DE10127689B4

DE10127689B4 - Verfahren zur Erzeugung von Streulinien in Maskenstrukturen zur Herstellung von integrierten elektrischen Schaltungen

Info

Publication number: DE10127689B4
Application number: DE10127689A
Authority: DE
Inventors: Wolfgang Dr. Meier
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Polaris Innovations Ltd
Priority date: 2001-06-08
Filing date: 2001-06-08
Publication date: 2005-07-07
Anticipated expiration: 2021-06-09
Also published as: DE10127689A1; US20030077521A1; US6838212B2

Abstract

Verfahren zur Erzeugung von Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) in als Datei vorliegenden Maskenstrukturen zur Herstellung von integrierten elektrischen Schaltungen, wobei eine Maskenstruktur ein oder mehrere Maskenstrukturelemente (1) auf einer Maskenebene beinhaltet, wobei die Maskenstrukturelemente (1) durch Kanten begrenzt sind und wobei die Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) als schmale Rechtecke ausgebildet sind,
wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
1) Bestimmen von Kanten bzw. Kantenpaaren der Maskenstrukturelemente (1) einer Maskenebene, zu denen abhängig vom jeweiligen Abstand zu anderen Maskenstrukturelementen parallel Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) erzeugt werden,
2) Erzeugen von Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) mit einem vorgegebenen Abstand und mit einer vorgegebenen Breite, die neben den in Schritt...

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Streulinien in Maskenstrukturen zur Herstellung von integrierten elektrischen Schaltungen, bei dem optische Effekte bei der Belichtung von Halbleiterwafern kompensiert werden.
Bei der Herstellung von integrierten elektrischen Schaltungen treten Abweichungen auf, die bei der Projektion von Masken auf die Lackschicht des Halbleiterrohlings entstehen und die durch Interferenzerscheinungen aufgrund der sehr geringen im Bereich der Lichtwellenlänge liegenden Strukturabmessungen bedingt sind. Die gefertigten Strukturen können dadurch erheblich von den ursprünglichen entworfenen Abmessungen abweichen, was zu geringer Ausbeute in der Produktion bis hin zum Totalausfall aller Schaltungen führen kann. Die Auswirkungen der Interferenzen auf eine bestimmte Struktur hängen dabei immer von der jeweiligen Umgebung ab.
Zur Kompensation dieser optischen Effekte werden sogenannte "Scatter Bars" bzw. "Assist Lines" bzw. Streulinien auf den für die Belichtung verwendeten Masken erzeugt, die als schmale Rechtecke neben den Kanten der Maskenpolygone plaziert werden. Die Streulinien erscheinen wegen ihrer geringen Breite nicht auf dem Halbleiterwafer, tragen aber dazu bei, daß die Maskenstrukturen in der gewünschten Breite und Form auf dem Halbleiterwafer abgebildet werden.
Abhängig vom verfügbaren Abstand zu benachbarten Maskenstrukturen können neben einer Kante auch mehrere parallele Streulinien planiert werden. Dadurch wird die Abbildungsgenauigkeit für isolierte Maskenstrukturen weiter verbessert. Ist umgekehrt der Abstand zwischen zwei Kanten benachbarter Maskenstrukturen zu gering, um neben jede Kante eine eigene Streulinie zu planieren, kann ggf. eine gemeinsame Streulinie mittig zwischen den Kanten erzeugt werden, welche so die korrekte Abbildung beider Kanten unterstützt.
Im Stand der Technik sind Programme zur Layout-Verifikation und zur Layout-Manipulation bekannt, die Streulinien erzeugen, indem sie Basisoperationen zum Messen von Abständen und Breiten in Maskenebenen sowie geometrische Operationen zum Ableiten neuer Strukturen aus den vorhandenen Daten zur Verfügung stellen. Boolesche Verknüpfungen von Maskenebenen sowie das Blähen und das Schrumpfen von Maskenpolygonen können beispielsweise solche Operationen darstellen.
Bei den bekannten Verfahren zur Erzeugung von Streulinien in Maskenstrukturen zur Herstellung von integrierten elektrischen Schaltungen ist von Nachteil, daß die Streulinien nur sehr umständlich und nicht in der notwendigen Genauigkeit erzeugt werden können. Bei den meisten bekannten Verfahren werden vorhandene Operationen bis an den Rand der Möglichkeit ausgereizt, was in vielen Fällen insbesondere bei schrägen Kanten von Maskenpolygonen zu falschen Resultaten führt und aufwendige Korrekturmaßnahmen nach sich zieht. Eine Variation der Streulinien in Abhängigkeit von gemessenen Abständen zu den Kanten der Maskenstrukturen ist vielfach, insbesondere bei der Planierung mittiger Streulinien, nicht möglich. Zur Verfügung stehende Spezialsoftware zur Generierung von Streulinien bie tet bisher nur eine geringe Flexibilität und eine eingeschränkte Funktionalität.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Erzeugung von Streulinien in Maskenstrukturen bereitzustellen, mit dem die Streulinien in den Maskenstrukturen einfach, genau und effektiv erzeugt werden.
Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Streulinien in Maskenstrukturen. Dieses Verfahren ist mittels eines Computerprogramms auf einem Computersystem durchführbar.
Dabei werden in einem ersten Schritt mit Hilfe von standardmäßigen Abstandsprüfungen alle Kanten einer Maskenebene bestimmt, zu denen parallel Streulinien erzeugt werden. Je nach Abstand zu benachbarten Maskenstrukturen werden die Kanten unterschiedlichen Klassen zugeordnet. Kanten mit ausreichendem Abstand zur Plazierung einer parallelen Streulinie werden einer ersten Klasse zugeordnet, Kanten mit hinreichend großem Abstand zur Plazierung zweier paralleler Streulinien einer zweiten Klasse usw. Benachbarte Kanten, zwischen denen der geringe Abstand nur die Plazierung einer gemeinsamen mittigen Streulinie erlaubt, werden zu Kantenpaaren zusammengefaßt und in einer gesonderten Liste gemerkt.
Anschließend werden zu allen ermittelten Kanten Streulinien erzeugt, wobei diese Streulinien in einem bestimmten Abstand und mit einer bestimmten Breite außerhalb der ihnen entspre chenden Kante verlaufen. Entsprechend der zugeordneten Abstandsklasse werden zu einer Kante ggf. auch mehrere parallele Streulinien erzeugt. Zu den gesondert gemerkten Kantenpaaren mit geringem Abstand werden mittig angeordnete Streulinien vorgegebener Breite erzeugt.
Daraufhin wird der Abstand der so erzeugten Streulinien zu allen Kanten der ursprünglichen Maskenstrukturelemente untersucht, wobei hierfür ein Mindestabstand durch einen Benutzer oder durch das Computerprogramm vorgebbar ist. Die hierbei betrachteten Kanten stellen meist die Nachbarkanten derjenigen Kanten dar, zu denen die betrachteten Streulinien parallel verlaufen. Ebenso können aber auch die Mindestabstände zu Kanten benachbarter Maskenstrukturelemente noch verletzt sein. Bei Unterschreiten des vorgegebenen Mindestabstands wird die entsprechende Streulinie verkürzt, so daß sie diesen Mindestabstand einhält. Sehr kurze Streulinien werden eliminiert.
Danach werden alle Streulinien auf Einhaltung des vorgegebenen Mindestabstands zueinander überprüft, wobei der einzuhaltende Mindestabstand durch den Benutzer oder durch das Computerprogramm vorgegeben ist. Falls zwei Streulinien den erforderlichen Mindestabstand zueinander nicht einhalten oder überlappen, werden die betreffenden Streulinien so verkürzt, daß sie exakt den geforderten Mindestabstand einhalten. Streulinien, die durch Verkürzung eine vorgegebene Mindestlänge unterschreiten, werden eliminiert. Eliminierte Streulinien bleiben bei der Überprüfung benachbarter Streulinien unberücksichtigt.
Durch die erfindungsgemäße Erzeugung der Streulinien wird eine bestmögliche Kompensation der optischen Effekte bei der Belichtung von Halbleiterwafern mit den Maskenstrukturen er reicht und somit eine vorteilhafte Umsetzung der entworfenen Abmessungen auf den Halbleiterwafer gewährleistet.
Die Operationen zum Erzeugen von Streulinien zu einer vorgegebenen Menge von Kanten bzw. Kantenpaaren sowie die Operationen zum Einstellen der Mindestabstände zwischen den Maskenpolygonen und den Streulinien sowie zwischen Streulinien untereinander können vorteilhafterweise beliebig mit Standardoperationen des verwendeten Computerprogramms kombiniert werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Erzeugung von Streulinien in Maskenstrukturen weist wesentlich einfachere und kürzere Steuerdateien auf, welche die Kommandos zur Erzeugung der Streulinien enthalten. Zur erfindungsgemäßen Erzeugung von Streulinien ist eine geringe Anzahl von Operationen nötig. Im Vergleich zu den bekannten Verfahren sind um den Faktor 10 weniger Operationen nötig. Somit ist eine verbesserte Lesbarkeit und Wartbarkeit der Steuerdateien gegeben.
Weiterhin werden die Streulinien durch das erfindungsgemäße Verfahren deutlich effektiver, laufzeit- und speicherbedarfsoptimaler erzeugt. Die Laufzeit und der Speicherbedarf werden im Vergleich zu den bekannten Verfahren ungefähr um den Faktor 5-10 verringert.
