TWI385742B - 刮傷樣式的偵測方法與電腦程式產品 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種刮傷樣式(Scratch Pattern)的偵測方法與電腦程式產品,特別是有關於一種偵測辨識晶圓缺陷圖中之刮傷樣式的方法與電腦程式產品。
隨著來半導體與面板技術的快速發展,如何及時發現產品缺陷,以有效地控制製程變異及找出發生製程異常的原因,對其良率提升具有決定性的影響,其中產品的表面刮傷係最常見之一種缺陷樣式。一般,製程工程師係以人工的方式分析由機台檢測出來之產品缺陷圖上的缺陷點分佈樣式,來搜尋出產品的表面刮傷。然而,缺陷圖的樣式變異相當大,經常會造成人工判斷的誤差。加上,由於每位製程工程師的經驗及判斷標準都不同,因而增加誤判發生的可能性,影響製程變異偵測上的準確性及製程良率,而這也是目前半導體或面板廠商急欲解決的問題。此外,人工的方式分析來搜尋出產品的表面刮傷需耗費許多時間與人力,因而造成生產成本增加,且無法及時偵測到產品的表面刮傷,以快速地排除製程異常的問題,進而造成產品報廢。
因此,需要發展出一種刮傷樣式的偵測方法與電腦程
式產品,藉以有效地判斷出產品缺陷圖上所示之刮傷樣式。
本發明之一方面為提供一種刮傷樣式的偵測方法與電腦程式產品,藉以有效地判斷出產品缺陷圖上所示之刮傷樣式,來避免人工誤判的情形,並節省人力與時間。
根據本發明之一實施例,提供一種刮傷樣式的偵測方法。在此方法中,首先,獲得複數個平面資料點,用以顯示一產品之缺陷圖。接著,定義此些平面資料點中具有缺陷特徵的平面資料點為複數個偵測點。此時,定義複數個偵測方向,其中此些偵測方向係由一偵測起始點向外輻射出,每一個偵測方向與通過此偵測起始點之一水平線或一垂直線間的夾角係小於180度且大於0度。接著,依序以每一個偵測點為一刮傷線段起始點,進行一刮傷線段偵測步驟。在此刮傷線段偵測步驟中,首先進行第一線段掃描步驟,其係以刮傷線段起始點為偵測起始點;再由此偵測起始點依序沿著每一個偵測方向搜尋是否有第一偵測點存在,其中當有第一偵測點存在時,計算並記錄此偵測起始點與第一偵測點間之第一直線的斜率,並設定第一直線的斜率為一參考斜率。然後,以第一偵測點為偵測起始點,進行一第二線段掃描步驟,其係由此偵測起始點依序沿著每一個偵測方向搜尋是否有第二偵測點存在,其中當有第二偵測點存在時,計算並記錄此偵測起始點與第二偵測點間之一第二直線的斜率;再判斷第二直線的斜率是否位於參考斜率的一預設
誤差範圍內,並獲得一判斷結果,其中當判斷結果為是時,將刮傷線段起始點、第一偵測點與第二偵測點組成一可能刮傷線段。然後,以第二線段掃描步驟最新執行後所搜尋到之第二偵測點為偵測起始點,重複進行該第二線段掃描步驟,直至第二線段掃描步驟無法搜尋到偵測點為止。
在另一實施例中,在定義平面資料點中具有缺陷特徵的平面資料點為複數個偵測點後,定義由一偵測起始點向外輻射出之一半圓區,其中半圓區係以偵測起始點為圓心,及一預設距離閾值為半徑。然後,依序以每一該些偵測點為一刮傷線段起始點,進行一刮傷線段偵測步驟。在此刮傷線段偵測步驟中,首先進行一第一線段掃描步驟,其係以刮傷線段起始點為偵測起始點,搜尋半圓區中是否有至少一個第一偵測點存在,其中當有第一偵測點存在時,由偵測起始點向每一個第一偵測點形成至少一條第一射線;再選擇至少一條第一射線中具有最多之偵測點之一者為第一直線,並記錄第一直線的斜率。然後,以第一偵測點為偵測起始點,進行一第二線段掃描步驟,其係由偵測起始點搜尋半圓區中是否有至少一個第二偵測點存在,其中當有第二偵測點存在時,由偵測起始點向第二偵測點形成至少一條第二射線;再選擇至少一條第二射線中具有最多之偵測點之一者為一第二直線,並記錄第二直線的斜率;然後判斷第二直線的斜率是否位於參考斜率的一預設誤差範圍內,並獲得
一判斷結果,其中當判斷結果為是時,將刮傷線段起始點、第一偵測點與第二偵測點組成一可能刮傷線段。然後,以第二線段掃描步驟最新執行後所搜尋到之第二偵測點為偵測起始點,重複進行第二線段掃描步驟,直至第二線段掃描步驟無法搜尋到偵測點為止。。
