DE10129006A1 - Elektronische Baugruppe - Google Patents
Elektronische BaugruppeInfo
- Publication number
- DE10129006A1 DE10129006A1 DE10129006A DE10129006A DE10129006A1 DE 10129006 A1 DE10129006 A1 DE 10129006A1 DE 10129006 A DE10129006 A DE 10129006A DE 10129006 A DE10129006 A DE 10129006A DE 10129006 A1 DE10129006 A1 DE 10129006A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electronic assembly
- electronic
- connections
- assembly according
- bond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Vorgeschlagen wird eine einfache und kostengünstige Anordnung der elektronischen Baugruppe mit Bondverbindungen zur elektrischen Kontaktierung mindestens eines auf einem Trägerkörper aufgebrachten elektronischen Bauteils und/oder einer auf dem Trägerkörper aufgebrachten Leitbahnstruktur und/oder von Anschlußkontakten, die einen zuverlässigen Betrieb gewährleisten. DOLLAR A Hierzu ist zumindest ein Teil der Bondverbindungen durch eine Isolationsschicht aufweisende Bonddrähte gebildet. DOLLAR A Elektronische Baugruppen als Startergenerator eines Elektrofahrzeugs.
Description
- In vielen Bereichen werden elektronische Baugruppen für unterschiedliche Aufgaben und Anwendungen eingesetzt, insbesondere im Kraftfahrzeugbereich zur Steuerung und/oder Regelung fahrspezifischer Vorgänge oder Abläufe. Die elektronischen Bauteile der elektronischen Baugruppe sind auf einem eine Leitbahnstruktur aufweisenden Trägerkörper angeordnet und mit der Leitbahnstruktur und/oder mit Anschlußkontakten elektrisch leitend verbunden (kontaktiert), wozu oftmals mittels Drahtbonden (Bonden) hergestellte Bondverbindungen verwendet werden. Insbesondere bei hohe Spannungen verarbeitenden elektronischen Baugruppen muß ein bestimmter Mindestabstand zwischen den Bonddrähten als Isolationsabstand eingehalten werden, insbesondere zwischen Bonddrähten, die ein unterschiedliches Potential aufweisen. Insbesondere bei hohe Ströme verarbeitenden elektronischen Baugruppen darf die Länge der Bonddrähte einen bestimmten Maximalwert nicht überschreiten, da ansonsten die Gefahr der Überhitzung der Bonddrähte und damit der thermischen Zerstörung der mittels der Bonddrähte kontaktierten elektronischen Bauteile besteht. Hieraus ergibt sich zum einen ein erhöhter Aufwand bei der Herstellung der elektronischen Baugruppe; zum andern resultieren Probleme beim (entweder bei der Herstellung der elektronischen Baugruppe oder im Betrieb der elektronischen Baugruppe erfolgenden) Kontakt von Bonddrähten, da dann entweder ein aufwendiges Nacharbeiten erforderlich ist oder aber die Funktionsfähigkeit der elektronischen Baugruppe beeinträchtigt wird (hierdurch wird die Störanfälligkeit bzw. Ausfallrate der elektronischen Bauteile und damit der elektronischen Baugruppe erhöht).
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine elektronische Baugruppe mit einem einfachen Aufbau, einer einfachen Fertigung, geringen Kosten, einer hohen Zuverlässigkeit und vorteilhaften Eigenschaften bezüglich der elektrischen Verbindung anzugeben.
- Diese Aufgabe wird nach der Erfindung durch das Merkmal im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 gelöst.
- Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Bestandteil der übrigen Patentansprüche.
