DE10014445A1 - Verfahren zum Zerteilen eines Halbleiterstabes - Google Patents
Verfahren zum Zerteilen eines HalbleiterstabesInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Zerteilen eines Halbleiterstabes in eine Vielzahl von Halbleiterscheiben, wobei ein Fluid, das das Halbleitermaterial in einer chemischen Reaktion löst, mit einer Geschwindigkeit von 1 bis 200 m/s mittels einer Transportvorrichtung zunächst auf der Oberfläche des Halbleiterstabes und später in einem sich bildenden Schneidspalt geführt wird und die gelösten Reaktionsprodukte mit dem Fluidstrom abgeführt werden.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Zerteilen eines Halb
leiterstabes in eine Vielzahl von Halbleiterscheiben.
Scheibenförmiges Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium,
das zur Herstellung elektronischer Bauelemente oder zur Her
stellung von Solarzellen verwendet wird, ist durch Zerteilen
des stab- oder blockförmigen Ausgangsmaterials erhältlich. Die
ses Ausgangsmaterial ist insbesondere ein einkristalliner Halb
leiterstab, der nach dem Czochralski- oder dem Floating Zone-
Verfahren hergestellt wird oder ein polykristalliner Stab oder
Block, der beispielsweise nach dem Siemens-Verfahren herge
stellt wird.
Verfahren zum Zerteilen eines Halbleiterstabes gemäß dem Stand
der Technik bergen Nachteile, insbesondere durch die mechani
sche Bearbeitung des hochreinen Halbleitermaterials. So verur
sachen sowohl Innenlochsägen wie auch Drahtsägen eine uner
wünschte Scheibengeometrie, Scheibenoberfläche und Kontaminati
on des Halbleitermaterials. In nachfolgenden Schleif-, Polier-
und Ätzschritten müssen induzierte Kristallgitterdefekte, Geo
metriefehler und Kontaminationen beseitigt werden. Demnach
zieht die mechanische Zerteilung eines Halbleiterstabes eine
Vielzahl von Reperaturschritten nach sich.
Die US 4,465,550 beschreibt ein Verfahren zum Zerteilen eines
Halbleiterstabes in Halbleiterscheiben mittels eines Metall
drahtes, der mit geschmolzenem Natriumhydroxid beaufschlagt und
durch elektrischen Stromfluß beheizt ist. Dieser Metalldraht
läuft um und wird durch den Halbleiterstab getrieben. Der Nach
teil an diesem Verfahren ist, daß der Metalldraht das Halblei
termaterial kontaminiert. Insbesondere diffundieren durch die
erhöhte Temperatur bei diesem Verfahren Metalle tief in den
Bulk der Halbleiterscheiben.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung bestand daher darin, ein
Verfahren zum Zerteilen eines Halbleiterstabes bereitzustellen,
das eine Zerstörung des Kristallgitters durch die mechanische
Bearbeitung und eine Kontamination des Halbleitermaterials
durch Metalle ausschließt.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zum Zerteilen eines
Halbleiterstabes in eine Vielzahl von Halbleiterscheiben, das
dadurch gekennzeichnet ist, daß ein Fluid, das das Halbleiter
material in einer chemischen Reaktion löst, mit einer Geschwin
digkeit von 1 bis 200 m/s mittels einer Transportvorrichtung
zunächst auf der Oberfläche des Halbleiterstabes und später in
einem sich bildenden Schneidspalt geführt wird und die gelösten
Reaktionsprodukte mit dem Fluidstrom abgeführt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird bevorzugt auf Silicium,
Germanium, Galliumarsenid oder andere Feststoffe angewendet,
die sich in einem geeigneten Fluid lösen oder mit einem geeig
neten Fluid zu flüssigen oder gasförmigen Produkten reagieren.
Überraschenderweise wird durch die Verabreichung von reaktions
fähigem Fluid, dessen Reaktion mit der Oberfläche des Halblei
termaterials nahezu spontan abläuft, und einer Bewegung, die
das reaktive Fluid zur Oberfläche und die Reaktionsprodukte von
der Oberfläche abtransportiert ein Zerteilen des Halbleiterma
terials möglich. Genereller Bestandteil der Erfindung ist die
Kombination von Chemie und Mechanik in Form von Geschwindigkeit
bzw. Relativgeschwindigkeit.
