DE10150233A1 - Dünnschichtbauelement mit einer in einer ersten Ebene über einem Substrat befindlichen resistiven dünnen Schicht - Google Patents

Abstract

Es wird eine Abdeckschicht für funktionsbestimmende resistive Schichten in Dünnschichtbauelementen vorgeschlagen, deren Leitfähigkeit in den Kontaktbereichen mindestens in der Richtung senkrecht zur Schichtebene gegenüber der Leitfähigkeit in Richtungen in der Schichtebene außerhalb der Kontaktbereiche erheblich erhöht ist. Bevorzugt soll eine Schicht zur Anwendung kommen, die in Richtungen der Ebene isoliert und senkrecht dazu metallisch leitet. Bei magnetoresistiven Sensorbauelementen wird mit der Erfindung deren Herstellung bei anwendbaren Empfindlichkeiten und wirtschaftlichen Chipflächen ermöglicht.

Description

• Die Erfindung betrifft ein Dünnschichtbauelement, wie es als Teil einer elektronischen Signalverarbeitungsvorrichtung oder als Sensorelement für unterschiedliche Meßvorgänge bekannt ist. Insbesondere ist sie bei Sensorelementen anwendbar, die eine Funktionsschicht besitzen, deren Widerstand durch die Einwirkung einer physikalischen Größe wie Temperatur, Druck, elektrisches oder magnetisches Feld verändert wird, wobei die Änderung ein Maß für die einwirkende physikalische Größe ist. Die Erläuterung der Erfindung erfolgt am Beispiel magnetoresistiver Sensoren.
• Magnetoresistive Sensoren zur Messung von Magnetfeldern oder damit verbundener Größen sind bekannt. Sie nutzen die Abhängigkeit des Widerstandes dünner Schichten aus ferromagnetischem Material von der in der Schicht oder in Teilschichten aufgrund der Magnetfeldeinwirkung gedrehten Richtung der eigenen Magnetisierung. Damit diese Drehung der Magnetisierung und die daraus resultierende Widerstandsänderung zu genügend empfindlichen Meßelementen führt, ist die Verwendung sehr dünner magnetoresistiver Schichten nötig. Die Schichtdicken liegen bei bekannten Sensorelementen im Bereich von wenigen Nanometern bis zu einigen 10 Nanometern. Schichten so geringer Dicke, deren resistive und magnetische Eigenschaften auch noch empfindlich auf die Eindiffusion von Elementen aus der Umgebung wie zum Beispiel Sauerstoff oder aus zum elektrischen Anschluß benutzten Schichten wie zum Beispiel Aluminium reagieren und die in einem möglichst weiten Temperaturbereich eingesetzt werden sollen, müssen durch Abdeckschichten geschützt werden. Dabei ergeben sich wegen der geringen Schichtdicke der magnetoresistiven Schichten von vornherein unterschiedliche Probleme, für die eine Lösung gefunden werden muß. Die Anwendung von isolierenden Schutzschichten führt wegen der Notwendigkeit des elektrischen Anschlusses der resistiven Schichten zu Schwierigkeiten, da die Schutzschicht bei der Herstellung der Kontakte entfernt werden muß. Auch moderne Abtragverfahren für die Schutzschicht arbeiten nicht so selektiv und präzise, daß die Abtragung genau an der Oberfläche der resistiven Schicht gestoppt wird. Ein noch vorhandener Rest der Abdeckschicht führt in dem einen Grenzfall jedoch zu einem unzulässig hohen Anschlußkontaktwiderstand, eine teilweise Abtragung der magnetoresistiven Schicht in dem anderen Grenzfall macht diese noch anfälliger gegen eindiffundierte Störelemente und ändert die Formanisotropie der magnetoresistiven Schicht dermaßen, daß die gesamte Sensorfunktion nicht reproduzierbar gewährleistet ist. Eine wenn auch in abgeschwächtem Maße leitfähige Schutzschicht führt sofort zu dem Problem, daß ein elektrischer Parallelschluß zur resistiven Schicht vorhanden ist. Da die Schutzschicht ihren Widerstand im Magnetfeld nicht ändert, ist durch sie auf jeden Fall ein Absinken der Sensorempfindlichkeit bedingt. Um dieses Absinken in Grenzen zu halten und beim Herstellen von Außenkontakten einen geringen Kontaktwiderstand zu erreichen, muß mit geringen Schutzschichtdicken gearbeitet werden, die dann an die Grenze bezüglich ihrer Wirkung als Diffusionsbarriere kommen.
