DE10065026A1 - Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren - Google Patents

Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren

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Abstract

Die Erfindung schafft ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat (1); einer oberhalb des Substrats (1) vorgesehenen einkristallinen Schicht (10), welche einen Membranbereich (10a) aufweist; einem unterhalb des Membranbereichs (10a) vorgesehenen Hohlraum (50); und einem oder mehreren innerhalb der einkristallinen Schicht (10) vorgesehenen porösen Bereichen (150; 150') im Vergleich zur umgebenden Schicht (10) erhöhter Dotierung (n·+·; p·+·).

Description

STAND DER TECHNIK
Die vorliegende Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauelement sowie ein entsprechendes Herstellungsverfahren.
Membranen werden meist in Bulk- oder in Oberflächenmikrome­ chanik hergestellt. Bulkmikromechanische Ausführungen haben den Nachteil, dass sie relativ aufwendig herzustellen und damit teuer sind. Oberflächenmikromechanische Varianten ha­ ben den Nachteil, dass im Allgemeinen keine einkristallinen Membranen herstellbar sind.
Einkristalline Membranen sind von Vorteil, da die mechani­ schen Eigenschäften definierter sind als bei polykristalli­ nen Membranen. Außerdem können in einkristallinen Membranen piezoresistive Widerstände mit einer deutlich besseren Langzeitstabilität und höheren Piezokoeffizienten vergli­ chen mit piezoresistiven Widerständen in polykristallinen Membranen hergestellt werden.
VORTEILE DER ERFINDUNG
Das erfindungsgemäße mikromechanische Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und das entsprechende Herstel­ lungsverfahren nach Anspruch 7 weisen den Vorteil auf, daß sie eine einfache und kostengünstige Herstellung einer Ka­ verne mit einer darüberliegenden einkristallinen Membran in Oberflächenmikromechanik ermöglichen. Die einkristalline Membran kann beispielsweise für Drucksensoren eingesetzt werden.
Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee be­ steht darin, daß zur Herstellung der Membran zunächst ein selektives Anodisieren (porös Ätzen) von n+- bzw. p+- Dotierungsbereichen vorgenommen wird, die lokal durch eine einkristalline Deckschicht, z. B. eine Epitaxieschicht, durchgeführt sind. Es folgt dann ein zeitgesteuerter Wech­ sel auf eine selektive Elektropolitur einer unter der Mem­ bran vergrabenen n+- bzw. p+-dotierten Schicht. Dadurch wird ein Hohlraum bzw. eine Kaverne unter der Deckschicht erzeugt. Falls nötig, erfolgt letztlich ein Verschließen der porösen n+- bzw. p+-Dotierungsbereiche in der Deck­ schicht, um einen definierten Gasdruck in der erzeugten Ka­ verne einzuschließen.
Weitere Vorteile sind eine einfache Integration in einen Halbleiterschaltungsprozess, und dadurch wird beispiels­ weise eine Integration einer Membran mit Auswerteschaltung auf einem Chip (z. B. als Drucksensor) möglich. Es treten geringe Unterätzungsschwankungen auf, d. h. genau vorgebbare Abmessungen sind realisierbar. Zudem ist, falls erwünscht, ein einfaches Verschließen der Zugangsöffnungen möglich.
