
Publication date: 2011-08-18
Anticipated expiration: 2024-09-28
Also published as: US20080057319A1; US8828194B2; DE102004047135A1; US20100291393A1; WO2006034676A1; CN101027258B; US8367226B2; CN101027258A

Abstract

Temperfähiges Schichtsystem mit einem transparenten Substrat, vorzugsweise mit einem Glassubstrat, und einer ersten Schichtenfolge, die auf dem Substrat direkt oder auf einer oder mehreren Unterschichten, die auf dem Substrat abgeschieden sind, aufgebracht ist und die eine substratseitige Blockerschicht, eine selektive Schicht und eine substratferne Blockerschicht beinhaltet, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der substratseitigen Blockerschicht (3) und einer ersten selektiven Schicht (5) eine erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht (4) angeordnet ist.

Description

Die Erfindung betrifft ein temperfähiges Schichtsystem mit einem transparenten Substrat, vorzugsweise mit einem Glassubstrat und einer ersten Schichtenfolge, die auf dem Substrat direkt oder auf einer oder mehreren Unterschichten, die auf dem Substrat abgeschieden sind, aufgebracht ist. Die Schichtenfolge beinhaltet eine substratseitige Blockerschicht, eine selektive Schicht und eine substratferne Blockerschicht.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines temperfähigen Schichtsystems, bei dem auf ein transparentes Substrat, vorzugsweise auf ein Glassubstrat eine erste Schichtenfolge, entweder auf dem Substrat direkt oder auf einer oder mehreren Unterschichten, die auf dem Substrat abgeschieden sind, aufgebracht wird. Die Schichtenfolge enthält dabei eine substratseitige Blockerschicht, eine selektive Schicht und eine substratferne Blockerschicht.
Die üblichen Blockerschichten, die Silberschicht(en) einschließen, (z. B. eine NiCr- oder NiCrOx-Schicht, Patente DE 035 43 178 A1 EP 1 174 397 A2 ) oder zumindest einseitig schützen, führen zu einer Verringerung der Leitfähigkeit der Silberschicht(en). Wird eine Silberschicht mit einer Leitfähigkeit von ca. 5 Ohm/Sq. abgeschieden und diese in zwei NiCrOx-Schichten eingebettet, so kann diese Einbettung zu einer Erhöhung der Leitfähigkeit um ca. 1,5 Ohm/☐ auf 6,5 Ohm/☐ führen.
In der EP 0 999 192 B1 ist ein Schichtsystem beschrieben, das eine Silberschicht als selektive Schicht enthält, die beidseitig mit einer Blockerschicht aus Nickel oder Nickelchrom versehen ist. Diese Blockerschichten schützen die empfindliche Silberschicht vor dem Einfluss benachbarter Schichten. Dabei wird durch das Einfügen einer NiCrOx-Schicht in die funktionale Silberschicht bei einem Single-Low-e das Schichtsystem bei der Wärmebehandlung stabilisiert. Der Nachteil besteht darin, dass bei diesem Schichtsystem jede einzelne Silberteilschicht ca. 7–8 nm dick sein muss, um die Inselbildung der Silberteilschichten zu vermeiden. Dies führt zu einer niedrigen Transmission des Schichtsystems. Weiterhin wird in EP 0 999 192 B1 der Einsatz einer unterstöchiometrischen TiOx-Schicht zwischen dem Blocker- und der Silberschicht beschrieben, welche die Hazebildung reduzieren soll. Diese absorbierende TiOx-Schicht oxidiert bei der Wärmebehandlung, wobei es zu wesentlichen Veränderungen der Transmission und einer Verschiebung des voreingestellten Farbortes kommt.
Bei dieser Lösung sind auch mehrere Schichtenfolgen aus sensitiven Silberschichten mit Unterschichten und jeweils zwei die jeweilige Silberschicht einschließenden Blockerschichten vorgesehen.
In der Praxis werden häufig temperfähige Schichten gefordert, das heißt solche Schichten, die nach dem Aufbringen noch einmal einer Wärmebehandlung unterzogen werden, beispielsweise um sie zu härten oder zu biegen. Die in der EP 0999 192 B1 dargestellte Schicht zeigt eine solche Temperfähigkeit nicht, da die Blockerschichten, wie sie darin dargestellt werden, nicht ausreichend resistiv gegen Diffusionsprozesse sind, so dass während des Temperns Materialien benachbarter Schichten in die Silberschichten eindiffundieren können, was zu unerwünschten Farbveränderungen führt, dass also der Farbort des Schichtsystems nicht stabil gehalten werden kann.
