DE102004011203A1 - Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung - Google Patents

Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung Download PDF

Info

Publication number
DE102004011203A1
DE102004011203A1 DE102004011203A DE102004011203A DE102004011203A1 DE 102004011203 A1 DE102004011203 A1 DE 102004011203A1 DE 102004011203 A DE102004011203 A DE 102004011203A DE 102004011203 A DE102004011203 A DE 102004011203A DE 102004011203 A1 DE102004011203 A1 DE 102004011203A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor chip
mounting
area
housing
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102004011203A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004011203B4 (de
Inventor
Kurt Weiblen
Hubert Benzel
Regina Grote
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102004011203A priority Critical patent/DE102004011203B4/de
Priority to US11/065,638 priority patent/US20050194685A1/en
Priority to IT000319A priority patent/ITMI20050319A1/it
Priority to JP2005059515A priority patent/JP2005249795A/ja
Publication of DE102004011203A1 publication Critical patent/DE102004011203A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102004011203B4 publication Critical patent/DE102004011203B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0045—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
    • B81B7/0048—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between the MEMS die and the substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
    • G01L19/0636—Protection against aggressive medium in general using particle filters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/141—Monolithic housings, e.g. molded or one-piece housings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/145—Housings with stress relieving means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/171—Disposition
    • H01L2224/1712—Layout
    • H01L2224/1715—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/2902—Disposition
    • H01L2224/29034—Disposition the layer connector covering only portions of the surface to be connected
    • H01L2224/29035—Disposition the layer connector covering only portions of the surface to be connected covering only the peripheral area of the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys

Abstract

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleiterchips (5; 5') mit einer Oberfläche, die einen Membranbereich (55; 55') und einen Peripheriebereich aufweist, wobei der Peripheriebereich einen Montagebereich (MB) aufweist; Vorsehen eines Substrats (1; 10; 10'), welches eine Oberfläche mit einer Aussparung (11; 11') aufweist; Montieren des Montagebereichs (MB) des Halbleiterchips (5) in Flip-Chip-Technik auf die Oberfläche des Substrats (10; 10'), derart, dass eine Kante (K) der Aussparung (11; 11') zwischen dem Montagebereich (MB) und dem Membranbereich (55) liegt; und Unterfüllen des Montagebereichs (MB) mit einer Unterfüllung (28), wobei die Kante (K) der Aussparung (11; 11') als Abrissbereich für die Unterfüllung (28) dient, so dass keine Unterfüllung (28) in den Membranbereich (55) gelangt. Die Erfindung schafft ebenfalls eine entsprechende Halbleiterchipanordnung.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechende Halbleiterchipanordnung.
  • Obwohl auf beliebige Halbleiterchipanordnungen anwendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrundeliegende Problematik in bezug auf eine mikromechanische Halbleiterchipanordnung mit einem Drucksensor erläutert.
  • 7 zeigt ein erstes Beispiel für ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
  • In 7 bezeichnet Bezugszeichen 100 einen TO8-Sockel, der beispielsweise aus Kovar hergestellt ist. Bezugszeichen 5 ist ein mikromechanischer Silizium-Drucksensorchip mit piezoresistiven Wandlerelementen 51, die auf einer Membran 55 untergebracht sind. Zur Herstellung der Membran 55 wird eine Kaverne 58 auf der Rückseite des betreffenden Silizium-Drucksensorchips 5 eingebracht, beispielsweise durch anisotropes Ätzen, z.B. mit KOH oder TMAH. Alternativ kann die Membran 55 auch durch Trench-Ätzen hergestellt werden.
  • Der Sensorchip 5 kann aus einer reinen Widerstandsbrücke mit piezoresistiven Widerständen bestehen oder kombiniert sein mit einer Auswerteschaltung, die zusammen mit den Piezowiderständen in einen Halbleiterprozess integriert wird. Ein Glassockel 140 aus natriumhaltigen Glas, der auf die Rückseite des Chips 5 anodisch gebondet ist, dient zur Reduzierung von mechanischer Spannung, die durch Lot oder Kleber 70 hervorgerufen wird, mittels dem der Glassockel 140 auf dem TO8-Sockel 100 aufgebracht ist. Bezugszeichen 53 in 7 bezeichnet ein Bondpad einer nicht näher dargestellten integrierten Schaltung 52, das über einen Bonddraht 60 mit einer elektrischen Anschlusseinrichtung 130 verbunden ist, welche wiederum durch eine Isolationsschicht 131 von dem TO8-Sockel 100 isoliert ist. Der Glassockel 140 weist eine Durchgangsöffnung 141 auf, welche die Kaverne 58 über eine Durchgangsöffnung 101 des TO8-Sockels 100 und eine daran angesetzte Anschlusseinrichtung 120 mit dem extern herrschenden Druck P verbindet. Der in 7 gezeigte Aufbau wird üblicherweise noch mit einer nicht gezeigten Metallkappe hermetisch dicht verschweisst.
