DE102004042163B4 - Asymmetrischer Thyristor mit integriertem Freiwerdeschutz - Google Patents
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Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft einen asymmetrischen Thyristor, der vorzugsweise mit Anodenkurzschlüssen versehen ist. Solche Thyristoren werden bei bestimmten Anwendungen mit einer Diode in Reihe geschaltet. Eine derartige Anordnung besitzt den Vorteil, dass der Thyristor bei Sperrbelastung in Rückwärtsrichtung keine Raumladungszone aufweist, so dass ein raumladungsbedingtes Ausräumen freier Ladungsträger, insbesondere der freien Ladungsträger, mit denen die Treiberstufe überschwemmt ist, entfällt, und somit diese freien Ladungsträger länger erhalten bleiben.
- Thyristoren weisen in hinlänglich bekannter Weise einen Halbleiterkörper auf, in dem in vertikaler Richtung aufeinanderfolgend ein p-dotierter Emitter, eine n-dotierte Basis, eine p-dotierte Basis und ein n-dotierter Emitter angeordnet sind. Der p-dotierte Emitter, die n-dotierte Basis, die p-dotierte Basis und der n-dotierte Hauptemitter werden im Folgenden auch als p-Emitter, n-Basis, p-Basis bzw. n-Emitter bezeichnet.
- Während des Abschaltens derartiger Thyristoren befindet sich im Halbleiterkörper noch eine relativ hohe Anzahl freier Ladungsträger, die erst innerhalb einer sogenannten Freiwerdezeit so weit abgebaut wird, dass der Thyristor zuverlässig sperrt. Unterliegt der Thyristor jedoch innerhalb der Freiwerdezeit einer impulsartigen Spannungsbelastung, so kann es infolge der noch zu hohen Anzahl freier Ladungsträger zu einem unkontrollierten Zünden insbesondere im Bereich unterhalb der Kathode, d.h. der den n-dotierten Emitter kontaktierenden Elektrode des Thyristors, kommen, wodurch sich Stromfilamente mit derart hohen Stromdichten bilden können, dass der Thyristor zerstört werden kann.
- Daher wird in der Regel versucht, Thyristoren derart zu konstruieren, dass sie gegenüber Spannungsstößen, die innerhalb der Freiwerdezeit in Vorwärtsrichtung auftreten, unempfindlich sind.
- Ein Thyristor der eingangs genannten Art ist aus der
DE 199 47 028 A1 bekannt. Der in dieser Veröffentlichung beschriebene Thyristor weist des Weiteren eine Treiberstufe mit wenigstens einem n-dotierten Hilfsemitter (n-Hilfsemitter) auf, der eine Metallisierung kontaktiert. Dabei sind zur Lösung des geschilderten Problems drei Varianten vorgesehen. - Bei einer ersten Variante ist der Transistorverstärkungsfaktor α'npn eines aus dem n-Hilfsemitter, der p-Basis und der n-Basis gebildeten Transistors unterhalb der Metallisierung wenigstens einer Treiberstufe größer als der Transistorverstärkungsfaktor αnpn eines unterhalb der Kathode des Thyristors aus dem n-Emitter, der p-Basis und der n-Basis gebildeten Transistors.
- Bei einer zweiten Variante ist der Transistorverstärkungsfaktor α'pnp eines aus der p-Basis, der n-Basis und dem p-Emitter gebildeten Transistors unterhalb der Metallisierung der wenigstens einer Treiberstufe größer als der Transistorverstärkungsfaktor αpnp eines unterhalb der Kathode des Thyristors aus der p-Basis, der n-Basis und dem p-Emitter gebildeten Transistors.
- Eine dritte Variante sieht Anodenkurzschlüsse vor, die die n-Basis und die Anode miteinander verbinden und deren elektrische Leitfähigkeit unterhalb der Metallisierung wenigstens einer Treiberstufe kleiner ist als unterhalb der Kathode.
- Alle drei Varianten können sowohl einzeln als auch geeignet miteinander kombiniert in einem Thyristor eingesetzt werden.
- Aus der
EP 0 391 337 A2 ist ein GTO-Thyristor mit n-dotierten Anodenkurzschlüssen bekannt, von denen einer im Bereich der zentralen Gateelektrode einen kreisförmigen Querschnitt aufweist, während alle anderen, weiter in Richtung Rand des Thyristors angeordneten Anodenkurzschlüsse einen kreisringförmigen Querschnitt aufweisen. Der Stand der Technik nach derEP 0 391 337 A2 bildet den Oberbegriff des Anspruchs 1. - Die
JP 02 267 968 A - In der
DE 199 47 028 A1 wird ein Thyristor mit einer eine Metallisierung aufweisenden Treiberstufe vorgestellt, der eine Anzahl von Anodenkurzschlüssen aufweist, deren Abstand unterhalb der Metallisierung der Treiberstufe größer ist als unterhalb der Kathode des Thyristors. Der Stand der Technik nach derDE 199 47 028 A1 bildet dabei den Oberbegriff des Anspruchs 4. - Die
DE 39 13 123 A1 zeigt ein Verfahren zur Reduktion der Ladungsträger-Lebensdauer in einem vorgegebenen Abschnitt eines Halbleiterbauelements. Dazu werden in das Halbleiterbauelement hochenergetische Elektronen eingestrahlt, um Rekombinationszentren zu erzeugen. - Die
EP 0 043 099 A2 zeigt einen lichtzündbaren Thyristor, dessen Kathode eine Lichteintrittsöffnung aufweist, von der ausgehend sich eine erste Halbleiterzone bis zur Anode erstreckt. An die erste Halbleiterzone schließt sich eine zweite Halbleiterzone an, in der die Ladungsträgerlebensdauer gegenüber der Ladungsträgerlebensdauer der ersten Halbleiterzone reduziert ist. Zur Verringerung der Ladungsträgerlebensdauer wird Gold in die zweite Halbleiterzone eindiffundiert. - Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen Thyristor mit einer verbesserten Spannungsstoss-Belastbarkeit innerhalb der Freiwerdezeit bereitzustellen.