因此,應用本發明之實施例,可有效地判斷出產品缺陷圖上所示之刮傷樣式,因而大幅地節省人力與時間,且可及時排除製程異常的問題,以避免造成產品報廢。
刮傷樣式通常都具有下列的特性:(1)連續性;(2)刮傷周圍沒有過多的雜訊;(3)刮傷是屬於弧線型,其各線段的斜率均在一特定的斜率範圍內;(4)刮傷必須具有一定的長度。本發明之實施例主要係根據上述之刮傷樣式的特性而發展出來。
本實施例對於每一偵測點(刮傷線段起始點),都必須以預先定義之複數個偵測方向去檢查是否有第一偵測點也在同一方向,如果有的話,則會將此兩點視為同一弧線上的兩點,並記錄此線段(第一直線)的斜率,緊接著以第一偵測點為起始點再去做各偵測方向上的掃描,若有發現第二偵測點的話,此時會依照第一直線B的斜率,去判定刮傷線段起始點、第一偵測點、第二偵測點三點是否位於相同的弧線上,若不在同一弧線的話則踢除第一直線,以第一偵測點與
第二偵測點間之第二直線作為下一個弧線的基底,以此類推至每個偵測點。
請參照第1A圖,其係繪示根據本發明之第一實施例之刮傷樣式的偵測方法的流程示意圖。在本實施例中,首先,獲得一組像素資料(步驟100),用以顯示一產品之缺陷圖,例如:晶圓缺陷圖或面板缺陷圖。本實施例係以晶圓缺陷圖為舉例說明,但本發明並不在此限。請參照第2A圖,其係繪示根據本發明之第一實施例之晶圓缺陷示意圖。如第2A圖所示,晶圓缺陷圖10係由複數個像素點所組成,其中點狀的像素點12代表具有缺陷特徵的像素點,其他未顯示出之像素點則代表正常之晶圓部分,而晶圓刮傷線段16則係分別由若干個連續的點狀的像素點12所組成。
接著,如第1A圖所示,將像素資料轉換成複數個平面資料點(步驟110),其中為方便計算起見,此些平面資料點可依像素資料的解析度與排列方式形成例如:一N×M陣列,但本發明並不在此限。接著,定義此些平面資料點中具有缺陷特徵的平面資料點為複數個偵測點(步驟120),其中此些偵測點可透過例如一色彩比對的步驟被定義出來。例如:原始之像素資料係以黃色代表有缺陷的像素點,步驟120則比對平面資料點所對應的顏色,來定義具黃色之平面資料點為具有缺陷特徵的偵測點。請參照第2B圖,其係繪示根據本發明之第一實施例之平面資料點的示意圖,其中在N×M陣列中,實心圓點
之格子交點係代表具有缺陷特徵的偵測點,而其他格子交點之像素點則代表正常之平面資料點。
請參照第1A圖、第2B圖和第3圖,第3圖係繪示根據本發明之第一實施例之偵測方向的示意圖。為搜尋連續之具有缺陷特徵的偵測點,本實施例須先進行步驟130,以定義複數個偵測方向。此些偵測方向係由一偵測起始點P向外輻射出,每一個偵測方向與通過此偵測起始點P之一水平線或一垂直線間的夾角係小於180度且大於0度,亦即本實施例不對與偵測起始點P之水平或垂直的方向進行搜尋。本實施例之偵測起始點P的偵測方向應配合後續之刮傷線段偵測步驟140的起始點的位置。例如:當刮傷線段偵測步驟140的起始點位於最左上角(第1列第1行)時,則偵測方向可向其下方側或右方側;當刮傷線段偵測步驟140的起始點位於最左下角(第1列第N行)時,則偵測方向可向其上方側或右方側;當刮傷線段偵測步驟140的起始點位於最右上角(第M列第1行)時,偵測方向可向其下方側或左方側;當刮傷線段偵測步驟140的起始點位於最右下角(第M列第N行)時,偵測方向可向其上方側或左方側。
以下以刮傷線段偵測步驟140的起始點位於最左上角(第1列第1行)的態樣來繼續說明本實施例。
如第2B圖和第3圖所示,本實施例較佳是由位於N×M陣列中第i列第j行位置的偵測起始點P向其下方側之7個偵測方向進行搜尋偵測點,其中此些偵測方向(如
第3圖中之射線所示)為:(1)由偵測起始點P至第i+2列第j+1行之點P1
的方向,其中1≦i≦N-2,1≦j≦M-1;(2)由偵測起始點P至第i+1列第j+1行之點P2
的方向,其中1≦i≦N-1,1≦j≦M-1;(3)由偵測起始點P至第i+1列第j+2行之點P3
的方向,其中1≦i≦N-1,1≦j≦M-2;(4)由偵測起始點P至第i列第j+1行之點P4
的方向,其中1≦i≦N,1≦j≦M-1;(5)由偵測起始點P至第i-1列第j+2行之點P5
的方向,其中2≦i≦N,1≦j≦M-2;(6)由偵測起始點P至第i-1列第j+1行之點P6