  • Allerdings weist ein derartiger Aufbau den Nachteil auf, dass er umständlich ist und häufig Probleme beim hermetischen Einschliessen des Sensorchips 5 auftreten, beispielsweise wegen undichter Schweissnähte, o.ä. Da das TO8-Gehäuse und das Silizium unterschiedliche Temperaturausdehnungskoeffizienten haben, entstehen mechanische Spannungen bei Temperaturwechseln, die von Piezowiderständen als Störsignal gemessen werden.
  • 8 zeigt ein zweites Beispiel für ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
  • Dieses zweite Beispiel sieht vor, den Sensorchip 5 über einen Glassockel 140', der keine Durchgangsöffnung aufweist, auf ein Substrat 1 aus einer Keramik oder Kunststoff zu kleben und zum Schutz gegen Umwelteinflüsse mit einem Gel 2 zu passivieren. Zusätzlich vorgesehen über der Chipanordnung auf dem Substrat 1 ist eine Schutzkappe 13 mit einer Durchgangsöffnung 15 für den anzulegenden Druck P. Auch weist der Glassockel 140' bei diesem Beispiel keine Durchgangsöffnung auf, da der Druck P von der anderen Seite angelegt wird.
  • Bei Verwendung eines solchen Gels 2 wird der Maximaldruck nachteiligerweise durch das Gel 2 bestimmt, da Gas in das Gel 2 eindiffundiert und bei plötzlicher Druckerniedrigung Gasblasen im Gel 2 entstehen, die das Gel 2 zerstören.
    •
  • VORTEILE DER ERFINDUNG
  • Das erfindungsgemässe Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und die entsprechende Halbleiterchipanordnung gemäss Anspruch 10 weisen gegenüber den bekannten Lösungsansätzen den Vorteil auf, dass ein einfacher kostengünstiger und spannungsunempfindlicher Aufbau ermöglicht wird.
  • Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht in einer überhängenden Aufbauweise eines Sensorchips auf einem Substrat mit einer Aussparung mittels einer Flip-Chip-Montagetechnik, wobei eine mechanische Entkopplung des Sensorchips durch das seitliche Überhängen vorgesehen ist.
  • Vorhandene Herstellungsprozesse können größtenteils beibehalten werden, wie z.B. der Halbleiterprozess für die Sensorkomponenten und/oder Auswerteschaltungskomponenten bzw. für Sensorgehäuseteile.
  • Ein elektrisches Vormessen im Wafer-Verbund ist möglich, ebenso wie ein Bandendeabgleich nach der Montage auf dem Träger. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht ebenfalls einen platzsparenden Aufbau von Sensorchip und Auswerteschaltung vor.
  • In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des jeweiligen Gegenstandes der Erfindung.
  • Gemäss einer bevorzugten Weiterbildung ist im Montagebereich eine Mehrzahl von Bondpads vorgesehen ist, welche über eine Lot- oder Klebeverbindung auf der Oberfläche des Substrats montiert werden.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung erstreckt sich die Aussparung bis unter den Membranbereich. Dies hat den Vorteil, das sich keine Fremdkörper unter dem Membranbereich verkeilen können.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der Sensorchip auf der rückseitigen Oberfläche auf einen Glassockel gebondet. Dies erhöht die Verbiegesteifigkeit. Ausserdem kann man zwischen Glassockel und Sensorchip ein Vakuum einschliessen.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind im Peripheriebereich ein oder mehrere Stützsockel vorgesehen, die aufliegend auf der Oberfläche des Gehäuses vorgesehen werden. Diese Stützsockel verhindern ein Verkippen bei der Flip-Chip-Montage.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist das Substrat Teil eines vorgefertigten Gehäuses.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist das Gehäuse ein Premoldgehäuse aus Kunststoff, in das ein Leadframe eingeformt ist. Derartige Gehäuse sind besonders kostengünstig.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist das Gehäuse einen ringförmigen Seitenwandbereich auf, welcher den Sensorchip umgibt und welcher oberhalb der Sensorchips durch einen Deckel mit einer Durchgangsöffnung verschlossen ist.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird in das Gehäuse ein weiterer Halbleiterchip vollständig umformt montiert wird.
