DE1018560B - Halbleiteranordnung mit einem oder mehreren p-n-UEbergaengen, vorzugsweise fuer Schaltzwecke oder zur Schwingungserzeugung, deren Durchbruchscharakteristik einen negativen Ast aufweist - Google Patents

Halbleiteranordnung mit einem oder mehreren p-n-UEbergaengen, vorzugsweise fuer Schaltzwecke oder zur Schwingungserzeugung, deren Durchbruchscharakteristik einen negativen Ast aufweist

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DE1018560B
DE1018560B DES45231A DES0045231A DE1018560B DE 1018560 B DE1018560 B DE 1018560B DE S45231 A DES45231 A DE S45231A DE S0045231 A DES0045231 A DE S0045231A DE 1018560 B DE1018560 B DE 1018560B
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1187326B (de) * 1958-08-13 1965-02-18 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Schaltdiode

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2671156A (en) * 1950-10-19 1954-03-02 Hazeltine Research Inc Method of producing electrical crystal-contact devices

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