DE10044559A1 - Beschichtetes Implantat - Google Patents
Beschichtetes ImplantatInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein beschichtetes Implantat, bei dem die Beschichtung mindestens aus einem Edelmetall und einem Metall, welches mindestens ein radioaktives Isotop enthält, besteht. DOLLAR A Aufgabe der Erfindung ist es, ein beschichtetes Implantat mit geringer Auswaschrate bereitzustellen. DOLLAR A Gelöst wird diese Aufgabe dadurch, dass die Beschichtung aus mindestens zwei Schichten besteht, einer Schicht aus Edelmetall und einer Schicht aus dem Metall, welches mindestens ein radioaktives Isotop enthält, wobei die Schichten elektrochemisch auf dem Implantat aufgebracht und anschließend getempert wurden.
Description
Die Erfindung betrifft ein Beschichtetes Implantat, bei dem die
Beschichtung mindestens aus einem Edlemetall und einem Metall,
welches mindestens ein radioaktives Isotop enthält, besteht.
Gefäßstützen (Stents) zur Verhinderung von Wiederverengungen von
Adern (Restenosen), z. B. in Herzkranz- und Pereferiegefäßen
sind in den letzten Jahren häufig zum klinischen Einsatz gekom
men. Bei einigen Patienten traten Wiederverengungen durch Ge
webswucherung trotz Stentimplantation auf. Diese Restenosen sah
man bei ca. 25% aller Fälle.
Es ist möglich mittels lokaler radioaktiver Bestrahlung, die
eine Gefäßstütze emittiert, dieser Wiederverengungen entgegen
zuwirken.
Aus der DE 197 24 230 ist ein radioaktiver Stent bekannt, bei
dem die radioaktiven Isotope mit Hilfe eines organischen Haft
vermittlers auf der Oberfläche fixiert sind.
Des weiteren ist aus der DE 197 24 223 ein Stent bekannt, bei
dem das radioaktive Isotop galvanisch direkt auf der Oberfläche
abgeschieden wird.
Diese beiden Stents weisen jedoch eine unerwünschte deutliche
Auswaschrate des radioaktiven Isotops auf.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein beschichtetes Implantat mit
geringer Auswaschrate bereitzustellen.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Patentanspruchs
1. Die Unteransprüche beschreiben vorteilhafte Ausgestaltungen
der Erfindung.
Radioaktive Isotope emittieren in den seltensten Fällen Photonen
oder Teilchen einer einzelnen Energie. Es werden in der Regel
Photonen (Gamma- und Röntgenquanten) und/oder Teilchen (z. B.
He-Kerne, Elektronen und Positronen) unterschiedlichster Energie
mit unterschiedlichen Wahrscheinlichkeiten abgestrahlt. Im
Allgemeinen sind nicht alle therapeutisch wirksam oder er
wünscht. Eine Selektion dieser wäre von Vorteil. Dies ist durch
die Wahl eines geeigneten Coatings möglich. Strahlung wird beim
Durchgang durch Materie teilweise bis vollständig absorbiert, je
nach der Dicke des Coatings und die Art der Coatingmaterialien.
Durch die Wahl geeigneter Schichtdicken und Materialien kann so
selektiv Strahlung teilweise oder vollständig absorbiert werden.
Speziell im vaskularen Einsatzgebiet von radioaktiven Imp
lantaten kann dies eine wichtige Rolle spielen. Kommt ein Im
plantat in direkten Kontakt mit dem Blut startet sofort ein loka
ler Gerinnungsprozeß. Es entsteht eine Thrombose. Es wird des
halb im klinischen Einsatz von Patienten mehrere Monate hinweg
ein Antithrombogenika eingenommen. Danach ist in der Regel die
Oberfläche des Implantats mit Endothelgewebe vollständig bewach
sen und die Thrombosegefahr gebannt. Sehr kurzreichweitige
Strahlung (z. B. niederenergetische Elektronen, niederenergeti
sche Röntgenstrahlung) kann jedoch diesen Heilungsprozeß verzö
gern oder schlimmstenfalls stoppen. Es wird jedoch energierei
chere Strahlung benötigt um Restenoseprozesse zu verhindern.
