DE102004031121A1 - Schichtanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Schichtanordnung - Google Patents

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Abstract

Beim Verfahren zum Herstellen einer Schichtanordnung wird eine erste leitfähige Schicht ausgebildet, wird eine Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant oberhalb der leitfähigen Schicht ausgebildet und wird zumindest eine dielektrische Schicht auf der Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant ausgebildet. Ferner wird die zumindest eine dielektrische Schicht unter Verwenden der Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant zumindest in Teilbereichen mittels Ätzens und/oder Polierens strukturiert und wird in den strukturierten Teilbereichen eine zweite leitfähige Schicht ausgebildet.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Schichtanordnung und eine Verfahren zum Herstellen einer Schichtanordnung.
  • Bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen, beispielsweise Transistoren, werden häufig Stoppschichten benötigt. Solche Stoppschichten können einerseits Ätzstoppschichten sein, d.h. eine Schicht aus einem Material, welches sich mittels eines Ätzmittels nicht oder nur sehr schwer ätzen lässt, wobei das Ätzmittel verwendet wird, um eine andere Schicht zu ätzen. Andererseits können Stoppschichten auch Polierstoppschichten sein, d.h. Schichten, welche als Stoppschichten in einem Polierschritt, beispielsweise bei einem chemisch mechanischen Polieren, eines Verfahrens zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises verwendet werden. Hierzu ist es wünschenswert, dass die mechanische Härte der mittels Polierens zu entfernenden Schicht und der als Polierstoppschicht verwendeten Schicht unterschiedlich sind.
  • Ein herkömmliches Material, welches für Ätzstoppschichten verwendet wird, ist Siliziumnitrid. Beispielsweise lässt sich beim Ätzen von Siliziumoxid Siliziumnitrid als Ätzstoppschicht verwenden, da Ätzmittel bekannt sind, welche eine ausreichend große Selektivität zwischen Siliziumoxid und Siliziumnitrid aufweisen.
  • Ein Verfahren, bei dem üblicherweise Schichten aus Siliziumnitrid und Siliziumoxid verwendet werden, ist beispielsweise das so genannte Damaszenerverfahren, auch bezeichnet als Damaszenerprozess. Ein Damaszenerprozess zeichnet sich dadurch aus, dass zuerst ein Dielektrikum, beispielsweise Siliziumoxid, strukturiert wird, wobei eine Schicht aus Siliziumnitrid als Ätzstoppschicht verwendet werden kann, wodurch Gräben und/oder Kontaktlöcher, auch bezeichnet als Vias, welche verschiedene Metallisierungsebenen einer Schichtanordnung miteinander elektrisch verbinden, ausgebildet werden. Die Gräben und/oder Vias werden nachfolgend mit einem elektrisch leitfähigen Material, beispielsweise Kupfer, gefüllt. Anschließend wird dann überflüssiges elektrisch leitfähiges Material mittels eines Polierschrittes entfernt, wodurch eine planarisierte Oberfläche erzeugt wird. Während des Polierschrittes kann es, insbesondere wenn sich die Härte einer verwendeten Polierstoppschicht und die Härte des mittels des Polierschrittes entfernten Materials nicht stark unterscheiden, zu Artefakten, wie dem so genannten "dishing" und/oder der so genannten "Erosion" kommen.
  • Die Ätzselektivität zwischen Siliziumnitrid und Siliziumoxid ist jedoch nicht vollständig zu gewährleisten, so dass es beim Ätzen von Siliziumoxid dazu kommt, dass auch das Siliziumnitrid der Ätzstoppschicht angegriffen wird. Auch die mechanische Härte unterscheidet sich zwischen Siliziumnitrid und Siliziumoxid nicht sehr stark.
  • Ferner weist Siliziumnitrid eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante von 7,5 auf, wodurch die Verwendung in vielen Anwendungen, d.h. in einer Vielzahl von integrierten Schaltkreisen, den Nachteil aufweist, dass die gesamte Dielektrizitätszahl einer Schichtanordnung, welche Siliziumnitrid aufweist, recht hoch ist. Dies führt zu einer Vergrößerung von parasitären Kapazitäten und hierdurch zu einer Erhöhung einer RC-Zeitkonstanten bei der Signalübertragung in integrierten Schaltkreisen.
    •
  • Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, eine Schichtanordnung mit einer Hilfsschicht bereitzustellen, mit welcher Hilfsschicht ein vereinfachtes Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises ermöglicht wird.
  • Das Problem wird durch die Schichtanordnung und das Verfahren zum Herstellen einer Schichtanordnung mit den Merkmalen gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst.
  • Beim Verfahren zum Herstellen einer Schichtanordnung wird eine erste leitfähige Schicht ausgebildet, wird eine Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant oberhalb der leitfähigen Schicht ausgebildet und wird zumindest eine dielektrische Schicht auf der Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant ausgebildet. Ferner wird die zumindest eine dielektrische Schicht unter Verwenden der Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant zumindest in Teilbereichen mittels Ätzens und/oder Polierens strukturiert und wird in den strukturierten Teilbereichen eine zweite leitfähige Schicht ausgebildet.
  • Eine Schichtanordnung weist eine erste leitfähige Schicht und eine auf der ersten leitfähigen Schicht angeordnete Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant auf. Ferner weist die Schichtanordnung eine auf der Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant angeordneten strukturierten dielektrischen Schicht und eine zweite leitfähige Schicht auf, welche zumindest in Teilbereichen der strukturierten dielektrischen Schicht ausgebildet ist.