Vorzugsweise berührt die Transportvorrichtung die Oberfläche
des Halbleitermaterials nicht, um jedes Damage oder Kontamina
tionen zu vermeiden. Die Transportvorrichtung ist bevorzugt als
Blatt, beispielsweise als Sägeblatt, Band oder Faden ausgeführt
und wird entweder kontinuierlich oder oszillierend betrieben.
Die Transportvorrichtung ist bevorzugt aus hydrophilen Fäden
oder Zwirnen, beispielsweise aus Viskose oder Drähten oder
Scheiben, beispielsweise aus Polyamiden, Polyimiden oder kohle
faserverstärkten Kohlenstoff und enthält keine Metalle.
Das Fluid ist alkalisch oder sauer; als Fluid werden bevorzugt
Alkali in mittleren Konzentrationen in einem Lösemittel, bei
spielsweise Wasser oder Alkohol oder Mischungen von HF und HNO3,
in einem Lösemittel, beispielsweise Essig- oder Schwefelsäure
verwendet.
Im Falle von Alkali bieten sich NaOH und KOH an, die wegen ge
ringer Kosten und geringer Umweltbelastung die bevorzugten Rea
genzien darstellen. Andere alkalisch reagierende Stoffe wie
beispielsweise Amine, beispielsweise Tetramethylamoniumhydroxid
oder Salze schwacher organischer Säuren werden ebenfalls ver
wendet. Um ein Maximum an Abtragsgeschwindigkeit in Verbindung
mit Wirtschaftlichkeit zu erzielen, wird Alkali bei erhöhter
Temperatur verwendet. Bevorzugt wird eine 5 bis 50 Gew.-%ige
Lösung, besonders bevorzugt eine 10 bis 40 Gew.-%ige Lösung von
KOH oder NaOH in Wasser bei einer Temperatur bevorzugt von 40
bis 120°C, besonders bevorzugt von 60 bis 100°C verwendet.
In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ver
fahrens werden dem Fluid thixotrope Materialien, beispielsweise
SiO2, Ruße oder Thixotropiermittel, wie beispielsweise vernetz
tes Polyethylen, Polypropylen oder Methyl-Cellulose zugesetzt,
um die Verarbeitbarkeit des Fluids zu verbessern. Die zunehmen
de Viskosität unterbindet ein Verspritzen des Fluidstroms und
das Anätzen des Halbleitermaterials läßt sich kontrollieren.
Durch das thixotrope Verhaften der Lauge wird an (nicht beweg
ten) Stellen hoher Viskosität das Anätzen durch fehlenden
Stofftransport unterbunden, während an Stellen hoher Geschwin
digkeit der Stofftransport in der dann niedrig viskosen Auf
schlämmung zur und von der Oberfläche sehr schnell erfolgt und
die Ätzung/Trennung völlig isotrop und kräftefrei erfolgt.
Die Isotropie des Ätzabtrags wird weiter begünstigt durch die
erhöhte Temperatur und damit Abtragsrate und durch die, mit ho
her Geschwindigkeit vorliegenden Strömung des Fluids. Um einen
Filmriß zu vermeiden, wird das Fluid mittels angepaßten Düsen
durchmessers und applizierten Drucks vor dem Kontakt mit der
Transportvorrichtung auf eine geeignete Geschwindigkeit vorbe
schleunigt.
Die Erhöhung der Reaktionsgeschwindigkeit mittels Temperaturer
höhung folgt den allgemeinen chemischen Gesetzen. Beispielswei
se wird der Kristallstab erwärmt, was eine gewisse Verbreite
rung der Reaktionszone nach sich zieht. Bevorzugt wird das Flu
id erwärmt, was die Temperaturverteilung deutlich einengt. Eine
weitere bevorzugte Ausführungsform ist die "punktuelle" Erwär
mung der Reaktionszone, wie beispielsweise des Schneidspalts
mittels elektromagnetischer Strahlung. Die Wellenlänge der
elektromagnetischen Strahlung wird so gewählt, daß die Strah
lung möglichst vollständig von dem Halbleitermaterial absor
biert wird. Zweckmäßigerweise wird die gewählte elektromagneti
schen Strahlung weder von dem Fluid noch von der Transportvor
richtung absorbiert. Für das Verfahren zum Zerteilen eines
Halbleiterstabes setzt man vorzugsweise Laserlicht ein, das
entweder über einen gepulsten und lateral verschiebbaren Punkt
fokus oder aber einen Strichfokus verfügt, der einen breiteren
Bereich im Spalt ausleuchtet und somit erwärmt. Für das Verfah
ren zum Bearbeiten der Oberfläche einer Halbleiterscheibe, bei
spielsweise zum Glätten oder zur Geometrieverbesserung, verwen
det man vorzugsweise einen Laser mit flächigem Fokus, wie bei
spielsweise einen Excimer-Laser, dessen Ausleuchtungsfläche zu
sätzlich über eine Rechteck-Blende oder eine flexible Blende
einstellbar ist.
Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsformen der Transport
vorrichtung und deren bevorzugte Verwendung beschrieben.
- a) Außentrennsäge: Bei dieser Ausführungsform des erfindungsge mäßen Verfahrens wird ein dünnes Sägeblatt, bevorzugt mit einer rauhen und besonders bevorzugt mit einer speziell geriffelten Kante für den Transport des Fluids, in schnelle Rotation ver setzt. Vorzugsweise werden Relativgeschwindigkeiten vorzugswei se von 80 bis 120 m/s erzielt. Schaltet man mehrere Sägeblätter im Abstand der gewünschten Scheibendicke hintereinander, ist es leicht möglich, mehrere Scheiben zeitgleich vom Stab zu trennen. Das Fluid wird beispielsweise mittels einer Düse in den Schneidspalt eingeblasen oder das Sägeblatt wird mit dem Fluid beaufschlagt. Das Blatt berührt das Halbleitermaterial nicht.
- b) Bandsäge: Die Schneidkante einer Bandsäge wird entsprechend der Außentrennsäge in ihrer Form vorbereitet. Die Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens mittels einer Bandsäge hat den Vorteil, daß die Führung des Bandes durch den Kristallstab sta biler verläuft. Der Regelaufwand ist geringer als bei einer Au ßentrennsäge. Der Sägevorgang selbst ist entsprechend dem der Außentrennsäge. Bei den Bandsägen ist die zeitgleiche Bearbei tung mit mehreren Bändern Stand der Technik und problemlos für dieses Trennverfahren anwendbar. Auch hier berührt das Sägeband das Halbleitermaterial nicht.
- c) Drahtsäge: Das Drahtsägeverfahren ist für die Zerteilung von Kristallstäben wohl etabliert, wobei mittels eines Sägedrahtes und einer Abrasiv-Slurry der Schnitt erzeugt wird. Da in dem erfindungsgemäßen Verfahren kein Abrasiv verwendet wird, können die Relativgeschwindigkeiten von gängigen 10 m/s bevorzugt auf 20 bis 120 m/s erhöht werden. Erfindungsgemäß wird statt einem Draht aus hydrophobem Stahl oder Messing ein aus einem hydrophileren, vorzugsweise Baumwolle, derivatisierte Cellulose (Viskose) und oberflächenreicheren Material gewählt, wie bei spielsweise Garne, Zwirne, Polymere, beispielsweise Polyamide oder Kohlefaser. Diese Fäden weisen genügend hohe Reißfestig keiten auf, sind gegen die verwendete Lauge ausreichend stabil und verfügen wegen der Struktur des Fadens über eine hohe Auf nahmefähigkeit an Fluid. Die beispielsweise als Garn ausgebil dete Transportvorrichtung findet in einer Drahtsäge gemäß dem Stand der Technik Anwendung. Mittels einer Vielzahl von paral lelen Transportvorrichtungen in Form eines Gatters aus Garn wird dann ein Halbleiterstab in eine Vielzahl von Halbleiter scheiben zerteilt. Das erfindungsgemäße Verfahren ist sowohl auf Drahtsägen gemäß dem Stand der Technik mit oszillierender Transportrichtung des Fadens als auch kontinuierliche Trans portrichtung des Fadens anwendbar. Mittels des Garns wird das Fluid entlang des Halbleitermaterials geführt. Dabei steht nur der Fluidstrom in Kontakt mit dem Halbleitermaterial; die Transportvorrichtung dagegen berührt das Halbleitermaterial nicht. Der Faden wird unmittelbar vor dem Schneidspalt, bei spielsweise mittels einer Düsenvorrichtung mit Beschleunigungs strecke mit dem Fluid beaufschlagt.
