DE102004018476A1 - Leistungshalbleiteranordnung - Google Patents
Leistungshalbleiteranordnung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102004018476A1 DE102004018476A1 DE102004018476A DE102004018476A DE102004018476A1 DE 102004018476 A1 DE102004018476 A1 DE 102004018476A1 DE 102004018476 A DE102004018476 A DE 102004018476A DE 102004018476 A DE102004018476 A DE 102004018476A DE 102004018476 A1 DE102004018476 A1 DE 102004018476A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor device
- power semiconductor
- cooling
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/2405—Shape
- H01L2224/24051—Conformal with the semiconductor or solid-state device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleiteranordnung mit einem elektrisch isolierenden und thermisch leitenden Substrat, das zumindest auf einer Seite mit einer strukturierten Metallisierung versehen ist, einer Kühlvorrichtung, die mit der anderen Seite des Substrats in thermischem Kontakt steht, mindestens einem Halbleiterbauelement, das auf dem Substrat angeordnet ist und mit der strukturierten Metallisierung elektrisch verbunden ist, einer ganz oder teilweise elektrisch isolierenden Folie, die zumindest auf der das mindestens eine Halbleiterbauelement tragenden Seite des Substrats angeordnet ist und die auf das Substrat einschließlich oder ausschließlich des mindestens einen Halbleiterbauelements auflaminiert ist, und einer Anpressvorrichtung, die auf das Substrat über das mindestens eine Halbleiterbauelement eine Kraft ausübt, derart, dass das Substrat gegen die Kühleinrichtung gedrückt wird.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleiteranordnung.
- Leistungshalbleitermodule wie sie beispielsweise aus der
DE 199 42 915 A1 oder derDE 101 42 971 A1 bekannt sind, weisen einen isolierenden und thermisch leitenden Träger (Substrat) und ein oder mehrere darauf angeordnete Leistungshalbleiterelemente auf. Diese sind über auf derselben Oberseite des Substrats ausgebildete metallische Leiterbahnen miteinander sowie mit Kontaktflächen bzw. Kontaktelementen elektrisch verbunden. Die ebenfalls metallische, beispielsweise kupferbeschichtete Unterseite des Substrats wird durch Druckstücke auf einen Kühlkörper gepresst. Der Kühlkörper dient dazu, die bei Betrieb des Leistungshalbleitermoduls auftretende Wärme abzuführen. Die oben dargelegten Leistungshalbleitermodule werden häufig als bodenplattenlose Module bezeichnet, da zwischen dem Substrat und dem Kühlkörper keine Zwischenplatte aus Metall vorgesehen ist. - Bei der Anwendung von Leistungsmodulen ohne Bodenplatte ist es notwendig, die Keramiken fest an den Kühler zu drücken, da im Gegensatz zu Modulen mit Bodenplatte kein mechanisch befestigter Wärmeübergang (metallische Bodenplatte) vorhanden ist. Jedoch besteht bei den bisherigen bodenplattenlosen Leistungshalbleitermodulen das Problem, einen guten thermischen Kontakt herzustellen, ohne dabei die von den Halbleiterelementen wegführenden, zur weiteren Kontaktierung vorgesehenen Bondverbindungen zu beschädigen. Aufgrund der Bonddrähte ist es nicht möglich, direkt auf die Chips zu drücken, um den bestmöglichen thermischen Kontakt zwischen den Wärmequellen (Leistungshalbleiterbauelemente) und über das Substrat hinweg mit dem Kühlkörper zu erzielen. Die Forderung nach einem ausreichenden thermischen Kontakt zum Kühlkörper und die Tatsache, dass nur an bestimmten Stellen Druck auf das Substrat ausgeübt werden kann, führen häufig zu deutlichen Einschränkungen bei der Anwendung derartiger Leistungshalbleitermodule.
- Bei den bekannten Leistungshalbleitermodulen werden im Umfeld der Halbleiterbauelemente auf dem Substrat Stellen freigehalten, auf denen mittels Stempeln oder Federkontakten Druck auf das Substrat aufgebracht wird. Dabei drücken kleine Stempel, Stifte usw. auf das Substrat. Da die freie Fläche allerdings beschränkt ist, muss daher immer ein Optimum zwischen elektrisch nutzbarer Fläche und notwendiger Fläche zur Aufbringung der Druckkontaktflächen gefunden werden. Der Nachteil liegt hier in dem Flächenbedarf für die Druckstellen und der Tatsache, dass auf den eigentlichen Stellen, die einen guten Wärmekontakt benötigen, nicht direkt Druck aufgebracht werden kann, da diese mit Bonddrähten versehen sind. Aus der
DE 199 03 875 ist eine Anordnung bekannt, bei der anstelle von Bonddrähten eine spezielle Druckkontaktierung vorgesehen wird. Diese ist jedoch sehr aufwendig, bei bestimmten Anwendungen auch störanfällig und nur für einen begrenzten Anwendungsbereich einsetzbar. - Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Leistungshalbleiteranordnung anzugeben, die mit verringertem Aufwand eine verbesserte Entwärmung der Leistungshalbleiterelemente erlaubt.
