DE10024373A1

DE10024373A1 - Verfahren zum Beschichten

Info

Publication number: DE10024373A1
Application number: DE2000124373
Authority: DE
Inventors: Sven Kuehnen; Dorothea Heisel; Andreas Lenninger; Thomas Licht
Original assignee: EUPEC GmbH
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2000-05-17
Filing date: 2000-05-17
Publication date: 2001-11-29
Anticipated expiration: 2020-05-18
Also published as: DE10024373B4; WO2001087500B1; WO2001087500A2; WO2001087500A3

Abstract

Zur verlässlichen Vermeidung des Einflusses von an der Oberfläche eines zu beschichtenden Materials (1) anhaftenden Fremdmaterialien auf die Beschichtungsschicht (2) und das Beschichtungsmaterial (3) wird vorgeschlagen, zumindest einen Bereich des zu beschichtenden Materials (1) mit einer Atmosphäre geringen Drucks, vorzugsweise mit Vakuum, bereits vor dem Ausbilden der Schicht (2) zu beaufschlagen, um anhaftende Fremdmaterialien zumindest teilweise zu entfernen und insbesondere Kavitäten (7) mit einem Beschichtungsmaterial (3) zu befüllen.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Bei vielen Materialien, Materialkombinationen oder -anordnun gen werden zur Veredelung, zum Schutze oder im Rahmen eines Weiterverarbeitungsprozesses Beschichtungsmaterialien aufge bracht. So ist es zum Beispiel üblich, bei Substraten, welche der Aufnahme, dem Haltern und/oder der Verschaltung von Schaltungsanordnungen dienen - zum Beispiel bei Halbleitermo dulen auf sogenannten DCB-Substraten - auf der entstandenen Struktur, die schichtartig aus einem Trägermaterial und einem Kontaktmaterial aufgebaut sein kann, zum Beispiel in Form von Kupfer auf einem keramischen Träger, eine zusätzliche Schicht eines Beschichtungsmaterials zumindest teilweise auf den freien Oberflächen vorzusehen, um zum Beispiel an bestimmten Kantenbereichen von Leitern eine notwendige elektrische Iso lation verschiedener leitfähiger Komponenten gegeneinander zu bewirken.

Ein grundsätzliches Problem bei einer derartigen Beschichtung ist, dass das zu beschichtende Material aufgrund seiner vor herigen Exposition an einer bestimmten Umgebungsatmosphäre bestimmte Atmosphärenanteile an seiner Oberfläche durch Phy siosorption und/oder durch Chemisorption gebunden aufweist. Insbesondere sind auf der Oberfläche des zu beschichtenden Materials auch immer gewisse Unebenheiten, Rauhigkeiten und/oder Kavitäten vorhanden, wo sich bevorzugt auch entspre chende Atmosphärenanteile oder weitere Materialien als Fremd materialien in der beschriebenen Art und Weise anlagern kön nen.

Diese Fremdmaterialien sind u. U. problematisch, weil sich aufgrund der thermischen Wechselbelastung des dann beschichteten Materials, insbesondere im wesentlichen fluide und/oder gasförmige Fremdmaterialien auf der Oberfläche aufgrund ihrer thermischen Eigenschaften negativ bemerkbar machen, indem sie auch gerade auf denjenigen Oberflächenbereichen des beschich teten Materials eine thermische Ausdehnung zeigen, welche be reits mit dem Beschichtungsmaterial überzogen sind. Aufgrund der wechselnden thermischen Ausdehnung wird dann die Lage des Beschichtungsmaterials mechanisch belastet, zum Beispiel da durch, dass abhängig von der jeweiligen Umgebungstemperatur sich unterhalb der Lage Beschichtungsmaterial eine Gasblase oder Fluidbereich variierenden Volumens bildet. Aufgrund der wechselnden mechanischen Belastung des Beschichtungsmaterials können Deformationen oder Defekte, z. B. Risse, Brüche oder dergleichen, im Beschichtungsmaterial entstehen, wodurch die isolierende Wirkung und/oder der dielektrische Einfluß des Beschichtungsmaterials auf die umgebenden elektrischen Felder verändert werden.