Eine selektive Absorption niederenergetischer Strahlung ist hier
empfehlenswert.
Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht im Einsatz von
Röntgenstrahlen. Sie besitzen eine geringere Reichweite als die
mittels Aktivierung erzeugten Gammastrahlen, jedoch eine größere
als Elektronen. Röntgenstrahlung emittierende Isotope sind zum
Beispiel 131Cs und 103Pd. Sie emittieren keine oder nur wenig
Gammastrahlung. Ihre Halbwertszeiten liegen aus heutiger Sicht
im idealen Bereich von 10 bis 17 Tagen.
Das erfindungsgemäße Implantat hat folgende Vorteile:
Deutlich geringerer radioaktiver Auswasch als bei herkömmlichen Aktivierungsarten,
Kostengünstig bezüglich Betriebsmittel, da hohe Effizienz bei Abscheidung erreichbar,
Kostengünstig, da nur geringe Investitionsmittel nötig, Relativ einfach durchführbare Methoden,
Prinzipiell keine Begrenzung der abgeschiedenen Aktivität,
Nutzbarkeit von vielen biokompatiblen Werkstoffen zur Beschich tung der Kontaktfläche Implantat/Blut,
Vielseitig verwendbare Verfahren, mit denen eine große Produkt vielfalt beschichtet werden kann und
Therapeutisch wirksamere Reichweitenverteilung als herkömmliche elektronen- und gamma-strahlenden Implantate.
Deutlich geringerer radioaktiver Auswasch als bei herkömmlichen Aktivierungsarten,
Kostengünstig bezüglich Betriebsmittel, da hohe Effizienz bei Abscheidung erreichbar,
Kostengünstig, da nur geringe Investitionsmittel nötig, Relativ einfach durchführbare Methoden,
Prinzipiell keine Begrenzung der abgeschiedenen Aktivität,
Nutzbarkeit von vielen biokompatiblen Werkstoffen zur Beschich tung der Kontaktfläche Implantat/Blut,
Vielseitig verwendbare Verfahren, mit denen eine große Produkt vielfalt beschichtet werden kann und
Therapeutisch wirksamere Reichweitenverteilung als herkömmliche elektronen- und gamma-strahlenden Implantate.
Die galvanische Abscheidung ist ein kostengünstiges, schnelles
und relativ simples Verfahren Schichten aufzubringen. Das ra
dioaktive Material muß elementar oder als lösbarer Komplex vor
liegen. Dieser bricht durch Lösen im Elektrolyt oder durch Anle
gen einer Spannung auf. Das radioaktive Isotop liegt so als Ion
im Elektrolyt vor. Der Gradient eines elektrischen Feldes zwingt
nun das geladene Isotop in Richtung der entgegengesetzt gelade
nen Elektrode. Hier kann es sich abscheiden. Die richtige Wahl
des Untergrundes und des elektrischen Feldes sorgt für eine
haftfeste Abscheidung auf dem Elektrodenmaterial. Folgende Ver
fahren können mit einem metallischen oder nichtmetallischen
(z. B. durch Elektrophorese) Deckcoating ergänzt werden.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen
näher erläutert.
Als Material für die unbeschichteten Implantate (Substrat) kön
nen beispielsweise Edelstähle und Nickel-Titan-Verbindungen ver
wendet werden.
Edelstähle lassen sich einfach mit verschiedenen Materialien zur
Haftverbesserung beschichten. Es kann sich um Schichten aus Ag,
Au, Pd oder Fe zur haftfesten Abscheidung von aktivem Palladium
handeln.
Ni-Ti-Verbindungen lassen sich mit verschiedenen Materialien zur
Haftverbesserung beschichten. Es kann sich um Schichten aus Ag,
Au, Pd oder Fe zur haftfesten Abscheidung von aktivem Palladium
handeln.
Bei geeigneter Wahl der Materialien kann eine anschließende Wär
mebehandlung zur Legierungsbildung genutzt werden. Hierdurch
wird das aktive Isotop äußerst haftfest in der Matrix des abge
schiedenen inaktiven Materials gebunden. Die Wahl der Temperatur
und der Dauer hängen von der Schichtzusammensetzung ab und
müssen gegebenenfalls für jede Beschichtungsmethode optimiert
werden.
Zur erfolgreichen Abscheidung muß das Material vollständig ent
fettet sein. Hierzu wird das Substrat in Aceton einer Ultra
schallsäuberung unterzogen. Eine elektrolytische Entfettung (z. B.
Emphax, W. Canning GmbH) schließt an.
Das vorbehandelte Substratmaterial wird z. B. mittels eines kom
merziellen alkalischen stromlosen Kupferbades (z. B. Doduco DDP
540) beschichtet. Nach drei Minuten entsteht eine Schicht von
100-1000 nm Dicke. Das Palladinieren mittels galvanische Ab
scheidung aus einer radioaktiven 103PdCl2 Lösung (pH = 1-3) mit
einer Stromdichte von 0,1-2 A/dm2 folgt. Es wird hierzu eine
unlösliche platinierte Titan-Ringnetzanode verwendet. Die an
schließende thermische Behandlung durch das 30 minütige Ausla
gern der Probe in einem Ofen unter einem Druckbereich von p =
10-4-10-5 mbar bei T = 380-480°C soll die Schicht legieren lassen.
Eine anschließende Untersuchung zeigte dies.
Das vorbehandelte Substrat wird mittels eines cyanidhaltigen
Silberbades beschichtet. Es kann hierzu z. B. ein Bad mit einem
Silbergehalt von 0,8-1,5 g/l, mit 2 g/l Silbercyanid, 70 g/l
Natriumcyanid und 10 g/l Natriumcarbonat verwendet werden. Man
benötigt eine Reinsilberanode. Es wird bei Raumtemperatur mit
einer Stromdichte im Bereich von 0,5-1,5 A/dm2 und einem pH-
Wert von 11-12,5 betrieben. Die nach etwa 3 Minuten erzeugte
Silberschicht von 50-500 nm wird wie in Beispiel 1.2 mit ra
dioaktivem Palladium belegt. Ein anschließendes 30 minütige Le
gieren bei T = 300-400°C unter p = 10-4-10-5 mbar wurde er
folgreich durchgeführt.
Nach der Vorbehandlung wird das Substrat mit einer dünnen Gold
schicht belegt. Hierzu eignet sich z. B. ein cyanidisches Gold
bad. Hierzu verwendet man 3 g/l Kaliumcyanoaurat, 1 g/l Nickel
chlorid und HCl. Das Bad wird mit einem pH-Wert von 0,5-1,5
und bei Raumtemperatur betrieben. Die Anode sollte unlöslich
sein (z. B. Platin). Es wird eine Stromdichte von 1-2 A/dm2
eingestellt. Die nach etwa 3 Minuten aufgebrachte 50-500 nm
dünne Goldschicht wird wie in 1.2 mit aktivem Palladium belegt.
Anschließend folgt eine 30 minütige thermische Behandlung unter
Vakuum bei T = 300-400°C.
Für den medizinischen Gebrauch radioaktiver Implantate sind
Deckschichten (Coatings) äußerst interessant. Sie ermöglichen
eine Verbesserung oder Anpassung des Implantats hinsichtlich:
Biokompatibilität
Korrosion
Verringerung des radioaktiven Abwasches
Therapeutischer Wirkung durch selektive Absorption elektromagne tischer und Teilchenstrahlung.
Biokompatibilität
Korrosion
Verringerung des radioaktiven Abwasches
Therapeutischer Wirkung durch selektive Absorption elektromagne tischer und Teilchenstrahlung.
Speziell im Blutkreislauf ist es wichtig das keine Radioaktivi
tät aus Implantaten austritt. Ein zusätzliches inaktives Coating
kann dies verhindern oder minimieren.
Radioaktive Isotope emittieren in den seltensten Fällen Photonen
oder Teilchen einer einzelnen Energie. Es werden in der Regel
Photonen (Gamma- und Röntgenquanten) und/oder Teilchen (z. B.