- Die Aufgabe wird gelöst durch eine Leistungshalbleiteranordnung gemäß Patentanspruch 1. Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand von Unteransprüchen.
- Erfindungsgemäß werden durch die Kontaktierung der Anschlussflächen von Leistungshalbleiterelementen mittels Folienlaminiertechnik anstelle von Bondtechnik großflächige Kontaktflächen erzeugt, bei denen es nun vorgesehen ist, auf diese direkt mit Stempeln, Stiften usw. Druck auszuüben, so dass die Halbleiterbauelemente den maximalen Wärmekontakt erzielen und somit eine sehr gute thermische Anbindung exakt an der Stelle der Wärmeerzeugung erreicht wird. Durch das Aufdrücken an den heißesten Stellen des Moduls kann somit eine optimale Entwärmung erfolgen.
- Im Einzelnen umfasst eine erfindungsgemäße Leistungshalbleiteranordnung ein elektrisch isolierendes und thermisch leitendes Substrat, dass zumindest auf einer Seite mit einer strukturierten Metallisierung versehen ist. Als Substrate kommen beliebige Schaltungsträger auf organischer oder anorganischer Basis infrage. Solche Substrate sind beispielsweise PCB (Printed Circuit Board), DCB (Direkt Copper Bonding), IM (Insulated Metal), HTCC (High Temperature Cofired Ceramics) und LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics). Diese Substrate weisen zumindest auf einer Seite eine Metallisierung beispielsweise aus Kupfer oder Aluminium auf. Die Seite des Substrats, auf der die Leistungshalbleiterelemente angeordnet sind, weist dabei bevorzugt eine strukturierte Metallisierung (z. B. Leiterbahnen) zum Kontaktieren der Leistungshalbleiterelemente untereinander sowie mit anderen Bauelementen und Kontaktelementen auf.
- Auf der anderen Seite des Substrats ist eine Kühlvorrichtung wie beispielsweise ein Kühlkörper, ein Kühlblock oder eine Kühlplatte vorgesehen, welche in thermischem Kontakt mit dem Substrat steht. Die Kühlvorrichtung dient dazu, unmittelbar das Substrat und damit mittelbar auf dem Substrat angeordnete Bauelemente zu entwärmen.
- Als Bauelement ist mindestens ein Halbleiterbauelement vorgesehen, das auf dem Substrat auf der der Kühlvorrichtung abgewandten Seite angeordnet ist und mit der strukturierten Metallisierung elektrisch verbunden ist. Über das mindestens eine Halbleiterbauelement sowie über weitere Bauelemente, Kontaktelemente sowie freie Stellen des Substrats hinweg, erstreckt sich großflächig eine ganz oder teilweise elektrisch isolierende Folie, die durch auf Auflaminieren großflächig befestigt ist. Wie bereits erwähnt, kann diese Folie einerseits ausschließlich zur Isolation dienen, andererseits aber auch mit Leitungsstrukturen wie beispielsweise Leiterbahnen, Leiterflächen und ähnlichem versehen sein, so dass sie wie eine flexible Leiterplatte wirkt. Die Leiterbahnen können dabei aus Metall oder leitendem Kunststoff bestehen. Darüber hinaus kann auch ein Verbund mehrerer Folien verwendet werden, das heißt mehrere Schichten von Folien und Metallisierungen etc. übereinander, wobei die Schichten in beliebiger Reihenfolge und Ausgestaltung isolierend und/oder teilweise elektrische leitend bzw. vollständig elektrisch leitend sein können.
- Schließlich ist erfindungsgemäß eine Anpressvorrichtung vorgesehen, die auf das Substrat über das mindestens eine Halbleiterbauelement eine Kraft ausübt derart, dass das Substrat gegen die Kühleinrichtung gedrückt wird. Anpressvorrichtung und Kühlvorrichtung sind also derart angeordnet, dass alle zwischen ihnen angeordneten Elemente, das heißt Halbleiterbauelemente, Bauelemente, Kontaktelemente, Folien, Substrat usw. zusammengedrückt und damit eine Wärmeableitung zum Kühlkörper ermöglicht wird. Dies ist insbesondere wichtig im Hinblick auf das mindestens eine Halbleiterbauelement, das bei Leistungshalbleiteranordnungen die wesentliche Wärmequelle darstellt.
