DE102004006513A1 - Verfahren zum Herstellen einer Led - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Led Download PDF

Info

Publication number
DE102004006513A1
DE102004006513A1 DE102004006513A DE102004006513A DE102004006513A1 DE 102004006513 A1 DE102004006513 A1 DE 102004006513A1 DE 102004006513 A DE102004006513 A DE 102004006513A DE 102004006513 A DE102004006513 A DE 102004006513A DE 102004006513 A1 DE102004006513 A1 DE 102004006513A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
wavelength
led
photo
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102004006513A
Other languages
English (en)
Inventor
Kheng Leng Tan
Abdul Karim Aizar
Su Lin Bayan Lepas Oon
Boon Chun Tanjong Bungah Tan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Original Assignee
Agilent Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=32908216&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE102004006513(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Agilent Technologies Inc filed Critical Agilent Technologies Inc
Publication of DE102004006513A1 publication Critical patent/DE102004006513A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Es wird eine LED offenbart, die einen Lichtemitter umfaßt, der Licht einer ersten Wellenlänge emittiert, und eine Phosphorschicht, die einen Teil dieses Lichts in ein Licht einer zweiten Wellenlänge umwandelt. Die Phosphorschicht umfaßt ein pulverisiertes Phosphor, das in einem photoaushärtbarem Medium suspendiert ist, das sich auf eine Belichtung mit Licht einer Aushärtungswellenlänge hin stabilisiert. Die Phosphorschicht kann ferner einen thixotropen Stoff umfassen, der die Rate, bei der sich das pulverisierte Phosphor in dem Medium setzt, bevor das Medium mit Licht der Aushärtungswellenlänge belichtet wird, verringert. Das photoaushärtbare Medium umfaßt ein photoaushärtbares Epoxy, das innerhalb eines Zeitraums aushärtet, der im Vergleich zu der Absetzzeit des Phosphorpulvers in dem Medium kurz ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf lichtemittierende Dioden.
  • Für die Zwecke der vorliegenden Erörterung wird die vorliegende Erfindung anhand einer „Weiß" emittierenden lichtemittierenden Diode (LED) erläutert; die bei der vorliegenden Erfindung gelehrten Verfahren können jedoch auf eine breite Palette von LEDs angewandt werden. Eine Weiß emittierende LED, die Licht emittiert, das von einem menschlichen Beobachter als „weiß" wahrgenommen wird, kann hergestellt werden, indem eine LED erzeugt wird, die eine Kombination aus blauem und gelbem Licht im richtigen Intensitätsverhältnis emittiert. LEDs, die ein Blau einer hohen Intensität emittieren, sind in der Technik bekannt. Gelbes Licht kann aus dem blauen Licht erzeugt werden, indem manche der blauen Photonen über ein geeignetes Phosphor umgewandelt werden. Bei einem Entwurf bedeckt eine transparente Schicht, die verteilte Partikel des Phosphors enthält, einen LED-Chip. Die Phosphorpartikel sind in einem Vergußmaterial verteilt, das die lichtemittierenden Oberflächen der Blau-LED umgibt. Um eine Weiß emittierende LED zu erhalten, muß die Dicke und Gleichmäßigkeit der verteilten Phosphorartikel streng gesteuert werden.
  • Bei einem Entwurf ist die LED an einer Wärmesenke in einer Mulde in einer Basis einer gedruckten Schaltungsplatine angebracht. Die Mulde weist reflektierende Seiten auf, die eine reflektierende „Schale" bilden, wobei sich der LED-Chip auf dem Boden derselben befindet. Das Phosphor wird mit Flüssiggußepoxy gemischt und in die Schale eingespritzt. Das Teil wird anschließend zwei Stunden lang warmgehärtet.