In der EP 1 238 950 A2 ist ein temperfähiges Schichtsystem beschrieben, das beiderseits eine Silberschicht als sensitive Schicht und NiCrOx-Schichten als Blockerschichten vorsieht. Weiterhin sind in diesem Schichtsystem dielektrische Zwischenschichten vorgesehen, die sich jeweils unter und über den Blockerschichten befinden. Derartige Schichten wirken auch während der Temperprozesse als Diffusionssperre.
Weiterhin ist in der EP 1 238 950 A2 die Anwendung von Gradientenschichten bei der Stabilisierung von wärmebehandelbaren Schichtsystemen beschrieben. Der Nachteil hierbei besteht darin, dass die SiNx-Schicht unterhalb der Blockerschicht liegt, wodurch sich der Widerstand und damit die Emissivität des Schichtsystem nicht verringert.
Es hat sich gezeigt, dass derartige Schichtaufbauten sensibel sind für klimatische Bedingungen, so dass diese Schichtsysteme bei anspruchsvollen klimatischen Bedingungen nicht mit einer ausreichenden Qualität oder Ausbeute hergestellt werden können. Auch bei Rohglas mit undefinierten Ausgangszuständen zeigt dieses Schichtsystem Qualitätsprobleme bei der Fertigung.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Schichtsystem und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, das bei anspruchsvollen klimatischen Bedingungen und/oder undefinierten Zuständen bei dem Glassubstrat eine ausreichende Qualität sichert. Es ist weiterhin Aufgabe der Erfindung, eine Beschichtung eines Substrates mit einem wärmebehandelbaren Schichtsystem zu ermöglichen, wobei bei der Wärmebehandlung (Tempern, Biegen) der Farbort des Schichtsystems weitgehend stabil gehalten werden kann und bei einer niedrigen Emissivität des Schichtsystems der Farbort in einer großen Vielfalt variiert werden kann.
Die Erfindung wird durch ein Schichtsystem mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst. Die Unteransprüche 2 bis 15 zeigen besonders günstige Ausgestaltungen dieses Schichtsystems.
Insbesondere durch einen Gradientenaufbau der ersten substratseitigen dielektrischen Zwischenschicht kann die Haftfestigkeit der Schichtenfolge erheblich verbessert werden, so dass Herstellungsprozesse bei anspruchsvollen klimatischen Bedingungen oder bei einem Substrat, vorzugsweise aus Rohglas mit undefinierten Ausgangsbedingungen, was zu Haftungsproblemen bei den Schichten geführt hat, besser zu beherrschen sind. Auch kann auf diese Weise die Degradation der Silberschicht bei der Wärmbehandlung verhindert werden.
Die Aufgabe wird auch durch eine erfindungsgemäßes Verfahren gemäß den Kennzeichen des Anspruches 16 gelöst. Die Unteransprüche 17 bis 25 geben hierzu besonders günstige Ausgestaltungen an.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand dreier Ausführungsbeispiele näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigt
1 ein temperfähiges Schichtsystem mit einer Silber-(Ag)-Schicht als selektive Schicht und einer ersten substratseitigen dielektrischen Zwischenschicht,
2 ein temperfähiges Schichtsystem mit zwei Ag-Schichten und einer ersten substratseitigen dielektrischen Zwischenschicht und einer zweiten substratfernen dielektrischen Zwischenschicht,
3 ein temperfähiges Schichtsystem mit zwei Ag-Schichten und je zwei ersten und zweiten dielektrischen Zwischenschichten und
4 eine schematische Darstellung eines Teiles einer Beschichtungsanlage zur Realisierung des erfindungsgemäßen Schichtsystems.
Wie in 1 dargestellt, ist ein Glassubstrat 1 mit einer Unterschicht 2 aus TiO2 versehen. Darauf abgeschieden ist eine erste Blockerschicht 3 aus NiCrOx. Da die Unterschicht 2 bereits Eigenschaften einer Blockerschicht aufweist, kann gegebenenfalls die erste Blockerschicht 3 auch entfallen, was durch die Klammersetzung kenntlich gemacht wird.
Darauf folgt eine erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht 4. Diese erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht 4 ist als Gradientenschicht abgeschieden, das heißt sie geht innerhalb der Schichtdicke von einer stöchiometrischen Schicht ZnAlO in eine unterstöchiometrische Schicht ZnAlOx über. Dabei ist der Gradient von ZnAlO zu ZnAlOx immer in Richtung der nachfolgenden Ag-Schicht als erste selektive Schicht 5 gerichtet. Das bedeutet, dass der unterstöchiometrische Teil der ersten substratseitigen dielektrischen Zwischenschicht 4 in der Nähe der ersten selektiven Schicht 5 liegt.