- Die Anpressvorrichtung kann dabei ein elastisches Element aufweisen, das die Kraft zum andrücken des Substrates bereitstellt. Als elastische Elemente kommen beispielsweise Federn oder federnde Elemente, Kissen aus elastischem Material oder ähnliches infrage. Dabei kann das elastische Element direkt an der gewünschten Stelle angreifen oder aber indirekt mittels eines starren Elements. Derartige starre Elemente sind beispielsweise Stifte, Stempel, Blöcke oder sonstige zur Druckübertragung und Druckeinbringung an den gewünschten Stellen geeignete Elemente. Zum Abstützen der Anpressvorrich tung an der Kühleinrichtung können federnde oder starre Bügel, Gehäuse oder Gehäuseteile oder sonstige Stützkonstruktionen verwendet werden. Die Folie bzw. die Folien können entweder über das mindestens eine Halbleiterbauelement hinweg sich erstrecken oder aber im Bereich des mindestens einen Halbleiterbauelements eine Aussparung aufweisen, wobei dann je nach Fall, die Anpressvorrichtung mittelbar (über die Folie bzw. Folien) oder unmittelbar, das heißt direkt auf das Halbleiterbauelement einwirkt. Für den Fall, dass die Anpressvorrichtung direkt mit dem Halbleiterbauelement in Berührung kommt, kann zudem vorgesehen werden, dass die Anpressvorrichtung auch zum Entwärmen bzw. zum elektrischen Kontaktieren des mindestens einen Halbleiterbauelements vorgesehen wird.
- Die Anpressvorrichtung kann aber auch dazu eingesetzt werden, freie Stellen des Substrats, andere Bauelemente oder Kontaktelemente falls nötig gegen die Kühleinrichtung zu drücken.
- Um einen guten Wärmeübergang zwischen Substrat und Kühlvorrichtung zu bewirken, kann vorteilhafter Weise das Substrat eine vollständige oder teilweise Metallisierung beispielsweise mit Kupfer oder Aluminium aufweisen.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figurenzeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiele erläutert. Es zeigt:
-
1 eine erste allgemeine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleiteranordnung, -
2 eine erste alternative Ausführungsform einer Anpressvorrichtung für ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul und -
3 eine zweite alternative Ausführungsform für eine Anpressvorrichtung für ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul, -
4 eine dritte alternative Ausführungsform für eine Anpressvorrichtung für ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul, und -
5 eine vierte alternative Ausführungsform für eine Anpressvorrichtung für ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul. - In dem Ausführungsbeispiel nach
1 ist auf einen als Kühlvorrichtung dienenden, Kühlrippen aufweisenden Kühlkörper1 ein Substrat2 angebracht, das an ihrer zum Kühlkörper1 zugewandten Seite eine durchgängige Metallisierung3 (beispielsweise Kupfer- oder Aluminium-Metallisierung) aufweist. Die andere Seite des Substrats2 weist eine strukturierte Metallisierung4 auf, auf der zwei Halbleiterbauelemente5 und6 aufgelötet sind. Auf das Substrat2 sind über die Halbleiterbauelemente5 und6 sowie die Metallisierung4 hinweg eine Folie7 auflaminiert, wobei die Folie7 über dem Halbleiterbauelement6 eine Aussparung aufweist. Über die vorstehend genannte Anordnung hinweg ist ein federnder Bügel8 isoliert an dem Kühlkörper1 befestigt derart, dass zwischen dem Bügel8 und der obersten Schicht der Anordnung, der auflaminierten Folie7 ein bestimmter Abstand gegeben ist. - Der Bügel