    •
  • ZEICHNUNGEN
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Es illustrieren:
  • 1a, b eine erste Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in seitlicher bzw. ebener Querschnittsansicht;
  • 2 eine zweite Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
  • 3 eine dritte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
  • 4 eine vierte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
  • 5 eine fünfte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
  • 6 eine sechste Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
  • 7 ein erstes Beispiel für ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht; und
  • 8 ein zweites Beispiel für ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten.
  • 1a, b zeigen eine erste Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in seitlicher bzw. ebener Querschnittsansicht.
  • Bei der in 1a, b gezeigten ersten Ausführungsform ist der Sensorchip 5' ein oberflächenmikromechanischer Sensorchip, welcher beispielsweise gemäß dem in der DE 100 32 579 A1 beschriebenen Verfahren hergestellt wurde und eine integrierte Kaverne 58' über einem Membranbereich 55' aufweist.
  • Das Substrat 1 weist eine Aussparung 11 auf, neben der der Sensorchip 5' in Flip-Chip-Technik überhängend montiert ist. Zur Montage werden Bondpads 53 des Sensorchips 5' im Montagebereich MB mittels einer Lot- oder Klebeverbindung , z.B. Lotkügelchen 26, auf (nicht gezeigte) Bondpads des Substrats 1 gelötet.
  • Der Montagebereich MB weist zusätzlich eine Unterfüllung 28 aus einem isolierenden Kunststoffmaterial auf, wobei die Kante K der Aussparung 11, die zwischen Monatgebereich MB und Membranbereich 55' liegt, als Abrisskante für die Unterfüllung 28 beim Montageprozess dient. Die Abrisskante K sorgt dafür, dass die Unterfüllung 28 nicht in bzw. unter den Membranbereich 55' gelangen kann. Der Membranbereich 55' des Sensorchips 5' ragt dadurch seitlich neben dem streifenförmigen Montagebereich MB hinaus, so dass das Druckmedium ungestört an den Membranbereich 55' gelangen kann.
  • Der Sensorchip 5' ist im Membranbereich 55' auf der Oberfläche durch eine (nicht gezeigte) Sicht, z.B. eine Nitridschicht, passiviert, die als sicherer Medienschutz wirkt. Im Montagebereich MB ist der Sensorchip 5' durch die Unterfüllung 28 vor Korrosion geschützt.
  • Ein optioneller Stützsockel 36 an dem dem Montagebereich MB gegenüberliegenden Peripheriebereich des Membranbereichs 55' vorgesehen, der ein Abkippen des Sensorchips 5' bei der Flip-Chip-Montage verhindern soll. Dieser Stützsockel 36 kann entweder auf der Oberseite des Chips 5' oder auf der gegenüberliegenden Oberfläche des Substrats 1 vorgesehen sein und weist keine Lotfläche auf, so dass in diesem Bereich der Sensorchip 5 nur auf der Oberseite vom Substrat 1 aufliegt, nicht aber fest damit verbunden ist, so dass Spannungseinflüsse in diesem Bereich vermieden werden.
  • In 1b ist der streifenförmige Montagebereich MB des Sensorchips 5 mit der Unterfüllung 28 und den Lotkügelchen 26 deutlich erkennbar. Der Montagebereich MB ist wesentlich kleiner als die Gesamtfläche des Sensorchips 5, woraus ein sprungbrettartiger Aufbau resultiert. Auch erstreckt sich die Aussparung 11 über die Breitenausdehnung des Sensorchips 5' hinaus. Bei dieser ersten Ausführungsform ist die Aussparung 11' im Substrat 1 als schmaler Graben ausgebildet ist, der sich nicht bis zum bzw. unter den Membranbereich 55' des Sensorchips 5' erstreckt. Dies muss jedoch nicht der Fall sein, vielmehr kann sich die Aussparung prinzipiell auch bis unter den Membranbereich erstrecken, wie später gezeigt wird.
  • Bei dieser Ausführungsform der Erfindung kann der Glassockel gemäss 7 oder 8 vollständig weggelassen werden, da das seitliche Hinausragen des oberflächenmikromechanischen Sensorchips 5' neben dem streifenförmigen Montagebereich MB bereits den Abbau der Spannung ermöglicht, die durch unterschiedliche Temperaturausdehnungskoeffizienten von Silizium und Glas an der Verbindung mit den Lotkügelchen 26 und der Unterfüllung 28 entsteht.
  • Der Aufbau gemäss 1a, b kann abschliessend in einem (in dieser Figur nicht gezeigten Gehäuse) verpackt werden.
