WO2007062976A1 - Verfahren zum montieren von halbleiterchips und entsprechende halbleiterchipanordnung - Google Patents

Verfahren zum montieren von halbleiterchips und entsprechende halbleiterchipanordnung Download PDF

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WO2007062976A1
WO2007062976A1 PCT/EP2006/068426 EP2006068426W WO2007062976A1 WO 2007062976 A1 WO2007062976 A1 WO 2007062976A1 EP 2006068426 W EP2006068426 W EP 2006068426W WO 2007062976 A1 WO2007062976 A1 WO 2007062976A1
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semiconductor chip
substrate
cavern
passage opening
gel
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Hubert Benzel
Markus Lang
Roland Guenschel
Mathias Hain
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Robert Bosch Gmbh
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    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Definitions

  • the present invention relates to a method for mounting semiconductor chips and a corresponding semiconductor chip arrangement.
  • an outer passivation layer for. B. with a passivation gel.
  • a passivation gel also helps with icing water or other unwanted deposits to keep away mechanical stresses from the electrical component.
  • DE 102 004 011 203 discloses various examples of methods for mounting semiconductor chips and corresponding semiconductor chip arrangements.
  • FIG. 4 shows an example of a method for mounting semiconductor chips and a corresponding semiconductor chip arrangement in a cross-sectional view in order to explain the problem underlying the present invention.
  • reference numeral 1 denotes a substrate, for example, a ceramic base having a through hole 1a.
  • a silicon sensor chip 4 here a pressure sensor chip, is bonded to a glass plate 3 made of sodium-containing glass (pyrex glass) anodically with its rear side RS.
  • the glass plate 3 is glued to the substrate 1 by means of an adhesive layer 2.
  • the glass plate 3 also has a through opening 3 a, which is aligned with the through hole 1 a, so that a fluid connection to a cavern 4 c on the back RS of the sensor chip 4 is present.
  • the glass plate 3 is used for stress decoupling of the stresses that occur during bonding or soldering of the sensor chip 1 to the substrate 1.
  • the front side VS of the sensor chip 4 has a membrane region 4a and a peripheral region 5.
  • a membrane region 4a Provided in the membrane region 4 are piezoresistive resistors 4b in order to provide the functionality as To provide pressure sensor.
  • an evaluation circuit Provided in the peripheral area 5 is an evaluation circuit, which is not detailed, and which is connected to the substrate 1 via bonding wires 6.
  • the production of the membrane region 4a and the peripheral region 5 takes place in an integrated conventional semiconductor process.
  • the membrane region 4 a is in particular producible by an anisotropic etching of the rear side RS of the sensor chip, for. B. KOH or TMAH or trench etching (DRIE).
  • a ring housing 8 which surrounds the sensor chip 4 mounted on the substrate 1.
  • the ring housing 8 is filled with a passivation gel 7 in such a way that the sensor chip 4 is completely covered by the passivation gel 7. It is advantageous in the filling with the passivation gel 7 that not the entire volume of the ring housing 8 is filled, so that a volume change of the passivation gel 7 can be absorbed above the temperature via a swelling in different liquid or gaseous media in the still available volume, without affecting the membrane or sensor properties. Also, the effect of the gel trapped gas bubbles, which also expand over the temperature, can be intercepted.
  • the idea underlying the present invention consists in at least partially infiltrating the cavern with a passivation gel through the passage opening, the passivation gel being selected such that the desired membrane function is maintained.
  • the passivation gel layer according to the invention on the rear side of the membrane area in the cavern offers the following further advantages: Reduction of the penetrating water quantity or complete avoidance of penetrating water;
  • a glass plate is mounted between the rear side of the semiconductor chip and the substrate, which has a further passage opening which forms a fluid connection between the passage opening and the cavity. This allows a voltage balance between chip and substrate.
  • a part of the passivation gel is removed again after infestation, a thin film of the passivation gel remaining in the removal area after removal. This creates efficient passivation without much impact on the membrane area.
  • a ring housing is mounted on the substrate, which surrounds the semiconductor chip mounted on the substrate, wherein the ring housing is at least partially filled with a further passivation gel such that the semiconductor chip is covered by the further passivation gel.