8 ist federnd ausgeführt und weist an den Stellen, die den Halbleiterbauelementen5 und6 sowie einer nur die Metallisierung4 aufweisenden Stelle des Substrats2 gegenüberliegenden Stelle9 zum Substrat2 hin gerichtete Ausformungen10 auf. Zwischen die Ausformungen10 und der Stelle9 bzw. den Halbleiterbauelementen5 und6 sind Metallstempel11 in entsprechender Länge eingefügt, welche die von dem Bügel8 bereitgestellte Federkraft starr auf die Stelle9 bzw. die Halbleiterbauelemente5 und6 übertragen. Auf diese Weise wird das Substrat2 insbesondere an den entsprechenden Stellen gegen den Kühlkörper1 gedrückt. Damit wird im Falle der Halbleiterbauelemente5 und6 die eigentliche Wärmequelle selbst mittelbar über das Substrat gegen den Kühlkörper gepresst und somit eine bessere Entwärmung erzielt. Die Krafteinleitung an der Stelle9 hingegen dient rein zur generellen Stabilisierung und Befestigung des Substrats2 . - Da im vorliegenden Fall die Stempel voll aus Metall gefertigt sind, können diese zum Einen ebenfalls Wärme aufnehmen und beispielsweise an den Bügel
8 weiterleiten und zum Anderen im Falle des Halbleiterbauelementes6 dieses auch elektrisch kontaktieren, da das Halbleiterbauelement6 nicht von der Folie7 überdeckt wird. Der Anschlussbügel8 wird daher auch als elektrische Stromschiene verwendet. - In den
2 bis5 sind verschiedene Ausführungsformen von Anpresseinrichtungen gezeigt, wobei der Einfachheit halber jeweils nur von einem einzigen Halbleiterbauelement12 ausgegangen wird, das auf die Metallisierung13 eines Substrats14 befestigt ist. Das Substrat14 ist nur einseitig metallisiert und steht mit seiner anderen Seite mit einem Kühlkörper15 in Berührung. Über die Anordnung aus Substrat14 , Metallisierung13 und Halbleiterbauelement12 ist eine Folie15 auflaminiert, wobei bei den Ausführungsbeispielen nach3 und5 die Folie über dem Halbleiterbauelement12 eine Aussparung aufweist. - Bei dem Ausführungsbeispiel nach
2 ist ein Gehäusedeckel17 vorgesehen, der beispielsweise aus Kunststoff besteht und der im Bereich des Halbleiterbauelementes12 eine zu diesem hin gerichtete Ausformung mit einstückig angeformtem Stempel18 aufweist. Der Gehäusedeckel17 selbst ist elastisch und im Bereich der Anformung des Stempels18 durch eine Querschnittsverjüngung19 noch elastischer gehalten. - Bei dem Ausführungsbeispiel nach
3 wird ein starrer Deckel20 aus Metall verwendet. Gegen diesen Deckel20 stützt sich eine Spiralfeder einerseits ab, die andererseits direkt auf das Halbleiterelement12 drückt, so dass dieses wiederum über das Substrat14 gegen den Kühlkörper15 gedrückt wird zum Zwecke der Entwärmung des Halbleiterbauelementes12 . Da die Spiralfeder21 und der Gehäusedeckel20 aus Metall gefertigt sind, können beide ähnlich wie die beim Ausführungsbeispiel nach1 zur Kontaktierung des Halbleiterbauelementes12 herangezogen werden. - Das in
4 gezeigte Ausführungsbeispiel geht aus dem in2 gezeigten Ausführungsbeispiel dadurch hervor, dass die Ausformung im Bereich des Halbleiterbauelementes12 hohlzylinderförmig einen Bodenabschnitt22 bildend ausgeformt ist. Dieser Bodenabschnitt22 dient dabei zum Andrücken unmittelbar an die Folie16 und über diese mittelbar auf das Halbleiterbauelement12 . Die Kraft wird dabei durch die Elastizität des aus Kunststoff gefertigten Deckels17 erzeugt. - Das Ausführungsbeispiel nach
5 geht schließlich aus dem Ausführungsbeispiel nach3 dadurch hervor, dass die Spiralfeder21 durch ein elektrisch leitendes elastisches Gummikissen ersetzt wird. - Die oben genannten Anordnungen können in beliebiger Weise abgeändert werden und für beliebige Leistungshalbleiteranordnungen auch im Umfang von passiven Bauelementen, aktiven Steuerungselementen (z.B. integrierten Schaltungen) sowie Kontakt- und Stromführungselementen verwendet werden. Es können dabei isolierende, teilweise isolierende, vollständig leitende Folien und daraus gebildete Folienverbunde einschließlich Metalllagen in gleicher Weise verwendet werden. Als Material für isolierende Folien bzw. den isolierenden Teil von Folien werden vorzugsweise Polyimid-, Polyethylen-, Polyphenol-, Polyetheretherketon- und/oder Epoxidmaterialien verwendet. Das Laminieren kann unter Druck oder im Vakuum und bei Raumtemperatur oder bevorzugt höheren Temperaturen im speziellen Laminierkammern erfolgen.
