DE102004002163B4 - Gassensormodul und ein Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

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Abstract

Gassensormodul, das aufweist:einen Strahlungsdetektor (1), der einen Thermopile-Chip (2) mit einer auf seiner Oberfläche (3) ausgebildeten Membran (4) und einer unter der Membran (4) ausgebildeten ersten Kavität (5) aufweist, wobei auf der Membran (4) eine Thermopile-Struktur (6) und eine Absorberschicht (9) aufgebracht sind,einen Kappen-Chip (14), der auf seiner Unterseite (15) eine zweite Kavität (16) aufweist und an dem Thermopile-Chip (2) über eine Vakuum dichtende Verbindung (12) befestigt ist derartig, dass die Membran (4) mit der Thermopile-Struktur (6) und der Absorberschicht (9) zwischen der ersten Kavität (5) und der zweiten Kavität (16) angeordnet ist,ein auf dem Kappen-Chip (14) über eine Klebstoffschicht (20) befestigtes Filterplättchen (23) zur selektiven Filterung von Infrarot-Strahlung (S) eines definierten Wellenlängenbereiches,einen Leadframe (52), mit dem der Thermopile-Chip (2) über Bonddrähte (50) kontaktiert ist, undein gemoldetes Gehäuse (54) aus einem Kunststoffmaterial oder Mold-Compound, in das ein Teil des Leadframes (52), der Thermopile-Chip (2) und der Kappen-Chip (14) eingebettet sind,wobei das Filterplättchen (23) in einer in dem Gehäuse (54) ausgebildeten Gehäusekavität (56) angeordnet ist, die sich von einer Gehäuseoberseite (65) zu einer Oberseite (19) des Kappen-Chips (14) erstreckt.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Gassensormodul und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
  • Derartige Gassensormodule beruhen auf dem Prinzip der Messung der Absorption der IR-Strahlung in einem bestimmten Wellenlängenbereich durch Gasmoleküle des nachzuweisenden Einzelgases. Sie können im Kraftfahrzeugbereich insbesondere in Klimaanlagen zur Messung der Umgebungsluft oder zur Detektion der Leckage eines CO2-Klimamittels eingesetzt werden. IR-Strahlung wird von einer IR-Strahlungsquelle ausgegeben und von einem über eine Messstrecke gegenüberliegendem Strahlungsdetektor, der in das Gassensormodul aufgenommen ist, detektiert. Der Strahlungsdetektor weist hierbei im Allgemeinen in Plättchenform ausgebildete Filterelemente auf, die über einer Thermopile-Struktur mit einer Absorberschicht angebracht sind. Die durch das Filterelement hindurchtretende Infrarot (IR)-Strahlung trifft auf die Absorberschicht und wird dort in Wärme umgewandelt, welche von der Thermopile-Struktur als Thermospannung gemessen werden kann. Die Thermopile-Struktur ist hierbei im Allgemeinen auf einer Membran eines Thermopile-Chips aufgebracht und kann über eine Kontaktierung in dem Gassensormodul ausgelesen werden.
  • Die Gassensormodule können zum einen ein vorgefertigtes Gehäuse aufweisen, in die der Thermopile-Chip eingesetzt, nachfolgend kontaktiert und durch Auffüllen mit einem Passivierungsmittel passiviert wird. Ein derartiger Aufbau ist im Allgemeinen recht aufwendig, da die Filterplättchen mit den Strahlungsfiltem in die Innenseite der Kappe des Gehäuses geklebt werden müssen.
  • Alternativ hierzu kann der Thermopile-Chip zusammen mit einem seiner Kontaktierung dienenden Leadframe direkt mit Kunststoff oder einem Mold-Compound umspritzt werden, so dass ein gemoldetes Gehäuse ausgebildet wird. Das Sensorelement wird über Drahtbondverbindungen mit dem Trägerstreifen bzw. Leadframe kontaktiert und nachfolgend zu dem Mold-Package mit dem aufgenommenen Chip hergestellt. Dieser Prozess ist für unterschiedliche Arten von Chips grundsätzlich bekannt.