的方向,其中2≦i≦N,1≦j≦M-1;以及(7)由偵測起始點P至第i-2列第j+1行之點P7
的方向,其中3≦i≦N,1≦j≦M-1。
接著,由N×M陣列中第1列第1行開始依序以每一個偵測點為一刮傷線段起始點,進行刮傷線段偵測。如第2B圖所示,首先設定由N×M陣列中第1列第1行開始之第一個偵測點F1
為刮傷線段起始點(步驟132)。接著,進行刮傷線段偵測步驟140,以沿著如第3圖所示之每一個偵測方向,來偵測由刮傷線段起始點(偵測點F1
)延伸出之刮傷線段,至於刮傷線段偵測步驟140的詳細流程將於後說明。然後,檢查是否有不在刮傷線段上之下一個偵測點存在(步驟180),其中若步驟180的結果為「是」,則設定下一個偵測點為新的刮傷線段起始點(步驟190),然後進行刮傷線段偵測步驟140,以偵測由新的刮傷線段起始點延伸出之刮傷線段。以如第2B圖為例,由偵測點F1
至F6
,這些偵測點均未延伸出之刮傷線
段。直到由偵測點A開始進行刮傷線段偵測步驟140,才偵測到偵測點B、C、D和E會與偵測點A一起構成刮傷線段18。接著,以偵測點F7
為新的刮傷線段起始點,但未發現有刮傷線段延伸出來。接著,由於偵測點B、C、D和E係在刮傷線段上,故略過以偵測點B、C、D和E為刮傷線段起始點。接著,分別以偵測點F8
至F10
,為新的刮傷線段起始點來進行刮傷線段偵測步驟140。在偵測點F10
後,由於已無下一個偵測點存在,即步驟180的結果為「否」,因而完成整張晶圓缺陷圖之刮傷線段的偵測。
以下說明刮傷線段偵測步驟140的流程。
請參照第2B圖和第1B圖,第1B圖係繪示根據本發明之第一實施例之刮傷線段偵測步驟140的流程示意圖。在設定刮傷線段起始點(步驟132、190)後,進行第一線段掃描步驟150。在第一線段掃描步驟150中,先以刮傷線段起始點為偵測起始點(步驟152);再由此偵測起始點依序沿著每一個偵測方向(如第3圖所示)搜尋是否有第一偵測點存在(步驟154)。若無第一偵測點存在(即步驟154的結果為「否」,則代表此刮傷線段起始點(例如:偵測點F1
至F10
)並非任何刮傷線段的起始點。當有第一偵測點存在(例如:偵測點B)時(即步驟154的結果為「是」),計算並記錄此偵測起始點(例如:偵測點A)與第一偵測點間之第一直線18a的斜率,並設定第一直線18a的斜率為一參考斜率(步驟156),及設定具有一初
始值(例如:1分)之一偵測分數,如表一所示。
然後,以第一偵測點B為偵測起始點(步驟157),進行一第二線段掃描步驟160。在第二線段掃描步驟160中,首先判斷偵測分數是否大於一預設門檻值(例如:0;步驟161),若步驟161的結果為「是」,則以步驟156所設定之偵測起始點B依序沿著每一個偵測方向(如第3圖所示)搜尋是否有第二偵測點存在(步驟162)。偵測分數係用以容許具相似之參考斜率但不連續的第二偵測點為刮傷線段上之刮傷點,其詳細機制將於後說明。當有第二偵測點存在(例如:偵測點C)時(即步驟162的結果為「是」),計算並記錄偵測起始點B與第二偵測點C間之一第二直線18b的斜率(步驟164),如表二所示。
接著,進行步驟165,以判斷第二直線18b的斜率是否落入參考斜率(例如:-1)的一預設誤差範圍內(例如:-1±0.1%),並獲得一判斷結果。其中當判斷結果為是時,對偵測分數增加一第一預設值(例如:加1分;此時偵測分數為+2分),並認定此第二偵測點C為刮傷點,即刮傷線段起始點A、第一偵測點B與第二偵測點C可組成一可能刮傷線段18a+18b(步驟166)。然後,以第二線段掃描步驟160最新執行後所搜尋到之第二偵測點C為偵測起始點(步驟168),重複進行第二線段掃描步驟160,而獲得又一第二偵測點D、可能刮傷線段18a+18b+18c與+3之偵測分數,如表二所示。再以第二偵測點D為偵測起始點,重複進行第二線段掃描步驟160,而獲得又一第二偵測點E、可能刮傷線段18a+18b+18c+18d與+4之偵測分數,如表二所示。接著,再以第二偵測點E為偵測起始點,重複進行第二線段掃描步驟160,但其所獲得之又一第二偵測點G的斜率(例如:+1)並不落入參考斜率(例如:-1)的預設誤差範圍內(例如:-1±0.1%),即步驟165的判斷結果為「否」,此時,會將偵測分數減少一第二預設值(例如:扣2分至例如:+2分;步驟167)。然後,仍以第二偵測點G為偵測起始點(步驟168),重複進行第二線段掃描步驟160。若由第二偵測點G可偵測到落入參考斜率之預設誤差範圍