Gerade im Bereich der Leistungshalbleitermodule muß darauf geachtet werden, dass eine zum Beispiel auf einem DCB-Sub strat aufgebrachte Isolationsbeschichtung die umgebenden elektrischen Felder möglichst gleichbleibend, insbesondere möglichst wenig, beeinflußt und darüber hinaus die notwendige Isolation verschiedener leitfähiger Substratkomponenten auf dem Träger nicht dadurch vermindert wird, dass in der Isola tion Brüche, Risse oder andere Defekte entstehen.

Zur Vermeidung dieser Probleme wurde vorgeschlagen, nach dem Ausbilden einer Schicht eines Beschichtungsmaterials zumin dest auf einem Teil der Oberfläche des zu beschichtenden Ma terials zumindest Bereiche des dann beschichteten Materials mit einer Atmosphäre geringen Drucks, insbesondere also mit einem Vakuum, zu beaufschlagen. Diese Maßnahme soll bewirken, dass die auf der Oberfläche, insbesondere in Kavitäten ange lagerten Fremdmaterialien, aufgrund der Druckabsenkung ihre Bindung zur Oberfläche des beschichteten Materials zumindest teilweise aufgeben, in die Schicht des Beschichtungsmaterials eindringen und dann vorzugsweise auf der vom beschichteten Material abgewandten Seite der Beschichtungsschicht in die Umgebung abgegeben werden, so daß zwischen Beschichtungsmate rial und beschichtetem Material keine Fluid- und/oder Gasvo lumina mit thermisch variierender Ausdehnung verbleiben. Es ist aber bekannt, dass diese herkömmliche Maßnahme gerade im Bereich der Leistungshalbleiterelektronik, wo größere thermische Wechsellasten zu verzeichnen sind, ein derartiges Vorgehen oft nicht ausreichend ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Beschichten anzugeben, bei welchem der Einfluß von Fremdmate rialien auf die Beschichtungsschicht bei geringem Aufwand be sonders verläßlich vermieden werden kann.

Die Aufgabe wird durch ein gattungsgemäßes Verfahren zum Be schichten erfindungsgemäß mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des er findungsgemäßen Verfahrens zum Beschichten sind Gegenstand der abhängigen Unteransprüche.

Beim gattungsgemäßen Verfahren zum Beschichten eines im we sentlichen festen Materials wird eine Schicht mindestens ei nes Beschichtungsfluids, welches zumindest ein Beschichtungs material und/oder einen Ausgangs-, Hilfs- und/oder Zu satzstoff dafür enthält, auf zumindest einem Teil der Ober fläche des zu beschichtenden Materials ausgebildet. Ferner wird zumindest ein Bereich des zu beschichtenden Materials mit einer Atmosphäre geringen Drucks, vorzugsweise mit Vaku um, beaufschlagt, um, insbesondere zumindest teilweise phy sio- und/oder chemisorbierte, Fremdmaterialien oder der gleichen von der Oberfläche des Materials und/oder Bereichen, insbesondere Kavitäten, davon zumindest teilweise zu entfer nen.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Beschichten eines im we sentlichen festen Materials sieht vor, dass das Beaufschlagen mit einer Atmosphäre geringen Drucks, insbesondere mit Va kuum, vor dem Ausbilden der Schicht des Beschichtungsfluids auf dem zu beschichtenden Material erfolgt. Dadurch wird ge genüber Verfahren aus dem Stand der Technik erreicht, dass der beaufschlagte geringe Druck, insbesondere also das Va kuum, auf die adsorbierten Fremdmaterialien auf der Oberflä che des zu beschichtenden Materials direkt wirkt. Im Stand der Technik dagegen sind die Fremdmaterialien bereits von dem Beschichtungsfluid zumindest teilweise abgedeckt und somit quasi geschützt. Durch das erfindungsgemäße Vorgehen wird er reicht, dass ein weitaus größerer Anteil der angelagerten Fremdmaterialien bereits vor dem Aufbringen des Beschich tungsfluids aus den Anhaftungsbereichen des zu beschichtenden Materials abgelöst werden, wodurch darüber hinaus auch eine Kontamination des Beschichtungsfluids und insbesondere des Beschichtungsmaterials mit den Fremdmaterialien vermieden wird.