  • Die Herstellung eines gemoldeten Gehäuses für spektroskopische Gassensoren mit einem relevanten Wellenlängenbereich von z. B. größer/gleich 4000 nm ist jedoch im Allgemeinen aufwändig, da das für das Gehäuse verwendete Kunststoffmaterial oder Molding-Compound für die Strahlung nicht ausreichend transparent ist, so dass bei Einmolden eines Thermopile-Chips kein optischer Zugang zu der sensitiven Oberfläche des Thermopile-Chips mehr gewährleistet ist.
  • Die US 5 897 338 A zeigt ein Sensormodul mit einem eine Öffnung aufweisenden gemoldeten Gehäuse, ein sog. moulded cavity package, wobei sich die Öffnung des gemoldeten Gehäuses bis zu dem optischen Chip erstreckt. Die Gehäusekavität in dem Gehäuse wird erzeugt, indem nach Kontaktieren des Sensorchips ein Stempel auf die Sensoranordnung gedrückt wird, der nach dem Spritzen bzw. Molden herausgezogen wird, so dass ein optischer Zugang zu dem Chip gegeben ist. Die Kavität kann nachfolgend verschlossen werden, indem ein Fenster, z.B. aus Glas, mittels z. B. Klebstoff auf der gemoldeten Gehäuseoberseite befestigt wird.
  • Aus der DE 102 14 769 A1 ist ein Sensor zur Aufnahme von Lichtsignalen bekannt, bei dem ein erster Wafer eine sensitive Schicht oberhalb einer Kaverne und ein zweiter Wafer oberhalb der sensitiven Schicht vorgesehen ist. Der zweite Wafer weist dabei ebenfalls eine Kaverne auf, die oberhalb der sensitiven Schicht angeordnet ist. Weiterhin trägt der zweite Wafer eine Filterschicht.
  • Ein weiterer Sensor zur Erfassung von infraroter Strahlung ist aus der-USUS 2003 / 0 141 455 A1 bekannt. Hierbei ist ein Absorber als Detektor vorgesehen, der die einfallende infrarote Leistung absorbiert, um ein Sensorsignal zu erzeugen, welches die Temperatur des Zielobjekts repräsentiert. Hierzu wird der Absorber auf einer Membran oberhalb einer Ausnehmung angeordnet.
  • Aus der DE 93 01 622 U1 ist ein Strahlungssensor bekannt, welcher einen ersten Wafer mit einer ein Sensorelement tragenden Membran oberhalb einer Ätzausnehmung und einem darauf befindlichen und einen eine weitere Ätzausnehmung aufweisenden zweiten Wafer als Gehäuseteil aufweist.
  • Das erfindungsgemäße Gassensormodul weist dem gegenüber insbesondere den Vorteil auf, dass ein einfacher und kostengünstiger Aufbau möglich ist. Hierbei können Gassensormodule in Mold-Packages nach vorgegebenen Standardnormen, z. B. dem JEDEC-Standard hergestellt werden. Alle Bond-Verbindungen, sowohl zur Kontaktierung dienende Drahtbonds als auch Chip-Verbindungen, sowohl Bond- als auch Klebeverbindungen, können durch das Material - im Allgemeinen ein Kunststoff bzw. Molding-Compound auf z. B. Epoxyharzbasis - gut passiviert werden. Es wird ein robustes, automotiv-taugliches Gehäuse hergestellt.
  • Die Membran ist erfindungsgemäß in einem Vakuum aufgenommen, das durch eine Vakuum dichte Verbindung zwischen dem Thermopile-Chip und dem Kappen-Chip, z.B. eine Sealglas-Verbindung, gegenüber einem Außenraum abgedichtet ist.
  • Als Filterplättchen kann insbesondere ein Filter-Chip aus z. B. Silizium oder Silizium-Germanium mit entsprechender Strukturierung bzw. Filterbeschichtung einer Oberfläche verwendet werden, der nachfolgend eingeklebt wird. Durch die Klebemontage des Filterplättchens auf dem Kappen-Chip können erfindungsgemäß sehr kompakte und flache Gehäuse bzw. Mold-Packages erzeugt werden.