In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbil­ dungen und Verbesserungen des jeweiligen Gegenstandes der Erfindung.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung wird bzw. werden oberhalb der einkristallinen Schicht eine oder mehrere Ver­ schlußschichten zum Verschließen der porösen Bereiche vor­ gesehen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die porösen Bereiche durch eine Oxidation verschlossen. Dies ist eine besonders effektive Verschlußmethode.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die einkristalline Schicht und die porösen Bereiche vom selben Dotierungstyp.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die einkristalline Schicht und die porösen Bereiche von ver­ schiedenen Dotierungstypen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die einkristalline Schicht durch Epitaxie vorgesehen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist das Sub­ strat von einem ersten Leitungstyp und die vergrabene Schicht von einem zweiten Leitungstyp. In der vergrabenen Schicht werden ein oder mehrere Bereiche des ersten Lei­ tungstyps vorgesehen, die eine im Vergleich zum Substrat erhöhte Dotierung aufweisen. So lassen sich die Stromlinien beim Elektropolieren konzentrieren und unerwünschte Rück­ stände im Hohlraum vermeiden.
ZEICHNUNGEN
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er­ läutert.
Es zeigen:
Fig. 1a-c eine schematische Querschnittsdarstellung des Herstellungsprozesses für ein mikromechanisches Bauelement gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2a, b eine schematische Querschnittsdarstellung des Herstellungsprozesses für ein mikromechanisches Bauelement gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 eine mögliche Komplikation bei der Herstellung des erfindungsgemäßen mikromechanischen Bauele­ ments; und
Fig. 4a, b eine schematische Querschnittsdarstellung des Herstellungsprozesses für ein mikromechanisches Bauelement gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.
Fig. 1a-c zeigen eine schematische Querschnittsdarstellung des Herstellungsprozesses für ein mikromechanisches Bauele­ ment gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
In Fig. 1a-c bezeichnet Bezugszeichen 1 ein p-dotiertes Si­ liziumsubstrat, 5 eine vergrabene n+-dotierte Schicht, 10 eine n-Epitaxieschicht, 15 n+-dotierte Bereiche in der n- Epitaxieschicht 10, 10a einen späteren Membranbereich sowie 20 eine Maske und 30 eine Verschlussschicht z. B. aus Me­ tall, Oxid, Nitrid, BPSG etc..
Gemäß Fig. 1a wird die vergrabene n+-dotierte Schicht 5 im p-Siliziumsubstrat 1 unter der n-dotierten Epitaxieschicht 10 durch Standardprozessschritte erzeugt, z. B. durch Implantation. Zusätzlich werden an ausgewählten Orten, z. B. punktförmig oder streifen- bzw. ringförmig die n+-Dotie­ rungsbereiche 15 in die Epitaxieschicht 10 eingebracht, um n+-dotierte Verbindungen von der Oberfläche zur vergrabenen n+-Schicht 5 zu erzeugen. Optional können auf der Epitaxie­ schicht 1 eine Maskierungsschicht 20 oder mehrere solche Maskierungsschichten (z. B. aus Nitrid) abgeschieden und strukturiert werden.
Gemäß Fig. 1b können die n+-Dotierungsbereiche 15 durch elektrochemisches Ätzen in flusssäurehaltigen Medien ("Ano­ disieren") abhängig von den Anodisierbedingunen (Flusssäu­ rekonzentration, Stromdichte, . . .) in poröse n+-Bereiche ungewandelt oder gänzlich aufgelöst werden. Die Anodisier­ geschwindigkeit hängt stark von der Dotierung des Siliziums ab. Niedrig dotiertes n-Silizium (n-Epitaxieschicht) wird nahezu nicht angegriffen, n+-dotiertes Silizium dagegen sehr gut. Diese Selektivität wird im Rahmen dieser Ausfüh­ rungsform ausgenutzt.
In einem ersten, zeitgesteuerten Anodisierschritt werden die n+-dotierten Bereiche 15 in der Epitaxieschicht 1 mehr oder weniger vollständig porös geätzt. Die Porosität ist dabei bevorzugt größer als 50%. Durch einen Wechsel der Anodisierbedingungen wird die vergrabene n+-dotierte Schicht 5 herausgelöst. Im Übergangsbereich vom n+-Bereich 5 zum p-dotierten Substrat 1 gibt es einen schwach n- dotierten Bereich, der als Anodisierbegrenzung wirkt. Durch die Form der vergrabenen n+-Dotierung 5 wird der herausge­ löste Bereich definiert.