  • Mit den Bereitstellen einer Strukturierungs-Hilfsschicht, im Weiteren auch Hilfsschicht genannt, aus Diamant ist es möglich, die gesamte Dielektrizitätszahl einer Schichtanordnung gegenüber einer Schichtanordnung, welche Siliziumnitrid als Strukturierungs-Hilfsschicht aufweist, zu senken, da Diamant mit 5,7 eine geringere Dielektrizitätskonstante als Siliziumnitrid mit 7,5 aufweist. Somit kann durch das Verwenden einer Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant in einer Schichtanordnung die parasitäre Kapazität der Schichtanordnung gesenkt werden, wodurch wiederum eine RC-Zeitkonstante eines elektronischen Schaltkreises, vorzugsweise eines integrierten Schaltkreises, in welchem die Schichtanordnung vorgesehen ist, verringert wird. Hierdurch lassen sich Signallaufzeiten in dem integrierten Schaltkreis verringern. Vorzugsweise ist das Material der dielektrischen Schicht ein low-k Material, d.h. ein Material, welches eine kleine Dielektrizitätskonstante hat, wie beispielsweise Black DiamondTM oder SiLKTM, wobei SiLKTM und Black DiamondTM mit Kohlenstoff dotierte siliziumoxidartige Materialien sind, und vorzugsweise ist das Material der leitfähigen Schichten Metall.
  • Ferner weist Diamant eine sehr gute Ätzselektivität gegenüber verschiedenen Materialien auf, welche in der Herstellung von integrierten Schaltkreisen verwendet werden. Insbesondere ist Diamant unempfindlich gegenüber fluorbasierten Ätzmitteln, welche verwendet werden können, um Schichten aus Siliziumoxid zu ätzen. Auch als Polierstoppschicht ist Diamant sehr gut geeignet, da Diamant das Material mit der größten mechanischen Härte ist, wodurch beim Verwenden als Polierstoppschicht in einem Planarisierungsschritt keine Artefakte wie das so genannte "dishing" oder "Erosion" auftreten. Erfindungsgemäß wird das Erzeugen von gegenüber dem Stand der Technik verringert, in welchem häufig zur Senkung der Dielektizitätskonstanten der dielektrischen Schichten poröse low-k Materialien verwendet werden, welche beim Polieren sehr anfällig für die Bildung von Artefakten sind. Ein weiterer Vorteil den Diamant gegenüber Siliziumnitrid als erfindungsgemäße Hilfsschicht aufweist, ist eine höhere Wärmeleitfähigkeit von Diamant gegenüber Siliziumnitrid. Dies führt einerseits zu einer leichteren Abführung von Wärme, welche in einem elektronischen Schaltkreis auftritt, andererseits können hierdurch thermische Spannungen innerhalb des elektronischen Schaltkreises verringert werden.
  • Durch die sehr gute Ätzselektivität und die sehr große Härte von Diamant ist es möglich, sehr dünne Hilfsschichten aus Diamant zu verwenden, wodurch es möglich ist eine geringe Gesamt-Dielektrizitätszahl und damit eine geringe Kapazität der Schichtanordnung zu erzielen, da die sehr dünne Diamantschicht nur im geringen Masse zur Gesamt-Dielektrizitätszahl beiträgt. Weiterhin ist es durch die geringe Dicke der Hilfsschicht aus Diamant auch möglich elektronische Schaltkreise zu verkleinern, in welchen die Schichtanordnung verwendet wird. Ferner erlaubt die sehr gute Ätzselektivität zwischen den üblicherweise verwendeten Dielektrika und Diamant eine Integration von Diamant in so genannte Damaszenerprozesse.
  • Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. Die weiteren Ausgestaltungen der Erfindung, die im Zusammenhang mit der Schichtanordnung dargelegt sind, gelten sinngemäß auch für das Verfahren zum Herstellen der Schichtanordnung und umgekehrt.
  • Im Verfahren kann die Strukturierungs-Hilfsschicht als Stoppschicht verwendet werden.
  • Bei dem Strukturieren der zumindest einen dielektrischen Schicht wird vorzugsweise ein Graben erzeugt, in welchem die zweite leitfähige Schicht ausgebildet wird.
  • Beim Strukturieren der zumindest einen dielektrischen Schicht kann ein Via erzeugt werden, mittels welchem die erste leitfähige Schicht und die zweite leitfähige Schicht elektrisch miteinander koppelbar sind.
  • In einem Ausführungsbeispiel wird vor dem Strukturieren der zumindest einen dielektrischen Schicht und der Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant eine Photolackschicht aufgebracht, welche in einem Ätzschritt entfernt wird, in welchem gleichzeitig auch die Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant strukturiert wird.
  • Durch das Verwenden einer Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant ist es möglich die Photolackschicht, welche üblicherweise beim Strukturieren einer Schichtanordnung verwendet wird und die Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant, welche vorzugsweise in einem vorhergehenden Prozessschritt als Ätzstoppschicht und/oder als Polierstoppschicht verwendet wurde, in einem einzigen Prozessschritt zu entfernen. Hierdurch ist es möglich einen Herstellungsprozess einer Schichtanordnung, beispielsweise eines elektronischen Schaltkreises, zu vereinfachen. Als Ätzmittel für eine selektive Entfernung von Photolack und einer Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant wird vorzugsweise ein Sauerstoffplasma verwendet, gegen welches beispielsweise Siliziumoxid unempfindlich ist.
  • Vorzugsweise wird eine zusätzliche Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant auf der zumindest einen dielektrischen Schicht ausgebildet, welche beim Strukturieren der zumindest einen dielektrischen Schicht als Hartmaske verwendet wird.
  • Durch seine Ätzselektivität kann die zusätzliche Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant auf einfache Weise als Hartmaske in einem Ätzschritt verwendet werden. Hierdurch kann in einem Herstellungsprozess einer Schichtanordnung ein Prozessschritt des Aufbringens einer Photolackschicht für den Ätzschritt eingespart werden, wodurch sich der Herstellungsprozess weiter vereinfacht.
  • Die Stoppschicht kann als Ätzstoppschicht und/oder Polierstoppschicht verwendet werden.
  • In einer Weiterbildung ist zumindest eine der leitfähigen Schichten aus Metall, vorzugsweise aus Kupfer.