內的第二偵測點H,則第二偵測點H亦位於可能刮傷線段上,而獲得可能刮傷線段18a+18b+18c+18d+18e、偵測分數增為+3。若由第二偵測點H所偵測到之第二偵測點I不在參考斜率之預設誤差範圍內,則再對偵測分數扣2分為+1。若由偵測點I再偵測到之第二偵測點(未繪示)不在參考斜率之預設誤差範圍內,則再對偵測分數扣2分為-1,其中當偵測分數小於或等於一預設門檻值(步驟161的結果為「否」)時,進行可能刮傷線段後處理的步驟170;或若由偵測點I已無法偵測到任何第二偵測點(步驟162),則亦進行步驟170。
由以上說明可知,本實施例之偵測分數的機制可容許具相似之參考斜率但不連續的第二偵測點G、H為刮傷線段上之刮傷點,由於偵測點G與偵測點E的距離甚短,因此可能刮傷線段18e與18d應視為同一條可能刮傷線段。本偵測分數的機制之特點係在於當已搜尋到之可能刮傷線段愈長(即偵測分數愈高),則其可容許的不連續轉折愈多;反之則愈少。以上所述之每次加分與扣分的預設值,僅係用以舉例說明,故本實施例並不在此限。
請參照第1C圖和第4圖,第1C圖係繪示根據本發明之第一實施例之可能刮傷線段後處理步驟170的流程示意圖;第4圖係繪示根據本發明之第一實施例之雜訊區的示意圖。當可能刮傷線段決定之後,必須進行可能刮傷線段後處理步驟170。首先,判斷可能刮傷線段18
的長度是否大於一預設長度(步驟172),若步驟172的結果為「是」,則進行雜訊處理步驟174;否則認定可能刮傷線段並非一刮傷線段(步驟178)。在雜訊處理步驟174中,先定義一預設雜訊區於可能刮傷線段的周圍(步驟175)。接著,檢查預設雜訊區中之偵測點的數目是否小於構成可能刮傷線段之偵測點的數目(步驟176),並獲得一檢查結果,其中當檢查結果為「否」時,則認定可能刮傷線段並非一刮傷線段(步驟178),即雜訊點太多;當檢查結果為「是」時,則可認定可能刮傷線段為一刮傷線段。如第4圖所示,預設雜訊區30中之偵測點F7
、F8
的數目為2,小於構成可能刮傷線段18之偵測點A、B、C、D、E、G、H的數目(7個),其檢查結果為「是」,故可能刮傷線段18為一刮傷線段。
承繼第一實施例對於刮傷特性上的考量,本實施例同時容許下列的情況發生:(1)刮傷附近周圍容許有雜訊,即多加入一個預設雜訊容許區:(2)刮傷是屬於弧線型(特定形狀性質),點與點之間可以容許一個距離,一旦超過此距離則視為不連續。
請參照第5A圖,其係繪示根據本發明之第二實施例之辨識晶圓圖樣之方法的流程示意圖。除定義一半圓區的步驟230,及以半圓區來進行之刮傷線段偵測步驟240外,第二實施例的其他步驟與流程均與第一實施例相同,故不在此贅述。其中第一實施例係以如第3圖所
示之偵測方向來進行刮傷線段偵測步驟140。請參照第6A圖,其係繪示根據本發明之第二實施例之偵測用半圓區的示意圖。在步驟230中,定義由一偵測起始點S向外輻射出之一半圓區40,其中該半圓區40係以偵測起始點q為圓心,及預設距離閾值R1為半徑。半圓區40並不包含通過偵測起始點q之一水平線或一垂直線,即第二實施例僅針對偵測起始點S之下方側進行搜尋偵測點。如第二實施例所述,根據刮傷線段偵測步驟240的起始點係由N×M陣列中之最右上角、最右下角、最左上角或最左下角開始,可設定半圓區於偵測起始點q的下方側、上方側、左方側或右方側。如第6A圖,第二實施例係搜尋半圓區40中是否有至少一個偵測點q1
、q2
、q3
和q4
存在,然後由偵測起始點q分別向偵測點q1
、q2
、q3
和q4
形成射線41、42、43和44,若射線41、42、43和44之相鄰二者的夾角小於一預設夾角(例如:5度),則此相鄰二射線可被視為同一條射線。例如:射線41、42的夾角t1小於5度,則射線41、42可被視為同一條射線。然後,選擇射線41、42、43和44中具有最多之偵測點之一者(射線42)為組成可能刮傷線段的直線(以下稱為第一直線、第二直線),請參照第5B圖和第6B圖,第5B圖係繪示根據本發明之第二實施例之刮傷線段偵測步驟240的流程示意圖;第6B圖係繪示根據本發明之第二實施例之平面資料點的示意圖。除使用不同的偵測方向與機制外,第二實