- Diese Aufgabe wird durch einen Thyristor gemäß den Ansprüchen 1 und 4 gelöst. Die Erfindung betrifft gemäß dem Anspruch 21 ausserdem eine Schaltungsanordnung mit einem erfindungsgemäßen Thyristor. Bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
- Ein erfindungsgemäßer Thyristor weist einen Halbleiterkörper auf, in dem in vertikaler Richtung aufeinanderfolgend ein p-dotierter Emitter, eine n-dotierte Basis, eine p-dotierte Basis und ein n-dotierter Emitter angeordnet sind. Dabei kontaktiert eine erste Elektrode, die zugleich die Anode des Thyristors darstellt, den p-dotierten Emitter.
- Der Halbleiterkörper des erfindungsgemäßen Thyristors weist einen Innenbereich auf, der eine Zündstruktur umfasst, die beispielsweise aus einer Durchbruchsdiode, einem lichtempfindlichen Bereich zur Zündung des Thyristors mittels Licht, oder aus einer Gate-Elektrode bestehen kann. An den Innenbereich schließt sich in lateraler Richtung ein Außenbereich an.
- Des Weiteren umfasst der Thyristor wenigstens zwei n-dotierte Kurzschlusszonen, die jeweils sowohl die erste Elektrode als auch die n-dotierte Basis kontaktieren, wobei wenigstens eine Kurzschlusszone im Innenbereich und wenigstens eine weitere Kurzschlusszone im Außenbereich angeordnet ist.
- Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement kann der Rückstrom einer dem Bauelement gegebenenfalls in Reihe geschalteten Diode dazu genutzt werden, die Dichte der freien Ladungsträger im Innenbereich des Thyristors während der Freiwerdezeit zu erhöhen. Kommt es nämlich innerhalb Freiwerdezeit des Thyristors zu einem Spannungsstoß in Vorwärtsrichtung, so erfolgt eine Zündung zuerst im Innenbereich, sofern dieser eine ausreichende Dichte der freien Ladungsträger aufweist.
- Die zu einem bestimmten Zeitpunkt während der Freiwerdezeit in einem solchen Thyristor vorliegenden freien Ladungsträger resultieren zum Einen aus bis zu dem betrachteten Zeitpunkt noch nicht rekombinierten Ladungsträgern des den Thyristor vor dessen Abschalten durchfließenden Laststroms, und zum Anderen aus Ladungsträgern aus dem Rückstrom der Diode in den Thyristor.
- Ein Thyristor ist gewöhnlich derart konstruiert, dass seine Zündung zumindest dann kontrolliert erfolgt, wenn der Ort des ersten Spannungsdurchbruchs im Bereich des die Zündstruktur aufweisenden Innenbereichs, insbesondere im Bereich der Zündstruktur selbst, liegt. Ein unkontrolliertes Zünden des Thyristors während dessen Freiwerdezeit kann daher durch eine geeignete Verteilung der freien Ladungsträger innerhalb des Thyristors vermieden werden, wenn die Verteilung der freien Ladungsträger so gewählt ist, dass der erste Spannungsdurchbruch bei einem Spannungsstoß in Vorwärtsrichtung des Thyristors für beliebige Zeitpunkte während der Freiwerdezeit im Innenbereich des Thyristors erfolgt.
- Die Verteilung des in den Thyristor fließenden Rückstroms der Diode und damit der durch diesen Rückstrom im Thyristor bereitgestellten freien Ladungsträger lässt sich insbesondere mittels sogenannter Anodenkurzschlüsse einstellen. Anodenkurzschlüsse sind n-dotierte Zonen, die sowohl die n-Basis als auch die Anode des Thyristors kontaktieren. Dabei ist der Anteil des Rückstromes, der in den Innenbereich fließt, umso größer, je geringer der Gesamtwiderstand der im Innenbereich angeordneten Anodenkurzschlüsse ist und je größer der Gesamtwiderstand der im Außenbereich angeordneten Anodenkurzschlüsse ist.
- Bevorzugt weisen Anodenkurzschlüsse – weil aus fertigungstechnischen Gründen günstiger – unabhängig von ihrer lateralen Position dieselbe Dotierstoffkonzentration und dieselbe Dicke in vertikaler Richtung auf, so dass ihr Gesamtwiderstand im Wesentlichen nur von ihrer Querschnittsfläche und von ihrem Abstand abhängt.
- Daher ist es erfindungsgemäß vorgesehen, dass in einer lateral durch die Kurzschlusszonen verlaufenden Schnittebene das Verhältnis zwischen der Summe der Querschnittsflächen der Kurzschlusszonen im Innenbereich und der Querschnittsfläche des Innenbereichs größer ist als das Verhältnis zwischen der Querschnittsflächen der Kurzschlusszonen im Außenbereich zur Querschnittsfläche des Außenbereichs.