  • In Kombination mit einer Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant ist insbesondere Kupfer ein geeignetes Metall für eine leitfähige Schicht, da Kupfer im Allgemeinen nicht auf einfache Weise auf einem dielektrischen Material abgeschieden und nachfolgend mittels Ätzens strukturiert werden kann. Zum Ausbilden von leitfähigen Schichten aus Kupfer, beispielweise Leiterbahnen aus Kupfer, in elektronischen Schaltkreisen werden üblicherweise so genannte Damaszenerprozesse verwendet, für welche wiederum Ätzstoppschichten und Polierstoppschichten notwendig sind. Hierzu ist eine Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant sehr gut geeignet.
  • Vorzugsweise weist die Schichtanordnung eine Passivierungsschicht aus Diamant auf.
  • Eine Passivierungsschicht aus Diamant ist insbesondere vorteilhaft, wenn die leitfähige Schicht aus Kupfer ist, da mittels einer Passivierungsschicht aus Diamant Diffusion von Kupfer in die Passivierungsschicht reduziert werden kann. Im Gegensatz zu einer Passivierungsschicht aus Siliziumnitrid diffundiert Kupfer kaum in eine Diamantschicht hinein. Durch das Verringern der Diffusion kann die Anfälligkeit der Schichtanordnung, d.h. der leitfähigen Schicht aus Kupfer, gegenüber Elektromigration gesenkt werden, wodurch die Zuverlässigkeit eines elektronischen Schaltkreises, in welchen eine solche Schichtanordnung vorgesehen ist, erhöht wird. Ferner ist auch die Haftung der Passivierungsschicht verbessert, wenn die Passivierungsschicht eine Diamantschicht ist.
  • Die Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant kann zumindest ein Teil einer Ätzstoppschicht und/oder einer Polierstoppschicht sein.
  • Besonders bevorzugt weist die Schichtanordnung eine Mehrzahl von Strukturierungs-Hilfsschichten aus Diamant auf, zwischen welchen jeweils eine Dielektrikumschicht ausgebildet ist.
  • Das Verwenden einer Mehrzahl von Strukturierungs-Hilfsschichten aus Diamant erhöht die Flexibilität der Einsatzfähigkeit der Schichtanordnung in elektronischen Schaltkreisen und eröffnet für eine weitere Prozessierung der Schichtanordnung neue Freiheitsgrade, indem jede der Strukturierungs-Hilfsschichten aus Diamant als Stoppschicht verwendet werden kann, wobei gleichzeitig die Gesamtdielektrizitätszahl der Schichtanordnung, gegenüber einer Schichtanordnung bei der Siliziumnitrid als Material für Stoppschichten verwendet wird, verringert ist.
  • In einer Weiterbildung bildet die Schichtanordnung eine Air-Gap-Struktur und die Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant eine Tragschicht der Air-Gap-Struktur aus.
  • Unter einer Air-Gap-Struktur wird in dieser Anmeldung eine Schichtanordnung verstanden, in welcher zum Zwecke des Verringerns der Dielektrizitätskonstante, und damit der parasitären Kapazitäten, der Schichtanordnung in Teilbereichen der Struktur keine Dielektrika sondern luftgefüllte oder mit einem geeigneten Gas gefüllte Hohlraumstrukturen, Air-Gaps, vorgesehen sind. Anders ausgedrückt sind einige Dielektrikumschichten einer Schichtanordnung durch Hohlräume ersetzt. Jede einzelne Dielektrikumschicht kann aus einem oder mehreren unterschiedlichen Dielektrika ausgebildet sein und/oder die Materialen der Dielektrikumschichten können für unterschiedliche Dielektriumschichten unterschiedlichen sein. Hierdurch wird die Gesamtdielektrizitätszahl der Air-Gap-Struktur gesenkt. Die strukturierungs-Hilfsschichten aus Diamant sind für das Herstellen solcher Air-Gap-Strukturen besonders geeignet, da sie einerseits eine geringere Dielektrizitätszahl als Schichten aus Siliziumnitrid aufweisen, andererseits weisen sie gleichzeitig durch die sehr hohe mechanische Härte des Diamant verbesserte mechanische Eigenschaften auf.
  • Vorzugsweise sind die erste leitfähige Schicht und die zweite leitfähige Schicht mittels eines Via elektrisch leitend miteinander gekoppelt, wobei sich das Via durch die Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant hindurch erstreckt.
  • Bei einem Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises kann eine vergrabene Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant eines Startsubstrats als Stoppschicht verwendet werden.
  • Ein Aspekt der Erfindung kann anschaulich darin gesehen werden, dass eine Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant in Herstellungsprozesse von elektronischen Schaltkreisen, beispielsweise integrierten Schaltkreisen, und in die ausgebildeten elektronischen Schaltkreise integriert ist. Eine solche Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant weist einerseits eine gute Ätzselektivität gegenüber Dielektrika, welche in elektronischen Schaltkreisen vorgesehen sind, und andererseits eine große mechanische Härte auf, wodurch Planarisierungsschritte mittels Polierens vereinfacht werden, da die Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant auf einfache Weise als Polierstoppschicht verwendet werden kann. Ferner senkt das Integrieren einer Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant auch die Gesamtdielektrizitätszahl, wenn mittels ihr eine Schicht aus Siliziumnitrid ersetzt wird, welches Siliziumnitrid herkömmlich als Ätzstoppschicht verwendet wird.
  • Eine Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant ist auf einfache Weise mittels chemischer Gasphasenabscheidung (Chemical Vapour Deposition = CVD) ausbildbar.
  • Eine solche Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant kann auch in einem Damaszenerprozess als Ätzstoppschicht und/oder als Polierstoppschicht verwendet werden. Diamant ist als Material einer Ätzstoppschicht geeignet, da es selektiv gegenüber vielen in herkömmlichen Damaszenerprozessen verwendeten Materialien ätzbar ist. Beispielsweise kann Diamant selektiv zu Siliziumoxid und/oder anderen low-k Materialien, d.h. Materialien, welche eine kleine Dielektrizitätskonstante haben, wie beispielsweise Black DiamondTM oder SiLKTM, geätzt werden. Somit kann Diamant gegenüber einer Siliziumoxidätzung mittels fluorbasierter Ätzmittel als Ätzstoppschicht und/oder als Maskenschicht verwendet werden. Ferner ist Diamant in einer Ätzung mittels eines auf Sauerstoff basierenden Ätzmittels selektiv gegenüber Siliziumoxid ätzbar.