  • Ungünstigerweise weist dieses Herstellungssystem aufgrund einer ungleichmäßigen Phosphorverteilung in der reflektierenden Schale eine geringe Ausbeute auf. Die Dichte der Phosphorpartikel ist größer als die des Flüssiggußepoxy, und daher tendieren die Partikel dazu, sich zum Boden der Reflektorschale hin abzusetzen. Folglich ist die Phosphormenge über den Chip verringert, was wiederum das Verhältnis von gelbem zu blauem Licht, das durch die fertiggestellte Vorrichtung erzeugt wird, verringert. Eine derartige Vorrichtung emittiert Licht, das bläulich-weiß ist statt weiß.
  • Ferner tendiert das Flüssiggußepoxy dazu, während des Warmhärtungsvorgangs zu schrumpfen. Dies kann zu einem Teil führen, bei dem das obere Ende des Chips freiliegt. Dies führt ferner zu einer Farbverschiebung, die unerwünscht ist.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Lichtquelle und ein Verfahren zu schaffen, die die Herstellung einer LED erleichtern.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Lichtquelle gemäß Anspruch 1 sowie durch ein Verfahren gemäß Anspruch 6 gelöst.
  • Die vorliegende Erfindung ist eine LED, die einen Lichtemitter umfaßt, der Licht einer ersten Wellenlänge emittiert, und eine Phosphorschicht, die einen Teil dieses Lichts in ein Licht einer zweiten Wellenlänge umwandelt. Die Phosphorschicht umfaßt ein pulverisiertes Phosphor, das in einem photoaushärtbaren Medium suspendiert ist, das sich auf eine Belichtung mit Licht einer Aushärtungswellenlänge hin stabilisiert bzw. verfestigt. Die Phosphorschicht kann ferner einen thixotropen Stoff umfassen, der die Rate, bei der sich das pulverisierte Phosphor in dem Medium setzt, bevor das Medium mit Licht der Aushärtungswellenlänge belichtet wird, verringert. Das photoaushärtbare Medium umfaßt ein photoaushärtbares Epoxy, das innerhalb eines Zeit raums aushärtet, der im Vergleich zu der Absetzzeit des Phosphorpulvers in dem Medium kurz ist.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert. Es zeigt:
  • 1 eine Querschnittsansicht einer fertiggestellten Weiß emittierenden LED 10.
  • Die vorliegende Erfindung überwindet die oben beschriebenen Probleme, indem sie die Sedimentation der Phosphorpartikel verringert. Das bevorzugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet ein UV-ausgehärtetes Epoxy, das sich innerhalb eines sehr kurzen Zeitraums stabilisiert, zusammen mit einem thixotropen Stoff, der die Sedimentation der Phosphorpartikel verzögert.
  • Die Art und Weise, auf die die vorliegende Erfindung ihre Vorteile liefert, werden unter Bezugnahme auf 1, die eine Querschnittsansicht einer fertiggestellten Weiß emittierenden LED 10 ist, leichter verständlich. Die LED 10 umfaßt eine reflektierende Schale 17, die in einer Mulde in einer Basis einer gedruckten Schaltungsplatine gebaut ist. Der Halbleiterchip 12 der Blau emittierenden LED ist an einer Wärmesenke 18 angebracht, die den Boden der Schale 17 bedeckt. Die Schale 17 ist mit einem Gußepoxy 22 gefüllt, in dem die Phosphorpartikel suspendiert sind. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weisen die Phosphorpartikel einen mittleren Partikeldurchmesser von 4 μm oder mehr auf und sind in dem Epoxymedium gleichmäßig verteilt. Über einen Draht 15, der mit einem elektrischen Kontaktloch 21 verbunden ist, wird eine elektrische Verbindung zu der oberen Oberfläche des Chips 12 hergestellt. Die zweite Verbindung mit dem Chip 12 wird durch die Unterseite des Chips hergestellt. Um die Zeichnung zu vereinfachen, wurde diese Verbindung weggelassen. Eine optische Kuppel 16 ist über dem eingekapselten Chip plaziert, um die Art und Weise, auf die Licht extrahiert wird, zu steuern.