- Durch die Kontaktierung der Anschlussflächen mittels Fototechnik können großflächig Kontaktflächen erzeugt werden. Erfindungsgemäß dabei nun vorgesehen, auf diese Flächen direkt mit Stempeln oder Stiften Druck auf die gesamte Anordnung auszuüben. Besonders vorteilhaft ist dabei, dass es möglich ist, direkt über das Leistungshalbleiterbauelement mittels eines Stempels, einer Feder, eines Stifts oder dergleichen aufzudrücken und somit hier für eine sehr gute thermische Anbindung exakt an der Stelle der Wärmeerzeugung zu sorgen. Durch das exakte Aufdrücken an den heißesten Stellen des so erzeugten Leistungshalbleitermoduls kann somit eine optimale Entwärmung erfolgen. Darüber hinaus kann auch der Druckstempel als Entwärmungsmittel genutzt werden. Je nach Ausbildung einer Isolationsschicht, kann der Stempel nur die Funktion eines Druckstempels, aber auch zusätzlich bei Weglassen der Isolation direkt als Stromanschluss dienen. Darüber hinaus wird durch diese Maßnahme die Entwärmung weiter verbessert.
-
- 1
- Kühlkörper
- 2
- Substrat
- 3
- durchgängige Metallisierung
- 5, 6
- Halbleiterbauelemente
- 7
- Folie
- 8
- Bügel
- 9
- Stelle
- 10
- Ausformungen
- 11
- Metallstempel
- 12
- Halbleiterbauelement
- 13
- Metallisierung
- 14
- Substrat
- 15
- Kühlkörper
- 16
- Folie
- 17
- Gehäusedeckel
- 18
- Stempel
- 19
- Querschnittsverjüngung
- 20
- starrer Deckel
- 21
- Spiralfeder
- 22
- Bodenabschnitt
- 23
- Anpressvorrichtung
Claims (10)
- Leistungshalbleiteranordnung mit einem elektrisch isolierenden und thermisch leitenden Substrat (
2 ,14 ), das zumindest auf einer Seite mit einer strukturierten Metallisierung (4 ,13 ) versehen ist, einer Kühlvorrichtung (1 ,15 ), die mit der anderen Seite des Substrats (2 ,14 ) in thermischem Kontakt steht, mindestens einem Halbleiterbauelement (5 ,6 ,12 ), das auf dem Substrat (2 ,14 ) angeordnet ist und mit der strukturierten Metallisierung (4 ,13 ) elektrisch verbunden ist, einer ganz oder teilweise elektrisch isolierenden Folie (7 ,16 ), die zumindest auf der das mindestens eine Halbleiterbauelement (5 ,6 ,12 ) tragenden Seite des Substrats (2 ,14 ) angeordnet ist und die auf das Substrat (2 ,14 ) einschließlich oder ausschließlich des mindestens einen Halbleiterbauelementes (5 ,6 ,12 ) auflaminiert ist, und einer Anpressvorrichtung (8 ,11 ,17 ,29 ,21 ,22 ,23 ), die auf das Substrat (2 ,14 ) über das mindestens eine Halbleiterbauelement (5 ,6 ,12 ) eine Kraft ausübt derart, dass das Substrat (2 ,14 ) gegen die Kühleinrichtung (1 ,15 ) gedrückt wird. - Leistungshalbleiteranordnung nach Anspruch 1, bei dem die Anpressvorrichtung (
8 ,11 ,17 ,20 ,21 ,22 ,23 ) ein elastisches Element (8 ,17 ,21 ,22 ,23 ) aufweist, das die Kraft zum Andrücken des Substrates (2 ,14 ) bereitstellt. - Leistungshalbleiteranordnung nach Anspruch 2, bei dem die Anpressvorrichtung (
8 ,11 ,17 ,20 ,21 ,22 ,23 ) ein zwischen dem elastischen Element (8 ,19 ) und dem mindestens einen Halbleiterbauelement (5 ,6 ,12 ) angeordnetes starres Element aufweist. - Leistungshalbleiteranordnung nach Anspruch 1, bei dem die Anpressvorrichtung (
8 ,11 ,17 ,20 ,21 ,22 ,23 ) an der Kühleinrichtung (1 ,15 ) abgestützt ist. - Leistungshalbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die auflaminierte Folie (
7 ,16 ) sich über mindestens ein Halbleiterbauelement (5 ,12 ) hinweg erstreckt und die Anpressvorrichtung (8 ,11 ,17 ,20 ,21 ,22 ,23 ) über die Folie (7 ,16 ) und das mindestens eine Halbleiterbauelement (5 ,12 ) eine Kraft auf das Substrat (2 ,14 ) ausübt. - Leistungshalbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die auflaminierte Folie (
7 ,16 ) im Bereich des mindestens einen Halbleiterbauelements (6 ,12 ) eine Aussparung aufweist und die Anpressvorrichtung (8 ,11 ,17 ,20 ,21 ,22 ,23 ) durch die Aussparung hindurch und über das mindestens eine Halbleiterbauelement (6 ,12 ) eine Kraft auf das Substrat (2 ,14 ) ausübt. - Leistungshalbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Anpressvorrichtung (
8 ,11 ,17 ,20 ,21 ,22 ,23 ) auch zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements (6 ,12 ) vorgesehen ist. - Leistungshalbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die Anpressvorrichtung (