  • 2 zeigt eine zweite Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
  • Bei der zweiten Ausführungsform ist das Substrat Teil eines Premoldgehäuses 10 aus Kunststoff, aus dem seitlich ein darin eingeformter Leadframe 8 herausragt. Das Premoldgehäuse 10 weist eine Aussparung 11 auf, neben der der Sensorchip 5 in Flip-Chip-Technik überhängend montiert ist. Zur Montage werden Bondpads 53 des Sensorchips 5 mittels einer Lot- oder Klebeverbindung , z.B. Lotkügelchen 26, auf (nicht gezeigte) Bondpads des Premoldgehäuses 10 gelötet.
  • Der minimale Abstand des Leadframes 8 im Montagebereich MB des Sensorchips 5 ist meist größer als der minimale Abstand der Bondpads 53 auf dem Sensorchip 5. Da aber nur wenig Bondpads 53 auf dem Sensorchip 5 nötig sind, z.B. vier Stück für den Anschluß einer Wheatston'schen Messbrücke, können diese so weit wie nötig voneinander entfernt plaziert werden.
  • Der Montagebereich MB weist die Unterfüllung 28 aus einem isolierenden Kunststoffmaterial auf, wobei die Kante K der Aussparung 11, die zwischen Montagebereich MB und Membranbereich 55 liegt, als Abrisskante für die Unterfüllung 28 beim Montageprozess dient. Die Abrisskante K hat die bereits im Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform erläuterte Funktion.
  • Auch hier ist der Sensorchip 5 ist im Membranbereich 55 auf der Oberfläche durch eine (nicht gezeigte) Nitridschicht passiviert, die als sicherer Medienschutz wirkt. Im Montagebereich MB ist der Sensorchip 5 durch die Unterfüllung 28 vor Korrosion geschützt.
  • Schliesslich weist das Premoldgehäuse 10 einen ringförmigen Seitenwandbereich 10a auf, an dessen Oberseite ein Deckel 20 mit einer Durchgangsöffnung 15a für den anzulegenden Druck 10 vorgesehen ist. Aufgund der Tatsache, dass der Sensorchip 5 durch die Flip-Chip-Montage auf der dem Montagebereich gegenüberliegenden Seite des Peripheriebereichs von der Oberseite des Premoldgehäuses 10 beabstandet ist, wird eine problemlose Übertragung des angelegten Drucks P auf den Membranbereich 55 gewährleistet.
  • Beim vorliegenden Beispiel ist der Sensorchip 5 rückseitig auf einem Glassockel 140'' gebondet, der dünner sein kann als bei den eingangs genannten Beispielen gemäß 7 und 8, da das seitliche Hinausragen des Sensorchips 5 neben dem streifenförmigen Montagebereich MB bereits den Abbau der Spannung ermöglicht, die durch unterschiedliche Temperaturausdehnungskoeffizienten von Silizium und Glas an der Verbindung mit den Lotkügelchen 26 und der Unterfüllung 28 entsteht.
  • 3 zeigt eine dritte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
  • Auch bei der in 3 gezeigten dritten Ausführungsform ist der Sensorchip 5' ein oberflächenmikromechanischer Sensorchip, welcher beispielsweise gemäß dem in der DE 100 32 579 A1 beschriebenen Verfahren hergestellt wurde und eine integrierte Kaverne 58' über einem Membranbereich 55' aufweist.
  • Auch bei dieser dritten Ausführungsform wurde der Glassockel vollständig weggelassen, was einen besonders platzsparenden Aufbau und einen entsprechend niedrigen Seitenwandbereich 10a ermöglicht. Die Montage mittels der Lotkügelchen 26 und der Unterfüllung 28 ist dieselbe wie bei den vorhergehenden Ausführungsformen.
  • Im Unterschied zu den vorhergehenden Ausführungsformen weist der Deckel 20' einen Druckanschlussstutzen 21 auf, in dessen Durchgangsöffnung 15b ein optionales Filter 22 eingebaut sein kann, das verhindert, dass Partikel oder flüssige Medien ins Innere der Sensorverpackung gelangen können. So kann beispielsweise verhindert werden, dass Wasser eindringt, welches beim Gefrieren den Sensorchip 5' absprengen und damit zerstören könnte.
  • 4 zeigt eine vierte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
  • Bei der vierten Ausführungsform gemäß 4 ist ein Gehäuse 10' vorgesehen, das eine Kombination aus Mold- und Premoldgehäuse ist. Im linken Teil ist ein Auswertechip 6 über Lotkügelchen 26 in Flip-Chip-Technik auf dem Leadframe 8 montiert und vollständig vergossen. Im rechten Teil befindet sich der Premoldbereich, in dem der Sensorchip 5' anschliessend derart montiert wird, wie bereits im Zusammenhang mit 3 ausführlich erläutert wurde. Elektrische Verbindungen zwischen den Chips 5', 6 verlaufen über den Leadframe 8, sind aber in der Figur nicht gezeigt.