  • Die bevorzugte Phosphorzusammensetzung umfaßt Partikel eines Metallaluminiumoxids mit einem mittleren Durchmesser, der größer ist als 4 μm. Da Phosphore zur Verwendung beim Herstellen von Weiß emittierenden LEDs in der Technik bekannt sind, werden sie hier nicht ausführlich erläutert. Beispielsweise beschreibt die US-Patentschrift Nr. 6,501,100 ein Phosphorsystem zum Herstellen von Weiß-LEDs. Dieses Material ist in einem UV-aushärtbaren Epoxyharz suspendiert, das einen thixotropen Stoff enthält, der ermöglicht, daß die gelatineartige Zusammensetzung vor einem Aushärten mit UV-Licht in die reflektierenden Schalen eingespritzt wird. Das bevorzugte Epoxyharz ist eine Ein-Komponenten-Zusammensetzung, die cycloaliphatisches Novolak-Bisphenol A, UVI 6990, UVI 6074 und Photoinitiatoren aufweist. Diese Materialien sind von Union Carbide oder Dow Chemicals im Handel erhältlich. Die Zusammensetzungen sind so eingestellt, daß das Epoxy innerhalb von zwei bis vier Sekunden aushärtet, wenn es mit einer UV-Lichtquelle im Bereich von 320-390 nm bei einer Intensität von 1-2 J/cm2 belichtet wird. Geeignete thixotrope Stoffe sind von Degussa AG, Aerosil & Silanes, Produktsicherheit AS-FA-PS, Postfach 1345, D-63403 Hanau, erhältlich (Aerosil 130, Aerosil 150, Aerosil 200, Aerosil 300, Aerosil 380, Aerosil R202, Aerosil R805, Aerosil R812, Aerosil R812S, Aerosil R816, Aerosil R972 und Aerosil R974). Weitere thixotrope Stoffe, die sich für eine Verwendung bei der vorliegenden Erfindung eignen, sind von Cabot Corporation, Cab-O-Sil Division, 700E. U.S. Highway 36, Tuscola, IL 61953-9643, USA, erhältlich (CAB-O-SIL TS-530, CABO-O-SIL TS-610, CABO-O-SIL TS-720, CAB-O-SIL LM-130, CAB-O-SIL LM-150, CAB-O-SIL M-5, CAB-O-SIL M-5P, CAB-O-SIL MS-55, CAB-O-SIL H-5). Die Konzentration der thixotropen Stoffe hängt von dem jeweiligen gewählten Stoff ab; allgemein werden diese Stoffe jedoch bei Konzentrationen von weniger als 30 % verwendet.
  • Die schnelle Aushärtungszeit zusammen mit dem thixotropen Stoff gewährleistet, daß sich das Epoxy stabilisiert, bevor die Phosphorpartikel sich auf dem Boden der reflektierenden Schale setzen können. Daher sind die Probleme, die mit dem Absetzen der Partikel zusammenhängen, beträchtlich verringert. Ferner erhöht die kürzere Aushärtungszeit den Durchsatz der Produktionskette und verringert somit die Herstellungskosten. Das Ein-Komponenten-Epoxyharz eliminiert ferner durch Menschen verursachte Fehler beim Mischen des bisher verwendeten warmgehärteten Zwei-Komponenten-Systems. Schließlich werden durch diese Epoxyzusammensetzung die Probleme, die mit der Schrumpfung des Epoxymaterials zusammenhängen, beträchtlich verringert.
  • Die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung verwenden ein sich sehr schnell stabilisierendes Epoxy. Man sollte jedoch beachten, daß die vorliegende Erfindung mit jeglichem Epoxy zufriedenstellend funktioniert, bei dem die Stabilisierungszeit im Vergleich zu der Zeit, die benötigt wird, damit sich das pulverisierte Phosphor ausreichend setzt, um die Konzentration des Phosphors in der Harzschicht über dem Chip, das die LED enthält, zu verändern, gering ist. Solange sich die Konzentration des Phosphors in der Schicht nicht um mehr ändert als während des Aushärtungsvorgangs, liefert die vorliegende Erfindung einen beträchtlichen Vorteil gegenüber bekannten Systemen.