Gemäß Fig. 1c können nach Entfernen der Maske 20 in einem nachfolgenden Prozessschritt die porösen Bereiche 150 - falls gewünscht - sehr einfach geschlossen werden, da sie eine nahezu plane Oberfläche mit nur sehr kleinen Löchern aufweisen. Dies ist ein deutlicher Vorteil gegenüber stan­ dardmäßigen oberflächenmikromechanischen Herstellungs­ verfahren, bei denen meist Löcher mit Durchmessern von mehr als einem µm verschlossen werden müssen. Der Verschluss kann beispielsweise durch Abscheiden der Metallschicht 30 oder mehrerer Schichten (Oxid, Nitrid, Metall, BPSG, . . .) oder durch Oxidation erfolgen. Der Prozessdruck beim Ab­ scheiden definiert den Gasinnendruck in der Kaverne 50.
Fig. 2a, b zeigen eine schematische Querschnittsdarstellung des Herstellungsprozesses für ein mikromechanisches Bauele­ ment gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die verwendeten Dotierungen für die Ätzbereiche sind hier variiert worden.
In Fig. 2a, 2b zeigen zusätzlich zu den bereits eingeführ­ ten Bezugszeichen 5' eine vergrabene p+-dotierte Schicht und 15' p+-dotierte durchkontaktierte Bereiche.
In das p-Substrat 1 wird bei diesem Beispiel eine p+- Dotierung eingebracht für die vergrabene Schicht 5' eingebracht. Darüber wird die n-Epitaxieschicht 10 aufgewachsen und mit den p+-Durchkontaktierungen 15' versehen.
Gemäß Fig. 2b wird der p+-dotierte Bereich 15' selektiv anodisiert, um den porösen p+-dotierten Bereich 150' zu bilden. Die n-Epitaxieschicht 10 wird dabei nicht angegrif­ fen, und das p-Substrat 1 nur leicht, da die Anodisierrate von p+ deutlich höher ist als die von p und n.
Fig. 3 zeigt eine mögliche Komplikation bei der Herstellung des erfindungsgemäßen mikromechanischen Bauelements.
Beim Herauslösen der vergrabenen Dotierschicht besteht die Gefahr, dass an der Stelle, an der zwei Ätzfronten zusam­ mentreffen, ein Siliziumsteg 151 zurückbleibt. Durch diesen Steg 151 würde die Membran 10a nicht vollständig freige­ stellt und somit ihre Funktion beeinträchtigt.
Fig. 4a, b zeigen eine schematische Querschnittsdarstellung des Herstellungsprozesses für ein mikromechanisches Bauele­ ment gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Der im Zusammenhang mit Fig. 3 geschilderten Gefahr kann bei der ersten Ausführungsform dadurch begegnet werden, daß ein vergrabener p+-Dotierungsbereich 5" in der vergrabenen n+-Schicht 5 vorgesehen wird, wo die Ätzfronten bei der nachfolgenden Anodisierung die Ätzfronten aufeinandertref­ fen. Durch diesen p+-Dotierungsbereich 5" werden die Stromlinien S bei der Anodisierung gezielt geführt, so nach dem Herauslösen des Siliziums kein Steg zurückbleibt.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevor­ zugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie dar­ auf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise, modifi­ zierbar.
Die geschilderten und illustrierten Ausführungsformen stel­ len den Herstellungsablauf nur exemplarisch dar. Optional können neben der Membran oder in der Membran weitere Dotie­ rungen realisiert werden, beispielsweise um Piezowiderstän­ de in der Membran und eine Auswerteschaltung neben der Mem­ bran für einen integrierten Drucksensor herzustellen. Die vergrabene n+-dotierte Schicht und die n+-dotierten Zufüh­ rungen durch die Epitaxieschicht können so ausgestaltet werden, dass die vergrabene Schicht durch laterale n+- Ätzkanäle herausgelöst wird, die am Kanalende über die n+- Zuführungen mit der Oberfläche der Epitaxieschicht verbun­ den sind.