• Entsprechend der Patentschrift US 5,019,461 ist die Anwendung einer durchgehenden resistiven Schutzschicht mit konstantem spezifischen Widerstand und gleichförmiger Dicke zur Erreichung vorgegebener Werte für den Stromanteil, der die Schutzschicht durchfließt, und für den Anteil der Schutzschicht am Kontaktwiderstand der Stromanschlüsse immer möglich. Hier wird jedoch außer Acht gelassen, daß über die Größe der Kontaktflächen nicht in genügendem Maße frei verfügt werden kann. Das trifft ganz besonders für den Fall zu, daß anisotrop magnetoresistive Sensoren mit Barber-Pole-Strukturen hergestellt werden. Bei der Barber-Pole-Struktur befindet sich auf den resistiven Schichtstreifen eine Vielzahl von Leitschichtstreifen sehr hoher Leitfähigkeit in einem Abstand, der etwas geringer ist als die Streifenbreite der resistiven Schicht. Die Längsrichtung der Leitschichtstreifen bildet mit der Längsrichtung der resistiven Streifen einen Winkel von 45°. Der Zweck der Barber-Pole- Struktur besteht darin, dafür zu sorgen, daß die Richtung des Stromes in den resistiven Schichtstreifen um 45° gegen die Längsrichtung geneigt ist. Dabei sollte die Breite der Leitschichtstreifen möglichst gering gehalten werden, damit bei einer geringen Länge der resistiven Streifen ein möglichst hoher Widerstand erreichbar ist. Der Widerstand der Leitschichtstreifen und der durch eine Schutzschicht bedingte Kontaktwiderstand zwischen resistiver Schicht und Leitschicht muß sehr gering bleiben, wenn der Winkel der Stromrichtung auf wenigstens annähernd 45° gebracht werden soll. Abweichungen von 45° bewirken ein Absinken der Sensorempfindlichkeit, des Signalhubs des Sensors und eine Einschränkung seines Meßbereiches und in höherem Maße seines Linearitätsbereiches. Die Kontaktfläche eines einzelnen Streifens der Barber-Pole-Struktur liegt im Bereich weniger Quadratmikrometer. Das Problem der optimalen Kontaktierung für diesen Fall wird in dem genannten Patent nicht diskutiert und auch nicht gelöst.
• In der Patentanmeldung EP 0 413 984 wird angegeben, daß als Schutzschicht ein Metall- Oxy-Nitrid verwendet werden soll. Um bei geringen Kontaktwiderständen relativ hohe Widerstände der parallel zur resistiven Schicht liegenden Schutzschicht zu gewährleisten, soll die Schutzschicht außerhalb der Kontaktbereiche durch nachträgliche Implantation von Sauerstoff hochohmiger gemacht werden. Ein solcher Implantationsprozeß ist aber wegen der bei den geringen Schichtdicken unvermeidlichen Gefahr der teilweisen Implantation des Sauerstoffs in die unmittelbar angrenzende resistive Schicht, die zur Verschlechterung aller ihrer anzuwendenden elektrischen und magnetischen Eigenschaften führt, mit hoher Wahrscheinlichkeit nicht beherschbar.
• Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Schutzschicht für resistive Schichten in Dünnschichtbauelementen anzugeben, die die resistiven Schicht vor Eindringen von schädlichen Elementen aus der Umgebung bei den Herstellungsprozessen und im Einsatz schützt, die trotz ihrer Parallelschaltung zur resistiven Schicht deren Funktion nicht nennenswert beeinträchtigt und die eine elektrische Kontaktierung an eine Kontaktschicht hoher Leitfähigkeit bei geringem Kontaktwiderstand und geringer Kontaktfläche zuläßt.
• Die Lösung dieser Aufgabe ist mit dem Hauptanspruch der Erfindung gegeben. Im Herstellungsprozeß des Dünnschichtbauelementes wird nach dem Aufbringen der resistiven dünnen Schicht, die für die Bauelementefunktion von entscheidender Bedeutung ist, immer zunächst eine in direktem Kontakt mit dieser stehende durchgehende Abdeckschicht als Diffusionsbarriere abgeschieden. In späteren Herstellungsschritten wird dann entweder deren Leitfähigkeit in den Kontaktbereichen erhöht oder für den Fall, daß die Leitfähigkeit durch die zunächst abgeschiedene Abdeckschicht bereits genügend groß war, deren Leitfähigkeit in den nicht von der Kontaktschicht bedeckten Funktionsbereichen verringert. In beiden Fällen sind Änderungen der Leitfähigkeit um Größenordnungen möglich. Einschränkungen für die Dimensionierung der Größe der Kontaktflächen und der Fläche der Funktionsbereiche sind nicht mehr vorhanden. Zusätzliche Herstellungsschritte für Bereiche der Abdeckschicht entsprechend der Erfindung erfordern keine zusätzlichen Strukturierungen im fotolithografischen Prozeß oder sie sind wie im vorteilhaften Fall der Anwendung einer von vornherein in Richtung der Schichtebene isolierenden und senkrecht dazu metallisch leitenden Abdeckschicht überhaupt nicht nötig. Ein Abtragen von Teilen der resistiven dünnen Schicht wird in jedem Fall vermieden. Deshalb ist bei Dünnschichtbauelementen, die magnetoresistive Schichten zum Nachweis magnetischer Felder enthalten, eine Beeinträchtigung des magnetischen Verhaltens derselben ausgeschlossen. Durch die Erfindung wird eine Herstellung von Sensorbauelementen, die den anisotropen magnetoresistiven Effekt nutzen und die eine Barber- Pole-Struktur zur Einstellung des Arbeitspunktes der Widerstands-Magnetfeldkennlinie tragen, die Voraussetzung der sich notwendigerweise gegenläufig ändernden Dünnschichtwiderstände in einer wheatstoneschen Brückenschaltung ist, wegen der Aufhebung der Anforderung eines vorgegebenen Verhältnisses von Kontakt- und Funktionsbereichsflächen erst mit einer wirtschaftlich vertretbar geringen Chipfläche möglich.
• Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Dazu zeigt Fig. 1 einen Schnitt durch ein erfindungsgemäßes Dünnschichtbauelement. In Fig. 2 ist die Aufsicht auf eine erfindungsgemäße Abdeckschicht, die in der Ebene isoliert und senkrecht dazu metallisch leitet, dargestellt. Fig. 3 zeigt einen Querschnitt durch die Abdeckschicht nach Fig. 2. Fig. 4 enthält die Darstellung von zwei Streifen mit Barber-Pole-Struktur als Ausschnitt aus einem magnetoresistiven Magnetfeldsensor.
• In Fig. 1 befindet sich in einer ersten Ebene 1 über einem Substrat 4 eine dünne resistive Schicht 5. Das Substrat kann isolierend oder leitfähig sein. Im letzteren Falle sollte es an der Oberfläche eine isolierende Schicht enthalten, damit der Widerstand der resistiven dünnen Schicht 5, der für das Dünnschichtbauelement eine funktionsbestimmende Eigenschaft ist, in einfacher Weise einer Messung zugänglich bleibt. Bei dem Substrat 4 kann es sich beispielsweise um oberflächlich oxidiertes Silizium handeln. Die resistive dünne Schicht 5 kann aus Teilschichten aufgebaut sein, auch aus solchen, die nur einen Teil der gesamten Schichtfläche bedecken. Die Zeichnung in Fig. 1 ist nicht maßstäblich. Die Ausdehnung aller Schichten in Richtung senkrecht zu den Schichtebenen 1, 2 und 3 ist stark vergrößert dargestellt. Oberhalb der dünnen resistiven Schicht 5 befindet sich in einer zweiten Ebene 2 und in direktem Kontakt mit der dünnen resistiven Schicht 5 eine Abdeckschicht 6. Die Abdeckschicht 6 besteht aus einem Material, das ihr die Eigenschaft einer Diffusionsbarriere verleiht. Sie verhindert das Übertreten von chemischen Elementen aus der Umgebung. Das gilt auch für Elemente aus der oberhalb der Abdeckschicht 6 in einer dritten Ebene 3 befindlichen Kontaktschicht 9. Auch die Abdeckschicht 6 kann aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, insbesondere aus solchen, die die gesamte Fläche der Abdeckschicht 6 nur teilweise bedecken. Die Kontaktschicht 9 ist von hoher spezifischer elektrischer Leitfähigkeit. Die Bereiche der Abdeckschicht 6 und der dünnen resistiven Schicht 5 unterhalb der mit der Kontaktschicht belegten Abschnitte sind die Kontaktbereiche 8. In diesen Kontaktbereichen 8 ist durch die mindestens in Richtung senkrecht zu den Ebenen 1; 2; 3 gut leitende Abdeckschicht 6 der Widerstand der elektrisch parallel liegenden dünnen resistiven Schicht 5 kurz geschlossen. Zur Wirkung kommt so nur der Widerstand der resistiven dünnen Schicht 5 in den zwischen den Kontaktbereichen 8 liegenden Funktionsbereichen 7. In der Fig. 1 sind nur die beiden äußeren Kontaktschichtbereiche 8 mit Außenanschlüssen 15 versehen. Obwohl die dazwischenliegenden Kontaktschichtbereiche nicht über Anschlüsse verfügen, fließen aber auch hier im Betriebsfall wegen der unterschiedlichen Leitfähigkeiten der Schichten der resistiven dünnen Schicht 5 Ströme zu oder von ihr ab.
• Die Leitfähigkeit der Abdeckschicht 6, die unmittelbar nach der resistiven dünnen Schicht 5 aufgebracht wird und so diese schon im Herstellungsprozeß vor Verunreinigungen schützt, kann isotrop sein. Ihre Leitfähigkeit und ihre Dicke sind dann so zu wählen, daß der Widerstand der resistiven dünnen Schicht 5 in den Funktionsbereichen 7 nicht merklich durch ihren Parallelschluß verringert wird. Dann ist die Erzeugung einer hohen elektrischen Leitfähigkeit in senkrechter Richtung zu den Ebenen 1; 2; 3 möglich durch Herabsetzung der Dicke der Abdeckschicht 6 in den Kontaktbereichen 8 vor Aufbringen der Kontaktschicht 9. Eine zweite Möglichkeit wäre das teilweise Abtragen der ursprünglichen Abdeckschicht 6 und ihr Ersatz durch eine Teilschicht hoher spezifischer Leitfähigkeit und Undurchlässigkeit für Atome störender Verunreinigungen.
• Die Leitfähigkeit der Abdeckschicht 6 kann auch von vornherein anisotrop sein. Fig. 2 und Fig. 3 erläutern den Aufbau einer solchen Schicht für den Fall, daß in den Richtungen der Ebenen 1; 2; 3 die elektrische Leitfähigkeit null ist, also ein Isolator vorliegt. In Richtung senkrecht zu den Ebenen 1; 2; 3 liegt eine hohe, metallische Leitfähigkeit vor. Die Abdeckschicht 6 besteht hier aus zwei Teilschichten. Die zuerst auf der resistiven dünnen Schicht 5 befindliche isolierende Teilschicht 10 besteht aus zusammenhängenden Materialbereichen, zwischen denen es Poren gibt, die sich über die gesamte Schichtdicke der Teilschicht 10 erstrecken. Eine solche poröse Schicht 10 ist aus jedem Material bei genügend geringer Schichtdicke herstellbar. Eine zweite metallisch leitfähige Teilschicht 11 wird nach der isolierenden Teilschicht 10 aufgebracht. Sie besteht aus einzelnen, nicht zusammenhängenden Inseln. Diese Inseln schließen im wesentlichen die noch offenen Poren der isolierenden Teilschicht 10. Damit ist die von beiden Teilschichten 10; 11 abgedeckte resistive dünne Schicht 5 geschützt und ohne weitere zusätzliche Schicht besteht kein paralleler Nebenschluß zu ihr. In den Kontaktbereichen besteht jedoch eine gut leitfähige Verbindung zur Kontaktschicht 9. Als weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung kann auch eine von vornherein isolierende Abdeckschicht 6 vorhanden sein. Diese wird dann in den Kontaktbereichen zum Beispiel durch Ionenstrahlbearbeitung soweit abgetragen, daß nur noch ein poröser Rest zurückbleibt. Das nachträgliche Aufbringen eines elektrisch gut leitenden Materials, das auch die Atome des Kontaktmaterials von der resistiven dünnen Schicht 5 fernhält, führt zu einer nur in den Kontaktbereichen 8 anisotrop leitenden Abdeckschicht 6.
• In einer anderen Ausgestaltung der Erfindung wird die Abdeckschicht 6 von vornherein als Nitrid eines Metalles oder einer Metallegierung bei sauerstoffreichem Restgas abgeschieden. In den Kontaktbereichen 8 wird der Sauerstoff später bei der Reinigung der Kontaktflächen entfernt. Ein Tempern der kompletten Dünnschichtbauelemente führt dann in den Funktionsbereichen 7 zur Bildung von Oxynitriden mit wesentlich abgesenkter elektrischer Leitfähigkeit.
• Dünnschichtbauelemente zur Messung magnetischer Felder enthalten bei Anwendung des anisotropen magnetoresistiven Effektes lange Streifen 13 aus resistiven dünnen Schichten 5, deren Widerstand sich durch Einwirkung eines Magnetfeldes ändert (Fig. 4). Einfache lange Streifen 13 haben bei senkrecht zur Streifenlängsrichtung anliegendem Magnetfeld quadratische Kennlinien. Um Kennlinien mit von null verschiedener Empfindlichkeit und gegenläufiger Widerstandsänderung in kleinen Feldern zu erhalten, wie sie in Wheatstonebrücken eingesetzt werden können, muß die Stromrichtung in den langen Streifen 13 um -45° oder +45° gegen die Längsrichtung verdreht werden. Das gelingt durch schmale Rechtecke 14 einer hochleitfähigen Kontaktschicht 9, deren Längsrichtung gegen die der langen Streifen 13 um +45° oder -45° geneigt ist. Voraussetzung dabei ist jedoch, daß der durch eine Abdeckschicht 6 bedingte Kontaktwiderstand zwischen resistiver dünner Schicht 5 und Kontaktschicht 9 sehr gering ist. Diese Forderung gilt in um so höherem Maße, je kleiner die Abmessungen der langen Streifen 13 und die kurze Seite der Rechtecke 14 ist. Für Streifenbreiten von etwa 5 µm, Abständen der Rechtecke 14 von etwa derselben Größe und Breiten der Rechtecke 14 in der Größe weniger Mikrometer lassen sich mit Chipflächen im Bereich von weniger als 1 mm² wirtschaftlich solche Sensorelemente herstellen. Dazu muß jedoch der spezifische Widerstand der Abdeckschicht 6 erheblich größer als der spezifische Widerstand der magnetoresistiven Schicht sein, um eine genügend gute Kontaktierung für eine Stromrichtungsdrehung von auch nur annähernd 45° zu erreichen. Mit einer Abdeckschicht 6 mit gleichbleibenden Abmessungen und spezifischen Leitfähigkeiten über alle Kontakt- und Funktionsbereiche 7; 8 ist die Realisierung solcher Sensorelemente nicht möglich, da hier die magnetoresistive Schicht 5 durch die Abdeckschicht 6 in den Funktionsbereichen 7 in hohem Maße kurzgeschlossen würde. Die Lösung liegt in Abdeckschichten 6 entsprechend der Erfindung.