- Zur Realisierung zumindest eines Teils der Bondverbindungen innerhalb der elektronischen Baugruppe (diese werden je nach Dicke der Bonddrähte entweder als Dünndrahtbondverbindungen oder als Dickdrahtbondverbindungen bezeichnet) werden erfindungsgemäß mit einer Isolationsschicht versehene Bonddrähte eingesetzt. Als Material der Isolationsschicht sind insbesondere Polymere (Kunststoffe) vorgesehen; insbesondere wird das Material der Isolationsschicht unterschiedlich vom Basismaterial des Bonddrahts gewählt (üblicherweise wird als Basismaterial der Bonddrähte für Dünndrahtbondverbindungen Gold und für Dickdrahtbondverbindungen Aluminium verwendet). Die Dicke der Isolationsschicht wird anhand der gewünschten bzw. geforderten Isolationseigenschaften und abhängig von der Dicke der Bonddrähte gewählt (Dicke der Bonddrähte für Dünndrahtbondverbindungen bsp. im Bereich von 25 µm bis 50 µm, für Dickdrahtbondverbindungen bsp. im Bereich von 150 µm bis 500 µm); bsp. wird die Isolationsschicht mit einer Dicke im Bereich von ca. 5 µm bis ca. 50 µm gewählt. Die Isolationsschicht kann als Überzug entweder bereits bei der Fertigung des Bonddrahts auf das Basismaterial des Bonddrahts aufgebracht werden und somit bereits fertig konfektioniert für das Bonden (den Bondvorgang) zur Verfügung stehen oder unmittelbar vor dem Bonden (d. h. kurz vor dem Bondvorgang bzw. beim Bondvorgang selbst) mittels einer geeigneten Vorrichtung auf das Material des Bonddrahts aufgebracht werden (bsp. durch Sprühen oder Tauchen).
- Zur Herstellung der isolierten Bondverbindungen werden die auf einer Trägervorrichtung (bsp. einer endlos gewickelten Haspel) aufgebrachten Bonddrähte einer Bondvorrichtung (einem Bonder) zugeführt und ggf. dort mit der Isolationsschicht versehen. Im Bonder wird die Isolationsschicht an den zur Kontaktierung vorgesehenen Kontaktierungsstellen des Bonddrahts entfernt, d. h. eine Abisolierung der Isolationsschicht an diesen Kontaktierungsstellen vorgenommen; diese Abisolierung kann je nach verwendeter Isolationsschicht unterschiedlich erfolgen, bsp. durch mechanisches Abtragen der Isolationsschicht (bsp. mittels einer im Sonder integrierten Abisoliervorrichtung) oder durch thermisches Abtragen der Isolationsschicht, bsp. durch Rückschrumpfung des Materials der Isolationsschicht (bsp. auf induktivem Wege mittels einer Heizspule oder mittels eines Laserstrahls). Die abisolierte Kontaktierungsstelle des Bonddrahts wird mit dem zu kontaktierenden Anschluß der elektronischen Baugruppe verbunden, vorzugsweise verschweißt; insbesondere können mittels der isolierten Bondverbindungen die Anschlüsse der elektronischen Bauteile der elektronischen Baugruppe und/oder die zur Realisierung von Anschlußflächen (Anschlußpads) der Leitbahnstruktur und/oder die zur Realisierung von (für die externe Kontaktierung der elektronischen Baugruppe vorgesehenen Anschlußkontakte) der elektronischen Baugruppe (an diese Anschlußkontakte können Anschlußstecker zur Verbindung mit weiteren elektronischen Baugruppen und/oder Versorgungsleitungen als Leitungsschienen zur Spannungsversorgung bzw. Stromversorgung angeschlossen werden) elektrisch leitend verbunden (elektrisch kontaktiert) werden. D. h. mittels der isolierten Bondverbindungen können insbesondere zumindest teilweise die elektronischen Bauteile der elektronischen Baugruppe untereinander und/oder mit den Anschlußflächen und/oder mit den Anschlußkontakten elektrisch leitend verbunden (elektrisch kontaktiert) werden; weiterhin können mittels der isolierten Bondverbindungen zumindest teilweise auch die Anschlußflächen und/oder die Anschlußkontakte miteinander und/oder untereinander und/oder verschiedene Leitbahnebenen bei einer Mehrebenenverdrahtung der Leitbahnstruktur elektrisch leitend verbunden (elektrisch kontaktiert) werden. Vorzugsweise werden solche Anschlüsse der elektronischen Baugruppen mittels der isolierten Bondverbindungen kontaktiert, die hohe Ströme führen. Die (von der Isolationsschicht befreiten) Kontaktierungsstellen der Bonddrähte können durch Umhüllen mit einer geeigneten Schutzschicht geschützt werden, insbesondere durch eine Vergußmasse, bsp. einem Gel; hierbei müssen lediglich die Kontaktierungsstellen der Bonddrähte geschützt werden, d. h. die eine Isolationsschicht aufweisenden Bonddrähte müssen nicht auf ihrer ganzen Länge mit der Schutzschicht versehen werden.
