DE10057134A1 - Verfahren zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten in einer Prozesskammer (1) eines CVD-Reaktors, wobei mindestens ein erstes (G1) und ein zweites (G2) Reaktionsgas durch voneinander getrennte Zuleitungen (6, 7) in jeweils eine Gasaustrittszone (8, 9) in einer Eingangszone (E) der Prozesskammer (1) geleitet werden, wobei die Gasaustrittszonen (8, 9) zwischen dem Prozesskammerboden (2) und der Prozesskammerdecke (3) übereinander liegen und unterschiedliche Höhen (H1, H2) haben, wobei das erste Reaktionsgas (G1) gegebenenfalls zusammen mit einem Trägergas (T1) aus der dem Prozesskammerboden (2) benachbarten Gasaustrittszone (9) strömt und wobei zumindest dem aus der dem Prozesskammerboden (2) entfernt liegenden Gasaustrittszone (9) strömenden zweiten Reaktionsgas (G2) ein Trägergas (T2) beigemischt ist und die Strömungsparameter so gewählt sind, dass sich das Reaktionsgas (G2) im Wesentlichen nur in der Eingangszone (E) pyrolytisch zerlegt und die Zerlegungsprodukte in einer stromabwärts der Eingangszone (E) angeordneten Depositionszone (D) quer zur Stromrichtung der Gase (G1, G2, T1, T2) zu einem auf dem Prozesskammerboden (2) angeordneten Substrat (4) diffundieren, um dort zusammen mit Zerlegungsprodukten des ersten Reaktionsgases (G1) zu einer Schicht zu kondensieren. Damit auch bei längeren Depositionszonen die Zerlegung der metallorganischen Zerlegungsprodukte im Wesentlichen nur in der ...

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten in einer Prozesskammer eines CVD-Reaktors, wobei zumindest ein erstes und ein zwei­ tes Reaktionsgas durch voneinander getrennte Zuleitun­ gen in jeweils eine Gasaustrittszone in einer Eingangs­ zone der Prozesskammer geleitet werden, wobei die Gas­ austrittszonen zwischen dem Prozesskammerboden und der Prozesskammerdecke übereinander liegen und unterschied­ liche Höhen haben, wobei das erste Reaktionsgas gegebe­ nenfalls zusammen mit einem Trägergas aus der dem Prozesskammerboden benachbarten Gasaustrittszone strömt und wobei zumindestens dem aus der vom Prozesskammer­ boden entfernt liegenden Gasaustrittszone strömenden zweiten Reaktionsgas ein Trägergas beigemischt ist und die Strömungsparameter so gewählt sind, dass sich das zweite Reaktionsgas im Wesentlichen nur in der Eingangs­ zone pyrolytisch zerlegt und die Zerlegungsprodukte in einer stromabwärts der Eingangszone angeordneten Depositionszone quer zur Stromrichtung der Gase zu einem auf dem Prozesskammerboden angeordneten Substrat diffundieren und dort zusammen mit Zerlegungsprodukten des ersten Reaktionsgases zu einer Schicht kondensie­ ren.

Ein Verfahren dieser Art zeigt beispielsweise die DE 198 55 637, mittels welchem binäre, ternäre und quaternäre Verbindungshalbleiter wie beispielsweise Galliumarsenit, Indiumphosphit, Aluminiumgalliumarsenit, Indiumgalliumarsenitphosphit oder dergleichen hergestellt werden können.