  • the cavern is filled by means of a plastic needle or by means of a vacuum dispensing method.
  • Fig. 1 shows a first embodiment of the inventive method for mounting of
  • FIG. 2 shows a second embodiment of the method according to the invention for mounting semiconductor chips and a corresponding semiconductor chip arrangement in cross-sectional view
  • Fig. 3 shows a third embodiment of the inventive method for mounting of
  • FIG. 4 shows an example of a method for mounting semiconductor chips and a corresponding semiconductor chip arrangement in cross-sectional view for explaining the problem underlying the present invention.
  • FIG. 1 shows a first embodiment of the method according to the invention for mounting semiconductor chips and a corresponding semiconductor chip arrangement in a cross-sectional view.
  • the first embodiment shown in FIG. 1 is based on the example already described with reference to FIG. 4 and differs in that the cavern 4c of the sensor chip 4 has been partially filled with a passivation gel 10 through the passage openings 1a, 3a.
  • the passivation gel 10 may be identical to the passivation gel 7, but need not necessarily.
  • the gel 7 or 10 must have a protective function, but must not affect the membrane function (sensor characteristic) and / or the electronic circuit.
  • the filling of the cavity 4c is expediently carried out from the rear side of the substrate 1 by means of a soft plastic needle 20, which is introduced through the passage openings 1a, 3a.
  • a soft plastic ensures that the walls of the bore or the membrane area 4a can not be damaged.
  • a ring 25 is thereby used twice as a stop (metal ring with an outer diameter thicker than the ceramic bore of the substrate), so that the needle 25 can not impinge on the membrane area 4a and damage it.
  • the positioning of such a plastic needle can be done by optical detection. By checking the filling opening, a "hole-free" test is possible at the same time.Terms which are too narrow or closed can be marked (cut out).
  • Another way to introduce the gel 10 into the cavern 4c is to use a vacuum dispensing method in which one or more droplets of the gel 10 are dispensed.
  • FIG. 2 shows a second embodiment of the method according to the invention for mounting semiconductor chips and a corresponding semiconductor chip arrangement in a cross-sectional view.
  • FIG. 3 shows a third embodiment of the method according to the invention for mounting semiconductor chips and a corresponding semiconductor chip arrangement in a cross-sectional view.
  • the entire cavity 4c and also the entire through-holes 3a, 1a are filled with passivation gel, so that the passivation gel 10 wets all the surfaces. Subsequently, a part of the passivation gel 10 is removed again, preferably by suction with the soft plastic needle 20, so that the passivation gel 10 only in the cavern
  • a thin film 10a of the passivation gel 10 remains in the removal region.
  • the layer thickness of the film 10a can be adjusted via the viscosity of the passivation gel 10.
  • Particularly advantageous in this embodiment is that the volume expansion of the gel over the temperature or a possible swelling in different liquid or gaseous media can be trapped in the cavern volume, without changing the membrane or sensor properties.
  • piezoresistive sensor structures were considered.
  • the invention is also suitable for capacitive or other sensor structures in which membranes are used, such as. B. a mass flow sensor or a microphone (dynamic pressure sensor).

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Abstract

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleiterchips (4) mit einer Vorderseite (VS), die einen Membranbereich (4a) und einen Peripheriebereich (5) aufweist, und einer Rückseite (RS), die eine an den Membranbereich (4a) angrenzende Kaverne (4c) aufweist; Vorsehen eines Substrats (1), welches eine Durchgangsöffnung (1a) aufweist; Montieren der Rückseite (RS) des Halbleiterchips (4) auf dem Substrat (1) derart, dass die Kaverne (4c) mit der Durchgangsöffnung (1a) in Fluidverbindung steht; und zumindest teilweises Befüllen der Kaverne (4c) mit einem Passivierungsgel (10) durch die Durchgangsöffnung (1a). Die Erfindung schafft ebenfalls eine entsprechende Halbleiterchipanordnung.

Description

Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
STAND DER TECHNIK
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechende Halbleiterchipanordnung.