  • Der Klebstoff des einen Filter-Chips oder der mehreren Filter-Chips sorgt gleichzeitig für eine zusätzliche Versiegelung der Grenzfläche zwischen Chip-Oberfläche und Gehäusekunststoff bzw. Molding-Compound, so dass zwischen Chip und Gehäusematerial ein guter Schutz vor Delamination, z.B. hervorgerufen durch Feuchteeinwirkung, erreicht wird.
  • Durch eine Variation der aufgeklebten Filter-Chips können Gassensoren für verschiedene Gase mit dem gleichen Mold-Package bzw. gemoldeten Gehäuse realisiert werden. Die Entscheidung, welches Filter für welches Gas geklebt wird, kann zuletzt erfolgen. Es wird somit eine variable und flexible Modulbauweise ermöglicht.
  • Durch die Ausbildung einer umlaufenden Stopp-Kante an der Gehäusekavität kann ein Kriechen des Klebstoffes auf die Oberfläche des Gehäuses verhindert werden. Hierzu können insbesondere niedrig viskose Klebstoffe verwendet werden. Der Effekt wird durch Ausbildung von zwei in lateraler Richtung aufeinander folgenden Stoppkanten noch verbessert bzw. durch Redundanz abgesichert.
  • Eine kostengünstige Massenproduktion kann erreicht werden, indem die Teilstapel aus Thermopile-Chip und Kappen-Chip durch passendes Aufeinandersetzen der Thermopile-Wafer und Kappen-Wafer zu einem Teilstapel-Wafer und nachfolgendem Vereinzeln hergestellt werden.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand der beiliegenden Zeichnungen an einigen Ausführungsformen näher erläutert. Es zeigen:
    • 1a einen Schnitt durch einen Strahlungsdetektor mit einem Stapelaufbau aus Thermopile-Chip, Kappen-Chip und aufgeklebtem Filter-Chip zum Einsatz in einem erfindungsgemäßen Sensormodul;
    • 1b einen Schnitt durch einen zu 1a alternativen Strahlungsdetektor mit in den Klebstoff eingebrachten Spacern;
    • 1c einen Schnitt durch einen Strahlungsdetektor mit in der Kappe ausgebildeten Abstandshaltern;
    • 2 ein Schnitt durch den Teilstapel aus 1a,b,c mit Thermopile-Chip und darauf hermetisch dichtend befestigtem Kappen-Chip, wie er in ein Mold-Package verbaut werden kann;
    • 3 einen Schnitt durch ein Gassensormodul vor Aufkleben des Filter-Chips;
    • 4 einen Schnitt durch das Gassensormodul aus 3 nach Aufkleben des Filter-Chips;
    • 5 einen Schnitt durch ein Gassensormodul gemäß einer weiteren Ausführungsform mit in dem Mold-Gehäuse ausgebildeten Stoppkanten und bis zu einer ersten Stoppkante aufgefülltem Klebstoff;
    • 6 einen der 5 entsprechenden Schnitt mit bis zu einer zweiten Stoppkante aufgefülltem Klebstoff;
    • 7 einen Detailauschnitt aus 5 mit den Stoppkanten und dem aufgefüllten Klebstoff;
    • 8 eine Draufsicht auf ein erfindungsgemäßes Sensormodul mit zwei Messkanälen.
  • Ein Strahlungsdetektor 1 weist gemäß 1a einen unteren Thermopile-Chip 2 mit einer an seiner Oberseite 3 ausgebildeten Membran 4 und unterhalb der Membran 4 durch Unterätzen ausgebildeten Kavität 5 auf. Auf der Membran 4 ist eine Thermopile-Struktur 6 mit einer Absorberschicht 9 ausgebildet, in die in an sich bekannter Weise mindestens zwei miteinander kontaktierte Bahnen aus unterschiedlichen leitfähigen Materialien, z. B. einem Metall und Polysilizium (polykristallinem Silizium) hergestellt sind. Bei Auftreffen von Infrarot- (IR-)Strahlung auf die Absorberschicht 9 erwärmt sich diese, was durch den Seebeck-Effekt zu einer Thermospannung innerhalb der Thermopile-Struktur 6 führt, die als analoges elektrisches Signal ausgelesen werden kann.