11 ) auch zur Entwärmung des Halbleiterbauelements (6 ) vorgesehen ist. - Leistungshalbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die Anpressvorrichtung (
8 ,11 ) auch an anderen Stellen (9 ) als an Halbleiterbauelemente (5 ,6 ) aufweisenden Stellen eine Kraft auf das Substrat (2 ) ausübt. - Leistungshalbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem das Substrat (
2 ) auf der der Kühleinrichtung zugewandten Seite eine Metallisierung (3 ) aufweist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004018476A DE102004018476B4 (de) | 2004-04-16 | 2004-04-16 | Leistungshalbleiteranordnung mit kontaktierender Folie und Anpressvorrichtung |
US11/107,225 US7557442B2 (en) | 2004-04-16 | 2005-04-15 | Power semiconductor arrangement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004018476A DE102004018476B4 (de) | 2004-04-16 | 2004-04-16 | Leistungshalbleiteranordnung mit kontaktierender Folie und Anpressvorrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004018476A1 true DE102004018476A1 (de) | 2005-11-03 |
DE102004018476B4 DE102004018476B4 (de) | 2009-06-18 |
Family
ID=35070511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102004018476A Revoked DE102004018476B4 (de) | 2004-04-16 | 2004-04-16 | Leistungshalbleiteranordnung mit kontaktierender Folie und Anpressvorrichtung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7557442B2 (de) |
DE (1) | DE102004018476B4 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006006425B4 (de) * | 2006-02-13 | 2009-06-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
EP2211384A3 (de) * | 2009-01-23 | 2010-11-03 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung mit aktiver Kühleinrichtung |
DE102017125052A1 (de) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einer Schalteinrichtung und Leistungshalbleitereinrichtung mit einem derartigen Leistungshalbleitermodul |
WO2020012143A1 (en) * | 2018-07-11 | 2020-01-16 | Dynex Semiconductor Limited | Semiconductor device sub-assembly |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7821123B2 (en) * | 2005-09-13 | 2010-10-26 | Delphi Technologies, Inc. | LED array cooling system |
DE102005053396B4 (de) * | 2005-11-09 | 2010-04-15 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Schaltungseinrichtung, insbesondere Frequenzumrichter |
DE102006013017B4 (de) * | 2006-03-20 | 2014-11-06 | R. Stahl Schaltgeräte GmbH | Gehäuse mit Wärmebrücke |
US7772036B2 (en) * | 2006-04-06 | 2010-08-10 | Freescale Semiconductor, Inc. | Lead frame based, over-molded semiconductor package with integrated through hole technology (THT) heat spreader pin(s) and associated method of manufacturing |
US7440282B2 (en) * | 2006-05-16 | 2008-10-21 | Delphi Technologies, Inc. | Heat sink electronic package having compliant pedestal |
DE102006052620B4 (de) * | 2006-11-08 | 2009-07-09 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Schaltungsanordnung mit einem Leistungsmodul, das mit einer Leiterplatte kombiniert ist. |
ATE482469T1 (de) * | 2007-02-05 | 2010-10-15 | Siemens Ag | Leistungshalbleitermodul |
EP1990830A1 (de) * | 2007-04-12 | 2008-11-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleitermodul |
US7732917B2 (en) * | 2007-10-02 | 2010-06-08 | Rohm Co., Ltd. | Power module |
AT507352B1 (de) * | 2008-10-01 | 2013-04-15 | Siemens Ag | Kühlanordnung |
JP4634498B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2011-02-16 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
DE102009015757A1 (de) * | 2009-04-01 | 2010-10-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Druckunterstützung für eine elektronische Schaltung |
DE102009002993B4 (de) * | 2009-05-11 | 2012-10-04 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodul mit beabstandeten Schaltungsträgern |
DE102010010097A1 (de) * | 2010-03-01 | 2011-09-01 | Esw Gmbh | Kompakter Laser-Entfernungsmesser |
US9029991B2 (en) * | 2010-11-16 | 2015-05-12 | Conexant Systems, Inc. | Semiconductor packages with reduced solder voiding |
JP5720625B2 (ja) * | 2012-06-04 | 2015-05-20 | トヨタ自動車株式会社 | 伝熱部材とその伝熱部材を備えるモジュール |
FR2995138B1 (fr) * | 2012-08-29 | 2018-02-23 | Valeo Systemes De Controle Moteur | Organe de plaquage d'une piece sur une surface |