Obwohl auf beliebige Halbleiterchipanordnungen anwendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrundeliegende Problematik in bezug auf eine mikromechanische Halbleiterchipanordnung mit einem Drucksensor erläutert.
Zum Schutz gegen Umwelteinflüsse müssen elektronische Bauelemente üblicherweise beim Montieren mit einer äußeren Passivierungsschicht versehen werden, z. B. mit einem Passivierungsgel. Insbesondere hilft ein derartiges Gel auch bei vereisendem Wasser oder anderweitigen ungewollten Ablagerungen, mechanische Spannungen von dem elektrischen Bauelement fernzuhalten.
Die DE 102 004 011 203 offenbart verschiedene Beispiele für Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnungen.
Fig. 4 zeigt ein Beispiel für ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht zur Erläuterung der der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden Problematik.
In Figur 4 bezeichnet Bezugszeichen 1 ein Substrat, beispielsweise einen Keramiksockel, der eine Durchgangsöffnung Ia aufweist. Ein Silizium-Sensorchip 4, hier ein Drucksensorchip, ist auf eine Glasplatte 3 aus natriumhaltigen Glas (Pyrexglas) anodisch mit seiner Rückseite RS gebondet. Die Glasplatte 3 ist mittels einer Klebeschicht 2 auf das Substrat 1 geklebt. Die Glasplatte 3 weist ebenfalls eine Durchgangsöffnung 3 a auf, welche zur Durchgangsöffnung 1 a ausgerichtet ist, sodass eine Fluidverbindung zu einer Kaverne 4c auf der Rückseite RS des Sensorchips 4 vorhanden ist. Die Glasplatte 3 dient zur Stressentkopplung der Spannungen, die beim Kleben oder Löten des Sensorchips 1 auf das Substrat 1 entstehen.
Die Vorderseite VS des Sensorchips 4 weist einen Membranbereich 4a sowie einen Peripheriebereich 5 auf. Im Membranbereich 4 vorgesehen sind piezoresisistive Widerstände 4b, um die Funktionalität als Drucksensor bereitzustellen. Vorgesehen im Peripheriebereich 5 ist eine nicht näher ausgeführte Auswerteschaltung, die über Bonddrähte 6 mit dem Substrat 1 verbunden ist.
Die Herstellung des Membranbereichs 4a und des Peripheriebereichs 5 erfolgt in einem integrierten üblicher Halbleiterprozess. Der Membranbereich 4a ist insbesondere herstellbar durch ein anisotropes Ätzen der Rückseite RS des Sensorchips, z. B. KOH oder TMAH bzw. Trench-Ätzen (DRIE).
Weiterhin angebracht auf dem Substrat 1 ist ein Ringgehäuse 8, welches den auf dem Substrat 1 montierten Sensorchip 4 umgibt. Das Ringgehäuse 8 ist mit einem Passivierungsgel 7 derart befüllt, dass der Sensorchip 4 vom Passivierungsgel 7 vollständig bedeckt ist. Vorteilhaft bei der Befüllung mit dem Passivierungsgel 7 ist es, dass nicht das gesamte Volumen des Ringgehäuses 8 ausgefüllt ist, sodass eine Volumenänderung des Passivierungsgels 7 über der Temperatur über eine Quellung in verschiedenen flüssigen oder gasförmigen Medien im noch zur Verfügung stehenden Volumen aufgefangen werden kann, ohne dass die Membran- bzw. Sensoreigenschaften beeinflusst werden. Auch kann so die Auswirkung von dem Gel eingeschlossenen Gasblasen, die sich ebenfalls über die Temperatur ausdehnen, abgefangen werden.
Problematisch bei diesem Bespiel ist, dass Verunreinigungen in die Kaverne gelangen und die Sensorfunktion negativ beeinflussen können. Eine mögliche Gegenmassnahme wäre das Vorsehen eines Siebes in den Durchgangsöffnungen. Jedoch könnte dann immer noch störendes Wasser in der Kaverne kondensieren und vereisen.