  • Auf der Oberseite 3 des Thermopile-Chips 2 ist über eine um die Membran 4 herum ausgebildete, Vakuum dichte Sealglas-Verbindung 12 aus einem Bond-Mittel, z. B. einem Bleioxid, ein Kappen-Chip 14 aus Silizium als Kappe mit einer an seiner Unterseite 15 ausgebildeten zweiten Kavität 16 befestigt. Die freitragende Membran 4 mit der Thermopile-Struktur 6 und der Absorberschicht 9 ist somit von den beiden Kavitäten 5 und 16 umgeben, in denen ein Vakuum ausgebildet ist.
  • Auf der Oberseite 19 des mittleren Kappen-Chips 14 ist eine im Infrarot-Bereich hochtransparente Klebstoffschicht 20 aufgebracht, auf der ein als Filterplättchen dienender oberer Filter-Chip 23 aus Silizium befestigt ist. Der Filter-Chip 23 weist auf seiner Oberseite eine Filterschicht 24 und/oder auf seiner Unterseite eine Filterschicht 25 auf, die lediglich IR-Strahlung eines vorgegebenen Wellenlängenbereichs durchlässt und z. B. auf dem Prinzip eines dielektrischen Spiegels beruht. Von oben auftreffende IR-Strahlung S tritt somit durch den Filter-Chip 23, die im Infrarot-Bereich transparente Klebstoffschicht 20, den Kappen-Chip 14 und die obere zweite Kavität 16 auf die Absorberschicht 9.
  • Vorteilhafterweise ist die Klebstoffschicht 20 zwischen dem Filter-Chip 23 und dem Kappen-Chip 14 mit einer definierten Schichtdicke ausgebildet, da die optische Transparenz des Klebstoffes mit der Schichtdicke variiert, was z. B. durch eine vorgegebene Anpresskraft des Filter-Chips 23 beim Kleben erreicht werden kann. Durch die Einstellung einer vorgegebenen Schichtdicke d der Klebstoffschicht 20 aus hochtransparentem Klebstoff kann eine mögliche Strahlungsabsorption definiert festgelegt und somit bekannt sein.
  • Bei dem Strahlungsdetektor 26 der 1b sind gegenüber dem Strahlungsdetektor 1 der 1a ergänzend in der Klebstoffschicht 20 Spacer 29 eingebracht. Die Spacer können z. B. Glaskügelchen oder Kristallite, z. B. Alumina-Körner mit definiertem Durchmesser sein. Sie sind in der Klebstoffschicht 20 hinreichend dünn vorhanden, so dass bei Aufdrücken des als Filterplättchen dienenden oberen Silizium-Chips 23 die Spacer 29 sich verteilen und zwischen den Silizium-Chips 14 und 23 lediglich einzelne Spacer 29 nebeneinander, nicht jedoch übereinander liegen. Die Klebstoffdicke d entspricht somit dem Durchmesser der Spacer 29.
  • Bei dem Strahlungsdetektor 31 der 1c sind gegenüber dem Strahlungsdetektor 1 der 1a zusätzlich an der Oberseite 19 des mittleren Silizium-Chips 14 durch Strukturierung Abstandshalter 32 ausgebildet, deren Höhe die Dicke d der Klebstoffschicht 20 bestimmen. Die Abstandshalter 32 sind hierbei seitlich neben der Thermopile-Struktur 6 und dem Absorber 9 ausgebildet und beeinflussen somit vorteilhafterweise die einfallende IR-Strahlung S nicht.