Des weiteren ermöglicht die Kombination von Standardoperationen und von speziellen Operationen zur Erzeugung sowie zur Verkürzung von Streulinien eine besondere Flexibilität bei der Anwendung, wie sie mit Standardoperationen allein nicht erreichbar ist.
Besonders vorteilhaft können hierbei Prioritäten bei der Verkürzung von Streulinien berücksichtigt werden. Beispielsweise können längere Streulinien vorrangig behandelt werden. Ebenso können mittige Streulinien vorrangig behandelt werden, oder bei parallelen Reihen von Streulinien die näher an den Maskenstrukturelementen plazierten Streulinien. Weiterhin können zu kurze Streulinien durch die Berücksichtigung von Mindestlängen ausgeschlossen werden.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird eine exakte Einhaltung von Abständen gewährleistet, wobei alle notwendigen Informationen vorteilhafterweise direkt zur Verfügung stehen und eine Veränderung von Streulinien in Abhängigkeit von gemessenen Abständen ermöglicht wird.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung können mehrere Streulinien jeweils parallel in unterschiedlichen Abständen zu einer Kante erzeugt werden. Hierdurch wird eine optimale Abbildbarkeit von Außenbereichen der Maskenstrukturen sowie eine optimale Abbildbarkeit von isolierten Maskenstrukturen gewährleistet.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind eine oder mehrere Streulinien jeweils mittig zwischen Kanten eng benachbarter Maskenpolygone anordenbar. Bei der Anordnung von mittigen Streulinien ist es oft sinnvoll, diese mittigen Streulinien prioritär zu behandeln und keine Verkürzung durch benachbarte Streulinien zuzulassen.
In den Zwischenräumen zwischen Maskenpolygonen bzw. zwischen auf der Maske verlaufenden Leitungen kann eine unterschiedliche Anzahl von Streulinien vorgesehen werden, je nachdem wie groß der Abstand zwischen den Maskenpolygonen bzw. zwischen den Leitungen ausgebildet ist.
Bei einem geringem Abstand zwischen zwei Maskenpolygonen bzw. zwischen zwei Leitungen kann genau eine mittige Streulinie vorgesehen werden. Bei einem etwas größeren Abstand zwischen zwei Maskenpolygonen bzw. Leitungen kann pro Seite eine Streulinie vorgesehen werden. Zusätzlich zu diesen beiden Streulinien kann eine weitere Streulinie bei einem noch größeren Abstand zwischen zwei Maskenpolygonen bzw. Leitungen ausgebildet werden. Je zwei Reihen von Streulinien können bei einem noch größerem Abstand zwischen zwei Maskenpolygonen bzw. Leitungen angeordnet werden.
Durch die erfindungsgemäße Möglichkeit, in Abhängigkeit des Abstands zwischen Leitungen bzw. zwischen Maskenpolygonen eine unterschiedliche Anzahl von Streulinien vorzusehen, kann eine effektive und situationsbezogene Abbildbarkeit von Maskenpolygonen auf dem entsprechenden Halbleiterwafer gewährleistet werden.
Eine Maskenstruktur beinhaltet ein oder mehrere Maskenstrukturelemente, die auf einer Maskenebene vorliegen. Diese Maskenstrukturelemente können auch als Maskenpolygone auf der Maskenebene vorliegen.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren sind Streulinien durch einen einzigen Befehl parallel zu den Kanten der Maskenpolygone erzeugbar. Durch das erfindungsgemäße Verfahren, das Spezialoperationen mit Standardoperationen zur Erhöhung der Flexibilität verknüpft, können bestehende, langwierige Berechnungsroutinen vereinfacht werden. Das erfindungsgemäße Verfah ren bietet eine erhöhte Flexibilität und ein erweitertes Anwendungsspektrum als reine Speziallösungen.
Die Erfindung ist auch in einem Computerprogramm zur Erzeugung von Streulinien in Maskenstrukturen von integrierten, elektrischen Schaltungen verwirklicht. Das Computerprogramm ist dabei so ausgebildet, daß nach Eingabe einer Maskenstruktur ein erfindungsgemäßes Verfahren ausführbar ist, wobei als Ergebnis des Verfahrens die mit den Streulinien versehene Maskenstruktur ausgegeben wird.
Die Erfindung betrifft außerdem einen Datenträger mit einem solchen Computerprogramm sowie ein Verfahren, bei dem ein solches Computerprogramm aus einem elektronischen Datennetz, wie beispielsweise aus dem Internet, auf einen an das Datennetz angeschlossenen Computer heruntergeladen wird.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren sind die erforderlichen Mindestabstände zwischen Streulinien und Maskenpolygonen individuell und präzise einstellbar.
