DE102011083623A1

DE102011083623A1 - Dünnschichtbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number: DE102011083623A1
Application number: DE102011083623A
Authority: DE
Inventors: Ingolf Mönch; Denys Makarov; Michael Melzer; Oliver G. Schmidt
Original assignee: Leibniz Institut fuer Festkorper und Werkstofforschung Dresden eV
Current assignee: Leibniz Institut fuer Festkorper und Werkstofforschung Dresden eV
Priority date: 2011-09-28
Filing date: 2011-09-28
Publication date: 2013-03-28

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstoffwissenschaften und betrifft ein Dünnschichtbauelement, welches beispielsweise als Sensor in der Elektrotechnik eingesetzt werden kann, und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines Dünnschichtbauelementes, welches einen einfachen Schichtaufbau mit sicherer Kontaktierung zeigt. Die Aufgabe wird gelöst durch ein Dünnschichtbauelement, welches mindestens aus einem Substrat, einer darauf angeordneten ersten Elektrode, einer darauf angeordneten Schicht zur elektrischen Isolation, einer darauf angeordneten magnetischen Schicht oder einem darauf angeordneten Multilagensystem, auf welchem wiederum eine Schicht zur elektrischen Isolation angeordnet ist, und einer darüber angeordneten zweiten Elektrode besteht, wobei der Aufbau von Schichten zur elektrischen Isolation und der magnetischen Schicht oder dem Multilagensystem, zwischen den Elektroden ein oder mehrmals vorhanden ist, und wobei die Schichten zur elektrischen Isolation offene Poren mit Porendurchmessern von maximal 1000 nm aufweisen.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Physik und der Werkstoffwissenschaften und betrifft ein Dünnschichtbauelement, welches beispielsweise als Sensor in der Elektrotechnik auch unter Ausnutzung des Magnetimpedanzeffektes eingesetzt werden kann, und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Der Magnetimpedanzeffekt beschreibt die Änderung des komplexen Widerstandes eines magnetischen Materials beim Anlegen eines magnetischen Feldes. Der Magnetimpedanzeffekt umfasst dabei alle Magnetwiderstandseffekte, wie den Anisotropiemagnetwiderstandseffekt (Anisotropic magnetoresistance AMR), Riesenmagnetowiderstandseffekt (Giant magnetoresistance GMR), den Tunnelmagnetowiderstandseffekt (Tunnel magnetoresistance TMR) und den Riesenmagnetoimpedanzeffekt (Giant magnetoimpedance GMI).
Dünnschichten mit magnetischen Partikeln mit einer Magnetimpedanz können durch eine Vielzahl an Beschichtungstechnologien, wie z.B. Magnetronsputtern, Elektronenstrahlbeschichtung, chemische Gasphasenabscheidung (CVD) oder Molekularstrahlbeschichtung ohne Substrate (Ram, S., Phys. Stat. Sol. (a) 188 (2001) 1129–1140) oder mit Substraten und Trennschichten ( WO 0024946 ; US 7,094,665 A ), hergestellt werden.
Dünnschichtbauelemente, die Magnetoimpedanzeffekte nutzen sind bekannt. So ist aus US 6,611,034 B2 ein Element bekannt, welches aus einer Schicht auf einem Substrat besteht, welche Poren aufweist. Der Stromfluss erfolgt dabei in Richtung der Tiefe der Poren. Nur in den Poren befindet sich ein magnetisches Material, welches aus ferromagnetischen Schichten mit dazwischen liegenden nichtmagnetischen Schichten aufgebaut ist.
Dünnschichtbauelemente, die Magnetoimpedanzeffekte nutzen, können bekanntermaßen unterschiedliche Arten des Stromflusses aufweisen. Es sind Dünnschichtbauelemente bekannt, bei denen davon ausgegangen wird, dass der Stromfluss überwiegend quer zum Schichtaufbau des Bauelementes erfolgt. Diese Bauelemente werden auch als CIP-Bauelemente bezeichnet (CIP – current in plane) (S.S.P. Parkin, Annu. Rev. Mater. Sci. 25 (1995) 357). Bei anderen bekannten Dünnschichtbauelementen wird davon ausgegangen, dass der Stromfluss überwiegend senkrecht zum Schichtaufbau des Bauelementes realisiert (J. Bass et al., J. Magn. Magn. Mater. 200 (1999) 274). Diese Bauelemente werden als CPP-Bauelemente bezeichnet (CPP – current perpendicular to plane).
Bei CPP-Bauelementen sind verschiedene Schichtaufbauten bekannt. Es sind Multilagenfilme mit sehr kleinen Widerständen bekannt, die dann supraleitende Kreuzleiter-Kontakte erfordern. Nachteilig bei diesen Lösungen ist, dass diese Bauelemente nur für Anwendungen bis 4.2 K sicher arbeiten und eine homogene Stromeinspeisung erforderlich ist.
Weiterhin sind CPP-Nanodrähte bekannt (J. Bass et al., J. Phys. Condens. Matter. 19 (2007) 183201). Derartige CPP-Nanodrähte werden mittels elektrochemischer Abscheideverfahren in porösen Matrizen hergestellt. Obwohl derartige Nanodrähte gute magnetische Eigenschaften und hohe Widerstände aufweisen, ist ihre Herstellung und Kontaktierung schwierig.
Ebenfalls sind CPP-Nanosäulen bekannt (K. Nagasaka, J. Magn. Magn. Mat. 321 (2009) 508). Derartige Bauelemente werden durch Nanostrukturierung mittels Elektronenstrahllithografie und Ionenätzen hergestellt, welches keine Technologien für Massenproduktionen sind.
Nachteilig bei den Lösungen des Standes der Technik sind komplizierte Schichtaufbauten der Dünnschichtbauelemente und ihre aufwändige Technologie zur Herstellung.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines Dünnschichtbauelementes, welches einen einfachen Schichtaufbau mit sicherer Kontaktierung zeigt, und in der Angabe eines einfachen und kostengünstigen Verfahrens zur Herstellung derartiger Dünnschichtbauelemente.
Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
Das erfindungsgemäße Dünnschichtbauelement besteht mindestens aus einem Substrat, einer darauf angeordneten ersten Elektrode, einer darauf angeordneten Schicht zur elektrischen Isolation, einer darauf angeordneten magnetischen Schicht oder einem darauf angeordneten Multilagensystem, welches mindestens ein magnetisches Material enthält, auf welchem wiederum eine Schicht zur elektrischen Isolation angeordnet ist, und einer darüber angeordneten zweiten Elektrode, wobei der Aufbau von Schichten zur elektrischen Isolation und der magnetischen Schicht oder dem Multilagensystem, welches mindestens ein magnetisches Material enthält, zwischen den Elektroden ein oder mehrmals vorhanden ist, und wobei die Schichten zur elektrischen Isolation offene Poren mit Porendurchmessern von maximal 1000 nm aufweisen.
Vorteilhafterweise besteht das Substrat aus Silizium, noch vorteilhafterweise thermisch oxidiertem Silizium oder Silizium mit Dicken von < 100 µm, aus Glas, aus elektrisch nicht leitfähiger Keramik oder aus flexiblen Substraten, wie Kapton-Folie, Teflon-Folie, isolierenden Folien oder Gummi.
Ebenfalls vorteilhafterweise bestehen die Elektroden aus metallischen Materialien oder deren leitfähigen Verbindungen oder Legierungen, noch vorteilhafterweise aus Cu, Al, Nb, Ta oder CuNi, oder aus leitfähigen Polymeren, noch vorteilhafterweise aus Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Alq3) oder Polyanilin (PAni).
Weiterhin vorteilhafterweise besteht die magnetische Schicht oder das mindestens eine magnetische Material des Multilagensystems aus Co, Ni, Fe oder deren Legierungen oder aus Heuslerschen Legierungen.
Und auch vorteilhafterweise bestehen die Schichten zur elektrischen Isolation aus Si₃N₄, Al₂O₃, MgO, Si_xO_yN_z oder nicht leitfähigen Polymeren oder Blockcopolymeren.
Vorteilhaft ist es auch, wenn die Schichten zur elektrischen Isolation offene Poren mit einem Porendurchmesser von 2 bis 1000 nm, noch vorteilhafterweise von 2 bis 500 nm, oder noch vorteilhafterweise von 2 bis 30 nm aufweisen.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtbauelementen wird auf ein Substrat mindestens