  • Zur Herstellung eines z. B. in den 4 bis 6 gezeigten erfindungsgemäßen Sensormoduls 40 wird zunächst der in 2 gezeigte Teilstapel 43 gebildet. Hierzu werden mehrere Thermopile-Chips 2 in einem Wafer hergestellt durch jeweils Unterätzen einer Membran 4 mit der Kavität 5, Ausbilden der Thermopile-Struktur 6 auf der Membran 4 und Auftragen der Absorberschicht 9. Entsprechend werden in einem anderen Wafer die Kappen-Chips 14 jeweils durch Ätzen der zweiten Kavität 16 ausgebildet, und nachfolgend jeweils ein Kappenwafer mit Kappen-Chips 14 mittels Sealglas-Verbindungen 12 derartig dicht auf einen Thermopile-Wafer mit Thermopile-Chips 2 gesetzt, dass die Kavitäten 5, 16 übereinander liegen und die Membran 4, Thermopile-Struktur 6 und Absorberschicht 9 umgeben, wobei diese Ausbildung gegenüber dem Aussenraum Vakuum dicht ist. Zuletzt wird der zusammengefügte mehrlagige Wafer nach dem Verschmelzen der Sealglasverbindungen durch Sägen in viele Einzelchips vereinzelt.
  • Nachfolgend wird gemäß 3 der Teilstapel 43 mittels einer Klebe- oder Lötverbindung 45 auf einem Die-pad 46 befestigt, Anschlüsse 49 des Thermopile-Chips 2 über Bonddrähte 50 mit einem Leadframe 52 bzw. Leiterrahmen kontaktiert. Anschließend wird auf den mittleren Bereich der Oberfläche 19 des Kappen-Chips 14 ein Stempel 53 zum Freihalten dieses Bereiches für den nachfolgenden Mold-Vorgang gesetzt. Der Stempel überdeckt hierbei zumindest den Bereich der Thermopile-Struktur 6 mit Absorberschicht 9, vorteilhafterweise den Bereich oberhalb der gesamten Membran 4.
  • Nachfolgend wird ein Gehäuse 54 aus Kunststoff bzw. einem Mold-Compound-Material, z. B. auf Epoxyharzbasis, um den inneren Bereich des Leadframes 52 und den dazwischen angeordneten Bereich gemoldet bzw. gespritzt. Gemäß der Draufsicht der 8 kann das Gehäuse 54 z. B. eine im Wesentlichen rechtwinklige genormte Form mit dem in den 3 bis 6 gezeigten sechseckigen Querschnitt aufweisen. Hierbei werden der Die-pad 46, der Thermopile-Chip 2 und die Bonddrähte 50 vollständig eingemoldet, so dass eine sichere Passivierung der Bonddrähte 50 und Anschlüsse 49 erreicht wird. Durch den Stempel 53 wird der innere Bereich des Kappen-Chips 14 von dem Mold-Material ausgespart, so dass der Kappen-Chip 14 nur an seinen äußeren Bereichen in dem Gehäuse 54 eingemoldet und somit fixiert ist, jedoch eine Gehäusekavität 56 in dem Gehäuse 54 ausgebildet wird, die sich von einer Gehäuseoberseite 65 bis zu der Oberseite 19 des Kappen-Chips 14 erstreckt. In 3 ist der Stempel 53 bereits in der nach Ausbildung des Gehäuses 54 nach oben herausgezogenen Stellung gezeigt. Bei der Ausführungsform der 3, 4 verläuft die Gehäusekavität 56 nach unten sich verjüngend zu, damit ein problemloses Ausziehen des Stempels 53 nach Aushärten des Gehäuses 54 möglich ist.
  • Nachfolgend wird gemäß 4 der Filter-Chip 23 über die Klebstoffschicht 20 auf die Oberseite 19 des Kappen-Chips 14 geklebt. Aufgrund des freien Zugangs über die Kavität 46 kann dies in einem Standardprozess durch Aufpressen von oben mit z. B. vorgegebener Vorpresskraft zur Ausbildung einer gewünschten Schichtdicke d der Klebstoffschicht 20 erfolgen.
