DE10024373A1 - Verfahren zum Beschichten - Google Patents
Verfahren zum BeschichtenInfo
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Abstract
Zur verlässlichen Vermeidung des Einflusses von an der Oberfläche eines zu beschichtenden Materials (1) anhaftenden Fremdmaterialien auf die Beschichtungsschicht (2) und das Beschichtungsmaterial (3) wird vorgeschlagen, zumindest einen Bereich des zu beschichtenden Materials (1) mit einer Atmosphäre geringen Drucks, vorzugsweise mit Vakuum, bereits vor dem Ausbilden der Schicht (2) zu beaufschlagen, um anhaftende Fremdmaterialien zumindest teilweise zu entfernen und insbesondere Kavitäten (7) mit einem Beschichtungsmaterial (3) zu befüllen.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten gemäß
dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bei vielen Materialien, Materialkombinationen oder -anordnun
gen werden zur Veredelung, zum Schutze oder im Rahmen eines
Weiterverarbeitungsprozesses Beschichtungsmaterialien aufge
bracht. So ist es zum Beispiel üblich, bei Substraten, welche
der Aufnahme, dem Haltern und/oder der Verschaltung von
Schaltungsanordnungen dienen - zum Beispiel bei Halbleitermo
dulen auf sogenannten DCB-Substraten - auf der entstandenen
Struktur, die schichtartig aus einem Trägermaterial und einem
Kontaktmaterial aufgebaut sein kann, zum Beispiel in Form von
Kupfer auf einem keramischen Träger, eine zusätzliche Schicht
eines Beschichtungsmaterials zumindest teilweise auf den
freien Oberflächen vorzusehen, um zum Beispiel an bestimmten
Kantenbereichen von Leitern eine notwendige elektrische Iso
lation verschiedener leitfähiger Komponenten gegeneinander zu
bewirken.
Ein grundsätzliches Problem bei einer derartigen Beschichtung
ist, dass das zu beschichtende Material aufgrund seiner vor
herigen Exposition an einer bestimmten Umgebungsatmosphäre
bestimmte Atmosphärenanteile an seiner Oberfläche durch Phy
siosorption und/oder durch Chemisorption gebunden aufweist.
Insbesondere sind auf der Oberfläche des zu beschichtenden
Materials auch immer gewisse Unebenheiten, Rauhigkeiten
und/oder Kavitäten vorhanden, wo sich bevorzugt auch entspre
chende Atmosphärenanteile oder weitere Materialien als Fremd
materialien in der beschriebenen Art und Weise anlagern kön
nen.
Diese Fremdmaterialien sind u. U. problematisch, weil sich
aufgrund der thermischen Wechselbelastung des dann beschichteten
Materials, insbesondere im wesentlichen fluide und/oder
gasförmige Fremdmaterialien auf der Oberfläche aufgrund ihrer
thermischen Eigenschaften negativ bemerkbar machen, indem sie
auch gerade auf denjenigen Oberflächenbereichen des beschich
teten Materials eine thermische Ausdehnung zeigen, welche be
reits mit dem Beschichtungsmaterial überzogen sind. Aufgrund
der wechselnden thermischen Ausdehnung wird dann die Lage des
Beschichtungsmaterials mechanisch belastet, zum Beispiel da
durch, dass abhängig von der jeweiligen Umgebungstemperatur
sich unterhalb der Lage Beschichtungsmaterial eine Gasblase
oder Fluidbereich variierenden Volumens bildet. Aufgrund der
wechselnden mechanischen Belastung des Beschichtungsmaterials
können Deformationen oder Defekte, z. B. Risse, Brüche oder
dergleichen, im Beschichtungsmaterial entstehen, wodurch die
isolierende Wirkung und/oder der dielektrische Einfluß des
Beschichtungsmaterials auf die umgebenden elektrischen Felder
verändert werden.
Gerade im Bereich der Leistungshalbleitermodule muß darauf
geachtet werden, dass eine zum Beispiel auf einem DCB-Sub
strat aufgebrachte Isolationsbeschichtung die umgebenden
elektrischen Felder möglichst gleichbleibend, insbesondere
möglichst wenig, beeinflußt und darüber hinaus die notwendige
Isolation verschiedener leitfähiger Substratkomponenten auf
dem Träger nicht dadurch vermindert wird, dass in der Isola
tion Brüche, Risse oder andere Defekte entstehen.