施例之刮傷線段偵測步驟240大致上係與第一實施例之刮傷線段偵測步驟140相同,以下僅說明二者有差異的步驟。
如第5B圖和第6B圖所示,在設定刮傷線段起始點(步驟132、190)後,進行第一線段掃描步驟250。在第一線段掃描步驟250中,先以刮傷線段起始點S1
為偵測起始點(步驟252);再由此偵測起始點S1
搜尋半圓區46a中是否有第一偵測點存在(步驟254)。當有第一偵測點存在(例如:偵測點S2
、S5
)時(即步驟254的結果為「是」),由偵測起始點S1
向第一偵測點S2
形成第一射線28a、28d(步驟256)。接著,選擇第一射線28a、28d中具有最多之偵測點之一者(第一射線28a)為一第一直線(步驟258)。接著,並記錄該第一直線的斜率,且設定一參考斜率為第一直線的斜率(步驟156)。
然後,以第一直線28a離刮傷線段起始點S1
最遠之偵測點S2
,即最靠近半圓區46a之偵測點,為偵測起始點(步驟257)來進行一第二線段掃描步驟260。在第二線段掃描步驟260中,由偵測起始點S2
搜尋半圓區46b中是否有至少一個第二偵測點存在(步驟262)。當第二偵測點S3
存在時,由偵測起始點S2
向第二偵測點S3
形成第二射線28b(步驟264)。接著,選擇第二射線中具有最多之偵測點之一者為第二直線(步驟266),並記錄第二直線的斜率(步驟164)。後續之步驟與第一實施例相同,故不再贅述。然後,以第二線段掃描步驟最新執行後所搜尋
到之第二直線上距半圓區46b最近之偵測點第一實施例為偵測起始點,重複進行第二線段掃描步驟260,直至第二線段掃描步驟無法搜尋到偵測點為止。本實施例亦具有與第一實施例相同的加扣分機制,因而可容許具相似之參考斜率但不連續的第二偵測點S4
、S5
為刮傷線段上之刮傷點。
請參照第5C圖和第7圖,第5C圖係繪示根據本發明之第二實施例之可能刮傷線段後處理步驟270的流程示意圖;第7圖係繪示根據本發明之第二實施例之雜訊區的示意圖。當可能刮傷線段決定之後,必須進行可能刮傷線段後處理步驟270。首先,判斷可能刮傷線段18的長度是否大於一預設長度(步驟172),若步驟172的結果為「是」,則進行雜訊處理步驟274;否則認定可能刮傷線段並非一刮傷線段(步驟178)。在雜訊處理步驟274中,先定義定義一預設雜訊容許區32於可能刮傷線段的周圍(步驟275),並將預設雜訊容許區32內之偵測點加入至可能刮傷線段,而使可能刮傷線段變粗,即將預設雜訊容許區32內的偵測點S6
、S7
皆視為可能刮傷線段的一部分。然後,定義一預設雜訊區34於預設雜訊容許區32的周圍(步驟276)。接著,檢查預設雜訊容許區32與預設雜訊區34間之偵測點S8
至S11
的數目是否小於構成可能刮傷線段48之偵測點S、S1
至S7
的數目(步驟277),並獲得一檢查結果。當檢查結果為是時,則認定可能刮傷線段48為一刮傷線段;當檢查結果為否時,則
認定可能刮傷線段48並非刮傷線段。
本發明之刮傷樣式的偵測方法可使用例如電腦程式產品的型式來實施,當電腦載入此電腦程式產品並執行後,即可完成上述之刮傷樣式的偵測方法。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧晶圓缺陷圖
12‧‧‧點狀的像素點
16‧‧‧晶圓刮傷線段
18、18a、18b、18c、18d、18e‧‧‧刮傷線段
30、34‧‧‧預設雜訊區
32‧‧‧預設雜訊容許區
40‧‧‧半圓區
46a、46b‧‧‧半圓區
100‧‧‧獲得一組像素資料
110‧‧‧將像素資料轉換成複數個平面資料點
120‧‧‧定義複數個偵測點
130‧‧‧定義複數個偵測方向
132‧‧‧設定刮傷線段起始點
140‧‧‧刮傷線段偵測步驟
150‧‧‧第一線段掃描步驟
152‧‧‧以刮傷線段起始點為偵測起始點
154‧‧‧是否有第一偵測點?