In diesem Zusammenhang wird unter Fremdmaterial immer auch die umgebende Atmosphäre, insbesondere Luft, verstanden. Es sollen auch Fremdmaterialschichten entfernt werden, die nicht direkt anhaften, sondern nur mittelbar im Oberflächenbereich vorliegen.

Vorteilhafterweise wird das Beschichtungsfluid durch zumin dest teilweises Tauchen, Bestreichen, Besprühen, Begießen oder dergleichen auf dem zu beschichtenden Material aufge bracht.

Des weiteren werden als Beschichtungsfluid eine Flüssigkeit, ein Gas, ein Dampf, ein Nebel, ein Gel, eine Paste, eine Sus pension oder dergleichen bevorzugt. Sämtliche dieser Be schichtungsfluide enthalten z. B. zumindest einen Ausgangs-, Hilfs- und/oder Zusatzstoff für das Beschichtungsmaterial oder das Beschichtungsmaterial selbst.

Es kann zum Beispiel daran gedacht sein, dass das Beschich tungsmaterial selbst in einem Lösungsmittel aufgelöst ist und somit das Gemisch aus Lösungsmittel und gelöstem Beschich tungsstoff das Beschichtungsfluid bildet. Andererseits kann auch daran gedacht sein, dass in einem Trägerstoff, welcher auch als Lösungsmittel aufgefaßt werden kann, ein Ausgangs-, Hilfs- und/oder Zusatzstoff für das Beschichtungsmaterial enthalten ist, der sich dann nach einer gewissen Zeit nach dem Aufbringen des Beschichtungsfluids und/oder nach Exposi tion oder Beigabe weiterer Stoffanteile oder durch Strahlung in das eigentliche Beschichtungsmaterial umwandelt. Denkbar ist zum Beispiel eine Variante, bei der der Ausgangs-, Hilfs- und/oder Zusatzstoff in einem Lösungsmittel aufgebracht wird und sich dann nach Verdampfen des Lösungsmittels bei Exposi tion an Luftsauerstoff in das eigentliche Beschichtungsmate rial umwandelt.

Die Zielrichtung des Vermeidens von mechanischen, elektri schen und Isolationsproblemen durch Fremdmaterial-/Gasein schlüsse wird besonders vorteilhaft dadurch erreicht, dass vor, während und/oder nach dem Beaufschlagen mit niedrigem Druck, insbesondere mit Vakuum, zumindest Teile des zu be schichtenden Materials gereinigt werden, insbesondere mit Lö sungsmitteln, durch Sputtern und/oder durch Ausheizen oder dergleichen.

Ein typischer Reinigungsvorgang kann also zum Beispiel darin bestehen, dass nach dem Ausbilden eines Trägers, welcher nach der Beschichtung eine Schaltungsanordnung aufnehmen soll, der Träger selbst mit einem organischen Lösungsmittel gespült wird. Nachfolgend kann dann mit der Evakuierung, also dem Be aufschlagen mit Vakuum, begonnen werden, wobei dann auch Lö sungsmittelreste von der Oberfläche und aus den Kavitäten ausgedampft werden. Dies wird dadurch beschleunigt, dass der Träger gleichzeitig aufgeheizt wird, wobei natürlich den ent sprechenden Materialeigenschaften - insbesondere also z. B. der Anhaftungseigenschaft des Leitersubstrats auf dem kerami schen Trägersubstrat - Rechnung getragen werden muß. Während des Aufheizens oder danach kann dann unter Beibehaltung des Vakuums die Oberfläche gesputtert werden, zum Beispiel mit einer Argonatmosphäre bei geringem Druck.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfin dungsgemäßen Verfahrens zum Beschichten erfolgt das Ausbilden einer Schicht eines Beschichtungsfluids unter einer Atmo sphäre geringeren Drucks, insbesondere unter Vakuum. Das heißt, dass das Beaufschlagen mit einer Atmosphäre geringeren Drucks zwar vor dem Ausbilden einer Schicht eines Beschich tungsfluids beginnt, dass aber der geringere Druck während des eigentlichen Beschichtungsvorgangs aufrechterhalten blei ben kann.

Grundsätzlich kann auch daran gedacht werden, eine erste At mosphäre geringeren Drucks zum Entleeren der Kavitäten und zum Ablösen der Fremdmaterialien auf dem zu beschichtenden Material zu ersetzen durch eine andere zweite Atmosphäre ge ringen oder geringeren Drucks und/oder durch andere Druckbe dingungen.

Ferner ist es bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Beschichten vorgesehen, dass nach dem Ausbilden einer Schicht eines Beschichtungs fluids der Druck, insbesondere der Umgebungsdruck auf die ausgebildete Schicht, erhöht wird, um das Beschichtungsfluid an die Oberfläche des zu beschichtenden Materials, insbeson dere in die Kavitäten davon, zu pressen. Dadurch wird er reicht, dass keine Hohlräume unter der ausgebildeten Schicht bestehen bleiben, in welche dann zu einem späteren Zeitpunkt, zum Beispiel im Rahmen eines Alterungsprozesses, Beschich tungsmaterial nachsackt und sich somit zu einem späteren Zeitpunkt Formänderungen und damit mögliche andere Risse oder andere Defekte in der ausgebildeten Schicht ergeben.

Obwohl das beschriebene erfindungsgemäße Verfahren bereits gewinnbringend und mit Vorteil gegenüber dem Stand der Tech nik beim Ausbilden einer einzigen Schicht angewandt werden kann, ist es besonders vorteilhaft, wenn die Schritte des Reinigens, des Ausbildens einer Schicht eines Beschichtungs fluids und/oder der Schritt des Beaufschlagens mit einem niedrigen/hohen Druck zumindest zum Teil mehrfach insbesonde re iterativ nacheinander, ausgeführt werden, um insbesondere mehrere Schichten übereinander und/oder in verschiedenen Bereichen auf dem zu beschichtenden Material auszubilden. Auch können mehrere unabhängige Reinigungsvorgänge vorgesehen sein, um besonders reine Oberflächenstrukturen für den Be schichtungsvorgang vorzusehen.

Besonders vorteilhaft gestaltet sich das erfindungsgemäße Verfahren zum Beschichten, wenn zunächst eine erste Schicht eines ersten Beschichtungsfluids, insbesondere unter Vakuum bedingungen, aufgebracht wird, um die Kavitäten des zu be schichtenden Materials zu füllen. Nachfolgend wird dann eine zweite Schicht eines zweiten Beschichtungsfluids, insbeson dere ebenfalls unter Vakuumbedingungen, aufgebracht. Dabei wird das erste Beschichtungsfluid so gewählt, dass es mit dem zweiten Beschichtungsfluid chemisch und/oder physikalisch kompatibel oder verträglich ist, insbesondere um sich mit diesem zu mischen und/oder zu verbinden.

Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn als erstes Beschich tungsfluid ein flüchtiges Lösungsmittel gewählt wird, welches insbesondere das Beschichtungsmedium und/oder das zweite Be schichtungsfluid löst. Dadurch wird eine besonders gute Durchmischung erreicht und eine Phasenseparation beim Ausbil den der Schicht vermieden. Bevorzugt wird dabei das flüchtige Lösungsmittel als erstes Beschichtungsfluid nach dem Aufbrin gen der zweiten Schicht durch Erwärmen ausgeheizt.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand einer Zeichnung auf der Grundlage bevorzugter Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Beschichten näher erläutert. In dieser zeigt:

Fig. 1 einen Träger, welcher mit einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens beschichtet wur de, und

Fig. 2 ein Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Beschichten.

Fig. 1 verdeutlicht, wie das erfindungsgemäße Verfahren zum Beschichten tatsächlich angewandt wird.

Das zu beschichtende Material 1 besteht in diesem Fall aus einem in drei Schichten aufgebauten DCB-Substrat 10 mit einem zentralen keramischen Träger 11, einer oberen Metallisie- rungsschicht 12, zum Beispiel aus Kupfer, welche der Aufnah me, Kontaktierung und Verschaltung elektronischer Schaltungs anordnungen dient, und eine untere Metallisierungsschicht 13 aufweist, welche im Betrieb dem Entwärmen der gesamten Anordnung dient.

Da die obere Metallisierungsschicht 12 der Aufnahme, Kontak tierung und Verschaltung elektronischer Bauteile dient, müs sen benachbarte Bereiche der oberen Metallisierungsschicht 12 und auch die Metallisierungsschicht 12 gegen die Metallisie rungsschicht 13 elektrisch gegeneinander isoliert werden. Da zu ist im Randbereich 14 eines Bereichs der Metallisie rungsschicht 12 eine Schicht 2 eines Beschichtungsmaterials 3 aufgebracht. Problematisch gestaltet sich dabei, dass gerade auch in den Randbereichen Kavitäten 7 in der oberen Metalli sierungsschicht 12, im keramischen Träger 11 oder an deren Grenzfläche 15 auftreten. In dem vorliegenden Fall ist die Kavität 7 im Bereich der Grenzfläche 15 zwischen oberer Me tallisierungsschicht 12 und dem keramischen Träger 11 des DCB-Substrats 10 ausgebildet und durch das erfindungsgemäße Verfahren zum Beschichten bereits auch mit dem Beschichtungsmaterial 3 der Schicht 2 gefüllt, so dass dort keine Fremdma terialien, insbesondere keine Gase, welche starke thermische Wechselbelastung auf die Schicht 2 ausüben können, vorliegen.

Fig. 2 zeigt in Form eines schematischen Blockdiagramms den Ablauf eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Ver fahrens zum Beschichten.

In der Startphase des Schritts S1 werden die Vorbereitungen für das Beschichtungsverfahren getroffen, das heißt, der Trä ger oder das zu beschichtende Material wird bereitgestellt, gehaltert und fixiert sowie in einen entsprechenden Prozeß raum eingebracht, welcher von der Umgebung abgeschlossen wer den kann.

Im Schritt S2 wird die Oberfläche des Trägers zunächst durch Spülen mit einem Lösungsmittel grob vorgereinigt. Dieser Schritt ist grundsätzlich optional.

Im Schritt S3 wird der Prozeßraum mit einer Schutzgasatmos phäre, zum Beispiel einem Edelgas, gefüllt und dann nachfol gend evakuiert und geheizt, um die Fremdmaterialien und Ver unreinigungen auf der Oberfläche des zu beschichtenden Mate rials oder des Trägers abzulösen und zu entfernen, insbeson dere in den Kavitäten der Oberfläche.

Im Schritt S4 wird unter Beibehaltung des Vakuums und gegebe nenfalls des geheizten Zustandes die erste Schicht eines er sten Beschichtungsmaterials, nämlich eines Lösungsmittels, aufgebracht.

Danach wird im Schritt S5 der Druck erhöht, um das erste Be schichtungsfluid in die Kavität zu pressen.

Im nachfolgenden Schritt S6 wird dann eine zweite Schicht ei nes zweiten Beschichtungsfluids, welches das Beschichtungs material als solches in Lösung enthält, aufgebracht.

Danach wird im Schritt S7 und nach einer gewissen Phase des Zuwartens nochmals evakuiert und geheizt, um die Lösungsmit tel abzudampfen und ein Festwerden des eigentlichen Beschich tungsmaterials zu erreichen.

Im folgenden Schritt S8 der Endphase wird der fertig be schichtete Träger entnommen.

Vor, während und/oder nach jedem Prozeßschritt können grund sätzlich die Atmosphäre geändert und/oder der Druck erhöht oder gesenkt werden.