- d) Strahldüse: In einer weiteren Ausführungsform des erfin dungsgemäßen Verfahrens wird als Transportvorrichtung für das Fluid eine Düse verwendet. Das verwendete Fluid wird mit hoher Geschwindigkeit auf die Oberfläche geschossen. Das ausgetretene Fluid wird über einen Ringkanal oder einen in lateraler Schnittrichtung angebrachten Saugrüssel abgesaugt, erneut er wärmt und dem Prozeß wieder zugeführt. Der Durchmesser der Düse und damit der Schnittbreite kann nach Wunsch eingestellt wer den. Über den Düsendurchmesser und den Vordruck lassen sich Fluidströme mit Geschwindigkeiten bis zu 150 m/s erreichen. Bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens verwen det man bevorzugt eine Lösung ohne Thixotropiermittel, da eine hohe Viskosität den Ausstoß aus der Düse behindern würde.
Verschiedene Varianten bieten sich für ein schnelles Trennen
mehrerer Scheiben an; ein Kamm mehrerer in Serie geschalteter
Düsen, womit die Bewegung in lateraler Richtung wesentlich ver
kürzt wird. Zweckmäßigerweise werden, um mehrere Schnitte pa
rallel auszuführen, Einzeldüsen oder Düsenkämme parallel ge
schaltet. Die letztgenannte Ausführungsform (Strahldüse) ist
auch geeignet, lokale Unebenheiten auf der Oberfläche einer
Halbleiterscheibe zu beseitigen. Dazu fährt man mit dem Strahl
mit reaktiven Komponenten die vorher vermessene und der Steue
rung der Düse übergebene Stellen höherer Dicke an und ätzt ge
zielt an diesen Stellen den Überstand weg. Wichtig dabei ist,
daß sowohl Fließgeschwindigkeit wie laterale Bewegungsgeschwin
digkeit und der Strahl-Winkel der Düse mit dynamischen Algo
rithmen der Höhenkontur der Scheibe angepaßt werden können, um
ein optimales Geometrieergebnis zu erhalten.
Aus dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Zerteilen eines Halb
leiterstabes resultiert eine verkürzte Prozeßkette zur Herstellung
von Halbleiterscheiben. Diese Prozeßkette besteht nur aus
den Schritten Zerteilen eines Halbleiterstabes, einer Politur,
gegebenenfalls aus begleitenden Schritten wie Kantenverrunden
und Bearbeitung der Rückseite, sowie der Reinigung der fertig
polierten Halbleiterscheibe.
Nachfolgend sind Beispiele für das erfindungsgemäße Verfahren
zum Zerteilen eines Halbleiterstabes mittels einer Sägevorrich
tung und einem Faden als Transportvorrichtung für das Fluid be
schrieben.
An einen Motor mit max 600. Upm wurde eine Rolle auf der Achse
befestigt. Eine zweite Rolle wurde im Abstand von 25 cm an ei
nem Galgen (Stativ) aufgehängt. Ein umlaufender Faden verband
die beiden Rollen und wurde von der Motorachse angetrieben. Die
Spannung des Fadens war über eine Spiralfeder vorgegeben. Gegen
den Faden wurde ein Silicium Kristall geführt, so daß er ihn
leicht berührte. Der angetriebene Faden wurde dann mit einer 10 Gew.-%igen
Lösung von KOH unmittelbar vor dem Kristallstück be
feuchtet. Nach einer Bearbeitungsdauer von 3 h wurde eine deut
liche Rille im Kristall festgestellt, deren Tiefe etwa 0,1 mm
betrug.
Mit gleicher Anordnung wurde ein zweiter Versuch unternommen,
nur daß statt der KOH-Lösung eine gut gepufferte Polierslurry
(SiO2) verwendet wurde. Schon bei Raumtemperatur und den oben
angegebenen Verhältnissen wurde der Abtrag von 0,1 mm bereits
nach einer Bearbeitungsdauer von 1,5 h erreicht, obwohl der Fa
den das Werkstück nicht berührte.
Wegen der Probleme mit dem Endlosfaden wurde eine Laborvorrich
tung gebaut, bei der ein Faden (Viskose) von einer Spindel auf
eine andere Spindel umgewickelt wird. Diese Anordnung erlaubt
wesentlich höhere Geschwindigkeiten nämlich von bis zu 100 m/s
und gestattet hohe Konzentrationen des Alkali und Temperaturen,
die nur durch die verwendeten Materialien begrenzt werden. In
diesem Beispiel war der Spritzschutz aus Polypropylen gebaut,
was eine maximale Temperatur von 80°C erlaubte. Wegen der ho
hen Geschwindigkeit des Fadens wurde eine Beschleunigungs
strecke für die chemische Komponente (50 Gew.-% KOH bei 60°C)
eingerichtet, da sonst der Flüssigkeitsfilm abriß und die Ab
tragsraten deutlich reduziert wurden. Bei einer mittleren Ge
schwindigkeit von 30 m/s wurden Abtragsraten von durchschnitt
lich 50 µm/min erhalten.
Für kurze Zeit wurde die Geschwindigkeit des Fadens auf 85 m/s
erhöht. Aus dem Abtrag von 600 µm in 7 min läßt sich eine Ab
tragsrate von ca. 80 bis 85 µm/min ableiten.
Zu einer einfacheren Prozeßführung (einfache Beschleunigungs
strecke für das Trennmittel, kein Spritzen der Lauge) gelangte
man, wenn das Ätzmittel mittels Thixotropiermittel hochviskos
eingestellt wurde. Der Zusatz von 30 Gew.-% SiO2 oder 5 bis 10 Gew.-%
vernetztes Polypropylen wurde die Abtragsrate um ca. 10%
reduziert, die Prozeßführung aber wesentlich vereinfacht.
Nachfolgend sind Beispiele des erfindungsgemäßen Verfahrens zum
Zerteilen eines Halbleiterstabes mittels einer Düse als Trans
portvorrichtung für das Fluid beschrieben.
Eine Düse mit 50 µm Durchmesser wurde mit einer gepufferten
Slurry aus SiO2-Partikeln (Kieselsol mit Teilchengrössen von 20 nm,
entsprechend einer spezifischen Oberfläche von 200 m2/g) un
ter 20 bar beaufschlagt und über die Oberfläche eines Silicium-
Kristallstückes bewegt. Bei einer Schnittlänge von 100 mm konn
te in 2 h ein Graben von 65 µm Breite und einer Tiefe von 35 µm
erreicht werden.
Bei gleichem Aufbau der Apparatur wurde der chemische Anteil an
Alkali um Faktor 5 erhöht und gleichzeitig die Temperatur von
Raumtemperatur auf 80°C erhöht. Mit diesen Parametern wurde
eine Ätzrate von ca. 8 µm/min erhalten.
Bei gleichem Aufbau wie in Beispiel 1 und unter Verwendung ei
ner kalten Alkali-Lösung in Wasser wurde in den Strahl ein La
serlicht (HeCd, λ = 442 nm) eingekoppelt, womit die zu bearbei
tende Stelle des Siliciumkristalls punktuell auf ca. 200°C er
wärmt wurde. Die Abtragsrate betrug in diesem Fall 1,1 µm/min.
Nachfolgend sind Beispiele zum Glätten der Oberfläche einer
Halbleiterscheibe mittels einer Düse als Transportvorrichtung
für das Fluid beschrieben.
Eine geschliffene Siliciumscheibe wurde mittels kapazitiver
Messmethode auf seine Dicke vermessen, wobei ca. 4900 Punkte
angefahren wurden. Aus den Einzeldicken wurde die lokale Form
der Scheibe berechnet. Die Koordinaten der Dickenwerte wurden
einer Steuereinheit übertragen, die einen Wasserstrahl spiral
förmig über die Scheibe führte, wobei die jeweilige Verweilzeit
der Düse den lokalen Dicken entsprach. Der Fluidstrahl wurde
aus einer Düse mit 0,5 mm Durchmesser unter einem Druck von 5 bar
auf die Scheibenoberfläche geschleudert. Dem Wasser war ei
ne Slurry aus SiO2-Teilchen und KOH zugesetzt, die den Abtrag an
Silicium beschleunigen sollte. Die Größe der SiO2-Solteilchen
betrug ca. 50 nm, entsprechend einer spezifischen Oberfläche
von 50 m2/g SiO2. Die KOH-Konzentration wurde auf 2 Gew.-% ein
gestellt. Als Ergebnis der Behandlung wurde zwar keine wesent
liche Verbesserung der lokalen Ebenheit erzielt, die Oberflä
chengüte bezüglich Rauheit war dagegen wesentlich verbessert,
da der behandelte Bereich einen hohen Glanz aufwies, wogegen
der unbehandelte ein mattes Grau darstellte.