Die erste selektive Schicht 5 ist anschließend mit einer zweiten Blockerschicht 6 versehen. Darauf folgen dann eine erste Abschlussschicht 7 aus SnO2 und eine zweite Abschlussschicht 8 aus Si3N4.
Die Erzeugung der Gradientenschicht geschieht derart, dass innerhalb eines Beschichtungskompartments oder innerhalb eines Rezipienten, durch das oder den das Substrat in einer Bewegungsrichtung hindurchbewegt wird, in Bewegungsrichtung zwei Magnetrons mit jeweils dem gleichen Targetmaterial ZnAl angeordnet sind. Zunächst wird der stöchiometrische Teil der ersten substratseitigen dielektrische Zwischenschicht 4 über das in Transportrichtung liegende erste Magnetron abgeschieden. Danach durchläuft das Substrat 1 den Bereich unter dem zweiten Magnetron, bei dem der unterstöchiometrische Teil der ersten substratseitigen dielektrischen Zwischenschicht 4 dadurch abgeschieden wird, dass – während in dem Pumpkompartment der gleiche Reaktivgasdruck herrscht – das zweite Magnetron mit einer größeren Leistung betrieben wird, wodurch sich ein unterstöchiometrisches Verhältnis in dem Teil der ersten substratseitigen dielektrischen Zwischenschicht 4 einstellt. Da damit auch eine größere Sputterrate verbunden ist, kann das zweite Magnetron mit einer Blende zwischen dem Target und dem Substrat versehen werden, die eine geringere Öffnung aufweist als eine Blende zwischen dem Target des ersten Magnetrons und dem Substrat. Damit können die Dickenverhältnisse der stöchiometrischen und unterstöchiometrischen Teilschichten trotz der unterschiedlichen Leistungen an den Magnetrons und damit der unterschiedlichen Sputterraten eingestellt werden.
Eine andere Möglichkeit der Herstellung besteht darin, das erste Magnetron in einem separaten Rezipienten anzuordnen oder das Kompartment in zwei separate Teilkompartments zu teilen und für jedes Magnetron eine gesonderte Reaktivgasumgebung vorzusehen. Damit kann bei dem unterstöchiometrischen Teil der ersten substratseitigen dielektrischen Zwischenschicht 4 mit einer geringeren Reaktivzufuhr gefahren werden.
In 2 ist ein temperfähiges Schichtsystem dargestellt, bei dem auf der ersten Schichtfolge 9, bestehend aus erster Blockerschicht 3, erster substratseitiger dielektrischer Zwischenschicht 4, erster selektiver Schicht 5, zweiter Blockerschicht 6 und erster Abschlussschicht 7 eine zweite Schichtfolge 10 mit zu der ersten Schichtfolge 9 gleichartigen Merkmalen mit einer zweiten selektiven Schicht 14, einer dritten Blockerschicht 12 und einer zweiten substratseitigen dielektrischen Schicht 13 angeordnet ist.
In 3 ist ein ähnliches temperfähiges Schichtsystem beschrieben wie in 2, mit dem Unterschied, dass zwischen der ersten selektiven Schicht 5 und der zweiten Blockerschicht 6 eine zweite substratseitige dielektrische Zwischenschicht 13 und zwischen der zweiten selektiven Schicht 14 und der vierten Blockerschicht 15 eine zweite substratferne dielektrische Schicht 16 angeordnet ist.
In 4 ist in schematischer Darstellung ein Teil einer Beschichtungsanlage dargestellt, die dem Aufbau eines erfindungsgemäßen Schichtsystems dient.
In dieser Beschichtungsanlage sind die Substrate 1 in einer Transportrichtung 17 durch die einzelnen Beschichtungsstationen hindurch bewegbar, wobei eine Separation der einzelnen Stationen durch Strömungswiderstände 18 oder Gasschleusen 30 mit Strömungswiderständen 18 realisiert wird.