156‧‧‧計算並記錄第一直線的斜率並設參考斜率
157‧‧‧以第一偵測點為偵測起始點
160‧‧‧第二線段掃描步驟
161‧‧‧偵測分數>預設門檻值?
162‧‧‧是否有第二偵測點?
164‧‧‧計算並記錄第二直線的斜率
165‧‧‧第二直線的斜率是否落入預設誤差範圍內?
166‧‧‧對偵測分數加分並認定第二偵測點為刮傷點
167‧‧‧對偵測分數減分
168‧‧‧以第二偵測點為偵測起始點
170‧‧‧可能刮傷線段後處理
172‧‧‧可能刮傷線段的長度>預設長度
174‧‧‧雜訊處理
175‧‧‧定義預設雜訊區
176‧‧‧預設雜訊區中偵測點數目<可能刮傷線段偵測點
數目
178‧‧‧認定可能刮傷線段並非刮傷線段
179‧‧‧認定可能刮傷線段為刮傷線段
180‧‧‧檢查是否有不在刮傷線段上之下一個偵測點?
190‧‧‧設定新的刮傷線段起始點
230‧‧‧定義半圓區
240‧‧‧刮傷線段偵測步驟
250‧‧‧第一線段掃描步驟
252‧‧‧以刮傷線段起始點為偵測起始點
254‧‧‧否有第一偵測點?
256‧‧‧形成第一射線
257‧‧‧設定偵測起始點
258‧‧‧選擇第一直線
260‧‧‧第二線段掃描步驟
262‧‧‧是否有第二偵測點?
264‧‧‧形成第二射線
266‧‧‧選擇第二直線
268‧‧‧設定偵測起始點
270‧‧‧可能刮傷線段後處理
274‧‧‧雜訊處理
275‧‧‧定義預設雜訊容許區
276‧‧‧定義預設雜訊區
277‧‧‧預設雜訊區與預設雜訊容許區間偵測點數目<可
能刮傷線段偵測點數目
A、B、C、D、E、F、G‧‧‧偵測點
F1
至F10
‧‧‧偵測點
P、P1
至P7
‧‧‧偵測點
q1
、q2
、q3
、q4
‧‧‧偵測點
S、S1
至S11
‧‧‧偵測點
t1‧‧‧夾角
為了更完整了解本發明及其優點,請參照上述敘述並配合下列之圖式,其中:第1A圖係繪示根據本發明之第一實施例之刮傷樣式的偵測方法的流程示意圖。
第1B圖係繪示根據本發明之第一實施例之刮傷線段偵測步驟的流程示意圖。
第1C圖係繪示根據本發明之第一實施例之可能刮傷線段後處理步驟的流程示意圖。
第2A圖係繪示根據本發明之第一實施例之晶圓缺陷示意圖。
第2B圖,其係繪示根據本發明之第一實施例之平面資料點的示意圖。
第3圖係繪示根據本發明之第一實施例之偵測方向的示意圖。
第4圖係繪示根據本發明之第一實施例之雜訊區的示意圖。
第5A圖係繪示根據本發明之第二實施例之辨識晶圓圖樣之方法的流程示意圖。
第5B圖係繪示根據本發明之第二實施例之刮傷線段偵測步驟的流程示意圖。
第5C圖係繪示根據本發明之第二實施例之可能刮傷線段後處理步驟的流程示意圖。
第6A圖係繪示根據本發明之第二實施例之偵測用
半圓區的示意圖。
第6B圖係繪示根據本發明之第二實施例之平面資料點的示意圖。
第7圖係繪示根據本發明之第二實施例之雜訊區的示意圖。
100‧‧‧獲得一組像素資料
110‧‧‧將像素資料轉換成複數個平面資料點
120‧‧‧定義複數個偵測點
130‧‧‧定義複數個偵測方向
132‧‧‧設定刮傷線段起始點
140‧‧‧刮傷線段偵測步驟
180‧‧‧檢查是否有不在刮傷線段上之下一個偵測點?