  • Bei der Ausführungsform der 5 wird bei ansonsten entsprechender Herstellung auf die Oberfläche 19 des Kappen-Chips 14 ein Stempel mit etwas komplexerer Formgebung gesetzt. Nach dem Molden des Gehäuses 54 und nachfolgendem Herausziehen des Stempels ist in dem Gehäuse 54 am Rande der Gehäusekavität 56 eine umlaufende Stoppkanten-Struktur 60 ausgebildet, die mindestens eine, vorteilhafterweise aus Redundanzgründen gemäß 5, 6, 7 zwei oder mehr Stoppkanten 61, 62 aufweist. Hierbei ist eine innere Stoppkante 61 und eine äußere Stoppkante 62 ausgebildet, die jeweils nach oben und innen spitz zu verlaufen und um den Rand der Gehäusekavität 56 herum laufen. Die äußere, zweite Stoppkante 62 liegt etwas höher als die erste Stoppkante 61.
  • Beim nachfolgendem Aufbringen der Klebstoffschicht 20 und Aufpressen des Filter-Chips 23 wird ein Klebstoffrand 64 neben der Klebstoffschicht 20, der sich beim Aufpressen des Filter-Chips 23 ausbildet, durch die Stoppkanten 61, 62 in seiner Höhe begrenzt. Gemäß 5, 7 reicht der Klebstoffbereich 64 gerade bis zur ersten Stoppkante 61; wird eine größere Klebstoffmenge herausgedrückt, läuft der zusätzlich erzeugte Klebstoff in eine zwischen den Stoppkanten 61, 62 ausgebildete Rille 63, die somit als Auffangbecken für den Klebstoff des Klebstoffbereichs 64 dient.
  • Öffnungswinkel α zwischen einem Innenrand 57 des Gehäuses 54 zur Gehäusekavität 56 und den Stoppkanten 61, 62 liegen vorteilhafterweise im Bereich von α = 60° bis 80°.
  • In 6 ist der Fall gezeigt, dass die erste Stoppkante 61 versagt und die äußere, etwas höher liegende zweite Sicherheits-Stoppkante 62 ein Kriechen des Klebstoffs 64 auf die Oberseite des Gehäuses 54 verhindert.
  • Gemäß 8 können in dem gemoldeten Gehäuse 54 mehrere Thermopile-Chips 2 jeweils auf Die-pads unter Kontaktierung mit dem Leadframe 52 und entsprechenden Gehäusekavitäten 56 in dem Gehäuse 54 vorgesehen sein, insbesondere zur Messung einer Messwellenlänge - z. B. im Absorptionsbereich von Kohlendioxid (CO2) - und einer Referenzwellenlänge.

Claims (11)

  1. Gassensormodul, das aufweist: einen Strahlungsdetektor (1), der einen Thermopile-Chip (2) mit einer auf seiner Oberfläche (3) ausgebildeten Membran (4) und einer unter der Membran (4) ausgebildeten ersten Kavität (5) aufweist, wobei auf der Membran (4) eine Thermopile-Struktur (6) und eine Absorberschicht (9) aufgebracht sind, einen Kappen-Chip (14), der auf seiner Unterseite (15) eine zweite Kavität (16) aufweist und an dem Thermopile-Chip (2) über eine Vakuum dichtende Verbindung (12) befestigt ist derartig, dass die Membran (4) mit der Thermopile-Struktur (6) und der Absorberschicht (9) zwischen der ersten Kavität (5) und der zweiten Kavität (16) angeordnet ist, ein auf dem Kappen-Chip (14) über eine Klebstoffschicht (20) befestigtes Filterplättchen (23) zur selektiven Filterung von Infrarot-Strahlung (S) eines definierten Wellenlängenbereiches, einen Leadframe (52), mit dem der Thermopile-Chip (2) über Bonddrähte (50) kontaktiert ist, und ein gemoldetes Gehäuse (54) aus einem Kunststoffmaterial oder Mold-Compound, in das ein Teil des Leadframes (52), der Thermopile-Chip (2) und der Kappen-Chip (14) eingebettet sind, wobei das Filterplättchen (23) in einer in dem Gehäuse (54) ausgebildeten Gehäusekavität (56) angeordnet ist, die sich von einer Gehäuseoberseite (65) zu einer Oberseite (19) des Kappen-Chips (14) erstreckt.
