DE1006011B - Gleichrichteranordnung, insbesondere fuer Schaltungen der Impulstechnik - Google Patents

Gleichrichteranordnung, insbesondere fuer Schaltungen der Impulstechnik

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DE1006011B
DE1006011B DES47717A DES0047717A DE1006011B DE 1006011 B DE1006011 B DE 1006011B DE S47717 A DES47717 A DE S47717A DE S0047717 A DES0047717 A DE S0047717A DE 1006011 B DE1006011 B DE 1006011B
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DE
Germany
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diode
rectifier arrangement
pulse technology
rectifier
technology circuits
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DES47717A
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English (en)
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Dipl-Ing Hans-Mar Christiansen
Dr-Ing Herbert Knapp
Dipl-Ing Anton Muschik
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K7/00—Modulating pulses with a continuously-variable modulating signal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description

  • Gleichrichteranordnung, insbesondere für Schaltungen der Impulstechnik Kristalldioden sind der Hochvakuum-Zweielektrodenröhre (Röhrendiode) durch ihren einfachen Aufbau und ihre kleinen Abmessungen überlegen. Während jedoch die Röhrendiode als nahezu idealer Gleichrichter anzusehen ist, weisen Kristalldioden je nach ihrem Aufbau neben günstigen auch ungünstige elektrische Eigenschaften auf. So hat z. B. die Silizium-Flächendiode einen hohen Sperrwiderstand in der Größenordnung von 100 M2, der aber mit einer verhältnismäßig großen Nachwirkzeit verknüpft ist; d. h., die Sperrung der Diode setzt erst nach einer gewissen Zeit - etwa 1 µs - nach Beendigung des Öffnungsvorgangs ein. Nachteilig ist außerdem die große Kapazität der Silizium-Flächendiode. Große Nachwirkzeit und große Kapazität machen nämlich bei hohen Frequenzen den Gleichrichtereffekt unwirksam.
  • Bei einem andern Kristalldiodentyp, der Germanium-Spitzendiode, werden kleine Werte für die Nachwirkzeit und die Kapazität durch einen niedrigen Sperrwiderstand erkauft, der nur einige 100 k52 beträgt.
  • Wird gemäß der Erfindung eine Silizium-Flächendiode mit einer Germanium-Spitzendiode in Reihe geschaltet, so erhält man eine Gleichrichteranordnung, deren Eigenschaften der Röhrendiode sehr nahe kommt. Zu Beginn des Sperrvorganges wird fast augenblicklich ein Sperrwiderstand von über 100 k2 erreicht, der nach etwa 1 µs auf einige 100 MZ steigt. Die Kapazität der Anordnung ist gering, sie ist kleiner als die der Germanium-Spitzendiode.
  • Die Gleichrichteranordnung arbeitet zuverlässig und ist insbesondere für Schaltungen der Impulstechnik geeignet, z. B. als elektronischer Schalter, als Modulator oder Demodulator. Zweckmäßig werden die beiden Kristalldioden in ein gemeinsames Röhrchen eingebaut.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Gleichrichteranordnung, insbesondere in Schaltungen der Impulstechnik, gekennzeichnet durch Reihenschaltung einer Silizium-Flächendiode und einer Germanium-Spitzendiode.
  2. 2. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Einbau der beiden Kristalldioden in ein gemeinsames Röhrchen.
  3. 3. Anwendung der Gleichrichterschaltung nach Anspruch 1 oder 2 als elektronischer Schalter, Modulator oder Demodulator.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1173940B (de) * 1962-10-30 1964-07-16 Intermetall Schaltungsanordnung zum Vermindern der Ausschaltzeit von Vierschichtdioden

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