  • Ferner ist einerseits auch Photolack gegenüber Diamant selektiv ätzbar. Photolack lässt sich beispielsweise mittels nasschemischer Ätzung selektiv gegenüber Diamant ätzen. Andererseits lässt sich Photolack auch nichtselektiv gegenüber Diamant ätzen, d.h. eine Diamantschicht und eine Photolackschicht kann innerhalb eines einzigen Ätzschrittes entfernt werden. Als Ätzmittel für einen solchen nichtselektiven Ätzschritt eignen sich alle in herkömmlichen Trockenätzprozessen verwendeten Gase, wie beispielsweise Wasserstoff oder Sauerstoff.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Weiteren näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Querschnittsansicht einer erfindungsgemäßen Schichtanordnung;
  • 2A eine schematische Querschnittsansicht einer erfindungsgemäßen Schichtanordnung, welche in einem ersten Damaszenerprozess verwendet werden kann;
  • 2B eine schematische Querschnittsansicht der erfindungsgemäßen Schichtanordnung aus 2A nach Teilschritten des ersten Damaszenerprozesses;
  • 3A eine schematische Querschnittsansicht einer erfindungsgemäßen Schichtanordnung, welche in einem zweiten Damaszenerprozess verwendet werden kann;
  • 3B eine schematische Querschnittsansicht der erfindungsgemäßen Schichtanordnung aus 3A nach Teilschritten des zweiten Damaszenerprozesses;
  • 4A eine schematische Querschnittsansicht einer erfindungsgemäßen Schichtanordnung, welche in einem dritten Damaszenerprozess verwendet werden kann;
  • 4B eine schematische Querschnittsansicht der erfindungsgemäßen Schichtanordnung aus 4A nach Teilschritten des dritten Damaszenerprozesses;
  • 5 eine schematische Querschnittsansicht einer erfindungsgemäßen Schichtanordnung nach ersten Teilschritten eines Damaszenerprozesses zum Herstellen einer Metallisierung;
  • 6 eine schematische Querschnittsansicht der erfindungsgemäßen Schichtanordnung aus 5 nach zusätzlichen Teilschritten des Damaszenerprozesses zum Herstellen einer Metallisierung;
  • 7 eine schematische Querschnittsansicht der erfindungsgemäßen Schichtanordnung aus 6 nach zusätzlichen Teilschritten des Damaszenerprozesses zum Herstellen einer Metallisierung;
  • 8 eine schematische Querschnittsansicht der erfindungsgemäßen Schichtanordnung aus 7 nach zusätzlichen Teilschritten des Damaszenerprozesses zum Herstellen einer Metallisierung;
  • 9 eine schematische Querschnittsansicht der erfindungsgemäßen Schichtanordnung aus 8 nach zusätzlichen Teilschritten des Damaszenerprozesses zum Herstellen einer Metallisierung;
  • 10 eine schematische Querschnittsansicht der erfindungsgemäßen Schichtanordnung aus 9 nach zusätzlichen Teilschritten des Damaszenerprozesses zum Herstellen einer Metallisierung; und
  • 11 eine schematische perspektivische Ansicht einer Schichtanordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Bezugnehmend auf die Figuren werden Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert, in welchen gleiche oder ähnliche Komponenten in unterschiedlichen Figuren mit gleichen Bezugsziffern versehen sind.
  • 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Schichtanordnung 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, welche als Startsubstrat für Damaszenerprozesse, insbesondere für so genannte Dual-Damaszenerprozesse, verwendet werden kann. Die Schichtanordnung 100 weist eine erste dielektrische Schicht 101 auf. Innerhalb der ersten dielektrischen Schicht 101 ist in 1 schematisch eine Metallisierungsschicht 102 dargestellt. Auf der ersten dielektrischen Schicht 101 und der Metallisierungsschicht 102 ist eine erste Strukturierungs-Hilfsschicht 103 aus Diamant ausgebildet, im Folgenden auch Hilfsschicht genannt.
  • Auf der ersten Hilfsschicht 103 ist eine zweite dielektrische Schicht 104 ausgebildet, auf welcher eine zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant ausgebildet ist. Auf der zweiten Hilfsschicht 105 aus Diamant ist eine dritte dielektrische Schicht 106 ausgebildet, auf welcher eine dritte Hilfsschicht 107 aus Diamant ausgebildet ist.
  • Ein Material der ersten dielektrischen Schicht 101, der zweiten dielektrischen Schicht 104 und der dritten dielektrischen Schicht 106 weist vorzugsweise Siliziumoxid, oder so genannte low-k Materialien, wie beispielsweise SiLKTM oder so genannten Black DiamondTM, auf, wobei SiLKTM und Black DiamondTM mit Kohlenstoff dotierte siliziumoxidartige Materialien sind.
  • Die erste Hilfsschicht 103 aus Diamant und/oder die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant und/oder die dritte Hilfsschicht 107 aus Diamant können in einem Damaszenerprozess, für welchen die Schichtanordnung 100 als Startsubstrat verwendet wird, als Ätzstoppschicht und/oder als Polierstoppschicht verwendet werden. Diamant ist als Ätzstoppschicht geeignet, da es selektiv gegenüber vielen in herkömmlichen Prozessen verwendeten Materialien ätzbar ist. Beispielsweise kann Diamant selektiv zu Siliziumoxid und/oder low-k Materialien wie beispielsweise Black DiamondTM geätzt werden, wobei unter low-k Materialien Materialien verstanden werden, welche eine niedrige Dielektrizitätskonstante aufweisen. Somit kann Diamant gegenüber einer Siliziumoxidätzung mittels fluorbasierter Ätzmittel als Ätzstoppschicht und/oder als Maskenschicht verwendet werden. Ferner ist Diamant in einer Ätzung mittels eines auf Sauerstoff basierenden Ätzmittels selektiv gegenüber Siliziumoxid ätzbar.