- Der Trägerkörper für die (elektronischen Bauteile der) elektronischen Baugruppe besteht üblicherweise aus einem isolierendem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit, insbesondere aus einem keramischen Material (bsp. aus Aluminiumoxid Al2O3 oder Aluminiumnitrid AlN). Der Trägerkörper (Keramikträger) kann je nach abzuführender Verlustleistung der elektronischen Bauteile der elektronischen Baugruppe auf einem Kühlkörper aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit angeordnet werden und/oder mit einem Kühlmittel (Kühlmedium) in Verbindung stehen; zur Realisierung eines guten Wärmeübergangs können die Bonddrähte entweder direkt an den Kühlkörper angebunden werden, bsp. direkt auf dem Kühlkörper aufliegen oder mittels eines geeigneten Materials mit hoher thermischer Leitfähigkeit (bsp. einem Wärmeleitkleber) auf den Kühlkörper aufgebracht werden, oder aber vom Kühlmittel direkt umspült werden. Die (metallische) Leitbahnstruktur mit Leiterbahnen, Aufnahmeflächen für die elektronischen Bauteile und Anschlußflächen kann entweder nur auf die Oberseite des Trägerkörpers oder auf beide Seiten des Trägerkörpers (sowohl auf die Oberseite als auch auf die Unterseite des Trägerkörpers) oder in mehreren Schichten des Trägerkörpers (verschiedene Leitbahnebenen bei einer Mehrebenenverdrahtung) aufgebracht werden. Die Schaltungsanordnung für die elektronischen Bauteile der elektronischen Baugruppe ist bsp. als Hybridschaltung ausgebildet, wobei die elektronischen Bauteile der elektronischen Baugruppe bsp. in Form von Silizium-Chips auf die hierfür vorgesehenen Aufnahmeflächen der Leitbahnstruktur aufgebracht werden (bsp. mittels Weichlot oder durch Aufpressen). Weiterhin werden die Anschlußflächen der Leitbahnstruktur mit den (bsp. als Stanzgitteranschlüsse eines Stanzgitters ausgebildeten) Anschlußkontakten verbunden, die bsp. in Anschlußstecker zusammengefaßt zur (externen) Verbindung der elektronischen Baugruppe mit weiteren Baugruppen oder Bauteilen dienen oder bsp. an Versorgungleitungen angeschlossen zur Verbindung der elektronischen Baugruppe mit einer externen Spannungsquelle bzw. Stromquelle dienen. Auf den Trägerkörper kann ein (bsp. aus Kunststoff) bestehender Gehäusekörper aufgesetzt werden, der zum Schutz gegen Umwelteinflüsse zumindest die Schaltungsanordnung mit deren elektronischen Bauteilen umschließt.
- Die elektronische Baugruppe vereinigt aufgrund der mittels der isolierten Bondverbindungen erfolgenden Kontaktierung zumindest eines Teils der Anschlüsse der elektronischen Baugruppe mehrere Vorteile in sich:
- - Es werden hochspannungsfeste Bondverbindungen gewährleistet, die einen geringen Mindestabstand zwischen den beiden zur Spannungsversorgung der elektronischen Baugruppe vorgesehenen internen Versorgungsleitungen der elektronischen Baugruppe zuläßt (geringe Luft- und Kriechstrecken), so daß die Fläche des Trägerkörpers für die elektronischen Bauteile der elektronischen Baugruppe gering gehalten werden kann.
- - Bei der Herstellung der elektronischen Baugruppe und im Betrieb der elektronischen Baugruppe können sich Bonddrähte (auch mit unterschiedlichem Potential) berühren, so daß Beschädigungen der Bonddrähte und damit der Bondverbindungen und hierdurch bedingt Erfordernisse zum Nacharbeiten und/oder Ausfälle verringert werden.
- - Da nur die Kontaktierungsstellen der Bonddrähte mit einer zusätzlichen (teuren) Schutzschicht versehen werden, ist zum einen der Herstellungsaufwand gering, zum andern ist eine Kostenersparnis gegenüber einer vollständigen Bedeckung der Bonddrähte mit einer Schutzschicht gegeben.