He-Kerne, Elektronen und Positronen) unterschiedlichster Energie
mit unterschiedlichen Wahrscheinlichkeiten abgestrahlt. Im
Allgemeinen sind nicht alle therapeutisch wirksam oder er
wünscht. Eine Selektion dieser wäre von Vorteil. Dies ist durch
die Wahl eines geeigneten Coatings möglich. Strahlung wird beim
Durchgang durch Materie teilweise bis vollständig absorbiert, je
nach der Dicke des Coatings und die Art der Coatingmaterialien.
Durch die Wahl geeigneter Schichtdicken und Materialien kann so
selektiv Strahlung teilweise oder vollständig absorbiert werden.
Speziell im vaskularen Einsatzgebiet von radioaktiven Im
plantaten kann dies eine wichtige Rolle spielen. Kommt ein Im
plantat in direkten Kontakt mit dem Blut startet sofort ein loka
ler Gerinnungsprozeß. Es entsteht eine Thrombose. Es wird des
halb im klinischen Einsatz von Patienten mehrere Monate hinweg
ein Antithrombogenika eingenommen. Danach ist in der Regel die
Oberfläche des Implantats mit Endothelgewebe vollständig bewach
sen und die Thrombosegefahr gebannt. Sehr kurzreichweitige
Strahlung (z. B. niederenergetische Elektronen, niederenergeti
sche Röntgenstrahlung) kann jedoch diesen Heilungsprozeß verzö
gern oder schlimmstenfalls stoppen. Es wird jedoch energierei
chere Strahlung benötigt um Restenoseprozesse zu verhindern.
Eine selektive Absorption niederenergetischer Strahlung ist hier
empfehlenswert.
Aufbringen der aktiven Schichten wie in den drei oben beschrie
benen Beispielen. Darauffolgende Herstellung eines Coatings zur
selektiven Absorption der 2,7 keV Röntgenstrahlung des 103Pd.
Diese Coatings können aus Silber, Kupfer oder Gold bestehen.
Dazu verwendbar sind obige Beispiele. Man kann sowohl als Coa
tingmaterial das Material der ersten Schicht verwenden (Gold auf
Gold, Silber auf Silber, Kupfer auf Kupfer). Man kann aber auch
die Materialien austauschen (Gold auf Kupfer, Silber auf Kupfer,
Gold auf Silber, Silber auf Gold, Kupfer auf Gold, Kupfer auf
Silber). Zur Verminderung der transmittierten 2,7 keV Strahlung
auf 90%-99,9% der ursprünglichen Strahlung an der Oberfläche
sind Coatingdicken von Cu: 3-10 µm, Ag: 4-13 µm und Au: 500 nm-1,5 µm
nötig.
Folgende Coating Materialien können ebenfalls verwendet werden:
Kohlenstoff wird zum Beschichten von Herzklappen häufig verwen
det. Er ist einfach durch Sputtering oder Verdampfen aufzubrin
gen. Durch seine geringe Kernladungszahl ist es aber zur selek
tiven Absorption ungeeignet. Kohlenstoff kann das Material vor
Korrosion schützen.
Der Werkstoff Titan ist wegen seiner oxidischen Oberfläche be
kanntermaßen biokompatibel. Er schützt das Material vor Korro
sion und kann mit Abstrichen zur selektiven Absorption verwendet
werden. Titan kann durch sputtern einfach auf die Implantats
oberfläche gebracht werden.
Es ist uns gelungen einen austenitischen Edelstahl mittels sput
tern aufzubringen. Er zeichnet sich durch seine Biokompatibili
tät, seiner Korrosionsfestigkeit und durch seine Fähigkeit zur
selektiven Absorption aus.
Inaktives Palladium ist gut für die selektive Absorption geeig
net. Es kann wie das aktive Palladium durch sputtern, chemisches
und elektrochemisches Abscheiden oder verdampfen aufgebracht
werden. Es ist hinreichend biokompatibel (Werkstoff in der Den
talmedizin) und wirkt korrosionsschützend.
Tantal ist biokompatibel und wird häufig im Herzkreislaufbereich
eingesetzt. Es besitzt durch seine große Kernladungszahl eine
große Fähigkeit zur selektiven Absorption. Es wirkt außerdem
korrosionschützend.