Zur Vermeidung dieser Probleme wurde vorgeschlagen, nach dem
Ausbilden einer Schicht eines Beschichtungsmaterials zumin
dest auf einem Teil der Oberfläche des zu beschichtenden Ma
terials zumindest Bereiche des dann beschichteten Materials
mit einer Atmosphäre geringen Drucks, insbesondere also mit
einem Vakuum, zu beaufschlagen. Diese Maßnahme soll bewirken,
dass die auf der Oberfläche, insbesondere in Kavitäten ange
lagerten Fremdmaterialien, aufgrund der Druckabsenkung ihre
Bindung zur Oberfläche des beschichteten Materials zumindest
teilweise aufgeben, in die Schicht des Beschichtungsmaterials
eindringen und dann vorzugsweise auf der vom beschichteten
Material abgewandten Seite der Beschichtungsschicht in die
Umgebung abgegeben werden, so daß zwischen Beschichtungsmate
rial und beschichtetem Material keine Fluid- und/oder Gasvo
lumina mit thermisch variierender Ausdehnung verbleiben.
Es ist aber bekannt, dass diese herkömmliche Maßnahme gerade
im Bereich der Leistungshalbleiterelektronik, wo größere
thermische Wechsellasten zu verzeichnen sind, ein derartiges
Vorgehen oft nicht ausreichend ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum
Beschichten anzugeben, bei welchem der Einfluß von Fremdmate
rialien auf die Beschichtungsschicht bei geringem Aufwand be
sonders verläßlich vermieden werden kann.
Die Aufgabe wird durch ein gattungsgemäßes Verfahren zum Be
schichten erfindungsgemäß mit den kennzeichnenden Merkmalen
des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des er
findungsgemäßen Verfahrens zum Beschichten sind Gegenstand
der abhängigen Unteransprüche.
Beim gattungsgemäßen Verfahren zum Beschichten eines im we
sentlichen festen Materials wird eine Schicht mindestens ei
nes Beschichtungsfluids, welches zumindest ein Beschichtungs
material und/oder einen Ausgangs-, Hilfs- und/oder Zu
satzstoff dafür enthält, auf zumindest einem Teil der Ober
fläche des zu beschichtenden Materials ausgebildet. Ferner
wird zumindest ein Bereich des zu beschichtenden Materials
mit einer Atmosphäre geringen Drucks, vorzugsweise mit Vaku
um, beaufschlagt, um, insbesondere zumindest teilweise phy
sio- und/oder chemisorbierte, Fremdmaterialien oder der
gleichen von der Oberfläche des Materials und/oder Bereichen,
insbesondere Kavitäten, davon zumindest teilweise zu entfer
nen.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Beschichten eines im we
sentlichen festen Materials sieht vor, dass das Beaufschlagen
mit einer Atmosphäre geringen Drucks, insbesondere mit Va
kuum, vor dem Ausbilden der Schicht des Beschichtungsfluids
auf dem zu beschichtenden Material erfolgt. Dadurch wird ge
genüber Verfahren aus dem Stand der Technik erreicht, dass
der beaufschlagte geringe Druck, insbesondere also das Va
kuum, auf die adsorbierten Fremdmaterialien auf der Oberflä
che des zu beschichtenden Materials direkt wirkt. Im Stand
der Technik dagegen sind die Fremdmaterialien bereits von dem
Beschichtungsfluid zumindest teilweise abgedeckt und somit
quasi geschützt. Durch das erfindungsgemäße Vorgehen wird er
reicht, dass ein weitaus größerer Anteil der angelagerten
Fremdmaterialien bereits vor dem Aufbringen des Beschich
tungsfluids aus den Anhaftungsbereichen des zu beschichtenden
Materials abgelöst werden, wodurch darüber hinaus auch eine
Kontamination des Beschichtungsfluids und insbesondere des
Beschichtungsmaterials mit den Fremdmaterialien vermieden
wird.
In diesem Zusammenhang wird unter Fremdmaterial immer auch
die umgebende Atmosphäre, insbesondere Luft, verstanden. Es
sollen auch Fremdmaterialschichten entfernt werden, die nicht
direkt anhaften, sondern nur mittelbar im Oberflächenbereich
vorliegen.
Vorteilhafterweise wird das Beschichtungsfluid durch zumin
dest teilweises Tauchen, Bestreichen, Besprühen, Begießen
oder dergleichen auf dem zu beschichtenden Material aufge
bracht.
Des weiteren werden als Beschichtungsfluid eine Flüssigkeit,
ein Gas, ein Dampf, ein Nebel, ein Gel, eine Paste, eine Sus
pension oder dergleichen bevorzugt. Sämtliche dieser Be
schichtungsfluide enthalten z. B. zumindest einen Ausgangs-,
Hilfs- und/oder Zusatzstoff für das Beschichtungsmaterial
oder das Beschichtungsmaterial selbst.
Es kann zum Beispiel daran gedacht sein, dass das Beschich
tungsmaterial selbst in einem Lösungsmittel aufgelöst ist und
somit das Gemisch aus Lösungsmittel und gelöstem Beschich
tungsstoff das Beschichtungsfluid bildet. Andererseits kann
auch daran gedacht sein, dass in einem Trägerstoff, welcher
auch als Lösungsmittel aufgefaßt werden kann, ein Ausgangs-,
Hilfs- und/oder Zusatzstoff für das Beschichtungsmaterial
enthalten ist, der sich dann nach einer gewissen Zeit nach
dem Aufbringen des Beschichtungsfluids und/oder nach Exposi
tion oder Beigabe weiterer Stoffanteile oder durch Strahlung
in das eigentliche Beschichtungsmaterial umwandelt. Denkbar
ist zum Beispiel eine Variante, bei der der Ausgangs-, Hilfs-
und/oder Zusatzstoff in einem Lösungsmittel aufgebracht wird
und sich dann nach Verdampfen des Lösungsmittels bei Exposi
tion an Luftsauerstoff in das eigentliche Beschichtungsmate
rial umwandelt.
Die Zielrichtung des Vermeidens von mechanischen, elektri
schen und Isolationsproblemen durch Fremdmaterial-/Gasein
schlüsse wird besonders vorteilhaft dadurch erreicht, dass
vor, während und/oder nach dem Beaufschlagen mit niedrigem
Druck, insbesondere mit Vakuum, zumindest Teile des zu be
schichtenden Materials gereinigt werden, insbesondere mit Lö
sungsmitteln, durch Sputtern und/oder durch Ausheizen oder
dergleichen.
Ein typischer Reinigungsvorgang kann also zum Beispiel darin
bestehen, dass nach dem Ausbilden eines Trägers, welcher nach
der Beschichtung eine Schaltungsanordnung aufnehmen soll, der
Träger selbst mit einem organischen Lösungsmittel gespült
wird. Nachfolgend kann dann mit der Evakuierung, also dem Be
aufschlagen mit Vakuum, begonnen werden, wobei dann auch Lö
sungsmittelreste von der Oberfläche und aus den Kavitäten
ausgedampft werden. Dies wird dadurch beschleunigt, dass der
Träger gleichzeitig aufgeheizt wird, wobei natürlich den ent
sprechenden Materialeigenschaften - insbesondere also z. B.
der Anhaftungseigenschaft des Leitersubstrats auf dem kerami
schen Trägersubstrat - Rechnung getragen werden muß. Während
des Aufheizens oder danach kann dann unter Beibehaltung des
Vakuums die Oberfläche gesputtert werden, zum Beispiel mit
einer Argonatmosphäre bei geringem Druck.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfin
dungsgemäßen Verfahrens zum Beschichten erfolgt das Ausbilden
einer Schicht eines Beschichtungsfluids unter einer Atmo
sphäre geringeren Drucks, insbesondere unter Vakuum. Das
heißt, dass das Beaufschlagen mit einer Atmosphäre geringeren
Drucks zwar vor dem Ausbilden einer Schicht eines Beschich
tungsfluids beginnt, dass aber der geringere Druck während
des eigentlichen Beschichtungsvorgangs aufrechterhalten blei
ben kann.
Grundsätzlich kann auch daran gedacht werden, eine erste At
mosphäre geringeren Drucks zum Entleeren der Kavitäten und
zum Ablösen der Fremdmaterialien auf dem zu beschichtenden
Material zu ersetzen durch eine andere zweite Atmosphäre ge
ringen oder geringeren Drucks und/oder durch andere Druckbe
dingungen.
Ferner ist es bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Beschichten vorgesehen,
dass nach dem Ausbilden einer Schicht eines Beschichtungs
fluids der Druck, insbesondere der Umgebungsdruck auf die
ausgebildete Schicht, erhöht wird, um das Beschichtungsfluid
an die Oberfläche des zu beschichtenden Materials, insbeson
dere in die Kavitäten davon, zu pressen. Dadurch wird er
reicht, dass keine Hohlräume unter der ausgebildeten Schicht
bestehen bleiben, in welche dann zu einem späteren Zeitpunkt,
zum Beispiel im Rahmen eines Alterungsprozesses, Beschich
tungsmaterial nachsackt und sich somit zu einem späteren
Zeitpunkt Formänderungen und damit mögliche andere Risse oder
andere Defekte in der ausgebildeten Schicht ergeben.
Obwohl das beschriebene erfindungsgemäße Verfahren bereits
gewinnbringend und mit Vorteil gegenüber dem Stand der Tech
nik beim Ausbilden einer einzigen Schicht angewandt werden
kann, ist es besonders vorteilhaft, wenn die Schritte des
Reinigens, des Ausbildens einer Schicht eines Beschichtungs
fluids und/oder der Schritt des Beaufschlagens mit einem
niedrigen/hohen Druck zumindest zum Teil mehrfach insbesonde
re iterativ nacheinander, ausgeführt werden, um insbesondere
mehrere Schichten übereinander und/oder in verschiedenen
Bereichen auf dem zu beschichtenden Material auszubilden.
Auch können mehrere unabhängige Reinigungsvorgänge vorgesehen
sein, um besonders reine Oberflächenstrukturen für den Be
schichtungsvorgang vorzusehen.
Besonders vorteilhaft gestaltet sich das erfindungsgemäße
Verfahren zum Beschichten, wenn zunächst eine erste Schicht
eines ersten Beschichtungsfluids, insbesondere unter Vakuum
bedingungen, aufgebracht wird, um die Kavitäten des zu be
schichtenden Materials zu füllen. Nachfolgend wird dann eine
zweite Schicht eines zweiten Beschichtungsfluids, insbeson
dere ebenfalls unter Vakuumbedingungen, aufgebracht. Dabei
wird das erste Beschichtungsfluid so gewählt, dass es mit dem
zweiten Beschichtungsfluid chemisch und/oder physikalisch
kompatibel oder verträglich ist, insbesondere um sich mit
diesem zu mischen und/oder zu verbinden.
Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn als erstes Beschich
tungsfluid ein flüchtiges Lösungsmittel gewählt wird, welches
insbesondere das Beschichtungsmedium und/oder das zweite Be
schichtungsfluid löst. Dadurch wird eine besonders gute
Durchmischung erreicht und eine Phasenseparation beim Ausbil
den der Schicht vermieden. Bevorzugt wird dabei das flüchtige
Lösungsmittel als erstes Beschichtungsfluid nach dem Aufbrin
gen der zweiten Schicht durch Erwärmen ausgeheizt.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand einer Zeichnung auf der
Grundlage bevorzugter Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen
Verfahrens zum Beschichten näher erläutert. In dieser
zeigt:
Fig. 1 einen Träger, welcher mit einer Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens beschichtet wur
de, und
Fig. 2 ein Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels des
erfindungsgemäßen Verfahrens zum Beschichten.
Fig. 1 verdeutlicht, wie das erfindungsgemäße Verfahren zum
Beschichten tatsächlich angewandt wird.
Das zu beschichtende Material 1 besteht in diesem Fall aus
einem in drei Schichten aufgebauten DCB-Substrat 10 mit einem
zentralen keramischen Träger 11, einer oberen Metallisie-
rungsschicht 12, zum Beispiel aus Kupfer, welche der Aufnah
me, Kontaktierung und Verschaltung elektronischer Schaltungs
anordnungen dient, und eine untere Metallisierungsschicht 13
aufweist, welche im Betrieb dem Entwärmen der gesamten
Anordnung dient.
Da die obere Metallisierungsschicht 12 der Aufnahme, Kontak
tierung und Verschaltung elektronischer Bauteile dient, müs
sen benachbarte Bereiche der oberen Metallisierungsschicht 12
und auch die Metallisierungsschicht 12 gegen die Metallisie
rungsschicht 13 elektrisch gegeneinander isoliert werden. Da
zu ist im Randbereich 14 eines Bereichs der Metallisie
rungsschicht 12 eine Schicht 2 eines Beschichtungsmaterials 3
aufgebracht. Problematisch gestaltet sich dabei, dass gerade
auch in den Randbereichen Kavitäten 7 in der oberen Metalli
sierungsschicht 12, im keramischen Träger 11 oder an deren
Grenzfläche 15 auftreten. In dem vorliegenden Fall ist die
Kavität 7 im Bereich der Grenzfläche 15 zwischen oberer Me
tallisierungsschicht 12 und dem keramischen Träger 11 des
DCB-Substrats 10 ausgebildet und durch das erfindungsgemäße
Verfahren zum Beschichten bereits auch mit dem Beschichtungsmaterial
3 der Schicht 2 gefüllt, so dass dort keine Fremdma
terialien, insbesondere keine Gase, welche starke thermische
Wechselbelastung auf die Schicht 2 ausüben können, vorliegen.
Fig. 2 zeigt in Form eines schematischen Blockdiagramms den
Ablauf eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Ver
fahrens zum Beschichten.
In der Startphase des Schritts S1 werden die Vorbereitungen
für das Beschichtungsverfahren getroffen, das heißt, der Trä
ger oder das zu beschichtende Material wird bereitgestellt,
gehaltert und fixiert sowie in einen entsprechenden Prozeß
raum eingebracht, welcher von der Umgebung abgeschlossen wer
den kann.
Im Schritt S2 wird die Oberfläche des Trägers zunächst durch
Spülen mit einem Lösungsmittel grob vorgereinigt. Dieser
Schritt ist grundsätzlich optional.
Im Schritt S3 wird der Prozeßraum mit einer Schutzgasatmos
phäre, zum Beispiel einem Edelgas, gefüllt und dann nachfol
gend evakuiert und geheizt, um die Fremdmaterialien und Ver
unreinigungen auf der Oberfläche des zu beschichtenden Mate
rials oder des Trägers abzulösen und zu entfernen, insbeson
dere in den Kavitäten der Oberfläche.
Im Schritt S4 wird unter Beibehaltung des Vakuums und gegebe
nenfalls des geheizten Zustandes die erste Schicht eines er
sten Beschichtungsmaterials, nämlich eines Lösungsmittels,
aufgebracht.
Danach wird im Schritt S5 der Druck erhöht, um das erste Be
schichtungsfluid in die Kavität zu pressen.
Im nachfolgenden Schritt S6 wird dann eine zweite Schicht ei
nes zweiten Beschichtungsfluids, welches das Beschichtungs
material als solches in Lösung enthält, aufgebracht.
Danach wird im Schritt S7 und nach einer gewissen Phase des
Zuwartens nochmals evakuiert und geheizt, um die Lösungsmit
tel abzudampfen und ein Festwerden des eigentlichen Beschich
tungsmaterials zu erreichen.
Im folgenden Schritt S8 der Endphase wird der fertig be
schichtete Träger entnommen.
Vor, während und/oder nach jedem Prozeßschritt können grund
sätzlich die Atmosphäre geändert und/oder der Druck erhöht
oder gesenkt werden.
1
Träger, zu beschichtendes Material
2
Schicht
3
Beschichtungsmaterial
4
Beschichtungsfluid
5
Fremdmaterial
6
Oberfläche
7
Kavität
10
Träger
11
keramisches Trägermaterial
12
obere Metallisierungsschicht
13
untere Metallisierungsschicht
14
Rand-/Kantenbereich
15
Grenzfläche obere Metallisierungsschicht/keramischer
Träger
Claims (11)
1. Verfahren zum Beschichten eines im wesentlichen festen Ma
terials (1), mit den Schritten:
- - Ausbilden einer Schicht (2) mindestens eines Beschichtungs fluids (4), welches zumindest ein Beschichtungsmaterial (3) und/oder einen Ausgangs-, Hilfs- oder Zusatzstoff dafür ent hält, auf mindestens einem Teil der Oberfläche des zu be schichtenden Materials (1) und
- - Beaufschlagen zumindest eines Bereichs des Materials (1) mit einer Atmosphäre geringen Drucks, vorzugsweise mit Va kuum, um, insbesondere zumindest teilweise physio- und/oder chemisorbierte, Fremdmaterialien (5) oder dergleichen von der Oberfläche (6) des Materials (1) und/oder Bereichen, insbe sondere Kavitäten (7), davon zumindest teilweise zu entfer nen,
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Beschichtungsfluid (4) durch zumindest teilweises
Tauchen, Bestreichen, Besprühen, Begießen oder dergleichen
aufgebracht wird.
3. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass als Beschichtungsfluid (4) eine Flüssigkeit, ein Gas,
Dampf, Nebel, Gel, Paste, Suspension oder dergleichen gewählt
wird.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass vor, während und/oder nach dem Beaufschlagen mit niedri
gem Druck zumindest die zu beschichtenden Bereiche gereinigt
werden, insbesondere mit Lösungsmitteln, durch Sputtern,
durch Ausheizen und/oder dergleichen.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Ausbilden einer Schicht (2) eines Beschichtungs
fluids (4) unter einer Atmosphäre geringen Drucks, insbeson
dere unter Vakuum, erfolgt.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass nach dem Ausbilden einer Schicht (2) eines Beschich
tungsfluids (4) der Druck, insbesondere der Umgebungsdruck
auf die ausgebildete Schicht (2) erhöht wird, um das Be
schichtungsfluid (4) an die Oberfläche (6) des zu beschich
tenden Materials (1), insbesondere in Kavitäten (7) davon, zu
pressen.
7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Schritte des Reinigens, des Ausbildens einer Schicht
(2) eines Beschichtungsfluids (4) und/oder des Beaufschlagens
mit niedrigem/hohem Druck zumindest zum Teil mehrfach, insbe
sondere aufeinanderfolgend, ausgeführt werden, um insbeson
dere auch mehrere Schichten (2) übereinander und/oder an ver
schiedenen Bereichen auf dem zu beschichtenden Material (1)
auszubilden.
8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass zunächst eine erste Schicht (2) eines ersten Beschich tungsfluids (4), insbesondere unter Vakuum, aufgebracht wird, insbesondere um Kavitäten (7) in der Oberfläche (6) des zu beschichtenden Materials (1) zu füllen,
dass dann eine zweite Schicht (2) eines zweiten Beschich tungsfluids (4), insbesondere unter Vakuum, aufgebracht wird und
dass das erste Beschichtungsfluid (4) so gewählt wird, dass es mit dem zweiten Beschichtungsfluid (4) chemisch und/oder physikalisch kompatibel ist, um sich insbesondere mit diesem zu mischen und/oder zu verbinden.
dass zunächst eine erste Schicht (2) eines ersten Beschich tungsfluids (4), insbesondere unter Vakuum, aufgebracht wird, insbesondere um Kavitäten (7) in der Oberfläche (6) des zu beschichtenden Materials (1) zu füllen,
dass dann eine zweite Schicht (2) eines zweiten Beschich tungsfluids (4), insbesondere unter Vakuum, aufgebracht wird und
dass das erste Beschichtungsfluid (4) so gewählt wird, dass es mit dem zweiten Beschichtungsfluid (4) chemisch und/oder physikalisch kompatibel ist, um sich insbesondere mit diesem zu mischen und/oder zu verbinden.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
dass als erstes Beschichtungsfluid (4) ein flüchtiges Lö
sungsmittel gewählt wird, welches insbesondere das zweite Be
schichtungsfluid (4) und/oder das Beschichtungsmedium (3)
löst.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
dass das flüchtige Lösungsmittel nach Aufbringen der zweiten
Schicht ausgeheizt wird, insbesondere unter einer Atmosphäre
geringen oder höheren Drucks, vorzugsweise unter Vakuum.
11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass vor, während und/oder nach jedem Verfahrensschritt die
Atmosphäre geändert oder konstant gehalten und/oder der Druck
erhöht, gesenkt und/oder konstant gehalten werden.
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