  • 5 zeigt eine fünfte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
  • Bei der fünften Ausführungsform ist im Unterschied zur vierten Ausführungsform der Auswertechip 6 über Bonddrähte 60 mit dem Leadframe 8 verbunden. Dies hat sich insbesondere für den Fall als vorteilhaft erwiesen, in dem viele elektrische Anschlüsse für den Auswertechip 6 benötigt werden. So kann nämlich der Abstand der Bondpads 53 auf dem Auswertechip 6 eng und der entsprechenden Bondpads auf dem Leadframe 8 breiter gewählt werden.
  • Auch bei dieser Ausführungsform ist die Aussparung 11' im Premoldgehäuse 10' als schmaler Graben ausgebildet ist, der sich nicht bis zum bzw. unter den Membranbereich 55' des Sensorchips 5 erstreckt. Der Abstand des Membranbereichs 55' zur Oberfläche des Premoldgehäuses 10' kann somit gering gehalten werde, und daher ist bei einer derartigen Ausgestaltung darauf zu achten, dass keine Partikel in den Zwischenraum zwischen Membranbereich 55' und Premoldgehäuse 10' gelangen können, die sich dort verkeilen und dadurch die Kennlinie des Sensorchips beeinflussen könnten.
  • 6 zeigt eine sechste Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
  • Bei der in 6 gezeigten Ausführungsform ist die Anordnung auf dem Leadframe 8 von Sensorchip 5' und Auswertechip 6 gezeigt. Im Unterschied zu den vorhergehenden Ausführungsformen sind bei dieser sechsten Ausführungsform zwei Durchgangsöffnungen 15a für den Druckanschluss im Deckel 20 vorgesehen.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele erläutert worden ist, ist sie nicht darauf beschränkt, sondern auch in anderer Weise ausführbar.
  • Im obigen Beispiel wurden nur piezoresistive Sensorstrukturen betrachtet. Die Erfindung ist jedoch auch für kapazitive oder sonstige Sensorstrukturen geeignet, bei denen Membranen verwendet werden.
  • BEZUGSZEICHENLISTE:
    Figure 00100001
  • Figure 00110001

Claims (18)

  1. Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleiterchips (5; 5') mit einer Oberfläche, die einen Membranbereich (55; 55') und einen Peripheriebereich aufweist, wobei der Peripheriebereich einen Montagebereich (MB) aufweist; Vorsehen eines Substrats (1; 10; 10'), welches eine Oberfläche mit einer Aussparung (11; 11') aufweist; Montieren des Montagebereichs (MB) des Halbleiterchips (5) in Flip-Chip-Technik auf die Oberfläche des Substrats (1; 10; 10') derart, dass eine Kante (K) der Aussparung (11; 11') zwischen dem Montagebereich (MB) und dem Membranbereich (55) liegt; und Unterfüllen des Montagebereichs (MB) mit einer Unterfüllung (28), wobei die Kante (K) der Aussparung (11; 11') als Abrissbereich für die Unterfüllung (28) dient, so dass keine Unterfüllung (28) in den Membranbereich (55) gelangt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Montagebereich (MB) eine Mehrzahl von Bondpads (53) vorgesehen ist, welche über eine Lot- oder Klebeverbindung auf der Oberfläche des Substrats (1; 10; 10') montiert werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Aussparung (11) sich bis unter den Membranbereich (55) erstreckt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensorchip (5) auf der rückseitigen Oberfläche auf einen Glassockel (140'') gebondet ist.
  5. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im Peripheriebereich ein oder mehrere Stützsockel (36) vorgesehen sind, die aufliegend auf der Oberfläche des Substrats (1; 10; 10') vorgesehen werden.
  6. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1; 10; 10') ein Teil eines vorgefertigten Gehäuses (10; 10') ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (10; 10') ein Premoldgehäuse aus Kunststoff ist, in das ein Leadframe (8) eingeformt ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (10; 10') einen ringförmigen Seitenwandbereich (10a) aufweist, welcher den Sensorchip (5; 5') umgibt und welcher oberhalb der Sensorchips (5; 5') durch einen Deckel (20; 20') mit einer Durchgangsöffnung (15a; 15b) verschlossen ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 6, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass in das Gehäuse (10') ein weiterer Halbleiterchip (6) vollständig umformt montiert wird.