- Der erfindungsgemäße Thyristor wird nachfolgend anhand der beigefügten Figuren näher erläutert. In diesen zeigen:
-
1a einen Abschnitt eines erfindungsgemäßen Thyristors mit Anodenkurzschlüssen, deren mittlerer Abstand in einem Innenbereich des Thyristors kleiner ist als in einem Außenbereich des Thyristors, im Querschnitt, -
1b einen Horizontalschnitt durch den Thyristor gemäß1a , -
2a einen Abschnitt eines erfindungsgemäßen Thyristors, bei dem die Anodenkurzschlüsse in einem Innenbereich eine größere Querschnittsfläche aufweisen als die Anodenkurzschlüsse im Außenbereich, im Querschnitt, -
2b einen Horizontalschnitt durch den Thyristor gemäß2a , -
3a einen Abschnitt eines erfindungsgemäßen Thyristors gemäß2a , bei dem die Querschnittsfläche eines Anodenkurzschlusses des Innenbereiches um so größer ist, je weiter der betreffende Anodenkurzschluss vom Außenbereich beabstandet ist, und -
3b einen Horizontalschnitt durch den Thyristor gemäß3a -
1a zeigt einen Vertikalschnitt durch einen Abschnitt eines erfindungsgemäßen Thyristors. Der Thyristor ist im Wesentlichen rotationssymmetrisch bezüglich einer vertikal verlaufenden Achse A-A'. Der Thyristor weist einen Halbleiterkörper1 auf, auf dem Elektroden9 ,91 und13 angeordnet sind. Die Elektrode9 bildet die Kathode und die Elektrode13 die Anode des Thyristors. Die Anode13 und die Kathode9 sind in vertikaler Richtung voneinander beabstandet und auf gegenüberliegenden Seiten des Halbleiterkörpers1 angeordnet. Im Halbleiterkörper1 sind in vertikaler Richtung aufeinanderfolgend ein p-Emitter8 , eine n-Basis7 , eine p-Basis6 und ein n-Emitter5 angeordnet. - Der Thyristor weist des Weiteren einen Innenbereich
2 und einen sich in lateraler Richtung daran anschließenden Außenbereich3 auf. - Der p-Emitter
8 umfasst im Innenbereich2 angeordnete Abschnitte81 und im Außenbereich3 angeordnete Abschnitte82 und kontaktiert die Anode13 , während der n-Emitter5 die Kathode9 kontaktiert. - Die p-Basis
6 umfasst Abschnitte61 ,62 ,63 ,64 ,65 , die unterschiedlich geformt bzw. unterschiedlich dotiert sein können. Zwischen der p-Basis6 und der n-Basis7 ist ein pn-Übergang ausgebildet. Zwischen Abschnitten61 ,62 und der p-Basis6 erstreckt sich die n-Basis7 in einem Abschnitt73 weiter in Richtung der Vorderseite11 des Halbleiterkörpers1 als in deren übrigen Abschnitten. Der Abschnitt61 der p-Basis6 ist beispielsweise zum Einen gekrümmt ausgebildet und zum Anderen stärker p-dotiert als der Abschnitt62 der p- Basis6 . Die Abschnitte61 ,62 der p-Basis6 sowie73 der n-Basis7 bilden eine sogenannte Durchbruchstruktur10 . Die Geometrie sowie die Dotierung der Abschnitte61 ,62 ,73 bedingt eine Krümmung der elektrischen Feldlinien in diesen Abschnitten und ist derart gewählt, dass der Ort des ersten Spannungsdurchbruchs bei in Vorwärtsrichtung am Thyristor anliegender Spannung im Bereich der Durchbruchstruktur10 liegt. Die Zündung erfolgt also bei in Vorwärtsrichtung anliegender und ansteigender Spannung, sobald eine durch die Durchbruchstruktur10 festgelegte Durchbruchspannung erreicht wird. - Eine andere Möglichkeit, den Thyristor zu zünden, besteht darin, Licht
110 , bevorzugt Infrarotlicht, in einen lichtempfindlichen Bereich des Thyristors einzustrahlen, so dass durch den Photoeffekt Ladungsträger freigesetzt werden und der Thyristor zuerst in dem lichtempfindlichen Bereich zündet. - Eine weitere Möglichkeit, den Thyristor zu zünden, besteht darin, einen elektrischen Zündimpuls auf eine an der Vorderseite
11 des Thyristors angeordnete Gate-Elektrode92 zu geben. - Die Zündstruktur kann damit eine Durchbruchstruktur
10 und/oder einen lichtempfindlichen Bereich und/oder eine Gate-Elektrode92 umfassen. - Zwischen dem n-Emitter
5 und der Durchbruchstruktur10 sind jeweils voneinander beabstandet mehrere Treiberstufen angeordnet, von denen jede eine in die p-Basis6 eingebettete, stark n-dotierte Zone51 umfasst, die sich bevorzugt bis zur Vorderseite11 des Halbleiterkörpers1 erstreckt. Die stark n-dotierten Zonen51 werden im Folgenden als Hilfsemitter bezeichnet. Neben einem Hilfsemitter51 umfasst jede der Treiberstufen eine Elektrode91 , die bevorzugt auf der dem n-Emitter5 zugewandten Seite des betreffenden Hilfsemitters51 sowohl den Hilfsemitter51 als auch die p-Basis6 kontaktiert. - Die Treiberstufen sind optional, ihre Anzahl ist prinzipiell beliebig.