Bei dem bekannten Verfahren werden die Verfahrensparame­ ter so eingestellt, dass die metallorganischen Reakti­ onsgase, die durch die zweite Gasaustrittszone, welche vom Prozesskammerboden entfernt ist, in die Pro­ zesskammer strömen sich in einer an die Gasaustrittszo­ ne unmittelbar anschließenden Einlasszonen nahezu voll­ ständig zerlegen. Die Zerlegungsprodukte werden dann mittels des zwischen Prozesskammerdecke und Prozesskammerboden fließenden Gasstromes weitertranspor­ tiert in eine Depositionszone, in welcher ein oder mehrere Substrate liegen. Die bekannte Vorrichtung besitzt einen zylindersymmetrischen Aufbau, bei dem die Gaszuleitungen im Zentrum angeordnet sind und der Gas­ strom in Radialrichtung nach außen erfolgt. Die Substra­ te liegen dort satellitenförmig auf drehangetriebenen Substrathaltern. Um eine möglichst homogene Schichtdic­ ke und Schichtzusammensetzung zu erhalten sind die Prozessparameter so gewählt, dass die Gasphasenverar­ mung der metallorganischen Komponenten über der De­ positionszone im Wesentlichen linear verläuft. Mit zunehmender Entfernung vom Mittelpunkt soll der Partial­ druck der Zerlegungsprodukte der metallorganischen Komponenten linear abnehmen, so dass als Folge der Rotation der Substrathalter insgesamt eine homogene Schicht abgeschieden wird. Diese Randbedingungen erfor­ dern ein bestimmtes Verhältnis zwischen Länge der De­ positionszone und Prozesskammerhöhe, die durch den Ab­ stand zwischen Prozesskammerboden und Prozesskam­ merdecke definiert ist. Die Strömungsgeschwindigkeit muss so eingestellt werden, dass sich die metallorgani­ schen Komponenten im Wesentlichen ausschließlich in der Eingangszone zerlegen. Gleichzeitig muss vermieden werden, dass sich in der Eingangszone die Reaktionsgase untereinander mischen, um Adduktbildung und/oder Querre­ aktionen zu vermeiden. Technologisch wird dieses Pro­ blem bei Reprozesskammern mit kleiner Depositionszonen­ länge dadurch gelöst, dass die unmittelbar oberhalb des Reaktorbodens angeordnete Gasaustrittszone für die Metallhydride eine geringe Höhe (beispielsweise nur 1 cm) besitzt. Bei kleinen Reaktoren, bei denen beispiels­ weise die Depositionszone etwa 10 cm lang ist, lassen sich durch Wahl der Strömungsparameter Bedingungen einstellen, bei denen sich die metallorganischen Kompo­ nenten nahezu ausschließlich in der Eingangszone zerle­ gen und in der Verarmungszone die Abnahme des Partial­ druckes der Zerlegungskorprodukte der metallorganischen Verbindungen nahezu linear über die Länge verläuft.

Die wirtschaftliche Fertigung von Halbleiterschichten mit einem derartigen Verfahren erfordert weiter, dass die Verarmung der Gasphase am Ende der Depositionszone möglichst groß ist. Idealer Weise sollte dort der Par­ tialdruck des metallorganischen Zerlegungsproduktes gleich Null sein. Bei einer Prozessführung mit mehreren metallorganischen Komponenten sollen diese Bedingungen für jede metallorganische Komponente gelten.

Eine Vergrößerung der Länge der Depositionszone hat deshalb nicht nur die Notwendigkeit zur Folge, auch die Prozesskammerhöhe zu vergrößern, sondern auch die Höhe der Gasaustrittszone für das zweite Reaktionsgas und überproportional den daraus strömenden Gasstrom. Die damit anhergehende erheblich vergrößerte Strömungsge­ schwindigkeit hat zur Folge, dass sich die metallorgani­ schen Komponenten nicht vollständig in der Gaseinlasszone zerlegen und das durch parasitäres Wachstum an der Decke der Prozesskammer die Partialdrücke der metallor­ ganischen Zerlegungsprodukte nicht linear abfällt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, dass auch bei längeren Depositionszonen die Zerlegung der metallorga­ nischen Zerlegungsprodukte im Wesentlichen nur in der Eingangszone stattfindet und die Partialdrücke der Zerlegungsprodukte (Verarmung) in der Gasphase über der Depositionszone im Wesentlichen einen linearen Verlauf behält.

Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung.