  10. Halbleiterchipanordnung mit: einem Halbleiterchip (5; 5') mit einer Oberfläche, die einen Membranbereich (55; 55') und einen Peripheriebereich aufweist, wobei der Peripheriebereich einen Montagebereich (MB) aufweist; einem Substrat (1; 10; 10'), welches eine Oberfläche mit einer Aussparung (11; 11') aufweist; wobei der Montagebereich (MB) des Halbleiterchips (5) in Flip-Chip-Technik auf die Oberfläche des Substrats (1; 10; 10') derart montiert ist, dass eine Kante (K) der Aussparung (11; 11') zwischen dem Montagebereich (MB) und dem Membranbereich (55) liegt; und der Montagebereichs (MB) mit einer Unterfüllung (28) unterfüllt ist, wobei die Kante (K) der Aussparung (11; 11') als Abrissbereich für die Unterfüllung (28) dient, so dass keine Unterfüllung (28) im Membranbereich (55) vorliegt.
  11. Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass im Montagebereich (MB) eine Mehrzahl von Bondpads (53) vorgesehen ist, welche über eine Lot- oder Klebeverbindung auf der Oberfläche des Substrats (1; 10; 10') montiert sind.
  12. Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Aussparung (11) sich bis unter den Membranbereich (55) erstreckt.
  13. Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 10, 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensorchip (5) auf der rückseitigen Oberfläche auf einen Glassockel (140'') gebondet ist.
  14. Halbleiterchipanordnung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass im Peripheriebereich ein oder mehrere Stützsockel (36) aufliegend auf der Oberfläche des Gehäuses (10; 10') vorgesehen sind.
  15. Halbleiterchipanordnung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1; 10; 10') ein Teil eines vorgefertigten Gehäuses (10; 10') ist.
  16. Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (10; 10') ein Premoldgehäuse aus Kunststoff ist, in das ein Leadframe (8) eingeformt ist.
  17. Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (10; 10') einen ringförmigen Seitenwandbereich (10a) aufweist, welcher den Sensorchip (5; 5') umgibt und welcher oberhalb der Sensorchips (5; 5') durch einen Deckel (20; 20') mit einer Durchgangsöffnung (15a; 15b) verschlossen ist.
  18. Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 15, 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass in das Gehäuse (10') ein weiterer Halbleiterchip (6) vollständig umformt montiert ist.
DE102004011203A 2004-03-04 2004-03-04 Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung Expired - Fee Related DE102004011203B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004011203A DE102004011203B4 (de) 2004-03-04 2004-03-04 Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
US11/065,638 US20050194685A1 (en) 2004-03-04 2005-02-23 Method for mounting semiconductor chips and corresponding semiconductor chip system
IT000319A ITMI20050319A1 (it) 2004-03-04 2005-03-02 Procedimento per il montaggio di piastrine di semiconduttore e corrispondente disposizione di piastrina di semiconduttore
JP2005059515A JP2005249795A (ja) 2004-03-04 2005-03-03 半導体チップを実装する方法および相応の半導体チップ配置構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004011203A DE102004011203B4 (de) 2004-03-04 2004-03-04 Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004011203A1 true DE102004011203A1 (de) 2005-09-29
DE102004011203B4 DE102004011203B4 (de) 2010-09-16

Family

ID=34895029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004011203A Expired - Fee Related DE102004011203B4 (de) 2004-03-04 2004-03-04 Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20050194685A1 (de)
JP (1) JP2005249795A (de)
DE (1) DE102004011203B4 (de)
IT (1) ITMI20050319A1 (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005015109A1 (de) * 2005-04-01 2006-10-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips auf einem Substrat und entsprechende Anordnung
WO2007062976A1 (de) * 2005-11-29 2007-06-07 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum montieren von halbleiterchips und entsprechende halbleiterchipanordnung
DE102007010711A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schaltanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
US7563634B2 (en) 2004-10-22 2009-07-21 Robert Bosch Gmbh Method for mounting semiconductor chips, and corresponding semiconductor chip system
DE102009055718A1 (de) * 2009-11-26 2011-06-01 Continental Automotive Gmbh Sensormodul, Herstellungsverfahren eines Sensormoduls sowie Spritzgießwerkzeug zum Umgießen eines Sensormoduls
DE102011017824A1 (de) 2011-04-29 2012-10-31 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Hochtemperaturdruckmessaufnehmer