DE102014203225A1 (de) | 2014-02-24 | 2015-01-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung und Verfahren zur Abfuhr der Wärmeverluste von elektrischen Bauelementen hoher Pulsleistung |
US20150305192A1 (en) * | 2014-04-16 | 2015-10-22 | Tesla Motors, Inc. | Dielectric thermal pad using dual-sided thermally conductive adhesive on ceramic |
DE102015107109B4 (de) | 2015-05-07 | 2023-10-05 | Infineon Technologies Ag | Elektronische Vorrichtung mit einem Metallsubstrat und einem in einem Laminat eingebetteten Halbleitermodul |
JP6395947B2 (ja) * | 2015-10-05 | 2018-09-26 | 三菱電機株式会社 | 電子制御装置 |
JP6274196B2 (ja) * | 2015-12-16 | 2018-02-07 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電気接続箱 |
DE102016115221A1 (de) | 2016-08-17 | 2018-02-22 | Karlsruher Institut für Technologie | Verfahren zum Verbinden von mindestens zwei Substraten zur Bildung eines Moduls |
DE102016216672A1 (de) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | Robert Bosch Gmbh | Elektrische Vorrichtung mit einem Gehäuse mit Andruckelementen |
JP6809294B2 (ja) * | 2017-03-02 | 2021-01-06 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
CN110520981A (zh) * | 2017-04-21 | 2019-11-29 | 三菱电机株式会社 | 功率转换装置 |
CN109756076B (zh) * | 2017-11-01 | 2022-05-20 | 德昌电机(深圳)有限公司 | 电机 |
DE102018110132B3 (de) * | 2018-04-26 | 2018-11-29 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Drucksinterverfahren bei dem Leistungshalbleiterbauelemente mit einem Substrat über eine Sinterverbindung miteinander verbunden werden |
EP3926670A1 (de) * | 2020-06-15 | 2021-12-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungshalbleitermodul mit zumindest einem leistungshalbleiterelement |
JP7301805B2 (ja) * | 2020-09-24 | 2023-07-03 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
IT202100008036A1 (it) * | 2021-03-31 | 2022-10-01 | St Microelectronics Srl | Striscia di connessione per dispositivi elettronici discreti e/o di potenza e dispositivo elettronico discreto e/o di potenza connesso mediante tale striscia di connessione |
EP4141922A1 (de) * | 2021-08-26 | 2023-03-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungselektronische baugruppe |
EP4224521A1 (de) | 2022-02-07 | 2023-08-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiteranordnung mit einem halbleiterelement mit einem durch thermisches spritzen hergestellten kontaktierungselement sowie ein verfahren zur herstellung desselben |
WO2023241788A1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. | Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19617055C1 (de) * | 1996-04-29 | 1997-06-26 | Semikron Elektronik Gmbh | Halbleiterleistungsmodul hoher Packungsdichte in Mehrschichtbauweise |
US5705853A (en) * | 1995-08-17 | 1998-01-06 | Asea Brown Boveri Ag | Power semiconductor module |
DE69413160T2 (de) * | 1993-07-27 | 1999-02-18 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleiterbauelement mit Druckkontakt |
DE10121970A1 (de) * | 2001-05-05 | 2002-11-28 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung |
WO2003030247A2 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum kontaktieren elektrischer kontaktflächen eines substrats und vorrichtung aus einem substrat mit elektrischen kontaktflächen |
DE10149886A1 (de) * | 2001-10-10 | 2003-04-30 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistunghalbleitermodul |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE757473A (fr) | 1969-10-22 | 1971-03-16 | Prohaska Hans | Bande de gaze destinee plus particulierement aux boites a pansements des vehicules automobiles |
DE4111247C3 (de) * | 1991-04-08 | 1996-11-21 | Export Contor Ausenhandelsgese | Schaltungsanordnung |
JPH10335579A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Toshiba Corp | 大電力半導体モジュール装置 |
DE19903875C2 (de) * | 1999-02-01 | 2001-11-29 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleiterschaltungsanordnung, insbesondere Stromumrichter, in Druckkontaktierung |
DE19942915A1 (de) * | 1999-09-08 | 2001-03-15 | Still Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
DE10142971A1 (de) | 2001-09-01 | 2003-03-27 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleitermodul |
-
2004
- 2004-04-16 DE DE102004018476A patent/DE102004018476B4/de not_active Revoked
-
2005