Der Anspruch 1 sieht zunächst und im Wesentlichen vor, dass die kinematische Viskosität des dem zweiten Reakti­ onsgas beigemischten Trägergases insbesondere durch Mischung, von zwei sich in Ihrer kinematischen Viskosi­ tät stark unterscheidenden Gase, derart eingestellt wird, das der Quotient der Reynolds-Zahlen in den bei­ den Gasaustrittszonen bei im Wesentlichen annähernd gleichgroßen mittleren Gasgeschwindigkeiten annähernd eins ist. Zufolge dieser Verfahrensführung ist gewähr­ leistet, dass das Temperaturprofil in der von dem Prozesskammerboden her beheitzten Prozesskammer nur unwesentlich durch das dem zweiten Reaktionsgas beige­ mischte Trägergas beeinflusst wird, so dass die Zerle­ gung der metallorganischen Komponenten im Wesentlichen ausschließlich in der Eingangszone stattfindet. Die dadurch reduzierte Strömungsgeschwindigkeit hat im Bereich der Depositionszone zur Folge, dass die Zerle­ gungsprodukte derart aus der Gasphase in Richtung des Substrates diffundieren, dass die Verarmung dort einen linearen Verlauf hat und zum Ende der Depositionszone derart hoch ist, dass eine Effiziens von mindestens 50% erzielbar ist. Die Prozessführung ermöglicht es, dass die Höhe der dem zweiten Reaktionsgas zugeordneten Gasaustrittszone mindestens doppelt, insbesondere minde­ stens viermal, bevorzugt fünfmal so groß ist, wie die Höhe der dem ersten Reaktionsgas zugeordneten ersten Gasaustrittszone. Zur Einstellung der kinematischen Viskosität des Trägergases können zwei oder mehrere Innert-Gase, beispielsweise Edelgase oder Wasserstoff oder Stickstoff miteinander gemischt werden. Bevorzugt wird dem zweiten Reaktionsgas eine Mischung aus Wasser­ stoff und Stickstoff beigemischt. Es ist aber auch möglich, ausschließlich Stickstoff als Trägergas für das zweite Reaktionsgas zu verwenden. Gegenüber Wasser­ stoff erhöht sich dadurch bei gleichbleibender mittle­ rer Gasgeschwindigkeit die Reynolds-Zahl um den Faktor 7, so dass mit einem siebenfach geringeren Volumenstrom das Verfahren geführt werden kann. Bevorzugt wird ein Mischungsverhältnis von 1 : 1 verwendet.

Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens, wobei die Summe der Längen von Eingangszone und Depositionszone größer 35 cm, die Summe der Höhen der Gasaustrittszonen mindestens 4 cm, Länge der Depositionszone mindestens 20 cm und das Verhältnis von der Höhe der zweiten Gasaustrittszone zur Höhe der ersten Gasaustrittszone größer 4 sind.

In die Gaszuleitung für die entfernt vom Boden liegende Gasaustrittszone münden mindestens zwei Trägergaszulei­ tungen. Jede der beiden Trägergaszuleitungen ist mit einem Gasflussregler, bevorzugt einem Massenflussregler versehen, so dass sich unterschiedliche Trägergase in frei einstellbarem Mischungsverhältnis der Gasaustritts­ zone zuleiten lassen.

Zur Lösung der Erfindung zugrunde liegenden Aufgabe ist alternativ vorgesehen, die Höhen der Gasaustrittszo­ nen insbesondere durch die Wahl eines geeigneten Gasaus­ trittsflansches derart einzustellen, dass der Quotient der Reynolds-Zahlen in den beiden Gasaustrittszonen bei im Wesentlichen annähernd gleich großen mittleren Gasge­ schwindigkeiten annähernd eins ist. Die Einstellung der Höhen kann mittels der besagten Gasaustrittsflansche erfolgen. Diese können verschiedenartig und insbesonde­ re verschieden lang ausgestaltet sein. Je nach dem, welche Prozessparameter in einem Beschichtungsprozess eingestellt werden, wird ein geeigneter Gasaustritts­ flansch verwendet. Es ist aber auch möglich, den Gasaus­ trittsflansch höhenverstellbar zu gestalten, so dass die Anpassung der Reynolds-Zahlen während des Prozesses erfolgen kann. Alternativ dazu kann auch vorgesehen sein, dass die obere Begrenzungswand der entfernt vom Prozesskammerboden liegenden Gasaustrittszone auf einem Kragen des Gasaustrittsflansches zu verlagert werden kann, um so die Öffnungsweite zu beeinflussen.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 in schematischer Schnittdarstellung eine Hälf­ te einer Prozesskammer eines zylindersymmetri­ schen Reaktors,

Fig. 2 den Partialdruckverlauf zweier metallorgani­ scher Zerlegungsprodukte über den Radius der Prozesskammer,

Fig. 3 in schematischer Darstellung den Prozesskam­ merboden in der Draufsicht,

Fig. 4 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung, bei dem die Höhen der Gasaustrittszonen eingestellt werden können,

Fig. 5 das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4 mit veränderten Höhen, und

Fig. 6 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung, bei welchem die Höhen einstellbar sind.

Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens besteht aus einer Prozesskammer 1, welche einen Prozesskam­ merboden 2 besitzt, welche aus Graphit besteht und welcher von unten insbesondere mittels Hochfrequenz beheizbar ist. Oberhalb des Prozesskammerbodens 2 befin­ det sich mit Abstand zur selben eine Prozesskammerdecke 3, welche ebenfalls aus Graphit besteht aber bevorzugt unbeheizt ist. Die Prozesskammer 1 hat eine zylinderför­ mige Symmetrie. Prozesskammerboden 2 und Prozesskammerdecke 3 sind kreisscheibenförmig.

In das Zentrum der Prozesskammer 1 ragen zwei getrennte Zuleitungen 6, 7 für Reaktionsgase G1, G2 und Trägerga­ se T1 und T2. Die beiden Zuleitungen 6, 7 münden in Gasaustrittszonen 8, 9 die übereinanderliegend zwischen Prozesskammerboden und Prozesskammerdecke 3 angeordnet sind. Die Höhe H1 der ersten Gasaustrittszone 8 kann etwa 1 cm betragen. Diese Gasaustrittszone 8 befindet sich unmittelbar oberhalb des Prozesskammerbodens 2. Oberhalb der ersten Gasaustrittszone 8 befindet sich, von dieser getrennt eine zweite Gasaustrittszone 9, deren Höhe H2 etwa vier bis fünfmal so groß ist, wie die Höhe H1 der ersten Gasaustrittszone 8. Durch die erste Gasaustrittszone 8 fließt ein Hydrid, insbesonde­ re ein Metallhydrid wie zum Beispiel Arsin oder Phos­ phin gegebenenfalls zusammen mit einem Trägergas, wel­ ches bevorzugt Wasserstoff ist.

Durch die zweite Gasaustrittszone 9 fließt Trimethylin­ dium und/oder Trimethylgallium zusammen mit einem Trä­ gergas T2, welches sich vom Trägergas T1 zumindest hinsichtlich der kinematischen Viskosität unterschei­ det. Das Trägergas T2 ist im Ausführungsbeispiel eine Mischung zwischen einem Trägergas T2' und T2", wobei hier eine Mischung von Wasserstoff und Stickstoff vorge­ sehen ist.

Die Flüsse der Reaktionsgase und der Trägergase werden geregelt. Hierzu befinden sich in den Gaszuleitungen bekannte, in den Zeichnungen nicht dargestellte Massen­ flussregler. In die Zuleitung 7 münden mindestens zwei Trägergaszuleitungen. Eine Trägergaszuleitung dient der Beimischung von Stickstoff. Die andere Trägergaszulei­ tung dient der Beimischung von Wasserstoff. Beide Zulei­ tungen besitzen einen Massenflussregler, so dass das Mischungsverhältnis von Wasserstoff zu Stickstoff belie­ big voreinstellbar ist.

Die Höhe der Prozesskammer 1 (H1 + H2) beträgt etwa 4,5 cm. Der Radius der Prozesskammer 1 entspricht der Summe der Längen der Eingangszone E und der Depositionszone D. Letztere beträgt zwanzig Zentimeter, so dass der Radius zwischen 35 und 40 cm liegt.

Aus der Höhe H1 beziehungsweise der Höhe H2 und den Gasvolumenströmen durch die beiden Gasaustrittszonen 8, 9 lässt sich eine mittlere Gasgeschwindigkeit bestimmen. Die Verfahrensparameter sind dann optimal, wenn die mittlere Gasgeschwindigkeit in der ersten Gasaus­ trittszone etwa derjenigen der zweiten Gasaustrittszone entspricht. Das Mischungsverhältnis von T2' und T2" ist so gewählt, dass die Reynolds-Zahlen R1 und R2 in der ersten beziehungsweise zweiten Gasaustrittszone annähernd gleich sind. Gegebenenfalls kann dies dadurch erfolgen, dass als Trägergas T2 ausschließlich Stick­ stoff verwendet wird.