WO2016082997A1 (de) * 2014-11-24 2016-06-02 Robert Bosch Gmbh Anordnung mit einem trägersubstrat durch anschlusskontakte kontaktierten leistungsbauelement, wobei um die anschlusskontakte eine metallisierung ausgebildet ist
DE102005038752B4 (de) 2005-08-17 2018-04-19 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
DE102005060876B4 (de) 2005-12-20 2019-09-05 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6673649B1 (en) * 2002-07-05 2004-01-06 Micron Technology, Inc. Microelectronic device packages and methods for controlling the disposition of non-conductive materials in such packages
US8028584B2 (en) * 2007-08-20 2011-10-04 Denso Corporation Pressure sensor and method for manufacturing the same
DE102007041892A1 (de) * 2007-09-04 2009-03-05 Robert Bosch Gmbh Elektrische Schaltanordnung mit einem MID-Schaltungsträger und einer damit verbundenen Verbindungsschnittstelle
JP5374716B2 (ja) * 2008-03-18 2013-12-25 エプコス アクチエンゲゼルシャフト マイクロフォンとその製造方法
US8198714B2 (en) * 2008-03-28 2012-06-12 Broadcom Corporation Method and system for configuring a transformer embedded in a multi-layer integrated circuit (IC) package
US8124953B2 (en) 2009-03-12 2012-02-28 Infineon Technologies Ag Sensor device having a porous structure element
JP2010281573A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Seiko Epson Corp 圧力センサー
DE102009029199A1 (de) * 2009-09-04 2011-03-10 Robert Bosch Gmbh Stressentkoppelte Aufbautechnik für substratlose Mold-Packages
EP2426083A3 (de) * 2010-09-03 2013-11-13 Domintech Co., LTD. Mems-sensor verkapselung
CN102398885A (zh) * 2010-09-14 2012-04-04 利顺精密科技股份有限公司 微机电传感器装置
DE102010064120B4 (de) 2010-12-23 2023-05-25 Robert Bosch Gmbh Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
JP5304807B2 (ja) * 2011-01-26 2013-10-02 株式会社デンソー 圧力センサ
US9010190B2 (en) * 2012-04-20 2015-04-21 Rosemount Aerospace Inc. Stress isolated MEMS structures and methods of manufacture
JP5454628B2 (ja) 2012-06-29 2014-03-26 株式会社デンソー 圧力センサ
US9078063B2 (en) * 2012-08-10 2015-07-07 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration
DE102012109314A1 (de) * 2012-10-01 2014-04-17 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Drucksensor mit Feuchtefilter
JP5951454B2 (ja) 2012-11-20 2016-07-13 株式会社東芝 マイクロフォンパッケージ
US9574959B2 (en) 2014-09-02 2017-02-21 Apple Inc. Various stress free sensor packages using wafer level supporting die and air gap technique
JP6983490B2 (ja) * 2016-03-29 2021-12-17 ローム株式会社 電子部品
JP6317783B2 (ja) * 2016-05-27 2018-04-25 株式会社東芝 素子パッケージ及び電気回路
EP3260821B1 (de) * 2016-06-21 2019-09-11 ams International AG Sensorpaket und verfahren zur herstellung des sensorpakets
DE102017212838A1 (de) * 2017-07-26 2019-01-31 Robert Bosch Gmbh Drucksensoranordnung, Messvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
CN111615624B (zh) * 2017-11-17 2022-04-01 希奥检测有限公司 应力敏感集成电路管芯的附接
JP6491367B2 (ja) * 2018-01-09 2019-03-27 株式会社東芝 素子パッケージ及び電気回路
KR102163662B1 (ko) * 2018-12-05 2020-10-08 현대오트론 주식회사 양면 냉각 파워 모듈 및 이의 제조방법
EP3779391A1 (de) * 2019-08-14 2021-02-17 Sciosense B.V. Sensoranordnung und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung
JP6991300B2 (ja) * 2020-12-10 2022-01-12 ローム株式会社 電子部品

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19830538A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-20 Siemens Ag Drucksensor-Anordnung, insbesondere zur Druckerfassung in einem ölbeaufschlagten Druckbereich eines Kraftfahrzeuggetriebes
EP1245528A1 (de) * 2001-03-27 2002-10-02 Delta Danish Electronics, Light & Acoustics Ein einstückiges flexibles Mikrosystem und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1214864B1 (de) * 1999-09-06 2003-06-04 SonionMEMS A/S Silikon basierte sensor-systeme

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5289721A (en) * 1990-09-10 1994-03-01 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor pressure sensor
US5646072A (en) * 1995-04-03 1997-07-08 Motorola, Inc. Electronic sensor assembly having metal interconnections isolated from adverse media
US6140144A (en) * 1996-08-08 2000-10-31 Integrated Sensing Systems, Inc. Method for packaging microsensors
DE19929025A1 (de) * 1999-06-25 2000-12-28 Bosch Gmbh Robert Drucksensor
DE10032579B4 (de) * 2000-07-05 2020-07-02 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19830538A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-20 Siemens Ag Drucksensor-Anordnung, insbesondere zur Druckerfassung in einem ölbeaufschlagten Druckbereich eines Kraftfahrzeuggetriebes