Claims (9)

  1. Lichtquelle (10, die folgende Merkmale aufweist: einen Lichtemitter (12), der Licht einer ersten Wellenlänge emittiert; und eine Phosphorschicht (22), die die LED bedeckt, wobei das Phosphor einen Teil des Lichts der ersten Wellenlänge in ein Licht einer zweiten Wellenlänge umwandelt, wobei die Phosphorschicht (22) ein in einem photoaushärtbaren Medium suspendiertes pulverisiertes Phosphor aufweist, das sich auf eine Belichtung mit einem Licht einer Aushärtungswellenlänge hin stabilisiert.
  2. Lichtquelle (10) gemäß Anspruch 1, bei der der Lichtemitter (12) eine LED umfaßt.
  3. Lichtquelle (10) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der sich das photoaushärtbare Medium in einer geringeren Zeit stabilisiert als für eine mehr als 0,5%ige Veränderung der Konzentration des Phosphors in der Schicht über der LED erforderlich ist.
  4. Lichtquelle (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der das photoaushärtbare Medium ein Epoxyharz umfaßt.
  5. Lichtquelle (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der die Phosphorschicht (22) ferner einen thixotropen Stoff umfaßt, der die Rate, mit der sich das pulverisierte Phosphor in dem Harz setzt, bevor das Harz mit dem Licht der Aushärtungswellenlänge belichtet wird, verringert.
  6. Verfahren zum Herstellen einer LED, das folgende Schritte umfaßt: Anbringen einer LED, die Licht einer ersten Wellenlänge emittiert, auf einem Substrat; Suspendieren eines Pulvers eines Phosphors, das Licht der ersten Wellenlänge in Licht einer zweiten Länge umwandelt, in einem photoaushärtbaren Material, das sich auf eine Belichtung mit einem Licht einer Aushärtungswellenlänge hin stabilisiert; Bedecken der LED mit einer Schicht des suspendierten photoaushärtbaren Mediums; und Belichten des photoaushärtbaren Harzes mit einem Licht der Aushärtungswellenlänge.
  7. Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem sich das photoaushärtbare Harz in einer geringeren Zeit stabilisiert als für eine mehr als 0,5%ige Veränderung der Konzentration des Phosphors in der Phosphorschicht (22) über der LED erforderlich ist.
  8. Verfahren gemäß Anspruch 6 oder 7, bei dem das photoaushärtbare Medium ein Epoxyharz umfaßt.
  9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 6 bis 8, bei dem das photoaushärtbare Harz ferner einen thixotropen Stoff umfaßt, der die Rate, mit der sich das pulverisierte Phosphor in dem Harz setzt, bevor das Harz mit dem Licht der Aushärtungswellenlänge belichtet wird, verringert.
DE102004006513A 2003-03-07 2004-02-10 Verfahren zum Herstellen einer Led Withdrawn DE102004006513A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/383443 2003-03-07
US10/383,443 US6806658B2 (en) 2003-03-07 2003-03-07 Method for making an LED

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102004006513A1 true DE102004006513A1 (de) 2004-09-23

Family

ID=32908216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004006513A Withdrawn DE102004006513A1 (de) 2003-03-07 2004-02-10 Verfahren zum Herstellen einer Led