Claims (13)

1. Mikromechanisches Bauelement mit:
einem Substrat (1);
einer oberhalb des Substrats (1) vorgesehenen einkristalli­ nen Schicht (10), welche einen Membranbereich (10a) auf­ weist;
einem unterhalb des Membranbereichs (10a) vorgesehenen Hohlraum (50); und
einem oder mehreren innerhalb der einkristallinen Schicht (10) vorgesehenen porösen Bereichen (150; 150') mit im Ver­ gleich zur umgebenden Schicht (10) erhöhter Dotierung (n+; p+).
2. Mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß oberhalb der einkristallinen Schicht (10) eine oder mehrere Verschlußschichten (30) zum Ver­ schließen der porösen Bereiche (150; 150') vorgesehen ist bzw. sind.
3. Mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die porösen Bereiche (150; 150') durch eine Oxidation verschlossen sind.
4. Mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die einkristalline Schicht (10) und die porösen Bereiche (150) vom selben Dotierungs­ typ (n) sind.
5. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die einkri­ stalline Schicht (10) und die porösen Bereiche (150) von verschiedenen Dotierungstypen (n; p) sind.
6. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die einkri­ stalline Schicht (10) eine Epitaxieschicht ist.
7. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bau­ elements mit den Schritten:
Bereitstellen eines Substrats (1);
Vorsehen einer vergrabenen Schicht (5; 5') mit im Vergleich zum umgebenden Substrat (1) erhöhter Dotierung (n+; p+) an der Oberfläche des Substrats (1);
Vorsehen einer einkristallinen Schicht (10) oberhalb des Substrats (1);
Vorsehen von Bereichen (15; 15') mit erhöhter Dotierung (n+; p+) innerhalb der einkristallinen Schicht (10);
selektives Porösätzen der Bereiche (15; 15') mit erhöhter Dotierung (n+; p+) zum Erzeugen entsprechender poröser Be­ reiche (150; 150'); und
Bilden eines Hohlraums (50) unter der einkristallinen Schicht (10) und eines darüberliegenden Membranbereichs (10a) durch Herauslösen der vergrabenen Schicht (5; 5') un­ ter Verwendung der porösen Bereiche (150; 150') mittels ei­ nes Elektropolierprozesses.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß oberhalb der einkristallinen Schicht (10) eine oder mehrere Verschlußschichten (30) zum Verschließen der porösen Berei­ che (150; 150') vorgesehen wird bzw. werden.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeich­ net, daß die porösen Bereiche (150; 150') durch eine Oxida­ tion verschlossen werden.
10. Verfahren nach Anspruch 7, 8 oder 9, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die einkristalline Schicht (10) und die porö­ sen Bereiche (150) vom selben Dotierungstyp (n) sind.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die einkristalline Schicht (10) und die porösen Bereiche (150) von verschie­ denen Dotierungstypen (n; p) sind.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die einkristalline Schicht (10) durch Epitaxie vorgesehen wird.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7 bis 12, wobei das Substrat (1) von einem ersten Leitungstyp (p) ist und die vergrabene Schicht (5) von einem zweiten Leitungstyp (n) ist, dadurch gekennzeichnet, daß in der vergrabenen Schicht (5) ein oder mehrere Bereiche (5") des ersten Leitungstyps (p) vorgesehen werden, die eine im Ver­ gleich zum Substrat (1) erhöhte Dotierung (p+) aufweisen.
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KR10-2003-7008307A KR20030088422A (ko) 2000-12-23 2001-12-13 마이크로 기계식 구성 요소 및 그 제조 방법
JP2002552847A JP4327456B2 (ja) 2000-12-23 2001-12-13 マイクロメカニックス構成素子及びその製造方法
DE50109722T DE50109722D1 (de) 2000-12-23 2001-12-13 Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren
PCT/DE2001/004692 WO2002051742A2 (de) 2000-12-23 2001-12-13 Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren
US10/450,362 US7833405B2 (en) 2000-12-23 2001-12-13 Micromechanical component and corresponding production method
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10311795B4 (de) * 2003-03-18 2012-09-27 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer Druckschalter sowie Verfahren zur Herstellung des Mikromechanischen Druckschalters
DE102013211970A1 (de) 2013-06-25 2015-01-22 Robert Bosch Gmbh Mikro-elektromechanischer Resonator und Verfahren zum Herstellen eines mikro-elektromechanischen Resonators
DE102004043357B4 (de) * 2004-09-08 2015-10-22 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Sensorelements
DE102014214525A1 (de) 2014-07-24 2016-02-18 Robert Bosch Gmbh Mikro-elektromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für mikro-elektromechanische Bauteile