- - Die Länge der Bonddrähte kann für die Bondverbindungen beliebig gewählt werden, insbesondere bei einer direkten thermischen Anbindung der Bonddrähte an einen Kühlkörper oder ein Kühlmedium.
- Insgesamt können somit Beeinträchtigungen der Funktionsweise der elektronischen Baugruppe vermieden werden, so daß ein zuverlässiger Betrieb der elektronischen Baugruppe mit geringem Herstellungsaufwand und geringen Kosten gewährleistet wird.
- Im Zusammenhang mit der Zeichnung (Fig. 1 bis 2) soll die elektronische Baugruppe anhand eines Ausführungsbeispiels erläutert werden.
- Fig. 1 zeigt eine Schnittzeichnung der elektronischen Baugruppe,
- Fig. 2 zeigt eine dreidimensionale Ansicht der elektronischen Baugruppe mit Gehäusekörper.
- Die elektronische Baugruppe 1 ist bsp. als gekühlter Umrichter für den Startergenerator zur Realisierung des Fahrantriebs (Elektroantriebs) von Kraftfahrzeugen ausgebildet.
- Der Umrichter 1 besteht aus folgenden Komponenten:
- - Einem bsp. als Keramiksubstrat ausgebildeten Trägerkörper 4, der bsp. aus Al2O3 besteht; bsp. besitzt der Trägerkörper 4 die Abmessungen von 50 mm × 15 mm × 0.635 mm.
- - Der Trägerkörper 4 ist in einen Gehäusekörper 3 eingebracht, der in einem eine spezielle Formgebung aufweisenden Teilbereich 7 von einem Kühlmedium 2 (bsp. Wasser) umflossen wird. Der Gehäusekörper 3 besteht bsp. aus Kunststoff, bsp. aus Polybutylenterephthalat (PBT) oder aus Polyamid (PA) und besitzt bsp. die Abmessungen von 55 mm × 20 mm × 15 mm.
- - Auf dem Trägerkörper 4 ist eine elektronische Bauteile 5 aufweisende, als Hybridschaltung ausgebildete Schaltungsanordnung 6 angeordnet, die zur Realisierung der Umrichterfunktion und der sich hieraus ergebenden Ansteuerung des Elektromotors für den Elektroantrieb vorgesehen ist. Insbesondere sind als elektronische Bauteile 5 Leistungsbauteile vorgesehen; bsp. sind diese Leistungsbauteile als Leistungsschalter in Form von Silizium-Halbleiterchips ausgebildet (bsp. sind 6 Leistungsschalter vorgesehen). Die Verlustleistung der elektronischen Bauteile 5 der Schaltungsanordnung 6 (insbesondere der Leistungsbauteile) wird über den Trägerkörper 4 und den Gehäusekörper 3 an das Kühlmedium 2 abgeführt.
- - Auf dem Trägerkörper 4 ist eine Leiterbahnen 8, Aufnahmeflächen 9 für die elektronischen Bauteile 5 der Schaltungsanordnung 6 und Anschlußflächen 10 für interne Verbindungen der Schaltungsanordnung 6 und für Verbindungen zu Anschlußkontakten 11 aufweisende Leitbahnstruktur aufgebracht. Auf die Aufnahmeflächen 9 werden die elektronischen Bauteile 5 der Schaltungsanordnung 6 aufgesetzt (bsp. werden die Silizium-Halbleiterchips aufgelötet) und deren Anschlüsse über Bondverbindungen 12 mit den Anschlußflächen 10 und/oder mit den Anschlußkontakten 11 elektrisch leitend verbunden. Weiterhin sind Bondverbindungen 12 von Anschlußflächen 10 zu weiteren Anschlußflächen 10 und/oder zu Anschlußkontakten 11 vorgesehen, die bsp. als Stanzgitteranschlüsse eines Stanzgitters ausgebildet sind. Diese Bondverbindungen 12 sind bsp. als isolierte mit einer Isolationsschicht 19 versehene Dickdrahtbonds realisiert, bsp. mit einer Dicke von 400 µm, bei denen auf einen Aluminiumdraht als Basismaterial 18 mit einer Dicke von bsp. 350 µm eine bsp. aus Aluminium Lackdraht bestehende Isolationsschicht 19 mit einer Dicke von bsp. 50 µm aufgebracht ist. Der auf einer Haspel gewickelte isolierte Bonddraht 17 wird einem Bonder zugeführt und die gewünschten