Die Reihenfolge der Schritte des Verfahrens zur Erzeugung von Streulinien in Maskenstrukturen kann variiert werden, indem Verfahrensschritte zusammengefaßt werden. Beispielsweise können die Überprüfung und die Korrektur der Abstände von Streulinien zu angrenzenden Kanten von Maskenpolygonen und die Überprüfung der Abstände von Streulinien gegeneinander zusammen durchgeführt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann so durchgeführt werden, daß die einzelnen Verfahrensschritte nacheinander für die gesamte Maskenstruktur durchgeführt werden.
Die Erfindung ist in der 1 und 2 anhand eines Ausführungsbeispiels näher veranschaulicht.
1 zeigt eine schematische Draufsicht eines erstes Maskenstrukturelements 1, einer ersten Primärstreulinie 2, einer zweiten Primärstreulinie 3, einer dritten Primärstreulinie 4, eine vierten Primärstreulinie 5, einer fünften Primärstreulinie 6, einer sechsten Primärstreulinie 7 und einer siebten Primärstreulinie 8 gemäß einem Ausführungsbeispiel,
2 zeigt eine schematische Draufsicht desselben Maskenstrukturelements 1, einer ersten Streulinie 10, einer zweiten Streulinie 11, einer dritten Streulinie 12, einer vierten Streulinie 13, einer fünften Streulinie 14 und einer sechsten Streulinie 15 gemäß dem Ausführungsbeispiel.
1 stellt ein Zwischenergebnis nach den ersten Schritten des Verfahrens dar, während 2 das Endergebnis gemäß dem Ausführungsbeispiel darstellt.
Das erste Maskenstrukturelement 1 ist auf einer Maske enthalten, die für die Belichtung von Halbleiterwafern verwendet wird. Das erste Maskenstrukturelement 1 stellt ein Maskenpolygon dar, wobei eine Vielzahl von Maskenpolygonen auf der Maskenebene enthalten sind.
Die Streulinien in 2 stellen die durch das Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel erzeugten zusätzlichen Rechtecke dar, die den ursprünglichen Maskendaten hinzugefügt werden. Diese Streulinien erhöhen die Abbildungsgenauigkeit für das ursprüngliche Maskenstrukturelement, werden aber selber wegen ihrer geringen Breite nicht auf dem Halbleiterwafer abgebildet.
Die Belichtung von Halbleiterwafern mittels Masken stellt einen Produktionsschritt bei der Herstellung von integrierten elektrischen Schaltungen dar, bei dem Strukturen von elektrischen Leitungen sowie von elektrischen Bauteilen auf die Oberfläche des Halbleiterwafers projiziert werden.
Solche Masken werden häufig mittels eines Elektronenstrahlschreibers erstellt.
Das erste Maskenstrukturelement 1 ist als Rechteck ausgebildet, dessen Breite seiner doppelten Höhe entspricht. Dieses dem ersten Maskenstrukturelement 1 zugrundeliegende Rechteck wird in der nachfolgenden Erläuterung als rechteckige Grundform bezeichnet.
In der Mitte der linken Seite des Rechtecks ist eine Einbuchtung vorhanden, deren Höhe ein Viertel der Höhe des Rechtecks entspricht und deren Breite vier Fünftel der Breite des Rechtecks entspricht.
In der Mitte der rechten Seite des Rechtecks ist eine rechtekkige Ausbuchtung angeordnet, deren Breite einem Sechstel der Breite des Rechtecks entspricht und deren Höhe einem Drittel der Höhe des Rechtecks gleichkommt.
Sowohl auf der Unterseite als auch auf der Oberseite des Rechtecks ist je eine rechteckige Ausbuchtung vorhanden, die ausgehend von Seitenmitte des Rechtecks um ein Zehntel der Seitenbreite des Rechtecks nach links verschoben angeordnet ist. Die Höhe der beiden Ausbuchtungen entspricht jeweils der Hälfte der Höhe des Rechtecks.
Die rechte untere Ecke sowie die rechte obere Ecke des Rechtecks sind jeweils mit einem Winkel von 45° abgeschrägt, wobei die Abschrägung ausgehend von der rechten Seite des Rechtecks auf der Höhe von einem Achtel der Gesamtseite des Rechtecks beginnt.
Um das erste Maskenstrukturelement 1 ist in 2 eine Vielzahl von schmalen Rechtecken angeordnet, die als "Scatter Bars" bzw. "Assist Lines" bzw. "Streulinien" bezeichnet werden. Diese Streulinien werden auf die für die Belichtung des Halbleiterwafers verwendeten Maske mittels eines Elektronenstrahlschreibers aufgebracht. Diese Streulinien sind so dünn ausgebildet, daß sie bedingt durch optische Effekte nicht auf dem Halbleiterwafer erscheinen. Die Streulinien tragen dazu bei, daß die elektrischen Leitungen sowie die elektrischen Bauteile, um welche die Streulinien angeordnet sind, die gewünschten Breite auf dem Halbleiterwafer einnehmen.
Die Generierung der in 2 dargestellten Streulinien wird nachfolgend gemäß dem Ausführungsbeispiel beschrieben.
Bei der erfindungsgemäßen Generierung von Primärstreulinien wird von vorhandenen Maskenstrukturelementen ausgegangen.
Eine Maskenstruktur liegt auf einer Maskenebene vor und umfaßt ein oder mehrere Maskenstrukturelemente, die auch als Maskenpolygone vorliegen können.
In einem ersten Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens werden alle Kanten der Maskenstrukturelemente bestimmt, zu denen parallel Primärstreulinien erzeugt werden. Diese Kanten der Maskenstrukturelemente werden mit Hilfe von standardmäßigen Abstandsprüfungen ermittelt. Hierbei werden entweder Kanten ermittelt, vor denen hinreichend freier Platz zum Anlegen von Streulinien vorhanden ist oder Kantenpaare, zwischen denen eine oder mehrere gemeinsame Streulinien mittig anordenbar sind.
In einem zweiten Schritt werden Primärstreulinien generiert, die in einer bestimmten Position zu den im ersten Schritt ausgewählten Kanten bzw. Kantenpaaren der Maskenstrukturelemente angeordnet werden.
Dabei werden zuerst Primärstreulinien mit einer vorgegebenen Breite und einem sich automatisch ergebenden Abstand in der Mitte zwischen zwei Kanten eines Kantenpaares von Maskenstrukturelementen angeordnet.
Danach werden Primärstreulinien in einem definierten Abstand und mit einer vorgegebenen Breite parallel zu den jeweiligen Außenkanten der Maskenstrukturelemente vorgesehen.
Im Ausführungsbeispiel gemäß 1 werden in einem ersten Schritt alle Kanten des ersten Maskenstrukturelements 1 bestimmt, zu denen parallel Streulinien erzeugt werden.
Dies sind alle äußeren Kanten des ersten Maskenstrukturelements 1 sowie die obere und untere Kante der Einbuchtung des ersten Maskenstrukturelements 1. Die beiden letztgenannten Kanten werden zu einem Kantenpaar zusammengefaßt, da hier eine mittige Streulinie zwischen den Kanten zu erzeugen ist. Alle übrigen Kanten werden einzeln erfaßt.
In einem zweiten Schritt gemäß dem Ausführungsbeispiel in 1 wird die erste Primärstreulinie 2 zentriert zwischen der oberen und der unteren Kante der Einbuchtung des ersten Maskenstrukturelements 1 generiert. Diese erste Primärstreulinie 2 verläuft dementsprechend zwischen der linken Seite des ersten Maskenstrukturelements 1 und der rechten Begrenzung der beschriebenen Einbuchtung. Sie weist sowohl zu der unteren Kante der Einbuchtung als auch zur der oberen Kante der Einbuchtung einen gleichgroßen Abstand auf. Die erste Primärstreulinie 2 schließt auf der rechten Seite mit dem Ende der Einbuchtung des ersten Maskenstrukturelements 1 ab.
Anschließend wird die zweite Primärstreulinie 3 generiert. Diese verläuft parallel zu derjenigen Außenkante des ersten Maskenstrukturelements 1, die sich an der linken Seite des ersten Maskenstrukturelements 1 befindet, und zwischen der Unterseite der rechteckigen Grundform des ersten Maskenstrukturelements 1 und der Unterseite der Einbuchtung angeordnet ist. Die Länge der zweiten Primärstreulinie 3 entspricht der Länge dieser Außenkante.
Danach wird die dritte Primärstreulinie 4 generiert. Diese dritte Primärstreulinie 4 verläuft parallel zu derjenigen Außenkante des ersten Maskenstrukturelements 1, welche die Unterkante der rechteckigen Grundform des ersten Maskenstrukturelements 1 darstellt. Das linke und das rechte Ende der dritten Primärstreulinie 4 sind durch die linke Begrenzung des ersten Maskenstrukturelements 1 sowie durch die linke Seite der unteren Ausbuchtung des ersten Maskenstrukturelements 1 gege ben. Dementsprechend schließt die dritte Primärstreulinie 4 mit der linken Seite der unteren Ausbuchtung ab.