– eine ersten Elektrode abgeschieden,
– darauf eine Schicht zur elektrischen Isolation mit Poren,
– darauf eine magnetische Schicht oder ein Multilagensystem, welches mindestens ein magnetisches Material enthält,
– darauf eine weitere Schicht zur elektrischen Isolation mit Poren und
– darauf eine zweite Elektrode,

Vorteilhafterweise wird die Abscheidung der Schichten zur elektrischen Isolation mittels HF-Magnetronsputterns oder Atomic Layer Deposition (ALD) durchgeführt.
Ebenfalls vorteilhafterweise werden die Abscheidungen der Schichten zur elektrischen Isolation aus polymeren Materialien mittels Spincoating, Tauchbeschichtung, Langmuir-Blodgettechnik oder Selbstorganisation durchgeführt.
Weiterhin vorteilhafterweise werden die Schichten zur elektrischen Isolation durch Abscheidung von oxidierbare Metallen und nachfolgende Oxidation hergestellt, wobei noch vorteilhafterweise die Oxidation durch Einlass von Sauerstoff in die Beschichtungskammer oder durch eine elektrolytische Oxidation oder reaktives Sputtern in einer Sauerstoffatmosphäre durchgeführt wird.
Und auch vorteilhafterweise werden nach Abscheidung der ersten Elektrode mehrere Schichten zur elektrischen Isolation mit dazwischen angeordneten magnetischen Schichten oder Multilagensystemen, welche mindestens ein magnetisches Material enthalten, übereinander abgeschieden, wobei die mindestens zwei magnetischen Schichten oder die Multilagensysteme, welche mindestens ein magnetisches Material enthalten, aus unterschiedlichen Materialien hergestellt werden, und abschließend die zweite Elektrode abgeschieden wird.
Vorteilhaft ist es auch, wenn ein Multilagensystem aus Co/Cu und das mindestens zweite Multilagensystem aus Py/Cu abgeschieden werden.
Ebenfalls vorteilhaft ist es, wenn Abdeck- und/oder Passivierungsschichten, beispielsweise aus Al₂O₃ oder aus Polymeren, durch ALD oder Spincoating aufgebracht werden.
Mit der erfindungsgemäßen Lösung ist es erstmals möglich, auf einfache und kostengünstige Art und Weise ein Dünnschichtbauelement, welches Magnetoimpedanzeffekte nutzt, herzustellen und anzugeben. Dabei sind einerseits ein einfacher Schichtaufbau und andererseits eine sichere Kontaktierung gegeben.
Erreicht wird dies im Wesentlichen dadurch, dass zwischen den Elektroden und einer magnetischen Schicht oder einem Multilagensystem, welches mindestens ein magnetisches Material enthält, jeweils Schichten zur elektrischen Isolation angeordnet sind, die offene Poren aufweisen. Unter offenen Poren soll im Rahmen dieser Erfindung verstanden werden, dass sie eine elektrische Verbindung zwischen den Elektroden und der magnetischen Schicht oder dem Multilagensystem, welches mindestens ein magnetisches Material enthält, realisieren und damit den sicheren Stromfluss von Elektrode zu Elektrode ermöglichen. Die Poren haben dabei Porendurchmesser von 2 bis 1000 nm, vorteilhafterweise zwischen 2 bis 500 nm und noch vorteilhafterweise zwischen 2 und 50 nm.
Der Stromfluss kann bei dem erfindungsgemäßen Dünnschichtbauelement von Pore zu Pore vorteilhafterweise senkrecht zum Aufbau des Dünnschichtbauelementes realisiert werden. In diesem Falle liegt ein CPP-Dünnschichtbauelement vor. Es ist erfindungsgemäß jedoch auch möglich, dass der Stromfluss je nach Lage der Poren zueinander in jeder möglichen anderen Ausrichtung erfolgt.
Überraschenderweise reichen die erfindungsgemäß erzeugten Poren in den Schichten zur elektrischen Isolation aus, um einerseits eine sichere Stromleitung von den Elektroden über eine magnetische Schicht oder ein Multilagensystem, welches mindestens ein magnetisches Material enthält, und wieder zur Elektrode zu realisieren und andererseits die Eigenschaften des gesamten Dünnschichtbauelementes ohne wesentliche Verluste beizubehalten. Vorteilhafterweise wird durch die erfindungsgemäße Lösung der Widerstand des Dünnschichtbauelementes erhöht.
Es ist erfindungsgemäß möglich, dass zwischen den Elektroden ein Schichtaufbau realisiert wird, der ausgehend von den Elektroden jeweils eine Schicht zur elektrischen Isolation mit einer oder mehreren dazwischen liegenden magnetischen Schichten oder einem oder mehreren Multilagensystemen, welche mindestens ein magnetisches Material enthalten, aufweist. Dabei bestehen die mehreren Schichten oder Multilagensysteme vorteilhafterweise aus unterschiedlichen Materialien, enthalten aber mindestens eine Schicht aus einem magnetischen Material.
Ein solches erfindungsgemäßes Dünnschichtbauelement könnte aufgebaut sein aus