Bondverbindungen 12 nach der bsp. thermisch erfolgenden Abisolierung der Isolationsschicht 19 (bsp. mittels eines Laserstrahls) an den Kontaktierungsstellen 13 durch einen Schweißvorgang der Kontaktierungsstellen 13 an den gewünschten Kontaktstellen (d. h. an den Anschlüssen der elektronischen Bauteile 5 und/oder den Anschlußflächen 10 der Leitbahnstruktur und/oder den Anschlußkontakten 11) realisiert. Insbesondere wird die über den vom Kühlmedium 2 umflossenen Teilbereich 7 des Gehäusekörpers 3 geführten isolierten Bondverbindungen 12 so ausgebildet, daß sie direkten Kontakt zum Gehäusekörper 3 besitzen, wodurch eine effiziente Kühlung dieser (langen) Bonddrähte 17 verbunden mit einem Schutz vor Überhitzung der Bonddrähte 17 gewährleistet ist. Nach dem Schweißvorgang werden die freigelegten (abisolierten) Kontaktierungsstellen 13 und damit das nicht von der Isolationsschicht 19 umgebene Basismaterial 18 der Bonddrähte 17 mit einer Schutzschicht 14 umgeben, indem als Schutzschicht 14 bsp. in den Gehäusekörper ein Gel bis zu einer bestimmten Füllhöhe 15 eingefüllt wird; die Füllhöhe 15 wird hierbei so gewählt, daß zumindest die Kontaktierungsstellen 13 der Bonddrähte 17 mit der Schutzschicht 14 (dem Gel) bedeckt sind.
- - An die im Gehäusekörper 3 integrierten Anschlußkontakte 11 können Anschlußstecker zur Verbindung mit weiteren elektronischen Baugruppen und/oder Leitungsschienen 16 zur Spannungsversorgung des Umrichters 1 angeschlossen werden; bsp. wird der Umrichter 1 mit einem seitlich am Gehäusekörper 3 herausgeführten Anschlußstecker mit den drei Phasen R, S, T des Drehstroms verbunden und über die seitlich am Gehäusekörper 3 herausgeführten Leitungsschienen 16 mit Signalleitungen verbunden.
Claims (10)
1. Elektronische Baugruppe (1) mit Bondverbindungen (12) zur elektrischen
Kontaktierung mindestens eines auf einem Trägerkörper (4) aufgebrachten
elektronischen Bauteils (5) und/oder einer auf dem Trägerkörper (4) aufgebrachten
Leitbahnstruktur und/oder von Anschlußkontakten (11),
dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil der Bondverbindungen (12)
durch eine Isolationsschicht (19) aufweisende Bonddrähte (17) gebildet ist.
2. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Material der Isolationsschicht unterschiedlich zum Basismaterial (18) der
Bonddrähte (17) gewählt ist.
3. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Isolationsschicht (19) aus einem Polymer besteht.
4. Elektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht (19) an den gebondeten
Kontaktierungsstellen (13) der Bonddrähte (17) thermisch oder mechanisch entfernt ist.
5. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kontaktierungsstellen (13) der Bonddrähte (17) von einer Schutzschicht (14)
bedeckt sind.
6. Elektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß Bondverbindungen (12) von Anschlüssen der elektronischen
Bauteile (5) zu Anschlußkontakten (11) gebildet sind.
7. Elektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß Bondverbindungen (12) von Anschlüssen der elektronischen
Bauteile (5) zu Anschlußflächen (10) auf der Leitbahnstruktur gebildet sind.
8. Elektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil der Bondverbindungen (12) thermisch an einen
Kühlkörper und/oder an ein Kühlmedium (2) gekoppelt ist.
9. Elektronische Baugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß der Trägerkörper (4) in einen Gehäusekörper (3) eingebracht ist.
10. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein
Teilbereich (7) des in Verbindung mit einem Kühlmedium (2) stehenden
Gehäusekörpers (3) so ausgeformt ist, daß die Bondverbindungen (12) Gehäusekörper
(3) anliegen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10129006A DE10129006B4 (de) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | Elektronische Baugruppe |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10129006A DE10129006B4 (de) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | Elektronische Baugruppe |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10129006A1 true DE10129006A1 (de) | 2003-01-02 |
DE10129006B4 DE10129006B4 (de) | 2009-07-30 |
Family
ID=7688362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10129006A Expired - Fee Related DE10129006B4 (de) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | Elektronische Baugruppe |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10129006B4 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10359088A1 (de) * | 2003-12-17 | 2005-07-21 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Elektronisches Gerät |
WO2005109505A1 (de) * | 2004-04-16 | 2005-11-17 | Eupec | Leistungshalbleiterschaltung |
DE102004061907A1 (de) * | 2004-12-22 | 2006-07-13 | Siemens Ag | Halbleitermodul mit geringer thermischer Belastung |
EP1753025A2 (de) | 2005-08-09 | 2007-02-14 | Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit wannenförmigem Grundkörper |
DE102008040480A1 (de) * | 2008-07-16 | 2010-01-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Halbleitermodul |
EP2387071A3 (de) * | 2006-03-23 | 2014-04-23 | CeramTec GmbH | Trägerkörper für Bauelemente oder Schaltungen |
DE102017215846A1 (de) * | 2017-09-08 | 2019-03-14 | Robert Bosch Gmbh | Leiterplatten-Anordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102009000588B4 (de) | 2008-02-27 | 2022-11-03 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodul mit verbesserter Isolationsfestigkeit und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit verbesserter Isolationsfestigkeit |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4488274A (en) * | 1982-03-04 | 1984-12-11 | Lanier Business Products, Inc. | Remote dictation transcription system |
JPS62245643A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Hitachi Ltd | 被覆線の超音波ボンデイング方法 |
JPH02110962A (ja) * | 1989-08-31 | 1990-04-24 | Toshiba Corp | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
US4950866A (en) * | 1987-12-08 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of bonding insulated and coated wire |
JPH04151842A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5639558A (en) * | 1994-03-10 | 1997-06-17 | Nippon Steel Corporation | Insulating resin-coated bonding wire |
JPH10189850A (ja) * | 1996-11-07 | 1998-07-21 | Gec Alsthom Transport Sa | 電力半導体チップの接続ワイヤの被覆方法、該方法によって被覆された電力半導体チップの接続ワイヤ、及び、該ワイヤに接続された電力半導体チップ |
JPH1154538A (ja) * | 1997-08-04 | 1999-02-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 被覆ボンディングワイヤーの製造方法 |
JPH11354568A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 被覆ワイヤーとその製造方法 |
JP2000058579A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001016013A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Daido Steel Co Ltd | 被覆超弾性合金線材の製造方法、携帯用通信機器のアンテナ部品の製造方法及び携帯用通信機器のアンテナ部品 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60254641A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujitsu Ltd | 液体封入型パツケ−ジ |
-
2001
- 2001-06-15 DE DE10129006A patent/DE10129006B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4488274A (en) * | 1982-03-04 | 1984-12-11 | Lanier Business Products, Inc. | Remote dictation transcription system |
JPS62245643A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Hitachi Ltd | 被覆線の超音波ボンデイング方法 |
US4950866A (en) * | 1987-12-08 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of bonding insulated and coated wire |
JPH02110962A (ja) * | 1989-08-31 | 1990-04-24 | Toshiba Corp | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
JPH04151842A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5639558A (en) * | 1994-03-10 | 1997-06-17 | Nippon Steel Corporation | Insulating resin-coated bonding wire |
JPH10189850A (ja) * | 1996-11-07 | 1998-07-21 | Gec Alsthom Transport Sa | 電力半導体チップの接続ワイヤの被覆方法、該方法によって被覆された電力半導体チップの接続ワイヤ、及び、該ワイヤに接続された電力半導体チップ |
JPH1154538A (ja) * | 1997-08-04 | 1999-02-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 被覆ボンディングワイヤーの製造方法 |