190‧‧‧設定新的刮傷線段起始點
Claims (19)
- 一種刮傷樣式的偵測方法,至少包括:獲得複數個平面資料點,用以顯示一產品之缺陷圖;定義該些平面資料點中具有缺陷特徵的平面資料點為複數個偵測點;定義複數個偵測方向,其中該些偵測方向係由一偵測起始點向外輻射出,每一該些偵測方向與通過該偵測起始點之一水平線或一垂直線間的夾角係小於180度且大於0度;依序以每一該些偵測點為一刮傷線段起始點,進行一刮傷線段偵測步驟,其中該刮傷線段偵測步驟至少包括:進行一第一線段掃描步驟,至少包括:以該刮傷線段起始點為該偵測起始點;以由該偵測起始點依序沿著每一該些偵測方向搜尋是否有該些偵測點之一第一偵測點存在;當該第一偵測點存在時,計算並記錄該偵測起始點與該第一偵測點間之一第一直線的斜率,並設定一參考斜率為該第一直線的斜率;以及以該第一偵測點為該偵測起始點,進行一第二線段掃描步驟,其中該第二線段掃描步驟至少包括: 由該偵測起始點依序沿著每一該些偵測方向搜尋是否有該些偵測點之一第二偵測點存在,其中當該第二偵測點存在時,計算並記錄該偵測起始點與該第二偵測點間之一第二直線的斜率;以及判斷該第二直線的斜率是否位於該參考斜率的一預設誤差範圍內,並獲得一判斷結果,其中當該判斷結果為是時,將該刮傷線段起始點、該第一偵測點與該第二偵測點組成一可能刮傷線段;以該第二線段掃描步驟最新執行後所搜尋到之第二偵測點為該偵測起始點,重複進行該第二線段掃描步驟,直至該第二線段掃描步驟無法搜尋到偵測點為止;當該可能刮傷線段的長度大於一預設長度時,該可能刮傷線段為一刮傷線段;以及當輪到以構成該刮傷線段之偵測點為該刮傷線段起始點時,略過該刮傷線段偵測步驟的進行。
- 如申請專利範圍第1項所述之刮傷樣式的偵測方法,其中該些平面資料點係排列成一N×M陣列,而該刮傷線段偵測步驟係由該N×M陣列中第1列第1行開始。
- 如申請專利範圍第2項所述之刮傷樣式的偵測方 法,其中該偵測起始點係位該N×M陣列中第i列第j行的位置,該些偵測方向至少包括:由該偵測起始點至該N×M陣列中第i+2列第j+1行的方向,其中1≦i≦N-2,1≦j≦M-1;由該偵測起始點至該N×M陣列中第i+1列第j+1行之點的方向,其中1≦i≦N-1,1≦j≦M-1;由該偵測起始點至該N×M陣列中第i+1列第j+2行之點的方向,其中1≦i≦N-1,1≦j≦M-2;由該偵測起始點至該N×M陣列中第i列第j+1行之點的方向,其中1≦i≦N,1≦j≦M-1;由該偵測起始點至該N×M陣列中第i-1列第j+2行之點的方向,其中2≦i≦N,1≦j≦M-2;由該偵測起始點至該N×M陣列中第i-1列第j+1行之點的方向,其中2≦i≦N,1≦j≦M-1;以及由該偵測起始點至該N×M陣列中第i-2列第j+1行之點的方向,其中3≦i≦N,1≦j≦M-1。
- 如申請專利範圍第1項所述之刮傷樣式的偵測方法,其中該些平面資料點係由一組像素資料轉換而成,而該些偵測點係透過一色彩比對步驟而定義出來。
- 如申請專利範圍第1項所述之刮傷樣式的偵測方法,更至少包括:定義一預設雜訊區於該刮傷線段的周圍,其中該預 設雜訊區中之偵測點的數目小於構成該刮傷線段之偵測點的數目。
- 如申請專利範圍第1項所述之刮傷樣式的偵測方法,其中該些偵測方向係由該偵測起始點向一半圓弧內之偵測點所發射之複數個射線,該半圓弧係以該偵測起始點為圓心,及一預設距離閾值為半徑。
- 如申請專利範圍第1項所述之刮傷樣式的偵測方法,更至少包括:當該第一偵測點存在時,設定具有一初始值之一偵測分數;當該判斷結果為是時,對該偵測分數增加一第一預設值,而當該判斷結果為否時,將該偵測分數減少一第二預設值;當該偵測分數小於或等於一預設門檻值時,停止進行該第二線段掃描步驟。
- 如申請專利範圍第1項所述之刮傷樣式的偵測方法,其中該產品之缺陷圖為一晶圓缺陷圖。
- 一種刮傷樣式的偵測方法,至少包括:獲得複數個平面資料點,用以顯示一產品之缺陷圖;定義該些平面資料點中具有缺陷特徵的平面資料點 為複數個偵測點;定義由一偵測起始點向外輻射出之一半圓區,其中該半圓區係以該偵測起始點為圓心,及一預設距離閾值為半徑;依序以每一該些偵測點為一刮傷線段起始點,進行一刮傷線段偵測步驟,其中該刮傷線段偵測步驟至少包括:進行一第一線段掃描步驟,至少包括:以該刮傷線段起始點為該偵測起始點,搜尋該半圓區中是否有該些偵測點之至少一第一偵測點存在;當該第一偵測點存在時,由該偵測起始點向該至少一第一偵測點形成至少一第一射線,並設定具有一初始值之一偵測分數;選擇該至少一第一射線中具有最多之偵測點之一者為一第一直線,並記錄該第一直線的斜率,且設定一參考斜率為該第一直線的斜率;以及以該第一直線離該刮傷線段起始點最遠之偵測點為該偵測起始點,進行一第二線段掃描步驟,其中該第二線段掃描步驟至少包括:由該偵測起始點搜尋該半圓區中是否有該些偵測點之至少一第二偵測點存在;當該第二偵測點存在時,由該偵測起始點 向該至少一第二偵測點形成至少一第二射線;選擇該至少一第二射線中具有最多之偵測點之一者為一第二直線,並記錄該第二直線的斜率;以及判斷該第二直線的斜率是否位於該參考斜率的一預設誤差範圍內,並獲得一判斷結果,其中當該判斷結果為是時,將該刮傷線段起始點、該第一偵測點與該第二偵測點組成一可能刮傷線段,並對該偵測分數增加一第一預設值,而當該判斷結果為否時,將該偵測分數減少一第二預設值;以及以該第二線段掃描步驟最新執行後所搜尋到之第二直線上距該半圓區最近之偵測點為該偵測起始點,重複進行該第二線段掃描步驟,直至該第二線段掃描步驟無法搜尋到偵測點或該偵測分數小於或等於一預設門檻值為止。
