DE10115817B4 - Integrierter Speicherchip mit einem dynamischen Speicher - Google Patents

Integrierter Speicherchip mit einem dynamischen Speicher Download PDF

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Abstract

Integrierter Speicherchip (1), der einen externen Steueranschluß (11) aufweist, umfassend
– einen dynamischen Speicher (2),
– eine Steuerschaltung (3) zur Steuerung eines Speicherzugriffs auf den dynamischen Speicher (2) mit einem Eingang (31), der mit dem externen Steueranschluß (11) verbunden ist, zum Empfang eines Zugriffsbefehls (R/W), der den Beginn eines Speicherzugriffs anzeigt, und mit einem Ausgang (35 bis 40), der mit dem dynamischen Speicher (2) verbunden ist, zur Ausgabe wenigstens eines aus dem Zugriffsbefehl generierten Aktivierungssignals (ACT), Lesebefehls (RD) oder Schreibbefehls (WR) und Vorladebefehls (PR), und
– einen externen Adreßanschluß (14), der mit einem Adreßanschluß (34) der Steuerschaltung zum Empfang einer Adresse (ADR) für den Speicherzugriff verbunden ist,
– wobei die Steuerschaltung (3) aus einer empfangenen Adresse (ADR) jeweils Spaltenadressen (CADR) und Reihenadressen (RADR) zum Zugriff auf Wortleitungen (WL) und Bitleitungen (BL) des dynamischen Speichers erzeugt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen integrierten Speicherchip mit einem dynamischen Speicher.
  • Integrierte Speicher beispielsweise in Form von sogenannten DRAM-Speichern werden in Datenverarbeitungssystemen betrieben und dabei beispielsweise von einem Mikroprozessor angesteuert. Ab einer gewissen Größe des Speichers, beispielsweise bei einer Speichergröße über 1 Mbit, benutzen in der Regel alle verfügbaren DRAM-Speicher ein sogenanntes Multiplex-Adreßschema. Dieses dient vor allem dem Zweck, die Anzahl der Adreßanschlüsse eines Speicherchips zu reduzieren und damit die Kosten für die einzelnen Komponenten im Datenverarbeitungssystem und die Leistungsaufnahme der entsprechenden Adreß-Bussysteme.
  • Ein solches Multiplex-Adreßschema hat den Vorteil, daß es sehr gut zur Funktionalität eines DRAM-Speichers paßt. Dort werden im allgemeinen für einen Speicherzugriff zuerst die anzusprechenden Reihen in Form von ausgewählten Wortleitungen und anschließend die entsprechenden Spalten in Form von ausgewählten Bitleitungen aktiviert. Es müssen bei diesem Adreßschema also zuerst Reihenadressen und anschließend entsprechende Spaltenadressen übertragen werden. Damit wird ausgewählt, aus welchen Speicherzellen Daten ausgelesen beziehungsweise in welche Speicherzellen Daten eingeschrieben werden. Ebenso müssen vom Mikroprozessor mehrere einzelne Befehle abgesetzt werden, beispielsweise in Form eines Aktivierungssignals, eines Lesebefehls oder Schreibbefehls und, zum Abschluß des Speicherzugriffs, ein Vorladebefehl.
  • Ein Nachteil einer derartigen Funktionalität besteht insbesondere darin, daß eine dazu verwendete DRAM-Schnittstelle (sogenanntes Interface) im allgemeinen nicht auf die entspre chende Prozessor-Schnittstelle angepaßt ist. Das Prozessor-Interface ist häufig an schnelle sogenannte SRAM-Speicher angepaßt, die gegenüber DRAM-Speicher sehr viel kleiner sind und im allgemeinen nicht in einer beschriebenen Multiplex-Betriebsart betrieben werden.
  • Damit ein solches Prozessor-Interface und ein DRAM-Interface miteinander kommunizieren können, ist es im allgemeinen notwendig, einen sogenannten DRAM-Controller im Datenverarbeitungssystem zu implementieren, um im Datenverarbeitungssystem den DRAM-spezifischen Speicherzugriff aus den Befehlen des Prozessors, die an SRAM-Speichern orientiert sind, umzusetzen.
  • DE 41 15 127 A1 betrifft eine Speicheranordnung mit einem Speicherzellenfeld und einem R/W Steuerschaltkreis, dem ein Schreibaktivierungssignal WE zugeführt wird. Der Steuerschaltkreis schreibt beim Datenschreiben Eingangsdaten in eine ausgewählte Speicherzelle des Speicherzellenfeldes. Zur Durchführung eines Schreibvorgangs werden das Schreibaktivierungssignal WE und ein Chipauswahlsignal CS von extern an den Speicher angelegt. Außerdem werden für einen Speicherzugriff jeweils von extern getrennte Reihenadressen und Spaltenadressen an den Speicher angelegt.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen integrierten Speicherchip mit einem dynamischen Speicher anzugeben, der es ermöglicht, bei Einsatz in einem Datenverarbeitungssystem auf einen DRAM-Controller zu verzichten.
  • Die Aufgabe wird gelöst durch einen integrierten Speicherchip, der einen externen Steueranschluß aufweist, umfassend einen dynamischen Speicher und eine Steuerschaltung zur Steuerung eines Speicherzugriffs auf den dynamischen Speicher mit einem Eingang, der mit dem externen Steueranschluß verbunden ist, zum Empfang eines Zugriffbefehls, der den Beginn eines Speicherzugriffs anzeigt, und mit einem Ausgang, der mit dem dynamischen Speicher verbunden ist, zur Ausgabe wenigstens eines aus dem Zugriffsbefehl generierten Aktivierungssignals, Lesebefehls oder Schreibbefehls und Vorladebefehls, und einen externen Adreßanschluß (14), der mit einem Adreßanschluß (34) der Steuerschaltung zum Empfang einer Adresse (ADR) für den Speicherzugriff verbunden ist, wobei die Steuerschaltung (3) aus einer empfangenen Adresse (ADR) jeweils Spaltenadressen (CADR) und Reihenadressen (RADR) zum Zugriff auf Wortleitungen (WL) und Bitleitungen (BL) des dynamischen Speichers erzeugt.
  • Mit dem erfindungsgemäßen integrierten Speicherchip ist es ermöglicht, den Speicherchip mit dem dynamischen Speicher mit einem Befehlssatz anzusteuern, der an schnellen SRAM-Speichern orientiert ist. Der Speicherchip empfängt lediglich beispielsweise von einem angeschlossenen Prozessor einen Zugriffsbefehl, woraufhin chipintern von der Steuerschaltung ein Aktivierungssignal, gefolgt von einem Lesebefehl oder Schreibbefehl und abschließend ein Vorladebefehl generiert werden. Dadurch ist es ermöglicht, daß zwischen dem Speicherchip und einem angeschlossenen Mikroprozessor für einen Speicherzugriff nur ein Zugriffsbefehl übertragen werden muß. Es ist nicht notwendig, in einem Datenverarbeitungssystem zur Ansteuerung eines DRAM-Speichers einen vom Speicherchip getrennten DRAM-Controller vorzusehen.
  • Die Erfindung ist vor allem anwendbar auf sogenannte RLDRAM-Speicher, die eine hohe Leistungsfähigkeit und Speicherkapazität aufweisen und insbesondere für Netzwerkapplikationen konzipiert sind. Mit der Erfindung ist es daher möglich, eine sehr hohe Speicherkapazität eines DRAM-Speichers mit optimierten sogenannten Random-Access-Zeiten zu kombinieren. Auf diese Weise wird für einen Betrieb in einem Datenverarbeitungssystem eine Alternative zu schnellen SRAM-Speichern geschaffen, die im Vergleich zu DRAM-Speichern eine sehr viel kleinere Speichergröße aufweisen.
  • In einer Weiterbildung der Erfindung weist der Speicherchip einen externen Adreßanschluß auf, der mit einem Adreßanschluß der Steuerschaltung zum Empfang einer Adresse für den Speicherzugriff verbunden ist. Die Steuerschaltung erzeugt aus einer empfangenen Adresse jeweils Spaltenadressen und Reihenadressen zum Zugriff auf Wortleitungen und Bitleitungen des dynamischen Speichers. Dies hat den Vorteil, daß die DRAM-spezifische Adreßgenerierung mit Reihenadressen und Spaltenadressen chipintern von der Steuerschaltung vorgenommen wird und so vom Mikroprozessor nur eine Adresse übertragen werden muß.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung weist der Speicherchip einen externen Taktanschluß auf zum Empfang eines Eingangstakts für ein synchronisiertes Einlesen von Signalen für den Betrieb des dynamischen Speichers. Außerdem weist der Speicherchip einen externen Anschluß für ein Datenreferenzsi gnal auf, das mit auszugebenden Ausgangsdaten synchronisiert ist und das aus dem Eingangstakt abgeleitet ist und mit diesem nicht synchronisiert ist. Damit weist der Speicherchip einen Anschluß für ein Datenreferenzsignal auf, das einem sogenannten Echo Clock eines SRAM-Speichers gleicht. Der Speicherchip unterscheidet sich jedoch von einem bekannten DDR-DRAM-Speicher, bei dem ein Datenreferenzsignal in Form eines sogenannten Data-Strobe-Signals ausgegeben wird. Zur Generierung eines solchen Signals ist im allgemeinen eine zusätzliche sogenannte DLL-Schaltung auf dem Speicherchip erforderlich. Da das Datenreferenzsignal des erfindungsgemäßen Speicherchips aus dem Eingangstakt abgeleitet ist und mit diesem nicht synchronisiert ist, ist in diesem Fall keine DLL-Schaltung erforderlich. Das heißt, der Eingangstakt und das Datenreferenzsignal weisen im Betrieb des Speicherchips eine Phasenverschiebung auf.
  • Das Datenreferenzsignal dient insbesondere dazu, einen Speicherzugriff auf den Speicher zu steuern. Insbesondere wird durch das Datenreferenzsignal einer externen Funktionseinheit angezeigt, zu welchem Zeitpunkt auszulesende Daten an einem Datenanschluß anliegen. Das Datenreferenzsignal wird während eines Lesezugriffs zusammen mit auszugebenden Datensignalen vom Speicher nach extern übertragen und dient als Referenzsignal der auszulesenden Daten. Beim erfindungsgemäßen Speicher sind die Verarbeitungszeiten des Datenreferenzsignals, das aus dem Eingangstakt abgeleitet ist (sogenannter Clock Tree), und die Verarbeitungszeit der auszugebenden Ausgangsdaten miteinander synchronisiert.
  • In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Speicherchips weist dieser mehrere externe Datenanschlüsse auf, die in wenigstens zwei Gruppen unterteilt sind. Jede der Gruppen ist einem von wenigstens zwei Anschlüssen für jeweils ein Datenreferenzsignal zugeordnet, so daß für Daten an den externen Datenanschlüssen einer der Gruppen das zugeordnete Datenreferenzsignal als Referenz verwendet ist. Damit ist ein sogenannter Echo Clock für jede Gruppe von Datenanschlüssen vorgesehen, so daß gewährleistet werden kann, daß eine Zeitverschiebung zwischen dem Echo-Clock-Signal und den Ausgangsdaten des DRAM-Speichers minimal ist. Die entsprechenden Verarbeitungszeiten sind für einzelne Gruppen von Datenanschlüssen leichter mit dem aus dem Eingangstakt generierten Datenreferenzsignal zu synchronisieren.
  • In einer Weiterbildung der Erfindung weist der dynamische Speicher ein Speicherzellenfeld mit Bitleitungen und Wortleitungen auf, außerdem weist der Speicherchip einen externen Taktanschluß auf zum Empfang eines Eingangstakts. Die Steuerschaltung ist derart ausgebildet, daß für einen Speicherzugriff mehrere auszuführende Einzelaktionen von der Aktivierung einer der Wortleitungen bis zur Vorladung der Wortleitungen synchronisiert mit dem Eingangstakt gesteuert werden.
  • Dadurch ist es insbesondere ermöglicht, die Durchführung eines Speicherzugriffs mit einem Taktsignal, das beispielsweise von einer mit dem Speicher kommunizierenden synchronen Schaltung zur Verfügung gestellt wird, so zu steuern, daß zwischen der synchronen Schaltung und dem dynamischen Speicher ein hoher Datendurchsatz ermöglicht ist. Da die für einen Speicherzugriff auszuführenden Einzelaktionen von der Aktivierung einer der Wortleitungen bis zur Vorladung der Wortleitungen synchronisiert mit dem Taktsignal gesteuert werden, können sogenannte Wait States vermieden werden. Das heißt, die synchrone Schaltung muß nicht unnötig lange auf die verarbeiteten Daten des dynamischen Speichers zur Weiterverarbeitung warten, da der Speicherzugriff mit dem Taktsignal synchronisiert ist.
  • Weitere vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der Erfindung sind in Unteransprüchen angegeben.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand der in Zeichnung dargestellten Figuren, die Ausführungsbeispiele der Erfindung darstellen, näher erläutert. Es zeigen
  • 1 eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen intgrierten Speicherchips,
  • 2 eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Speicherchips.
  • 1 zeigt einen Speicherchip 1, der mehrere externe Anschlüsse 11 bis 14 aufweist. Diese sind mit einem Mikroprozessor 4 verbunden. Über einen Steueranschluß 11 werden ein Taktsignal CK und ein Zugriffsbefehl R/W vom Mikroprozessor 4 zum Speicherchip 1 übertragen. Der Anschluß 14 dient zur Übertragung von Adreßsignalen ADR, der Anschluß 13 zur Übertragung eines Datenreferenzsignals DQS vom Speicherchip 1 zum Mikroprozessor 4 und der Anschluß 12 zum Austausch von Datensignalen DQ. Die Anschlüsse 11 bis 14 sind mit Anschlüssen 31 bis 34 der Steuerschaltung 3 verbunden.
  • Der Speicherchip 1 weist einen dynamischen Speicher 2 auf, der mehrere Speicherbänke B0 bis B7 aufweist. In jedem der Speicherbänke B0 bis B7 ist ein Speicherzellenfeld in matrixförmiger Anordnung enthalten, das Wortleitungen WL und Bitleitungen BL aufweist. In Kreuzungspunkten der Wortleitungen WL mit den Bitleitungen BL sind Speicherzellen MC angeordnet, die in üblicher DRAM-Anordnung einen Auswahltransistor und einen Speicherkondensator aufweisen.
  • Eine Steuerschaltung 3 dient zur Steuerung eines Speicherzugriffs auf den dynamischen Speicher 2. Dabei dienen Anschlüsse 35 bis 40 zur Übertragung eines Aktivierungssignals ACT, eines Lesebefehls RD oder eines Schreibbefehls WR, eines Vorladebefehls PR sowie zur Übertragung von Spaltenadressen CADR, von Reihenadressen RADR und eines Datenreferenzsignals DQS.
  • Für einen Speicherzugriff auf den dynamischen Speicher 2 wird vom Mikroprozessor 4 neben einem Taktsignal CK nur der Zugriffsbefehl R/W übertragen. Zeitgleich wird die Adresse ADR der anzusprechenden Speicherzelle MC übertragen. Aus dieser Information werden chipintern mittels der Steuerschaltung 3 für einen Speicherzugriff mehrere DRAM-tyische Einzelaktionen von der Aktivierung einer der Wortleitungen WL bis zur Vorladung der Wortleitungen WL ausgeführt. Der Beginn jeder Einzelaktion wird vorteilhaft synchronisiert mit dem Eingangstakt CK gesteuert. Da für einen Speicherzugriff nur mehr ein Zugriffsbefehl R/W notwendig ist, wird ein Daten- und Steuerungsbus nicht durch DRAM-typische Zugriffskommandos belastet.
  • Eine hohe Auslastung eines Daten- und Steuerungsbusses zwischen dem Speicherchip 1 und dem Mikroprozessor 4 wird insbesondere dadurch erreicht, wenn nacheinander mehrere Speicherzugriffe auf jeweils unterschiedliche Speicherbänke B0 bis B7 ausgeführt werden. Nachdem der Speicherzugriff auf die letzte der Speicherbänke ausgelöst wurde, kann als nächstes ein auszulesendes Datum DQ der als erstes angesprochenen Speicherbank ausgelesen werden. Bei einem derartigen sogenannten Multi-Bank-System ist daher eine optimale Nutzung eines Datenbusses ermöglicht.
  • In 2 ist eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Speicherchips 10 mit einer Steuerschaltung 30 und einem dynamischen Speicher 20 dargestellt. Im Unterschied zum Speicherchip 1 gemäß 1 weist der Speicherchip 10 mehrere in Gruppen unterteilte externe Datenanschlüsse für die Datensignale DQ1 bis DQ4 auf. Dabei sind die Anschlüsse für die Datensignale DQ1 und DQ2 zu einer Gruppe G2, die Anschlüsse für die Datensignale DQ3 und DQ4 zu einer Gruppe G1 zusammengefaßt. Die Gruppe von Datenanschlüssen G1 ist einem Anschluß für ein Datenreferenzsignal DQS2 zugeordnet, die Gruppe G2 ist dem Anschluß für das Datenreferenzsignal DQS1 zugeordnet.
  • Für die Daten DQ1 und DQ2 wird somit das Datenreferenzsignal DQS1 als Referenz verwendet, für die Daten DQ3 und DQ4 entsprechend das Datenreferenzsignal DQS2.
  • Die Datenreferenzsignale DQS1 und DQS2 sind mit den jeweils zugeordneten Datensignalen DQ1 bis DQ4 synchronisiert, wobei die Datenreferenzsignale aus dem Eingangstakt CK ohne Zwischenschaltung einer DLL-Schaltung abgeleitet sind. Die erfindungsgemäße unterteilte Anordnung hat den Vorteil, daß die Signallaufzeit des sogenannten Clock Trees zwischen dem Eingangstakt CK und dem jeweiligen Datenreferenzsignal DQS1, DQS2 mit den jeweiligen Verarbeitungszeiten der zugeordneten Datensignale DQ1 bis DQ4 besser synchronisiert werden kann, beispielsweise durch ein entsprechend abgestimmtes Layout der jeweiligen Verdrahtung und Funktionsgruppen der einander zugeordneten Signale.
  • 1, 10
    Speicherchip
    2, 20
    Speicher
    3, 30
    Steuerschaltung
    4
    Mikroprozessor
    31-40
    Anschluß
    11-14
    Anschluß
    BL
    Bitleitungen
    WL
    Wortleitungen
    MC
    Speicherzellen
    B0-B7
    Speicherbank
    CK
    Taktsignal
    R/W
    Zugriffsbefehl
    DQ
    Datensignal
    DQ1-DQ4
    Datensignal
    DQS
    Datenreferenzsignal
    DQS1, DQS2
    Datenreferenzsignal
    ADR
    Adreßsignal
    ACT
    Aktivierungssignal
    RD
    Lesebefehl
    WR
    Schreibbefehl
    PR
    Vorladebefehl
    CADR
    Spaltenadresse
    RADR
    Reihenadresse

Claims (4)

  1. Integrierter Speicherchip (1), der einen externen Steueranschluß (11) aufweist, umfassend – einen dynamischen Speicher (2), – eine Steuerschaltung (3) zur Steuerung eines Speicherzugriffs auf den dynamischen Speicher (2) mit einem Eingang (31), der mit dem externen Steueranschluß (11) verbunden ist, zum Empfang eines Zugriffsbefehls (R/W), der den Beginn eines Speicherzugriffs anzeigt, und mit einem Ausgang (35 bis 40), der mit dem dynamischen Speicher (2) verbunden ist, zur Ausgabe wenigstens eines aus dem Zugriffsbefehl generierten Aktivierungssignals (ACT), Lesebefehls (RD) oder Schreibbefehls (WR) und Vorladebefehls (PR), und – einen externen Adreßanschluß (14), der mit einem Adreßanschluß (34) der Steuerschaltung zum Empfang einer Adresse (ADR) für den Speicherzugriff verbunden ist, – wobei die Steuerschaltung (3) aus einer empfangenen Adresse (ADR) jeweils Spaltenadressen (CADR) und Reihenadressen (RADR) zum Zugriff auf Wortleitungen (WL) und Bitleitungen (BL) des dynamischen Speichers erzeugt.
  2. Integrierter Speicherchip nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß – der Speicherchip einen externen Taktanschluß (11) aufweist zum Empfang eines Eingangstakts (CK) für ein synchronisiertes Einlesen von Signalen (R/W, ADR) für den Betrieb des dynamischen Speichers, – der Speicherchip einen externen Anschluß (13) für ein Datenreferenzsignal (DQS) aufweist, das mit auszugebenden Ausgangsdaten (DQ) synchronisiert ist und das aus dem Eingangstakt (CK) abgeleitet ist und mit diesem nicht synchronisiert ist.
  3. Integrierter Speicherchip nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß – der Speicherchip (10) mehrere externe Datenanschlüsse aufweist, die in wenigstens zwei Gruppen (G1, G2) unterteilt sind, – jeder der Gruppen einer von wenigstens zwei Anschlüssen für jeweils ein Datenreferenzsignal (DQS1, DQS2) zugeordnet ist, so daß für Daten (DQ1 bis DQ4) an den externen Datenanschlüssen einer der Gruppen das zugeordnete Datenreferenzsignal (DQS1, DQS2) als Referenz verwendet ist.
  4. Integrierter Speicherchip nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß – der dynamische Speicher (2) ein Speicherzellenfeld (B0 bis B7) mit Bitleitungen (BL) und Wortleitungen (WL) aufweist, – der Speicherchip einen externen Taktanschluß (11) aufweist zum Empfang eines Eingangstakts (CK), – die Steuerschaltung (3) derart ausgebildet ist, daß für einen Speicherzugriff mehrere auszuführende Einzelaktionen von der Aktivierung einer der Wortleitungen (WL) bis zur Vorladung der Wortleitungen (WL) synchronisiert mit dem Eingangstakt (CK) gesteuert werden.
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