JPH11354568A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 被覆ワイヤーとその製造方法 |
JP2000058579A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001016013A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Daido Steel Co Ltd | 被覆超弾性合金線材の製造方法、携帯用通信機器のアンテナ部品の製造方法及び携帯用通信機器のアンテナ部品 |
Non-Patent Citations (8)
Title |
---|
Patent Abstracts of Japan & JP 02110962 A * |
Patent Abstracts of Japan & JP 04151842 A * |
Patent Abstracts of Japan & JP 10189850 A * |
Patent Abstracts of Japan & JP 11054538 A * |
Patent Abstracts of Japan & JP 11354568 A * |
Patent Abstracts of Japan & JP 2000058579 A * |
Patent Abstracts of Japan & JP 2001016013 A * |
Patent Abstracts of Japan & JP 62245643 A * |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10359088A1 (de) * | 2003-12-17 | 2005-07-21 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Elektronisches Gerät |
WO2005109505A1 (de) * | 2004-04-16 | 2005-11-17 | Eupec | Leistungshalbleiterschaltung |
US7800213B2 (en) | 2004-04-16 | 2010-09-21 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor circuit with busbar system |
DE102004061907A1 (de) * | 2004-12-22 | 2006-07-13 | Siemens Ag | Halbleitermodul mit geringer thermischer Belastung |
EP1753025A2 (de) | 2005-08-09 | 2007-02-14 | Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit wannenförmigem Grundkörper |
EP1753025A3 (de) * | 2005-08-09 | 2008-07-23 | Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit wannenförmigem Grundkörper |
EP2387071A3 (de) * | 2006-03-23 | 2014-04-23 | CeramTec GmbH | Trägerkörper für Bauelemente oder Schaltungen |
EP2387069A3 (de) * | 2006-03-23 | 2014-05-07 | CeramTec GmbH | Trägerkörper für Bauelemente oder Schaltungen |
DE102009000588B4 (de) | 2008-02-27 | 2022-11-03 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodul mit verbesserter Isolationsfestigkeit und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit verbesserter Isolationsfestigkeit |
DE102008040480A1 (de) * | 2008-07-16 | 2010-01-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Halbleitermodul |
DE102017215846A1 (de) * | 2017-09-08 | 2019-03-14 | Robert Bosch Gmbh | Leiterplatten-Anordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10129006B4 (de) | 2009-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0841843B1 (de) | Leistungsmodul zur Ansteuerung von Elektromotoren | |
DE102006012429B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
EP1255299B1 (de) | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung | |
DE19700963C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls mit einer aktive Halbleiterbauelemente und passive Halbleiterbauelemente aufweisenden Schaltungsanordnung | |
EP0935818B1 (de) | Elektronisches steuergerät | |
DE19939933A1 (de) | Leistungs-Moduleinheit | |
EP2019429A1 (de) | Modul mit einem zwischen zwei Substraten, insbesondere DCB-Keramiksubstraten, elektrisch verbundenen elektronischen Bauelement und dessen Herstellungsverfahren | |
EP0597144A1 (de) | Hybride leistungselektronische Anordnung | |
DE19716113B4 (de) | Elektrische Leistungsstrang-Baugruppe | |
EP1470743B1 (de) | Leistungsmodul | |
DE10129006B4 (de) | Elektronische Baugruppe | |
WO2005106954A2 (de) | Leistungshalbleiterschaltung und verfahren zum herstellen einer leistungshalbleiterschaltung | |
WO2009030562A1 (de) | Verfahren zur herstellung und kontaktierung von elektronischen bauelementen mittels einer substratplatte, insbesondere dcb-keramik-substratplatte | |
WO2011113770A1 (de) | Schaltungsanordnung und zugehöriges steuergerät für ein kraftfahrzeug | |
WO2009127179A1 (de) | Verfahren zur herstellung und aufbau eines leistungsmoduls | |
WO2014146830A1 (de) | Leistungsmodul mit mindestens einem leistungsbauelement | |
WO2017032581A1 (de) | Schaltungsträger, leistungselektronikanordnung mit einem schaltungsträger | |
JP2004349300A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
EP1352427B1 (de) | Schaltungsanordnung mit in chips angeordneten halbleiterbauelementen | |
DE102022207922B3 (de) | Leistungselektronikmodul, Elektroantrieb und Kraftfahrzeug | |
US20240332141A1 (en) | Semiconductor device package for press fit assembly | |
WO2003071601A2 (de) | Schaltungsmodul und verfahren zu seiner herstellung | |
DE102021208497A1 (de) | Leistungsschaltung | |
DE4031814A1 (de) | Leistungshalbleiter-verpackung mit einem integrierten leistungshalbleiter | |
DE19721935C1 (de) | Chipträgeranordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |