DE10014659A1 - Halbleiterschaltungsanordnung und entsprechende Herstellungsverfahren - Google Patents

Halbleiterschaltungsanordnung und entsprechende Herstellungsverfahren

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Abstract

Die vorliegende Erfindung schafft eine Halbleiterschaltungsanordnung mit einem Substrat (10, 15) des ersten Leitungstyps (p); und einem vorderseitig des Substrats (10, 15) vorgesehenen Bauelementbereich (20) mit einer Mehrzahl isolierter Wannen (25, 26, 28) des zweiten Leitungstyps (n); wobei in dem Bauelementbereich (20) mindestens ein Leistungsbauelement mit einem Lastanschluß (25) des zweiten Leitungstyps (n) zum Anschluß einer Last vorgesehen ist. Das Substrat (10, 15) weist eine Rekombinationszone (RZ) für die Rekombination von vom Lastanschluß (25) in das Substrat (10, 15) injizierten Minoritätsträgern auf.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterschaltungs­ anordnung mit einem Substrat des ersten Leitungstyps; und ei­ nem vorderseitig auf dem Substrat vorgesehenen Bauelementbe­ reich mit einer Mehrzahl isolierter Wannen des zweiten Lei­ tungstyps; wobei in dem Bauelementbereich mindestens ein Lei­ stungsbauelement mit einem Lastanschluß des zweiten Lei­ tungstyps zum Anschluß einer Last vorgesehen ist, wie aus der DE 44 11 869 A1 bekannt. Ebenfalls betrifft die Erfindung entsprechende Herstellungsverfahren.
Der Begriff Substrat soll im allgemeinen Sinne verstanden werden und kann daher sowohl einschichtige als auch mehr­ schichtige Substrate umfassen.
Obwohl auf beliebige Halbleiterschaltungsanordnungen anwend­ bar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zu Grunde liegende Problematik in Bezug auf DMOS-Transistoren zum Trei­ ben eines induktiven Lastelements, wie z. B. der Primärwick­ lung einer Zündspule, erläutert.
Das n-Draingebiet eines solchen DMOS-Transistors kann durch Kurzschluß oder die besagte induktive Last auf ein Potential kleiner 0 V gegenüber der p-Isolation bzw. dem p-Substrat ge­ zogen werden. Dadurch gelangt die interne Diode aus dem n- Draingebiet und der p-Isolation bzw. dem p-Substrat in Fluß­ richtung.
Die Elektronen, die vom n-Draingebiet injiziert werden, kön­ nen als sogenannte Substratströme bzw. Querströme über jede n-Wanne abfließen und zu ungewollten Fehlfunktionen in digi­ talen und analogen Schaltungsteilen führen.
Durch schaltungstechnische Maßnahmen ist es möglich, sehr empfindliche Schaltungsteile vor dem Einfluß eines solchen Querstromes zu schützen. In Brückenschaltungen werden die High-Side-Transistoren als Guardringe benutzt, um die Elek­ tronen des injizierenden Low-Side-Transistors herauszuziehen. Diese Methode kann jedoch nicht bei Mehrfach-Low-Side Schal­ tern eingesetzt werden.
Eine weitere Möglichkeit ist es, die empfindlichen Teile der Schaltung möglichst weit entfernt vom injizierenden DMOS- Transistor zu plazieren. Der Elektronenstrom, der die zu schützenden Schaltungsteile erreicht, kann sehr gering sein, da jede gegen einen Querstrom unempfindliche n-Wanne als Guardring dient. Erfahrungsgemäß läßt sich eine Querstromfe­ stigkeit bis zu 2 A bis 4 A erreichen. Um eine Optimierung dieser Layoutvariante zu erzielen, ist jedoch ein hoher Rede­ signaufwand notwendig.
Weiterhin gibt es die Möglichkeit, einen n-dotierten Guard­ ring um den injizierenden DMOS-Transistor zu legen. Der Guar­ dring wirkt als Soll-Kollektor des parasitären NPN- Transistors, welcher das n-Draingebiet des DMOS-Transistors als Emitter, das p-Substrat bzw. die p-Isolation als Basis und jede weitere n-Wanne als Kollektor hat (Multikollektor­ struktur), und sammelt die Elektronen ein. Diese Variante ist nicht effizient, da die Elektronen eine sehr hohe Diffusions­ länge (< 500 µm) besitzen. Die Elektronen, die nicht vom Guardring abgesaugt werden, diffundieren tief in das p- Substrat und können von n-Wannen der empfindlichen Bauelemen­ te abgesaugt werden und dort eine Störung der Funktion verur­ sachen. Um eine hohe Effizienz des Guardrings zu erzielen, muß man entweder einen sehr breiten Guardring wählen oder technologische Maßnahmen ergreifen, die das Eindringen der Elektronen ins p-Substrat verhindern.
Bei einer dieser Varianten wird von einem hochdotierten p- Substrat ausgegangen. Dieses wird mit einer p-dotierten Epitaxieschicht versehen, um die erforderliche Sperrspannung zwischen n-Buried-Layer als Drain und dem p-Substrat aufzu­ nehmen. Durch die Ausdiffusion der p-Substratdotierung in die p-Epitaxieschicht wird ein elektrisches Feld eingebaut, das den Elektronen in Richtung p-Substrat entgegenwirkt. Dadurch können die Elektronen am Guardring effektiv herausgezogen werden. Das Eindringen der Elektronen in das p-Substrat wird hier durch das Driftfeld verhindert. Nachteile dieser Methode sind zum einen der hohe Preis für die Epitaxiescheibe (p+- Substrat/p-Epitaxieschicht) und zum anderen die Notwendigkeit der Rückseitenbehandlung, damit die Ausdiffusion des p- Dotierstoffs, z. B. Bor, aus dem hochdotierten p+-Substrat in den jeweiligen Prozeßreaktor vermieden wird.
Eine weitere Methode geht von einem hochohmigen p-Substrat aus. Im nächsten Prozeßschritt wird ein ganzflächig p- dotierte Schicht eingebracht. Um die Sperrspannung zu gewähr­ leisten, ist nach diesem Schritt das Aufbringen eine Epita­ xieschicht notwendig. Durch die örtliche Abhängigkeit der Ak­ zeptorenkonzentration in vertikaler Richtung wird ein doppel­ tes Driftfeld eingebaut. Das erste elektrische Feld hindert die Elektronen daran, ins p-Substrat einzudringen. Ein Guar­ dring kann dadurch wirksam die Minoritätsträger aus der p- Basis herausziehen. Das zweite elektrische Feld, das dem er­ sten elektrischen Feld entgegengesetzt ist, wirkt den Elek­ tronen entgegen, die in das p-Substrat gelangt sind und über eine n-Wanne eines empfindlichen Bauelementes abfließen könn­ ten. Durch die Doppelwirkung der Driftfelder erreicht man ei­ ne Effektivität, die bei gleicher Anordnung etwa zwei Größen­ ordnungen besser ist als die vorgestellte Variante mit hoch­ dotierten p-Substrat.
Insbesondere offenbart die DE 44 11 869 A1 eine integrierte Schaltungsanordnung zum Treiben eines induktiven Lastelements mit einem Substrat und einer Mehrzahl isolierter Wannen, und mit einem Ausgangsanschluß zum Anschluß einer Last. Als Sub­ strat dienen ein hochdotiertes Substrat mit p-Leitfähigkeit sowie eine darüber aufgebrachte epitaktische Schicht mit p- Leitfähigkeit, in der die Wannen angeordnet sind. Ein n- dotiertes Gebiet ist vorgesehen, das die dem Ausgangsanschluß zugeordnete Wanne lateral umschließt.
Es ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verbesser­ te Halbleiterschaltungsanordnung und ein entsprechendes Her­ stellungsverfahren anzugeben, bei dem die unerwünschten Quer­ ströme noch wirksamer unterdrückt werden können.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die in Anspruch 1 angegebene Halbleiterschaltungsanordnung und die in Anspruch 10 bis 16 angegebenen Herstellungsverfahren gelöst.
Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee besteht darin, daß sich durch Vorsehen von Rekombinationszentren im bzw. am Rand vom Substrat unterhalb der aktiven Bauelemente die Diffusionslänge der injizierten Elektronen stark minimie­ ren läßt. Damit können diese nicht mehr die empfindlichen Schaltungsteile beeinflussen und die unerwünschten Querströme können noch wirksamer unterdrückt werden.
In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildun­ gen und Verbesserungen der in Anspruch 1 angegebenen Halblei­ terschaltungsanordnung.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung weist das Substrat ein Wafersubstrat und eine darauf abgeschiedene Epitaxieschicht jeweils des ersten Leitungstyps auf. Der Bauelementbereich befindet sich in der Epitaxieschicht.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung befindet sich die Rekombinationszone in der Nähe der Grenzfläche zwischen Wafersubstrat und Epitaxieschicht.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist das Sub­ strat einen rückseitig vorgesehenen Spannungsversorgungsanschluß aufweist, der Lastanschluß ein vergrabener Drainan­ schluß eines vertkalen DMOS-Transistors ist, und der Last­ strom zwischen dem Spannungsversorgungsanschluß und dem Lastanschluß führbar ist.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Rekom­ binationszone ganzflächig vorgesehen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Rekom­ binationszone lokal, vorzugsweise ringförmig, im Bereich des Lastanschlusses vorgesehen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist das Grund­ material des Halbleiterschaltungsanordnung Silizium.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind in der Rekombinationszone ein Fremdstoff oder Fehlstellen einge­ bracht.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der erste Leitungstyp der p-Typ und der zweite Leitungstyp der n-Typ.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er­ läutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Halbleiter­ schaltungsanordnung als Ausführungsform der vorlie­ genden Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines ersten Bei­ spiels für die Erzeugung von Rekombinationszentren für die Halbleiterschaltungsanordnung nach Fig. 1; und
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines zweiten Bei­ spiels für die Erzeugung von Rekombinationszentren für die Halbleiterschaltungsanordnung nach Fig. 1.
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Elemente.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer Halbleiter­ schaltungsanordnung als Ausführungsform der vorliegenden Er­ findung.
In Fig. 1 bezeichnen BAT eine Spannungsversorgung, IDIO den Diodenstrom der Diode Dpn, RB einen Bondwiderstand, 5 einen Spannungsversorgungsanschluß bzw. Rückseitenkontakt, 10 ein Wafersubstrat, RZ eine Rekombinationszone, 22 eine p-- Epitaxie-Schicht, 20 einen Bauelementbereich, TNPN einen para­ sitärer NPN-Transistor, REPI den Widerstand der Epitaxie- Schicht 22, Dpn den pn-Übergang zwischen der Epitaxie-Schicht 22 und dem Drainanschluß 25, 25 den Drainanschluß, 30 eine n- Epitaxie-Schicht, 40 p-Isolationsgebiete, 26 und 28 eine je­ weilige n-Wanne, GR einen Guardring, VD die Drainspannung, IGR den Strom in GR und INW den Strom in 28.
Die in Fig. 1 gezeigte Halbleiteranordnung hat ein dopple­ schichtiges Substrat 10, 15 des ersten Leitungstyps p. Vor­ derseitig des Substrats 10, 15 vorgesehen ist der Bauelement­ bereich 20 mit einer Mehrzahl isolierter Wannen 25, 26, 28 des zweiten Leitungstyps n.
In dem Bauelementbereich 20 ist als Leistungsbauelement ein DMOS-Transistor mit einem Drainanschluß 25 des zweiten Lei­ tungstyps n zum Anschluß einer Last vorgesehen.
Wie bereits eingangs angedeutet, kann das vergrabenen n- Draingebiet 25 des betreffenden DMOS-Transistors kann durch Kurzschluß oder eine daran angeschlossene induktive Last auf ein Potential kleiner 0 V gegenüber der p-Schicht 22 gezogen werden. Dadurch gelangt die interne Diode Dpn aus dem n- Draingebiet 25 und und der p-Schicht 22 in Flußrichtung.
Die Elektronen, die vom n-Draingebiet 25 injiziert werden, können als Querströme über jede n-Wanne abfließen und zu un­ gewollten Fehlfunktionen in digitalen und analogen Schal­ tungsteilen führen (hier z. B. über die Wanne 28). Eine Mög­ lichkeit zur Milderung des Problems bietet wie gesagt der in Fig. 1 gezeigte Guardring GR.
Bei dieser Ausführungsform ist nun vorgesehen, daß das Sub­ strat 10, 15 eine Rekombinationszone RZ für die Rekombination von vom Drainanschluß 25 injizierten Minoritätsträgern auf­ weist.
Das Substrat 10, 15 hat bei dieser Ausführungsform einen Dop­ pelschichtaufbau, umfassend ein Wafersubstrat 10 und eine darauf abgeschiedene ca. 7 µm dicke Epitaxieschicht 15 je­ weils des ersten Leitungstyps p, wobei sich der Bauelementbe­ reich 20 in der Epitaxieschicht 15 befindet.
Die Rekombinationszone RZ befindet sich im Wafersubstrat an der Grenzfläche zwischen Wafersubstrat 10 und Epitaxie­ schicht. Die Rekombinationszone RZ läßt sich durch verschie­ dene Verfahren in das Substrat 10, 15 einbringen.
Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung eines ersten Bei­ spiels für die Erzeugung von Rekombinationszentren für die Halbleiterschaltungsanordnung nach Fig. 1.
In das Substratmaterial des Wafersubstrats 10 wird ein Fremd­ stoff P implantiert und dann die p-Schicht 15 epitaktisch ab­ geschieden. Die Epitaxie-Dicke und Epitaxie-Konzentration sind durch die maximale externe Durchbruchspannung bestimmt. Danach kann die Standard-Prozeßabfolge eines SPT-, BICMOS-, CMOS-Prozesses usw. folgen. Als Fremdstoff lassen sich unter anderem Kohlenstoff, Sauerstoff und/oder Stickstoff benutzen.
Fig. 3 zeigt eine schematische Darstellung eines zweiten Bei­ spiels für die Erzeugung von Rekombinationszentren für die Halbleiterschaltungsanordnung nach Fig. 1.
Die Rekombinationszone RZ läßt sich dabei durch Aufbringen einer dünnen strukturierten Isolationsschicht O auf dem Wa­ fersubstrat 10 mit anschließender epitaktischer Abscheidung der p-Schicht 15 erzeugen. Wird die p-Epitaxie so gefahren, daß sich oberhalb dieser strukturierten Isolationsschicht O Polysiliziumgebiete 15' bilden, so können die vom Drainan­ schluß 25 injizierten Elektronen in diesen Polysiliziumgebie­ ten 15' rekombinieren. Natürlich dürfen die Polysiliziumge­ biete 15' nicht in die Raumladungszone der Bauelemente hin­ einreichen, weil sonst zu große Leckströme fließen.
Die Rekombinationszone RZ läßt sich auch durch Waferbonden erreichen. Hierzu werden am Anfang des Prozesses zwei p- dotierte Siliziumscheiben gebondet und eine davon zurückge­ schliffen. Die zurückzuschleifende Dicke ist bestimmt durch die gewünschte maximale externe Durchbruchspannung. Danach erfolgt der normale Prozeß zur Herstellung der Bauelemente. Der Übergang zwischen beiden Siliziumscheiben ist so gestört, daß er als Rekombinationszone für die vom Drainanschluß 25 injizierten Elektronen dient.
In der Waferbondtechnik benutzt man neuerdings poröses Sili­ zium. Dieses wird durch eine bestimmte Naßchemie erzeugt. Dieses poröse Silizium weist natürliche, kurze Rekombina­ tionszeiten auf. Wächst man wiederum ein monokristalines p- dotiertes Epitaxie-Silizium auf solchem porösen Silizium aus, so hat man wiederum ein geeignetes Ausgangssubstrat für eine Querstrom-unanfällige Technologie.
Jedes CZ-Grundmaterial beinhaltet Kristallfehler. Um in die­ sem Material Bauelemente ohne große Leckströme einzubringen, werden die Scheiben vor der Prozessierung denudifiziert (Denudification). Dadurch entsteht eine fast kristallfehlerfreie obere Siliziumschicht. Unterhalb dieser ist die Ladungsträ­ gerlebensdauer sehr gering. Die "denudification zone" er­ reicht typisch 20 µm Tiefe. Baut man nun um die injizierenden Bauelemente Isolationsgräben, die tiefer als die "denudifica­ tion zone" sind, so können die injizierten Minoritätdladungs­ träger in der nicht-denudifizierten Zone rekombinieren, bevor sie die restliche Schaltung stören.
Den gleichen Effekt läßt sich aber auch durch Einbau von Re­ kombinationsringen um die injizierenden Bauelemente errei­ chen. Diese Ringe ließen sich zum Beispiel über ringförmige strukturierte Isolationsinseln generieren. Im Gegensatz zum obigen Vorschlag mit den Polysiliziumgebieten auf der Isola­ tionsschicht müßte aber das ganze Silizium bis zur Oberfläche gestört werden.
Eine weitere Möglichkeit ist die Erzeugung der Rekombina­ tionszentren am Ende des Herstellungsprozesses für die Bau­ elemente. Dies läßt sich z. B. durch Protonenbeschuß über die Rückseite erreichen. Protonen sind deshalb hierzu gut geeig­ net, weil sie eine hohe Eindringtiefe haben und in einem schmalen Bereich gestoppt werden können. Doch auch Elektronen oder sonstige Partikelstrahlung können prinzipiell angewendet werden.
Es ist weiterhin denkbar, am Ende des Herstellungsprozesses für die Bauelemente die Siliziumscheibe so dünn zu schleifen, daß die Diffusionslänge der injizierten Elektronen gleich der Scheibendicke ist und die Elektronen somit am Rückseitenan­ schluß 5 von der Spannungsquelle BAT abgesaugt werden. Er­ strebenswert wären für diesen Fall Scheibendicken von unge­ fähr 40 µm. Eine Rückseitenmetallisierung würde die Rekombi­ nation zusätzlich fördern.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzug­ ter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modi­ fizierbar.
Um den unerwünschten Querstrom noch besser in den Griff zu bekommen, kann zusätzlich um die injizierenden Bauelemente ein Guardring GR gelegt werden. Die Isolationsgebiete 40 zwi­ schen Guardring GR und injizierendem Drainanschluß 25 und zwischen Guardring GR und dem restlichen Chip könnten zusam­ men mit dem Guardring GR auf 0 V liegen.
Es ist aber besser, den lateralen Spannungsabfall unterhalb des injizierenden Drainanschlußes 25 auszunutzen, damit der injizierende pn-Übergang zugesteuert wird. Dies kann dadurch erreicht werden, daß man die Isolationsgebiete 40 nicht an ein definiertes Potential anschließt, sondern floaten läßt. Möglich ist es auch, jeweils ein Isolationsgebiet 40 anzu­ schließen und ein anderes floaten zu lassen.
Auch kann die injizierende Bauelement der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltungsanordnung ein Thyristor oder ein sonsti­ ges komplizierteres vertikales oder laterales Halbleiterbau­ element sein und ist nicht auf den erläuterten vertikalen DMOS-Transistor beschränkt.
Bezugszeichenliste
BAT Spannungsversorgung
IDIO
Diodenstrom
RB
Bondwiderstand
5
Spannungsversorgungsanschluß, Rücksei­ tenkontakt
10
Wafersubstrat
RZ Rekombinationszone
22
p-
-Epitaxie-Schicht
20
Bauelementbereich
TNPN
parasitärer NPN-Transistor
REPI
Widerstand der Epitaxie-Schicht
22
Dpn pn-Übergang zwischen der Epitaxie- Schicht
22
und dem Drainanschluß
25
25
Drainanschluß
30
n-Epitaxie-Schicht
40
p-Isolationsgebiete
26
,
28
n-Wanne
GR Guardring
VD
Drainspannung
IGR
Strom in GR
INW
Strom in
28

Claims (16)

1. Halbleiterschaltungsanordnung mit:
einem Substrat (10, 15) des ersten Leitungstyps (p); und
einem vorderseitig des Substrats (10, 15) vorgesehenen Bau­ elementbereich (20) mit einer Mehrzahl isolierter Wannen (25, 26, 28) des zweiten Leitungstyps (n);
wobei in dem Bauelementbereich (20) mindestens ein Leistungs­ bauelement mit einem Lastanschluß (25) des zweiten Lei­ tungstyps (n) zum Anschluß einer Last vorgesehen ist;
dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat (10, 15) eine Rekombinationszone (RZ) für die Rekombination von vom Lastanschluß (25) in das Substrat (10, 15) injizierten Minoritätsträgern aufweist.
2. Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (10, 15) ein Wafersubstrat (10) und eine darauf abgeschiedene Epitaxieschicht (25) jeweils des ersten Leitungstyps (p) aufweist und sich der Bauelementbereich (20) in der Epitaxieschicht (15) befindet.
3. Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Rekombinationszone (RZ) in der Nähe der Grenz­ fläche zwischen Wafersubstrat (10) und Epitaxieschicht (15) befindet.
4. Halbleiterschaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (10, 15) einen rückseitig vorgesehenen Span­ nungsversorgungsanschluß (5) aufweist, der Lastanschluß (25) ein vergrabener Drainanschluß eines vertkalen DMOS- Transistors ist, und der Laststrom (ID) zwischen dem Span­ nungsversorgungsanschluß (5) und dem Lastanschluß (25) führ­ bar ist.
5. Halbleiterschaltungsanordnung nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Rekombinationszone (RZ) ganzflächig vorgesehen ist.
6. Halbleiterschaltungsanordnung nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Rekombinationszone (RZ) lokal, vorzugsweise ringför­ mig, im Bereich des Lastanschlusses (25) vorgesehen ist.
7. Halbleiterschaltungsanordnung nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundmaterial des Halbleiterschaltungsanordnung Sili­ zium ist.
8. Halbleiterschaltungsanordnung nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, in der Rekombinationszone (RZ) ein Fremdstoff oder Fehlstel­ len eingebracht sind.
9. Halbleiterschaltungsanordnung nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitungstyp der p-Typ und der zweite Lei­ tungstyp der n-Typ ist.
10. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltungsan­ ordnung nach Anspruch 1 mit den Schritten:
Bereitstellen eines Wafersubstrats (10);
Implantieren eines Fremdstoffs, vorzugsweise Kohlenstoff, Sauerstoff und/oder Stickstoff, in das Substratmaterial des Wafersubstrats (10) zum Erzeugen der Rekombinationszone (RZ);
epitaktisches Abscheiden einer Siliziumschicht (15) des er­ sten Leitungstyps auf dem Wafersubstrat (10); und
Erstellen des Bauelementbereichs (20) in der Siliziumschicht (15) des ersten Leitungstyps.
11. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltungsan­ ordnung nach Anspruch 1 mit den Schritten:
Bereitstellen eines Wafersubstrats (10);
Aufbringen einer strukturierten Isolationsschicht (O) auf dem Wafersubstrat (10);
epitaktisches Abscheiden einer Siliziumschicht (15) des er­ sten Leitungstyps auf dem Wafersubstrat (10) mit der struktu­ rierten Isolationsschicht (O) derart, daß sich oberhalb der strukturierten Isolationsschicht (O) Polysiliziumgebiete (15') als Rekombinationszentren der Rekombinationszone (RZ) bilden; und
Erstellen des Bauelementbereichs (20) in der Siliziumschicht (15) des ersten Leitungstyps.
12. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltungsan­ ordnung nach Anspruch 1 mit den Schritten:
Bereitstellen eines ersten und eines zweiten Wafersubstrats;
Waferbonden der beiden Wafersubstrate zum Erzeugen der Rekom­ binationszone (RZ) im Bondbereich;
Zurückschleifen des einen der beiden Wafersubstrate; und
Erstellen des Bauelementbereichs (20) im zurückgeschliffenen Wafersubstrat.
13. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltungsan­ ordnung nach Anspruch 1 mit den Schritten:
Bereitstellen eines Wafersubstrats mit rauher Oberfläche;
epitaktisches Abscheiden einer Siliziumschicht (15) des er­ sten Leitungstyps auf dem Wafersubstrat (10) zum Erzeugen der Rekombinationszone (RZ) in der Grenzfläche; und
Erstellen des Bauelementbereichs (20) in der Siliziumschicht (15) des ersten Leitungstyps.
14. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltungsan­ ordnung nach Anspruch 1 mit den Schritten:
Bereitstellen eines CZ-Wafersubstrats mit Kristallfehlern;
Denudifizieren des CZ-Wafersubstrats zum Erzeugen einer fast kristallfehlerfreien oberen Siliziumschicht;
Vorsehen von Gräben oder Ringen als Rekombinationszone (RZ) um den Lastanschluß des Bauelementes, die tiefer als die de­ nudifizierte obere Siliziumschicht sind; und
Erstellen des Bauelementbereichs (20) in der oberen Silizium­ schicht.
15. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltungsan­ ordnung nach Anspruch 1 mit den Schritten:
Bereitstellen eines Substrats (10, 1.5);
Erstellen des Bauelementbereichs (20) vorderseitig des Sub­ strats (10, 15);
Bestrahlen des Substrats (10, 15) zum Erzeugen der Rekombina­ tionszone (RZ), vorzugsweise durch Protonenbeschuß über die Rückseite erreichen
16. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltungsan­ ordnung nach Anspruch 1 mit den Schritten:
Bereitstellen eines Substrats (10, 15);
Erstellen des Bauelementbereichs (20) vorderseitig des Sub­ strats (10, 15);
rückseitiges Abschleifen des Substrats (10, 15) derart, daß die Diffusionslänge der vom Lastanschluß injizierten Minori­ tätsträger im wesentlichen gleich der Scheibendicke ist; und
Vorsehen eines rückseitigen Spannungsversorgungsanschlusses (5) des Substrats (10, 15), so daß die Rekombinationszone (RZ) an der Rückseite des Substrats (10, 15) liegt.
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