Polytetrafluorethylen ist biokompatibel, korrosionfest und kann
mit Abstrichen wie Titan zur selektiven Absorption verwendet
werden.
Polyethylen Terephthalat ist biokompatibel, korrosionfest und
kann mit Abstrichen zur selektiven Absorption verwendet werden.
Polymethyl Metacrylat ist biokompatibel und korrosionfest, kann
aber nicht zur selektiven Absorption verwendet werden.
Es sollen die niederenergetischen Röntgen- (2,70 keV) und Elekt
ronenstrahlen (2,39 keV und 17,0 keV) zu 90%-99% absorbiert
werden. Die restlichen Photonen (20,07 keV, 20,22 keV, 22,70 keV)
sollen möglichst vollständig das Coating durchdringen.
C: d = 100-1000 µm
Ti: d = 10-100 µm
Edelstahl: d = 1-10 µm
Pd: d = 1-10 µm
Ta: d = 0,2-2 µm
Au: d = 0,2-2 µm
PTFE: d = 10-100 µm
PET: d = 50-500 µm
PMMA: d = 100-1000 µm.
C: d = 100-1000 µm
Ti: d = 10-100 µm
Edelstahl: d = 1-10 µm
Pd: d = 1-10 µm
Ta: d = 0,2-2 µm
Au: d = 0,2-2 µm
PTFE: d = 10-100 µm
PET: d = 50-500 µm
PMMA: d = 100-1000 µm.
Claims (7)
1. Beschichtetes Implantat bei dem die Beschichtung mindestens
aus einem Edelmetall und einem Metall, welches mindestens
ein radioaktives Isotop enthält, besteht, wobei die Be
schichtung aus mindestens zwei Schichten besteht, einer
Schicht (1) aus Edelmetall und einer Schicht (2) aus dem
Metall welches mindestens ein radioaktives Isotop enthält,
wobei die Schichten (1, 2) elektrochemisch auf dem Implan
tat aufgebracht und anschließend getempert wurden.
2. Beschichtetes Implantat nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch eine weitere Schicht (3) aus biokompatiblem Material,
die vor oder nach dem Tempern auf die Schicht (2) aufge
bracht wurde.
3. Beschichtetes Implantat nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch eine weitere Schicht (3) aus Edelmetall, die vor oder
nach dem Tempern auf die Schicht (2) elektrochemisch aufge
bracht wurde.
4. Beschichtetes Implantat nach einem der Ansprüche Anspruch
1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Edelmetall der
Schichten (1, 3) Kupfer, Silber oder Gold ist.
5. Beschichtetes Implantat nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Palladium und das
radioaktive Isotop 103Pd ist.
6. Beschichtetes Implantat nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (3) so dick ist,
daß sie 90-99,9% der 2,7 keV Röntgenstrahlung des radio
aktiven Isotops 103Pd absorbiert.
7. Beschichtetes Implantat nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß das Tempern bei einer Tempera
tur zwischen 300 und 600°C erfolgt.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000144559 DE10044559A1 (de) | 2000-09-08 | 2000-09-08 | Beschichtetes Implantat |
PCT/EP2001/009873 WO2002020062A2 (de) | 2000-09-08 | 2001-08-28 | Beschichtetes implantat |
EP01976155A EP1315524A2 (de) | 2000-09-08 | 2001-08-28 | Beschichtetes implantat |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000144559 DE10044559A1 (de) | 2000-09-08 | 2000-09-08 | Beschichtetes Implantat |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10044559A1 true DE10044559A1 (de) | 2002-04-04 |
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ID=7655581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000144559 Ceased DE10044559A1 (de) | 2000-09-08 | 2000-09-08 | Beschichtetes Implantat |
Country Status (3)
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EP (1) | EP1315524A2 (de) |
DE (1) | DE10044559A1 (de) |
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2000
- 2000-09-08 DE DE2000144559 patent/DE10044559A1/de not_active Ceased
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- 2001-08-28 WO PCT/EP2001/009873 patent/WO2002020062A2/de not_active Application Discontinuation
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8131 | Rejection |