- 如申請專利範圍第9項所述之刮傷樣式的偵測方法,其中該些平面資料點係排列成一N×M陣列,而該刮傷線段偵測步驟係由該N×M陣列中第1列第1行開始。
- 如申請專利範圍第9項所述之刮傷樣式的偵測方法,其中該些平面資料點係由一組像素資料轉換而成,而該些偵測點係透過一色彩比對步驟而定義出來。
- 如申請專利範圍第9項所述之刮傷樣式的偵測方法,更至少包括:當該可能刮傷線段的長度大於一預設長度時,該可能刮傷線段為一刮傷線段。
- 如申請專利範圍第9項所述之刮傷樣式的偵測方法,更至少包括:定義一預設雜訊容許區於該可能刮傷線段的周圍;將該預設雜訊容許區內之偵測點加入至該可能刮傷線段,而使該可能刮傷線段變粗。
- 如申請專利範圍第13項所述之刮傷樣式的偵測方法,更至少包括:定義一預設雜訊區於該預設雜訊容許區的周圍;檢查該預設雜訊容許區與該預設雜訊區間之偵測點的數目是否小於構成該可能刮傷線段之偵測點的數目,並獲得一檢查結果;以及當該檢查結果為是時,則認定該可能刮傷線段為一刮傷線段;當該檢查結果為否時,則認定該可能刮傷線段並非刮傷線段。
- 如申請專利範圍第12、13或14項所述之刮傷樣式的偵測方法,更至少包括: 當輪到以構成該刮傷線段之偵測點為該刮傷線段起始點時,略過該刮傷線段偵測步驟的進行。
- 如申請專利範圍第9項所述之刮傷樣式的偵測方法,其中該半圓區不包含通過該偵測起始點之一水平線或一垂直線。
- 如申請專利範圍第9項所述之刮傷樣式的偵測方法,其中該產品之缺陷圖為一晶圓缺陷圖。
- 如申請專利範圍第9項所述之刮傷樣式的偵測方法,其中當該至少一第一射線為複數個第一射線時,若該些第一射線之相鄰二者的夾角小於一預設夾角,則該些第一射線之該相鄰二者被視為同一條第一射線;當該至少一第二射線為複數個第二射線時,若該些第二射線之相鄰二者的夾角小於該預設夾角,則該些第二射線之該相鄰二者被視為同一條第二射線。
- 一種電腦程式產品,當電腦載入此電腦程式產品並執行後,可完成如申請專利範圍第1至18項中任一項所述之之刮傷樣式的偵測方法。
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---|---|---|---|
TW97137754A TWI385742B (zh) | 2008-10-01 | 2008-10-01 | 刮傷樣式的偵測方法與電腦程式產品 |
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TW201015650A TW201015650A (en) | 2010-04-16 |
TWI385742B true TWI385742B (zh) | 2013-02-11 |
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TW97137754A TWI385742B (zh) | 2008-10-01 | 2008-10-01 | 刮傷樣式的偵測方法與電腦程式產品 |
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TW (1) | TWI385742B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5913105A (en) * | 1995-11-29 | 1999-06-15 | Advanced Micro Devices Inc | Method and system for recognizing scratch patterns on semiconductor wafers |
US6493645B1 (en) * | 2000-01-11 | 2002-12-10 | Infineon Technologies North America Corp | Method for detecting and classifying scratches occurring during wafer semiconductor processing |
US20040064269A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for analyzing defect data and a review system |
-
2008
- 2008-10-01 TW TW97137754A patent/TWI385742B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
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