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6806658B2 (de)
JP (1) JP2004274040A (de)
DE (1) DE102004006513A1 (de)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6922024B2 (en) * 2002-11-25 2005-07-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
US7128442B2 (en) * 2003-05-09 2006-10-31 Kian Shin Lee Illumination unit with a solid-state light generating source, a flexible substrate, and a flexible and optically transparent encapsulant
US20050077535A1 (en) * 2003-10-08 2005-04-14 Joinscan Electronics Co., Ltd LED and its manufacturing process
US6933535B2 (en) * 2003-10-31 2005-08-23 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with enhanced luminous efficiency
TW200522387A (en) * 2003-12-26 2005-07-01 Ind Tech Res Inst High-power LED planarization encapsulation structure
US20070045777A1 (en) * 2004-07-08 2007-03-01 Jennifer Gillies Micronized semiconductor nanocrystal complexes and methods of making and using same
US20060082297A1 (en) * 2004-10-19 2006-04-20 Eastman Kodak Company Method of preparing a lens-less LED
US7192795B2 (en) * 2004-11-18 2007-03-20 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US7314770B2 (en) * 2004-11-18 2008-01-01 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US7115428B2 (en) * 2005-03-07 2006-10-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating light-emitting devices utilizing a photo-curable epoxy
US20060226772A1 (en) * 2005-04-06 2006-10-12 Tan Kheng L Increased light output light emitting device using multiple phosphors
CN1848463A (zh) * 2005-04-15 2006-10-18 南京汉德森科技股份有限公司 基于金属线路板的led白光光源
JP2007027431A (ja) 2005-07-15 2007-02-01 Toshiba Corp 発光装置
US20070092736A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US20070092737A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
WO2007050484A1 (en) * 2005-10-24 2007-05-03 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
US7595515B2 (en) 2005-10-24 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
US20070128745A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Brukilacchio Thomas J Phosphor deposition method and apparatus for making light emitting diodes
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
US8092735B2 (en) 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
JP5374855B2 (ja) * 2007-10-19 2013-12-25 三菱化学株式会社 蛍光体含有組成物の製造方法
US20090159915A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Shaul Branchevsky Led insert module and multi-layer lens

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19952932C1 (de) * 1999-11-03 2001-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit breitbandiger Anregung
US6635363B1 (en) * 2000-08-21 2003-10-21 General Electric Company Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip

Also Published As

Publication number Publication date
US6806658B2 (en) 2004-10-19
US20040183471A1 (en) 2004-09-23
JP2004274040A (ja) 2004-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004006513A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Led
EP1259990B1 (de) Verfahren zur herstellung eines lichtabstrahlenden halbleiterkörpers mit lumineszenzkonversionselement
DE102010044470B4 (de) Verfahren zur Beschichtung eines optoelektronischen Chip-On-Board-Moduls, optoelektronisches Chip-On-Board-Modul und System damit
DE19919381A1 (de) Mehrfachverkapselung von Phosphor-LED-Bauelementen
DE102013207308B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
DE102013212928A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE202008018207U1 (de) Baugruppe mit lichtemittierender Vorrichtung
DE10301676A1 (de) Beschichteter Phosphorfüllstoff und Verfahren zum Bilden eines beschichteten Phosphorfüllstoffs
EP2474031B1 (de) Vergossenes optoelektronisches modul mit mehreren halbleiterbauelementen und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen moduls
EP1917686A1 (de) Verfahren zum herstellen eines lumineszenzdiodenchips und lumineszenzdiodenchip
WO2008104165A1 (de) Optoelektronische vorrichtung mit gehäusekörper
DE102012206646B4 (de) Leuchtvorrichtung mit LED-Chip und Vergussmasse und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung
EP3350847B1 (de) Verfahren zum ausbilden eines oder mehrerer dreidimensionaler objekte und optoelektronische leuchtvorrichting
DE10065381B4 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE102018111637A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
DE102014108377A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102017127597B4 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE102014114914A1 (de) Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102017104144A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden und Leuchtdiode
DE102013220674A1 (de) Leuchtvorrichtung
WO2020078809A1 (de) Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung von optoelektronischen vorrichtungen
US7115428B2 (en) Method for fabricating light-emitting devices utilizing a photo-curable epoxy
WO2015144393A1 (de) Leuchtvorrichtung mit cob-bereich
DE102018121988A1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE102012201448B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer mit Leuchtstoff versetzten Platte

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES ECBU IP (SINGAPORE) PTE. LTD.,

8139 Disposal/non-payment of the annual fee