DE1014233B - Halbleiteranordnung mit Spitzen-elektroden und mit einem eifoermigen halbleitenden Koerper - Google Patents

Halbleiteranordnung mit Spitzen-elektroden und mit einem eifoermigen halbleitenden Koerper

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Publication number
DE1014233B
DE1014233B DEN7624A DEN0007624A DE1014233B DE 1014233 B DE1014233 B DE 1014233B DE N7624 A DEN7624 A DE N7624A DE N0007624 A DEN0007624 A DE N0007624A DE 1014233 B DE1014233 B DE 1014233B
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DE
Germany
Prior art keywords
egg
base
tip electrodes
semiconductor arrangement
semiconducting body
Prior art date
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Pending
Application number
DEN7624A
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English (en)
Inventor
Adrianus Van Wieringen
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Pending legal-status Critical Current

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    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
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Description

  • Halbleiteranordnung mit Spitzenelektroden und mit einem eiförmigen halbleitenden Körper Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung, beispielsweise eine Halbleiterkristalldiode oder einen Transistor, mit einem beispielsweise durch Löten an einem Sockel befestigten abgeplatteten halbleitenden Körper. Meist besteht der halbleitende Körper aus Germanium oder Silizium.
  • Es ist schon ein Verfahren zum Herstellen solcher eiförmiger halbleitender Körper bekannt, bei dem sich ein etwa eiförmiges Korn ergibt, dessen schmaler Kopf abgeschliffen und dessen breitere Unterseite an dem Sockel befestigt wird. Diesem Verfahren liegt die Erkenntnis zugrunde, daß sich Verunreinigungen im halbleitenden Körper, die die elektrischen Eigenschaften, beispielsweise die Gleichrichterwirkung des Halbleiters, beeinträchtigen, in dem Kopf des Korns anreichern. Durch Abschleifen dieses Kopfes werden die Verunreinigungen beseitigt, so daß sich ein abgeplattetes Korn nahezu homogener Zusammensetzung ergibt.
  • Der Erfindung liegt dagegen die Erkenntnis zugrunde, daß sich das Vorhandensein der Verunreinigungen vorteilhaft benutzen läßt, wenn sie sich an der Stelle der Befestigung des Korns am Sockel befinden, denn an dieser Stelle ist eine Gleichrichterwirkung unerwünscht.
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung mit Spitzenelektroden, beispielsweise eine Halbleiterkristalldiode oder einen Transistor, und mit einem beispielsweise durch Löten an einem Sockel befestigten eiförmigen halbleitenden Körper. Erfindungsgemäß ist der Körper mit dem schmaleren Kopf dem Sockel zugewendet befestigt und der dem Sockel abgewendete breitere Teil des Körpers abgeplattet.
  • Durch Anwendung der Erfindung sind nicht nur die Verunreinigungen im Halbleiter an einer ungefährlichen Stelle angebracht, sondern ihr Vorhandensein an dieser Stelle ergibt noch den Vorteil, daß der Übergangswiderstand zum Sockel verringert wird. Auch ist es vorteilhaft, wenn der abgeschliffene Teil des Körpers ausschließlich aus dem reinen halbleitenden Werkstoff besteht, denn infolgedessen ist die Gefahr der Verunreinigung der Kontaktfläche bedeutend geringer.
  • Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert, die einen Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel zeigt.
  • Die Halbleiteranordnung besteht aus einem in Form eines Stäbchens gestalteten Sockel 1 mit einer Stromzuleitung 2, an dem der kornförmige halbleitende Körper 3 durch Lot 4 befestigt ist. Der Körper ist eiförmig und mit dem Kopf 5 dem Sockel 1 zugewendet. Das breitere obere Ende 6 ist an der Stelle 7 abgeplattet. Die Anreicherung der Verunreinigungen in dem Kopf ist durch Kreuzschraffur angegeben.
  • Auf dem halbleitenden Körper 3 ist eine Spitzenelektrode 8 angeordnet, die an der Stelle 9 an ein Stäbchen 10 angeschweißt ist, das auf gleiche Weise wie der Sockel 1 mit einer Stromzuleitung 11 versehen ist.
  • Die Stäbchen 1 und 10 sind durch Lot 12 an einem Halter befestigt, der aus einem Glasrohr 13 besteht, in das zwei in gleicher Flucht liegende Metallröhrchen 14 eingeschmolzen sind. Diese Röhrchen können beispielsweise aus Chromeisen bestehen.
  • Es ist ersichtlich, daß die Erfindung weder auf die hier dargestellte Anordnungsweise des Sockels 1 und der Spitzenelektrode 8 noch auf Halbleiteranordnungen mit einer einzigen Spitzenelektrode beschränkt ist.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Halbleiteranordnung mit Spitzenelektroden, beispielsweise Halbleiterkristalldiode oder Transistor, und mit einem beispielsweise durch Löten an einem Sockel befestigten eiförmigen halbleitenden Körper, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper mit dem schmaleren Kopf dem Sockel zugewendet befestigt ist und daß der dem Sockel abgewendete breitere Teil des Körpers abgeplattet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentanmeldung G 7122 VIII c21 g; britische Patentschrift Nr. 635 385; französische Patentschrift Nr. 1028 268.
DEN7624A 1952-08-27 1953-08-24 Halbleiteranordnung mit Spitzen-elektroden und mit einem eifoermigen halbleitenden Koerper Pending DE1014233B (de)

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DE1014233B true DE1014233B (de) 1957-08-22

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ID=19866978

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DEN7624A Pending DE1014233B (de) 1952-08-27 1953-08-24 Halbleiteranordnung mit Spitzen-elektroden und mit einem eifoermigen halbleitenden Koerper

Country Status (1)

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DE (1) DE1014233B (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB635385A (en) * 1947-11-03 1950-04-05 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to methods of manufacturing crystal contact devices
FR1028268A (fr) * 1950-11-22 1953-05-20 Philips Nv Système d'électrodes et procédé de fabrication

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB635385A (en) * 1947-11-03 1950-04-05 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to methods of manufacturing crystal contact devices
FR1028268A (fr) * 1950-11-22 1953-05-20 Philips Nv Système d'électrodes et procédé de fabrication

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