  • Ferner ist einerseits auch Photolack gegenüber Diamant selektiv ätzbar. Photolack lässt sich beispielsweise mittels nasschemischer Ätzung selektiv gegenüber Diamant ätzen. Andererseits lässt sich Photolack auch nichtselektiv gegenüber Diamant ätzen, d.h. eine Diamantschicht und eine Photolackschicht kann innerhalb eines einzigen Ätzschrittes entfernt werden. Als Ätzmittel in einen solchen nichtselektiven Ätzschritt eignen sich Gase in Trockenätzprozessen. Diese wahlweise Selektivität eröffnet zusätzliche Freiheitsgrade in der Prozessierung einer Schichtanordnung, welche eine Hilfsschicht aus Diamant aufweist.
  • Ferner ist Diamant ein Material, welches sich besonders als Polierstoppschicht eignet, da es härter als alle anderen in Herstellungsprozessen von elektronischen Schaltkreises verwendeten Materialien ist. Insbesondere lässt sich Diamant auf einfache Weise als Polierstoppschicht in Polierschritten verwenden, mittels welchem weiche Dielektrika poliert werden.
  • Ein zusätzlicher Vorteil des Verwendens einer Hilfsschicht aus Diamant gegenüber dem Verwenden einer Ätzstoppschicht aus beispielweise Siliziumnitrid ist, dass Diamant mit einer Dielektrizitätskonstante von 5,7 eine geringere Dielektrizitätskonstante als die von Siliziumnitrid, welche 7,5 beträgt, hat. Somit ergibt sich beim Ersetzen von Siliziumnitrid durch Diamant als Material von Hilfsschichten in einer Schichtanordnung, beispielweise in elektronischen Schaltkreisen, eine Verringerung der Dielektizitätszahl des elektronischen Schaltkreises und damit eine Reduktion der RC-Zeitkonstanten einer Signalübertragung in elektronischen Schaltkreisen.
  • Ferner weist eine Hilfsschicht aus Diamant gegenüber einer Hilfsschicht aus Siliziumnitrid noch den Vorteil auf, dass Diamant eine höhere Wärmeleitfähigkeit als Siliziumnitrid aufweist, wodurch beispielweise thermische Spannungen in einem elektronischen Schaltkreis verringert werden können und in elektronischen Schaltkreisen entstehende Wärme besser abgeleitet werden kann.
  • Die Hilfsschicht aus Diamant kann ferner in elektronischen Schaltkreisen als Schutzschicht gegenüber Diffusion von Kupfer verwendet werden. Bei Damaszenerverfahren werden häufig Metallisierungsschichten aus Kupfer ausgebildet, welche gemäß dem Stand der Technik mittels einer Siliziumnitridschicht passiviert werden. Insbesondere unter Stress, d.h. wenn Strom durch die Metallisierungsschicht fließt, kommt es dann an der Grenzfläche zwischen Kupfer und Siliziumnitrid zu einer Diffusion von Kupfer in die Siliziumnitridschicht, welche Diffusion wiederum dazu führt, dass die Metallisierungsschicht einer verstärkten Elektromigration unterliegt. Das Ausbilden einer erfindungsgemäßen Diamantschicht als Diffusionsschutzschicht jedoch verhindert eine Diffusion der Kupferatome aus der Metallisierungsschicht, wodurch die Elektromigration in einer Metallisierungsschicht gegenüber einer Metallisierungsschicht gemäß dem Stand der Technik reduziert werden kann und die Zuverlässigkeit der elektronischen Schaltkreise erhöht wird.
  • Diamant ist ferner auf einfache Weise als ultradünne Hilfsschicht ausbildbar, indem sie beispielsweise mittels einer chemischen Gasphasenabscheidung (Chemical Vapour Deposition = CVD) gebildet wird.
  • In einer Schichtanordnung, welche so genannte Air-Gaps aufweist, können die erste Hilfsschicht 103 aus Diamant und/oder die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant und/oder die dritte Hilfsschicht 107 aus Diamant als Tragschicht verwendet werden. Auch in einer Schichtanordnung mit Air-Gaps senkt das Verwenden von Diamant anstelle von Siliziumnitrid die Dielektizitätszahl der Schichtanordnung. Ferner ist Diamant auch wegen seiner mechanischen Eigenschaften, wie beispielsweise seiner mechanischen Härte, ein geeignetes Material für eine Tragschicht in Schichtanordnungen mit Air-Gaps.
  • Anhand der 2 bis 4 werden schematisch Teilschritte von drei verschiedenen so genannten Dual-Damaszenerprozessen zum Erzeugen von so genannten Vias, d.h. Kontaktlöchern zwischen jeweils zwei Metallisierungsschichten, und von Gräben, in welche nachfolgend Leiterbahnen einer Metallisierungsschicht eingebracht werden kann, erläutert, wobei in den dargestellten Dual-Damaszenerprozessen eine erfindungsgemäße Schichtanordnung, wie sie in 1 schematisch dargestellt ist, als Startsubstrat verwendet wird.
  • 2A zeigt eine erfindungsgemäße Schichtanordnung 100, wie sie schematisch in 1 dargestellt ist, nach ersten Teilschritten eines ersten so genannten Dual-Damaszenerprozesses, wobei bei dem ersten Dual-Damaszenerprozess zuerst eine Via- bzw. Lochätzung durchgeführt wird und nachfolgend eine Grabenätzung durchgeführt wird.
  • Zum Ausbilden eines Loches 209 zum Erzeugen eines Via, welches eine Leiterbahn der Metallisierungsschicht 102 kontaktiert, wird eine Photolackschicht 208 auf der dritten Hilfsschicht 107 aus Diamant ausgebildet und so strukturiert, dass die Photolackschicht 208 als Ätzmaske zum Erzeugen des Via verwendbar ist. Nachfolgend wird unter Verwendung der strukturierten Photolackschicht 208 die dritte Hilfsschicht 107 aus Diamant in einem ersten selektiven anisotropen Ätzschritt geätzt, wobei die dritte dielektrische Schicht 106 als Ätzstoppschicht verwendet werden kann. In einem zweiten selektiven anisotropen Ätzschritt wird dann die dritte dielektrische Schicht 106 geätzt, wobei als Ätzstoppschicht die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant verwendet wird. Anschließend wird in einem dritten selektiven anisotropen Ätzschritt die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant entfernt, wobei die zweite dielektrische Schicht 104 als Ätzstoppschicht verwendet wird. Nachfolgend wird in einem vierten selektiven anisotropen Ätzschritt die zweite dielektrische Schicht 104 entfernt, wobei die erste Hilfsschicht 103 aus Diamant als Ätzstoppschicht verwendet wird.
  • Nachfolgend wird unter Bezug auf 2B Teilschritte des ersten Damaszenerprozesses beschrieben, welche dem Ausbilden eines Grabens dienen.
  • Ausgehend von der Schichtanordnung 100, wie sie in 2A dargestellt ist, wird die Photolackschicht 208 erneut strukturiert, wobei Teilbereiche der dritten Hilfsschicht 107 aus Diamant freigelegt werden, in welchen Teilbereichen anschließend der Graben ausgebildet wird. Zum Ausbilden des Grabens wird ein fünfter selektiver anisotroper Ätzschritt ausgeführt, mittels welchem die freigelegten Teilbereiche der dritten Hilfsschicht 107 aus Diamant entfernt werden.. Beim fünften selektiven anisotropen Ätzschritt wird die dritte dielektrische Schicht 106 als Stoppschicht verwendet. Vorzugsweise weist die dritte Hilfsschicht 107 eine geringere Dicke als die erste Hilfsschicht 103 auf, wodurch auf einfache Weise sichergestellt werden kann, dass beim fünften Ätzschritt die im vierten Ätzschritt freigelegten Bereiche der ersten Hilfsschicht 103 zumindest nicht vollständig entfernt werden. Nachfolgend wird in einem sechsten selektiven anisotropen Ätzschritt die dritte dielektrische Schicht 106 entfernt, wobei die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant als Stoppschicht verwendet wird.
  • 3A zeigt eine erfindungsgemäße Schichtanordnung 100, wie sie schematisch in 1 dargestellt ist, nach ersten Teilschritten eines zweiten so genannten Dual-Damaszenerprozesses, wobei bei dem zweiten Dual-Damaszenerprozess zuerst eine Grabenätzung durchgeführt wird und nachfolgend eine Via bzw. Lochätzung durchgeführt wird.
  • Zum Ausbilden eines Grabens 309 wird eine Photolackschicht 308 auf der dritten Hilfsschicht 107 aus Diamant ausgebildet und so strukturiert, dass die Photolackschicht 308 als Ätzmaske zum Erzeugen des Grabens verwendbar ist. Nachfolgend wird unter Verwendung der strukturierten Photolackschicht 308 die dritte Hilfsschicht 107 aus Diamant in einem ersten selektiven anisotropen Ätzschritt geätzt, wobei die dritte dielektrische Schicht 106 als Ätzstoppschicht verwendet werden kann. In einem zweiten selektiven anisotropen Ätzschritt wird dann die dritte dielektrische Schicht 106 geätzt, wobei als Ätzstoppschicht die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant verwendet wird.
  • Nachfolgend werden unter Bezug auf 3B Teilschritte des zweiten Damaszenerprozesses beschrieben, welche dem Ausbilden eines Via dienen.
  • Ausgehend von der Schichtanordnung 100, wie sie in 3A dargestellt ist, wird in Teilbereichen des ausgebildeten Grabens 309 zum Erzeugen eines Via, welches eine Leiterbahn der Metallisierungsschicht 102 kontaktiert, eine zusätzliche Photolackschicht 310 auf der zweiten Hilfsschicht 105 aus Diamant ausgebildet und so strukturiert, dass die zusätzliche Photolackschicht als Ätzmaske zum Erzeugen des Via verwendbar ist. Nachfolgend wird unter Verwendung der strukturierten Photolackschicht die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant in einem dritten selektiven anisotropen Ätzschritt geätzt, wobei die zweite dielektrische Schicht 104 als Ätzstoppschicht verwendet werden kann. In einem vierten selektiven anisotropen Ätzschritt wird dann die zweite dielektrische Schicht 104 geätzt, wobei als Ätzstoppschicht die erste Hilfsschicht 103 aus Diamant verwendet wird.
  • 4A zeigt eine erfindungsgemäße Schichtanordnung 100, wie sie schematisch in 1 dargestellt ist, nach ersten Teilschritten eines dritten so genannten Dual-Damaszenerprozesses, wobei bei dem dritten Dual-Damaszenerprozess zuerst eine vergrabene Hartmaske für eine Via- bzw. Lochätzung erzeugt und nachfolgend mittels eines Ätzschrittes ein Graben und ein Via bzw. Loch erzeugt wird.
  • Zum Ausbilden einer Hartmaske für eine Viaätzung zum Erzeugen eines Via, welches die Metallisierungsschicht 102 kontaktiert, wird eine Photolackschicht 408 auf der dritten Hilfsschicht 107 aus Diamant ausgebildet und so strukturiert, dass die Photolackschicht 408 als Ätzmaske zum Erzeugen einer Hartmaske für die Viaätzung verwendbar ist. Nachfolgend wird unter Verwendung der strukturierten Photolackschicht 408 die dritte Hilfsschicht 107 aus Diamant in einem ersten selektiven anisotropen Ätzschritt geätzt, wobei die dritte dielektrische Schicht 106 als Ätzstoppschicht verwendet werden kann. In einem zweiten selektiven anisotropen Ätzschritt wird dann die dritte dielektrische Schicht 106 geätzt, wobei als Ätzstoppschicht die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant verwendet wird. Anschließend wird in einem dritten selektiven anisotropen Ätzschritt die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant entfernt, wobei die zweite dielektrische Schicht 104 als Ätzstoppschicht verwendet wird.
  • Nachfolgend werden unter Bezug auf 4B Teilschritte des dritten Damaszenerprozesses beschrieben, welche dem gleichzeitigen Ausbilden des Via und des Grabens dienen.