Claims (25)

1. Dünnschichtbauelement mit einer in einer ersten Ebene über einem Substrat befindlichen resistiven dünnen Schicht, deren Widerstand wesentlich die Funktion des Dünnschichtbauelementes bestimmt und einer in einer an die erste Ebene unmittelbar angrenzenden zweiten Ebene befindlichen dünnen Abdeckschicht, die bei den Herstellungs- und Betriebsbedingungen des Dünnschichtbauelementes ein Eindringen von funktionsverändernden Elementen in die dünne resistive Schicht aus der Umgebung und aus der Abdeckschicht selbst ausschließt und die die dünne resistive Schicht sowohl in den Funktionsbereichen, in denen die Einwirkung einer physikalischen Größe die Leitfähigkeit der dünnen resistiven Schicht beabsichtigt ändert als auch in den Kontaktbereichen, in denen der dünnen resistiven Schicht aus einer in einer dritten an die zweite Ebene unmittelbar angrenzenden Ebene befindlichen Kontaktschicht durch die Schutzschicht hindurch elektrische Ströme zufließen oder zu ihr abfließen, überdeckt, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Leitfähigkeit der Abdeckschicht in den Kontaktbereichen zumindest in der Richtung senkrecht zu den genannten Ebenen wesentlich gegenüber ihren Werten in den Funktionsbereichen in einer beliebigen in den genannten Ebenen liegenden Richtung erhöht ist.

2. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die spezifische Leitfähigkeit der Abdeckschicht isotrop ist.

3. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Abdeckschicht in den Kontaktbereichen von ihrem Wert in den Funktionsbereichen abweicht.

4. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die spezifische Leitfähigkeit der Abdeckschicht in den Kontakt- und Funktionsbereichen homogen ist und die Dicke der Abdeckschicht in den Kontaktbereichen geringer ist als in den Funktionsbereichen.

5. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die spezifische Leitfähigkeit der Abdeckschicht in den Kontaktbereichen erhöht ist.

6. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die spezifische Leitfähigkeit der Abdeckschicht anisotrop ist.

7. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die spezifische Leitfähigkeit der Abdeckschicht in Richtung senkrecht zu den genannten Ebenen größer ist als in einer beliebigen in den genannten Ebenen liegenden Richtung.

8. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckschicht in Richtungen, die in den genannten Ebenen liegen, isoliert und in der Richtung senkrecht zu den genannten Ebenen metallisch leitet.

9. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckschicht aus einer ersten isolierenden Teilschicht besteht, die zusammenhängend aber in der Weise porös ist, daß die Öffnungen sich über ihre gesamte Schichtdicke erstrecken, und aus einer zweiten leitfähigen Teilschicht, die aus nicht zusammenhängenden Inseln besteht, die den wesentlichen Teil der Öffnungen der ersten Teilschicht schließen.

10. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Abdeckschicht sowohl in den Funktionsbereichen als auch in den Kontaktbereichen direkt nach dem Aufbringen der resistiven dünnen Schicht hergestellt ist.

11. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß direkt nach dem Aufbringen der resistiven dünnen Schicht eine Abdeckschicht hergestellt wird, die in den Kontaktbereichen nach deren Formieren in einem Fotolackprozeß, bei dem die Kontaktbereiche frei und die Funktionsbereiche durch Fotolack bedeckt sind, in weiteren Herstellungsschritten so verändert ist, daß die Leitfähigkeit in den Kontaktbereichen einen erhöhten Wert hat.

12. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß nach Freilegen der Kontaktbereiche die bereits vorhandene Schutzschicht teilweise abgetragen und danach durch eine zusätzliche leitfähige Schicht verstärkt ist und damit die Erhöhung deren spezifischer Leitfähigkeit bewirkt und die Eindiffusion von Elementen aus der Kontaktschicht in die resistive dünne Schicht verhindert.

13. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Abtragung einer isolierenden Schutzschicht soweit erfolgt ist, daß ein poröser Schutzschichtrest zurückgeblieben ist, der durch die verbleibende Schichtdicke hindurch ragende Löcher enthält, die danach mit leitfähigem Material aufgefüllt sind, so daß eine senkrecht zu den genannten Ebenen leitfähige und in den Richtungen der Ebenen isolierende Schutzschicht vorhanden ist.

14. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Verteilung der Elemente in der Schutzschicht durch eine nachfolgende Temperung stabilisiert ist.

15. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß direkt nach dem Aufbringen der resistiven dünnen Schicht eine Abdeckschicht hergestellt wird, die in den Funktionsbereichen in weiteren Herstellungsschritten so verändert ist, daß die Leitfähigkeit dort herabgesetzt ist.

16. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Struktur der Schutzschicht in den Funktionsbereichen so geändert ist, daß eine herabgesetzte Leitfähigkeit auftritt.

17. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung der Schutzschicht in den Funktionsbereichen so geändert ist, daß eine herabgesetzte Leitfähigkeit auftritt.

18. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung der Schutzschicht in den Funktionsbereichen durch Einbringen von Sauerstoff so geändert ist, daß eine herabgesetzte Leitfähigkeit auftritt.

19. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Verteilung der eingebrachten Elemente in den Funktionsbereichen der Schutzschicht durch eine nachfolgenden Behandlung bei erhöhter Temperatur stabilisiert ist.

20. Dünnschichtbauelement nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die resistive dünne Schicht ihren Widerstand durch Einwirkung eines Magnetteldes ändert.

21. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die resistive dünne Schicht aus Teilschichten zusammengesetzt ist und ihren Widerstand infolge des GMR-Effektes ändert.

22. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne resistive Schicht ihren Widerstand infolge des anisotropen magnetoresistiven Effektes ändert.

23. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne resistive Schicht mit der Schutzschicht in Form parallel gerichteter langer Streifen strukturiert ist, daß die Kontaktschicht auf den langen Streifen in Abständen, die von der Größenordnung der Breite der Streifen sind, Rechtecke bildet, die die langen Streifen in ihrer gesamten Breite überdecken, wobei die Längsrichtung der Rechtecke mit der Längsrichtung der Streifen Winkel bilden, die nahe bei 45° liegen, daß die Leitfähigkeit der Kontaktschicht die Leitfähigkeit der überdeckten dünnen resistiven Schicht um Größenordnungen übertrifft, und daß nur die den Streifenenden am nächsten liegenden Rechtecke der äußeren Stromzuführung der Streifen dienen.

24. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne resistive Schicht aus Permalloy (Ni Fe) besteht, daß die direkt nach deren Abscheidung aufgebrachte Abdeckschicht durch Wolfram-Titan-Nitrid gebildet wird, daß nach Strukturierung der Flächen für die Kontaktschicht in einem Fotolackprozeß ein Abtragen der lackfreien Flächen der Abdeckschicht durch einen Ionenstrahl erfolgt ist, und daß sich unter der im wesentlichen aus Aluminium bestehenden Kontaktschicht eine Titanschicht zur Verstärkung der Schutzschicht befindet.

25. Dünnschichtbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß außer den genannten Schichten weitere für den Betrieb des Dünnschichtbauelementes notwendige Isolations- und Leitschichten vorhanden sind.