Einer zweistufigen Ionenstrahlstation 20 folgt über einen Strömungswiderstand 18 eine TiOx-Beschichtungsstation 21. An diese schließt sich über einen Stömungswiderstand 18 eine erste NiCrOx-Beschichtungsstation 22 an. Über einen weiteren Strömungswiderstand 18 folgt ein erstes Beschichtungskompartment 23 mit zwei Magnetrons 24, die mit unterschiedlichen Leistungen betrieben werden, das linke der Magnetrons 24 mit einer geringeren Leistung als das rechte. Damit wird eine erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht 4 oder eine erste substratferne dielektrische Zwischenschicht 11 abgeschieden, wobei der unterstöchiometrische Teil der dielektrischen Zwischenschichten 4 oder 11 an der jeweiligen Ag-Schicht 5 oder 14 anliegt, die in einer über einen Strömungswiderstand 18 angeschlossenen Ag-Beschichtungsstation 25 abgeschieden wird. Zur Erzeugung einer zweiten substratseitigen dielektrischen Zwischenschicht 13 oder einer zweiten substratfernen dielektrischen Zwischenschicht 16 schließt sich ein zweites Beschichtungskompartment 26 an, wobei hier das linke der Magnetrons 27 eine höhere Leistung fährt als das rechte, im übrigen aber das zweite Beschichtungskompartment 26 den analogen Aufbau aufweist, wie das erste 23.
Dem zweiten Beschichtungskompartment 26 schließt sich über einen Stömungswiderstand 18 eine zweite NiCrOx-Beschichtungsstation 28 an. Bis dahin konnten durch die Schichtengestaltung alle Stationen über Strömungswiderstände 18 getrennt werden. Lediglich eine nachfolgende Sn-Beschichtungsstation 29 wird über zwei Gasschleusen 30 separiert, die ihrerseits beiderseits von Strömungswiderständen 18 flankiert werden.
Diesen folgt eine Si:Al-Beschichtungsstation 31.
Bezugszeichenliste

1: Glassubstrat
2: Unterschicht
3: erste Blockerschicht
4: erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht
5: erste selektive Schicht
6: zweite Blockerschicht
7: erste Abschlussschicht
8: zweite Abschlussschicht
9: erste Schichtfolge
10: zweite Schichtfolge
11: erste substratferne dielektrische Zwischenschicht
12: dritte Blockerschicht
13: zweite substratseitige dielektrische Zwischenschicht
14: zweite selektive Schicht
15: vierte Blockerschicht
16: zweite substratferne dielektrische Zwischenschicht
17: Transportrichtung
18: Strömungswiderstand
20: Ionenstrahlstation
21: TiOx-Beschichtungsstation
22: NiCrOx-Beschichtungsstation
23: erstes Beschichtungskompartment
24: Magnetron
25: Ag-Beschichtungsstation
26: zweites Beschichtungskompartment
27: Magnetron
28: zweite NiCrOx-Beschichtungsstation
29: Sn-Beschichtungsstation
30: Gasschleuse
31: Si:Al-Beschichtungsstation

Claims

Temperfähiges Schichtsystem mit einem transparenten Substrat, vorzugsweise mit einem Glassubstrat, und einer ersten Schichtenfolge, die auf dem Substrat direkt oder auf einer oder mehreren Unterschichten, die auf dem Substrat abgeschieden sind, aufgebracht ist und die eine substratseitige Blockerschicht, eine selektive Schicht und eine substratferne Blockerschicht beinhaltet, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der substratseitigen Blockerschicht (3) und einer ersten selektiven Schicht (5) eine erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht (4) angeordnet ist.
Temperfähiges Schichtsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht (4) als zumindest teilweise unterstöchiometrische Schicht ausgebildet ist.
Temperfähiges Schichtsystem nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht (4) als Oxidschicht ausgebildet ist.
Temperfähiges Schichtsystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die unterstöchiometrische Oxidschicht aus ZnAlO_x, ZrO_x oder NbO_x besteht.
Temperfähiges Schichtsystem nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht (4) als Nitridschicht ausgebildet ist.
Temperfähiges Schichtsystem nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die unterstöchiometrische Nitridschicht aus SiNx oder AlNx besteht.
Temperfähiges Schichtsystem nach Anspruch 3 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die erste substratseitige Zwischenschicht (4) als Gradientenschicht ausgebildet ist, die mit einem Gradienten von einer stöchiometrischen zu einer unterstöchiometrischen Schicht übergeht, wobei der Gradient in Richtung erster selektiver Schicht (5) weist, das heißt der unterstöchiometrische Teil der Schicht auf der Seite der ersten selektiven Schicht (5) liegt.
Temperfähiges Schichtsystem nach Anspruch 3, 4 oder 7, dadurch gekennzeichne, dass der Sauerstoffgehalt innerhalb der ersten substratseitigen dielektrischen Zwischenschicht (4), in Richtung erster selektiver Schicht (5) abnimmt.