1a zeigt beispielhaft vier solche Treiberstufen. Solche Treiberstufen sind dazu vorgesehen, einen am Ort der ersten Zündung fließenden Zündstrom zu verstärken. Der verstärkte Zündstrom fließt dann weiter in Richtung des n-Emitters5 und wird dabei gegebenenfalls von jeder weiteren Treiberstufen jeweils verstärkt, bis der Zündstrom schließlich den n-Emitter5 erreicht und den Thyristor vollständig zündet. - Des Weiteren weist die p-Basis
6 eine Widerstandszone64 auf, in der der mittlere radiale bzw. laterale elektrische Widerstand der p-Basis6 durch geeignete Maßnahmen vergrößert ist. Diese Widerstandszone64 zeichnet sich dadurch aus, dass ihr mittlerer lateraler elektrischer Widerstand, d.h. ihr mittlerer elektrischer Widerstand in lateraler Richtung, gegenüber dem mittleren lateralen elektrischen Widerstand der an die Widerstandszone64 angrenzenden Abschnitte63 der p-dotierten Basis6 vergrößert ist. - Die Herstellung einer derartigen Widerstandszone
64 kann beispielsweise mittels einer ätztechnischen Verringerung der Dicke der p-Basis6 in vertikaler Richtung innerhalb des Abschnitts64 der p-Basis6 erfolgen. - Die Widerstandszone
64 dient dazu, den in lateraler Richtung r in der p-Basis6 fließenden Zündstrom auf einen bestimmten Wert zu begrenzen. Die Widerstandszone64 kann in lateraler Richtung r an einer beliebigen Stelle in der p-Basis6 zwischen der Durchbruchstruktur10 und dem n-Emitter5 angeordnet sein. Sofern der Thyristor eine oder mehrere Treiberstufen aufweist, kann die Widerstandszone64 in lateraler Richtung r auch zwischen der Durchbruchstruktur10 und der zu dieser nächstgelegenen Treiberstufe angeordnet sein. Entspre chend kann die Widerstandszone64 auch in lateraler Richtung r zwischen dem n-Emitter5 und der diesem nächstgelegenen Treiberstufe angeordnet sein. Weist der Thyristor zwei oder mehrere Treiberstufen auf, so kann sich die Widerstandszone64 auch zwischen zwei beliebigen, bevorzugt benachbarten Treiberstufen befinden. - Der n-Emitter
5 stellt bevorzugt einen zusammenhängenden Bereich dar (in1a nicht dargestellt). An einzelnen Stellen ist der n-Emitter5 von Kathodenkurzschlüssen65 , die die p-Basis6 mit der Kathode9 elektrisch verbinden, unterbrochen. Die Kathodenkurzschlüsse65 können auch als säulenartige Fortsätze der p-Basis6 beschrieben werden, die sich bis zur Kathode9 erstrecken und diese kontaktieren. Die Querschnittsform dieser Kathodenkurzschlüsse65 ist prinzipiell beliebig, bevorzugt jedoch rund oder sechseckig ausgebildet. - In vertikaler Richtung ist zwischen der p-Basis
6 und dem p-Emitter8 die n-Basis7 angeordnet. Die n-Basis7 teilt sich bevorzugt auf in einen schwächer n-dotierten Abschnitt7a , der der p-Basis6 zugewandt ist, und einen stärker n-dotierten Abschnitt7b , der dem p-Emitter8 zugewandt ist. Der stärker n-dotierten Abschnitt7b ist zwischen dem schwächer n-dotierten Abschnitt7a und dem p-Emitter8 angeordnet und wird auch als Stoppzone7b bezeichnet. Durch die Stoppzone7b wird der Thyristor zu einem asymmetrischen Thyristor, was bedeutet, dass der Thyristor nur in Vorwärtsrichtung über ein größeres Spannungsintervall sperrfähig ist. - Des Weiteren steht – wie bereits beschrieben – die n-Basis
7 mit der Anode13 in Kontakt. Der Thyristor weist auch anodenseitig sogenannte Anodenkurzschlüsse71 ,72 auf, die an einzelnen Stellen bis an die Anode13 heranreichen und sowohl diese als auch die n-Basis7 , bevorzugt deren Stoppzone7b , kontaktieren. Die Anodenkurzschlüsse71 ,72 sind entsprechend den Kathodenkurzschlüssen65 säulenartig ausgebildet und weisen eine beliebige, bevorzugt jedoch runde oder sechseckige Querschnittsform auf. Die im Innenbereich2 angeordneten Anodenkurzschlüsse sind mit dem Bezugszeichen71 bezeichnet, während die im Außenbereich3 angeordneten Anodenkurzschlüsse mit dem Bezugszeichen72 versehen sind. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen alle n-dotierten Kurzschlusszonen71 ,72 im Zentrum der jeweiligen Kurzschlusszone71 ,72 in vertikaler Richtung ein im Wesentlichen ähnliches Dotierungsprofil auf. - Der erfindungsgemäße Thyristor ist für eine Reihenschaltung mit einer Diode vorgesehen.