In gleicher Art wie im obigen Beispiel wurde eine Düse von 150 µm
Durchmesser verwendet, der Druck auf 10 bar erhöht und eine
gut gepufferte Slurry mit 5 Gew.-% SiO2-Anteil eingesetzt. Bei
einer Bearbeitungsdauer von 400 s/Halbleiterscheibe wurde ein
mittlerer Abtrag von 1,2 µm erreicht, die Verbesserung der lo
kalen Geometrie betrug im Mittel der 52 Sites 0,15 µm.
Claims (8)
1. Verfahren zum Zerteilen eines Halbleiterstabes in eine
Vielzahl von Halbleiterscheiben, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Fluid, das das Halbleitermaterial in einer chemischen Reak
tion löst, mit einer Geschwindigkeit von 1 bis 200 m/s mittels
einer Transportvorrichtung zunächst auf der Oberfläche des
Halbleiterstabes und später in einem sich bildenden Schneid
spalt geführt wird und die gelösten Reaktionsprodukte mit dem
Fluidstrom abgeführt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Fluid entweder Alkali oder Mischungen von HF und HNO3, in einem
Lösemittel ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß dem Fluid thixotrope Materialien oder Thixotropiermittel
zugesetzt werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Transportvorrichtung als Blatt, Band oder
Faden ausgeführt ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Transportvorrichtung unmittelbar vor dem
Schneidspalt mittels einer Düsenvorrichtung mit dem Fluid be
aufschlagt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Transportvorrichtung entweder kontinuier
lich oder oszillierend betrieben wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Fluid und/oder das Halbleitermaterial er
wärmt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der
Schneidspalt mittels elektromagnetischer Strahlung erwärmt
wird.
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10014445A1 true DE10014445A1 (de) | 2001-10-11 |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10014445C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10238593A1 (de) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Wacker Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben |
WO2004032218A1 (de) * | 2002-09-04 | 2004-04-15 | Merck Patent Gmbh | Ätzpasten für siliziumoberflächen und -schichten |
CN113386275A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-09-14 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸超薄铌酸锂晶片的切片方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10237247B4 (de) * | 2002-08-14 | 2004-09-09 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silicium |
DE102006019461A1 (de) * | 2006-04-26 | 2007-10-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Ätzverfahren zum Materialabtrag an Festkörpern und dessen Verwendung sowie Vorrichtung hierzu |
DE102009007136A1 (de) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Sovello Ag | Ätzmischung zur Herstellung einer strukturierten Oberfläche auf Siliziumsubstraten |
CN103144208A (zh) * | 2013-02-17 | 2013-06-12 | 英利集团有限公司 | 一种线锯切割方法 |
CN108214634B (zh) * | 2018-01-11 | 2019-04-30 | 宁波德深机械设备有限公司 | 光伏太阳能板切割装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3915770A (en) * | 1974-12-16 | 1975-10-28 | Ibm | Method and apparatus for thermo-chemically slicing crystal boules |
US4465550A (en) * | 1982-06-16 | 1984-08-14 | General Signal Corporation | Method and apparatus for slicing semiconductor ingots |
US5912186A (en) * | 1995-11-21 | 1999-06-15 | Daido Hoxan, Inc. | Method for processing semiconductor material |
-
2000
- 2000-03-23 DE DE2000114445 patent/DE10014445C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3915770A (en) * | 1974-12-16 | 1975-10-28 | Ibm | Method and apparatus for thermo-chemically slicing crystal boules |
US4465550A (en) * | 1982-06-16 | 1984-08-14 | General Signal Corporation | Method and apparatus for slicing semiconductor ingots |
US5912186A (en) * | 1995-11-21 | 1999-06-15 | Daido Hoxan, Inc. | Method for processing semiconductor material |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10238593A1 (de) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Wacker Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben |
WO2004032218A1 (de) * | 2002-09-04 | 2004-04-15 | Merck Patent Gmbh | Ätzpasten für siliziumoberflächen und -schichten |
US8540891B2 (en) | 2002-09-04 | 2013-09-24 | Merck Patent Gmbh | Etching pastes for silicon surfaces and layers |
CN113386275A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-09-14 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸超薄铌酸锂晶片的切片方法 |
CN113386275B (zh) * | 2021-08-18 | 2021-10-22 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸超薄铌酸锂晶片的切片方法 |
WO2023019738A1 (zh) * | 2021-08-18 | 2023-02-23 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸超薄铌酸锂晶片的切片方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10014445C2 (de) | 2002-01-24 |
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