Temperfähiges Schichtsystem nach Anspruch 5, 6 oder 7, dadurch gekennzeichne, dass der Stickstoffgehalt innerhalb der ersten substratseitigen dielektrischen Zwischenschicht (4), in Richtung erster selektiver Schicht (5) abnimmt.
Temperfähiges Schichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass es eine Schichtenfolge aus TiO₂- (2), Blocker- (3), Gradienten- (4), selektiver- (5), Blocker- (6), SnO₂- (7) und Si₃N₄-Schicht (8) aufweist.
Temperfähiges Schichtsystem nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der ersten selektiven Schicht (5) und der substratfernen Blockerschicht (6) eine erste substratferne dielektrische Zwischenschicht (11) die Merkmale einer ersten substratseitigen dielektrischen Zwischenschicht, jedoch nicht zwingend die selben Merkmale wie die erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht (4) aufweist.
Temperfähiges Schichtsystem nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ersten Schichtenfolge (9), bestehend aus erster Blockerschicht 3, erster substratseitiger dielektrischer Zwischenschicht 4, erster selektiver Schicht 5, zweiter Blockerschicht 6 und erster Abschlussschicht 7, direkt oder mit weiteren dazwischen liegenden Schichten eine zweite Schichtenfolge (10) mit den Merkmalen einer ersten Schichtenfolge, jedoch nicht zwingend mit den selben Merkmale wie die erste Schichtenfolge (9) angeordnet ist.
Temperfähiges Schichtsystem, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere selektive Schichten (5; 14) angeordnet sind, die jeweils eine erste (4) oder eine erste (4) und eine zweite substratseitige dielektrische Zwischenschicht (13) zwischen der selektiven Schicht und der jeweils darunterliegenden Blockerschicht aufweisen.
Temperfähiges Schichtsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der selektiven Schichten (5; 14) aus einem Edelmetall besteht.
Temperfähiges Schichtsystem nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Edelmetall aus Silber ist.
Verfahren zur Herstellung eines temperfähigen Schichtsystems, bei dem auf ein transparentes Substrat, vorzugsweise auf ein Glassubstrat, eine erste Schichtenfolge, entweder auf dem Substrat, direkt oder auf einer oder mehreren Unterschichten, die auf dem Substrat abgeschieden sind, die eine substratseitige Blockerschicht, eine selektive Schicht und eine substratferne Blockerschicht enthält, abgeschieden wird, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Abscheiden der substratseitigen Blockerschicht (3) eine erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht (4) und danach eine erste selektive Schicht (5) abgeschieden wird.
Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die erste substratseitige dielektrische Zwischenschicht (4) als Gradientenschicht abgeschieden wird.
Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtabscheidung der Gradientenschicht mittels aktiver Prozesskontrolle, wie Photoemissionsmonitoring (PEM), Reaktivgaspartialdruckregelung oder Lambdasondenverfahren stabilisiert wird.
Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung der Gradientenschicht durch physikalische Vakuumzerstäubung von zumindest zwei Targets unter einer geeigneten Beschichtungsatmosphäre erfolgt, dabei das Substrat relativ zur Beschichtungsquelle bewegt wird und die Parameter der Leistungseinspeisung der die Targets tragenden Magnetron-Kathoden (24; 27) voneinander abweichen, derart, dass die Beschichtung in einem Beschichtungskompartment (23; 26) mittels zwei, jeweils ein Target tragenden Magnetron-Kathoden (24; 27) erfolgt, indem gleichzeitig mittels des ersten Targets eine erste Teilschicht, im Übergangsbereich vom ersten zum zweiten Target eine Mischschicht und mittels des zweiten Targets eine zweite Teilschicht abgeschieden wird und dass die Leistungsregelung für jede Magnetron-Kathode (24; 27) unabhängig erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Energieversorgung der Magnetron-Kathoden (24; 27) mittels asymmetrisch gepulster, bipolar Stromversorgung erfolgt und für die Magnetron-Kathoden die Pulsung unabhängig voneinander variiert wird.
Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass eine Abschirmung zwischen den beiden Targets und dem Substrat durch zwei separate Blenden mit unabhängig voneinander einzustellender Blendenöffnung erfolgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung in zwei, innerhalb des Beschichtungskompartments unterteilten Teilkompartments mit jeweils einer mit einem Target bestückten Magnetron-Kathode (24; 27) erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozessgaszufuhr für die Magnetron-Kathoden (24; 27) unabhängig voneinander betrieben wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einer Magnetron-Kathode (24; 27) unabhängig von der Prozessgaszufuhr ein weiteres Inert- oder Reaktivgas zugeführt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen den Targets und dem Substrat unabhängig voneinander eingestellt wird.