VORTEILE DER ERFINDUNG
Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht in einem zumindest teilweisen Befallen der Kaverne mit einem Passivierungsgel durch die Durchgangsöffnung, wobei das Passivierungsgel derart gewählt ist, dass die gewünschte Membranfunktion erhalten bleibt.
Das erfmdungsgemässe Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und die entsprechende Halbleiterchipanordnung gemäss Anspruch 11 weisen gegenüber den bekannten Lösungsansätzen den Vorteil auf, dass ein einfacher kostengünstiger und Umgebungseinfluss— unempfindlicher Aufbau ermöglicht wird.
Die erfindungsgemäße Passivierungsgelschicht auf der Rückseite des Membranbereichs in der Kaverne bietet folgende weiteren Vorteile: Reduzierung der eindringenden Wassermenge bzw. vollständige Vermeidung von eindringendem Wasser;
- Verringerung der mechanischen Spannung bei Eisbildung und damit Verringerung der Wahrscheinlichkeit von einem Membranbruch;
Vermeidung von Ablagerungen direkt auf der Membran mit der Folge von Kennliniendrift;
- Korrosionsschutz vor basisch oder sauer angreifenden Agenzien;
Puffer (Feder) bei teilweiser Vereisung; und
Beliebige Einbaulage des Sensors (es muss nicht darauf geachtet werden, die Durchgangsöffnungen auf der Sensorrückseite nach unten einzubauen, so dass eindringendes oder kondensiertes Wasser nach unten abfließen kann).
In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des jeweiligen Gegenstandes der Erfindung.
Gemäss einer bevorzugten Weiterbildung wird zwischen der Rückseite des Halbleiterchips und dem Substrat eine Glasplatte montiert, die eine weitere Durchgangsöffnung aufweist, die eine Fluidverbindung zwischen der Durchgangsöffnung und der Kaverne bildet. Dies ermöglicht einen Spannungsausgleich zwischen Chip und Substrat.
Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird ein Teil des Passivierungsgels nach dem Befallen wieder entfernt, wobei nach dem Entfernen ein dünner Film des Passivierungsgels im Entfernungsbereich verbleibt. Dies schafft eine effiziente Passivierung ohne grossen Einfluss auf den Membranbereich.
Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird ein Ringgehäuse auf dem Substrat montiert, welches den auf dem Substrat montierten Halbleiterchip umgibt, wobei das Ringgehäuse zumindest teilweise mit einem weiteren Passivierungsgel befüllt wird derart, dass der Halbleiterchip vom weiteren Passivierungsgel bedeckt ist. Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung erfolgt das Befüllen der Kaverne mittels einer Kunststoffnadel oder mittels eines Vakuum-Dispensierverfahrens.
ZEICHNUNGEN
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Es illustrieren:
Fig. 1 eine erste Ausführungsform des erfmdungsgemässen Verfahren zum Montieren von
Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
Fig. 2 eine zweite Ausführungsform des erfmdungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht;
Fig. 3 eine dritte Ausführungsform des erfmdungsgemässen Verfahren zum Montieren von
Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht; und
Fig. 4 ein Beispiel für ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und eine entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht zur Erläuterung der der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden Problematik.
BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten.
Fig. 1 zeigt eine erste Ausführungsform des erfmdungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
Die in Figur 1 dargestellte erste Ausführungsform geht aus von dem bereits mit Bezug auf Figur 4 beschriebenen Beispiel und unterscheidet sich insofern davon, dass die Kaverne 4c des Sensorchips 4 teilweise mit einem Passivierungsgel 10 durch die Durchgangsöffnungen Ia, 3a befüllt worden ist. Dabei kann das Passivierungsgel 10 identisch sein mit dem Passivierungsgel 7, muss es aber nicht unbedingt. Das Gel 7 bzw. 10 muss eine Schutzfunktion aufweisen, darf jedoch die Membranfunktion (Sensoreigenschaft) und/oder die elektronische Schaltung nicht beeinträchtigen.