1a zeigt eine solche Reihenschaltung mit einer Diode100 . Bei einer derartigen Reihenschaltung wird bevorzugt die Kathode der Diode100 elektrisch leitend mit der Anode13 des Thyristors verbunden. - Befindet sich die Reihenschaltung aus Thyristor und Diode
100 nach dem Zünden des Thyristors in leitendem Zustand und wird der Thyristor dann abgeschaltet, so kommt es zu einem Rückstrom aus der Diode100 in den Thyristor. Die räumliche Verteilung dieses Rückstroms des Thyristors wird wesentlich durch die Eigenschaften und die Verteilung der Anodenkurzschlüsse71 ,72 mitbestimmt. - Um einen signifikanten Anteil dieses Rückstroms aus der Diode
100 in den Innenbereich2 des Thyristors zu leiten, ist es erfindungsgemäß vorgesehen, dass in einer lateral durch die Kurzschlusszonen71 ,72 verlaufenden Schnittebene B1-B1' das Verhältnis zwischen der Summe der Querschnittsflächen der Kurzschlusszonen71 im Innenbereich2 und der Querschnittsfläche des Innenbereichs2 größer ist als das Verhältnis zwischen der Summe der Querschnittsflächen der Kurzschlusszonen 72 im Außenbereich3 zur Querschnittsfläche des Außenbereichs3 . - Mit einer derartigen Anordnung kann, insbesondere wenn gemäß einer bevorzugten Ausführungsform alle Anodenkurzschlüsse
71 ,72 des Thyristors die gleiche Dotierstoffkonzentration auf weisen, im Innenbereich2 des Thyristors eine höhere maximale Stromdichte des Rückstroms aus der Diode in den Thyristor eingestellt werden als in dessen Außenbereich3 . Im Folgenden wird das Verhältnis zwischen der Summe der Querschnittsflächen der Kurzschlusszonen in einem bestimmten Bereich und der Querschnittsfläche dieses Bereichs als Anodenkurzschluss-Flächenverhältnis dieses Bereichs bezeichnet. - Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist das Verhältnis zwischen dem Anodenkurzschluss-Flächenverhältnis des Innenbereichs
2 und dem Anodenkurzschluss-Flächenverhältnis des Außenbereichs3 größer oder gleich2 . - Die Anodenkurzschlüsse
71 des Innenbereichs2 und die Anodenkurzschlüsse72 des Außenbereichs3 weisen bevorzugt dieselbe Querschnittsfläche und besonders bevorzugt dieselbe Form auf. Im Ausführungsbeispiel gemäß1a sind die Anodenkurzschlüsse71 ,72 zylindrisch ausgebildet, wobei die Anodenkurzschlüsse71 des Innenbereichs2 den Durchmesser d1 und die Anodenkurzschlüsse72 des Außenbereichs3 den Durchmesser d2 aufweisen, wobei hier die Durchmesser d1 und d2 gleich gewählt sind. - Um dennoch zu erreichen, dass das Anodenkurzschluss-Flächenverhältnis des Innenbereichs
2 größer ist als des Außenbereichs3 , sind die Abstände a1 zwischen den Anodenkurzschlüssen71 des Innenbereichs2 kleiner gewählt als die Abstände a2 zwischen den Anodenkurzschlüssen72 des Außenbereichs3 . Die Abstände a1, a2 können sowohl die Abstände zwischen den Anodenkurzschlüssen71 ,72 in radialer Richtung als auch die mittleren Abstände zwischen den Anodenkurzschlüssen71 ,72 des Innen- bzw. Außenbereichs2 bzw.3 angeben. Dabei können die Anodenkurzschlüsse71 ,72 sowohl in radialer Richtung als auch in azimutaler Richtung voneinander versetzt angeordnet sein. -
1b zeigt einen Querschnitt durch die in1a dargestellte Ebene B1-B1'. In dieser Ansicht ist der im Wesentlichen rotationssymmetrische Aufbau des Thyristors gut zu erkennen. Jeder der Anodenkurzschlüsse71 des Innenbereichs2 weist eine Querschnittsfläche F1i auf. Entsprechend weist jeder Anodenkurzschluss72 des Außenbereichs3 eine Querschnittsfläche F2i auf. - Im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die Flächen F1i und F2i gleich groß gewählt. Dies wird bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel dadurch erreicht, dass die Durchmesser d1 der Anodenkurzschlüsse
71 des Innenbereichs2 und die Durchmesser d2 der Anodenkurzschlüsse72 des Außenbereichs3 gleich groß gewählt sind. - In dieser Ansicht ist gut zu erkennen, dass die Abstände a1 zwischen den Anodenkurzschlüssen
71 des Innenbereichs2 in radialer Richtung kleiner gewählt sind als die Abstände a2 der Anodenkurzschlüsse72 des Außenbereichs3 . Der in1a dargestellte Vertikalschnitt durch den Thyristor entspricht einem Vertikalschnitt durch die in1b dargestellte Ebene C1-C1', wobei in1a nur ein Abschnitt ausgehend vom Zentrum der Anordnung gezeigt ist. -
2a zeigt einen Vertikalschnitt durch einen Abschnitt eines erfindungsgemäßen Thyristors. Dessen Aufbau entspricht im Wesentlichen dem bereits im1a dargestellten Thyristor. Anders als dort sind jedoch die Querschnittsflächen der Anodenkurzschlüsse71 des Innenbereichs2 größer gewählt als die Querschnittsflächen der Anodenkurzschlüsse72 des Außenbereichs3 . - Dabei sind die Abstände a1 der Anodenkurzschlüsse