  • Ausgehend von der Schichtanordnung 100, wie sie in 4A dargestellt ist, wird die Photolackschicht 408 erneut strukturiert, wobei Teilbereiche der dritten Hilfsschicht 107 aus Diamant freigelegt werden, in welchen Teilbereichen anschließend der Graben ausgebildet wird. Zum Ausbilden des Grabens wird ein vierter selektiver anisotroper Ätzschritt ausgeführt, mittels welchem die freigelegten Teilbereichen der dritten Hilfsschicht 107 aus Diamant entfernt werden. Beim vierten selektiven anisotropen Ätzschritt wird die dritte dielektrische Schicht 106 als Ätzstoppschicht verwendet. Nachfolgend wird in einem fünften selektiven anisotropen Ätzschritt die dritte dielektrische Schicht 106, wobei die strukturierte Photolackschicht 408 als Maske verwendet wird, und die zweite dielektrische Schicht 104 entfernt, wobei die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant als Hartmaske verwendet wird. Für den fünften selektiven anisotropen Ätzschritt wird die erste Hilfsschicht 103 aus Diamant und die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant als Ätzstoppschicht verwendet.
  • Ausgehend von einer Schichtanordnung 100 wie sie in 2B oder 4B dargestellt ist, wird anhand der 5 bis 10 ein Dual-Damaszenerprozess zum Herstellen einer Kupfermetallisierung erläutert.
  • 5 zeigt eine schematische Schichtanordnung 100 wie sie in 2B oder 4B dargestellt ist.
  • 6 zeigt die Schichtanordnung 100, wie sie in 5 dargestellt ist, nach zusätzlichen Teilschritten zum Ausbilden einer Kupfermetallisierung.
  • Ausgehend von 5 werden in einem ersten selektiven Ätzschritt die Photolackschicht 208 und gleichzeitig die erste Hilfsschicht 103 aus Diamant und die zweite Hilfsschicht 105 aus Diamant entfernt, dabei findet der Durchbruch auf die unterhalb der ersten Hilfsschicht 103 aus Diamant angeordnete Metallisierungsschicht 102 statt. Je nach Selektivität zu den Hilfsschichten aus Diamant kann ein Trockenätzschritt, beispielsweise mittels Sauerstoffplasma, oder ein nasschemischer Ätzschritt, beispielsweise mittels Aceton zur Photolackentfernung verwendet werden.
  • 7 zeigt die Schichtanordnung 100, wie sie in 6 dargestellt ist, nach zusätzlichen Teilschritten zum Ausbilden einer Barrierenschicht und einer Keimschicht.
  • Ausgehend von 6 wird auf der Schichtanordnung 100 eine Diffusionsbarrierenschicht, vorzugsweise mittels Sputterns von Tantal oder Tantalnitrid (TaN), ausgebildet, auf welcher Barrierenschicht nachfolgend eine Keimschicht ausgebildet wird. Die Keimschicht ist vorzugsweise aus Kupfer, insbesondere wenn die nachfolgend ausgebildete Metallisierungsschicht auch aus Kupfer ausgebildet wird. In 7 sind zum Zwecke der Übersichtlichkeit die Barrierenschicht und die Keimschicht als eine einzige Schicht 711 dargestellt.
  • 8 zeigt die Schichtanordnung 100, wie sie in 7 dargestellt ist, nach zusätzlichen Teilschritten zum Ausbilden einer zusätzlichen Metallisierungsschicht 812 auf der Barrieren- und Keimschicht 711.
  • Zum Ausbilden der zusätzlichen Metallisierungsschicht 812 wird auf der Barrieren- und Keimschicht der Schichtanordnung 100, wie sie in 7 dargestellt ist, ein Abscheideprozess von Kupfer ausgeführt. Das Abscheiden wird vorzugsweise mittels elektroplatierten Abscheidens durchgeführt und dient einer Füllung des Grabens und des Via.
  • Nach dem erfolgten Abscheiden der Kupfermetallisierungsschicht 812 wird überflüssiges Kupfer, d.h. Kupfer, welches sich auf der dritten Hilfsschicht 107 aus Diamant befindet und sich außerhalb des Bereiches befindet, in welchem die Kupfermetallisierungsschicht ausgebildet werden soll, mittels chemisch mechanischen Polierens entfernt, wodurch eine Planare Oberfläche der Schichtanordnung 100 ausgebildet wird, wie es in 9 dargestellt ist. Als Stoppschicht für das chemisch mechanische Polieren wird die dritte Hilfsschicht 107 aus Diamant verwendet, welche hierfür wegen ihrer mechanischen Härte gut geeignet ist.
  • Vorzugsweise wird die planarisierte Oberfläche passiviert, indem eine Passivierungsschicht 1013 ausgebildet wird, wie es in 10 schematisch dargestellt ist. Die Passivierungsschicht 1013 ist vorzugsweise eine Diamantschicht, welche mittels CVD ausgebildet werden kann. Diamant als Material der Passivierungsschicht 1013 hat gegenüber Siliziumnitrid den Vorteil, dass eine Diffusion von Kupferatomen in eine Diamantschicht hinein geringer ist als eine Diffusion von Kupferatomen in eine Siliziumnitridschicht hinein. Hierdurch können beim Verwenden einer Diamantschicht als Passivierungsschicht Auswirkungen von Elektromigration in der Kupfermetallisierungsschicht verringert werden.
  • Eine andere Anwendung, für welche eine Hilfsschicht aus Diamant geeignet ist, ist schematisch in 11 dargestellt und betrifft eine Verwendung einer Hilfsschicht aus Diamant in einer so genannten Air-Gap-Struktur.
  • Unter einer Air-Gap-Struktur wird in dieser Anmeldung eine Schichtanordnung verstanden, in welcher zum Zwecke des Verringerns der Dielektrizitätskonstante, und damit der parasitären Kapazitäten, der Schichtanordnung in Teilbereichen der Struktur keine Dielektrika sondern mit Gas, beispielsweise Luft, gefüllte Hohlraumstrukturen, so genannte Air-Gaps, vorgesehen sind. Hierdurch wird die Gesamtdielektrizitätszahl der Air-Gap-Struktur gesenkt. Die Hilfsschichten aus Diamant sind für das Herstellen solcher Air-Gap-Strukturen besonders geeignet, da sie einerseits eine geringere Dielektrizitätszahl als Schichten aus Siliziumnitrid aufweisen, andererseits weisen sie gleichzeitig durch die sehr hohe mechanische Härte des Diamant verbesserte mechanische Eigenschaften auf.
  • Eine solche Air-Gap-Struktur 1100 ist in 11 schematisch dargestellt. Eine Air-Gap-Struktur 1100 weist auf einer Mehrzahl von Ebenen Air-Gaps 1101 oder Hohlräume 1101 auf, welche durch eine Mehrzahl von Hilfsschichten oder Tragschichten 1102 gebildet werden. Gemäß dem Ausführungsbeispiel, welches im Zusammenhang mit 11 erläutert wird, ist zumindest eine der Hilfsschichten aus Diamant ausgebildet. In 11 sind schematisch zwei der Hohlräume mit einer Schicht 1103 gefüllt. Die Schicht 1103 ist nur schematisch dargestellt und kann beispielsweise eine Metallisierungsschicht, eine Halbleiterschicht oder eine beliebige Schicht sein, welche in integrierten elektronischen Schaltkreisen ausgebildet ist. Zum Beispiel kann die Schicht 1103 eine Leiterbahn, ein Teil eines Transistors oder ein Teil eines sonstiges elektronischen Schaltkreises sein.
  • Zusammenfassend kann ein Aspekt der Erfindung anschaulich darin gesehen werden, dass eine Hilfsschicht aus Diamant in Herstellungsprozesse von elektronischen Schaltkreisen, beispielsweise integrierten Schaltkreisen, und in die ausgebildeten elektronischen Schaltkreise integriert ist.
    •
    • 100
    Schichtanordnung
    101
    erste dielektrische Schicht
    102
    Metallisierungsschicht
    103
    erste Hilfsschicht aus Diamant
    104
    zweite dielektrische Schicht
    105
    zweite Hilfsschicht aus Diamant
    106
    dritte dielektrische Schicht
    107
    dritte Hilfsschicht aus Diamant
    208
    Photolackschicht
    209
    Loch
    308
    Photolackschicht
    309
    Graben
    310
    zusätzliche Photolackschicht
    408
    Photolackschicht
    711
    Barrieren- und Keimschicht
    812
    zusätzliche Metallisierungsschicht
    1013
    Passivierungsschicht

Claims (16)

  1. Verfahren zum Herstellen einer Schichtanordnung, bei dem eine erste leitfähige Schicht ausgebildet wird; bei dem eine Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant oberhalb der leitfähigen Schicht ausgebildet wird; bei dem zumindest eine dielektrische Schicht auf der Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant ausgebildet wird; bei dem die zumindest eine dielektrische Schicht unter Verwenden der Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant zumindest in Teilbereichen mittels Ätzens und/oder Polierens strukturiert wird; und bei dem in den strukturierten Teilbereichen eine zweite leitfähige Schicht ausgebildet wird.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem die Strukturierungs-Hilfsschicht als Stoppschicht verwendet wird.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem beim Strukturieren der zumindest einen dielektrischen Schicht ein Graben erzeugt wird, in welchem die zweite leitfähige Schicht ausgebildet wird.
  4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem beim Strukturieren der zumindest einen dielektrischen Schicht ein Via erzeugt wird, mittels welchem die erste leitfähige Schicht und die zweite leitfähige Schicht elektrisch miteinander koppelbar sind.
  5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem vor dem Strukturieren der zumindest einen dielektrischen Schicht und der Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant eine Photolackschicht aufgebracht wird, welche in einem Ätzschritt entfernt wird, in welchem gleichzeitig auch die Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant strukturiert wird.
  6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem eine zusätzliche Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant ausgebildet wird, welche beim Strukturieren der zumindest einen dielektrischen Schicht als Hartmaske verwendet wird.
  7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Stoppschicht als Ätzstoppschicht und/oder Polierstoppschicht verwendet wird.
  8. Schichtanordnung mit einer ersten leitfähigen Schicht; einer auf der ersten leitfähigen Schicht angeordneten Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant, einer auf der Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant angeordneten strukturierten dielektrischen Schicht, und einer zweiten leitfähigen Schicht, welche zumindest in Teilbereichen der strukturierten dielektrischen Schicht ausgebildet ist.
  9. Schichtanordnung gemäß Anspruch 8, bei der zumindest eine der leitfähigen Schichten aus Metall ist.
  10. Schichtanordnung gemäß Anspruch 8 oder 9, bei dem zumindest eine der leitfähigen Schichten aus Kupfer ist.
  11. Schichtanordnung gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, welche eine Passivierungsschicht aus Diamant aufweist.
  12. Schichtanordnung gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11, bei der die Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant zumindest ein Teil einer Ätzstoppschicht und/oder einer Polierstoppschicht ist.
  13. Schichtanordnung gemäß einem der Ansprüche 8 bis 12, welche eine Mehrzahl von Strukturierungs-Hilfsschichten aus Diamant aufweist, zwischen welchen jeweils eine Dielektrikumschicht ausgebildet ist.
  14. Schichtanordnung gemäß einem der Ansprüche 8 bis 13, bei dem die Schichtanordnung eine Air-Gap-Struktur ausbildet und die Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant eine Tragschicht der Air-Gap-Struktur bildet.
  15. Schichtanordnung gemäß einem der Ansprüche 8 bis 14, bei dem die erste leitfähige Schicht und die zweite leitfähige Schicht mittels eines Via elektrisch leitend miteinander gekoppelt sind, wobei sich das Via durch die Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant und die dielektrische Schicht hindurch erstreckt.
  16. Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, bei dem eine vergrabene Strukturierungs-Hilfsschicht aus Diamant eines Startsubstrats als Stoppschicht verwendet wird.
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