Die Befüllung der Kaverne 4c erfolgt zweckmäßigerweise von der Rückseite des Substrats 1 her mittels einer weichen Kunststoffnadel 20, welche durch die Durchgangsöffnungen Ia, 3a eingeführt wird. Durch die Verwendung eines weichen Kunststoffs ist gewährleistet, dass die Wände der Bohrung bzw. der Membranbereich 4a nicht beschädigt werden können. Ein Ring 25 wird dabei zwechmässigerweise als Anschlag (Metallring mit Außendurchmesser dicker als Keramikbohrung des Substrats) verwendet, so dass die Nadel 25 nicht auf den Membranbereich 4a auftreffen und diesen beschädigen kann. In der Serienfertigung kann die Positionierung einer derartigen Kunststoffnadel durch optische Erkennung erfolgen. Durch die Kontrolle der Einfüllöffnung ist gleichzeitig eine „lochfrei"-Prüfung möglich. Zu enge oder verschlossene Durchgangslöcher lassen sich kennzeichnen (ausinken).
Eine weitere Möglichkeit, das Gel 10 in die Kaverne 4c einzuführen, besteht darin, ein Vakuum- Dispensierverfahren anzuwenden, bei dem ein oder mehrere Tröpfchen des Gels 10 dispensiert werden.
Fig. 2 zeigt eine zweite Ausführungsform des erfmdungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
Bei der in Figur 2 dargestellten zweiten Ausführungsform werden die Kaverne 4c und das
Durchgangsloch 3a vollständig mit dem Passivierungsgel 10 befüllt.
Fig. 3 zeigt eine dritte Ausführungsform des erfmdungsgemässen Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und einer entsprechenden Halbleiterchipanordnung in Querschnittsansicht.
Bei der dritten Ausführungsform ist eine weitere Möglichkeit, das Passivierungsgel 10 einzubinden, dargestellt. Bei dieser Ausführungsform werden nämlich die gesamte Kaverne 4c und auch die gesamten Durchgangslöcher 3 a, Ia mit Passivierungsgel befüllt, so dass das Passivierungsgel 10 sämtliche Oberflächen benetzt. Anschließend wird ein Teil des Passivierungsgels 10 wieder entfernt, vorzugsweise durch Absaugen mit der weichen Kunststoffnadel 20, so dass das Passivierungsgel 10 nur in der Kaverne
4c als Füllung zurückbleibt. Im Übrigen Entfernungsbereich verbleibt nach dem Entfernen ein dünner Film 10a des Passivierungsgels 10. Die Schichtdicke des Films 10a kann dabei über die Viskosität des Passivierungsgels 10 eingestellt werden. Besonders vorteilhaft bei dieser Ausführungsform ist, dass die Volumenausdehnung des Gels über der Temperatur oder eine mögliche Quellung in verschiedenen flüssigen oder gasförmigen Medien im Kavernenvolumen abgefangen werden kann, ohne die Membranoder Sensoreigenschaften zu verändern.
Versuche mit Teil- (halbe Kavernenhöhe), Mittel- (Kaverne voll) und fast vollständiger Befüllung (Kaverne) plus ein Teil der Glasbohrung (z. B. 50 %) wurden durchgeführt. Die so behandelten Sensoren waren mit Rückseitengel innerhalb der Spezifikation abgleichbar. Alterungs- und Vereisungstests lieferten positive Resultate.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele erläutert worden ist, ist sie nicht darauf beschränkt, sondern auch in anderer Weise ausführbar.
In den obigen Beispielen wurden nur piezoresistive Sensorstrukturen betrachtet. Die Erfindung ist jedoch auch für kapazitive oder sonstige Sensorstrukturen geeignet, bei denen Membranen verwendet werden, wie z. B. einen Massenflusssensor oder ein Mikrofon (dynamischer Drucksensor).