71 des Innenbereichs2 und die Abstände a2 der Anodenkurzschlüsse72 des Außenbereichs3 jeweils in radialer Richtung und/oder in azimutaler Richtung bevorzugt gleich groß gewählt. Die Abstände a1, a2 können sowohl die Abstände der Anodenkurz schlüsse71 bzw.72 in radialer Richtung als auch deren mittlere Abstände innerhalb des Innenbereichs2 bzw. des Außenbereichs3 bezeichnen. - Ein Horizontalschnitt durch die in
2a dargestellte Ebene B2-B2' ist in2b gezeigt. Hier ist deutlich zu erkennen, dass die Querschnittsflächen F1i der Anodenkurzschlüsse71 des Innenbereichs2 größer sind als die Querschnittsflächen F2i der Anodenkurzschlüsse72 des Außenbereichs3 . - Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Anodenkurzschlüsse
71 ,72 säulenartig ausgebildet und weisen gemäß einer bevorzugten Ausführungsform eine kreisförmige Querschnittsform auf. Daher sind, um größere Querschnittsflächen zu erreichen, die Durchmesser d1 der Anodenkurzschlüsse71 des Innenbereichs2 größer, bevorzugt wenigstens 1,4 mal so groß gewählt wie die Durchmesser d2 der Anodenkurzschlüsse72 des Außenbereichs3 . - Der in
2a dargestellte Vertikalschnitt durch den Thyristor entspricht einem Vertikalschnitt durch die in2b dargestellte Ebene C2-C2', wobei in2a nur ein Abschnitt ausgehend vom Zentrum der Anordnung gezeigt ist. -
3a zeigt eine weitere bevorzugte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Thyristors. Dessen Aufbau entspricht im Wesentlichen dem Aufbau der in den1a und2a gezeigten Thyristoren. - Anders als bei diesen ist jedoch die Querschnittsfläche eines Anodenkurzschlusses
71 des Innenbereichs2 umso größer, je größer deren lateraler Abstand zum Außenbereich3 bzw. je geringer deren lateraler Abstand von der Symmetrieachse A-A' ist. Die Anodenkurzschlüsse71 ,72 sind säulenartig ausgebildet und weisen bevorzugt kreisförmige Querschnittsflächen auf. Die Durchmesser dieser kreisförmigen Querschnittsflächen des Innenbereichs2 sind mit d11 und d12 bezeichnet, wobei d11 größer gewählt ist als d12. Die Durchmesser d11, d12 der Anodenkurzschlüsse71 des Innenbereichs2 sind dabei umso größer, je größer der Abstand der betreffenden Anodenkurzschlüsse71 vom Außenbereich3 ist. Die Durchmesser d2 der Anodenkurzschlüsse72 des Außenbereichs3 sind prinzipiell beliebig und bevorzugt kleiner als der kleinste Durchmesser der Anodenkurzschlüsse71 des Innenbereichs2 . Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen alle Anodenkurzschlüsse72 des Außenbereichs3 den gleichen Durchmesser d2 auf. - Ein Horizontalschnitt durch die in
3a dargestellte Ebene B3-B3' ist in3b dargestellt. Hier ist gut erkennbar, dass die Querschnittsflächen F1i der Anodenkurzschlüsse71 des Innenbereichs2 umso kleiner sind, je geringer deren Abstand zum Außenbereich3 ist. Dabei können die Abstände a1 zwischen den Anodenkurzschlüssen71 des Innenbereichs2 größer, gleich oder bevorzugt kleiner als die Abstände a2 der Anodenkurzschlüsse72 des Außenbereichs3 gewählt werden, wobei auch hier, ebenso wie bei den vorangehend erläuterten Thyristoren, die Abstände a1 bzw. a2 zwischen den Anodenkurzschlüssen71 bzw.72 des Innenbereichs2 bzw. des Außenbereichs3 sowohl Abstände der betreffenden Anodenkurzschlüsse71 bzw.72 in radialer Richtung r, in azimutaler Richtung, als auch deren mittleren Abstand bedeuten können. - Bei allen erfindungsgemäßen Thyristoren ist der Innenbereich
2 so gewählt, dass er zumindest eine Zündstruktur, d.h. entweder eine Durchbruchstruktur10 und/oder einen lichtempfindlichen Bereich und/oder eine Gate-Elektrode92 umfasst. - Weist die p-Basis
6 des Thyristors, wie in den1a ,2a und3a gezeigt, eine Widerstandszone64 auf, so kann diese Widerstandszone64 sowohl vollständig im Innenbereich2 als auch vollständig im Außenbereich3 angeordnet sein. Ebenso ist es möglich, dass die Grenze zwischen dem Innenbereich2 und dem Außenbereich3 auch innerhalb der Widerstandszone64 verläuft. - Der Außenbereich
3 des Thyristors erstreckt sich bevorzugt im Wesentlichen bis zum lateralen Rand des Thyristors. Besonders bevorzugt sind die lateralen Abmessungen des Außenbereichs3 im Wesentlichen identisch mit den lateralen Abmessungen der Kathode9 . - Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform kann bei allen erfindungsgemäßen Thyristoren die Ladungsträgerlebensdauer bei den Anodenkurzschlüssen im Innenbereich