Die Volumenströme werden so gewählt, dass die Zerlegung der mit dem zweiten Trägergas T2 durch die zweite Gas­ austrittszone 9 strömenden metallorganischen Komponen­ ten sich im Wesentlichen innerhalb der Eingangszone E vollständig zerlegen, wobei hier die Beimischung von Stickstoff als Trägergas den Vorteil hat, dass insge­ samt die Diffusion in der Gasphase vermindert ist, so dass auch der Adduktbildung und/oder Querreaktionen zwischen den Hydriden und den metallorganischen Kompo­ nenten entgegen gewirkt ist.

In Fig. 2 sind schematisch die Partialdruckverläufe von metallorganischen Zerlegungsprodukten als P1 und P2 dargestellt. Die Parzialdrücke P1 und P2 nehmen über die Länge der Depositionszone D linear ab und erreichen am Ende der Depositionszone ein Minimum, welches weni­ ger als 10 Prozent des Maximums entspricht. Die Verfah­ rensparameter sind optimal, wenn der Verlauf der Par­ tialdruckkurve nicht nur linear ist, sondern das Ver­ hältnis der am Anfang der Depositionszone D liegenden Maxima etwa gleich ist zu dem Verhältnis der am Ende der Depositionszone liegenden Minima der beiden Partial­ drücke.

Da das Mischungsverhältnis der beiden Trägergaskomponen­ ten TV und T2" auch einen Einfluss auf die Diffusions­ fähigkeit der metallorganischen Zerlegungsprodukte in der Gasphase hat, bewirkt die Angleichung der beiden Reynolds-Zahlen R1 und R2 auch eine Beeinflussung des in Fig. 2 mit DIF bezeichneten Transportes der Zerle­ gungsprodukte aus der Gasphase zum Substrat 5 in Quer­ richtung zur Strömungstransportrichtung KONV.

In Varianten der Erfindung, die in den Fig. 4 bis 6 dargestellt sind, wird die Reynolds-Zahl in den beiden Gasaustrittszonen 8, 9 durch eine Variation der geome­ trischen Bedingungen variiert. Dies erfolgt durch die Einstellung der Höhen H1 und H2. Bei dem in den Fig. 4 und 5 dargestellten Ausführungsbeispiel kann der Gasaustrittsflansch 5 in Höhenrichtung verstellt wer­ den. Dadurch ändert sich die Höhenlage des horizontalen Flanschkragens 11 des Gasaustrittsflansches 10. Durch diesen ringscheibenartigen Flanschkragen 11 werden die beiden Gasaustrittszonen 8, 9 voneinander getrennt. Der Gasaustrittsflansch 10 kann auch aus einem austauschba­ ren Quarzteil bestehen, welches an einer Verbindungs­ stelle 12 mit einem Zuleitungsrohr verbunden ist.

Bei dem in der Fig. 6 dargestellten Ausführungsbei­ spiel erfolgt die Variation der Höhe H2 der entfernt vom Prozesskammerboden 2 liegenden Gasaustrittszone 9 bei in einer festen Position gehaltenem Gasaustritts­ flansch 10. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die obere Begrenzung der Gasaustrittszone 9 von einem dick­ wandigen Rohr 13 gebildet, welches in Richtung des Dop­ pelpfeiles verlagert werden kann, um so das Höhenmaß H2 zu beeinflussen.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswe­ sentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) voll­ inhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.