Claims

Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende HalbleiterchipanordnungPATENTANSPRÜCHE
1. Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips mit den Schritten:
Bereitstellen eines Halbleiterchips (4) mit einer Vorderseite (VS), die einen Membranbereich (4a) und einen Peripheriebereich (5) aufweist, und einer Rückseite (RS), die eine an den Membranbereich (4a) angrenzende Kaverne (4c) aufweist;
Vorsehen eines Substrats (1), welches eine Durchgangsöffnung (Ia) aufweist;
Montieren der Rückseite (RS) des Halbleiterchips (4) auf dem Substrat (1) derart, dass die Kaverne (4c) mit der Durchgangsöffnung (Ia) in Fluidverbindung steht; und
zumindest teilweises Befallen der Kaverne (4c) mit einem Passivierungsgel (10) durch die Durchgangsöffnung (Ia).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Rückseite (RS) des Halbleiterchips (4) und das Substrat (1) eine Glasplatte (3) montiert wird, die eine weitere Durchgangsöffnung (3 a) aufweist, die eine Fluidverbindung zwischen der Durchgangsöffnung (Ia) und der Kaverne (4c) bildet.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kaverne (4c) vollständig befüllt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kaverne (4c) vollständig befüllt wird und die weitere Durchgangsöffnung (3a) zumindest teilweise befüllt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die weitere Durchgangsöffnung (3a) vollständig befüllt wird und die Durchgangsöffnung (Ia) zumindest teilweise befüllt wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil des Passivierungsgels (10) nach dem Befüllen wieder entfernt wird und nach dem Entfernen ein dünner Film (10a) des Passivierungsgels (10) im Entfernungsbereich verbleibt.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Ringgehäuse (8) auf dem Substrat (1) montiert wird, welches den auf dem Substrat (1) montierten Halbleiterchip (4) umgibt, und das Ringgehäuse (8) zumindest teilweise mit einem weiteren Passivierungsgel (7) befüllt wird derart, dass der Halbleiterchip (4) vom weiteren Passivierungsgel (7) bedeckt ist.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Befüllen der Kaverne (4c) mittels einer Kunststoffnadel erfolgt.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Befüllen der Kaverne (4c) mittels eines Vakuum-Dispensierverfahrens erfolgt.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (4) ein Drucksensorchip ist.
11. Halbleiterchipanordnung mit:
einem Halbleiterchip (4) mit einer Vorderseite (VS), die einen Membranbereich (4a) und einen Peripheriebereich (5) aufweist, und einer Rückseite (RS), die eine an den Membranbereich (4a) angrenzende Kaverne (4c) aufweist;
einem Substrat (1), welches eine Durchgangsöffnung (Ia) aufweist;
wobei die Rückseite (RS) des Halbleiterchips (4) auf dem Substrat (1) derart auf dem Substrat (1) montiert ist, dass die Kaverne (4c) mit der Durchgangsöffnung (Ia) in Fluidverbindung steht; und
wobei die Kaverne (4c) zumindest mit einem Passivierungsgel (10) befüllt ist.
12. Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Rückseite (RS) des Halbleiterchips (4) und dem Substrat (1) eine Glasplatte (3) montiert ist, die eine weitere Durchgangsöffnung (3 a) aufweist, die eine Fluidverbindung zwischen der Durchgangsöffnung (Ia) und der Kaverne (4c) bildet.
13. Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 11 oderl2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kaverne (4c) vollständig befüllt ist.
14. Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Kaverne (4c) vollständig befüllt ist und die weitere Durchgangsöffnung (3a) zumindest teilweise befüllt ist.
15. Halbleiterchipanordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die weitere Durchgangsöffnung (3a) vollständig befüllt ist und die Durchgangsöffnung (Ia) zumindest teilweise befüllt ist.
16. Halbleiterchipanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil des Passivierungsgels (10) einen dünnen Film (10a) des Passivierungsgels (10) bildet.
17. Halbleiterchipanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass ein Ringgehäuse (8) auf dem Substrat (1) montiert ist, welches den auf dem Substrat (1) montierten Halbleiterchip (4) umgibt, und das Ringgehäuse (8) zumindest teilweise mit einem weiteren Passivierungsgel (7) derart befüllt ist, dass der Halbleiterchip (4) von dem weiteren Passivierungsgel (7) bedeckt ist.
PCT/EP2006/068426 2005-11-29 2006-11-14 Verfahren zum montieren von halbleiterchips und entsprechende halbleiterchipanordnung WO2007062976A1 (de)

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