2 größer gewählt werden als bei den Anodenkurzschlüssen im Außenbereich3 . Dabei lässt sich die Lebensdauer über eine maskierte Bestrahlung, beispielsweise mit Elektronen, im Außenbereich gegenüber dem Innenbereich gezielt absenken. Ebenso lässt sich eine Lebensdauerabsenkung mittels einer Eindiffusion von Schwermetallen erreichen. Dabei ergibt sich die gewünschte laterale Variation der Ladungsträgerlebensdauer automatisch über die Getterung durch die im Allgemeinen phosphordotierte Stoppzone7b . -
- 1
- Halbleiterkörper
- 10
- Durchbruchstruktur
- 11
- Vorderseite des Halbleiterkörpers
- 13
- Anode des Thyristors
- 2
- Innenbereich
- 3
- Außenbereich
- 5
- n-Emitter
- 51
- n-Hilfsemitter
- 6
- p-Basis
- 61
- Abschnitt der p-Basis
- 62
- Abschnitt der p-Basis
- 63
- Abschnitt der p-Basis
- 64
- Widerstandszone
- 65
- Kathodenkurzschluss
- 7
- n-Basis
- 7a
- Abschnitt n-Basis
- 7b
- Stoppzone
- 71
- Anodenkurzschluss im Innenbereich
- 72
- Anodenkurzschluss im Außenbereich
- 73
- Abschnitt der n-Basis
- 8
- p-Emitter
- 81
- p-Emitter im Innenbereich
- 82
- p-Emitter im Außenbereich
- 9
- Kathode des Thyristors
- 91
- Elektrode n-Hilfsemitter
- 92
- Gate-Elektrode
- 100
- Diode
- 110
- Licht
- a1
- Abstand zwischen Anodenkurzschlüssen im Innen
- bereich
- a2
- Abstand zwischen Anodenkurzschlüssen im Außen
- bereich
- d1, d11, d12
- Durchmesser Anodenkurzschluss im Innenbereich
- d2
- Durchmesser Anodenkurzschluss im Außenbereich
- F1
- Querschnittsfläche des Innenbereichs
- F1i
- Querschnittsfläche eines Anodenkurzschlusses
- im Innenbereich
- F2
- Querschnittsfläche des Außenbereichs
- F2i
- Querschnittsfläche eines Anodenkurzschlusses
- im Außenbereich
- R
- Widerstand
der Widerstandszone
64 - r
- radiale Richtung
- A-A'
- vertikal verlaufende Rotationsachse
- B1-B1', B2-B2', B3-B3'
- laterale Schnittebene
- C1-C1', C2-C2', C3-C3'
- vertikale Schnittebene
Claims (22)
- Thyristor, der folgende Merkmale aufweist: einen Halbleiterkörper (
1 ), in dem in vertikaler Richtung aufeinanderfolgend ein p-dotierter Emitter (8 ), eine n-dotierte Basis (7 ), eine p-dotierte Basis (6 ) und ein n-dotierter Hauptemitter (5 ) angeordnet sind, eine den p-dotierten Emitter (8 ) kontaktierende erste Elektrode (13 ), einen Innenbereich (2 ) des Halbleiterkörpers (1 ), in dem eine Zündstruktur (10 ,92 ) angeordnet ist, einen sich in lateraler Richtung an den Innenbereich (2 ) anschließenden Außenbereich (3 ), und eine Anzahl n-dotierter Kurzschlusszonen (71 ,72 ), die jeweils sowohl die erste Elektrode (13 ) als auch die n-dotierte Basis (7 ) kontaktieren und von denen wenigstens eine (72 ) im Außenbereich (3 ) angeordnet ist, wobei in einer lateral durch die n-dotierten Kurzschlusszonen (71 ,72 ) verlaufenden Schnittebene (B1-B1', B2-B2', B3-B3') das Verhältnis zwischen der Summe der Querschnittsflächen (F1i) der n-dotierten Kurzschlusszonen (71 ) im Innenbereich (2 ) und der Querschnittsfläche (F1) des Innenbereichs (2 ) größer ist als das Verhältnis zwischen der Summe der Querschnittsflächen (F2i) der n-dotierten Kurzschlusszonen (72 ) im Außenbereich (3 ) zur Querschnittsfläche (F2) des Außenbereichs (3 ), dadurch gekennzeichnet, dass mehrere der n-dotierten Kurzschlusszonen (71 ) im Innenbereich (2 ) angeordnet sind. - Thyristor nach Anspruch 1, bei dem die Ladungsträgerlebensdauer im Bereich jeder der Kurzschlusszonen (
71 ) im Innenbereich (2 ) größer ist als die Ladungsträgerlebensdauer im Bereich jeder der Kurzschlusszonen (72 ) im Außenbereich (3 ). - Thyristor nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Ladungsträgerlebensdauer einer n-dotierten Kurzschlusszone (
71 ) im Innenbereich (2 ) um so größer ist, je weiter diese in lateraler Richtung vom Außenbereich (3 ) beabstandet ist. - Thyristor, der folgende Merkmale aufweist: einen Halbleiterkörper (
1 ), in dem in vertikaler Richtung aufeinanderfolgend ein p-dotierter Emitter (8 ), eine n-dotierte Basis (7 ), eine p-dotierte Basis (6 ) und ein n-dotierter Hauptemitter (5 ) angeordnet sind, eine den p-dotierten Emitter (8 ) kontaktierende erste Elektrode (13 ), einen Innenbereich (2 ) des Halbleiterkörpers (1 ), in dem eine Zündstruktur (10 ,92 ) angeordnet ist, einen sich in lateraler Richtung an den Innenbereich (2 ) anschließenden Außenbereich (3 ), und wenigstens zwei n-dotierte Kurzschlusszonen (71 ,72 ), die jeweils sowohl die erste Elektrode (13 ) als auch die n-dotierte Basis (7 ) kontaktieren und von denen wenigstens eine im Innenbereich (2 ) und wenigstens eine im Außenbereich (3 ) angeordnet ist, wobei die Ladungsträgerlebensdauer im Bereich der