Anschließend wird die vierte Primärstreulinie 5 erzeugt. Diese verläuft parallel zur linken Seiten der unteren Ausbuchtung des ersten Maskenstrukturelements 1 und ist am oberen Ende durch die Unterseite der rechteckigen Grundform des ersten Maskenstrukturelements 1 sowie an der Unterseite durch die untere Begrenzung der unteren Ausbuchtung vorgegeben. Demnach schließt die vierte Primärstreulinie 5 mit der unteren Seite der rechteckigen Grundform des ersten Maskenstrukturelements 1 ab. Die dritte Primärstreulinie 4 und die vierte Primärstreulinie 5 verlaufen übereinander.
Im Anschluß daran wird die fünfte Primärstreulinie 6 erzeugt. Diese verläuft parallel zur Abschrägung der rechten unteren Ecke des ersten Maskenstrukturelements 1. Die Enden der fünften Primärstreulinie 6 sind durch den Beginn und das Ende der Abschrägung vorgegeben.
Danach wird die sechste Primärstreulinie 7 generiert. Diese verläuft parallel zur Unterseite der rechten Ausbuchtung und ist an der linken Seite durch die linke Begrenzung der rechteckigen Grundform des ersten Maskenstrukturelements 1 und an der rechten Seite durch das rechte Ende der rechten Ausbuchtung des ersten Maskenstrukturelements 1 begrenzt. Die sechste Primärstreulinie 7 berührt die linke Seite der rechteckigen Grundform des ersten Maskenstrukturelements 1. Weiterhin berühren sich die fünfte Primärstreulinie 6 und die sechste Primärstreulinie 7 gegenseitig.
Anschließend wird die siebte Primärstreulinie 8 erzeugt. Diese verläuft parallel zur rechten Seite der rechteckigen Grundform des ersten Maskenstrukturelements 1. Die siebte Primärstreulinie 8 schließt am oberen Ende mit der unteren Begrenzung der rechten Ausbuchtung plan ab. Das untere Ende der siebten Primärstreulinie 8 ist durch den Beginn der Abschrägung der rechten unteren Ecke des ersten Maskenstrukturelements 1 vorgegeben. Das untere Ende der siebten Primärstreulinie 8 ist in der oberen Seite der sechsten Primärstreulinie 7 enthalten.
Alle weiteren Außenkanten des ersten Maskenstrukturelements 1 werden mit einer entsprechenden Primärstreulinie versehen. Diese weiteren Primärstreulinien sind im Ausführungsbeispiel gemäß 1 dargestellt und werden hier nicht weiter beschrieben.
2 zeigt dasselbe Maskenstrukturelement 1 wie 1, eine erste Streulinie 10, eine zweite Streulinie 11, eine dritte Streulinie 12, eine vierte Streulinie 13, eine fünfte Streulinien 14 und eine sechste Streulinie 15 gemäß dem Ausführungsbeispiel.
Die Streulinien in 2 stellen das Ergebnis des zweiten Verfahrensteils dar, wie sie sich gemäß dem Ausführungsbeispiel aus den Primärstreulinien in 1 ergeben.
Die erste Streulinie 10 entspricht hinsichtlich der Lage der ersten Primärstreulinie 2, wobei das rechte Ende einen Abstand zur rechten Begrenzung der Einbuchtung des zweiten Maskenstrukturelements 9 aufweist, der einem Zehntel der Höhe der rechteckigen Grundform des Maskenstrukturelements 1 entspricht.
Die zweite Streulinie 11 ist hinsichtlich der Form und der Position identisch mit der zweiten Primärstreulinie 3 aus 1.
Die dritte Streulinie 12 ist parallel zur Unterseite der rechteckigen Grundform des ersten Maskenstrukturelements 1 angeordnet, wobei die linke Seite der dritten Streulinie 12 durch die linke Seite des ersten Maskenstrukturelements 1 begrenzt ist und wobei die rechte Seite einen Abstand zur linken Seite der unteren Ausbuchtung des zweiten Maskenstrukturelements 9 aufweist, der einem Viertel der Höhe der rechteckigen Grundform des zweiten Maskenstrukturelements 9 gleichkommt.
Die vierte Streulinie 13 ist parallel zur linken Seite der unteren Ausbuchtung des zweiten Maskenstrukturelements 9 angeordnet und wird an der Unterseite durch die untere Begrenzung der unteren Ausbuchtung beschränkt. Das obere Ende der vierten Streulinie 13 weist einen Abstand zur Unterseite der rechtekkigen Grundform des zweiten Maskenstrukturelements 9 auf, der einem Viertel der Höhe der rechteckigen Grundform des zweiten Maskenstrukturelements 9 entspricht. Dementsprechend weisen die dritte Streulinie 12 und die vierte Streulinie 13 einen Abstand voneinander auf.
Die fünfte Streulinie 14 ist parallel zur Abschrägung der rechten unteren Ecke des beschriebenen Rechtecks des zweiten Maskenstrukturelements 9 angeordnet. Dabei entspricht die Länge der fünften Streulinie 14 ungefähr zwei Dritteln der Abschrägung der rechten unteren Ecke des zweiten Maskenstrukturelements 9.
Die sechste Streulinie 15 ist parallel zur Unterseite der rechten Auswölbung angeordnet, wobei das rechte Ende der sechsten Streulinie 15 durch die rechte Begrenzung der Auswölbung vorgegeben ist. Die gesamte Länge der sechsten Streulinie 15 entspricht zwei Dritteln der Unterseite der rechten Auswölbung des zweiten Maskenstrukturelements 9.
Im Ausführungsbeispiel gemäß 1 wurden die Kantenbestimmung und die Generierung von Primärstreulinien erläutert.
Anschließend an diese ersten beiden Schritte erfolgt nun ein dritter Schritt zur Generierung von Streulinien.
In diesem dritten Schritt werden alle Paare einer Primärstreulinie und einer Kante des jeweiligen Strukturelements gesucht, deren Abstand voneinander zu gering ist. Hierfür wird ein zwischen der Streulinie und der Außenkante des Maskenstrukturelements einzuhaltender Mindestabstand definiert. Die Primärstreulinien, bei denen der definierte Mindestabstand unterschritten wird, werden verkürzt, so daß der geforderte Mindestabstand genau eingehalten wird.
In einem vierten Schritt werden die so erhaltenen Streulinien gegeneinander geprüft. Dabei wird ein zwischen den einzelnen Streulinien einzuhaltender Mindestabstand definiert. Streulinien, die untereinander den geforderten Mindestabstand unterschreiten, werden in diesem Schritt paarweise verkürzt, bis sie dem geforderten Mindestabstand entsprechen.
Im Ausführungsbeispiel gemäß 2 werden der dritte und der vierte Schritt zusammen durchgeführt.
2 stellt die verkürzten Streulinien nach Durchführung der Schritte 3 und 4 dar. Im Ausführungsbeispiel ist der Mindestabstand, der zwischen einer Streulinie und einer Außenkante des Maskenstrukturelements einzuhalten ist, mit einem Zehntel der Höhe der rechteckigen Grundform des ersten Maskenstrukturelements 1 festgelegt. Der Mindestabstand, der jeweils zwischen den Streulinien einzuhalten ist, beträgt ebenfalls ein Zehntel der Höhe der rechteckigen Grundform des ersten Maskenstrukturelements 1. Beide Mindestabstandswerte werden in der Regel durch die verwendete Belichtungstechnologie fest vorgegeben.
Zuerst wird die erste Primärstreulinie 2 aus 1 betrachtet. Diese hält den geforderten Mindestabstand zur rechten Seite der Einbuchtung des ersten Maskenstrukturelements 1 nicht ein. Dementsprechend wird das rechte Ende der Primärstreulinie 2 verkürzt, sodaß der Abstand zwischen deren rechtem Ende und dem rechten Ende der Einbuchtung dem Mindestabstand genügt. Der erforderliche Mindestabstand zu allen anderen Streulinien ist eingehalten. Die erzeugte erste Streulinie 10 ist in 2 dargestellt.
Anschließend wird die zweite Primärstreulinie 3 betrachtet. Diese hält die geforderten Mindestabstände zu der entsprechenden Außenkante des ersten Maskenstrukturelements 1 sowie zu der ersten Primärstreulinie 2 und der dritten Primärstreulinie 4 ein. Dementsprechend wird keine Verkürzung der zweiten Primärstreulinie 3 vorgenommen. Die so aus der zweiten Primärstreulinie 3 erzeugte zweite Streulinie 11 ist in 2 dargestellt.
Danach werden die dritte Primärstreulinie 4 und die vierte Primärstreulinie 5 betrachtet. Diese beiden Primärstreulinien überschneiden sich gegenseitig und halten demzufolge den geforderten Mindestabstand zueinander nicht ein. Des weiteren weist die dritte Primärstreulinie 4 keinen Abstand zu der linken Begrenzung der unteren Ausbuchtung des ersten Maskenstrukturelements 1 auf. Weiterhin ist zwischen der vierten Primärstreulinie 5 und der Unterseite der rechteckigen Grundform des ersten Maskenstrukturelements 1 kein Mindestabstand gegeben.
Dementsprechend werden die dritte Primärstreulinie 4 sowie die vierte Primärstreulinie 5 verkürzt bis sie sowohl die Mindestabstände zu den Außenkanten des ersten Maskenstrukturelements 1 als auch zueinander aufweisen. Die so erzeugte dritte Streulinie 12 und die so erzeugte vierte Streulinie 13 sind in 2 dargestellt.
Anschließend werden die fünfte Primärstreulinie 6 und die sechste Primärstreulinie 7 betrachtete. Die fünfte Primärstreulinie 6 und die sechste Primärstreulinie 7 berühren sich gegenseitig und halten somit den geforderten Mindestabstand zueinander nicht ein. Weiterhin berührt die sechste Primärstreulinie 7 das erste Maskenstrukturelement 1 und unterschreitet somit den geforderten Mindestabstand zu der Außenkante des ersten Maskenstrukturelements 1.
Die fünfte Primärstreulinie 6 und die sechste Primärstreulinie 7 werden demnach verkürzt, bis sie die geforderten Mindestabstände sowohl zu den Außenkanten des ersten Maskenstrukturelements 1 als auch zueinander einhalten. Dementsprechend werden die fünfte Streulinie 14 und die sechste Streulinie 15 generiert.
Danach wird die siebte Primärstreulinie 8 betrachtet. Diese kurze Primärstreulinie weist einen zu geringen Abstand zu der rechten Ausbuchtung des ersten Maskenstrukturelements 1 auf. Weiterhin weist diese siebte Primärstreulinie 8 einen zu geringen Abstand zu der sechsten Primärstreulinie 7 auf. Durch die notwendige Verkürzung würde die Primärstreulinie zu kurz werden. Dementsprechend wird die siebte Primärstreulinie 8 eliminiert.
Mit allen weiteren in 1 dargestellten und hier nicht erläuterten Streulinien wird wie anhand der gezeigten Streulinien verfahren. Die Abstände der Primärstreulinien zu den jeweiligen Außenkanten des ersten Maskenstrukturelements 1 werden überprüft. Danach werden die Abstände der Primärstreulinien zueinander betrachtet. Zu geringe Abstände werden dadurch korrigiert, daß die entsprechenden Primärstreulinien verkürzt oder gegebenenfalls eliminiert werden. So ergeben sich aus den in 1 dargestellten Primärstreulinien die in 2 gezeigten Streulinien.

Claims

Verfahren zur Erzeugung von Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) in als Datei vorliegenden Maskenstrukturen zur Herstellung von integrierten elektrischen Schaltungen, wobei eine Maskenstruktur ein oder mehrere Maskenstrukturelemente (1) auf einer Maskenebene beinhaltet, wobei die Maskenstrukturelemente (1) durch Kanten begrenzt sind und wobei die Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) als schmale Rechtecke ausgebildet sind, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: 1) Bestimmen von Kanten bzw. Kantenpaaren der Maskenstrukturelemente (1) einer Maskenebene, zu denen abhängig vom jeweiligen Abstand zu anderen Maskenstrukturelementen parallel Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) erzeugt werden, 2) Erzeugen von Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) mit einem vorgegebenen Abstand und mit einer vorgegebenen Breite, die neben den in Schritt 1 bestimmten Kanten bzw. mittig zwischen den in Schritt 1 bestimmten Kantenpaaren verlaufen, wobei die Länge der erzeugten Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) der Länge der den jeweiligen Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) zugehörigen Kanten entspricht, 3) Prüfen der in Schritt 2 erzeugten Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) auf Einhaltung eines vorgegebenen Abstands zu den ursprünglichen Maskenstrukturelementen und Verkürzen und/oder Eliminieren der diesen Abstand unterschreitenden Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15), 4) Paarweises Prüfen der in den Schritten 2 und 3 erzeugten Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) auf Einhaltung eines vorgegebenen Abstands zueinander und Verkürzen und/oder Eliminieren der diesen Abstand unterschreitenden Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15).
Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) parallel mit unterschiedlichen Abständen zu jeweils einer Kante erzeugbar sind.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, daß zwischen parallel verlaufenden Kanten von Maskenstrukturelementen (1,) eine oder mehrere mittig verlaufende Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) vorsehbar sind.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für Streulinien eine Mindestlänge vorgegeben werden kann und wegen Unterschreitung der Mindestlänge zu eliminierende Streulinien bei der Korrektur benachbarter Streulinien unberücksichtigt bleiben.
Computerprogrammprodukt sowie Computerprogramm zur Erzeugung von Streulinien (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15) in den Maskenstrukturen zur Herstellung von inte grierten elektrischen Schaltungen, das so ausgebildet ist, daß nach Eingabe einer Maskenstruktur ein Verfahren gemäß einem der vorgehenden Ansprüche ausführbar ist.
Datenträger mit einem Computerprogrammprodukt bzw. Computerprogramm nach Anspruch 4.
Verfahren, bei dem ein Computerprogrammprodukt bzw. Computerprogramm nach Anspruch 4 aus einem elektronischen Datennetz wie beispielsweise aus dem Internet auf einen an das Datennetz angeschlossenen Computer heruntergeladen wird.