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10350036B4 (de) * 2003-10-27 2014-01-23 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
DE102004015442A1 (de) * 2004-03-30 2005-10-20 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Verschließen von perforierten Membranen
KR100781972B1 (ko) * 2006-09-18 2007-12-06 삼성전자주식회사 메모리 소자 및 그의 제조방법
US20120211805A1 (en) * 2011-02-22 2012-08-23 Bernhard Winkler Cavity structures for mems devices
DE102012206531B4 (de) 2012-04-17 2015-09-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats
US9212940B2 (en) * 2012-09-07 2015-12-15 Xiang Zheng Tu Vacuum cavity-insulated flow sensors
US9136136B2 (en) 2013-09-19 2015-09-15 Infineon Technologies Dresden Gmbh Method and structure for creating cavities with extreme aspect ratios

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3968565A (en) * 1972-09-01 1976-07-13 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a device comprising a semiconductor body
US4016017A (en) * 1975-11-28 1977-04-05 International Business Machines Corporation Integrated circuit isolation structure and method for producing the isolation structure
DE2733071A1 (de) * 1977-07-21 1979-02-08 Siemens Ag Anordnung mit mehreren thermoelementen in reihenschaltung
US4261003A (en) * 1979-03-09 1981-04-07 International Business Machines Corporation Integrated circuit structures with full dielectric isolation and a novel method for fabrication thereof
JPS5648180A (en) * 1979-09-27 1981-05-01 Tokyo Niyuukutoronikusu:Kk Semiconductor detector
DE3923595C1 (de) 1989-07-17 1990-12-20 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De
CN1018844B (zh) * 1990-06-02 1992-10-28 中国科学院兰州化学物理研究所 防锈干膜润滑剂
US5129982A (en) * 1991-03-15 1992-07-14 General Motors Corporation Selective electrochemical etching
JPH06302831A (ja) * 1993-04-13 1994-10-28 Ricoh Co Ltd 歪ゲージの製造方法
KR0155141B1 (ko) * 1993-12-24 1998-10-15 손병기 다공질실리콘을 이용한 반도체 장치의 제조방법
DE19700290A1 (de) * 1997-01-03 1998-07-16 Siemens Ag Mikromechanische Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Halbleiteranordnung
US6379990B1 (en) * 1997-01-03 2002-04-30 Infineon Technologies Ag Method of fabricating a micromechanical semiconductor configuration
US5882496A (en) 1997-02-27 1999-03-16 The Regents Of The University Of California Porous silicon structures with high surface area/specific pore size
JP3951340B2 (ja) 1997-03-17 2007-08-01 ソニー株式会社 半導体基体と、半導体基体および薄膜半導体の製造方法
DE19754513A1 (de) 1997-12-09 1999-06-10 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur und entsprechende Mikrostruktur
NL1010234C1 (nl) * 1998-03-02 1999-09-03 Stichting Tech Wetenschapp Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk poreus halfgeleidermateriaal.
JP3748499B2 (ja) 1998-09-04 2006-02-22 キヤノン株式会社 半導体基板の作製方法
CN1118103C (zh) * 1998-10-21 2003-08-13 李韫言 微细加工热辐射红外传感器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10311795B4 (de) * 2003-03-18 2012-09-27 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer Druckschalter sowie Verfahren zur Herstellung des Mikromechanischen Druckschalters
DE102004043357B4 (de) * 2004-09-08 2015-10-22 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Sensorelements
DE102013211970A1 (de) 2013-06-25 2015-01-22 Robert Bosch Gmbh Mikro-elektromechanischer Resonator und Verfahren zum Herstellen eines mikro-elektromechanischen Resonators
DE102014214525A1 (de) 2014-07-24 2016-02-18 Robert Bosch Gmbh Mikro-elektromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für mikro-elektromechanische Bauteile
US9409764B2 (en) 2014-07-24 2016-08-09 Robert Bosch Gmbh Microelectromechanical component and manufacturing method for microelectromechanical components

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