Kurzschlusszonen (71 ) im Innenbereich (2 ) größer ist als die Ladungsträgerlebensdauer im Bereich der Kurzschlusszonen (72 ) im Außenbereich (3 ), dadurch gekennzeichnet, dass in einer lateral durch die n-dotierten Kurzschlusszonen (71 ,72 ) verlaufenden Schnittebene (B1-B1', B2-B2', B3-B3') das Verhältnis zwischen der Summe der Querschnittsflächen (F1i) der n-dotierten Kurzschlusszonen (71 ) im Innenbereich (2 ) und der Querschnittsfläche (F1) des Innenbereichs (2 ) größer ist als das Verhältnis zwischen der Summe der Querschnittsflächen (F2i) der n-dotierten Kurzschlusszonen (72 ) im Außenbereich (3 ) zur Querschnittsfläche (F2) des Außenbereichs (3 ). - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der mittlere Abstand (a1) zwischen den n-dotierten Kurzschlusszonen (
71 ) im Innenbereich (2 ) kleiner ist als der mittlere Abstand (a2) zwischen den n-dotierten Kurzschlusszonen (72 ) im Außenbereich (3 ). - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem jede der Querschnittsflächen (F1i) der n-dotierten Kurzschlusszonen (
71 ) im Innenbereich (2 ) größer ist als jede der Querschnittsflächen (F2i) der n-dotierten Kurzschlusszonen (71 ) im Außenbereich (3 ). - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Querschnittsfläche (F1i) einer n-dotierten Kurzschlusszone (
71 ) im Innenbereich (2 ) um so größer ist, je weiter sie in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (1 ) vom Außenbereich (3 ) beabstandet ist. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem alle n-dotierten Kurzschlusszonen (
71 ,72 ) im Zentrum der jeweiligen Kurzschlusszone (71 ,72 ) in vertikaler Richtung ein im Wesentlichen ähnliches Dotierungsprofil aufweisen. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die n-dotierte Basis (
7 ) einen ersten Abschnitt (7a ) und einen zweiten Abschnitt (7b ), der zwischen dem ersten Abschnitt (7a ) und der ersten Elektrode (13 ) angeordnet ist, aufweist, wobei der zweite Abschnitt (7b ) stärker n-dotiert ist als der erste Abschnitt (7a ). - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die p-dotierte Basis (
6 ) eine Widerstandszone (64 ) aufweist, deren mittlerer lateraler elektrischer Widerstand gegenüber dem mittleren lateralen elektrischen Widerstand der an die Widerstandszone (64 ) angrenzenden Abschnitte (63 ) der p-dotierten Basis (6 ) vergrößert ist. - Thyristor nach Anspruch 10, bei dem der Innenbereich (
2 ) die Widerstandszone (64 ) zumindest teilweise umfasst. - Thyristor nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem der Außenbereich (
3 ) die Widerstandszone (64 ) zumindest teilweise umfasst. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem in lateraler Richtung zwischen der Zündstruktur (
10 ,92 ) und dem n-dotierten Emitter (5 ) zumindest eine Treiberstufe mit einem n-dotierten Hilfsemitter (51 ) angeordnet ist, die in die p-dotierte Basis (6 ) eingebettet ist. - Thyristor nach Anspruch 13, bei dem zumindest eine Treiberstufe eine Elektrode (
91 ) aufweist, die sowohl den Hilfsemitter (51 ) der betreffenden Treiberstufe als auch die p-dotierte Basis (6 ) kontaktiert. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Zündstruktur (
10 ,92 ) als Durchbruchstruktur (10 ) ausgebildet ist. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Zündstruktur (
10 ,92 ) als lichtempfindlicher Bereich ausgebildet ist. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Zündstruktur (
10 ,92 ) als Gate-Elektrode (92 ) ausgebildet ist. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einer zweiten Elektrode (
9 ), die den n-dotierten Emitter (5 ) kontaktiert, wobei der Außenbereich (3 ) den n-dotierten Emitter (5 ) vollständig umfasst. - Thyristor nach Anspruch 18, bei dem die lateralen Abmessungen des Außenbereichs (
3 ) im Wesentlichen identisch sind mit den lateralen Abmessungen der zweiten Elektrode (9 ). - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem sich der Außenbereich (
3 ) im Wesentlichen bis zum lateralen Rand des Thyristors erstreckt. - Schaltungsanordnung mit einem Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche und einer in Reihe zu dem Thyristor geschalteten Diode (
100 ). - Schaltungsanordnung nach Anspruch 21, bei der die erste Elektrode (
13 ) des Thyristors elektrisch leitend mit einer Kathode der Diode (100 ) verbunden ist.
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- 2004-08-31 DE DE102004042163A patent/DE102004042163B4/de not_active Expired - Fee Related
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