– einer Elektrode,
– darüber einer Schicht zur elektrischen Isolation mit Poren,
– darüber einer magnetischen Schicht oder einem Multilagensystem, welches mindestens ein magnetisches Material enthält,
– darüber einer weiteren Schicht zur elektrischen Isolation mit Poren,
– darüber einer weiteren magnetischen Schicht oder einem weiteren Multilagensystem, welches mindestens ein magnetisches Material enthält, darüber einer weiteren Schicht zur elektrischen Isolation mit Poren,
– darüber einer Elektrode.

Weiterhin ist es erfindungsgemäß vorteilhaft, wenn die Schichten und Schichtsysteme sich im Wesentlichen ganzflächig bedecken, ebenso wie die Elektroden.
Hergestellt wird das erfindungsgemäße Dünnschichtbauelement erfindungsgemäß indem die einzelnen Schichten mittels Sputterverfahren, HF-Magnetronsputtern, thermischer Verdampfung, Molekularstrahlepitaxie, Spincoating, Tauchbeschichtung, Langmuir-Blodgettechnik, und/oder Selbstorganisation auf dem Substrat übereinander aufgebracht werden.
Die Schichten zur elektrischen Isolation werden vorteilhafterweise mittels HF-Magnetronsputterns abgeschieden oder im Falle, dass die Isolationsschichten aus polymeren Materialien bestehen, mittels Spincoating, Tauchbeschichtung, Langmuir-Blodgettechnik oder Selbstorganisation aufgebracht. Schichten zur elektrischen Isolation oder die leitfähigen Elektroden können mittels Selbstorganisation, vorteilhafterweise in Kombination mit Lithografietechniken, aufgebracht werden.
Durch die erfindungsgemäße Lösung können Dünnschichtbauelemente hergestellt werden, ohne dass aufwändige und teure Technologien, wie Nanolithografie oder Ionenätzen, angewandt werden müssen. Solche Technologien sind aber auch einsetzbar. Damit wird auch eine Massenproduktion für derartige Dünnschichtbauelemente möglich.
Weiterhin weisen die erfindungsgemäßen Bauelemente Widerstandswerte in einem für die Messtechnik günstigen Wertebereich von 0,1–100 Ohm auf. Die magnetfeldabhängige Änderung des Widerstandes beträgt z.B. 25 % bei Raumtemperatur, was zu einer Verbesserung der Sensoreigenschaften des Dünnschichtbauelementes führt.
Ebenfalls ist der vertikale Aufbau des erfindungsgemäßen Dünnschichtbauelementes vorteilhaft, da damit Platz auf dem Substrat gespart und die aktive Sensorfläche verkleinert werden kann.
Nachfolgend wird die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
Beispiel 1