Bezugszeichenliste

1

Träger, zu beschichtendes Material

2

Schicht

3

Beschichtungsmaterial

4

Beschichtungsfluid

5

Fremdmaterial

6

Oberfläche

7

Kavität

10

Träger

11

keramisches Trägermaterial

12

obere Metallisierungsschicht

13

untere Metallisierungsschicht

14

Rand-/Kantenbereich

15

Grenzfläche obere Metallisierungsschicht/keramischer Träger

Claims

1. Verfahren zum Beschichten eines im wesentlichen festen Ma terials (1), mit den Schritten:

- Ausbilden einer Schicht (2) mindestens eines Beschichtungs fluids (4), welches zumindest ein Beschichtungsmaterial (3) und/oder einen Ausgangs-, Hilfs- oder Zusatzstoff dafür ent hält, auf mindestens einem Teil der Oberfläche des zu be schichtenden Materials (1) und
- Beaufschlagen zumindest eines Bereichs des Materials (1) mit einer Atmosphäre geringen Drucks, vorzugsweise mit Va kuum, um, insbesondere zumindest teilweise physio- und/oder chemisorbierte, Fremdmaterialien (5) oder dergleichen von der Oberfläche (6) des Materials (1) und/oder Bereichen, insbe sondere Kavitäten (7), davon zumindest teilweise zu entfer nen,

dadurch gekennzeichnet, dass das Beaufschlagen einer Atmosphäre geringen Drucks, ins besondere mit Vakuum, vor dem Ausbilden der Schicht (2) des Beschichtungsfluids (4) auf dem zu beschichtenden Material (1) erfolgt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichtungsfluid (4) durch zumindest teilweises Tauchen, Bestreichen, Besprühen, Begießen oder dergleichen aufgebracht wird.

3. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Beschichtungsfluid (4) eine Flüssigkeit, ein Gas, Dampf, Nebel, Gel, Paste, Suspension oder dergleichen gewählt wird.

4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vor, während und/oder nach dem Beaufschlagen mit niedri gem Druck zumindest die zu beschichtenden Bereiche gereinigt werden, insbesondere mit Lösungsmitteln, durch Sputtern, durch Ausheizen und/oder dergleichen.

5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausbilden einer Schicht (2) eines Beschichtungs fluids (4) unter einer Atmosphäre geringen Drucks, insbeson dere unter Vakuum, erfolgt.

6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Ausbilden einer Schicht (2) eines Beschich tungsfluids (4) der Druck, insbesondere der Umgebungsdruck auf die ausgebildete Schicht (2) erhöht wird, um das Be schichtungsfluid (4) an die Oberfläche (6) des zu beschich tenden Materials (1), insbesondere in Kavitäten (7) davon, zu pressen.

7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schritte des Reinigens, des Ausbildens einer Schicht (2) eines Beschichtungsfluids (4) und/oder des Beaufschlagens mit niedrigem/hohem Druck zumindest zum Teil mehrfach, insbe sondere aufeinanderfolgend, ausgeführt werden, um insbeson dere auch mehrere Schichten (2) übereinander und/oder an ver schiedenen Bereichen auf dem zu beschichtenden Material (1) auszubilden.

8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
dass zunächst eine erste Schicht (2) eines ersten Beschich tungsfluids (4), insbesondere unter Vakuum, aufgebracht wird, insbesondere um Kavitäten (7) in der Oberfläche (6) des zu beschichtenden Materials (1) zu füllen,
dass dann eine zweite Schicht (2) eines zweiten Beschich tungsfluids (4), insbesondere unter Vakuum, aufgebracht wird und
dass das erste Beschichtungsfluid (4) so gewählt wird, dass es mit dem zweiten Beschichtungsfluid (4) chemisch und/oder physikalisch kompatibel ist, um sich insbesondere mit diesem zu mischen und/oder zu verbinden.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass als erstes Beschichtungsfluid (4) ein flüchtiges Lö sungsmittel gewählt wird, welches insbesondere das zweite Be schichtungsfluid (4) und/oder das Beschichtungsmedium (3) löst.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das flüchtige Lösungsmittel nach Aufbringen der zweiten Schicht ausgeheizt wird, insbesondere unter einer Atmosphäre geringen oder höheren Drucks, vorzugsweise unter Vakuum.

11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vor, während und/oder nach jedem Verfahrensschritt die Atmosphäre geändert oder konstant gehalten und/oder der Druck erhöht, gesenkt und/oder konstant gehalten werden.