Claims (10)

1. Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten, in einer Prozesskammer (1) eines CVD-Reaktors, wobei zumindestens ein erstes (G1) und ein zweites (G2) Reak­ tionsgas durch voneinander getrennte Zuleitungen (6, 7) in jeweils eine Gasaustrittszone (8, 9) in einer Ein­ gangszone (E) der Prozesskammer (1) geleitet werden, wobei die Gasaustrittszonen (8, 9) zwischen dem Pro­ zesskammerboden (2) und der Prozesskammerdecke (3) übereinander liegen und unterschiedliche Höhen (H1, H2) haben, wobei das erste Reaktionsgas (G1) gegebenenfalls zusammen mit einem Trägergas (T1) aus der der Prozesskammerboden (2) benachbarten Gasaustrittszone (9) strömt und wobei zumindestens dem aus dem Prozesskammerboden (2) entfernt liegenden Gasaustritts­ zone (9) strömende zweites Reaktionsgas (G2) ein Träger­ gas (T2) beigemischt ist und die Strömungsparameter so gewählt sind, dass sich das zweite Reaktionsgas (G2) im Wesentlichen nur in der Eingangszone (E) pyrolytisch zerlegt und die Zerlegungsprodukte in einer stromab­ wärts der Eingangszone (E) angeordneten Depositionszone (D) quer zur Stromrichtung der Gase (G1, G2, T1, T2) zu einem auf dem Prozesskammerboden (2) angeordnetem Sub­ strat (4) diffundieren, um dort zusammen mit Zerlegungs­ produkten des ersten Reaktionsgases (G1) zu einer Schicht zu kondensieren, dadurch gekennzeichnet, dass die kinematische Viskosität des dem zweiten Reaktions­ gas (G2) beigemischten Trägergases (T2) insbesondere durch Mischung von zwei sich in ihrer kinematischen Viskosität stark unterscheidenden Gase (T2', T2") derart eingestellt wird, dass der Quotient der Reynolds- Zahlen (R1, R2) in den beiden Gasaustrittszonen (8, 9) bei im Wesentlichen annähernd gleichgroßen mittleren Gasgeschwindigkeiten annähernd eins ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass als Trägergase (T2') und (T2") Wasserstoff und/oder Stickstoff verwendet wer­ den.

3. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen­ den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn­ zeichnet, dass das erste Reaktionsgas (G1) ein Metallhy­ drid beispielsweise Phosphin und/oder Arsin ist.

4. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen­ den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn­ zeichnet, dass das zweite Reaktionsgas (G2) eine metall­ organische Verbindung beispielsweise Trimethylgallium und/oder Trimethylindium ist.

5. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens gemäß einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche mit einer Prozesskammer (1) in welche zumindest ein erstes (G1) und ein zweites (G2) Reaktionsgas zusammen mit einem Trägergas (T2) durch voneinander getrennte Zulei­ tungen (6, 7) in jeweils eine Gasaustrittszone (8, 9) in einer Eingangszone der Prozesskammer (1) geleitet werden, wobei die Gasaustrittszonen (8, 9) zwischen dem Prozesskammerboden (2) und der Prozesskammerdecke (3) übereinander liegen und unterschiedliche Höhen (H1, H2) haben, wobei sich den übereinanderliegenden Gasaus­ trittszonen (8, 9) stromabwärts eine Eingangszone (E) anschließt zur pyrolytischen Zerlegung des aus der vom Prozesskammerboden (2) entfernt liegenden Gasaustritts­ zone (9) strömenden Reaktionsgases (G2) und einer strom­ abwärts der Eingangszone angeordneten Depositionszone (D) in welcher ein oder mehrere Substrathalter (4) angeordnet sind, wobei die Summe der Längen von Ein­ gangszone (E) und Depositionszone (D), mindestens 35 cm, die Summe der Höhen (H1) und (H2) der beiden Gasaus­ trittszonen (8, 9) mindestens 4 cm, die Länge der Depositionszone mindestens 20 cm und das Verhältnis der Höhen (H2, H1) der entfernt zum Prozesskammerboden (2) liegenden Gasaustrittszone (9) und der benachbart zum Prozesskammerboden (2) liegenden Gasaustrittszone (8) größer vier betragen und wobei in die Zuleitung 7 für das zweite Reaktionsgas (G2) mindestens zwei Trägergas­ zuleitungen für unterschiedliche Trägergase (T2', T2") mit jeweils einem Gasflussregler münden.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder insbesondere da­ nach, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhe (H2) der dem zweiten Reaktionsgas (G2) zugeordneten zweiten Gasaustrittszone (9) mindestens doppelt, insbesondere mindestens viermal, bevorzugt fünfmal so groß ist, wie die Höhe (H1) der dem ersten Reaktionsgas (G1) zugeord­ neten ersten Gasaustrittszone (8).