Die Oberfläche eines Substrates aus thermisch oxidiertem Silizium mit einer Oxiddicke von 1 µm und einem Durchmesser von 100 mm wird durch Behandlung in H₂SO₄ gereinigt und anschließend mit deionisiertem Wasser gespült und getrocknet. Anschließend wird ganzflächig Cu mit einer Schichtdicke von 200 nm als untere Elektrode abgeschieden. Die Beschichtung erfolgt durch Magnetronsputtern mit einer Leistung von 100 W bei einem Arbeitsdruck von 7,5 × 10^–2 Pa. Die Abscheiderate beträgt 47 nm/min. Anschließend wird die untere poröse Isolationsschicht, bestehend aus Si₃N₄ durch HF-Magnetronsputtern bei einer Arbeitsfrequenz von 13,56 MHz in einem Ar-N₂-Gemisch bei Raumtemperatur abgeschieden. Der Partialdruck beträgt 1 Pa bei einer Leistung von 600 W. Bei diesen Bedingungen beträgt die Abscheiderate 5 nm/min. Die realisierte Schichtdicke beträgt 30 nm.
Nachfolgend wird mittels Sputterns das Multilagensystem aus 50 Schichten abwechselnd 1 nm Co und 1 nm Cu ganzflächig aufgebracht, wobei jeweils die unterste und die oberste Schicht aus Co besteht, die in Kontakt mit der Schicht aus Si₃N₄ ist. Das Multilagensystem wird bei einem Beschichtungsdruck von 7,5 × 10^–2 Pa mit jeweils angepassten Leistungen von 267 W für Co und 284 W für Cu realisiert. Die Beschichtung erfolgt in einem intermittierenden Beschichtungsregime.
Danach wird auf das Multilagensystem mittels HF-Sputterns eine weitere Schicht aus Si₃N₄ ganzflächig mittels HF-Magnetronsputtern aufgebracht. Es werden die gleichen Bedingungen, wie für die untere poröse Isolationsschicht realisiert. Zur sicheren Kontaktierung des Bauelementes wird die obere Cu-Elektrode ganzflächig, ebenfalls unter gleichen Bedingungen, wie für die untere Elektrode abgeschieden.
Nachfolgend wird nach Freilegung der unteren Elektrode eine Kontaktierung der Elektroden über Ultraschall-Drahtbonden durchgeführt.
Nach dem Anlegen einer elektrischen Spannung an die Elektroden ist ein ununterbrochener Stromfluss durch das Dünnschichtbauelement realisiert. Das Dünnschichtbauelement weist einen Widerstand von 15 Ohm auf und wird als Sensor für die Detektierung magnetischer Nanopartikel eingesetzt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

WO 0024946 [0003]
US 7094665 A [0003]
US 6611034 B2 [0004]

Zitierte Nicht-Patentliteratur

Ram, S., Phys. Stat. Sol. (a) 188 (2001) 1129–1140 [0003]
S.S.P. Parkin, Annu. Rev. Mater. Sci. 25 (1995) 357 [0005]
J. Bass et al., J. Magn. Magn. Mater. 200 (1999) 274 [0005]
J. Bass et al., J. Phys. Condens. Matter. 19 (2007) 183201 [0007]
K. Nagasaka, J. Magn. Magn. Mat. 321 (2009) 508 [0008]