- 2005-04-15 US US11/107,225 patent/US7557442B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69413160T2 (de) * | 1993-07-27 | 1999-02-18 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleiterbauelement mit Druckkontakt |
US5705853A (en) * | 1995-08-17 | 1998-01-06 | Asea Brown Boveri Ag | Power semiconductor module |
DE19617055C1 (de) * | 1996-04-29 | 1997-06-26 | Semikron Elektronik Gmbh | Halbleiterleistungsmodul hoher Packungsdichte in Mehrschichtbauweise |
DE10121970A1 (de) * | 2001-05-05 | 2002-11-28 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung |
WO2003030247A2 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum kontaktieren elektrischer kontaktflächen eines substrats und vorrichtung aus einem substrat mit elektrischen kontaktflächen |
DE10149886A1 (de) * | 2001-10-10 | 2003-04-30 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistunghalbleitermodul |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006006425B4 (de) * | 2006-02-13 | 2009-06-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
EP2211384A3 (de) * | 2009-01-23 | 2010-11-03 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung mit aktiver Kühleinrichtung |
DE102017125052A1 (de) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einer Schalteinrichtung und Leistungshalbleitereinrichtung mit einem derartigen Leistungshalbleitermodul |
DE102017125052B4 (de) * | 2017-10-26 | 2020-03-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einer Schalteinrichtung und Leistungshalbleitereinrichtung mit einem derartigen Leistungshalbleitermodul |
WO2020012143A1 (en) * | 2018-07-11 | 2020-01-16 | Dynex Semiconductor Limited | Semiconductor device sub-assembly |
US11574894B2 (en) | 2018-07-11 | 2023-02-07 | Dynex Semiconductor Limited | Semiconductor device sub-assembly |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050230820A1 (en) | 2005-10-20 |
US7557442B2 (en) | 2009-07-07 |
DE102004018476B4 (de) | 2009-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102004018476B4 (de) | Leistungshalbleiteranordnung mit kontaktierender Folie und Anpressvorrichtung | |
DE102009002191B4 (de) | Leistungshalbleitermodul, Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung | |
DE102004018469B3 (de) | Leistungshalbleiterschaltung | |
DE102008048005B3 (de) | Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung | |
DE102007014789B3 (de) | Anordnung mindestens eines Leistungshalbleitermoduls und einer Leiterplatte und Leistungshalbleitermodul | |
DE102008009510B3 (de) | Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern | |
DE102015110653A1 (de) | Doppelseitiges Kühl-Chipgehäuse und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE102009002519A1 (de) | Gekapselte Schaltungsvorrichtung für Substrate mit Absorptionsschicht sowie Verfahren zu Herstellung derselben | |
EP3273473B1 (de) | Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung | |
EP1870934A1 (de) | Stromrichtermodul | |
DE19722357C1 (de) | Steuergerät | |
DE102011101052A1 (de) | Substrat mit elektrisch neutralem Bereich | |
EP1672692B1 (de) | Leistungshalbleiter-Modul | |
DE102004018477A1 (de) | Halbleitermodul | |
WO2005106954A2 (de) | Leistungshalbleiterschaltung und verfahren zum herstellen einer leistungshalbleiterschaltung | |
DE102015221062B4 (de) | Halbleiterschaltungsanordnung mit gepresstem gel und montageverfahren | |
DE102014213545A1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE10204200A1 (de) | Leistungsmodul | |
EP1455391B1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Sensorikbauteil | |
DE102016105783A1 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung | |
DE19529237C1 (de) | Schaltungsanordnung | |
DE102004051039B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Druckkontakteinrichtung | |
EP3053192B1 (de) | Schaltungsvorrichtung und verfahren zu deren herstellung | |
EP2193544B1 (de) | Vorrichtung zum kühlen von elektronischen bauteilen | |
DE102005061772B4 (de) | Leistungshalbleitermodul |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
8363 | Opposition against the patent | ||
8331 | Complete revocation | ||
R037 | Decision of examining division or of federal patent court revoking patent now final |
Effective date: 20110301 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: OANDO OPPERMANN & OPPERMANN LLP, DE |