  2. Gassensormodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Filterplättchen (23) ein Filter-Chip (23) mit einer Filterbeschichtung (24, 25) auf seiner Oberseite und/oder Unterseite ist.
  3. Gassensormodul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Kappen-Chip (14) auf dem Thermopile-Chip (2) mittels einer Vakuum dichtenden Bond-Verbindung (12), z. B. einer Sealglas-Verbindung aus Bleioxid, befestigt ist.
  4. Gassensormodul nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an einem die Gehäusekavität (56) begrenzenden Innenrand (57) des Gehäuses (54) mindestens eine Stoppkante (61, 62) zur Begrenzung der Höhe eines an die Klebstoffschicht (20) angrenzenden Klebstoffbereiches (64) ausgebildet ist, wobei die Stoppkante (61, 62) in seitlicher Richtung zu dem Filterplättchen (23) hin und von dem Filterplättchen (23) weg abfällt.
  5. Gassensormodul nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei Stoppkanten (61, 62) in der seitlichen Richtung nebeneinander vorgesehen sind, wobei die äußere, von dem Filterplättchen (23) weiter entfernte Stoppkante (62) höher als die innere Stoppkante (61) angeordnet ist.
  6. Verfahren zum Herstellen eines Gassensormoduls (40), mit mindestens folgenden Schritten: Herstellen von Thermopile-Chips (2) mit einer Membran (4), einer unter der Membran (4) geätzten ersten Kaverne (5), einer auf der Membran (4) ausgebildeten Thermopile-Struktur (6) und einer Absorberschicht (9), Herstellen eines Kappen-Chips (14) mit einer zweiten Kaverne (16), Herstellen eines Teilstapels (43) durch Befestigen des Kappen-Chips (14) auf dem Thermopile-Chip (2) mit einem Vakuum dichten Mittel (12) derartig, dass die Membran (4), die Thermopile-Struktur (6) und die Absorberschicht (9) zwischen der ersten Kaverne (5) und der zweiten Kaverne (16) angeordnet sind, Befestigen des Teilstapels (43) auf einem Die-pad (46), Kontaktieren des Thermopile-Chips (2) mit einem Leadframe (52), Aufsetzen eines Stempels (53) auf die Oberseite (19) des Kappen-Chips (14), Spritzen eines Gehäuses (54) um einen inneren Teil des Leadframes (52) und den Teilstapel (43), Herausziehen des Stempels (53) aus einer in dem Gehäuse (54) ausgebildeten Gehäusekavität (56), und Befestigen eines Filterplättchens (23) mittels einer für IR-Strahlung (S) transparenten Klebstoffschicht (20) in der Gehäusekavität (56) auf der Oberseite (19) des Kappen-Chips (14).
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Gehäuse eine Stoppkantenstruktur (60) mit mindestens einer in seitlicher Richtung zu dem Filterplättchen (23) hin und von dem Filterplättchen (23) weg abfallenden Stoppkante (61, 62) ausgebildet wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Gehäuse (54) zwei seitliche nebeneinander angeordnete Stoppkanten (61, 62) ausgebildet werden, von denen die von dem Filterplättchen (23) weiter entfernte Stoppkante (62) höher als die innere Stoppkante (61) ausgebildet ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Filterplättchen (23) derartig auf die Oberseite (19) des Kappen-Chips (14) gedrückt wird, dass ein seitlich aus der Klebstoffschicht (20) austretender Klebstoffbereich (64) bis zu einer der Stoppkanten (61, 62) eines Innenrandes (57) reicht.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Filterplättchen ein Filter-Chip (23) mit auf seiner Oberseite oder Unterseite ausgebildeter Filterstruktur (24, 25) verwendet wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Teilstapel (43) hergestellt werden durch Herstellen eines Thermopile-Wafers mit den Thermöpile-Chips (2), Herstellen eines Kappen-Wafers mit den Kappen-Chips (14), Herstellen eines Teilstapel-Wafers mit Teilstapeln (43) durch Befestigen des Thermopile-Wafers auf dem Kappen-Wafer, und Vereinzeln der Teilstapel (43) aus dem Thermopile-Wafer.
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