EP1214864B1 (de) * 1999-09-06 2003-06-04 SonionMEMS A/S Silikon basierte sensor-systeme
EP1245528A1 (de) * 2001-03-27 2002-10-02 Delta Danish Electronics, Light & Acoustics Ein einstückiges flexibles Mikrosystem und Verfahren zu dessen Herstellung

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7563634B2 (en) 2004-10-22 2009-07-21 Robert Bosch Gmbh Method for mounting semiconductor chips, and corresponding semiconductor chip system
DE102005015109A1 (de) * 2005-04-01 2006-10-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips auf einem Substrat und entsprechende Anordnung
DE102005015109B4 (de) * 2005-04-01 2007-06-21 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips auf einem Substrat und entsprechende Anordnung
US7696001B2 (en) 2005-04-01 2010-04-13 Robert Bosch Gmbh Method for mounting semiconductor chips on a substrate and corresponding assembly
DE102005038752B4 (de) 2005-08-17 2018-04-19 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
WO2007062976A1 (de) * 2005-11-29 2007-06-07 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum montieren von halbleiterchips und entsprechende halbleiterchipanordnung
DE102005060876B4 (de) 2005-12-20 2019-09-05 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
DE102007010711A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schaltanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102007010711B4 (de) 2007-02-28 2018-07-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schaltanordnung, Messvorrichtung damit und Verfahren zu deren Herstellung
DE102009055718A1 (de) * 2009-11-26 2011-06-01 Continental Automotive Gmbh Sensormodul, Herstellungsverfahren eines Sensormoduls sowie Spritzgießwerkzeug zum Umgießen eines Sensormoduls
DE102011017824A1 (de) 2011-04-29 2012-10-31 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Hochtemperaturdruckmessaufnehmer
WO2016082997A1 (de) * 2014-11-24 2016-06-02 Robert Bosch Gmbh Anordnung mit einem trägersubstrat durch anschlusskontakte kontaktierten leistungsbauelement, wobei um die anschlusskontakte eine metallisierung ausgebildet ist

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004011203B4 (de) 2010-09-16
ITMI20050319A1 (it) 2005-09-05
JP2005249795A (ja) 2005-09-15
US20050194685A1 (en) 2005-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004011203B4 (de) Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
EP1805101B1 (de) Verfahren zum montieren von halbleiterchips und entsprechende halbleiterchipanordnung
EP2150788A1 (de) Differenzdruck-sensoranordnung und entsprechendes herstellungsverfahren
DE10054013B4 (de) Drucksensormodul
DE102006013414A1 (de) Drucksensorvorrichtung
DE102004003413A1 (de) Verfahren zum Verpacken von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
WO2007020132A1 (de) Sensoranordnung mit einem substrat und mit einem gehäuse und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung
EP3237868B1 (de) Druckmesseinrichtung
DE102010064120A1 (de) Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
EP0357717A1 (de) Druckmessvorrichtung.
DE10228000A1 (de) Vorrichtung zur Druckmessung
DE102016203232A1 (de) 3D-gestapelter piezoresistiver Drucksensor
DE102006017535A1 (de) Druckfühler
DE102006056361B4 (de) Modul mit polymerhaltigem elektrischen Verbindungselement und Verfahren
DE102014000243A1 (de) MEMS Sensor für schwierige Umgebungen und Medien
DE102014014103A1 (de) Sensormodul zur Messung eines Druckes eines Fluides mit mindestens einer auf einem Schaltungsträger angeordneten elektronischen Schaltung, insbesondere einem integrierten Schaltkreis und mindestens einem Druckmesschip
DE102014211188A1 (de) Vertikal hybrid integriertes Bauteil mit Interposer zur Stressentkopplung einer MEMS-Struktur und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102017220349B3 (de) Mikromechanische Drucksensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
WO2019016320A1 (de) Drucksensoranordnung und verfahren zu deren herstellung
DE102005054631A1 (de) Sensoranordnung mit einem Substrat und mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
DE102006044442A1 (de) Sensoranordnung mit einem Substrat und mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
DE102005020016B4 (de) Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
DE102014019691B4 (de) Flächeneffiziente Druckerfassungsvorrichtung mit einer innenliegenden Schaltungskomponente
DE202020005465U1 (de) Druckmesszelle
DE102006040658A1 (de) Mikromechanische Sensoranordnung mit einem dehnungsfest angebundenen Substrat und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee