DE10101203A1 - Verfahren zum Erfassen und Klassifizieren von Kratzern, welche bei der Bearbeitung von Halbleiterwafern auftreten - Google Patents
Verfahren zum Erfassen und Klassifizieren von Kratzern, welche bei der Bearbeitung von Halbleiterwafern auftretenInfo
- Publication number
- DE10101203A1 DE10101203A1 DE10101203A DE10101203A DE10101203A1 DE 10101203 A1 DE10101203 A1 DE 10101203A1 DE 10101203 A DE10101203 A DE 10101203A DE 10101203 A DE10101203 A DE 10101203A DE 10101203 A1 DE10101203 A1 DE 10101203A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- standard deviation
- cells
- ratio
- wafer
- list
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Description
Zuordnen von Chips auf dem Wafer einer Anzahl von Zellen in der x- und y-Richtung und Definieren des Koordinatensystems auf Grundlage der Zellen und einer Anzahl von Chips. Der Schritt der Erzeugung einer Liste von Fehlerzellen kann die folgenden Schritte umfassen: Fehlerzellen einen Wert zuord nen, Erzeugen einer Liste von Fehlerzellen auf Grundlage der Zellen, denen der Wert zugeordnet ist und Erzeugen der Liste der Fehlerzellen entsprechend den Anordnungen im Koordinaten system. Der Schritt der Bestimmung einer Standardabweichung der Fehlerzellen bei einer Anzahl von unterschiedlichen Winkeln kann ferner die Schritte umfassen: Berechnung der Standardabweichung für die Anzahl von unterschiedlichen Winkeln von einer bestimmten Stelle aus, Bestimmen des Ver hältnisses einer niedrigsten Standardabweichung zu einer höchsten Standardabweichung der berechneten Standardabwei chungen, graphisches Auftragen des Verhältnisses der Stan dardabweichungen gegen die Gesamtzahl der Fehlerzellen, und Vergleichen eines aufgetragenen Punktes mit in einer Daten bank gespeicherten Punkten, um festzustellen, ob ein Kratzer vorhanden ist. Der Schritt des Berechnens einer Standardab weichung von Fehlerzellen bei einer Anzahl von verschiedenen Winkeln kann ferner die Schritte umfassen: Berechnen des Verhältnisses einer niedrigsten Standardabweichung zu einer höchsten Standardabweichung der berechneten Standardabwei chungen, und Vergleichen des Verhältnisses von Standardab weichungen und einer Anzahl von Fehlerzellen mit einem Be reich von Werten, um zu bestimmen, ob ein Kratzer auf dem Wafer existiert. Der Schritt des Vergleichens eines Verhält nisses von Standardabweichungen mit der Anzahl von Fehlerzel len, um die Anwesenheit eines Kratzers zu bestimmen, kann umfassen: Auftragen des Verhältnisses einer niedrigsten Standardabweichung zu einer höchsten Standardabweichung gegen die Anzahl von Fehlerzellen, Bestimmen einer Stellung in der Auftragung für das Verhältnis und die Anzahl der Fehlerzel len, und Vergleichen der Stellung mit anderen bekannten Stellungen aus früheren Tests von Wafern, um zu bestimmen, ob ein Kratzer existiert.
Aufwärts_abwärts = Bezeichnung der Stelle in y-Richtung
intern_x = Bezeichnung der Lage der Zelle in x- Richtung
Chipx = Lage des Chips auf dem Wafer, begin nend mit Null an der linken Spalte
Chipy = Lage des Chips auf dem Wafer, begin nend mit Null an der untersten Zeile
x = (intern_x + Chipx × 8)/(Nx max × 8)
y = (aufwärts_abwärts + Chipy × 2)/(Ny max × 2)
ynew = -x sinΦ + y cosΦ
Claims (18)
Definieren eines Koordinatensystems für den Wafer;
Erzeugen einer Liste von ausgefallenen oder Fehler zellen in dem Koordinatensystem, welche den Zellenfeh lern auf den Wafern entspricht;
Definieren einer Gesamtzahl von ausgefallenen Zellen auf dem Wafer;
Bestimmen einer Standardabweichung der Fehlerzellen bei einer Anzahl von unterschiedlichen Winkeln, bezogen auf die Liste von Fehlerzellen und die Gesamtzahl von Fehlerzellen; und
Vergleichen eines Verhältnisses von Standardabwei chungen mit der Anzahl von Fehlerzellen, um die Anwesen heit eines Kratzers zu bestimmen.
Zuordnen von Chips auf dem Wafer einer Anzahl von Zellen in x- und y-Richtung; und
Definieren des Koordinatensystems auf Grundlage der Zellen und einer Zahl von Chips.
Fehlerzellen einen Wert zuordnen;
Erzeugen der Liste von Fehlerzellen auf Grundlage der Zellen, denen der Wert zugeordnet ist; und
Erzeugen der Liste von Fehlerzellen entsprechend den Anordnungen im Koordinatensystem.
Berechnen der Standardabweichung für die Anzahl von unterschiedlichen Winkeln von einer gegebenen Stelle aus;
Bestimmen des Verhältnisses einer niedrigsten Stan dardabweichung zu einer höchsten Standardabweichung der berechneten Standardabweichungen;
graphisches Auftragen des Verhältnisses von Stan dardabweichungen gegen die Gesamtzahl der Fehlerzellen; und
Vergleichen eines aufgetragenen Punktes mit in einer Datenbank gespeicherten Punkten, um festzustellen, ob ein Kratzer vorhanden ist.
Drehen der Liste von Fehlerzellen um einen vom Be nutzer definierten Winkel;
Transformieren der Liste von Fehlerzellen durch Ko ordinatentransformation;
Berechnen der Standardabweichung bei jedem Winkel bezüglich der gegebenen Stelle; und
Erzeugen eines Plans von Standardabweichungen bei den verschiedenen Winkeln.
Berechnen des Verhältnisses einer niedrigsten Stan dardabweichung zu einer höchsten Standardabweichung aus einem Plan von Standardabweichungen; und
Vergleichen des Verhältnisses von Standardabweichun gen und der Anzahl von Fehlerzellen gegen einen Bereich von Werten, um zu bestimmen, ob ein Kratzer auf dem Wafer vorhanden ist.
Auftragen des Verhältnisses einer niedrigsten Stan dardabweichung und einer höchsten Standardabweichung gegen die Anzahl von Fehlerzellen;
Bestimmen einer Stellung in der Auftragung für das Verhältnis und die Anzahl von Fehlerzellen; und
Vergleichen der Stellung mit anderen bekannten Stel lungen aus früheren Tests von Wafern, um zu bestimmen, ob ein Kratzer existiert.
Definieren einer Gesamtzahl von Zellen einer vorde finierten Größe in einer x- und y-Richtung für Chips auf einem Wafer, Berechnen einer Gesamtzahl von Zellen auf dem Wafer und Entwickeln eines normalisierten Koordina tensystems, welches Werte zwischen Null und Eins für jede x- und y-Koordinate zuordnet;
Fehlerzellen einen Wert zuordnen, einen Plan einer Anordnung von Fehlerzellen im Koordinatensystem erzeugen;
Definieren einer Anzahl von Fehlerzellen mit dem zugeordneten Wert aus dem Plan von Fehlerzellen;
Berechnen einer Standardabweichung bei unterschied lichen Winkeln zu einer gegebenen Linie durch Drehen der Stellungen der Fehlerzellen um einen vom Benutzer definierten Winkel;
Transformieren einer Koordinatenliste durch Koordi natentransformation;
Erzeugen eines Plans von Standardabweichungen bei den unterschiedlichen Winkeln;
Bestimmen einer niedrigsten Standardabweichung und einer höchsten Standardabweichung vom Plan;
Berechnen eines Verhältnisses der niedrigsten Stan dardabweichung zur höchsten Standardabweichung für den Wafer aus dem Plan; und
Bestimmen der Anwesenheit eines Kratzers durch Ver gleichen des Verhältnisses und der Anzahl von Fehlerzel len gegen einen Bereich von Werten, die wahrscheinlich einen Kratzer auf dem Wafer bezeichnen.
Entwickeln eines Systems von Zellen, das Werte zwi schen Null und Eins jeder x- und y-Koordinate zuordnet durch Teilen des Wertes in der x- oder y-Richtung durch die Gesamtanzahl von Zellen in der gleichen x- oder y-Ebene der Zelle.
den Fehlerzellen den Wert 1 zuordnen.
Drehen durch Koordinatentransformation; und Bestimmen der Standardabweichung unter dem neuen Winkel von der gegebenen Linie aus.
Auftragen der Standardabweichung gegen den Transfor mationswinkel; und
Kennzeichnen der niedrigsten Standardabweichung und der höchsten Standardabweichung aus einer graphischen Darstellung der Standardabweichung gegen den Transforma tionswinkel.
Auftragen des Verhältnisses gegen die Anzahl von Fehlerzellen und Vergleichen der Aufzeichnung mit einer Datenbank von gespeicherten Punkten, welche den Kratzern auf einem Satz von früheren Wafern entsprechen.
Definieren eines Koordinatensystems für ein digital wiedergegebenes Bild;
Erzeugen einer Liste von Stellen auf einer Pixelkar te, die sich auf ein Objekt in dem Koordinatensystem bezieht;
Definieren einer Gesamtzahl von Pixels, die sich auf das Objekt beziehen;
Bestimmen einer Standardabweichung der Pixels, die sich auf das Objekt beziehen, unter einer Anzahl von verschiedenen Winkeln, bezogen auf die Liste von Pixel- stellen und die Gesamtzahl von auf das Objekt bezogenen Pixels; und
Vergleichen eines Verhältnisses von Standardabwei chungen zur Anzahl von auf das Objekt bezogenen Pixels, um die Anwesenheit des langgestreckten Musters zu be stimmen.
Berechnen der Standardabweichung für die Anzahl von verschiedenen Winkeln von einer gegebenen Stellung aus;
Bestimmen des Verhältnisses einer niedrigsten Stan dardabweichung zur einer höchsten Standardabweichung der berechneten Standardabweichungen;
graphisches Auftragen des Verhältnisses von Stan dardabweichungen gegen die Gesamtzahl von auf das Objekt bezogenen Pixels; und
Vergleichen eines graphisch dargestellten Punktes mit in einer Datenbank gespeicherten Punkten, um zu Bestimmen, ob das langgestreckte Muster existiert.
Drehen der Liste von Pixels um einen vom Benutzer definierten Winkel;
Transformieren der Liste von Pixels durch Koordina tentransformation;
Berechnen der Standardabweichung bei jedem Winkel bezüglich der gegebenen Stellung; und
Erzeugen eines Plans von Standardabweichungen bei den verschiedenen Winkeln.
Berechnen des Verhältnisses einer niedrigsten Stan dardabweichung zur einer höchsten Standardabweichung aus einer Auftragung von Standardabweichungen; und
Vergleichen des Verhältnisses von Standardabwei chungen und der Anzahl von auf das Objekt bezogenen Pixels gegen einen Bereich von Werten, um zu bestimmen, ob das langgestreckte Muster auf dem Wafer existiert.
Vergleichen des Verhältnisses von Standardabweichun gen mit der Anzahl von auf das Objekt bezogenen Pixels, um die Anwesenheit des Musters zu bestimmen, ferner aufweisend:
Auftragen des Verhältnisses einer niedrigsten Stan dardabweichung zu einer höchsten Standardabweichung gegen die Anzahl von auf das Objekt bezogenen Pixels;
Bestimmen einer Lage in der Auftragung für das Ver hältnis und die Anzahl von auf das Objekt bezogenen Pixels; und
Vergleichen der Lage mit anderen bekannten Lagen aus früheren Bildtests, um zu bestimmen, ob das langge streckte Muster existiert.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/481,770 US6493645B1 (en) | 2000-01-11 | 2000-01-11 | Method for detecting and classifying scratches occurring during wafer semiconductor processing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10101203A1 true DE10101203A1 (de) | 2001-09-13 |
Family
ID=23913324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10101203A Withdrawn DE10101203A1 (de) | 2000-01-11 | 2001-01-11 | Verfahren zum Erfassen und Klassifizieren von Kratzern, welche bei der Bearbeitung von Halbleiterwafern auftreten |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6493645B1 (de) |
DE (1) | DE10101203A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10260817B3 (de) * | 2002-12-23 | 2004-08-26 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Analyse von Kratzern auf Halbleiterwafern |
DE102005011237B3 (de) * | 2005-03-11 | 2006-08-03 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren zur Bestimmung von Defekten in Bildern |
EP2088419A2 (de) | 2008-02-07 | 2009-08-12 | Solarwatt Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Detektion von Defekten von mono- oder polykristalinen Siliziumscheiben |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6694208B1 (en) * | 2000-05-15 | 2004-02-17 | Promos Technologies, Inc. | Method for prioritizing failure modes to improve yield rate in manufacturing semiconductor devices |
CN1969370A (zh) * | 2004-04-28 | 2007-05-23 | 尼康股份有限公司 | 解析方法、曝光装置及曝光装置系统 |
KR100909474B1 (ko) * | 2005-08-10 | 2009-07-28 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 결함지수를 사용하여 국부성 불량 모드를 갖는결함성 반도체 웨이퍼의 검출 방법들 및 이에 사용되는장비들 |
TWI385742B (zh) * | 2008-10-01 | 2013-02-11 | Nupoint Technology Co Ltd | 刮傷樣式的偵測方法與電腦程式產品 |
US9442077B2 (en) | 2013-08-28 | 2016-09-13 | Kla-Tencor Corp. | Scratch filter for wafer inspection |
US11650250B2 (en) * | 2018-03-22 | 2023-05-16 | Optimal Plus Ltd. | Methods and systems for detecting defects on an electronic assembly |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0783170B1 (de) | 1996-01-04 | 2001-03-28 | Infineon Technologies AG | Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung und Bewertung eines räumlich diskreten Punktmusters |
JPH11243041A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 品質管理システムおよび記録媒体 |
US6240329B1 (en) * | 1998-11-09 | 2001-05-29 | Chin-Yang Sun | Method and apparatus for a semiconductor wafer inspection system using a knowledge-based system |
-
2000
- 2000-01-11 US US09/481,770 patent/US6493645B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-11 DE DE10101203A patent/DE10101203A1/de not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10260817B3 (de) * | 2002-12-23 | 2004-08-26 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Analyse von Kratzern auf Halbleiterwafern |
DE102005011237B3 (de) * | 2005-03-11 | 2006-08-03 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren zur Bestimmung von Defekten in Bildern |
US7657077B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-02-02 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Detecting defects by three-way die-to-die comparison with false majority determination |
EP2088419A2 (de) | 2008-02-07 | 2009-08-12 | Solarwatt Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Detektion von Defekten von mono- oder polykristalinen Siliziumscheiben |
DE102008008276A1 (de) | 2008-02-07 | 2009-08-27 | Solarwatt Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Detektion von Defekten von mono- oder polykristallinen Siliziumscheiben |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6493645B1 (en) | 2002-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10392705B4 (de) | Verfahren zur Musterprüfung | |
DE3937950C2 (de) | ||
DE4416801C2 (de) | Verfahren zur Mustererkennung | |
DE19521346C2 (de) | Bilduntersuchungs/-Erkennungsverfahren, darin verwendetes Verfahren zur Erzeugung von Referenzdaten und Vorrichtungen dafür | |
DE102011086195B4 (de) | Inspektionsverfahren | |
DE102010003376A1 (de) | Untersuchungsverfahren | |
DE10240877A1 (de) | Fehlerklassifikations-/Inspektions-System | |
DE112013000627T5 (de) | Segmentierung zur Waferinspektion | |
DE10101203A1 (de) | Verfahren zum Erfassen und Klassifizieren von Kratzern, welche bei der Bearbeitung von Halbleiterwafern auftreten | |
DE10221318A1 (de) | Verfahren zur Farbvariationskorrektur und Defekterkennung für Wafer | |
DE102018123717B4 (de) | Kalibriervorlage und Kalibrierverfahren zum geometrischen Kalibrieren einer Vielzahl von Kameras eines Kamera-Arrays | |
DE60026774T2 (de) | Defekterkennung mit Verwendung von Grauwertsignaturen | |
DE112005000513T5 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der Winkelstellung eines Objektes | |
EP3482348A1 (de) | Verfahren und einrichtung zur kategorisierung einer bruchfläche eines bauteils | |
DE10331593A1 (de) | Verfahren zur Defektsegmentierung in Strukturen auf Halbleitersubstraten | |
DE19632058C1 (de) | Optoelektronisch erfaßbares Identifizierungs- oder Zielelement sowie Verfahren zu seiner Erfassung | |
DE10058216C1 (de) | Verfahren zur Bestimmung eines Abstandes periodischer Strukturen | |
DE102020119243A1 (de) | Verfahren und System bzw. Vorrichtung zum Erkennen eines Objektes in einem elektronischen Bild | |
DE112020005230T5 (de) | Bildverarbeitungssystem, Einstellverfahren und -programm | |
DE19506328C2 (de) | Verfahren zur Erkennung der Position und Lage eines Objekts im dreidimensionalen Raum | |
DE10141423A1 (de) | Verfahren und Gerät zur Prüfung auf Musterfehler | |
DE10141422A1 (de) | Verfahren zur Prüfung auf Maskenfehler und Gerät zur Elektronenstrahlbelichtung | |
DE102023115096B4 (de) | Verfahren zur Prüfung von Tiefdruckzylindern und Tiefdruckplatten | |
DE10220512B4 (de) | Verfahren zum Vermessen und/oder Erkennen von Objekten, vorzugsweise von Werkzeugen und/oder Werkstücken einer Bearbeitungsmaschine | |
DE10066189B4 (de) | Verfahren zur Erkennung von Objekten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES RICHMOND LP, SANDSTON, VA., |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE WESTPHAL MUSSGNUG & PARTNER, DE Representative=s name: PATENTANWAELTE WESTPHAL MUSSGNUG & PARTNER, 78048 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: QIMONDA AG, DE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES RICHMOND LP, SANDSTON, VA., US Effective date: 20120127 Owner name: QIMONDA AG, DE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES RICHMOND LP, SANDSTON, US Effective date: 20120127 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: WESTPHAL, MUSSGNUG & PARTNER PATENTANWAELTE MI, DE Effective date: 20120127 Representative=s name: PATENTANWAELTE WESTPHAL MUSSGNUG & PARTNER, DE Effective date: 20120127 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140801 |