7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehen­ den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die Prozesskammer (1) eine Zylinderform aufweist mit im Zentrum liegender Gaszuleitung (6, 7) und geheitztem Prozesskammerboden (2) auf welchem satel­ litenartig drehangetriebene Substrathalter (4) angeord­ net sind.

8. Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten, in einer Prozesskammer (1) eines CVD-Reaktors, wobei zumindestens ein erstes (G1) und ein zweites (G2) Reak­ tionsgas durch voneinander getrennte Zuleitungen (6, 7) in jeweils eine Gasaustrittszone (8. 9) in einer Ein­ gangszone (E) der Prozesskammer (1) geleitet werden, wobei die mittels eines Gasaustrittsflansches (10) voneinander getrennte Gasaustrittszonen (8, 9) zwischen dem Prozesskammerboden (2) und der Prozesskammerdecke (3) übereinander liegen, wobei das erste Reaktionsgas (G1) gegebenenfalls zusammen mit einem Trägergas (T1) aus der der Prozesskammerboden (2) benachbarten Gasaus­ trittszone (9) strömt und wobei zumindestens dem aus dem Prozesskammerboden (2) entfernt liegenden Gasaus­ trittszone (9) strömende zweites Reaktionsgas (G2) ein Trägergas (T2) beigemischt ist und die Strömungsparame­ ter so gewählt sind, dass sich das zweite Reaktionsgas (G2) im Wesentlichen nur in der Eingangszone (E) pyrolytisch zerlegt und die Zerlegungsprodukte in einer stromabwärts der Eingangszone (E) angeordneten Depositionszone (D) quer zur Stromrichtung der Gase (G1, G2, T1, T2) zu einem auf dem Prozesskammerboden (2) angeordnetem Substrat (4) diffundieren, um dort zusammen mit Zerlegungsprodukten des ersten Reaktionsga­ ses (G1) zu einer Schicht zu kondensieren, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhen (H1, H2) der Gasaustritts­ zonen (8, 9) insbesondere durch die Wahl eines geeigne­ ten Gasaustrittsflansches (10) derart eingestellt wer­ den, dass der Quotient der Reynolds-Zahlen (R1, R2) in den beiden Gasaustrittszonen (8, 9) bei im Wesentlichen annähernd gleichgroßen mittleren Gasgeschwindigkeiten annähernd eins ist.

9. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens gemäß einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche mit einer Prozesskammer (1) in welche zumindest ein erstes (G1) und ein zweites (G2) Reaktionsgas zusammen mit einem Trägergas (T2) durch voneinander getrennte Zulei­ tungen (6, 7) in jeweils eine Gasaustrittszone (8, 9) in einer Eingangszone der Prozesskammer (1) geleitet werden, wobei die mittels eines Gasaustrittsflansches (10) voneinander getrennte Gasaustrittszonen (8, 9) zwischen dem Prozesskammerboden (2) und der Prozesskammerdecke (3) übereinander liegen, wobei sich den übereinanderliegenden Gasaustrittszonen (8, 9) stromabwärts eine Eingangszone (E) anschließt zur pyrolytischen Zerlegung des aus der vom Prozesskammerboden (2) entfernt liegenden Gasaustritts­ zone (9) strömenden Reaktionsgases (G2) und einer strom­ abwärts der Eingangszone angeordneten Depositionszone (D) in welcher ein oder mehrere Substrathalter (4) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhen (H1, H2) der Gasaustrittszonen (8, 9) insbesondere durch die Wahl eines geeigneten Gasaustrittsflansches (10) einstellbar sind.

10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge­ henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen einem ring­ scheibenförmigen Flanschkragen (11) des Gasaustritts­ flansches (10) und der oberen Begrenzung der entfernt vom Prozesskammerboden angeordneten Gasaustrittszone (9) durch Axialverlagerung eines dickwandigen Rohres (13) einstellbar ist.