Claims

Dünnschichtbauelement, bestehend mindestens aus einem Substrat, einer darauf angeordneten ersten Elektrode, einer darauf angeordneten Schicht zur elektrischen Isolation, einer darauf angeordneten magnetischen Schicht oder einem darauf angeordneten Multilagensystem, welches mindestens ein magnetisches Material enthält, auf welchem wiederum eine Schicht zur elektrischen Isolation angeordnet ist, und einer darüber angeordneten zweiten Elektrode, wobei der Aufbau von Schichten zur elektrischen Isolation und der magnetischen Schicht oder dem Multilagensystem, welches mindestens ein magnetisches Material enthält, zwischen den Elektroden ein oder mehrmals vorhanden ist, und wobei die Schichten zur elektrischen Isolation offene Poren mit Porendurchmessern von maximal 1000 nm aufweisen.
Dünnschichtbauelement nach Anspruch 1, bei dem das Substrat aus Silizium, vorteilhafterweise thermisch oxidiertem Silizium oder Silizium mit Dicken von < 100 µm, aus Glas, aus elektrisch nicht leitfähiger Keramik oder aus flexiblen Substraten, wie Kapton-Folie, Teflon-Folie, isolierenden Folien oder Gummi besteht.
Dünnschichtbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Elektroden aus metallischen Materialien oder deren leitfähigen Verbindungen oder Legierungen, vorteilhafterweise aus Cu, Al, Nb, Ta oder CuNi, oder aus leitfähigen Polymeren, vorteilhafterweise aus Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Alq3) oder Polyanilin (PAni), bestehen.
Dünnschichtbauelement nach Anspruch 1, bei dem die magnetische Schicht oder das mindestens eine magnetische Material des Multilagensystems aus Co, Ni, Fe oder deren Legierungen oder aus Heuslerschen Legierungen besteht.
Dünnschichtbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Schichten zur elektrischen Isolation aus Si₃N₄, Al₂O₃, MgO, Si_xO_yN_z oder nicht leitfähigen Polymeren oder Blockcopolymeren bestehen.
Dünnschichtbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Schichten zur elektrischen Isolation offene Poren mit einem Porendurchmesser von 2 bis 1000 nm aufweisen.
Dünnschichtbauelement nach Anspruch 6, bei dem die Schichten zur elektrischen Isolation offene Poren mit einem Porendurchmesser von 2 bis 500 nm, noch vorteilhafterweise von 2 bis 30 nm, aufweisen.
Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtbauelementen, bei dem auf ein Substrat mindestens – eine ersten Elektrode abgeschieden wird, – darauf eine Schicht zur elektrischen Isolation mit Poren, – darauf eine magnetische Schicht oder ein Multilagensystem, welches mindestens ein magnetisches Material enthält, – darauf eine weitere Schicht zur elektrischen Isolation mit Poren und – darauf eine zweite Elektrode abgeschieden wird, wobei die Abscheidung der Schichten und Schichtsysteme zwischen den Elektroden ein oder mehrmals übereinander durchgeführt wird, und wobei die Abscheidungen der Schichten und Schichtsysteme mittels Sputterverfahren, HF-Magnetronsputtern, thermischer Verdampfung, Molekularstrahlepitaxie, Spincoating, Tauchbeschichtung, Langmuir-Blodgettechnik, und/oder Selbstorganisation realisiert werden.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die Abscheidung der Schichten zur elektrischen Isolation mittels HF-Magnetronsputterns oder Atomic Layer Deposition (ALD) durchgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die Abscheidungen der Schichten zur elektrischen Isolation aus polymeren Materialien mittels Spincoating, Tauchbeschichtung, Langmuir-Blodgettechnik oder Selbstorganisation durchgeführt werden.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die Schichten zur elektrischen Isolation durch Abscheidung von oxidierbare Metallen und nachfolgende Oxidation hergestellt werden.
Verfahren nach Anspruch 11, bei dem die Oxidation durch Einlass von Sauerstoff in die Beschichtungskammer oder durch eine elektrolytische Oxidation oder reaktives Sputtern in einer Sauerstoffatmosphäre durchgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem nach Abscheidung der ersten Elektrode mehrere Schichten zur elektrischen Isolation mit dazwischen angeordneten magnetischen Schichten oder Multilagensystemen, welche mindestens ein magnetisches Material enthalten, übereinander abgeschieden werden, wobei die mindestens zwei magnetischen Schichten oder die Multilagensysteme, welche mindestens ein magnetisches Material enthalten, aus unterschiedlichen Materialien hergestellt werden, und abschließend die zweite Elektrode abgeschieden wird.
Verfahren nach Anspruch 13, bei dem ein Multilagensystem aus Co/Cu und das mindestens zweite Multilagensystem aus Py/Cu abgeschieden werden.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem Abdeck- und/oder Passivierungsschichten, beispielsweise aus Al₂O₃ oder aus Polymeren, durch ALD oder Spincoating aufgebracht werden.